JP5275642B2 - Light emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the same.
従来、LEDパッケージにおいて、LEDチップが静電気衝撃により受ける素子ダメージを防ぐ目的で、保護素子(例えばツェナーダイオード素子)をLEDチップと電気的に接続した素子構造が知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, in an LED package, an element structure in which a protective element (for example, a Zener diode element) is electrically connected to an LED chip is known for the purpose of preventing element damage that the LED chip receives due to electrostatic shock.
図1は、LEDチップが静電気衝撃により受けるダメージを防ぐ目的で、保護素子(例えばツェナーダイオード素子)をLEDチップと電気的に接続したLEDパッケージの一般的な素子構造として、従来の構造例1を示す図である。図1を参照すると、基板・ハウジング101は、セラミックスや金属、樹脂などから構成され、LEDチップ102への給電、保護素子103とLEDチップ102との接続、外部リード、実装のための電極配線が施されている。
FIG. 1 shows a conventional structure example 1 as a general element structure of an LED package in which a protection element (for example, a Zener diode element) is electrically connected to an LED chip for the purpose of preventing damage to the LED chip due to electrostatic shock. FIG. Referring to FIG. 1, the substrate / housing 101 is made of ceramics, metal, resin, etc., and has power supply to the
また、基板・ハウジング101の内部または表面には、LEDチップ102および保護素子103の搭載部を囲んでLEDチップ102の光を配光するためにカップ状の反射ホーン104が形成されており、反射ホーン(カップ)104の内側に、LEDチップ102と、LEDチップ102を静電気衝撃から保護するための保護素子(例えばツェナーダイオード)103が実装されている。そして、LEDチップ102および保護素子103は、透光性樹脂105により封止されている。ここで、LEDチップ102の出射光の一部を異なる波長の光へ変換するため、透光性樹脂105に蛍光体を混合して用いられる場合もある。
In addition, a cup-
また、図2は、特許文献1に示されているLEDパッケージの構造(従来の構造例2)を示す図である。図2を参照すると、基板201は、セラミックスや金属などから構成され、基板201の内部または表面には、LEDチップ202への給電、保護素子203とLEDチップ202との接続、外部リード、実装のための電極配線が施されている。
FIG. 2 is a diagram showing the structure of the LED package shown in Patent Document 1 (conventional structure example 2). Referring to FIG. 2, the substrate 201 is made of ceramics, metal, or the like. On the inside or the surface of the substrate 201, power is supplied to the LED chip 202, the
また、基板201上には、LEDチップ202および保護素子203が実装されている。そして、保護素子203を被覆する様にしてハウジング206が基板201の表面に形成され、ハウジング206には、LEDチップ202の搭載部を囲んでLEDチップ202の光を配光するためにカップ状の反射ホーン204が形成されており、反射ホーン(カップ)204の内側にLEDチップ202が実装され、LEDチップ202は透光性樹脂205で封止されている。ここで、LEDチップ202からの出射光の一部を波長の異なる光へ変換するため、透光性樹脂205に蛍光体を混合して用いられる場合もある。
An LED chip 202 and a
また、図3は、特許文献2に示されているLEDパッケージの構造(従来の構造例3)を示す図である。図3を参照すると、基板・ハウジング301の内部または表面には、LEDチップ302への給電、保護素子303とLEDチップ302との接続、外部リード、実装のための電極配線が施されている。
FIG. 3 is a diagram showing the structure of the LED package disclosed in Patent Document 2 (conventional structure example 3). Referring to FIG. 3, power supply to the
また、基板・ハウジング301には、LEDチップ302を搭載するための第1のカップ構造307が表面に形成され、保護素子303を搭載するための第2のカップ構造308が裏面に形成されており、第1のカップ307の底部にLEDチップ302が実装され、第2のカップ308の底部に保護素子303が実装されている。そして、第1のカップ307の内側は透光性樹脂309で封止され、第2のカップ308の内側は樹脂310で封止されている。ここで、LEDチップ302の出射光の一部を波長の異なる光へ変換するため、透光性樹脂309に蛍光体を混合して用いられる場合もある。
Further, the substrate / housing 301 has a
また、図4は、すでに市販されているLEDパッケージの製品の構造(従来の構造例4)を示す図である。図4を参照すると、基板・ハウジング401の内部または表面には、LEDチップ402への給電、保護素子403とLEDチップ402との接続、外部リード、実装のための電極配線が施されている。
FIG. 4 is a view showing the structure of a product of an LED package already on the market (conventional structure example 4). Referring to FIG. 4, power supply to the
また、基板・ハウジング401の上面には、LEDチップ402が実装される第1のカップ407と、保護素子403が実装される第2のカップ408とがそれぞれ独立に設けられている。すなわち、第2のカップ408は、第1のカップ407の外部に設けられており、第1のカップ407の底部にはLEDチップ402が実装され、第2のカップ408の底部には保護素子403が実装されている。そして、第1のカップ407の内側は透光性樹脂409で封止され、第2のカップ408の内側は保護樹脂410で封止されている。ここで、LEDチップ402の出射光の一部を波長の異なる光へ変換するため、透光性樹脂409に蛍光体を混合して用いられる場合もある。
In addition, a
図1に示す従来の構造例1においては、LEDチップ102と保護素子103とが反射ホーン(カップ)104の底部に隣接して実装されている。
In the conventional structural example 1 shown in FIG. 1, the
このような構成では、LEDチップ102から出射される光の一部、あるいは蛍光体から出射される光の一部が保護素子103で吸収され、LEDパッケージから出射するトータルの光量が低下するという問題がある。
In such a configuration, a part of the light emitted from the
従来の構造例2,従来の構造例3は、従来の構造例1の問題点を解決する目的で提案されている。 Conventional structure example 2 and conventional structure example 3 are proposed for the purpose of solving the problems of conventional structure example 1.
