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JP5311049B2 - プロジェクター - Google Patents

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Description

本発明は、プロジェクターに関する。
スーパールミネッセントダイオード（Super Luminescent Diode、以下「ＳＬＤ」ともいう）は、通常の発光ダイオード同様にインコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザー同様に数十ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な半導体素子である。ＳＬＤは、半導体レーザー同様に、注入キャリアの再結合により生じた自然放出光が、光出射端面方向に進む間に誘導放出による高い利得を受けて増幅され、光出射端面から放出される機構を用いている。ただし、ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑え、レーザー発振が生じないようにする必要がある。
レーザー発振を抑制するための方法として、例えば特許文献１に示すように、利得領域（光導波路）を出射端面から傾ける構成が知られている。特許文献１に記載された技術では、高出力化を図るため、このように出射端面から傾いた直線状の光導波路を２つ形成している。
特開２００７−１６５６８９号公報
上記のように、出射端面から傾いた直線状の利得領域（光導波路）を備えた発光素子では、複数の利得領域から出射される光が、異なる方向に進む場合がある。しかしながら、プロジェクターの光源としてＳＬＤを用いた場合、ＳＬＤから出射される光は、同一の方向に進行することが望ましい。このようなＳＬＤによれば、プロジェクターにおける光軸合わせを容易化することができる。
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、複数の利得領域から出射される光を同一の方向に進行させる発光装置を備え、光軸合わせが容易なプロジェクターを提供することにある。
本発明に係るプロジェクターは、
発光装置と、
前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含み、
発光装置は、
発光素子と、
前記発光素子から出射された光が入射する光学部材と、
を有し、
前記発光素子は、スーパールミネッセントダイオードであって、第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれた活性層を備える積層構造体を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、前記活性層の電流経路となる第１利得領域および第２利得領域を構成し、
前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面と第２面とは、互いに対向する位置関係であり、
前記第１利得領域は、前記活性層の積層方向から平面視して、直線状に、前記活性層の前記第１面から前記第２面まで、前記第１面の垂線に対して時計回り方向に傾いており、
前記第２利得領域は、前記活性層の積層方向から平面視して、直線状に、前記活性層の前記第１面から前記第２面まで、前記第１面の垂線に対して反時計回り方向に傾いており、
前記光学部材は、前記第１利得領域の前記第２面側の端面、および前記第２利得領域の前記第２面側の端面から出射される光を屈折させて、同じ向きに進む光として出射させる。
このようなプロジェクターによれば、前記第１利得領域および前記第２利得領域から出射される光を同一の方向に進行させる発光装置を備え、光軸合わせを容易化することができる。
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記光学部材から出射される光の進む向きは、前記第２面の垂線方向であることができる。
このようなプロジェクターによれば、前記第２面を基準として、前記光学部材の入射面や出射面の位置を決定することができる。これにより、前記発光素子と前記光学部材とのアライメントを容易化することができる。
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記第１利得領域と前記第２利得領域とは、前記第１利得領域の前記第１面側の端面と、前記第２利得領域の前記第１面側の端面とが、前記第１面で重なるＶ型利得領域を構成し、
前記第１利得領域および前記第２利得領域に生じる光の波長帯において、前記第１面の反射率は、前記第２面の反射率よりも高いことができる。
このようなプロジェクターによれば、前記第１利得領域に生じる光の一部は、重なり面（前記第１利得領域の前記第１面側の端面と、前記第２利得領域の前記第１面側の端面と、の重なり面）において反射して、前記第２利得領域内においても、利得を受けながら進行することができる。また、前記第２利得領域に生じる光の一部に関しても同様である。したがって、例えば、重なり面において積極的に反射させないような場合に比べ、光強度の増幅距離が長くなるため、高い光出力を得ることができる。
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記第１利得領域および前記第２利得領域は、複数配列されていることができる。
このようなプロジェクターによれば、前記発光装置全体の高出力化を図ることができる。
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記光学部材は、前記発光素子から出射される光の波長に対して透過性を有することができる。
このようなプロジェクターによれば、光の吸収損失を低減することができる。
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記光学部材における光の入射領域および出射領域のうちの少なくとも一方は、反射低減部材により覆われていることができる。
このようなプロジェクターによれば、前記光学部材の入射面および出射面の少なくとも一方において、光の反射損失を低減することができる。
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記発光素子は、支持部材に実装され、
前記支持部材の熱伝導率は、前記発光素子の熱伝導率よりも高く、
前記活性層は、前記発光素子のうちの前記支持部材側に設けられていることができる。
このようなプロジェクターによれば、前記発光装置は、高い放熱性を有することができる。
本発明に係るプロジェクターにおいて、
前記発光素子は、支持部材に実装され、
前記活性層は、前記発光素子において前記支持部材とは反対側に設けられ、
前記積層構造体は、さらに、基板を有し、
前記活性層と前記支持部材との間に、前記基板が設けられていることができる。
