JP5303643B2 - 超音波接合用ツール、超音波接合用ツールの製造方法、超音波接合方法及び超音波接合装置 - Google Patents
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Description
本発明は、超音波接合装置に用いられる超音波接合用ツールに関し、特にその先端部であるチップ部分の構造に関する。
アルミニウム系材と異種金属である鋼材を高い接合強度で接合する装置、あるいは電子デバイス等の接合対象部上に外部引出用のリード線等の被接合材を接合する装置として超音波接合装置がある。超音波接合装置による超音波振動を利用した超音波接合では、接合界面に対して垂直方向の加圧による応力と、平行方向の高い振動加速度による繰返し応力とを与えて接合界面に摩擦発熱を生じさせる。これにより被接合材の原子を拡散させて接合することができる。このような超音波接合装置は被接合材と接するチップ部分を有する超音波接合用ツールを備えており、このような超音波接合用ツールは例えば特許文献１に開示されている。
しかしながら、超音波接合装置は、上述したように上方から加圧するとともに超音波振動を印加するという超音波接合動作を行うため、接合対象部は上記超音波接合動作に対する耐性を具備する必要がある。したがって、特許文献１で開示された超音波接合装置を含め、ガラス基板等の板厚が比較的薄く耐性が弱い薄膜基体を上記接合対象部とすることは想定されておらず、薄膜基体の表面上にリード線を接合する手段としては考慮されていなかった。
本発明では、上記のような問題点を解決し、ガラス基板等の板厚が２ｍｍ以下の薄膜基体の表面に対しても支障なく被接合材を接合可能な超音波接合用ツールを提供することを目的とする。
この発明に係る超音波接合用ツールは、薄膜基体の表面上に配置された被接合材に対し、上方から加圧するとともに超音波振動を印加して、前記薄膜基体の表面上に前記被接合材を接合する超音波接合装置に用いられる超音波接合用ツールであって、前記超音波接合用ツールはその先端部に超音波接合時に前記被接合材に接するチップ部分を有し、前記チップ部分における前記被接合材に接する表面部分は、互いに分離形成された複数の平面部と、前記複数の平面部間に形成される複数の凹部とを有し、前記複数の平面部は２μｍ以下の平面度を有し、前記複数の平面部は２μｍ以下の平面度を満足する範囲で、微小な凹凸形状を有している。
この発明における超音波接合用ツールにおいて、そのチップ部分における被接合材に接する表面部分は、互いに分離形成された複数の平面部と、複数の平面部間に形成される複数の凹部とを有し、複数の平面部１０は２μｍ以下の平面度を有している。
このため、本発明の超音波接合用ツールを有する超音波接合装置を用いた超音波接合方法によって、例えば板厚が２ｍｍ以下のガラス基板のような薄膜基体の表面上においても支障なく被接合材を接合することができる効果を奏する。
この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
＜実施の形態１＞
図１は、この発明の実施の形態１である超音波接合用ツール１による超音波接合状況を模式的に示す断面図である。
図１は、この発明の実施の形態１である超音波接合用ツール１による超音波接合状況を模式的に示す断面図である。
同図に示すように、テーブル（アンビル）５上に板厚が０．７〜２．０ｍｍ程度の薄膜基体であるガラス基板３を固定し、このガラス基板３の表面上の所定箇所に板厚が０．１〜０．２ｍｍ程度のアルミからなる外部引出用のリード線２（被接合材）を配置する。そして、超音波接合用ツール１のチップ部分１ｃを介してリード線２との接合面に垂直の加圧力を印加し、かつ超音波接合用ツール１を水平方向に超音波振動させて、接合面を大きく変形させる超音波接合動作を実行することにより、リード線２とガラス基板３との接合界面にて、リード線２とガラス基板３とが固相接合される。
図２はチップ部分１ｃの表面部分の断面構造を示す断面図である。図３はチップ部分１ｃの表面部分の平面構造を模式的に示す斜視図である。図３のＡ−Ａ断面部分を反転させた断面が図２に相当する。これらの図に示すように、チップ部分１ｃの表面には複数の平面部１０が複数の凹部１１（図３では第１溝部１１ａ及び第２溝部１１ｂ）により分離形成される。
