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JP5125314B2 - Electronic equipment - Google Patents

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JP5125314B2
JP5125314B2 JP2007215819A JP2007215819A JP5125314B2 JP 5125314 B2 JP5125314 B2 JP 5125314B2 JP 2007215819 A JP2007215819 A JP 2007215819A JP 2007215819 A JP2007215819 A JP 2007215819A JP 5125314 B2 JP5125314 B2 JP 5125314B2
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terminal
bump electrode
electronic component
substrate
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    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

本発明は、電子装置、実装構造体及び実装構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic device, a mounting structure, and a method for manufacturing the mounting structure.

従来、各種の電子機器に搭載される回路基板や液晶表示装置などにおいては、半導体ICなどの電子部品を基板上に実装する技術が用いられている。例えば液晶表示装置には、液晶パネルを駆動するための液晶駆動用ICチップが実装される。この液晶駆動用ICチップは、液晶パネルを構成するガラス基板に直接実装される場合もあり、また、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板(FPC)上に実装される場合もある。前者による実装構造はCOG(Chip On Glass)構造と呼ばれ、後者はCOF(Chip On FPC)構造と呼ばれている。なお、これら実装構造以外にも、例えばガラエポ基板などにICチップを実装するCOB(Chip On board)構造も知られている。   2. Description of the Related Art Conventionally, in circuit boards and liquid crystal display devices mounted on various electronic devices, a technique for mounting an electronic component such as a semiconductor IC on the substrate is used. For example, a liquid crystal driving IC chip for driving a liquid crystal panel is mounted on the liquid crystal display device. The liquid crystal driving IC chip may be directly mounted on a glass substrate constituting the liquid crystal panel, or may be mounted on a flexible substrate (FPC) mounted on the liquid crystal panel. The former mounting structure is called a COG (Chip On Glass) structure, and the latter is called a COF (Chip On FPC) structure. In addition to these mounting structures, for example, a COB (Chip On board) structure in which an IC chip is mounted on a glass epoxy substrate or the like is also known.

このような実装構造に用いられる基板には、配線パターンに接続するランド(端子)が形成されており、一方、電子部品には、電気的接続を得るためのバンプ電極が形成されている(例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3参照)。そして、前記ランドにバンプ電極を接続させた状態で、前記基板上に電子部品を実装することにより、電子部品の実装構造体が形成されている。   On the substrate used for such a mounting structure, lands (terminals) connected to the wiring pattern are formed, while on the electronic component, bump electrodes for obtaining electrical connection are formed (for example, Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3). The electronic component mounting structure is formed by mounting the electronic component on the substrate in a state where the bump electrode is connected to the land.

ところで、前記の実装構造体においては、基板上に電子部品がより強固にかつ確実に接続していることが望まれている。特に、ランドやバンプ電極がそれぞれ複数ずつあり、複数のランド−バンプ電極間をそれぞれ接続させる場合には、全てのランド−バンプ電極間が良好に接続していることが、信頼性を確保するうえで重要となっている。
特開平6−333982号公報 特開平9−293753号公報 特開2004−153139号公報
By the way, in the mounting structure described above, it is desired that the electronic component is more firmly and securely connected on the substrate. In particular, when there are a plurality of lands and bump electrodes, and a plurality of lands and bump electrodes are connected to each other, all the lands and bump electrodes are connected well to ensure reliability. It has become important.
Japanese Patent Laid-Open No. 6-333982 Japanese Patent Laid-Open No. 9-293753 JP 2004-153139 A

ところが、前記した特許文献1〜3に記載されたバンプ電極は、いずれも金属によって形成されており、したがって、同様に金属からなるランド(端子)にバンプ電極を接合させた際、その接合強度にバラツキが生じ易く、接触不良(導電不良)を起こしてしまうおそれがあった。また、接合時には十分な強度で接していても、機械的な外力や熱応力などによって接合部分が剥離し、接触不良(導電不良)を起こしてしまうおそれもあった。
なお、このようなバンプ電極とランド(端子)との間の接触不良は、バンプ電極を形成した一方の基板を、端子(ランド)を形成した他方の基板に接合させた実装構造においても、同様に生じるおそれがあった。
However, the bump electrodes described in Patent Documents 1 to 3 are all made of metal. Therefore, when the bump electrode is similarly bonded to a land (terminal) made of metal, the bonding strength is increased. There was a risk that variations would easily occur, resulting in poor contact (conductive failure). Further, even when the bonding is performed with sufficient strength, the bonded portion may be peeled off due to a mechanical external force, thermal stress, or the like, resulting in contact failure (conductivity failure).
Note that such a poor contact between the bump electrode and the land (terminal) is the same in the mounting structure in which one substrate on which the bump electrode is formed is bonded to the other substrate on which the terminal (land) is formed. Could occur.

本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、バンプ電極−端子間において十分に高い接合強度を確保し、これによって電気的接続の信頼性を向上した実装構造体、及び実装構造体の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and the object thereof is a mounting structure that ensures sufficiently high bonding strength between the bump electrode and the terminal, thereby improving the reliability of electrical connection, It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing a mounting structure.

本発明の電子装置は、端子を備える基板と、前記端子に接触している導電膜、前記導電膜に覆われた内部樹脂、を含むバンプ電極と、前記バンプ電極を介して前記端子に電気的に接続している電子部品と、前記導電膜及び前記端子が互いに接触している状態を保持する封止樹脂と、を備え、前記バンプ電極の前記電子部品に接する面に対して直交する断面において、前記電子部品に接する辺方向に沿う幅が最大となる位置が、前記基板と前記電子部品との間の中間部であり、前記封止樹脂は、前記バンプ電極の周囲に充填されていることを特徴とする。また、前記内部樹脂は、前記電子部品との接触部分の近傍において外側に凹となる湾曲部を有していることを特徴とする。
本発明の実装構造体は、バンプ電極を有する実装体を、端子を有する基板上に実装してなる実装構造体であって、
前記バンプ電極は、内部樹脂をコアとしてその表面上に導電膜が覆われた構造を有し、前記導電膜は、前記端子に直接導電接触し、前記基板と前記実装体とには、前記実装体を前記基板側に相対的に押圧させて、前記内部樹脂が弾性変形した状態で前記バンプ電極が前記端子に導電接触している状態を保持する圧着手段が備えられ、
前記内部樹脂は、前記実装体に当接する底面に対して直交する断面のうちの主断面の形状が、前記実装体に当接する底辺と、該実装体の外側に突出する外辺とによって囲まれ、かつ、前記底辺の両端に位置する二つの点を第1の点とし、前記主断面における前記底辺方向に沿う幅が最大となる位置での前記外辺上の二つの点を第2の点とすると、前記主断面において同じ側に位置する前記第1の点と前記第2の点とを結ぶ直線と、前記実装体の、前記底辺に接して該底辺の外側に延びる面とのなす角が、鋭角に形成されてなり、
前記導電膜は、前記内部樹脂の前記主断面の面方向に沿って該内部樹脂の表面上に設けられていることを特徴としている。

The electronic device according to the present invention includes a bump electrode including a substrate including a terminal, a conductive film in contact with the terminal, an internal resin covered with the conductive film, and the terminal electrically connected to the terminal. A cross-section perpendicular to the surface of the bump electrode in contact with the electronic component, the electronic component connected to the electronic component, and a sealing resin that holds the conductive film and the terminal in contact with each other The position where the width along the side direction in contact with the electronic component is maximum is an intermediate portion between the substrate and the electronic component, and the sealing resin is filled around the bump electrode. It is characterized by. Further, the internal resin has a curved portion that is concave outward in the vicinity of a contact portion with the electronic component.
The mounting structure of the present invention is a mounting structure formed by mounting a mounting body having a bump electrode on a substrate having terminals,
The bump electrode has a structure in which an inner resin is used as a core and a conductive film is covered on the surface thereof. The conductive film is in direct conductive contact with the terminal, and the substrate and the mounting body include the mounting. A pressure-bonding means for holding the state in which the bump electrode is in conductive contact with the terminal in a state where the body is pressed relatively to the substrate side and the internal resin is elastically deformed;
The inner resin has a main cross-sectional shape orthogonal to a bottom surface that contacts the mounting body, and is surrounded by a bottom side that contacts the mounting body and an outer side that protrudes outside the mounting body. And, two points located at both ends of the bottom side are defined as the first point, and two points on the outer side at the position where the width along the bottom direction in the main cross section is maximized are the second point. Then, an angle formed by a straight line connecting the first point and the second point located on the same side in the main cross section and a surface of the mounting body that is in contact with the base and extends outside the base Is formed at an acute angle,
The conductive film is provided on a surface of the internal resin along a surface direction of the main cross section of the internal resin.

この実装構造体によれば、内部樹脂をコアとするバンプ電極が、前記内部樹脂が弾性変形した状態で前記端子に導電接触しているので、内部樹脂の弾性復元力(反発力)によってその表面上の導電膜が端子に対して高い強度で接合するようになり、したがってバンプ電極と端子との間において十分に高い接合強度が確保される。よって、バンプ電極と端子との間の電気的接続の信頼性が向上したものとなる。
また、圧着手段が、バンプ電極と端子との導電接触部分の周囲に充填され、硬化されてなる封止樹脂によって構成されている場合、この封止樹脂は前記内部樹脂の底面側における前記の鋭角に形成された部分に入り込み、アンカー効果でここに強固に固着する。したがって、封止樹脂の実装体に対する接着強度が高くなり、この封止樹脂からなる圧着手段の圧着・保持効果が高くなって実装構造がより安定化する。
According to this mounting structure, since the bump electrode having the inner resin as the core is in conductive contact with the terminal in a state where the inner resin is elastically deformed, the surface thereof is caused by the elastic restoring force (repulsive force) of the inner resin. The upper conductive film is bonded to the terminal with a high strength, and thus a sufficiently high bonding strength is ensured between the bump electrode and the terminal. Therefore, the reliability of electrical connection between the bump electrode and the terminal is improved.
Further, when the crimping means is constituted by a sealing resin which is filled and cured around the conductive contact portion between the bump electrode and the terminal, the sealing resin has the acute angle on the bottom surface side of the internal resin. It enters into the part formed in and is firmly fixed here by the anchor effect. Therefore, the adhesive strength of the sealing resin to the mounting body is increased, and the pressure-bonding / holding effect of the pressure-bonding means made of the sealing resin is increased, thereby further stabilizing the mounting structure.