このようなプロジェクターによれば、前記活性層と前記支持部材との間に前記基板が設けられているため、少なくとも前記基板の厚み分、前記活性層は前記支持部材から離れた位置に設けられている。そのため、より良好な形状（断面形状）の出射光を得ることができる。
本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。 本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光装置を模式的に示す平面図。 本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係るプロジェクターに用いる第１変形例の発光装置を模式的に示す平面図。 本実施形態に係るプロジェクターに用いる第２変形例の発光装置を模式的に示す平面図。 本実施形態に係るプロジェクターに用いる第３変形例の発光装置を模式的に示す平面図。 本実施形態に係るプロジェクターに用いる第４変形例の発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態に係るプロジェクターに用いる第５変形例の発光装置を模式的に示す断面図。 本実施形態に係るプロジェクターに用いる第６変形例の発光装置を模式的に示す断面図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
１． プロジェクター
まず、本実施形態に係るプロジェクター１００００について、図面を参照しながら説明する。図１は、プロジェクター１００００を模式的に示す図である。なお、図１では、便宜上、プロジェクター１００００を構成する筐体は省略している。プロジェクター１００００は、本発明に係る発光装置を含む。以下では、本発明に係る発光装置として、発光装置１０００を用いた例について説明する。
プロジェクター１００００において、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源（発光装置）１０００Ｒ，緑色光源（発光装置）１０００Ｇ、青色光源（発光装置）１０００Ｂは、上述した発光装置１０００である。
プロジェクター１００００は、光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂから出射された光をそれぞれ画像情報に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂと、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）１０１０に投射する投射レンズ（投射装置）１００８と、を備えている。また、プロジェクター１００００は、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂから出射された光を合成して投写レンズ１００８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）１００６を備えていることができる。
さらに、プロジェクター１００００は、光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂから出射された光の照度分布を均一化させるため、各光源１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ，１００２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂを照明している。均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ、１００２Ｂは、例えば、ホログラム１００２ａおよびフィールドレンズ１００２ｂによって構成される。
各液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム１００６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投写光学系である投射レンズ１００６によりスクリーン１０１０上に投写され、拡大された画像が表示される。
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micromirror Device）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
また、発光装置１０００を、発光装置１０００からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の発光装置（光源装置）にも適用することが可能である。
プロジェクター１００００によれば、光源として、本発明に係る発光装置を用いることができるため、光軸合わせが容易となる。プロジェクター１００００に用いる発光装置の構成等については、以下に説明する。
２． 発光装置
次に、本実施形態に係るプロジェクター１００００に用いる発光装置１０００について、図面を参照しながら説明する。図２は、発光装置１０００を模式的に示す平面図である。図３は、発光装置１０００を模式的に示す図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
発光装置１０００は、図２および図３に示すように、発光素子１００と、光学部材１５８と、を含む。発光装置１０００は、さらに、支持部材１４０を含むことができる。なお、ここでは、発光素子１００がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）のＳＬＤである場合について説明する。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。
発光素子１００は、支持部材１４０の上に実装されている。発光素子１００は、積層構造体１１４と、第１電極１２２と、第２電極１２０と、を有することができる。積層構造体１１４は、クラッド層（以下「第１クラッド層」という）１１０と、その上に形成された活性層１０８と、その上に形成されたクラッド層（以下「第２クラッド層」という）１０６と、を有する。さらに、積層構造体は、基板１０２と、バッファー層１０４と、コンタクト層１１２と、を有することができる。
基板１０２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。
バッファー層１０４は、例えば図３に示すように、基板１０２下に形成されていることができる。バッファー層１０４は、例えば、後述するエピタキシャル成長工程において（図４参照）、バッファー層１０４の上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。バッファー層１０４としては、例えば、基板１０２よりも結晶性の良好な（例えば欠陥密度の低い）第１導電型（ｎ型）のＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などを用いることができる。