図４は超音波接合用ツールにおける一般的なチップ部分５１ｃの表面部分の断面構造を示す断面図である。同図に示すように、チップ部分５１ｃはワイヤカット加工により、複数の凹部６１によって分離形成される複数の平面部６０を設けられており、複数の平面部６０それぞれは実質的には凸部形状となり、高い平面度を保っていないのが一般的であった。このため、チップ部分５１ｃの表面構造として平面部６０及び凹部６１により数十μｍオーダの凹凸形状が形成されてしまうが、従来の方法では超音波接合に伴う大きな板厚方向の変形が許容できるため、問題になることはなかった。
これに対し、図２に示すように、実施の形態１における超音波接合用ツール１のチップ部分１ｃは、垂直線ＬＶに対する平面部１０の表面形成面による水平線ＬＨは精度よく９０度に設定され、平面部１０の平面度は２μｍ以下の高精度に形成される。そして、凹部１１，１１間の間隔Ｐ１は１．０ｍｍ以下程度、凹部１１の最深部までの深さＤ１は０．１５ｍｍ以下程度に設定される。このように、実施の形態１の超音波接合用ツール１のチップ部分１ｃは一般的な超音波接合用ツール５１ｃとは全く異なる精度の構造を呈しており、割れやすいガラス基板３に損傷を与えることなくリード線２を接合することができる。
図３では図２で示す複数の凹部１１が互いに垂直に交叉する複数の第１溝部１１ａ及び複数の第２溝部１１ｂより構成されている例を示している。すなわち、図中、略縦方向に形成される複数の第１溝部１１ａと、図中横方向に形成される第２溝部１１ｂとによって、各々がマトリクス状に分離形成され、平面形状が矩形状の複数の平面部１０が形成される。そして、複数の平面部１０はそれらが構成する一つの面として２μｍ以下の平面度を有する。
図５は複数の平面部１０の形成パターン例を示す説明図である。なお、図５において、平面部１０以外の領域が凹部１１となるが、凹部１１の図示は省略している。
同図の(a) に示すように、各々の平面形状が矩形状の複数の平面部１０がマトリクス状に配置されてもよく（図３相当）、同図の(b) に示すように、各々の平面形状が長方形状の複数の平面部１０が並列に配置されてもよい。また、同図の(c) に示すように、各々の平面形状が円状の複数の平面部１０がマトリクス状に配置されてもよく、同図の(d) に示すように、各々の平面形状が菱形状の複数の平面部１０がマトリクス状に配置されてもよい。
図６はチップ部分１ｃの他の断面構造を示す断面図である。同図に示すように、凹部１１の断面形状を逆台形状に形成しても良い。
以下、実施の形態１のチップ部分１ｃによる効果を、図４で示した一般的なチップ部分５１ｃと比較して説明する。
一般的なチップ部分５１ｃの場合、前述したように、表面構造として数十μｍオーダの凹凸形状が形成されているため、図１において、超音波接合用ツール１に代えてチップ部分５１ｃを有する超音波接合用ツールを用いて超音波接合を行った場合、凸部となる平面部６０に集中荷重が作用しガラス基板３にクラックが発生する危険性が高く、ガラス基板３を破壊することなくリード線２を接合することが実質的に不可能である。
一方、実施の形態１の超音波接合用ツール１のチップ部分１ｃにおいて複数の平面部１０の平面度が２μｍ以下の高精度であるため、複数の平面部１０それぞれに上述した集中荷重を緩和することができる。さらに、平面部１０を複数個分離形成しているため、１箇所にかかる応力を複数に分散させて減少させることができる。なお、個々の平面部１０に係る応力をより減少させるのは、図５の(c) に示すように、平面部１０の平面形状を円状にするのが望ましい。
加えて、複数の凹部１１は、超音波接合用ツール１による超音波接合動作時にリード線２が剥がれることなく保持し（保持作用）、超音波接合用ツール１による超音波接合動作終了後にリード線２から超音波接合用ツール１を分離する（分離作用）ことを容易にする。
実施の形態１の超音波接合用ツール１において、そのチップ部分１ｃにおけるリード線２に接する表面部分は、互いに分離形成された複数の平面部１０と、複数の平面部間に形成される複数の凹部１１とを有し、複数の平面部１０はそれらが構成する一つの面として２μｍ以下の平面度を有している。