また、前記実装構造体においては、前記内部樹脂は、弾性変形する前の状態において、前記主断面における前記底辺方向に沿う幅が最大となる位置が、前記底辺となっているのが好ましい。
このようにすれば、内部樹脂は、端子に接合して弾性変形する前においては、前記主断面の形状における底辺が最大幅となっているのに対し、端子に接合して弾性変形した後には、前記主断面における最大幅が外辺側に移って前記角が鋭角になり、内部樹脂はその底面側の形状が大きく変わるほど十分に弾性変形したものとなる。よって、端子に接合した後には内部樹脂の弾性復元力(反発力)がより大きくなり、これによりその表面上の導電膜が端子に対して高い強度で接合するようになり、したがってバンプ電極と端子との間の接合強度がより高くなる。
また、圧着手段が、バンプ電極と端子との導電接触部分の周囲に充填され、硬化されてなる封止樹脂によって構成されている場合、バンプ電極と端子との導電接触部分の周囲に硬化前の封止樹脂を充填し、その後、内部樹脂を前記したように弾性変形させれば、この内部樹脂の弾性変形によって過剰な封止樹脂が外側に排出され、適正な量の封止樹脂によって基板と実装体との間が保持されるようになる。したがって、実装構造がより安定化する。
In the mounting structure, it is preferable that the position where the width along the bottom direction in the main cross section becomes maximum is the bottom side of the internal resin in a state before elastic deformation.
In this way, before the inner resin is elastically deformed by joining to the terminal, the bottom side in the shape of the main cross section has the maximum width. The maximum width in the main cross section shifts to the outer side and the corner becomes an acute angle, and the internal resin is sufficiently elastically deformed so that the shape on the bottom side is greatly changed. Therefore, after bonding to the terminal, the elastic restoring force (repulsive force) of the internal resin becomes larger, so that the conductive film on the surface is bonded to the terminal with high strength, and therefore the bump electrode and the terminal The bonding strength between the two becomes higher.
In addition, when the crimping means is made of a sealing resin that is filled and cured around the conductive contact portion between the bump electrode and the terminal, the conductive contact portion between the bump electrode and the terminal is cured around the conductive contact portion. When the sealing resin is filled and then the inner resin is elastically deformed as described above, the excessive sealing resin is discharged to the outside by the elastic deformation of the inner resin, and the substrate and the substrate are removed by an appropriate amount of the sealing resin. The space between the mounted body is maintained. Therefore, the mounting structure is further stabilized.

また、前記実装構造体においては、前記内部樹脂は、弾性変形する前の状態において、前記主断面となる横断面を略半円形状、略半楕円形状、または略台形状とする略蒲鉾状に形成され、前記導電膜は、前記内部樹脂の前記主断面の面方向に沿って該内部樹脂の表面上に帯状に設けられているのが好ましい。
このようにすれば、内部樹脂の表面上に間隔をおいて導電膜を複数設けることにより、複数のバンプ電極を形成することができ、製造が容易になる。
Further, in the mounting structure, the internal resin has a substantially bowl-like shape in which the cross section as the main cross section is substantially semicircular, substantially semielliptical, or substantially trapezoidal before being elastically deformed. It is preferable that the conductive film is formed in a strip shape on the surface of the internal resin along the surface direction of the main cross section of the internal resin.
In this way, by providing a plurality of conductive films at intervals on the surface of the internal resin, a plurality of bump electrodes can be formed, which facilitates manufacture.

また、前記実装構造体においては、前記圧着手段が、前記バンプ電極と前記端子との導電接触部分の周囲に充填され、硬化されてなる封止樹脂によって構成されているのが好ましい。
このようにすれば、弾性変形してなるバンプ電極と端子との間の導電接触状態がより良好に保持され、バンプ電極の導電膜と端子との間の導電接続状態がより良好になる。
また、前記したように、内部樹脂の底面側における前記の鋭角に形成された部分に入り込み、アンカー効果でここに強固に固着することにより、封止樹脂の実装体に対する接着強度が高くなり、この封止樹脂からなる圧着手段の圧着・保持効果が高くなって実装構造がより安定化する。
また、前記したように、内部樹脂の弾性変形によって過剰な封止樹脂が外側に排出され、適正な量の封止樹脂によって基板と実装体との間が保持されるようになり、これによっても実装構造がより安定化するようになる。
In the mounting structure, it is preferable that the pressure-bonding means is formed of a sealing resin that is filled and cured around a conductive contact portion between the bump electrode and the terminal.
In this way, the conductive contact state between the elastically deformed bump electrode and the terminal is better maintained, and the conductive connection state between the conductive film of the bump electrode and the terminal becomes better.
Further, as described above, by entering the portion formed at the acute angle on the bottom surface side of the internal resin and firmly fixing here by the anchor effect, the adhesion strength of the sealing resin to the mounting body is increased. The pressure-bonding / holding effect of the pressure-bonding means made of the sealing resin is enhanced, and the mounting structure is further stabilized.
In addition, as described above, excessive sealing resin is discharged to the outside due to elastic deformation of the internal resin, and an appropriate amount of sealing resin holds between the substrate and the mounting body. The mounting structure becomes more stable.

また、前記実装構造体においては、前記内部樹脂は、前記主断面における前記外辺が、前記底辺近傍において外側に凹となる湾曲部を有しているのが好ましい。
このようにすれば、前記内部樹脂における前記外辺と、前記実装体との間に形成される角部が、鋭角に形成されることなく湾曲部となるので、この角部での応力集中が緩和され、応力集中に起因してこの角部上に設けられる導電膜に断線が生じることが防止される。
また、前記実装構造体においては、前記実装体が電子部品であってもよい。
前記実装体を電子部品とすることにより、バンプ電極と端子との間において十分に高い接合強度が確保された、良好な電子部品の実装構造体が得られる。
In the mounting structure, it is preferable that the inner resin has a curved portion in which the outer side in the main cross section is recessed outward in the vicinity of the bottom side.
In this way, the corner formed between the outer side of the inner resin and the mounting body becomes a curved portion without being formed at an acute angle, so stress concentration at this corner is reduced. It is alleviated and disconnection of the conductive film provided on this corner due to stress concentration is prevented.
Further, in the mounting structure, the mounting body may be an electronic component.
By using the mounting body as an electronic component, it is possible to obtain a good mounting structure for an electronic component in which a sufficiently high bonding strength is ensured between the bump electrode and the terminal.

また、本発明の実装構造体の製造方法は、バンプ電極を有する実装体を、端子を有する基板上に実装してなる実装構造体の製造方法であって、
実装体上に、コアとなる内部樹脂を設けてその表面上を導電膜で覆い、バンプ電極を形成するバンプ電極形成工程と、
前記バンプ電極の導電膜を基板の端子に直接導電接触させた状態で、前記基板に前記実装体を実装する実装工程と、
前記バンプ電極が前記端子に導電接触している状態で、前記実装体を前記基板側に相対的に押圧させその状態を保持する圧着工程と、を備えてなり、
前記バンプ電極形成工程は、
前記コアとなる内部樹脂を、前記実装体に当接する底面に対して直交する断面のうちの主断面の形状が、前記実装体に当接する底辺と該実装体の外側に突出する外辺とによって囲まれ、かつ、前記底辺の両端に位置する二つの点を第1の点とし、前記主断面における前記底辺方向に沿う幅が最大となる位置での前記外辺上の二つの点を第2の点とすると、前記主断面における前記底辺方向に沿う幅が最大となる位置が、前記底辺となるように、形成する内部樹脂形成工程と、前記導電膜を、前記内部樹脂の前記主断面の面方向に沿って該内部樹脂の表面上に設ける導電膜形成工程と、を有し、
前記圧着工程は、
前記バンプ電極を前記端子に導電接触させた状態で前記実装体を前記基板側に相対的に押圧させることで、前記内部樹脂を、前記主断面において同じ側に位置する前記第1の点と前記第2の点とを結ぶ直線と、前記実装体の、前記底辺に接して該底辺の外側に延びる面とのなす角が、鋭角になるように弾性変形させる加圧工程と、前記加圧工程で弾性変形した前記内部樹脂の状態を保持する保持工程と、を有することを特徴としている。
Further, the mounting structure manufacturing method of the present invention is a mounting structure manufacturing method in which a mounting body having bump electrodes is mounted on a substrate having terminals,
A bump electrode forming step of forming an internal resin to be a core on the mounting body, covering the surface with a conductive film, and forming a bump electrode;
A mounting step of mounting the mounting body on the substrate in a state in which the conductive film of the bump electrode is in direct conductive contact with the terminal of the substrate;
A crimping step of pressing the mounting body relative to the substrate side and holding the state in a state where the bump electrode is in conductive contact with the terminal; and
The bump electrode forming step includes
The shape of the main cross section of the cross section orthogonal to the bottom surface in contact with the mounting body for the internal resin to be the core is defined by the bottom side in contact with the mounting body and the outer side protruding outside the mounting body. Two points that are enclosed and located at both ends of the base are defined as the first point, and two points on the outer side at the position where the width along the base direction in the main cross section is maximum are the second points. The internal resin forming step of forming the conductive film so that the position where the width along the bottom direction in the main cross section in the main cross section becomes the maximum is the base, and the conductive film is formed on the main cross section of the internal resin. A conductive film forming step provided on the surface of the internal resin along the surface direction,
The crimping process includes
By relatively pressing the mounting body toward the substrate side in a state where the bump electrode is in conductive contact with the terminal, the internal resin is placed on the same side in the main cross section and the first point. A pressurizing step of elastically deforming an angle formed by a straight line connecting the second point and a surface of the mounting body that is in contact with the base and extends outside the base; And a holding step for holding the state of the internal resin that has been elastically deformed.