第２クラッド層１０６は、図３に示すように、バッファー層１０４下に形成されている。第２クラッド層１０６は、例えば、第１導電型の半導体からなる。第２クラッド層１０６としては、例えばｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層などを用いることができる。
活性層１０８は、第２クラッド層１０６下に形成されている。活性層１０８は、例えば、発光素子１００において支持部材１４０側に設けられている。すなわち、活性層１０８は、例えば、発光素子１００のうち、厚さ方向の中間よりも下側（基板１０２側とは反対側）に設けられている。活性層１０８は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
活性層１０８の形状は、例えば直方体（立方体である場合を含む）などである。活性層１０８は、図２に示すように、第１面１０７および第２面１０９を有する。第１面１０７および第２面１０９は、活性層１０８の面のうち第１クラッド層１１０または第２クラッド層１０６に接していない面であり、積層構造体１１４において、露出している面である。第１面１０７および第２面１０９は、活性層１０８の側面ともいえる。第１面１０７および第２面１０９は、互いに対向しており、図示の例では平行である。
活性層１０８の一部は、複数の利得領域を構成している。例えば図示の例では、活性層１０８は、２つの利得領域（第１利得領域１８０および第２利得領域１８２）を有している。利得領域１８０，１８２には、光を生じさせることができ、この光は、利得領域１８０，１８２内で利得を受けることができる。利得領域１８０，１８２は、活性層１０８の電流経路となることができる。利得領域１８０，１８２に生じる光の波長帯において、第１面１０７の反射率は、例えば第２面１０９の反射率よりも高い。例えば、図２に示すように、第１面１０７を反射部１３０によって覆うことにより、高い反射率を得ることができる。反射部１３０としては、例えば、第１面１０７側からＡｌ２Ｏ３層、ＴｉＯ２層の順序で４ペア積層した誘電体多層膜ミラーなどを用いることができる。第１面１０７の反射率は、１００％、あるいはそれに近いことが望ましい。これに対し、第２面１０９の反射率は、０％、あるいはそれに近いことが望ましい。例えば、第２面１０９を反射低減部（図示せず）によって覆うことにより、低い反射率を得ることができる。反射低減部としては、例えばＡｌ２Ｏ３単層などを用いることができる。
利得領域１８０，１８２の各々は、活性層１０８の積層方向から平面視して（活性層１０６の厚み方向から平面視して、図２参照）、第１面１０７から第２面１０９まで、直線状に、第１面１０７の垂線Ｐに対して傾いた方向に向かって設けられている。これにより、利得領域１８０，１８２に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。第１利得領域１８０と第２利得領域１８２とは、異なる方向に向かって設けられている。図示の例では、第１利得領域１８０は、垂線Ｐに対して一方の側に傾いており、角度θＡの傾きを有する方向（以下「第１方向」ともいう）Ａに向かって設けられている。また、第２利得領域１８２は、垂線Ｐに対して他方の側（上記一方の側の反対側）に傾いており、角度θＢの傾きを有する方向（以下「第２方向」ともいう）Ｂに向かって設けられている。第１利得領域１８０の傾き角θＡと、第２利得領域１８２の傾き角θＢは、図示の例では同じであるが、異なっていても良い。第１利得領域１８０は、活性層１０８の積層方向から平面視して、第１面１０５の垂線Ｐに対して時計回り方向に傾いて設けられているともいえる。また、第２利得領域１８２は、活性層１０８の積層方向から平面視して、第１面１０５の垂線Ｐに対して反時計回り方向に傾いて設けられているともいえる。
図示の例では、第１利得領域１８０の第１面１０７側の第１端面１７０と、第２利得領域１８２の第１面１０７側の第３端面１７４とは、重なり面１７８において完全に重なっているが、例えば、図示しないが、第１端面１７０と、第３端面１７４とは、一部で重なっていることもできる。第１利得領域１８０と第２利得領域１８２とは、Ｖ型利得領域１８３を構成することができる。第１利得領域１８０の平面形状と、第２利得領域１８２の平面形状とは、例えば、第１端面１７０または第３端面１７４内の垂線Ｐに対して線対称である。第１利得領域１８０の平面形状と、第２利得領域１８２の平面形状とは、例えば、重なり面１７８の垂直二等分線Ｐに対して線対称である。第１利得領域１８０および第２利得領域１８２の各々の平面形状は、例えば図２に示すような平行四辺形などである。なお、図示はしないが、第１端面１７０と第３端面１７４とは、重なっていなくてもよい。すなわち、第１利得領域１８０と第２利得領域１８２とは、重なっていなくてもよい。
また、図２に示す例では、第１利得領域１８０および第２利得領域１８２の各々の第２面１０９側の端面１７２，１７６の幅は、第１面１０７側の端面１７０，１７４の幅と同じであるが、異なっていても良い。
第１クラッド層１１０は、活性層１０８下に形成されている。第１クラッド層１１０は、例えば第２導電型（例えばｐ型）の半導体からなる。第１クラッド層１１０としては、例えばｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層などを用いることができる。
例えば、ｐ型の第１クラッド層１１０、不純物がドーピングされていない活性層１０８、およびｎ型の第２クラッド層１０６により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１１０および第２クラッド層１０６の各々は、活性層１０８よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０８は、光を増幅する機能を有する。第１クラッド層１１０および第２クラッド層１０６は、活性層１０８を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。
コンタクト層１１２は、例えば図３に示すように、第１クラッド層１１０下に形成されていることができる。コンタクト層１１２としては、第１電極１２２とオーミックコンタクトする層を用いることができる。コンタクト層１１２は、例えば第２導電型の半導体からなる。コンタクト層１１２としては、例えばｐ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。
第１電極１２２は、コンタクト層１１２下に形成されている。第１電極１２２は、コンタクト層１１２を介して、第１クラッド層１１０と電気的に接続されている。第１電極１２２は、発光素子１００を駆動するための一方の電極である。第１電極１２２としては、例えば、コンタクト層１１２側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。第１電極１２２の上面は、利得領域１８０，１８２と同様の平面形状を有している。図示の例では、第１電極１２２とコンタクト層１１２との接触面の平面形状によって、電極１２２，１２０間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１８０，１８２の平面形状が決定されることができる。なお、図示しないが、例えば、第２電極１２０と基板１０２との接触面が、利得領域１８０，１８２と同じ平面形状を有していても良い。