このため、実施の形態１の超音波接合用ツール１を有する超音波接合装置を用いた超音波接合方法によって、板厚が２ｍｍ以下の薄膜基体であるガラス基板３の表面上において支障なくリード線２を接合することができる効果を奏する。
＜実施の形態２＞
図７はこの発明の実施の形態２のチップ部分１ｃの形状を示す説明図である。同図の(a) はチップ部分１ｃの平面構造を示しており、同図の(b) はチップ部分１ｃの断面構造を示している。同図(a) のＢ−Ｂ断面が同図(b) に相当する。
図７はこの発明の実施の形態２のチップ部分１ｃの形状を示す説明図である。同図の(a) はチップ部分１ｃの平面構造を示しており、同図の(b) はチップ部分１ｃの断面構造を示している。同図(a) のＢ−Ｂ断面が同図(b) に相当する。
図７(a) 及び(b) に示すように、チップ部分１ｃは平面矩形状を呈し、複数の平面部１０それぞれの外周部１ｃｅの端部鋭角部分（エッジ）が水平面（水平線ＬＨ（図２参照）に平行な面）及び垂直面（垂直線ＬＶ（図２参照）に平行な面）双方において面取りされ、各々所定の曲率半径ｒで丸められている。
このように、実施の形態２の超音波接合用ツール１におけるチップ部分１ｃは、複数の平面部１０それぞれの外周部１ｃｅの端部鋭角部分（エッジ）が面取りされ、丸められることを特徴としている。
超音波接合動作において超音波振動によりチップ部分１ｃの複数の平面部１０をガラス基板３の表面に対し平行に振動させている。したがって、複数の平面部１０はそれぞれにおいて前後左右方向にミクロンオーダの上下振動が生じ、リード線２とガラス基板３に対して集中荷重が作用し損傷を与える傾向がある。
一方、実施の形態２のチップ部分１ｃの複数の平面部１０における外周部１ｃｅのエッジが面取りにより丸められているため、外周部１ｃｅにおける集中荷重を緩和することにより、実施の形態１以上にガラス基板３の表面上において支障なくリード線２を接合することができる効果を奏する。
＜実施の形態３＞
図８はこの発明の実施の形態３のチップ部分１ｃの断面構造を示す断面図である。同図に示すように、実施の形態２の特徴に加え、チップ部分１ｃの平面部１０ａは２μｍ以下の平面度を満足する範囲の微小な凹凸形状が設けられている。
図８はこの発明の実施の形態３のチップ部分１ｃの断面構造を示す断面図である。同図に示すように、実施の形態２の特徴に加え、チップ部分１ｃの平面部１０ａは２μｍ以下の平面度を満足する範囲の微小な凹凸形状が設けられている。
このように、実施の形態３の超音波接合用ツール１におけるチップ部分１ｃにおいて、複数の平面部１０ａは２μｍ以下の平面度を満足する範囲で、微小な凹凸形状を有することを特徴としている。さらに、複数の凹部１１それぞれにも微小な凹凸形状を有することを特徴している。
平面部１０ａの微小な凹凸形状により、リード線２を構成するアルミ材への食い込みが生じ、実施の形態１及び実施の形態２以上に、チップ部分１ｃのリード線２に対する保持作用が増し、チップ部分１ｃとリード線２とがより一体化した状態で超音波接合動作を行うことができる。加えて、複数の凹部１１に形成される微小な凹凸形状によっても超音波接合動作時におけるチップ部分１ｃのリード線２に対する保持作用が増すという効果をさらに奏する。
その結果、実施の形態３の超音波接合用ツール１を有する超音波接合装置は、より低エネルギーな超音波接合動作によってガラス基板３の表面上において支障なくリード線２を接合することができるという省エネルギー効果を奏する。
＜実施の形態４＞
図９は実施の形態４の超音波接合用ツール１の製造方法を示す断面図である。以下、同図を参照して、超音波接合用ツール１の製造処理内容を説明する。
図９は実施の形態４の超音波接合用ツール１の製造方法を示す断面図である。以下、同図を参照して、超音波接合用ツール１の製造処理内容を説明する。
まず、図９の(a) に示すように、超音波接合用ツール１の元となる、２μｍを超える平面度の先端平面部分を有するツール原材７に対し、先端平面部分に対し研削処理及び研磨処理を行い、ツール原材７の平面領域８を２μｍの平面度に高める。なお、図示しないが平面領域８は矩形状の平面形状を呈している。
次に、同図の(b) に示すように、ワイヤカット法や切断砥石を用いた溝加工により平面領域８に対し選択的に複数の凹部１１を形成する。