この実装構造体の製造方法によれば、バンプ電極における内部樹脂を、前記主断面における前記底辺方向に沿う幅が最大となる位置が、前記底辺となるように形成し、その後、前記バンプ電極を前記端子に導電接触させた状態で前記実装体を前記基板側に相対的に押圧させることにより、内部樹脂をその前記角が鋭角になるように弾性変形させるので、内部樹脂が、その底面側の形状が大きく変わるほど十分に弾性変形したものとなる。よって、端子に接合した後には内部樹脂の弾性復元力(反発力)がより大きくなり、これによりその表面上の導電膜が端子に対して高い強度で接合するようになり、したがってバンプ電極と端子との間の接合強度がより高くなる。よって、バンプ電極と端子との間において十分に高い接合強度を確保し、バンプ電極と端子との間の電気的接続の信頼性を向上することができる。   According to the method for manufacturing the mounting structure, the internal resin in the bump electrode is formed such that the position where the width along the bottom direction in the main cross section is the maximum is the base, and then the bump electrode is formed. The inner resin is elastically deformed so that the corner becomes an acute angle by relatively pressing the mounting body toward the substrate side in a conductive contact state with the terminal. The shape is sufficiently elastically deformed to change greatly. Therefore, after bonding to the terminal, the elastic restoring force (repulsive force) of the internal resin becomes larger, so that the conductive film on the surface is bonded to the terminal with high strength, and therefore the bump electrode and the terminal The bonding strength between the two becomes higher. Therefore, a sufficiently high bonding strength can be ensured between the bump electrode and the terminal, and the reliability of the electrical connection between the bump electrode and the terminal can be improved.

また、前記実装構造体の製造方法においては、前記保持工程では、前記バンプ電極と前記端子との導電接触部分の周囲に配設した封止樹脂を硬化させることで、前記内部樹脂の弾性変形した状態を保持するのが好ましい。
このようにすれば、弾性変形してなるバンプ電極と端子との間の導電接触状態をより良好に保持し、バンプ電極の導電膜と端子との間の導電接続状態をより良好にすることができる。
また、封止樹脂が、前記内部樹脂の底面側における前記の鋭角に形成された部分に入り込み、アンカー効果でここに強固に固着するので、封止樹脂の実装体に対する接着強度が高くなり、この封止樹脂からなる圧着手段の圧着・保持効果を高くして実装構造をより安定化することができる。
また、バンプ電極と端子との導電接触部分の周囲に予め硬化前の封止樹脂を充填しておき、その後、内部樹脂を弾性変形させてその状態で封止樹脂を硬化させれば、内部樹脂の弾性変形によって過剰な封止樹脂を外側に排出し、その後、適正な量の封止樹脂を硬化させることができるので、基板と実装体との間を良好に保持することができる。したがって、実装構造をより安定化することができる。
In the mounting structure manufacturing method, in the holding step, the inner resin is elastically deformed by curing a sealing resin disposed around a conductive contact portion between the bump electrode and the terminal. It is preferable to maintain the state.
In this way, the conductive contact state between the elastically deformed bump electrode and the terminal can be kept better, and the conductive connection state between the conductive film of the bump electrode and the terminal can be made better. it can.
Further, since the sealing resin enters the portion formed at the acute angle on the bottom surface side of the internal resin and is firmly fixed thereto by an anchor effect, the adhesion strength of the sealing resin to the mounting body is increased. The mounting structure can be further stabilized by increasing the pressure-bonding / holding effect of the pressure-bonding means made of the sealing resin.
Further, if the sealing resin before curing is filled in advance around the conductive contact portion between the bump electrode and the terminal, and then the internal resin is elastically deformed and the sealing resin is cured in that state, the internal resin Excessive sealing resin can be discharged to the outside by elastic deformation of this, and then an appropriate amount of sealing resin can be cured, so that the space between the substrate and the mounting body can be held well. Therefore, the mounting structure can be further stabilized.

また、前記実装構造体の製造方法においては、前記内部樹脂形成工程では、前記内部樹脂を、前記主断面となる横断面が略半円形状、略半楕円形状、または略台形状となる略蒲鉾状に形成し、前記導電膜形成工程では、前記内部樹脂の前記主断面の面方向に沿って該内部樹脂の表面上に帯状に設けるのが好ましい。
このようにすれば、内部樹脂の表面上に間隔をおいて導電膜を複数設けることにより、複数のバンプ電極を形成することができ、製造が容易になる。
In the mounting structure manufacturing method, in the inner resin forming step, the inner resin is formed in a substantially semicircular shape, a substantially semi-elliptical shape, or a substantially trapezoidal shape in which the transverse cross section that is the main cross section is a substantially semicircular shape. In the conductive film forming step, it is preferably provided in a strip shape on the surface of the internal resin along the surface direction of the main cross section of the internal resin.
In this way, by providing a plurality of conductive films at intervals on the surface of the internal resin, a plurality of bump electrodes can be formed, which facilitates manufacture.

以下、本発明の実装構造体を詳しく説明する。
図1は本発明に係る実装構造体を適用した液晶表示装置を示す模式図である。まず、図1を用いて本発明に係る実装構造体の適用例を説明する。
図1において符号100は液晶表示装置であり、この液晶表示装置100は、液晶パネル110と、電子部品(液晶駆動用ICチップ)121とを有して構成されている。なお、この液晶表示装置100には、図示しないものの、偏光板、反射シート、バックライト等の付帯部材が、必要に応じて適宜設けられるものとする。
Hereinafter, the mounting structure of the present invention will be described in detail.
FIG. 1 is a schematic view showing a liquid crystal display device to which a mounting structure according to the present invention is applied. First, an application example of the mounting structure according to the present invention will be described with reference to FIG.
In FIG. 1, reference numeral 100 denotes a liquid crystal display device. The liquid crystal display device 100 includes a liquid crystal panel 110 and an electronic component (IC chip for liquid crystal drive) 121. Although not shown, the liquid crystal display device 100 is appropriately provided with incidental members such as a polarizing plate, a reflective sheet, and a backlight as necessary.

液晶パネル110は、ガラスや合成樹脂からなる基板111及び112を備えて構成されたものである。基板111と基板112とは、相互に対向配置され、図示しないシール材などによって相互に貼り合わされている。基板111と基板112の間には、電気光学物質である液晶(図示せず)が封入されている。基板111の内面上には、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電材料からなる電極111aが形成され、基板112の内面上には前記電極111aに対向配置される電極112aが形成されている。   The liquid crystal panel 110 includes substrates 111 and 112 made of glass or synthetic resin. The substrate 111 and the substrate 112 are disposed to face each other and are bonded to each other by a seal material (not shown). A liquid crystal (not shown) that is an electro-optical material is sealed between the substrate 111 and the substrate 112. An electrode 111a made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the inner surface of the substrate 111, and an electrode 112a is formed on the inner surface of the substrate 112 so as to face the electrode 111a.

電極111aは、同じ材質で一体に形成された配線111bに接続されて、基板111に設けられた基板張出部111Tの内面上に引き出されている。基板張出部111Tは、基板111の端部において基板112の外形よりも外側に張り出された部分である。配線111bの一端側は、端子111bxとなっている。電極112aも、同じ材質で一体に形成された配線112bに接続されて、図示しない上下導通部を介して基板111上の配線111cに導電接続されている。この配線111cも、ITOで形成されている。配線111cは基板張出部111T上に引き出され、その一端側は端子111cxとなっている。基板張出部111Tの端縁近傍には入力配線111dが形成されており、その一端側は端子111dxとなっている。該端子111dxは、前記端子111bx及び111cxと対向配置されている。また、入力配線111dの他端側は、入力端子111dyとなっている。   The electrode 111a is connected to the wiring 111b integrally formed of the same material, and is drawn out on the inner surface of the substrate extension portion 111T provided on the substrate 111. The substrate overhanging portion 111T is a portion that protrudes outward from the outer shape of the substrate 112 at the end of the substrate 111. One end of the wiring 111b is a terminal 111bx. The electrode 112a is also connected to the wiring 112b integrally formed of the same material, and is conductively connected to the wiring 111c on the substrate 111 through a vertical conduction portion (not shown). The wiring 111c is also formed of ITO. The wiring 111c is drawn out on the substrate overhanging portion 111T, and one end thereof is a terminal 111cx. An input wiring 111d is formed in the vicinity of the edge of the substrate overhanging portion 111T, and one end thereof is a terminal 111dx. The terminal 111dx is disposed opposite to the terminals 111bx and 111cx. The other end of the input wiring 111d is an input terminal 111dy.

基板張出部111T上には、熱硬化性樹脂からなる封止樹脂122を介して、本発明の実装体となる電子部品121が実装されている。この電子部品121は、例えば液晶パネル110を駆動する液晶駆動用ICチップである。電子部品121の下面には、本発明に係る多数のバンプ電極(図示せず)が形成されており、これらのバンプ電極は、基板張出部111T上の端子111bx,111cx,111dxにそれぞれ導電接続されている。これにより、基板111上に電子部品(実装体)121が実装されてなる、本発明の実装構造体が形成されている。封止樹脂122は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂であることが好ましいが、樹脂であればよく、樹脂種類はその限りではない。   An electronic component 121 serving as a mounting body of the present invention is mounted on the substrate extension portion 111T via a sealing resin 122 made of a thermosetting resin. The electronic component 121 is, for example, a liquid crystal driving IC chip that drives the liquid crystal panel 110. A large number of bump electrodes (not shown) according to the present invention are formed on the lower surface of the electronic component 121, and these bump electrodes are conductively connected to the terminals 111bx, 111cx, and 111dx on the substrate extension portion 111T, respectively. Has been. Thereby, the mounting structure of the present invention in which the electronic component (mounting body) 121 is mounted on the substrate 111 is formed. The sealing resin 122 is preferably an epoxy resin, an acrylic resin, or a phenol resin, but may be a resin, and the type of resin is not limited thereto.

また、基板張出部111T上の前記入力端子111dyの配列領域には、異方性導電膜124を介してフレキシブル配線基板123が実装されている。入力端子111dyは、フレキシブル配線基板123に設けられた、それぞれに対応する配線(図示せず)に導電接続されている。そして、このフレキシブル配線基板123を介して外部から制御信号、映像信号、電源電位などが、入力端子111dyに供給されるようになっている。入力端子111dyに供給された制御信号、映像信号、電源電位などは、電子部品121に入力され、ここで液晶駆動用の駆動信号が生成されて液晶パネル110に供給されるようになっている。   In addition, a flexible wiring substrate 123 is mounted on the array region of the input terminals 111dy on the substrate extension 111T via an anisotropic conductive film 124. The input terminal 111 dy is conductively connected to wiring (not shown) corresponding to each of the input terminals 111 dy provided on the flexible wiring board 123. A control signal, a video signal, a power supply potential, and the like are supplied to the input terminal 111dy from the outside via the flexible wiring board 123. A control signal, a video signal, a power supply potential, and the like supplied to the input terminal 111dy are input to the electronic component 121, where a drive signal for driving the liquid crystal is generated and supplied to the liquid crystal panel 110.

以上のように構成された液晶表示装置100によれば、電子部品121を介して電極111aと電極112aとの間に適宜の電圧が印加されることにより、両電極111a,112aが対向配置される部分に構成される各画素毎に独立して光を変調させることができ、これによって液晶パネル110の表示領域に所望の画像を形成することができる。   According to the liquid crystal display device 100 configured as described above, when an appropriate voltage is applied between the electrode 111a and the electrode 112a via the electronic component 121, the both electrodes 111a and 112a are arranged to face each other. The light can be modulated independently for each pixel included in the portion, whereby a desired image can be formed in the display area of the liquid crystal panel 110.

次に、前記液晶表示装置100に適用された、本発明の実装構造体の実施形態について説明する。
図2(a)は、前記液晶表示装置100における電子部品(実装体)121の実装構造体を拡大して示す要部拡大斜視図であり、図2(b)は、図2(a)におけるA−A線矢視断面図である。図2(a)(b)において符号11Pは基板111上に設けられた配線パターン、すなわち、前記配線111b、111c、111dのいずれかを表しており、符号11はこれら配線に設けられた端子、すなわち、前記した端子111bx、111cx,111dxのいずれかを表している。また、図2(b)において符号10は、本発明の一実施形態となる実装構造体を示している。
Next, an embodiment of the mounting structure of the present invention applied to the liquid crystal display device 100 will be described.
FIG. 2A is an enlarged perspective view of a main part showing an enlarged mounting structure of the electronic component (mounting body) 121 in the liquid crystal display device 100, and FIG. 2B is a perspective view of FIG. It is AA arrow sectional drawing. 2A and 2B, reference numeral 11P represents a wiring pattern provided on the substrate 111, that is, one of the wirings 111b, 111c, and 111d, and reference numeral 11 represents a terminal provided on these wirings. That is, it represents one of the terminals 111bx, 111cx, and 111dx. Further, in FIG. 2B, reference numeral 10 indicates a mounting structure according to an embodiment of the present invention.

なお、本実施形態では、端子11は配線パターン11Pの端部に連続して形成されたランド(図示せず)、あるいは配線パターン11Pの端部がそのまま端子11として機能するものとなっている。また、符号12は電子部品121に設けられたバンプ電極である。なお、図2(a)では図示を省略しているものの、図2(b)に示すように基板111と電子部品121との間には、少なくともバンプ電極12と端子11との導電接触部分の周囲を覆って、本発明における圧着手段としての封止樹脂122が充填配置され、硬化させられている。   In the present embodiment, the terminal 11 functions as the terminal 11 as it is, as a land (not shown) formed continuously at the end of the wiring pattern 11P, or the end of the wiring pattern 11P. Reference numeral 12 denotes a bump electrode provided on the electronic component 121. Although not shown in FIG. 2A, at least a conductive contact portion between the bump electrode 12 and the terminal 11 is provided between the substrate 111 and the electronic component 121 as shown in FIG. Covering the periphery, the sealing resin 122 serving as the pressure-bonding means in the present invention is filled and arranged and cured.

バンプ電極12は、図3(a)の要部斜視図に示すように、電子部品121上に設けられた内部樹脂13をコア(コア部)として、その表面が導電膜14で覆われた構造を有している。また、本実施形態においては、図3(a)に示したように電子部品121が基板111に実装される前、すなわち端子11に接合される前の無加圧状態で弾性変形する前の状態では、バンプ電極12の内部樹脂13は略蒲鉾状となっている。   The bump electrode 12 has a structure in which the internal resin 13 provided on the electronic component 121 is a core (core part) and the surface thereof is covered with a conductive film 14 as shown in a perspective view of a main part in FIG. have. In the present embodiment, as shown in FIG. 3A, the electronic component 121 is mounted on the substrate 111, that is, before being elastically deformed in a non-pressurized state before being bonded to the terminal 11. Then, the internal resin 13 of the bump electrode 12 is substantially bowl-shaped.

導電膜14は、電子部品121の表面部において、図3(a)のB−B線矢視断面図である図3(b)に示すように、該電子部品121の構成要素である保護膜15上に設けられたもので、図3(a)に示したように該保護膜15の開口部内に露出した電極16に接続・導通し、内部樹脂13上(表面上)に引き回されたものである。このような構成によって内部樹脂13の表面を覆う導電膜14は、前記電極16に導通し、したがって実質的に電子部品121の電極として機能するものとなっている。なお、本実施形態では、内部樹脂13の表面に帯状の導電膜14が複数設けられており、これら導電膜14はそれぞれ独立して電子部品121の電極16に接続・導通している。したがって、これら導電膜14は、その内側に位置する内部樹脂13とともに、それぞれが独立して、本発明におけるバンプ電極12として機能するようになっている。   As shown in FIG. 3B, which is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 3A, the conductive film 14 is a protective film that is a constituent element of the electronic component 121. As shown in FIG. 3A, the electrode is exposed to the electrode 16 exposed in the opening of the protective film 15, and is drawn around the internal resin 13 (on the surface). Is. The conductive film 14 covering the surface of the internal resin 13 with such a configuration is electrically connected to the electrode 16, and thus substantially functions as an electrode of the electronic component 121. In the present embodiment, a plurality of strip-like conductive films 14 are provided on the surface of the internal resin 13, and these conductive films 14 are connected and electrically connected to the electrodes 16 of the electronic component 121, respectively. Therefore, each of these conductive films 14 functions independently as the bump electrode 12 in the present invention together with the internal resin 13 located inside thereof.

ここで、前記内部樹脂13についての略蒲鉾状とは、電子部品121に接する内面(底面)が平面であり、接しない外面側が湾曲面になっている柱状形状をいう。具体的には、図3(b)に示すようにその横断面(断面)が略半円形状(または略半楕円形状)であるものが好適とされ、図示しないものの、略台形状であるものも好適とされる。なお、この横断面は本発明における内部樹脂13の主断面となるものである。本発明における内部樹脂13の主断面とは、前記電子部品(実装体)121に当接する底面に対して直交する断面のうちの、特徴的な面であり、本実施形態のように内部樹脂13が略蒲鉾状となっている場合には、その幅方向の横断面が主断面となっている。そして、本発明におけるバンプ電極12では、その導電膜14が、前記主断面の面方向に沿って前記内部樹脂13の表面上に設けられている。   Here, the substantially bowl shape of the internal resin 13 refers to a columnar shape in which the inner surface (bottom surface) in contact with the electronic component 121 is a flat surface and the outer surface side not in contact with the surface is a curved surface. Specifically, as shown in FIG. 3 (b), it is preferable that the cross section (cross section) has a substantially semicircular shape (or a substantially semielliptical shape). Is also preferred. This transverse section is the main section of the internal resin 13 in the present invention. The main cross section of the internal resin 13 in the present invention is a characteristic surface of the cross section orthogonal to the bottom surface that contacts the electronic component (mounting body) 121, and the internal resin 13 as in the present embodiment. Is substantially saddle-shaped, the transverse cross section in the width direction is the main cross section. And in the bump electrode 12 in this invention, the electrically conductive film 14 is provided on the surface of the said internal resin 13 along the surface direction of the said main cross section.

また、本実施形態では、内部樹脂13の主断面(横断面)における略半円形状が、前記電子部品121に当接する底辺13aと、該電子部品121の外側に突出する外辺13bとによって囲まれて形成されている。
このような内部樹脂13は、感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂からなるもので、具体的には、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等によって形成されたものである。このような樹脂からなる内部樹脂13は、後述するように公知のリソグラフィー技術やリフロー技術により、前記した略蒲鉾状に形成されている。なお、樹脂の材質(硬度)や略蒲鉾状についての細部における形状(高さや幅)等については、接合する端子11の形状や大きさ等によって適宜に選択・設計される。
In this embodiment, the substantially semicircular shape in the main cross section (transverse cross section) of the internal resin 13 is surrounded by the bottom side 13 a that contacts the electronic component 121 and the outer side 13 b that protrudes outside the electronic component 121. Is formed.
The internal resin 13 is made of a photosensitive insulating resin or a thermosetting insulating resin, and specifically, is formed of a polyimide resin, an acrylic resin, a phenol resin, a silicone resin, a silicone-modified polyimide resin, an epoxy resin, or the like. It has been done. The internal resin 13 made of such a resin is formed in the above-described substantially bowl shape by a known lithography technique or reflow technique as described later. The material (hardness) of the resin and the shape (height and width) in details about the bowl shape are appropriately selected and designed according to the shape and size of the terminal 11 to be joined.

導電膜14は、Au、TiW、Cu、Cr、Ni、Ti、W、NiV、Al、Pd、鉛フリーハンダ等の金属や合金からなるもので、これら金属(合金)の単層であっても、複数種を積層したものであってもよい。また、このような導電膜14は、スパッタ法等の公知の成膜法で成膜し、その後帯状にパターニングしたものであってもよく、無電解メッキによって選択的に形成したものであってもよい。または、スパッタ法や無電解メッキによって下地膜を形成し、その後電解メッキによって下地膜上に上層膜を形成し、これら下地膜と上層膜とからなる積層膜により、導電膜14を形成してもよい。なお、金属(合金)の種類や層構造、膜厚、幅等については、前記内部樹脂13の場合と同様に、端子11の形状や大きさ等によって適宜に選択・設計される。ただし、後述するように導電膜14は、端子11に接合することで内部樹脂13とともに弾性変形することから、特に展延性に優れた金(Au)を用いるのが好ましい。また、積層膜によって導電膜14を形成する場合には、その最外層に金を用いるのが好ましい。さらに、導電膜14の幅については、接合する端子11の幅よりも十分に広く形成しておくのが好ましい。   The conductive film 14 is made of a metal or alloy such as Au, TiW, Cu, Cr, Ni, Ti, W, NiV, Al, Pd, or lead-free solder, and even if it is a single layer of these metals (alloys). In addition, a plurality of types may be laminated. Further, such a conductive film 14 may be formed by a known film formation method such as a sputtering method and then patterned into a band shape, or may be formed selectively by electroless plating. Good. Alternatively, a base film may be formed by sputtering or electroless plating, and then an upper layer film may be formed on the base film by electrolytic plating, and the conductive film 14 may be formed by a laminated film including the base film and the upper layer film. Good. Note that the type, layer structure, film thickness, width, and the like of the metal (alloy) are appropriately selected and designed according to the shape and size of the terminal 11 as in the case of the internal resin 13. However, since the conductive film 14 is elastically deformed together with the internal resin 13 by being bonded to the terminal 11 as described later, it is preferable to use gold (Au) having particularly excellent spreadability. Further, when the conductive film 14 is formed of a laminated film, it is preferable to use gold for the outermost layer. Furthermore, the width of the conductive film 14 is preferably formed sufficiently wider than the width of the terminal 11 to be joined.

