JP5199623B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5199623B2 JP5199623B2 JP2007221864A JP2007221864A JP5199623B2 JP 5199623 B2 JP5199623 B2 JP 5199623B2 JP 2007221864 A JP2007221864 A JP 2007221864A JP 2007221864 A JP2007221864 A JP 2007221864A JP 5199623 B2 JP5199623 B2 JP 5199623B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led chip
- conversion layer
- color conversion
- frame
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 47
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8516—Wavelength conversion means having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer or wavelength conversion layer with a concentration gradient
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
本発明は、ＬＥＤチップ（発光ダイオードチップ）を利用した発光装置に関するものである。
従来から、ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップから放射された光によって励起されてＬＥＤチップとは異なる発光色の光を放射する蛍光体および透光性材料からなる色変換層とを組み合わせ所望の混色光（例えば、白色光）を得るようにした発光素子や当該発光素子を備えた発光装置の研究開発が各所で行われている（例えば、特許文献１，２，３参照）。
ここにおいて、上記特許文献１，２には、ＬＥＤチップの一表面側にインクジェット法により色変換層を形成する技術が記載されている。
また、上記特許文献３には、基板上にＬＥＤチップおよび当該ＬＥＤチップを囲む枠状の堰部を設け、堰部で囲まれた領域内に蛍光体を含有した透光性材料を充填して封止部を形成してなる発光装置が記載されている。
特開２００３−４６１２４号公報
特開２００６−８６１９１号公報
特開２００５−９３６０１号公報
ところで、上記特許文献１，２に開示された発光素子では、インクジェット法によりＬＥＤチップ上に色変換層を直接形成しているので、ＬＥＤチップの一表面に電極が形成されている場合でも、所望の領域に色変換層を形成することができるという利点があるが、色変換層を薄膜化した場合に表面が荒れてしまい色むらの原因になるという問題があった。
また、上記特許文献３に開示された発光装置では、基板上におけるＬＥＤチップの実装高さと堰部の実装高さとの差によってＬＥＤチップ上の色変換層の厚み寸法が決まるので、色変換層の厚み寸法のばらつきが大きくなってしまう。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、色変換層の薄膜化を図りつつ色むらを低減可能な発光装置を提供することにある。
請求項１の発明は、ＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップが実装された実装基板と、前記ＬＥＤチップから放射される光によって励起されて前記ＬＥＤチップよりも長波長の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料からなり前記ＬＥＤチップの一表面側に形成された色変換層とを備えた発光装置であって、前記ＬＥＤチップの前記一表面側に当該ＬＥＤチップの外周線の全周に沿った枠状の電極が形成され、当該枠状の電極に囲まれた領域に前記色変換層が形成され、前記色変換層は、封止部により覆われていることを特徴とする。
この発明によれば、ＬＥＤチップの一表面側に当該ＬＥＤチップの外周線の全周に沿った枠状の電極が形成され、当該枠状の電極に囲まれた領域において色変換層が前記ＬＥＤチップの前記一表面側に形成されているので、前記枠状の電極に囲まれた領域に蛍光体を含有した適量の透光性材料を塗布することにより前記色変換層を形成するような製造プロセスを採用することが可能となり、前記色変換層の薄膜化を図りつつ前記色変換層の表面荒れを抑制することができて色むらを低減可能になる。
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記ＬＥＤチップは、前記一表面側において前記枠状の電極で囲まれた領域を複数の小領域に等分割する仕切壁が前記枠状の電極に連続一体に形成され、前記色変換層が、前記小領域ごとに前記ＬＥＤチップの前記一表面側に形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記色変換層の表面荒れをより抑制することが可能になる。
請求項１の発明では、色変換層の薄膜化を図りつつ色むらを低減可能になるという効果がある。
本実施形態における発光装置１は、図１（ａ）に示すように、可視光（本実施形態では、青色光）を放射するＬＥＤチップ１１と、ＬＥＤチップ１１が実装された実装基板２０と、実装基板２０におけるＬＥＤチップ１１の実装面側において実装基板２０との間にＬＥＤチップ１１を囲む形で配設されたドーム状の光学部材４０と、光学部材４０と実装基板２０とで囲まれた空間でＬＥＤチップ１１を封止した封止樹脂からなる封止部５０とを備え、ＬＥＤチップ１１の一表面（光取り出し面）側に、ＬＥＤチップ１１から放射される可視光によって励起されてＬＥＤチップ１１よりも長波長の可視光を放射する蛍光体を含有した透光性材料からなる色変換層１２が形成されている。なお、本実施形態では、ＬＥＤチップ１１と色変換層１２とで発光素子１０を構成している。
本実施形態における発光装置１では、ＬＥＤチップ１１として、青色光を放射するＧａＮ系青色ＬＥＤチップを用い、色変換層１２の蛍光体として、ＬＥＤチップ１１から放射された青色光によって励起されて黄色光を放射する黄色蛍光体を採用しており、ＬＥＤチップ１１から放射され色変換層１２および封止部５０を透過した青色光と、色変換層１２の蛍光体である黄色蛍光体から放射され封止部５０を透過した黄色光とが光学部材４０の光入射面４０ａへ入射して光学部材４０の光出射面４０ｂから出射されることとなり、白色光を得ることができる。