第２電極１２０は、基板１０２の上の全面に形成されている。第２電極１２０は、該第２電極１２０とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）と接していることができる。第２電極１２０は、基板１０２およびバッファー層１０４を介して、第２クラッド層１０６と電気的に接続されている。第２電極１２０は、発光素子１００を駆動するための他方の電極である。第２電極１２０としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。なお、第２クラッド層１０６とバッファー層１０４との間に、第２コンタクト層（図示せず）を設け、ドライエッチングなどにより該第２コンタクト層の第２クラッド層１０６側を露出させ、第２電極１２０を第２コンタクト層下に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることができる。第２コンタクト層としては、例えばｎ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。また、図示しないが、例えば、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）法、レーザリフトオフ法などを用いて、基板１０２とその下に設けられた部材とを切り離すことができる。すなわち、発光素子１００は、基板１０２を有しないこともできる。この場合には、例えばバッファー層１０４の直接上に第２電極１２０を形成することができる。
発光素子１００では、第１電極１２２と第２電極１２０との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１０８の利得領域１８０，１８２において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１８０，１８２内で光の強度が増幅される。例えば、第２利得領域１８２に生じる光の一部は、重なり面１７８において反射して、第１利得領域１８０の第２面１０９側の第２端面１７２から第１出射光Ｌ１として出射されるが、その間に光強度が増幅される。同様に、第１利得領域１８０に生じる光の一部は、重なり面１７８において反射して、第２利得領域１８２の第２面１０９側の第４端面１７６から第２出射光Ｌ２として出射されるが、その間に光強度が増幅される。なお、第１利得領域１８０に生じる光には、直接、第２端面１７２から第１出射光Ｌ１として出射されるものもある。同様に、第２利得領域１８２に生じる光には、直接、第４端面１７６から第２出射光Ｌ２として出射されるものもある。第１出射光Ｌ１は、例えば、光の屈折により、第１面１０７の垂線Ｐに対する第１利得領域１８０の傾きよりも、さらに傾いた方向に出射されることができる。第１面１０７の垂線Ｐに対する第１利得領域１８０の傾き角θＡ、第１出射光Ｌ１の傾き角θ１、及び、活性層１０８の屈折率ｎＡは、例えば下記式を満たすことができる。
ｎＡｓｉｎθＡ＝ｓｉｎθ１
なお、上記式は、活性層１０８から空気中に第１出射光Ｌ１が出射される場合におけるスネルの法則を用いて導出される。上記式は、他の利得領域についても同様に成立する。
光学部材１５８は、図２および図３に示すように、支持部材１４０上であって、発光素子１００の側方に設けられている。光学部材１５８には、活性層１０８の同じ側面側（図示の例では第２面１０９側）における第１利得領域１８０の端面１７２および第２利得領域１８２の端面１７６から出射される第１出射光Ｌ１および第２出射光Ｌ２が入射する。光学部材１５８における光の入射面は、例えば図２に示すように、第１入射面１６２および第２入射面１６４からなることができる。第１入射面１６２は、例えば図２に示すように、第１出射光Ｌ１の進む向きおよびその垂線Ｑに対して傾いていることができる。これにより、第１出射光Ｌ１は、光学部材１５８により屈折させられて、第１屈折光Ｌ３として光学部材１５８内を進むことができる。同様に、第２入射面１６４は、例えば、第２出射光Ｌ２の進む向きおよびその垂線Ｒに対して傾いていることができる。これにより、第２出射光Ｌ２は、光学部材１５８により屈折させられて、第２屈折光Ｌ４として光学部材１５８内を進むことができる。第１入射面１６２および第２入射面１６４の傾きにより、例えば、発光装置１０００を活性層１０８の積層方向から平面視して（図２参照）、それらの交点Ｓは発光素子１００側に突出している。第１入射面１６２と、第２入射面１６４とは、例えば図２に示すように、重なり面１７８の垂直二等分線Ｐに対して線対称であることができる。
第１入射面１６２は、図２に示すように、活性層１０８の第２面１０９に平行な方向（図１のＹ方向）に対して、一方の側に傾いている。第２側面１０９に平行な方向に対する第１入射面１６２の傾き角（鋭角側）をθ３とする。この傾き角θ３、光学部材１５８の屈折率ｎ、および、第２面１０９の垂線方向（図２のＸ方向）に対する第１出射光Ｌ１の傾き角θ１は、例えば下記式（１）を満たすことができる。
ｓｉｎ（θ１＋θ３）＝ｎｓｉｎθ３ …（１）
これにより、第１屈折光Ｌ３の進む向きを第２面１０９の垂線方向とすることができる。なお、上記式（１）は、第１出射光Ｌ１が空気中から光学部材１５８に入射する場合におけるスネルの法則を用いて導出される。また、上記式（１）より、傾き角θ３は、例えば、
θ３＝ｔａｎ−１｛ｓｉｎθ１／（ｎ−ｃｏｓθ１）｝
と表されることができる。
また、第２入射面１６４は、図２に示すように、活性層１０８の第２面１０９に平行な方向に対して、他方の側に傾いている。第２側面１０９に平行な方向に対する第２入射面１６４の傾き角（鋭角側）をθ４とする。この傾き角θ４は、上述した第１入射面１６２の傾き角θ３と同様に、例えば、
θ４＝ｔａｎ−１｛ｓｉｎθ２／（ｎ−ｃｏｓθ２）｝
と表されることができる。これにより、第２屈折光Ｌ４の進む向きを第２面１０９の垂線方向とすることができる。なお、θ２は、第２面１０９の垂線方向に対する第２出射光Ｌ２の傾き角である。第１出射光Ｌ１の傾き角θ１と、第２出射光Ｌ２の傾き角θ２とは、例えば同じである。また、第１入射面１６２の傾き角θ３と、第２入射面１６４の傾き角θ４とは、例えば同じである。
以上のようにして、例えば、第１屈折光Ｌ３および第２屈折光Ｌ４の進む向きを、活性層１０８の第２面１０９の垂線方向に揃えることができる。すなわち、第１屈折光Ｌ３の進む向きと、第２屈折光Ｌ４の進む向きとは、例えば同じである。発光装置１０００では、例えば、第１利得領域１８０が垂線Ｐに対して一方の側に傾いて設けられ、第２利得領域１８２が他方の側に傾いて設けられている。このため、第１出射光Ｌ１が垂線Ｐに対して一方の側に傾いた向きに進み、第２出射光Ｌ２が他方の側に傾いた向きに進む。これらの出射光Ｌ１，Ｌ２の進む向きに応じて、第１入射面１６２が第２側面１０９に平行な方向（図２のＹ方向）に対して一方の側に傾いており、第２入射面１６４が他方の側に傾いている。これにより、第１屈折光Ｌ３および第２屈折光Ｌ４の進む向きを、活性層１０８の第２面１０９の垂線方向（図２のＸ方向）に揃えることができる。
光学部材１５８内を進んだ第１屈折光Ｌ３は、第３出射光Ｌ５として光学部材１５８から出射されることができる。同様に、光学部材１５８内を進んだ第２屈折光Ｌ４は、第４出射光Ｌ６として光学部材１５８から出射されることができる。光学部材１５８における第３出射光Ｌ５および第４出射光Ｌ６の出射面１６９は、例えば図２に示すように、活性層１０８の第２面１０９と平行である。したがって、上述したように活性層１０８の第２面１０９の垂線方向に向きを揃えられた第１屈折光Ｌ３および第２屈折光Ｌ４は、例えばそのままの向きで光学部材１５８から出射されることができる。すなわち、第３出射光Ｌ５および第４出射光Ｌ６の進む向きは、例えば、活性層１０８の第２面１０９の垂線方向に揃えられることができる。
以上のようにして、光学部材１５８は、異なる向きに進む第１出射光Ｌ１および第２出射光Ｌ２を屈折させて、同じ向きに進む第３出射光Ｌ５および第４出射光Ｌ６として出射させることができる。
なお、第３出射光Ｌ５および第４出射光Ｌ６は、同じ向きであって、活性層１０８の第２面１０９の垂線方向に対して傾いた向きに進むことができる。第３出射光Ｌ５および第４出射光Ｌ６の進む向きの調整は、例えば、光学部材１５８における第１入射面１６２および第２入射面１６４の各々の傾き角を適宜調整することにより行われることができる。
光学部材１５８は、発光素子１００から出射される光Ｌ１，Ｌ２の波長に対して透過性を有することができる。これにより、第１出射光Ｌ１のうちの少なくとも一部は、光学部材１５８を透過することができ、第２出射光Ｌ２のうちの少なくとも一部は、光学部材１５８を透過することができる。光学部材１５８は、例えば、ガラス、石英、プラスチック、水晶などからなることができる。これらは、出射光Ｌ１，Ｌ２の波長に応じて適宜選択されることができる。これにより、光の吸収損失を低減することができる。
支持部材１４０は、例えば、発光素子１００および光学部材１５８を支持することができる。支持部材１４０としては、例えば、板状（直方体形状）の部材を用いることができる。支持部材１４０の熱伝導率は、例えば、発光素子１００の熱伝導率よりも高い。支持部材１４０の熱伝導率は、例えば１４０Ｗ／ｍＫ以上である。支持部材１４０は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃ、Ｂｅ、Ａｕや、これらの化合物（例えば、ＡｌＮ、ＢｅＯなど）や合金（例えばＣｕＭｏなど）などからなることができる。また、これらの例示を組み合わせたもの、例えば銅（Ｃｕ）層とモリブデン（Ｍｏ）層の多層構造などから、支持部材１４０を構成することもできる。なお、支持部材１４０は、例えば、図示しない他の支持部材（サブマウント）を介して、間接的に発光素子１００および光学部材１５８を支持することもできる。
支持部材１４０には、図３に示すように、例えば円柱状の貫通孔１４７が形成されている。この貫通孔１４７内には、例えば、絶縁部材１４６に側面を覆われた円柱状の端子１４４が設けられている。絶縁部材１４６は、例えば、樹脂、セラミックス（例えばＡｌＮ等）などからなる。端子１４４は、例えば銅（Ｃｕ）などからなる。
端子１４４は、例えば、ボンディングワイヤー等の第１接続部材１４２により、発光素子１００の第２電極１２０と接続されている。第１接続部材１４２は、出射光Ｌ１，Ｌ２の光路を遮らないように設けられている。また、発光素子１００の第１電極１２２は、例えば、めっきバンプ等の第２接続部材１４３により、支持部材１４０と接続されている。したがって、端子１４４と支持部材１４０とに異なる電位を与えることにより、第１電極１２２と第２電極１２０との間に電圧を印加することができる。なお、図２では、便宜上、第１接続部材１４２、端子１４４、絶縁部材１４６および貫通孔１４７の図示を省略している。このことは、以下の、本発明に係る発光装置を模式的に示す平面図について、同じである。
発光装置１０００（発光素子１００）の一例として、ＩｎＧａＡｌＰ系の場合について説明したが、発光装置１０００は、発光利得領域が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。
発光装置１０００は、例えば、以下の特徴を有する。
発光装置１０００によれば、光学部材１５８は、異なる向きに進む第１出射光Ｌ１および第２出射光Ｌ２を屈折させて、同じ向きに進む第３出射光Ｌ５および第４出射光Ｌ６として出射させることができる。これにより、プロジェクター１００００の光学系（例えば、均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ、１００２Ｂ（図１参照））の構成を簡素化することができ、プロジェクター１００００において光軸合わせを容易化することができる。
発光装置１０００によれば、例えば、活性層１０８の第２面１０９を基準として、光の入射面１６２，１６４や出射面１６９の位置を決定することができる。これにより、発光素子１００と光学部材１５８とのアライメントを容易化することができる。
発光装置１０００によれば、例えば、第１利得領域１８０に生じる光の一部は、重なり面１７８において反射して、第２利得領域１８２内においても、利得を受けながら進行することができる。また、第２利得領域１８２に生じる光の一部に関しても同様である。したがって、発光装置１０００によれば、例えば、重なり面１７８において積極的に反射させないような場合に比べ、光強度の増幅距離が長くなるため、高い光出力を得ることができる。
発光装置１０００によれば、支持部材１４０の熱伝導率を、発光素子１００の熱伝導率よりも高くすることができる。これにより、支持部材１４０は、ヒートシンクとして機能することができる。したがって、発光装置１０００では、放熱性を高くすることができる。さらに、発光装置１０００では、活性層１０８は、発光素子１００のうちの支持部材１４０側に設けられている。これにより、より一層放熱性に優れた発光装置１０００を提供することができる。
発光装置１０００によれば、上述したように、利得領域１８０，１８２に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。したがって、スペックルノイズを低減させることができる。
２． 発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係るプロジェクター１００００に用いる発光装置１０００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４および図５は、発光装置１０００の製造工程を模式的に示す断面図である。