すなわち、従来の構造例2では、保護素子203をLEDチップ202が実装される反射ホーン(カップ)204の外部位置に実装することで、LEDチップ202または蛍光体から出射される光が保護素子203により吸収されることを防いでいる。
That is, in the conventional structure example 2, the
より具体的に、従来の構造例2では、保護素子(ツェナーダイオード)203はハウジング材206で被覆されている。
More specifically, in the conventional structural example 2, the protective element (zener diode) 203 is covered with a
しかし、この従来の構造例2では、射出成形やダイカスト成形によるハウジング材206の被覆工程で、保護素子203に対して外部応力(ストレス)を与え、素子動作不良を引き起こすという問題がある。
However, in this conventional structure example 2, there is a problem that an external stress (stress) is applied to the
また、射出成形やダイカスト成形によるハウジング材206の被覆工程で、保護素子203から電気的な接続を得るためのワイヤーに対して外部応力を与え、素子動作不良を引き起こすという問題がある。
In addition, there is a problem that in the process of covering the
また、ハウジング樹脂成形後、保護素子203とハウジング206との界面に剥離やクラックが発生し、ハウジング材206の強度不足や寸法変化、通電不良などを生じさせるという問題がある。
In addition, after molding the housing resin, there is a problem in that peeling or cracking occurs at the interface between the
さらに、基板(リードフレーム)201に保護素子203を実装してから、保護素子203を被覆するためのハウジング成形を行うため、工程に大掛かりな装置が必要で、多段の工数を要するという問題があった。
Further, since the housing element for covering the
また、従来の構造例3は、基板・ハウジング部材301の表面と裏面に、LEDチップ302を実装するための第1のカップ307と、保護素子303を実装するための第2のカップ308とを独立に設けることで、LEDチップ302が実装される第1のカップ307の外部に保護素子303が実装される特徴を持ち、これにより、LEDチップ302または蛍光体から出射される光が保護素子303により吸収されることを防いでいる。
Also, in the conventional structure example 3, the
しかしながら、従来の構造例3では、LEDチップ302の実装部の裏面に保護素子303搭載用の第2のカップ308を形成することで、LEDチップ302で発生した熱の放熱経路が絶たれて発光特性が低下したり、保護樹脂310の注入量のばらつきによって放熱特性、ひいては発光特性のばらつきを大きくするという問題があった。
However, in the conventional structure example 3, by forming the
また、従来の構造例3では、基板・ハウジング部材301の表裏両面に素子実装することが必要になるため、はじめにLEDチップ302を実装した後、基板・ハウジング部材301を反転させ、次に保護素子303を実装するという多段工程を取るか、両面同時にLEDチップ302と保護素子303を実装する複雑で高度な工程と設備が必要になるという問題がある。
Further, in the conventional structural example 3, since it is necessary to mount elements on both the front and back surfaces of the substrate / housing member 301, the
さらに、素子保護のための樹脂注入・硬化は、片面ずつ個別に実施する必要があり、同様に多段工程を要するという問題があった。 Furthermore, the resin injection / curing for element protection needs to be performed individually on each side, and there is a problem that a multi-step process is required as well.
またさらに、保護素子303用の第2のカップ308からはみ出した保護材(例えば樹脂)310によって段差が発生したり、接合材(半田など)へ保護樹脂310が混入することによって、製品(LEDパッケージ)の実装不良を引き起こすという問題があった。
Furthermore, a step is generated by the protective material (for example, resin) 310 that protrudes from the
従来の構造例4も従来の構造例1の問題を解決することを意図したものである。 Conventional structure example 4 is also intended to solve the problem of conventional structure example 1.
従来の構造例4は、基板・ハウジング部材401上のLEDチップ402が実装される第1のカップ407が形成された面と同じ面で、かつ、LEDチップ402が実装される第1のカップ407の外部に、保護素子403を実装するための第2のカップ408を設け、LEDチップ402と保護素子403とが離れて実装される特徴を持ち、従来の構造例2,従来の構造例3と同様に、LEDチップ402または蛍光体から出射される光が保護素子403により吸収されることを防ぐ構造となっている。
Conventional Structure Example 4 is the same surface as the surface on which the
しかし、従来の構造例4では、保護素子403用の第2のカップ408に注入した保護材(例えば樹脂)410の注入ばらつき(注入量不足、はみ出し、這い上がりなど)によって、Au配線ワイヤーや保護素子の大気露出、外形寸法変化による仕分け不良や、電気特性検査時のプローブ接点不良、あるいはLEDパッケージ製品の実装において吸着ノズルと保護樹脂が干渉することで吸着ノズルが樹脂で汚染され実装不良を引き起こすなど、多大な問題が発生する。
However, in the conventional structure example 4, the Au wiring wire and the protection due to injection variation (insufficient injection amount, protrusion, scooping up, etc.) of the protective material (for example, resin) 410 injected into the
また、LEDパッケージ製品の実装時に、実装ノズル先端からの外力が基板・ハウジング401に加えられた場合、保護素子403用の第2のカップ408付近の強度不足により欠けやクラック等の損壊を生じるという問題もある。
本発明は、発光素子(例えばLEDチップ)が静電気衝撃により受けるダメージを防ぐ目的で、保護素子を発光素子(例えばLEDチップ)と電気的に接続した構造を有する発光装置(例えばLED装置)において、発光素子(例えばLEDチップ)からの光が保護素子により吸収されることを防ぐことができるとともに、従来の構造の不具合を解消することの可能な発光装置およびその製造方法を提供することを目的としている。 The present invention provides a light emitting device (for example, an LED device) having a structure in which a protective element is electrically connected to a light emitting element (for example, an LED chip) for the purpose of preventing damage to the light emitting element (for example, an LED chip) due to electrostatic shock. An object of the present invention is to provide a light-emitting device that can prevent light from a light-emitting element (for example, an LED chip) from being absorbed by a protective element and that can solve the problems of the conventional structure, and a method for manufacturing the same. Yes.
上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、発光素子が静電気衝撃により受けるダメージを防ぐ目的で、保護素子を発光素子と電気的に接続した構造を有する発光装置において、該発光装置の基板には、少なくとも1つの発光素子が搭載される第1のカップが設けられ、該第1のカップの底面に、少なくとも1つの保護素子が搭載される前記保護素子の高さより深い第2のカップが少なくとも1つ設けられており、前記第2のカップは、前記保護素子を隠蔽する光反射性封止材が保護素子封止材として充填されていることを特徴としている。
In order to achieve the above object, the invention described in
また、請求項3記載の発明は、請求項1記載の発光装置の製造方法であって、前記第1のカップおよび前記第2のカップを、前記基板にシリコン異方性エッチングを用いて形成することを特徴としている。
The invention according to claim 3 is the method for manufacturing the light emitting device according to
請求項1,請求項2記載の発明によれば、発光素子(例えばLEDチップ)が静電気衝撃により受けるダメージを防ぐ目的で、保護素子を発光素子(例えばLEDチップ)と電気的に接続した構造を有する発光装置(例えばLED装置)において、該発光装置(例えばLED装置)の基板には、発光素子(例えばLEDチップ)が搭載される第1のカップ(凹部)が設けられ、該第1のカップの底面に、少なくとも1つの保護素子が搭載される第2のカップ(凹部)が少なくとも1つ設けられているので、発光素子(例えばLEDチップ)からの光が保護素子により吸収されることを防ぐことができるとともに、従来の構造の不具合を解消することができる。 According to the first and second aspects of the present invention, the structure in which the protective element is electrically connected to the light emitting element (for example, the LED chip) for the purpose of preventing the light emitting element (for example, the LED chip) from being damaged by electrostatic shock. In a light-emitting device (for example, an LED device), a substrate of the light-emitting device (for example, an LED device) is provided with a first cup (concave portion) on which a light-emitting element (for example, an LED chip) is mounted. Since at least one second cup (concave portion) on which at least one protection element is mounted is provided on the bottom surface of the LED, light from the light emitting element (for example, LED chip) is prevented from being absorbed by the protection element. In addition, it is possible to eliminate the problems of the conventional structure.
具体的に、本発明では、保護素子が搭載された第2のカップに、保護素子を隠蔽する光反射性封止材を保護素子封止材として保護素子上から形成することで、発光素子または蛍光体から放射される光が保護素子に吸収されて減光するのを防ぐことができる。 Specifically, in the present invention, a light-reflective sealing material that conceals the protective element is formed as a protective element sealing material on the second cup on which the protective element is mounted from the protective element. It is possible to prevent light emitted from the phosphor from being absorbed by the protective element and dimming.
また、本発明では、第1のカップの底面に保護素子を搭載するための第2のカップを形成し、第2のカップの底面に保護素子を実装する構造とすることで、発光装置の実装時に吸着ノズルと保護素子、吸着ノズルと保護素子封止材樹脂との干渉を防止できる。 In the present invention, the second cup for mounting the protection element is formed on the bottom surface of the first cup, and the protection element is mounted on the bottom surface of the second cup. Sometimes it is possible to prevent interference between the suction nozzle and the protective element and between the suction nozzle and the protective element sealing material resin.
また、本発明では、第1のカップの底面に保護素子を搭載するための第2のカップを形成し、第2のカップ内に保護素子および保護素子封止材を形成するパッケージ構造とすることで、保護素子封止材の充填量のばらつきにより配線ワイヤーの露出やカップからの樹脂溢れが発生したとしても、透光性封止材が重ねて第1のカップに充填されるため、充填量ばらつきに対し影響を受けにくい。具体的には、Au配線ワイヤーや保護素子の大気露出、樹脂が溢れ外形寸法変化による仕分け不良や、電気特性検査時のプローブ接点不良などの問題は基本的には発生しない。また、仮に保護素子封止材が溢れたとしても発光特性に影響を与える可能性が低い。逆にいえば、保護素子封止材の充填量の管理幅を広く設定できるという利点がある。 In the present invention, a package structure is formed in which a second cup for mounting a protective element is formed on the bottom surface of the first cup, and a protective element and a protective element sealing material are formed in the second cup. Even if the wiring wire is exposed or the resin overflows from the cup due to variations in the filling amount of the protective element sealing material, the translucent sealing material is overlaid and filled in the first cup. Less susceptible to variation. Specifically, problems such as exposure of the Au wiring wires and protective elements to the atmosphere, overflowing resin, sorting failures due to changes in external dimensions, and probe contact failures during electrical characteristic inspections basically do not occur. In addition, even if the protective element sealing material overflows, there is a low possibility of affecting the light emission characteristics. In other words, there is an advantage that the control range of the filling amount of the protective element sealing material can be set widely.
また、本発明では、第1のカップの底面に保護素子を搭載するための第2のカップを形成することで、第1のカップの外部に独立して第2のカップを形成した場合に比べて、装置サイズ(パッケージサイズ)を小型化できる。 Moreover, in this invention, compared with the case where the 2nd cup for mounting a protective element is formed in the bottom face of a 1st cup, and the 2nd cup is formed independently outside the 1st cup. Thus, the device size (package size) can be reduced.
また、請求項3記載の発明によれば、請求項1記載の発光装置の製造方法であって、前記基板にはシリコンが用いられ、前記第1のカップ(凹部)および前記第2のカップ(凹部)を、前記基板にシリコン異方性エッチングを用いて形成するので、前記第1のカップおよび前記第2のカップを容易に(簡単な工程で)作製することができ、複雑な工程等を要せずに発光装置を作製できる。
According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing a light emitting device according to the first aspect, silicon is used for the substrate, and the first cup (concave portion) and the second cup ( Since the concave portion is formed on the substrate using silicon anisotropic etching, the first cup and the second cup can be easily (in a simple process), and complicated processes, etc. A light emitting device can be manufactured without necessity.
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明では、発光装置がLED装置(LEDパッケージ)であるとし、発光素子がLEDチップであるとする。 Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, it is assumed that the light emitting device is an LED device (LED package) and the light emitting element is an LED chip.