その結果、複数の凹部１１によって平面領域８は各々の平面度が２μｍの平面度を有したままで複数の平面部１０に分離され、複数の平面部１０及び複数の凹部１１による実施の形態１相当のチップ部分１ｃを完成する。
その後、同図の(c) に示すように、上面から投射材１６を投射するショットブラスト法を用いて、矩形状の平面領域８（複数の平面部１０）それぞれの外周部のエッジを丸めるともに、２μｍ以下の平面度を満足する範囲でそれぞれが微小な凹凸形状を有する複数の平面部１０ａを得る。その結果、実施の形態３のチップ部分１ｃを得ることができる。
さらに、図９の(c) に示すように、ショットブラスト法を用いると複数の凹部１１それぞれにも微小な凹凸形状が得られる。したがって、複数の凹部１１に形成される微小な凹凸形状によっても超音波接合動作時におけるチップ部分１ｃのリード線２に対する保持作用が増すという効果を奏する。
このように、実施の形態４の超音波接合用ツール１の製造方法により、実施の形態３のチップ部分１ｃを有する超音波接合用ツール１を得ることができる。
＜実施の形態５＞
図１０は実施の形態５における超音波接合方法における超音波接合用ツール１とリード線２に対する平面構造を模式的に示す説明図である。
図１０は実施の形態５における超音波接合方法における超音波接合用ツール１とリード線２に対する平面構造を模式的に示す説明図である。
同図に示すように、リード線２の形成幅ＷＬに対し、チップ部分１ｃの平面領域の形成幅Ｗｃを狭くしている。なお、図１０において、破線部分が凹部、それ以外の部分が平面部とした形状のチップ部分１ｃを模式的に示している。
したがって、実施の形態５の超音波接合方法において、図１０で示す形成幅Ｗｃを有するチップ部分１ｃの超音波接合用ツール１を用いて以下のステップ(a) 及び(b) を備える超音波接合方法の実行が可能となる。
ステップ(a) において、ガラス基板３の表面上にリード線２を配置する。そして、ステップ(b) において、リード線２に超音波接合用ツール１のチップ部分１ｃを用いて上方から加圧するとともに超音波振動を印加して、ガラス基板３の表面上にリード線２を接合する。
そして、実施の形態５においては、上記ステップ(b) 実行時におけるチップ部分１ｃの形成幅Ｗｃをリード線２の形成幅ＷＬ幅よりも小さくしている。
すなわち、実施の形態５の超音波接合方法は、チップ部分１ｃの平面領域全体がリード線２の形成幅ＷＬ内に収まった状態で、超音波接合用ツール１による超音波接合動作を可能にしたことを特徴としている。
したがって、超音波接合面（チップ部分１ｃの平面領域）がリード線２の形成幅ＷＬに収まるため、リード線２は、超音波接合動作後において、板厚減少が生じない余白部分２ｅを必ず有することができる分、リード線２の強度向上を図ることができる効果を奏する。
＜実施の形態６＞
図１１は実施の形態６の超音波接合方法で用いるリード線ガイド機構２１によるリード線２の位置調整機能を模式に示す説明図である。同図(a) は平面図であり、同図(b) は斜視図である。
図１１は実施の形態６の超音波接合方法で用いるリード線ガイド機構２１によるリード線２の位置調整機能を模式に示す説明図である。同図(a) は平面図であり、同図(b) は斜視図である。
同図に示すように、リード線ガイド機構２１は、リード線２をガラス基板３の表面上の所定位置に配置する輸送機構の輸送経路上に配置され、リード線２を幅方向Ｄ２１に移動させ、チップ部分１ｃの平面領域に対するリード線２の配置位置を制御することができる。なお、図１１ではチップ部分１ｃによる超音波接合動作後のチップ跡部分２ｃが２箇所示されている。
また、チップ部分１ｃとリード線２との接合箇所には、チップ部分１ｃとリード線２との平面位置関係をモニタするＣＣＤカメラ等のモニタ手段（図示せず）が配置されており、モニタ手段による画像処理等により、チップ部分１ｃとリード線２との平面位置関係を示すモニタ結果を取得することができる。
したがって、リード線ガイド機構２１はモニタ手段のモニタ結果に基づき、常時、チップ部分１ｃの平面領域の中心がリード線２の幅方向中央部に位置するように、すなわち平面領域全体がリード線２の形成幅ＷＬ内に必ず収まるように、リード線２の平面位置制御を行うことができる。
このように、実施の形態６の超音波接合方法は、リード線ガイド機構２１及びモニタ手段を備えることにより、実施の形態５で述べた超音波接合方法の改良方法として以下のステップ(c) 及び(d) をさらに備えた方法を実現することができる。