ＬＥＤチップ１１は、図１（ｂ），（ｃ）に示すように、厚み方向の一表面側（図１（ａ），（ｂ）における上面側）に一方の電極１１ａが形成されるとともに、厚み方向の他表面側（図１（ａ），（ｂ）における上面側）に他方の電極１１ｂが形成されている。ここにおいて、各電極１１ａ，１１ｂは、下層側のＮｉ膜と上層側のＡｕ膜との積層膜により構成されている。なお、本実施形態では、ＬＥＤチップ１１として、側面からは青色光がほとんど放射されないものを用いている。
実装基板２０は、ＬＥＤチップ１１が一表面側に搭載される矩形板状のサブマウント部材３０と、熱伝導性材料により形成されサブマウント部材３０が一面側の中央部に固着される矩形板状の伝熱板２１と、伝熱板２１の一面側（図１（ａ）における上面側）に例えばポリオレフィン系の固着シート（図示せず）を介して固着される矩形板状のフレキシブルプリント配線板により形成され中央部にサブマウント部材３０を露出させる矩形状の窓孔２４を有する配線基板２２とで構成されている。したがって、ＬＥＤチップ１１で発生した熱が配線基板２２を介さずにサブマウント部材３０および伝熱板２１に伝熱されるようになっている。
上述の伝熱板２１は、Ｃｕからなる金属板２１ａを基礎とし、当該金属板２１ａの厚み方向の両面にＡｕ膜からなるコーティング膜２１ｂが形成されている。
一方、配線基板２２は、ポリイミドフィルムからなる絶縁性基材２２ａの一表面側に、ＬＥＤチップ１１への給電用の一対の配線パターン２３，２３が設けられるとともに、各配線パターン２３，２３および絶縁性基材２２ａにおいて配線パターン２３，２３が形成されていない部位を覆う白色系の樹脂からなるレジスト層２６が積層されている。ここにおいて、ＬＥＤチップ１１は、上記一方の電極１１ａがボンディングワイヤ１４を介して一方の配線パターン２３と電気的に接続され、上記他方の電極１１ｂがサブマウント部材３０の電極パターン３１およびボンディングワイヤ１４を介して他方の配線パターン２３と電気的に接続されている。なお、各配線パターン２３，２３は、絶縁性基材２２ａの外周形状の半分よりもやや小さな外周形状に形成されている。また、絶縁性基材２２ａの材料としては、ＦＲ４、ＦＲ５、紙フェノールなどを採用してもよい。
レジスト層２６は、配線基板２２の窓孔２４の近傍において各配線パターン２３，２３の一部が露出し、配線基板２２の周部において各配線パターン２３，２３の他の一部が露出するようにパターニングされており、各配線パターン２３，２３は、配線基板２２の窓孔２４近傍において露出した部位が、ボンディングワイヤ１４が接続される端子部２３ａを構成し、配線基板２２の周部において露出した円形状の部位が外部接続用電極部２３ｂを構成している。なお、配線基板２２の配線パターン２３，２３は、Ｃｕ膜とＮｉ膜とＡｕ膜との積層膜により構成され、最上層がＡｕ膜となっている。
また、サブマウント部材３０は、熱伝導率が比較的高く且つ電気絶縁性を有するＡｌＮにより形成されており、平面サイズをＬＥＤチップ１１のチップサイズよりも大きく設定してあり、伝熱板２１とＬＥＤチップ１１との線膨張率差に起因してＬＥＤチップ１１に働く応力を緩和する応力緩和機能と、ＬＥＤチップ１１で発生した熱を伝熱板２１においてＬＥＤチップ１１のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能とを有している。したがって、本実施形態における発光装置１では、ＬＥＤチップ１１と伝熱板２１との線膨張率差に起因してＬＥＤチップ１１に働く応力を緩和することができるとともに、ＬＥＤチップ１１で発生した熱をサブマウント部材３０および伝熱板２１を介して効率良く放熱させることができる。
本実施形態では、サブマウント部材３０の材料として熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するＡｌＮを採用しているが、サブマウント部材３０の材料はＡｌＮに限らず、例えば、複合ＳｉＣなどを採用してもよい。また、サブマウント部材３０の一表面側には、ＬＥＤチップ１１におけるサブマウント部材３０側の上記他方の電極１１ｂと接合される上述の電極パターン３１が形成され、当該電極パターン３１の周囲に可視光を反射する反射膜３２が形成されている。したがって、ＬＥＤチップ１１から放射された可視光がサブマウント部材３０に吸収されるのを防止することができ、外部への光取出し効率をさらに高めることが可能となる。ここにおいて、電極パターン３１は、Ａｕを主成分とするＡｕとＳｎとの合金（例えば、８０Ａｕ−２０Ｓｎ、７０Ａｕ−３０Ｓｎなど）により形成されている。また、反射膜３２は、Ａｌにより形成されているが、Ａｌに限らず、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕなどにより形成してもよい。
また、本実施形態における発光装置１では、サブマウント部材３０の厚み寸法を、当該サブマウント部材３０の表面が配線基板２２のレジスト層２６の表面よりも伝熱板２１から離れるように設定してあり、ＬＥＤチップ１１や黄色蛍光体から放射された可視光が配線基板２２の窓孔２４の内周面を通して配線基板２２に吸収されるのを防止することができる。
上述の封止部５０の材料である封止樹脂としては、シリコーン樹脂を用いているが、シリコーン樹脂に限らず、例えばエポキシ樹脂などを用いてもよい。
光学部材４０は、透光性材料（例えば、シリコーン樹脂など）の成形品であってドーム状に形成されている。ここで、本実施形態では、光学部材４０をシリコーン樹脂により形成してあるので、光学部材４０と封止部５０との屈折率差および線膨張率差を小さくすることができる。なお、封止部５０の材料がエポキシ樹脂の場合には、光学部材４０もエポキシ樹脂により形成することが好ましい。
上述の色変換層１２は、蛍光体および透光性材料により形成されているが、本実施形態では、蛍光体として上述のように黄色蛍光体を採用し、透光性材料としてシリコーン樹脂を採用している。なお、色変換層１２の材料として用いる透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂などを採用してもよい。
以上説明した発光装置１では、ＬＥＤチップ１１から放射される青色光によって励起されて黄色光を放射する黄色蛍光体および透光性材料により形成された色変換層１２がＬＥＤチップ１１の上記一表面側に積層されていることにより、色変換層１２の黄色蛍光体で発生した熱をＬＥＤチップ１１を通して実装基板２０側へ放熱させることができるので、放熱性を向上できる。また、上述の発光装置１は、光学部材４０の光出射面４０ｂを球面の一部により構成してあり、光学部材４０と封止部５０とで構成されるレンズ部が半球状の形状となっているので、点光源として利用することができる。
次に、上述のＬＥＤチップ１１と色変換層１２とで構成される上述の発光素子１０について説明する。
本実施形態における発光素子１０は、ＬＥＤチップ１１の上記一表面側の電極１１ａが、当該ＬＥＤチップ１１の外周線の全周に沿った枠状に形成されており、当該枠状の電極１１ａに囲まれた領域１３において色変換層１２がＬＥＤチップ１１の上記一表面側に形成されている。
ここにおいて、発光素子１０の製造にあたっては、ＬＥＤチップ１０の上記一表面側において枠状の電極１１ａに囲まれた領域１３に蛍光体を含有した適量の透光性材料をディスペンサなどを用いて塗布することにより色変換層１２を形成すればよい。このような製造プロセスを採用すれば、上記特許文献１，２のようにインクジェット法により色変換層をＬＥＤチップ上に直接形成する場合に比べて、色変換層１２の表面の平坦性を向上でき、色変換層１２の薄膜化を図りつつ色むらを低減可能な発光素子１０を提供することができる。また、色変換層１２の厚み寸法を電極１１ａの厚み寸法によって規定することができるという利点がある。
しかして、本実施形態の発光素子１０では、ＬＥＤチップ１１の上記一表面側に当該ＬＥＤチップ１１の外周線の全周に沿った枠状の電極１１ａが形成され、当該枠状の電極１１ａに囲まれた領域において色変換層１２がＬＥＤチップ１１の上記一表面側に形成されているので、枠状の電極１１ａに囲まれた領域に蛍光体を含有した適量の透光性材料を塗布することにより色変換層１２を形成するような製造プロセスを採用することが可能となり、色変換層１２の薄膜化を図りつつ色変換層１２の表面荒れを抑制することができて色むらを低減可能になる。なお、色変換層１２の設計厚さの電極１１ａを形成するのが難しい場合には、電極１１ａ上に別部材の枠体を配設して枠状の電極１１ａと枠体とで構成される枠部で囲まれた領域に色変換層１２を形成するようにしてもよい。
また、図２，３に示すように、ＬＥＤチップ１１として、当該ＬＥＤチップ１１の一表面側において枠状の電極１１ａで囲まれた領域を複数（図示例では３つ）の小領域１３ａに等分割する仕切壁１１ｃが枠状の電極１１ａに連続一体に形成された構造を採用し、色変換層１２を、小領域１３ａごとにＬＥＤチップ１１の上記一表面側に形成するようにすれば、色変換層１２の表面荒れをより抑制することが可能になる。ここで、図２，３に示した例では、全ての小領域１３ａの容積が同じなので、蛍光体を含有した透光性材料の塗布量を全ての小領域１３ａで同じにすることができ、製造が容易になる。
なお、ＬＥＤチップ１１の発光色と色変換層１２における蛍光体の発光色との組み合わせは特に限定するものではなく、例えば、色変換層１２に用いる蛍光体は、黄色蛍光体に限らず、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを併用すれば演色性の高い白色光を得ることができる。また、ＬＥＤチップ１１として、紫外光を放射するＬＥＤチップを採用して、蛍光体として、赤色蛍光体と緑色蛍光体と青色蛍光体とを併用するようにしても白色光を得ることができる。また、上述の発光装置１は、発光素子１０を１個だけ備えているが、複数個の発光素子１０を備えるようにしてもよく、この場合、発光素子１０ごとにサブマウント部材３０を設けてもよいし、複数個の発光素子１０を１個のサブマウント部材３０に搭載するようにしてもよい。
１０ 発光素子
１１ ＬＥＤチップ
１１ａ 電極
１１ｂ 電極
１１ｃ 仕切壁
１２ 色変換層
１３ 領域
１３ａ 小領域
１１ ＬＥＤチップ
１１ａ 電極
１１ｂ 電極
１１ｃ 仕切壁
１２ 色変換層
１３ 領域
１３ａ 小領域
Claims (3)
- ＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップが実装された実装基板と、前記ＬＥＤチップから放射される光によって励起されて前記ＬＥＤチップよりも長波長の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料からなり前記ＬＥＤチップの一表面側に形成された色変換層とを備えた発光装置であって、前記ＬＥＤチップの前記一表面側に当該ＬＥＤチップの外周線の全周に沿った枠状の電極が形成され、当該枠状の電極に囲まれた領域に前記色変換層が形成され、前記色変換層は、封止部により覆われていることを特徴とする発光装置。
- 前記ＬＥＤチップは、前記一表面側において前記枠状の電極で囲まれた領域を複数の小領域に等分割する仕切壁が前記枠状の電極に連続一体に形成され、前記色変換層が、前記小領域ごとに前記ＬＥＤチップの前記一表面側に形成されてなることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
- 前記枠状の電極と前記実装基板に形成された配線パターンとを接続するボンディングワイヤが、前記封止部により覆われていることを特徴とする請求項１又は２記載の発光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007221864A JP5199623B2 (ja) | 2007-08-28 | 2007-08-28 | 発光装置 |
| PCT/JP2008/065417 WO2009028611A1 (ja) | 2007-08-28 | 2008-08-28 | 発光素子 |
| EP08828639.8A EP2197048B1 (en) | 2007-08-28 | 2008-08-28 | Light-emitting device |
| US12/733,399 US20100200887A1 (en) | 2007-08-28 | 2008-08-28 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007221864A JP5199623B2 (ja) | 2007-08-28 | 2007-08-28 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009054895A JP2009054895A (ja) | 2009-03-12 |