図5は本発明に係る発光装置の第1の構成例を示す図である。図5を参照すると、第1の構成例の発光装置(LED装置)は、基板・ハウジング1の上面(光取り出し面)に第1のカップ(凹部)7が形成されており、第1のカップ7の底面にLEDチップ2が実装されている。また、第1のカップ7の底面のLEDチップ2の実装位置以外の位置に、第2のカップ(凹部)8が形成されており、第2のカップ8の底面に、LEDチップ2を静電気衝撃から保護するための保護素子3が実装されている。
FIG. 5 is a diagram showing a first configuration example of the light emitting device according to the present invention. Referring to FIG. 5, in the light emitting device (LED device) of the first configuration example, a first cup (concave portion) 7 is formed on the upper surface (light extraction surface) of the substrate /
そして、第2のカップ8には、保護素子3を隠蔽し、LEDチップ2および蛍光体からの光を反射する性質をもつ光反射性封止材10が保護素子3上から形成(充填,封止)されており、また、第1のカップ7内には、第2のカップ8内の光反射性封止材10の形成後、透光性封止材または蛍光体を含む透光性封止材9が形成(充填,封止)されている。
In the second cup 8, a light-reflective sealing material 10 that conceals the protective element 3 and reflects light from the
ここで、基板・ハウジング1は、Al2O3,AlN等のセラミックス、Cu,Al,Fe,Ni,Ag,真鍮等の金属、Si、各種エンプラ等の樹脂などの材料で構成されている。また、基板・ハウジング1の内部あるいは表面には、図示しないが、LEDチップ2への給電、保護素子3とLEDチップ2との接続、外部リード、実装(接合)のための電極配線がパターニングされている。ここで、電極配線の材料としては、Ni,Au,Cr,Cu,Agおよびこれらを含む合金などが挙げられる。
Here, the substrate /
また、第1のカップ7の内面は、LEDチップ2および蛍光体からの光を反射するための表面処理が施されていることが望ましい。ここで、第1のカップ7の内面の表面処理には、Al、Ag、Auまたはこれらを含む合金などが用いられる。なお、第1のカップ7の内面の表面処理のかわりに、あるいは、第1のカップ7の内面の表面処理とともに、基板・ハウジング1の構成材料自体に光反射率の高い材料を用いても良い。
The inner surface of the
また、LEDチップ2と基板1との接合(固定)法として、一般に、共晶接合,Agペースト接合,Auバンプ接合などを用いることができる。なお、LEDチップ2の給電のための接合(接続)法として、上記のほか、ワイヤボンディングによる接続などが挙げられる。
Further, as a method for bonding (fixing) the
また、保護素子3としては、ツェナーダイオード、トランジスタのダイオード接続、MOSFETおよびそれらの複合素子,ICなどが用いられる。ここで、保護素子3は、LEDチップ2と並列で逆方向に接続される。
Further, as the protection element 3, a Zener diode, a diode connection of a transistor, a MOSFET, a composite element thereof, an IC, or the like is used. Here, the protection element 3 is connected in parallel to the
また、第2のカップ8を封止する光反射性封止材10には、白色顔料(例えばTiOs2,Al2O3)を含む樹脂(例えばシリコン,エポキシ樹脂),白色セラミック粒子などが用いられる。 The light-reflective sealing material 10 that seals the second cup 8 is made of a resin (for example, silicon or epoxy resin) containing white pigment (for example, TiOs 2 or Al 2 O 3 ), white ceramic particles, or the like. It is done.
また、第1のカップ7を封止する透光性封止材9には、シリコン,エポキシ樹脂,低融点ガラスなどが用いられる。
Further, silicon, an epoxy resin, low melting point glass, or the like is used for the
また、透光性封止材9に蛍光体が含まれる場合、蛍光体には、YAG系蛍光体,オルトシリケート系蛍光体,窒化物系蛍光体などが用いられる。
Further, when the
本発明の第1の構成例と従来の構造例1とでLEDパッケージの光出力の比較を行なった結果、および、本発明の第1の構成例と従来の構造例4とでLEDパッケージの製造不良数の比較を行なった結果を、表1に示す。 Comparison of the light output of the LED package between the first configuration example of the present invention and the conventional structure example 1, and the manufacture of the LED package between the first configuration example of the present invention and the conventional structure example 4 Table 1 shows the result of comparison of the number of defects.
表1から、本発明の第1の構成例では、従来に比べて、光出力が高く、製造不良数が少ない傾向が見られた。 From Table 1, in the 1st structural example of this invention, compared with the former, the optical output was high and the tendency for the number of manufacturing defects to be small was seen.