このような構造のバンプ電極12において導電膜14は、前記主断面の面方向に沿って前記内部樹脂13の表面上に設けられているので、内部樹脂13の前記外辺13bの形状、すなわち、略円弧状の曲線からなる湾曲形状に沿って設けられたものとなる。したがって、この導電膜14には局部的な応力集中が起こりにくくなっているため、導電膜14は応力集中に起因する断線が防止されたものとなっている。   In the bump electrode 12 having such a structure, since the conductive film 14 is provided on the surface of the internal resin 13 along the surface direction of the main cross section, the shape of the outer side 13b of the internal resin 13, that is, It is provided along a curved shape consisting of a substantially arc-shaped curve. Therefore, since local stress concentration is less likely to occur in the conductive film 14, the conductive film 14 is prevented from being disconnected due to the stress concentration.

また、このような構造のバンプ電極12を有した電子部品121は、図2(b)に示したように、バンプ電極12の導電膜14が基板111の端子11に直接導電接触した状態で基板111に実装され、さらに、このようにバンプ電極12が端子11に導電接触している状態で、電子部品121と基板111との間が加圧され、圧着させられている。そして、基板111と電子部品121との間に充填配置された封止樹脂122が硬化させられ、これによってバンプ電極12が端子11に導電接触している状態が、保持されている。   Further, the electronic component 121 having the bump electrode 12 having such a structure has a structure in which the conductive film 14 of the bump electrode 12 is in direct conductive contact with the terminal 11 of the substrate 111 as shown in FIG. In addition, the electronic component 121 and the substrate 111 are pressurized and pressure-bonded with the bump electrode 12 in conductive contact with the terminal 11 as described above. Then, the sealing resin 122 filled and disposed between the substrate 111 and the electronic component 121 is cured, and thereby the state in which the bump electrode 12 is in conductive contact with the terminal 11 is maintained.

すると、このようにして形成された実装構造体10では、そのバンプ電極12における内部樹脂13が、バンプ電極12の主断面(横断面)を示す図4(a)に示すように加圧される前の弾性変形していない状態から、同じく図4(b)に示すように加圧されて弾性変形した状態に変化する。すなわち、弾性変形していない状態では、図4(a)に示したように、底辺13aの両端に位置する二つの点を第1の点30、30とすると、この主断面における前記底辺13a方向に沿う幅が最大となる位置が、前記底辺13a、つまり第1の点30、30間の幅D1となる。また、このような弾性変形していない状態では、内部樹脂13の高さは、図4(a)中にH1で示す高さとなる。   Then, in the mounting structure 10 formed in this way, the internal resin 13 in the bump electrode 12 is pressurized as shown in FIG. 4A showing the main cross section (transverse cross section) of the bump electrode 12. It changes from the state which was not elastically deformed before to the state which was pressurized and elastically deformed similarly as shown in FIG.4 (b). In other words, in a state where the elastic plate is not elastically deformed, if two points located at both ends of the bottom side 13a are first points 30 and 30 as shown in FIG. The position where the width along the line is the maximum is the bottom side 13a, that is, the width D1 between the first points 30 and 30. Moreover, in the state which is not elastically deformed in this way, the height of the internal resin 13 is the height indicated by H1 in FIG.

これに対して、加圧されて内部樹脂13が弾性変形すると、図4(b)に示すようにその主断面の形状は、略半円形状から略長円形状(略トラック形状)となり、その最大幅も、前記底辺13aの幅D1から、内部樹脂13の高さ方向(厚さ方向)における中間部に移る。すなわち、前記主断面における前記底辺13a方向に沿う幅が最大となる位置での、前記外辺13b上の二つの点を第2の点31、31とすると、前記主断面における最大幅は、第2の点31、31間の幅D2となる。また、このような弾性変形している状態では、内部樹脂13の高さは、図4(b)中にH2で示す高さとなり、図4(a)中にH1で示した高さより低くなる。つまり、内部樹脂13は圧縮変形したことになる。   On the other hand, when the internal resin 13 is elastically deformed by being pressurized, the shape of the main cross section changes from a substantially semicircular shape to a substantially oval shape (substantially track shape) as shown in FIG. The maximum width also moves from the width D1 of the base 13a to an intermediate portion in the height direction (thickness direction) of the internal resin 13. That is, if two points on the outer side 13b at the position where the width along the base 13a direction in the main cross section is the maximum are the second points 31, 31, the maximum width in the main cross section is The width D2 between the two points 31, 31. Further, in such an elastically deformed state, the height of the internal resin 13 is the height indicated by H2 in FIG. 4B and is lower than the height indicated by H1 in FIG. . That is, the internal resin 13 is compressed and deformed.

そして、このように圧縮変形(弾性変形)した状態では、内部樹脂13は、図4(b)に示すように前記主断面において同じ側に位置する第1の点30と第2の点31とを結ぶ直線Lと、前記電子部品121の、前記底辺13aに接して該底辺13aの外側に延びる面Sとのなす角θが、鋭角に形成されたものとなる。
したがって、図2(b)に示したように封止樹脂122が、バンプ電極12と端子11との導電接触部分の周囲を覆って充填され、硬化させられると、この封止樹脂122は内部樹脂13の鋭角になった角θの部分に入り込み、アンカー効果でここに強固に固着するようになる。
また、バンプ電極12と端子11との導電接触部分の周囲に硬化前の封止樹脂122を充填し、その後、内部樹脂13を前記したように弾性変形(圧縮変形)させれば、この内部樹脂の弾性変形によって過剰な封止樹脂122が外側に排出され、適正な量の封止樹脂によって基板111と電子部品121との間が保持されるようになる。
In the state of compression deformation (elastic deformation) in this way, the internal resin 13 has a first point 30 and a second point 31 located on the same side in the main cross section as shown in FIG. The angle θ formed by the straight line L connecting the two and the surface S of the electronic component 121 that is in contact with the bottom side 13a and extends outside the base side 13a is formed as an acute angle.
Therefore, as shown in FIG. 2B, when the sealing resin 122 is filled and cured around the conductive contact portion between the bump electrode 12 and the terminal 11, the sealing resin 122 becomes the internal resin. It enters the portion of the angle θ that is an acute angle of 13 and is firmly fixed here by the anchor effect.
Further, if the sealing resin 122 before curing is filled around the conductive contact portion between the bump electrode 12 and the terminal 11, and then the internal resin 13 is elastically deformed (compressed) as described above, the internal resin is obtained. Due to the elastic deformation, excessive sealing resin 122 is discharged to the outside, and the gap between the substrate 111 and the electronic component 121 is held by an appropriate amount of sealing resin.

また、内部樹脂13は、端子11に接合して弾性変形する前においては、前記主断面の形状における底辺13aが最大幅D1となっているのに対し、端子11に接合して弾性変形した後には、最大幅D2が外辺13b側に移って前記角θが鋭角になり、内部樹脂13はその底面側の形状が大きく変わるほど十分に弾性変形(圧縮変形)したものとなっている。よって、端子11に接合した後には内部樹脂13の弾性復元力(反発力)がより大きくなり、これにより、その表面上の導電膜14が端子11に対して高い強度で接合するようになり、したがってバンプ電極12と端子11との間の接合強度がより高くなっている。   Further, before the inner resin 13 is joined to the terminal 11 and elastically deformed, the base 13a in the shape of the main cross section has the maximum width D1, whereas after the inner resin 13 is joined to the terminal 11 and elastically deformed. The maximum width D2 shifts to the outer side 13b side, the angle θ becomes an acute angle, and the internal resin 13 is sufficiently elastically deformed (compressed) so that the shape of the bottom surface side changes greatly. Therefore, after the bonding to the terminal 11, the elastic restoring force (repulsive force) of the internal resin 13 becomes larger, whereby the conductive film 14 on the surface is bonded to the terminal 11 with high strength. Therefore, the bonding strength between the bump electrode 12 and the terminal 11 is higher.

なお、図4(b)に示したように圧縮変形(弾性変形)した状態の内部樹脂13では、微視的に見ると、前記主断面における前記外辺13bは、前記底辺13a近傍において、外側に凹となる湾曲部を形成している。すなわち、図4(b)の要部拡大図である図4(c)に示すように、外辺13bにおける前記第1の点30の近傍(つまり底辺13aの近傍)には、外側に凹となる湾曲部13cが形成されている。これは、底辺13aが電子部品121(の保護膜15)上に一体に固着していることから、内部樹脂13を弾性変形させた際、その外辺13bの中央部が外側に膨らむことで底辺13aの近傍においては内側に向かう力が生じ、これによって形成される凹部である。
そして、このように湾曲部13cが形成されると、前記外辺13bと電子部品121との間に形成される角部は、鋭角に形成されることなく、微視的になだらかに湾曲してなる湾曲部13cとなる。これにより、この角部での応力集中が緩和されるようになり、したがって、応力集中に起因してこの角部(湾曲部13c)上に設けられる導電膜14に、断線が生じることが防止されている。
4B, in the internal resin 13 in a state of being compressed and deformed (elastically deformed), when viewed microscopically, the outer side 13b in the main cross section is an outer side in the vicinity of the base 13a. A curved portion that is concave is formed. That is, as shown in FIG. 4C, which is an enlarged view of the main part of FIG. 4B, a concave portion is formed on the outer side 13b in the vicinity of the first point 30 (that is, in the vicinity of the bottom side 13a). A curved portion 13c is formed. This is because the base 13a is integrally fixed on the electronic component 121 (the protective film 15), and therefore, when the internal resin 13 is elastically deformed, the central portion of the outer side 13b bulges outward so that the base In the vicinity of 13a, an inward force is generated, which is a recess formed by this.
When the bending portion 13c is formed in this way, the corner portion formed between the outer side 13b and the electronic component 121 is not formed into an acute angle, but is curved gently and microscopically. It becomes the curved part 13c. As a result, the stress concentration at the corner is relaxed, and therefore, disconnection of the conductive film 14 provided on the corner (curved portion 13c) due to the stress concentration is prevented. ing.