ステップ(c)において、上記モニタ手段によりチップ部分１ｃのリード線２の幅方向における位置を検知する。
ステップ(d)において、上記ステップ(c) のモニタ結果に基づき、上記実施の形態５のステップ(b) 実行時においてリード線２の形成幅ＷＬ内においてリード線２を加圧するように、リード線２とチップ部分１ｃとの相対位置関係をリード線ガイド機構２１により調整する。
このように、実施の形態６の超音波接合方法は、図１１で示したリード線ガイド機構２１を用いてリード線２とチップ部分１ｃとの相対位置関係を常時調整することにより、確実に超音波接合面がリード線２の形成幅ＷＬに必ず収めることができる効果を奏する。
＜実施の形態７＞
図１２はこの発明の実施の形態７のチップ部分１ｃの断面構造を示す断面図である。同図に示すように、チップ部分１ｃは鋼材よりなる下地層１２と超鋼材（タングステン・カーバイド等）よりなる先端層１３との積層構造により形成される。なお、先端層１３は下地層１２上にろう付けすることにより形成される。先端層１３に用いられる超鋼材は下地層１２に用いられる鋼材より硬く、耐摩耗性に優れる。なお、実施の形態７のチップ部分１ｃ部分においても図１〜図６で示した実施の形態１の特徴を具備している。
図１２はこの発明の実施の形態７のチップ部分１ｃの断面構造を示す断面図である。同図に示すように、チップ部分１ｃは鋼材よりなる下地層１２と超鋼材（タングステン・カーバイド等）よりなる先端層１３との積層構造により形成される。なお、先端層１３は下地層１２上にろう付けすることにより形成される。先端層１３に用いられる超鋼材は下地層１２に用いられる鋼材より硬く、耐摩耗性に優れる。なお、実施の形態７のチップ部分１ｃ部分においても図１〜図６で示した実施の形態１の特徴を具備している。
このように、実施の形態７のチップ部分１ｃは、鋼材からなる下地層１２（第１の層）と、鋼材よりより硬い（摩耗度合が小さい）特性を有する超鋼材からなる先端層１３（第２の層）とを含み、先端層１３をチップ部分１ｃの最先端部としているため、チップ部分１ｃの長寿命化を図ることができる効果を奏する。
＜実施の形態８＞
図１３はこの発明の実施の形態８のチップ部分１ｃの断面構造を示す断面図である。同図に示すように、チップ部分１ｃは複数の平面部１０及び複数の凹部１１からなり、鋼材を構成材料とした主要部１ｍ（第１の層）と、主要部１ｍの表面全体及び側面の一部上にＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜４（第２の層）を成膜している。ＤＬＣ膜４を構成するＤＬＣは主要部１ｍを構成する鋼材よりも、リード線２の構成材料であるアルミとの親和性が低い特性を有している。なお、実施の形態８のチップ部分１ｃ部分においても図１〜図６で示した実施の形態１の特徴を具備している。
図１３はこの発明の実施の形態８のチップ部分１ｃの断面構造を示す断面図である。同図に示すように、チップ部分１ｃは複数の平面部１０及び複数の凹部１１からなり、鋼材を構成材料とした主要部１ｍ（第１の層）と、主要部１ｍの表面全体及び側面の一部上にＤＬＣ（Diamond Like Carbon）膜４（第２の層）を成膜している。ＤＬＣ膜４を構成するＤＬＣは主要部１ｍを構成する鋼材よりも、リード線２の構成材料であるアルミとの親和性が低い特性を有している。なお、実施の形態８のチップ部分１ｃ部分においても図１〜図６で示した実施の形態１の特徴を具備している。
このように、実施の形態８の超音波接合用ツール１のチップ部分１ｃは、その表面にリード線２の構成材料であるアルミと親和性の低いＤＬＣ膜４を有しているため、リード線２のチップ部分１ｃへの凝着を抑制し、チップ部分１ｃの長寿命化を図ることができる。
＜その他＞
なお、上述した実施の形態では、薄膜基体としてガラス基板３の単体構造を示したが、ガラス基板３の表面上にＣｒ（クロム)やＭｏ（モリブデン）等の導電性金属成膜層やＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ等の導電性酸化物層等が積層されたガラス基板３を含む複合構造においても、ガラス基板３単体の場合と同様、本発明を適用することができるのは勿論である。