また、図6は本発明に係る発光装置の第2の構成例を示す図である。図6を参照すると、第2の構成例の発光装置(LED装置)は、基本的には第1の構成例と同様のものとなっているが、第2の構成例では、第1のカップ7の底面に複数のLEDチップ2(図6の例では、2つのLEDチップ2)が実装されている。このように、第1のカップ7の底面に実装されるLEDチップ2は、複数であっても良い。
FIG. 6 is a diagram showing a second configuration example of the light emitting device according to the present invention. Referring to FIG. 6, the light emitting device (LED device) of the second configuration example is basically the same as the first configuration example, but in the second configuration example, the first cup A plurality of LED chips 2 (two
また、図7は本発明に係る発光装置の第3の構成例を示す図である。図7を参照すると、第3の構成例の発光装置(LED装置)は、基本的には第1の構成例と同様のものとなっているが、第3の構成例では、第2のカップ8の底面に複数の保護素子3(図7の例では、2つの保護素子3)が実装されている。このように、第2のカップ8の底面に実装される保護素子3は、複数であっても良い。 FIG. 7 is a diagram showing a third configuration example of the light-emitting device according to the present invention. Referring to FIG. 7, the light emitting device (LED device) of the third configuration example is basically the same as that of the first configuration example, but in the third configuration example, the second cup A plurality of protection elements 3 (two protection elements 3 in the example of FIG. 7) are mounted on the bottom surface of FIG. Thus, the protection element 3 mounted on the bottom surface of the second cup 8 may be plural.
第2のカップ8の底面に複数の保護素子3を実装することで、光反射性封止材10の注入工数を低減することができる。 By mounting the plurality of protection elements 3 on the bottom surface of the second cup 8, the number of man-hours for injecting the light reflective sealing material 10 can be reduced.
また、図8は本発明に係る発光装置の第4の構成例を示す図である。図8を参照すると、第4の構成例の発光装置(LED装置)では、第1のカップ7の底面に複数の第2のカップ8(図8の例では、2つの第2のカップ8)が形成されている。そして、図8の例では、2つの第2のカップ8のそれぞれの底面に保護素子3が実装され、それぞれ光反射性封止材10で封止されている。なお、図8の例では、2つの第2のカップ8のそれぞれの底面に1つの保護素子3が実装されているが、2つの第2のカップ8のそれぞれの底面に複数の保護素子3が実装されても良い。
FIG. 8 is a diagram showing a fourth configuration example of the light-emitting device according to the present invention. Referring to FIG. 8, in the light emitting device (LED device) of the fourth configuration example, a plurality of second cups 8 (two second cups 8 in the example of FIG. 8) on the bottom surface of the
このように、第1のカップ7の底面に複数の第2のカップ8が形成される場合、レイアウトの自由度が広がり、実装密度の向上と、高出力化,低コスト化を図ることができる。
As described above, when the plurality of second cups 8 are formed on the bottom surface of the
このように、本発明の発光装置は、発光素子(例えばLEDチップ)が静電気衝撃により受けるダメージを防ぐ目的で、保護素子を発光素子(例えばLEDチップ)と電気的に接続した構造を有する発光装置(例えばLED装置)において、該発光装置(例えばLED装置)の基板には、少なくとも1つの発光素子(例えばLEDチップ)が搭載される第1のカップ(凹部)が設けられ、該第1のカップの底面に、少なくとも1つの保護素子が搭載される第2のカップ(凹部)が少なくとも1つ設けられていることを特徴としている。 As described above, the light emitting device of the present invention has a structure in which the protective element is electrically connected to the light emitting element (for example, LED chip) for the purpose of preventing the light emitting element (for example, LED chip) from being damaged by electrostatic shock. In (for example, an LED device), a substrate of the light emitting device (for example, an LED device) is provided with a first cup (concave portion) on which at least one light emitting element (for example, an LED chip) is mounted. At least one second cup (recessed portion) on which at least one protection element is mounted is provided on the bottom surface of the slab.
ここで、前記第2のカップは、保護素子を隠蔽する光反射性封止材が保護素子封止材として充填されているのが良い。 Here, the second cup is preferably filled with a light-reflective sealing material that conceals the protection element as the protection element sealing material.
また、本発明では、保護素子が搭載された第2のカップに、保護素子を隠蔽する光反射性封止材を保護素子封止材として保護素子上から形成することで、LEDチップまたは蛍光体から放射される光が保護素子に吸収されて減光するのを防ぐことができる。 Further, in the present invention, a light-reflective sealing material that conceals the protection element is formed as a protection element sealing material on the second cup on which the protection element is mounted, so that the LED chip or the phosphor is formed. It is possible to prevent the light emitted from the light from being absorbed by the protective element and dimming.
また、本発明では、第1のカップの底面に保護素子を搭載するための第2のカップを形成し、第2のカップの底面に保護素子を実装する構造とすることで、発光装置(LED装置)の実装時に吸着ノズルと保護素子、吸着ノズルと保護素子封止材樹脂との干渉を防止できる。 In the present invention, the second cup for mounting the protective element on the bottom surface of the first cup is formed, and the protective element is mounted on the bottom surface of the second cup, whereby the light emitting device (LED It is possible to prevent interference between the suction nozzle and the protective element and between the suction nozzle and the protective element sealing material resin when the apparatus is mounted.