次に、このような構成の実装構造体10の製造方法に基づき、本発明の製造方法の一実施形態を説明する。
まず、本発明の製造方法において主要構成となる、バンプ電極12の形成工程について説明する。
このバンプ電極12の形成工程では、まず、図5(a)に示すように電子部品121の能動面上に、内部樹脂13の形成樹脂、例えばネガ型レジストとなるポリイミド樹脂を、例えば10〜20μm程度の厚さに塗布する。ここで、電子部品121の能動面には、予め絶縁材からなる保護膜15を形成しておくとともに、この保護膜15に開口部15aを形成して該開口部15a内に電極16を露出させておく。そして、塗布した形成樹脂をプリベークすることにより、樹脂層130を形成する。
Next, based on the manufacturing method of the mounting structure 10 of such a configuration, an embodiment of the manufacturing method of the present invention will be described.
First, the formation process of the bump electrode 12 which is a main configuration in the manufacturing method of the present invention will be described.
In this bump electrode 12 forming step, first, as shown in FIG. 5A, on the active surface of the electronic component 121, a resin for forming the internal resin 13, for example, a polyimide resin to be a negative resist is formed, for example, 10 to 20 μm. Apply to a certain thickness. Here, a protective film 15 made of an insulating material is formed in advance on the active surface of the electronic component 121, and an opening 15a is formed in the protective film 15 so that the electrode 16 is exposed in the opening 15a. Keep it. Then, the resin layer 130 is formed by pre-baking the applied forming resin.

次に、図5(b)に示すように、樹脂層130上にフォトマスク20を所定位置に位置決めし、これをセットする。フォトマスク20としては、例えばCr等の遮光膜を形成したガラス板からなるもので、形成する略蒲鉾状の内部樹脂13の平面形状に対応した矩形の開口21を有したものが用いられる。なお、フォトマスク20の位置決めについては、その開口部21が内部樹脂13の形成箇所に位置するようにして行う。また、フォトマスク20については、ガラス板についての記載を省略し、遮光膜のみを記載してこれを符号20としている。   Next, as shown in FIG. 5B, the photomask 20 is positioned at a predetermined position on the resin layer 130 and set. The photomask 20 is made of a glass plate on which a light shielding film such as Cr is formed, for example, and has a rectangular opening 21 corresponding to the planar shape of the substantially bowl-shaped internal resin 13 to be formed. The positioning of the photomask 20 is performed so that the opening 21 is located at the location where the internal resin 13 is formed. Moreover, about the photomask 20, the description about a glass plate is abbreviate | omitted, and only the light shielding film is described and this is made into the code | symbol 20. FIG.

次いで、このフォトマスク20上に露光光を照射し、開口部21内に露出する前記樹脂層130を露光する。ただし、この露光に際しては、その露光条件を調整することにより、現像後に得られる樹脂層130からなるパターンを、その横断面(主断面)が略半円形状(または略半楕円形状)の略蒲鉾状となるパターンにする。
具体的には、図5(b)中矢印で示すように露光光を斜めに照射し、樹脂層130における被露光部分を、図5(b)中破線で示すように横断面略半円形状(略台形状)とする。また、図5(c)に示すように、フォトマスク20を樹脂層130から離した状態で露光するオフコンタクト露光を行い、樹脂層130における被露光部分を、図5(c)中破線で示すように横断面略半円形状(略台形状)としてもよい。さらに、フォトマスク20として、半透過型のハーフマスクを用い、被露光部分を前記したように横断面を略半円形状(略台形状)にしてもよい。ハーフマスクとしては、前記開口部21の周辺部分を半透過性にするともに、該開口部21から遠ざかるに連れて徐々に透光性が低下させる。このように半透過性の領域を形成することで、前記略半円形状(略台形状)における外辺部分、すなわち側面部分の露光を行うことができる。
Next, the photomask 20 is irradiated with exposure light to expose the resin layer 130 exposed in the opening 21. However, in this exposure, the pattern of the resin layer 130 obtained after development is adjusted by adjusting the exposure conditions so that the cross section (main cross section) has a substantially semicircular shape (or a substantially semielliptical shape). Pattern.
Specifically, the exposure light is irradiated obliquely as shown by an arrow in FIG. 5B, and the exposed portion of the resin layer 130 has a substantially semicircular cross section as shown by a broken line in FIG. 5B. (Substantially trapezoidal). Further, as shown in FIG. 5C, off-contact exposure is performed in which the photomask 20 is exposed while being separated from the resin layer 130, and a portion to be exposed in the resin layer 130 is indicated by a broken line in FIG. Thus, it is good also as a cross section substantially semicircle shape (substantially trapezoid shape). Further, a semi-transmissive half mask may be used as the photomask 20, and the exposed portion may have a substantially semicircular shape (substantially trapezoidal shape) as described above. As the half mask, the peripheral portion of the opening 21 is made semi-transparent, and the translucency gradually decreases as the distance from the opening 21 increases. By forming the semi-transmissive region in this way, it is possible to perform exposure of the outer side portion, that is, the side portion in the substantially semicircular shape (substantially trapezoidal shape).

このようにして露光を行うと、マスク20の開口21内に露出する樹脂層130では、その厚さ方向において全域が露光される。また、開口部21の周辺部分においては、開口部21から遠ざかるに連れて漸次露光量が少なくなる。したがって、このようにして露光処理を行った後、現像処理を行うと、樹脂層130はその未露光部分が現像されて除去される。一方、露光部分である開口部21内に露出した部分は現像されずにそのまま残る。また、その周辺部分においても露光量に応じてその底面側が残る。これにより、図5(d)に示すように、横断面が略台形状で略蒲鉾状の樹脂パターン130aが得られる。   When exposure is performed in this manner, the entire region of the resin layer 130 exposed in the opening 21 of the mask 20 is exposed in the thickness direction. Further, in the peripheral portion of the opening 21, the exposure amount gradually decreases as the distance from the opening 21 increases. Therefore, after the exposure process is performed in this manner, when the development process is performed, the unexposed portion of the resin layer 130 is developed and removed. On the other hand, the exposed portion in the opening 21 which is an exposed portion remains as it is without being developed. In addition, the bottom surface side remains in the peripheral portion according to the exposure amount. As a result, as shown in FIG. 5D, a resin pattern 130a having a substantially trapezoidal cross section and a substantially bowl shape is obtained.

得られる樹脂パターン130aについては、その形状を、露光条件や現像条件によってある程度調整することができる。したがって、ハーフマスクの半透過性の領域の調整などにより、図5(d)に示したように樹脂パターン130aにおける肩部分130bをある程度湾曲させることが可能である。しかし、肩部分130bをよりなだらかに湾曲させ、さらに側辺部分や上辺部分をも湾曲させて露出面全体を曲線(曲面)形状にするためには、リフロー処理を行うのが好ましい。   About the resin pattern 130a obtained, the shape can be adjusted to some extent by exposure conditions and development conditions. Therefore, the shoulder portion 130b of the resin pattern 130a can be curved to some extent as shown in FIG. 5D by adjusting the semi-transmissive region of the half mask. However, it is preferable to perform a reflow process in order to curve the shoulder portion 130b more gently and further curve the side portion and the upper side portion so that the entire exposed surface has a curved (curved) shape.

リフロー処理としては、樹脂パターン130aの材質に応じて、該樹脂が軟化し表面が溶融する温度に加熱することで行う。このようにして加熱し溶融させた後、常温に戻すことにより、図6(a)に示すように主断面が略半円形状の内部樹脂13が得られる。すなわち、樹脂パターン130aは、リフロー処理によってその表面が軟化・溶融し、固化する過程で、表面状態が全体的になだらかに湾曲する連続曲面となる。略半円形状(略台形状)に形成された横断面(主断面)について言えば、外辺13b全体が連続したなだらかな湾曲線となり、より半円に近い形状となる。つまり、樹脂が軟化し表面が溶融すると、図6(a)に示したように外辺13bは自重によってその両側(両肩部分側)が垂れることにより、より半円に近い形状となるのである。これにより、バンプ電極形成工程における内部樹脂形成工程が終了する。   The reflow process is performed by heating to a temperature at which the resin softens and the surface melts according to the material of the resin pattern 130a. After being heated and melted in this manner, the internal resin 13 having a substantially semicircular main cross section is obtained as shown in FIG. That is, the resin pattern 130a becomes a continuous curved surface whose surface is gently curved as a whole in the process of softening / melting and solidifying the surface by the reflow process. Speaking of the cross section (main cross section) formed in a substantially semicircular shape (substantially trapezoidal shape), the entire outer side 13b is a continuous and gently curved line, which is closer to a semicircle. That is, when the resin is softened and the surface is melted, the outer side 13b has a shape closer to a semicircle by dripping both sides (both shoulder portions) by its own weight as shown in FIG. 6 (a). . Thereby, the internal resin formation process in a bump electrode formation process is complete | finished.

このようにして本発明における内部樹脂13を形成したら、図6(b)に示すように基板111の表面全面に、スパッタリング(スパッタ法)等によって前記したAu等の金属(合金)を適宜な厚さで成膜し、導電層14aを形成する。
次いで、導電層14a上に公知のレジスト技術、リソグラフィー技術によってレジストパターン(図示せず)を形成し、さらにこのレジストパターンをマスクにして導電層14aをエッチングすることにより、図3(a)に示したような所定パターンの導電膜14を形成する。これにより、バンプ電極形成工程における導電膜形成工程が終了する。前記エッチングとしては、例えばプラズマを用いたドライエッチングや、薬液を用いるウエットエッチングなど、任意の手法を採用することができる。
When the internal resin 13 according to the present invention is thus formed, the above-described metal (alloy) such as Au is formed on the entire surface of the substrate 111 by sputtering (sputtering) or the like as shown in FIG. 6B. Then, a film is formed to form the conductive layer 14a.
Next, a resist pattern (not shown) is formed on the conductive layer 14a by a known resist technique or lithography technique, and the conductive layer 14a is etched using the resist pattern as a mask, thereby obtaining the structure shown in FIG. A conductive film 14 having a predetermined pattern is formed. Thereby, the conductive film formation process in the bump electrode formation process is completed. As the etching, any method such as dry etching using plasma or wet etching using a chemical solution can be employed.

その後、レジストパターンを除去する。これにより、バンプ電極12の形成工程が終了する。
なお、特に前記の内部樹脂13の形成に際しては、前述したように樹脂層130に対する露光量を調整するハーフ露光と、現像後の樹脂パターン130aに対するリフロー処理とを組み合わせることで、横断面(主断面)を略半円形状(略半楕円形状)に形成したが、前記したようにハーフ露光のみで所望の形状を形成してもよく、また、リフロー処理のみで所望の形状を形成してもよい。
Thereafter, the resist pattern is removed. Thereby, the formation process of the bump electrode 12 is completed.
In particular, when the internal resin 13 is formed, a cross section (main cross section) is obtained by combining half exposure for adjusting the exposure amount for the resin layer 130 and reflow treatment for the developed resin pattern 130a as described above. ) Is formed in a substantially semicircular shape (substantially semi-elliptical shape), but as described above, a desired shape may be formed only by half exposure, or a desired shape may be formed only by reflow processing. .

このようにして電子部品121にバンプ電極12を形成したら、続いて、この電子部品121を基板111に対して実装する実装工程を行う。まず、図7(a)に示すようにこの電子部品121を基板111に対して、互いのバンプ電極12と端子11とが対向するようにして位置決めする。そして、その状態で、図7(b)に示すように互いに接合する方向に加圧することにより、バンプ電極12の導電膜14を端子11に接合させ、導電接触させる。これにより実装工程が終了する。   After the bump electrode 12 is formed on the electronic component 121 in this manner, a mounting process for mounting the electronic component 121 on the substrate 111 is subsequently performed. First, as shown in FIG. 7A, the electronic component 121 is positioned with respect to the substrate 111 so that the bump electrodes 12 and the terminals 11 face each other. Then, in this state, as shown in FIG. 7B, pressurization is performed in the direction in which the bump electrodes 12 are bonded to each other, whereby the conductive film 14 of the bump electrode 12 is bonded to the terminal 11 and is brought into conductive contact. This completes the mounting process.

このようにして実装工程を行ったら、導電膜14と端子11とを導電接触させた状態のままで、前記電子部品121を前記基板111側に相対的に押圧させ、図7(c)に示すように前記内部樹脂13を所望形状に弾性変形(圧縮変形)させる。すなわち、変形前に略半円形状であった主断面の形状を、略長円形状になるまで圧縮変形させる。このように圧縮変形させると、図4(b)に示したように、第1の点30と第2の点31とを結ぶ直線Lと、前記底辺13aの外側に延びる面Sとのなす角θが、鋭角になる。   When the mounting process is performed in this manner, the electronic component 121 is relatively pressed toward the substrate 111 while the conductive film 14 and the terminal 11 are in conductive contact with each other, as shown in FIG. Thus, the internal resin 13 is elastically deformed (compressed) into a desired shape. That is, the shape of the main cross-section that was substantially semicircular before deformation is compressed and deformed until it becomes substantially oval. When compressed and deformed in this way, as shown in FIG. 4B, the angle formed by the straight line L connecting the first point 30 and the second point 31 and the surface S extending outside the base 13a. θ becomes an acute angle.

ここで、圧縮変形させることで形成する角θの鋭角の範囲としては、特に限定されないものの、20°以上70°以下とするのが好ましい。20°以上とすることにより、内部樹脂13を圧縮変形させる際の加圧を高すぎることなく通常の圧力範囲で行うことができ、過剰な圧力で加圧することにより、電子部品121等にダメージを与えてしまうおそれがなくなるからである。また、70°以下とすることにより、圧縮変形の度合いを十分に確保することができ、その分、十分な弾性復元力(反発力)が得られるからである。   Here, the range of the acute angle of the angle θ formed by compressive deformation is not particularly limited, but is preferably 20 ° or more and 70 ° or less. By setting the angle to 20 ° or more, pressurization when compressing and deforming the internal resin 13 can be performed in a normal pressure range without being excessively high, and pressurization with excessive pressure causes damage to the electronic component 121 and the like. This is because there is no risk of giving. Further, by setting the angle to 70 ° or less, a sufficient degree of compressive deformation can be secured, and a sufficient elastic restoring force (repulsive force) can be obtained accordingly.

このようにして加圧工程を行ったら、この加圧状態を維持し、したがって前記の内部樹脂が圧縮変形した状態を保持したままで、図7(d)に示すように本発明における圧着手段としての前記封止樹脂122を、基板111と電子部品121との間に充填配置し、硬化させる。これにより、加圧した状態から無加圧状態に戻しても、前記の内部樹脂が圧縮変形した状態が、封止樹脂122によって保持される。これにより、保持工程が終了し、さらに圧着工程が終了することで、本発明の実装構造体10が得られる。   When the pressurizing step is performed in this manner, this pressurized state is maintained, and thus the inner resin is kept compressed and deformed as shown in FIG. The sealing resin 122 is filled between the substrate 111 and the electronic component 121 and cured. As a result, even when the pressurized state is returned to the non-pressurized state, the state in which the internal resin is compressed and deformed is held by the sealing resin 122. Thereby, the mounting structure 10 of the present invention is obtained by completing the holding process and further completing the crimping process.

ここで、圧着手段としての封止樹脂122については、予め基板111と電子部品121との間に未硬化状態で設けておき、導電膜14と端子11とを導電接触させ、さらに加圧して内部樹脂13を所望形状に圧縮変形させた後、硬化させてもよい。その場合、内部樹脂13の圧縮変形によって過剰な封止樹脂122は外側に排出され、適正な量の封止樹脂122によって基板111と電子部品121との間が保持されるようになる。また、未硬化の封止樹脂122はある程度流動性を有していることから、内部樹脂13を所望形状に圧縮変形させた際、この未硬化の封止樹脂122は内部樹脂13の圧縮変形に伴われて内部樹脂13の鋭角になった角θの部分に容易に入り込み、ここに充填されるようになる。
また、この封止樹脂122については、導電膜14と端子11とを導電接触させ、さらに内部樹脂13を圧縮変形させた後、基板111と電子部品121との間に未硬化の状態で充填し、その後硬化させてもよい。その場合には、未硬化の封止樹脂122が、圧縮変形によって形成された内部樹脂13の鋭角な角θの部分により良好に入り込み、ここに充填されるようになる。
Here, the sealing resin 122 as the pressure bonding means is provided in an uncured state between the substrate 111 and the electronic component 121 in advance, the conductive film 14 and the terminal 11 are brought into conductive contact, and further pressurized to the inside. The resin 13 may be cured after being compressed and deformed into a desired shape. In that case, excessive sealing resin 122 is discharged to the outside due to compression deformation of the internal resin 13, and the gap between the substrate 111 and the electronic component 121 is held by an appropriate amount of sealing resin 122. Further, since the uncured sealing resin 122 has a certain degree of fluidity, when the internal resin 13 is compressed and deformed into a desired shape, the uncured sealing resin 122 is compressed and deformed by the internal resin 13. Along with this, the internal resin 13 easily enters the acute angle portion of the internal resin 13 and is filled therein.
The sealing resin 122 is filled in an uncured state between the substrate 111 and the electronic component 121 after the conductive film 14 and the terminal 11 are brought into conductive contact and the internal resin 13 is compressed and deformed. Then, it may be cured. In that case, the uncured sealing resin 122 enters the portion of the acute angle θ of the internal resin 13 formed by compressive deformation well, and is filled therein.

このような製造方法によれば、バンプ電極12における内部樹脂13を、前記主断面における最大幅が前記底辺13aとなるように形成し、その後、バンプ電極12を端子11に導電接触させた状態で電子部品121を基板111側に相対的に押圧させることにより、内部樹脂13を、その角θが鋭角になるように圧縮変形(弾性変形)させるので、内部樹脂13が、その底面側の形状が大きく変わるほど十分に圧縮変形(弾性変形)したものとなる。よって、端子11に接合した後には内部樹脂13の弾性復元力(反発力)がより大きくなっており、これによりその表面上の導電膜14が端子11に対して高い強度で接合するようになり、したがってバンプ電極12と端子11との間の接合強度がより高くなる。よって、バンプ電極12と端子11との間において十分に高い接合強度を確保し、バンプ電極12と端子11との間の電気的接続の信頼性を向上することができる。   According to such a manufacturing method, the internal resin 13 in the bump electrode 12 is formed so that the maximum width in the main cross section becomes the base 13a, and then the bump electrode 12 is in conductive contact with the terminal 11. By pressing the electronic component 121 relatively toward the substrate 111 side, the internal resin 13 is compressed and deformed (elastically deformed) so that the angle θ becomes an acute angle. The greater the change, the more sufficiently the compression deformation (elastic deformation). Therefore, after the bonding to the terminal 11, the elastic restoring force (repulsive force) of the internal resin 13 becomes larger, so that the conductive film 14 on the surface is bonded to the terminal 11 with high strength. Therefore, the bonding strength between the bump electrode 12 and the terminal 11 becomes higher. Therefore, a sufficiently high bonding strength can be ensured between the bump electrode 12 and the terminal 11, and the reliability of the electrical connection between the bump electrode 12 and the terminal 11 can be improved.

また、このようにして得られた実装構造体10にあっては、前記したように内部樹脂13が十分に圧縮変形(弾性変形)しているので、弾性復元力(反発力)がより大きくなっていることにより、その表面上の導電膜14が端子11に対して高い強度で接合するようになり、したがってバンプ電極12と端子11との間の接合強度がより高くなっている。よって、バンプ電極12と端子11との間において十分に高い接合強度が確保され、バンプ電極12と端子11との間の電気的接続の信頼性が向上したものとなる。   Moreover, in the mounting structure 10 obtained in this way, the internal resin 13 is sufficiently compressed and deformed (elastically deformed) as described above, so that the elastic restoring force (repulsive force) becomes larger. As a result, the conductive film 14 on the surface is bonded to the terminal 11 with high strength, and therefore the bonding strength between the bump electrode 12 and the terminal 11 is higher. Therefore, a sufficiently high bonding strength is ensured between the bump electrode 12 and the terminal 11, and the reliability of the electrical connection between the bump electrode 12 and the terminal 11 is improved.