なお、上述した実施の形態では、薄膜基体としてガラス基板３の単体構造を示したが、ガラス基板３の表面上にＣｒ（クロム)やＭｏ（モリブデン）等の導電性金属成膜層やＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ等の導電性酸化物層等が積層されたガラス基板３を含む複合構造においても、ガラス基板３単体の場合と同様、本発明を適用することができるのは勿論である。
さらに、シリコン基板、セラミック基板等の他の構成材料からなる基板あっても板厚が２ｍｍ以下の薄膜であれば、ガラス基板３に代えて、上述した単体構造、複合構造の薄膜基体として本発明を適用することができる。
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
Claims (8)
- 薄膜基体の表面上に配置された被接合材に対し、上方から加圧するとともに超音波振動を印加して、前記薄膜基体の表面上に前記被接合材を接合する超音波接合装置に用いられる超音波接合用ツールであって、
前記超音波接合用ツールはその先端部に超音波接合時に前記被接合材に接するチップ部分を有し、
前記チップ部分における前記被接合材に接する表面部分は、互いに分離形成された複数の平面部と、前記複数の平面部間に形成される複数の凹部とを有し、前記複数の平面部は２μｍ以下の平面度を有し、
前記複数の平面部は２μｍ以下の平面度を満足する範囲で、微小な凹凸形状を有することを特徴とする、
超音波接合用ツール。 - 請求項１記載の超音波接合用ツールであって、
前記チップ部分の前記複数の平面部それぞれの外周部のエッジが丸められていることを特徴とする、
超音波接合用ツール。 - 請求項１または請求項２記載の超音波接合用ツールであって、
前記チップ部分は第１の材質よりなる第１の層と、前記第１の層上に形成され、前記第１の材質より硬い特性を有する第２の層とを含み、前記第２の層が前記チップ部分の最先端部となることを特徴とする、
超音波接合用ツール。 - 請求項１または請求項２記載の超音波接合用ツールであって、
前記チップ部分は第１の材質よりなる第１の層と、前記第１の層上に形成され、前記第１の材質より前記被接合材の構成材料との親和性の低い構成材料よりなる第２の層とを含み、前記第２の層が前記チップ部分の最先端部となることを特徴とする、
超音波接合用ツール。 - 請求項１記載の超音波接合用ツールの製造方法であって、
(a) 前記超音波接合用ツールの元となる、２μｍを超える平面度の先端平面部分を有するツール原材を準備するステップと、
(b) 研削処理を行い、前記ツール原材の前記先端平面部分の平面度を２μｍ以下の平面度に高めるステップと、
(c) ワイヤカット法あるいは切断砥石を用いて、選択的に複数の凹部を形成するステップとを備え、前記複数の凹部によって前記先端平面部分が平面度が２μｍ以下の平面度を有する複数の平面部に分離され、前記複数の平面部及び前記複数の凹部によって前記チップ部分を構成し、
(d) ショットブラスト法を用いて、前記複数の平面部の外周部のエッジを丸めるともに、２μｍ以下の平面度を満足する範囲で、前記複数の平面部それぞれに微小な凹凸形状を形成するステップをさらに備える、
超音波接合用ツールの製造方法。 - 請求項１記載の超音波接合用ツールを用いた超音波接合方法であって、
前記被接合材は所定の形成幅を有するリード線を含み、
(a) 薄膜基体の表面上に前記リード線を配置するステップと、
(b) 前記リード線に前記超音波接合用ツールのチップ部分を用いて上方から加圧するとともに超音波振動を印加して、前記薄膜基体の表面上に前記リード線を接合するステップとを備える、
超音波接合方法。 - 請求項６記載の超音波接合方法であって、
前記薄膜基体はガラス基板単体構造である、
超音波接合方法。 - 薄膜基体の表面上に配置された被接合材に対し、超音波接合用ツールにより上方から加圧するとともに超音波振動を印加して、前記薄膜基体の表面上に前記被接合材を接合する超音波接合装置であって、
前記超音波接合用ツールは、請求項１または請求項２記載の超音波接合用ツールを含むことを特徴する、
超音波接合装置。
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