まず、図４に示すように、基板１０２上に、バッファー層１０４、第２クラッド層１０６、活性層１０８、第１クラッド層１１０、およびコンタクト層１１２を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。
次に、図２に示すように、第１面１０７側の全面に反射部１３０を形成し、第２面１０９側の全面に反射低減部（図示せず）を形成することができる。反射部１３０および反射低減部は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法、イオンアシスト蒸着(Ion Assisted Deposition)法などにより形成される。
次に、図５に示すように、コンタクト層１１２上に第１電極１２２を形成する。第１電極１２２は、例えば、真空蒸着法により全面に導電層を形成した後、該導電層をフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。また、第１電極１２２は、例えば、真空蒸着法およびリフトオフ法の組み合わせ等により、所望の形状に形成されることもできる。
次に、図５に示すように、基板１０２の下面全面の下に第２電極１２０を形成する。第２電極１２０の製法は、例えば、上述した第１電極１２２の製法の例示と同じである。なお、第１電極１２２および第２電極１２０の形成順序は、特に限定されない。
以上の工程により、図５に示すように、発光素子１００が得られる。次に、発光素子１００の第１電極１２２の上に、例えばめっき法などにより、接続部材１４３を形成することができる。
次に、図２に示すように、発光素子１００を裏返して、すなわち、発光素子１００のうちの活性層１０８側を支持部材１４０側に向けて（ジャンクションダウン）、支持部材１４０に発光素子１００をフリップチップ実装することができる。次に、発光素子１００の第２電極１２０と端子１４４とを、接続部材１４３により接続する。この工程は、例えばワイヤーボンディングなどにより行われる。
以上の工程により、発光装置１０００を製造することができる。
３． 発光装置の変形例
次に、本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光装置の変形例について説明する。以下、変形例に係る発光装置１１００，１２００，１３００，１４００，１５００，１６００において、発光装置１０００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
（１）第１変形例に係る発光装置
まず、第１変形例に係る発光装置１１００について、図面を参照しながら説明する。図６は、発光装置１１００を模式的に示す平面図である。
発光装置１０００の例では、例えば図２に示すように、光学部材１５８における光の入射面１６２，１６４が活性層１０８の第２面１０９に平行な方向に対して傾いており、出射面１６９が傾いていない場合について説明した。これに対し、図６に示す例では、光学部材１５８における光の入射面１６５が活性層１０８の第２面１０９に平行な方向に対して傾いておらず、出射面が傾いていることができる。図示の例では、光学部材１５８における光の出射面は、第１出射面１６６および第２出射面１６８からなることができる。第１出射面１６６は、例えば、第３出射光Ｌ５の進む向き（Ｘ方向）およびその垂線（Ｙ方向）に対して傾いていることができる。同様に、第２出射面１６８は、例えば、第４出射光Ｌ６の進む向き（Ｘ方向）およびその垂線（Ｙ方向）に対して傾いていることができる。第１出射面１６６および第２出射面１６８の傾きにより、例えば、平面的に見て（図６参照）、それらの交点Ｓは発光素子１００側とは反対側に突出している。また、光学部材１５８における第１出射光Ｌ１および第２出射光Ｌ２の入射面１６５は、図６に示すように、活性層１０８の第２側面１０９と平行である。
第１出射面１６６は、図６に示すように、活性層１０８の第２面１０９に平行な方向（Ｙ方向）に対して、一方の側に傾いている。第２面１０９に平行な方向に対する第１出射面１６６の傾き角（鋭角側）をθ５とする。この傾き角θ５、光学部材１５８の屈折率ｎ、および、第２面１０９の垂線方向（Ｘ方向）に対する第１屈折光Ｌ３の傾き角（屈折角）θ３は、例えば下記式（２）を満たすことができる。
ｎｓｉｎ（θ５−θ３）＝ｓｉｎθ５ …（２）
これにより、第３出射光Ｌ５の進む向きを第２面１０９の垂線方向とすることができる。なお、上記式（２）は、光学部材１５８から空気中に第３出射光Ｌ５が出射される場合におけるスネルの法則を用いて導出される。また、上記式（２）より、傾き角θ５は、例えば、
θ５＝ｔａｎ−１｛ｎｓｉｎθ３／（ｎｃｏｓθ３−１）｝
と表されることができる。なお、屈折角θ３、光学部材１５８の屈折率ｎ、および、第２面１０９の垂線方向（Ｘ方向）に対する第１出射光Ｌ１の傾き角（入射面１６５における入射角）θ１は、スネルの法則により、例えば下記式（３）を満たすことができる。
ｓｉｎθ１＝ｎｓｉｎθ３ …（３）
また、第２出射面１６８は、図６に示すように、活性層１０８の第２面１０９に平行な方向に対して、他方の側に傾いている。第２面１０９に平行な方向に対する第２出射面１６８の傾き角（鋭角側）をθ６とする。この傾き角θ６は、上述した第１出射面１６６の傾き角θ５と同様に、例えば、
θ６＝ｔａｎ−１｛ｎｓｉｎθ４／（ｎｃｏｓθ４−１）｝
と表されることができる。これにより、第４出射光Ｌ６の進む向きを第２側面１０９の垂線方向とすることができる。なお、θ４は、第２側面１０９の垂線方向に対する第２屈折光Ｌ４の傾き角である。第１出射面１６６の傾き角θ５と、第２出射面１６８の傾き角θ６は、例えば同じである。
以上のようにして、光学部材１５８は、異なる向きに進む第１出射光Ｌ１および第２出射光Ｌ２を屈折させて、同じ向きに進む第３出射光Ｌ５および第４出射光Ｌ６として出射させることができる。なお、図示しないが、光学部材１５８における光の入射面および出射面の双方が活性層１０８の第２面１０９に平行な方向に対して傾いていることもできる。
発光装置１１００によれば、発光装置１０００と同様に、異なる向きに進む第１出射光Ｌ１および第２出射光Ｌ２を屈折させて、同じ向きに進む第３出射光Ｌ５および第４出射光Ｌ６として出射させることができる。
（２）第２変形例に係る発光装置
次に、第２変形例に係る発光装置１２００について、図面を参照しながら説明する。図７は、発光装置１２００を模式的に示す平面図である。