また、封止樹脂122が、バンプ電極12と端子11との導電接触部分の周囲を覆って充填され、硬化させられているので、この封止樹脂122は内部樹脂13の鋭角になった角θの部分に入り込み、アンカー効果でここに強固に固着するようになる。したがって、封止樹脂122の電子部品121に対する接着強度が高くなり、この封止樹脂122からなる圧着手段の圧着・保持効果が高くなって実装構造がより安定化したものとなる。
また、バンプ電極12と端子11との導電接触部分の周囲に硬化前の封止樹脂122を充填し、その後、内部樹脂13を前記したように弾性変形(圧縮変形)させれば、この内部樹脂の弾性変形によって過剰な封止樹脂122が外側に排出され、適正な量の封止樹脂によって基板111と電子部品121との間が保持されるようになる。したがって、実装構造がより安定化したものとなる。
Further, since the sealing resin 122 is filled and cured around the conductive contact portion between the bump electrode 12 and the terminal 11, the sealing resin 122 has an acute angle θ of the internal resin 13. It enters the part of and becomes firmly fixed here by the anchor effect. Therefore, the adhesive strength of the sealing resin 122 to the electronic component 121 is increased, and the pressure-bonding / holding effect of the pressure-bonding means made of the sealing resin 122 is increased, and the mounting structure is further stabilized.
Further, if the sealing resin 122 before curing is filled around the conductive contact portion between the bump electrode 12 and the terminal 11, and then the internal resin 13 is elastically deformed (compressed) as described above, the internal resin is obtained. Due to the elastic deformation, excessive sealing resin 122 is discharged to the outside, and the gap between the substrate 111 and the electronic component 121 is held by an appropriate amount of sealing resin. Therefore, the mounting structure becomes more stable.

なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、バンプ電極の構造としては、図2(a)、図3(a)に示したように内部樹脂が略蒲鉾状に形成されたものでなく、加圧され圧縮変形する前の無加圧の状態では、図8に示すように、内部樹脂17が略半球状に形成され、導電膜18が、前記内部樹脂17の上面全体を覆い、かつ電子部品の電極16に導通した状態で設けられた構造であってもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, as the structure of the bump electrode, the internal resin is not formed in a substantially bowl shape as shown in FIGS. 2A and 3A, and no pressure is applied before being compressed and deformed. In this state, as shown in FIG. 8, the internal resin 17 is formed in a substantially hemispherical shape, and the conductive film 18 is provided in a state of covering the entire upper surface of the internal resin 17 and conducting to the electrode 16 of the electronic component. The structure may be different.

また、前記実施形態では、本発明の実装体として電子部品を用い、したがって本発明の実装構造体を、電子部品の実装構造体に適用したが、実装体としては、例えば基板を用いることもできる。すなわち、例えば図9に示すように表面側に電子部品40を実装してなる基板41の裏面側にバンプ電極12を形成しておき、この基板41を、別の基板42に実装するとともに、該基板42の端子11に前記バンプ電極12を接合し、導電接触させるようにしてもよい。
このような実装構造体にあっても、バンプ電極12の内部樹脂の弾性復元力(反発力)が大きいことから、バンプ電極12と端子11との間の接合強度がより高くなり、したって、バンプ電極12と端子11との間において十分に高い接合強度が確保され、バンプ電極12と端子11との間の電気的接続の信頼性が向上したものとなる。
Moreover, in the said embodiment, although the electronic component was used as the mounting body of this invention, therefore, the mounting structure of this invention was applied to the mounting structure of an electronic component, For example, a board | substrate can also be used as a mounting body. . That is, for example, as shown in FIG. 9, the bump electrode 12 is formed on the back surface side of the substrate 41 on which the electronic component 40 is mounted on the front surface side, the substrate 41 is mounted on another substrate 42, and the The bump electrode 12 may be bonded to the terminal 11 of the substrate 42 to make conductive contact.
Even in such a mounting structure, since the elastic restoring force (repulsive force) of the internal resin of the bump electrode 12 is large, the bonding strength between the bump electrode 12 and the terminal 11 becomes higher. A sufficiently high bonding strength is ensured between the bump electrode 12 and the terminal 11, and the reliability of the electrical connection between the bump electrode 12 and the terminal 11 is improved.

また、前記実施形態では、本発明における圧着手段として封止樹脂122を用いているが、例えば前記したように実装体として基板を用い、したがって基板と基板との間の実装構造に本発明を適用するような場合には、各種の機械的圧着手段によって本発明の圧着手段を構成してもよい。具体的には、図10(a)に示すようにクリップ50を用いて基板41、42間を外側から圧着してもよく、また、図10(b)に示すようにネジ51を用いて基板41、42間を外側から圧着してもよい。
また、圧着手段として接着剤(樹脂)を用いた場合にも、バンプ電極12と端子11との導電接触部分の周囲に充填配置することなく、例えば電子部品の外周部と基板との間にのみ、選択的に配するようにしてもよい。
Moreover, in the said embodiment, although sealing resin 122 is used as a crimping | compression-bonding means in this invention, a board | substrate is used as a mounting body as mentioned above, for example, Therefore This invention is applied to the mounting structure between a board | substrate. In such a case, the crimping means of the present invention may be constituted by various mechanical crimping means. Specifically, as shown in FIG. 10 (a), a clip 50 may be used to press-bond between the substrates 41 and 42 from the outside, and a screw 51 may be used as shown in FIG. 10 (b). 41 and 42 may be crimped from the outside.
Further, even when an adhesive (resin) is used as the crimping means, for example, only between the outer peripheral portion of the electronic component and the substrate without being filled around the conductive contact portion between the bump electrode 12 and the terminal 11. Alternatively, it may be arranged selectively.

また、前記の基板111についても、前記したガラスや合成樹脂からなる基板以外に、リジット基板やシリコン基板、薄厚のセラミックス基板など種々のものが使用可能である。さらに、電子部品としては、液晶駆動用ICチップ以外に各種のICや、ダイオード、トランジスター、発光ダイオード、レーザーダイオード、発信子、コンデンサなどの受動部品など前述したような接続電極(バンプ電極)を有する電子部品であればなんでも構わない。
また、本発明の電子部品の実装構造体が適用される装置としては、前記した液晶表示装置だけではなく、有機エレクトロルミネッセンス装置(有機EL装置)や、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置(Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等)など、各種の電気光学装置や各種の電子モジュールに適用可能である。
In addition to the substrate made of glass or synthetic resin, various substrates such as a rigid substrate, a silicon substrate, and a thin ceramic substrate can be used as the substrate 111. In addition to the IC chip for driving the liquid crystal, the electronic component has various ICs and connection electrodes (bump electrodes) as described above, such as passive components such as diodes, transistors, light emitting diodes, laser diodes, oscillators and capacitors. Any electronic component can be used.
In addition, the device to which the electronic component mounting structure of the present invention is applied is not limited to the above-described liquid crystal display device, but also an organic electroluminescence device (organic EL device), a plasma display device, an electrophoretic display device, and an electron emission device. The present invention is applicable to various electro-optical devices and various electronic modules such as devices using elements (Field Emission Display, Surface-Conduction Electron-Emitter Display, etc.).

本発明が適用された液晶表示装置の構造を模式的に示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows typically the structure of the liquid crystal display device to which this invention was applied. (a)(b)は本発明に係る実装構造体の要部拡大図である。(A) and (b) are the principal part enlarged views of the mounting structure which concerns on this invention. (a)(b)は端子に接合される前のバンプ電極の概略構成図である。(A) (b) is a schematic block diagram of the bump electrode before joining to a terminal. (a)〜(c)は内部樹脂の弾性変形前後の主断面形状を示す図である。(A)-(c) is a figure which shows the main cross-sectional shape before and behind the elastic deformation of internal resin. (a)〜(d)はバンプ電極の形成工程を説明するための側断面図である。(A)-(d) is a sectional side view for demonstrating the formation process of a bump electrode. (a)(b)はバンプ電極の形成工程を説明するための側断面図である。(A) and (b) are sectional side views for demonstrating the formation process of a bump electrode. (a)〜(d)は実装構造体の製造方法を説明するための図である。(A)-(d) is a figure for demonstrating the manufacturing method of a mounting structure. バンプ電極の概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic structure of a bump electrode. 本発明に係る実装構造体の他の実施形態を示す要部側断面図である。It is principal part side sectional drawing which shows other embodiment of the mounting structure which concerns on this invention. (a)(b)は機械的圧着手段を用いた例を示す要部側断面図である。(A) (b) is principal part side sectional drawing which shows the example using a mechanical crimping | compression-bonding means.

符号の説明Explanation of symbols

10…実装構造体、11…端子、11P…配線パターン、12…バンプ電極、13、17…内部樹脂、13a…底辺、13b…外辺、14、18…導電膜、30…第1の点、31…第2の点、100…液晶表示装置、110…液晶パネル、111…基板、111a,112a…電極、111b、112b、111c…配線、111d…入力配線、111bx、111cx、111dx…端子、121…電子部品(実装体)、122…封止樹脂(圧着手段)、130…樹脂層   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Mounting structure, 11 ... Terminal, 11P ... Wiring pattern, 12 ... Bump electrode, 13, 17 ... Internal resin, 13a ... Bottom side, 13b ... Outer side, 14, 18 ... Conductive film, 30 ... 1st point, 31 ... Second point, 100 ... Liquid crystal display device, 110 ... Liquid crystal panel, 111 ... Substrate, 111a, 112a ... Electrode, 111b, 112b, 111c ... Wiring, 111d ... Input wiring, 111bx, 111cx, 111dx ... Terminal, 121 ... Electronic components (mounting body), 122 ... Sealing resin (crimping means), 130 ... Resin layer

Claims (1)

端子を備える基板と、
前記端子に接触している導電膜、前記導電膜に覆われた内部樹脂、を含むバンプ電極と、
前記バンプ電極を介して前記端子に電気的に接続している電子部品と、
前記バンプ電極の周囲に充填され、前記導電膜及び前記端子が互いに接触している状態を保持する封止樹脂と、を備え、
前記バンプ電極が加圧されて弾性変形された状態において、
前記バンプ電極の前記電子部品に接する面に対して直交する断面において、前記電子部品に接する辺方向に沿う幅が最大となる位置が、前記基板と前記電子部品との間の中間部であり、
前記内部樹脂は、前記電子部品との接触部分の近傍において外側に凹となる湾曲部を有していることを特徴とする電子装置。
A substrate with terminals;
A bump electrode comprising a conductive film in contact with the terminal, an internal resin covered with the conductive film;
An electronic component electrically connected to the terminal via the bump electrode;
A sealing resin filled around the bump electrode and holding the conductive film and the terminal in contact with each other;
In a state where the bump electrode is pressurized and elastically deformed,
In the cross section perpendicular to the surface of the bump electrode in contact with the electronic component, the position where the width along the side direction in contact with the electronic component is maximum is an intermediate portion between the substrate and the electronic component,
The electronic device according to claim 1, wherein the internal resin has a curved portion that is recessed outward in the vicinity of a contact portion with the electronic component.
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