また、本発明では、第1のカップの底面に保護素子を搭載するための第2のカップを形成し、第2のカップ内に保護素子および保護素子封止材を形成するパッケージ構造とすることで、保護素子封止材の充填量のばらつきにより配線ワイヤーの露出やカップからの樹脂溢れが発生したとしても、透光性封止材が重ねて第1のカップに充填されるため、充填量ばらつきに対し影響を受けにくい。具体的には、Au配線ワイヤーや保護素子の大気露出、樹脂が溢れ外形寸法変化による仕分け不良や、電気特性検査時のプローブ接点不良などの問題は基本的には発生しない。また、仮に保護素子封止材が溢れたとしても発光特性に影響を与える可能性が低い。逆にいえば、保護素子封止材の充填量の管理幅を広く設定できるという利点がある。 In the present invention, a package structure is formed in which a second cup for mounting a protective element is formed on the bottom surface of the first cup, and a protective element and a protective element sealing material are formed in the second cup. Even if the wiring wire is exposed or the resin overflows from the cup due to variations in the filling amount of the protective element sealing material, the translucent sealing material is overlaid and filled in the first cup. Less susceptible to variation. Specifically, problems such as exposure of the Au wiring wires and protective elements to the atmosphere, overflowing resin, sorting failures due to changes in external dimensions, and probe contact failures during electrical characteristic inspections basically do not occur. In addition, even if the protective element sealing material overflows, there is a low possibility of affecting the light emission characteristics. In other words, there is an advantage that the control range of the filling amount of the protective element sealing material can be set widely.
また、本発明では、第1のカップの底面に保護素子を搭載するための第2のカップを形成することで、第1のカップの外部に独立して第2のカップを形成した場合に比べて、装置サイズ(パッケージサイズ)を小型化できる。 Moreover, in this invention, compared with the case where the 2nd cup for mounting a protective element is formed in the bottom face of a 1st cup, and the 2nd cup is formed independently outside the 1st cup. Thus, the device size (package size) can be reduced.
次に、本発明の発光装置(LED装置,LEDパッケージ)のパッケージ部の製造例として、シリコン異方性エッチング技術を用いたシリコン加工基板の製造工程例について、図9を用いて具体的に説明する。 Next, as a manufacturing example of the package portion of the light emitting device (LED device, LED package) of the present invention, a manufacturing process example of a silicon processed substrate using silicon anisotropic etching technology will be specifically described with reference to FIG. To do.
先ず、図9(A)に示すように、鏡面シリコンウエハ1の表面に、拡散炉を用いて厚さ500nmの熱酸化シリコン膜32を形成する。
First, as shown in FIG. 9A, a thermal
次に、フォトリソグラフィー技術によってウエハ1の片面にレジストパターンを形成し、バッファードフッ酸(BHF)によって熱酸化シリコン膜32をエッチング除去することで、図9(B)に示すような酸化シリコン膜32のパターンを形成する。
Next, a resist pattern is formed on one surface of the
パターニングされた酸化シリコン膜32をマスクとして、例えば20%TMAH溶液による結晶異方性エッチングによって、図9(C)に示すような凹部(第1のカップ)7を作製する。
Using the patterned
次に、BHF溶液によって一旦すべての熱酸化シリコン膜32を除去し、図9(D)に示すように再びシリコン基板1の表面に拡散炉を用いて厚さ500nmの熱酸化シリコン膜34を作製する。
Next, all the thermally oxidized
次いで、フォトリソグラフィー技術によって、第1のカップ7の底面に、凹部加工するためのレジストパターンを形成する。立体形状へのレジストパターニングにはレジストスプレーコーティングを好適な手段として用いることが出来る。
Next, a resist pattern for processing a recess is formed on the bottom surface of the
レジストパターニング後、BHF溶液によって熱酸化シリコン膜34をエッチング除去し、図9(E)に示すような酸化シリコン膜34のパターンを形成する。
After resist patterning, the thermal
パターニングされた酸化シリコン膜34をマスクとして、例えば20%TMAH溶液による結晶異方性エッチングを実施し、図9(F)に示すように第1のカップ7の底面に凹部(第2のカップ)8を形成する。
Crystal anisotropic etching using, for example, a 20% TMAH solution is performed using the patterned
BHF溶液によって一旦すべての熱酸化シリコン膜34を除去することで、図9(G)に示すようなシリコン加工基板1を作製することができる。
By removing all the thermally oxidized
次に、得られたシリコン加工基板1に光反射・電極層を形成する。
Next, a light reflection / electrode layer is formed on the obtained silicon processed
光反射・電極層の形成は、次のようにしてなされる。すなわち、はじめに、シリコン加工基板1の表面に拡散炉を用いて厚さ500nmの熱酸化シリコン膜を作製し、フォトリソグラフィー技術によってレジストパターンを形成する。そして、熱酸化シリコン膜を密着層としてTiまたはTi−Ni合金膜を成膜し、バリアメタル層としてNiまたはPtまたはPd膜を成膜し、反射層としてAgまたはAlまたはAg合金膜を連続的に成膜する。次に、このように成膜した3層積層の金属膜をリフトオフすることで、図9(H)に示すような光反射・電極層36を形成することができる。
The light reflection / electrode layer is formed as follows. That is, first, a thermal silicon oxide film having a thickness of 500 nm is formed on the surface of the silicon processed
光反射・電極層36は、実装のための接合パターンとしても機能する。
The light reflection /
このようにして、シリコン加工基板1(第1のカップ7,第2のカップ8を含めたシリコン加工基板1)に光反射・電極層を形成することができる。
In this manner, the light reflecting / electrode layer can be formed on the silicon processed substrate 1 (the silicon processed
なお、酸・アルカリ溶液によるウエットエッチングや、RIEのようなドライエッチングプロセスにより上記金属膜をパターニングすることも可能である。 It is also possible to pattern the metal film by wet etching using an acid / alkali solution or a dry etching process such as RIE.
また、レーザー加工やドライエッチングプロセスにより基板1に垂直なスルーホールを形成し、金属めっきあるいはCVDなどの技術によりスルーホール部に金属等の導電材を充填することで電極パターンを形成することも可能である。
It is also possible to form an electrode pattern by forming a through hole perpendicular to the
このように、基板1にシリコンを用い、前記第1のカップ7および前記第2のカップ8を、前記基板1にシリコン異方性エッチングを用いて形成することで、前記第1のカップ7および前記第2のカップ8を容易に(簡単な工程で)作製することができる。
In this way, by using silicon for the
なお、上述の説明では、第1,第2,第3,第4の構成例を挙げたが、本発明の発光装置は、発光素子(例えばLEDチップ)が静電気衝撃により受けるダメージを防ぐ目的で、保護素子を発光素子(例えばLEDチップ)と電気的に接続した構造を有する発光装置(例えばLED装置)において、該発光装置(例えばLED装置)の基板には、少なくとも1つの発光素子(例えばLEDチップ)が搭載される第1のカップが設けられ、該第1のカップの底面に、少なくとも1つの保護素子が搭載される第2のカップが少なくとも1つ設けられている構成のものであれば良く、上述した第1,第2,第3,第4の構成例のものに限定されず、種々の変形が可能である。 In the above description, the first, second, third, and fourth configuration examples are given. However, the light emitting device of the present invention is for the purpose of preventing damage to the light emitting element (for example, LED chip) due to electrostatic shock. In the light emitting device (for example, LED device) having a structure in which the protective element is electrically connected to the light emitting element (for example, LED chip), the substrate of the light emitting device (for example, LED device) has at least one light emitting element (for example, LED). A first cup on which a chip) is mounted, and at least one second cup on which at least one protective element is mounted is provided on the bottom surface of the first cup. The present invention is not limited to the above-described first, second, third, and fourth configuration examples, and various modifications are possible.
また、上述の説明では、発光装置がLED装置(LEDパッケージ)であるとし、発光素子がLEDチップであるとしたが、発光素子は、LEDチップに限らず、半導体レーザ素子などでもよく、従って、発光装置は、LED装置(LEDパッケージ)に限らず、半導体レーザ装置などでもよい。 In the above description, the light emitting device is an LED device (LED package) and the light emitting element is an LED chip. However, the light emitting element is not limited to the LED chip, and may be a semiconductor laser element or the like. The light emitting device is not limited to an LED device (LED package), but may be a semiconductor laser device or the like.
本発明は、LEDランプ、オフィス・家庭内照明、店舗照明、公共屋外照明、自動車・列車・航空機用照明、テレビ・携帯電話等の情報機器用の光源に利用可能である。
The present invention can be used for LED lamps, office / home lighting, store lighting, public outdoor lighting, automobile / train / aircraft lighting, and light sources for information devices such as TVs / mobile phones.
1 基板・ハウジング
2 LEDチップ
3 保護素子
7 第1のカップ
8 第2のカップ
9 透光性封止材
10 光反射性封止材
DESCRIPTION OF
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Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP3764255B2 (en) * | 1997-07-30 | 2006-04-05 | ローム株式会社 | Semiconductor light emitting device |
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