| JP5199623B2 true JP5199623B2 (ja) | 2013-05-15 |
Family
ID=40387325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007221864A Active JP5199623B2 (ja) | 2007-08-28 | 2007-08-28 | 発光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100200887A1 (ja) |
| EP (1) | EP2197048B1 (ja) |
| JP (1) | JP5199623B2 (ja) |
| WO (1) | WO2009028611A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4013077B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2007-11-28 | 松下電工株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
| KR100993045B1 (ko) * | 2009-10-23 | 2010-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 칩 및 발광소자 패키지 |
| US9012938B2 (en) * | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
| TW201201409A (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-01 | Semileds Optoelectronics Co | Chip-type light emitting device having precisely coated wavelength-converting layer and packaged structure thereof |
| TW201201419A (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-01 | Semileds Optoelectronics Co | Wafer-type light emitting device having precisely coated wavelength-converting layer |
| CN102588816B (zh) * | 2011-01-07 | 2017-12-01 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置、混光装置及发光装置的制造方法 |
| DE102011003969B4 (de) * | 2011-02-11 | 2023-03-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| US10243121B2 (en) | 2011-06-24 | 2019-03-26 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip with improved reliability |
| DE102017101538B4 (de) | 2017-01-26 | 2022-09-29 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Klassifizierung von Halbleiterchips |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7018169A (ja) * | 1970-03-09 | 1971-09-13 | ||
| US6329676B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-12-11 | Toru Takayama | Flat panel solid state light source |
| JP2001237461A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP4822482B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2011-11-24 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
| JP4122739B2 (ja) | 2001-07-26 | 2008-07-23 | 松下電工株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| JP4193471B2 (ja) * | 2001-12-14 | 2008-12-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2004221112A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-08-05 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
| JP4366154B2 (ja) | 2003-09-16 | 2009-11-18 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び製造方法 |
| JP4667803B2 (ja) | 2004-09-14 | 2011-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2006086469A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法 |
| US7906788B2 (en) * | 2004-12-22 | 2011-03-15 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, illumination module, illumination apparatus, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting element |