発光装置１０００の例では、図１に示すように、利得領域１８０，１８２からなるＶ型利得領域１８３が１つ設けられている場合について説明した。これに対し、発光装置１２００では、Ｖ型利得領域１８３は、複数（図７の例では２つ）配列されていることができる。図示の例では、４つの光の出射面（２つの第２端面１７２および２つの第４端面１７６）は、すべて第２面１０９側に設けられている。複数のＶ型利得領域１８３の各々の第１利得領域１８０の向かう方向（第１方向）Ａは、利得領域対１８３ごとに同じ方向（図示の例）であっても良いし、異なる方向であっても良い。同様に、複数のＶ型利得領域１８３の各々の第２利得領域１８２の向かう方向（第２方向）Ｂは、Ｖ型利得領域１８３ごとに同じ方向（図示の例）であっても良いし、異なる方向であっても良い。また、複数のＶ型利得領域１８３の各々の第１利得領域１８０のＹ方向（第１面１０７に平行な方向）の幅は、Ｖ型利得領域１８３ごとに同じ（図示の例）であっても良いし、異なっていても良い。同様に、複数のＶ型利得領域１８３の各々の第２利得領域１８２のＹ方向の幅は、Ｖ型利得領域１８３ごとに同じ（図示の例）であっても良いし、異なっていても良い。また、発光装置１２００では、図７に示すように、発光装置１２００におけるすべての第２端面１７２と第４端面１７６とを、互いに重ならせないことができる。
発光装置１２００の光学部材１５７には、図７に示すように、活性層１０８の同じ側面側（図示の例では第２面１０９側）における複数のＶ型利得領域１８３の第１利得領域１８０の端面１７２および第２利得領域１８２の端面１７６から出射される光Ｌ１，Ｌ２がすべて入射する。光学部材１５７は、これらすべての光Ｌ１，Ｌ２を屈折させて、同じ向きに進む光Ｌ５，Ｌ６として出射させることができる。
発光装置１２００では、複数のＶ型利得領域１８３に対して、図７に示すように、１つの一体的な光学部材１５７を配置することができる。図示の例では、光学部材１５７の形状は、発光装置１０００の例の光学部材１５８を２つ繋げた形状である。本変形例に係る１つの光学部材１５７の入射面は、２つの第１入射面１６２および２つの第２入射面１６４からなる。なお、複数のＶ型利得領域１８３の各々に対して、発光装置１０００の例の光学部材１５８の複数個を個別に配置することもできる。
発光装置１２００では、発光素子１００に光学部材１５７を近付けて配置することが好ましく、光学部材１５７は、発光素子１００と接していることがより好ましい。あるいは、複数のＶ型利得領域１８３の各々が接しないように互いに遠ざけて配置することが好ましい。これらのうちの少なくとも一方の配置手段により、光学部材１５７の第１入射面１６２および第２入射面１６４の各々に、対応する第１出射光Ｌ１および第２出射光Ｌ２の各々を別々に入射させることができる。すなわち、一方のＶ型利得領域１８３から出射される第１出射光Ｌ１と、他方のＶ型利得領域１８３から出射される第２出射光Ｌ２とが、１つの入射面（第１入射面１６２または第２入射面１６４）に入射することを防ぐことができる。
発光装置１２００によれば、発光装置１０００の例に比べ、発光装置全体の高出力化を図ることができる。
（３）第３変形例に係る発光装置
次に、第３変形例に係る発光装置１３００について、図面を参照しながら説明する。図８は、発光装置１３００を模式的に示す平面図である。
発光装置１０００の例では、図２に示すように、光学部材１５８における光の入射面１６２，１６４および出射面１６９が露出している場合について説明した。これに対し、発光装置１３００では、図８に示すように、光学部材１５８における光の入射面１６２，１６４および出射面１６９は、反射低減部材１５９により覆われていることができる。反射低減部材１５９は、光の波長に対して反射率を低減させることができる。これにより、光の反射損失を低減することができる。反射低減部材１５９は、入射面１６２，１６４や出射面１６９の全面を覆う必要はなく、少なくとも光学部材１５８における光の入射領域や出射領域のみを覆えば良い。また、反射低減部材１５９は、光学部材１５８における光の入射領域および出射領域のうちの少なくとも一方を覆うことができる。反射低減部材１５９は、光学部材１５８とは屈折率の異なる少なくとも１つの物質からなることができる。反射低減部材１５９としては、例えば、光学部材１５８がガラスからなる場合には、ＳｉＮとＳｉＯ２の積層膜などを用いることができる。反射低減部材１５９は、例えば、ＣＶＤ法などにより成膜される。
発光装置１３００によれば、上述のとおり、光学部材１５８の入射面１６２，１６４および出射面１６９において、光の反射損失を低減することができる。
（４）第４変形例に係る発光装置
次に、第４変形例に係る発光装置１４００について、図面を参照しながら説明する。図９は、発光装置１４００を模式的に示す断面図である。なお、図９に示す断面図は、発光装置１０００の例における図２に示す断面図に対応している。
発光装置１０００の例では、第１電極１２２の上から下まで、利得領域１８０，１８２と同じ平面形状を有する場合について説明した。これに対し、発光装置１４００では、図９に示すように、第１電極１２２の下部は、利得領域１８０，１８２と異なる平面形状を有することができる。本変形例では、コンタクト層１１２下に、開口部を有する絶縁層２０２を形成し、該開口部を埋め込む第１電極１２２を形成することができる。第１電極１２２は、開口部内および絶縁層（開口部含む）２０２下に形成されている。本変形例では、第１電極１２２の上部は、利得領域１８０，１８２と同じ平面形状を有し、第１電極１２２の下部は、絶縁層２０２と同じ平面形状を有している。絶縁層２０２としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁層２０２は、例えば、ＣＶＤ法、塗布法などにより成膜される。第１電極１２２は、例えば、直接、支持部材１４０に接合される。この接合は、例えば、合金接合や、半田ペーストを用いた接合などにより行われる。
発光装置１４００によれば、発光装置１０００の例に比べ、第１電極１２２の下部の体積を増やすことができるため、放熱性に優れた発光装置１４００を提供することができる。
（５）第５変形例に係る発光装置
次に、第５変形例に係る発光装置１５００について、図面を参照しながら説明する。図１０は、発光装置１５００を模式的に示す断面図である。なお、図１０に示す断面図は、発光装置１０００の例における図２に示す断面図に対応している。
発光装置１０００の例では、活性層１０８は、発光素子１００において支持部材１４０側に設けられていた。これに対し、発光装置１５００では、図１０に示すように、活性層１０８は、発光素子において支持部材１４０とは反対側に設けられている。すなわち、活性層１０８は、発光素子１００のうち、厚さ方向の中間よりも上側に設けられている。発光装置１５００では、活性層１０８と支持部材１４０との間に基板１０２が設けられている。第２電極１２０は、例えば、直接、支持部材１４０に接合される。この接合は、例えば、合金接合や、半田ペーストを用いた接合などにより行われる。また、第１電極１２２は、例えば、第１接続部材１４２により、端子１４４と接続されている。
発光装置１５００によれば、活性層１０８と支持部材１４０との間に基板１０２が設けられているため、発光装置１０００の例に比べて、少なくとも基板１０２の厚み分、活性層１０８は支持部材１４０から離れた位置に設けられている。そのため、より良好な形状（断面形状）の出射光を得ることができる。例えば、利得領域１８０，１８２からの出射光の放射角が大きいと、出射光が支持基板１４０によって遮られ、出射光の形状が歪んでしまう場合がある。発光装置１５００では、このような問題を回避することができる。
（６）第６変形例に係る発光装置
次に、第６変形例に係る発光装置１６００について、図面を参照しながら説明する。図１１は、発光装置１６００を模式的に示す断面図である。なお、図１１に示す断面図は、発光装置１０００の例における図２に示す断面図に対応している。
発光装置１０００の例では、いわゆる利得導波型について説明した。これに対し、発光装置１６００では、いわゆる屈折率導波型であることができる。
すなわち、発光装置１６００では、図１１に示すように、コンタクト層１１２と、第１クラッド層１１０の一部とは、柱状部３１１を構成することができる。柱状部３１１の平面形状は、利得領域１８０，１８２と同じである。例えば、柱状部３１１の平面形状によって、電極１２０，１２２間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１８０，１８２の平面形状が決定される。なお、図示はしないが、柱状部３１１は、例えば、コンタクト層１１２、第１クラッド層１１０、および活性層１０８から構成されていてもよいし、さらに、第２クラッド層１０６をも含んで構成されていてもよい。また、柱状部３１１の側面を傾斜させることもできる。
柱状部３１１の側方には、絶縁部３１６が設けられている。絶縁部３１６は、柱状部３１１の側面に接していることができる。絶縁部３１６としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁部３１６は、例えば、ＣＶＤ法、塗布法などにより形成される。電極１２０，１２２間の電流は、絶縁部３１６を避けて、該絶縁部３１６に挟まれた柱状部３１１を流れることができる。絶縁部３１６は、活性層１０８の屈折率よりも小さい屈折率を有することができる。これにより、平面方向（活性層１０８の厚み方向と直交する方向）において、利得領域１８０，１８２内に効率良く光を閉じ込めることができる。
なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
１００ 発光素子、１０２ 基板、１０４ バッファー層、１０６ 第２クラッド層、
１０７ 第１面、１０８ 活性層、１０９ 第２面、１１０ 第１クラッド層、
１１２ コンタクト層、１１４ 積層構造体、１２０ 第２電極、１２２ 第１電極、
１３０ 反射部、１４０ 支持部材、１４２ 第１接続部材、１４３ 第２接続部材、
１４４ 端子、１４６ 絶縁部材、１４７ 貫通孔、１５７ 光学部材、
１５８ 光学部材、１５９ 反射低減部材、１６２ 第１入射面、１６４ 第２入射面、
１６５ 入射面、１６６ 第１出射面、１６８ 第２出射面、１６９ 出射面、
１７０ 第１端面、１７２ 第２端面、１７４ 第３端面、１７６ 第４端面、
１７８ 重なり面、１８０ 第１利得領域、１８２ 第２利得領域、
１８３ Ｖ型利得領域、２００ 発光措置、２０２ 絶縁層、３００ 発光素子、
３１１ 柱状部、３１６ 絶縁部、
１０００，１１００，１２００，１３００，１４００，１５００，１６００ 発光装置、
１００２ 均一化光学系、１００２ａ ホログラム、１００２ｂ フィールドレンズ、
１００４ 液晶ライトバルブ、１００６ クロスダイクロイックプリズム、
１００８ 投写レンズ、１０１０ スクリーン、１００００ プロジェクター

Claims (7)

  1. 発光装置と、
    前記発光装置から出射された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
    前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
    を含み、
    発光装置は、
    発光素子と、
    前記発光素子から出射された光が入射する光学部材と、
    を有し、
    前記発光素子は、スーパールミネッセントダイオードであって、第１クラッド層と第２クラッド層とに挟まれた活性層を備える積層構造体を有し、
    前記活性層のうちの少なくとも一部は、前記活性層の電流経路となる第１利得領域および第２利得領域を構成し、
    前記積層構造体において、前記活性層の露出する面のうちの第１面と第２面とは、互いに対向する位置関係であり、
    前記第１利得領域は、前記活性層の積層方向から平面視して、直線状に、前記活性層の前記第１面から前記第２面まで、前記第１面の垂線に対して時計回り方向に傾いており、
    前記第２利得領域は、前記活性層の積層方向から平面視して、直線状に、前記活性層の前記第１面から前記第２面まで、前記第１面の垂線に対して反時計回り方向に傾いており、
    前記光学部材は、前記第１利得領域の前記第２面側の端面、および前記第２利得領域の前記第２面側の端面から出射される光を屈折させて、同じ向きに進む光として出射させ、
    前記第１利得領域と前記第２利得領域とは、前記第１利得領域の前記第１面側の端面と、前記第２利得領域の前記第１面側の端面とが、前記第１面で重なるＶ型利得領域を構成し、
    前記第１利得領域および前記第２利得領域に生じる光の波長帯において、前記第１面の反射率は、前記第２面の反射率よりも高く、
    前記第１面には、前記第１利得領域および前記第２利得領域に生じる光を反射する反射部が設けられ、
    前記第１利得領域および前記第２利得領域は、前記第１面から前記第２面まで一定の幅で延在して設けられている、プロジェクター。
  2. 請求項１において、
    前記光学部材から出射される光の進む向きは、前記第２面の垂線方向である、プロジェクター。
  3. 請求項１または２において、
    前記第１利得領域および前記第２利得領域は、複数配列されている、プロジェクター。
  4. 請求項１ないし３のいずれか１項において、
    前記光学部材は、前記発光素子から出射される光の波長に対して透過性を有する、プロジェクター。
  5. 請求項１ないし４のいずれか１項において、
    前記光学部材における光の入射領域および出射領域のうちの少なくとも一方は、反射低減部材により覆われている、プロジェクター。
  6. 請求項１ないし５のいずれか１項において、
    前記発光素子は、支持部材に実装され、
    前記支持部材の熱伝導率は、前記発光素子の熱伝導率よりも高く、
    前記活性層は、前記発光素子において前記支持部材側に設けられている、プロジェクター。
  7. 請求項１ないし５のいずれか１項において、
    前記発光素子は、支持部材に実装され、
    前記活性層は、前記発光素子において前記支持部材とは反対側に設けられ、
    前記積層構造体は、さらに、基板を有し、
    前記活性層と前記支持部材との間に、前記基板が設けられている、プロジェクター。
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