| JP4104013B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2008-06-18 | 株式会社フジクラ | 発光デバイス及び照明装置 |
| JP2007235103A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-09-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2007324411A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法、並びに半導体発光素子を用いた照明装置 |
| US8134946B2 (en) * | 2007-06-27 | 2012-03-13 | Nec Laboratories America, Inc. | System and method for scheduling in relay-assisted wireless networks |
| US7866509B2 (en) * | 2007-07-25 | 2011-01-11 | The Coca-Cola Company | Dispensing nozzle assembly |
| US8181824B2 (en) * | 2008-10-15 | 2012-05-22 | The Coca-Cola Company | Systems and methods for predilution of sweetener |
-
2007
- 2007-08-28 JP JP2007221864A patent/JP5199623B2/ja active Active
-
2008
- 2008-08-28 WO PCT/JP2008/065417 patent/WO2009028611A1/ja active Application Filing
- 2008-08-28 EP EP08828639.8A patent/EP2197048B1/en not_active Not-in-force
- 2008-08-28 US US12/733,399 patent/US20100200887A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2197048A1 (en) | 2010-06-16 |
| JP2009054895A (ja) | 2009-03-12 |
| WO2009028611A1 (ja) | 2009-03-05 |
| EP2197048A4 (en) | 2013-10-02 |
| US20100200887A1 (en) | 2010-08-12 |
| EP2197048B1 (en) | 2016-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5199623B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP5665160B2 (ja) | 発光装置および照明器具 | |
| JP4706085B2 (ja) | 半導体発光モジュールおよびその製造方法 | |
| KR101125296B1 (ko) | 라이트 유닛 | |
| JP6048880B2 (ja) | 発光素子用パッケージ及びそれを用いた発光装置 | |
| JP2008235827A (ja) | 発光装置 | |
| US8319427B2 (en) | Light emitting apparatus and light unit | |
| JP2008159708A (ja) | 発光装置 | |
| JP5459555B2 (ja) | 発光モジュール及び照明装置 | |
| JP2008130823A (ja) | 照明装置およびそれを備えた電子機器 | |
| JP2008159705A (ja) | 発光装置 | |
| JP2008159707A (ja) | 発光装置 | |
| JP2015023219A (ja) | Ｌｅｄ発光装置およびｌｅｄ発光装置の製造方法 | |
| JP5014182B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2009277843A (ja) | 発光装置、およびこれを備えた照明器具および液晶表示装置用バックライト | |
| KR20110107631A (ko) | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 | |
| JP4976895B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR20170095016A (ko) | 반도체 발광 소자 패키지 | |
| JP2008124297A (ja) | 発光装置 | |
| KR20160040384A (ko) | 발광장치 | |
| WO2013014978A1 (ja) | 実装基板および発光モジュール | |
| JP2008147512A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP2008159706A (ja) | 発光装置 | |
| JP2016162860A (ja) | Ｌｅｄ発光装置 | |
| JP6028443B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100419 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101102 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120112 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121105 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130115 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130208 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5199623 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |