JP5112475B2 - 液晶表示パネル - Google Patents

Description

本発明は、垂直配向させた液晶（以下、垂直配向液晶という）の配向分割制御をＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式により行う液晶表示パネルに関する。

ＭＶＡ方式を用いた液晶表示パネルについて簡単に説明する。ＭＶＡ方式の液晶表示パネルは、液晶に印加する電界を局所的に歪ませて液晶を配向規制する部材として、電極上に設けた突起、あるいは電極内で電極材が形成されていないスリット状の電極抜き領域のいずれかを有している。ここでは、配向規制部材として画素電極にスリット状の電極抜き領域が設けられている液晶表示パネルについて図７を参照して説明する。

図７は、パネル表面に向かって見た従来の液晶表示パネルの薄膜トランジスタ基板の概略構成を示している。液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ基板と対向基板及びこれらの基板間に挟持される垂直配向液晶とで構成される。

図７において、薄膜トランジスタ基板には、図中横方向に延びるゲートバスライン１と縦方向に延びるデータバスライン２とで画定される画素領域毎に、薄膜トランジスタ３と透明電極材料（例えば、ＩＴＯ；インジウム・ティン・オキサイド）からなる画素電極４が形成されている。

画素電極４は、画素領域内に広く分布して形成されるが、スリット状の電極抜き領域（以下、スリットと略称する）５をゲートバスライン１及びデータバスライン２に対して斜め方向に並べて配置することにより、複数の分割電極領域ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅに分割されている。これら複数の分割電極領域ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、スリット５間に形成された細い接続電極６により相互間の導通状態が維持されるようになっている。コンタクトホール７は、薄膜トランジスタ３に直近の分割電極領域ａに設けられている。

薄膜トランジスタ３は、ゲートバスライン１とデータバスライン２との交差位置近傍に形成されている。薄膜トランジスタ３のゲート電極はゲートバスライン１に接続され、ドレイン電極はデータバスライン２に接続され、ソース電極はコンタクトホール７を介して分割電極領域ａに接続されている。

図示は省略したが、薄膜トランジスタ基板と所定の間隙で対向する対向基板には対向電極が形成されている。画素電極４及び対向電極上には不図示の垂直配向膜が形成され、２つの垂直配向膜間には負の誘電異方性を有する液晶が封止されている。対向基板上の対向電極と垂直配向膜との間には誘電体からなる複数の線状の突起が形成されている。線状突起は、画素電極４上のスリットパターンに合わせて周期的に形成されている。２枚の基板間で対向するスリット５と線状突起は基板面から見て半ピッチずつずれて配置されている。スリット５と線状突起は画素領域内の液晶を複数の配向方位に分割する配向制御に用いられる。

２枚の基板の外面には偏光軸が直交する２枚の偏光板が設けられている。電圧印加時に基板表示面で傾斜する液晶分子の長軸の方位が、基板面から見て偏光板の偏光軸に対して概ね４５°の角度になるように偏光板の取り付け方向が調整されている。

負の誘電異方性を有するネマチック液晶をこの基板間に封止すると、液晶分子の長軸は垂直配向膜の膜面に対して垂直方向に配向する。このため、基板面上の液晶分子は基板面に垂直に配向し、線状突起の斜面上の液晶分子は基板面に対して傾斜して配向する。

上記構造のＭＶＡ−ＬＣＤの両電極間に電圧を印加しない状態で、一方の基板面から光を入射させると、一方の偏光板を通過して液晶層に入射した直線偏光の光は、垂直配向している液晶分子の長軸の方向に沿って進む。液晶分子の長軸方向には複屈折が生じないため入射光は偏光方位を変えずに進み、一方の偏光板と直交する偏光軸を有する他方の偏光板で吸収されてしまう。これにより電圧無印加時において暗状態の表示が得られる。

対向電極間に電圧が印加されると、線状突起で予め傾斜している液晶分子の配向方位と、スリット５近傍に生じる斜め電界により傾斜する液晶分子の配向方位に倣って基板面上の液晶分子の配向方位が規制されつつ液晶分子の長軸が基板面に平行に配向する。

この状態の液晶層に入射した直線偏光の光に対して液晶分子は複屈折性を示し、入射光の偏光状態は液晶分子の傾きに応じて変化する。所定の最大電圧印加時において液晶層を通過する光は、その偏光方位が９０°回転させられた直線偏光となるので、他方の偏光板を透過して明状態の表示が得られる。再び電圧無印加状態に戻すと配向規制力により暗状態の表示に戻すことができる。また、印加電圧を変化させて液晶分子の傾きを制御して他の偏光板からの透過光強度を変化させることにより階調表示が可能となる。

各画素にＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス型のＭＶＡ方式ＴＦＴ−ＬＣＤによれば画素内の液晶の配向方位を複数に分割できるので、ＴＮ型ＴＦＴ−ＬＣＤと比較して極めて広い視野角と高いコントラストを実現することができる。また、ラビング処理が不要であるので、製造工程が容易になると共に製造歩留まりを向上させることができるようになる。

ところで、近年、液晶表示パネルの需要は増加し、パソコンや携帯端末の表示デバイスとして広く用いられてきている。そのような中で市場からは、低価格で、かつ高精細、大画面化の要請が強まってきている。したがって高精細、大画面化の要請に応えるために、微細パターンが増加することになる。

その結果、画素電極４のパターニング工程では、例えば図８に示すように、画素電極パターンの形成中にごみ混入などによるパターン不良が発生することがあり、歩留まり低下によるコスト高の原因となっている。

図８は、図７と同様にパネル正面方向から見た薄膜トランジスタ基板の概略構成であって、横方向に並ぶ２つの画素領域を示している。各画素領域にはそれぞれ薄膜トランジスタ３ａ、３ｂと、スリット５が形成された画素電極４ａ、４ｂが形成されている。

さて、図８において、薄膜トランジスタ３ｂ上層の斜線領域Ｇは、画素電極４のパターニングの際、薄膜トランジスタ３ｂ上層において画素電極４ａの分割電極領域ｂと画素電極４ｂの分割電極領域ａとがＩＴＯで接続されてしまっている領域を示している。

この場合、２つの画素電極４ａ、４ｂは導通しているので互いに異なるデータが書き込まれると表示不良になる。このような隣接画素電極同士が短絡してしまう欠陥は連結不良と呼ぶが、従来はこの連結不良を修復して画素を救済することができず製造歩留まりの低下を引き起こしている。

本発明の目的は、連結不良を生じている画素を救済して、製造歩留まりを向上させることができる液晶表示パネルを提供することにある。

上記目的は、画素領域毎に形成されて所定のバスラインに接続される薄膜トランジスタと、前記画素領域に設けられ、スリット状の電極抜き領域により少なくとも３つ以上の分割電極領域に分割された画素電極と、隣り合う前記分割電極領域間を電気的に接続する接続電極と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを電気的に接続する接続部とを有する薄膜トランジスタ基板を備え、前記薄膜トランジスタ基板に対向配置された対向基板との間に液晶を封止した液晶表示パネルにおいて、前記接続部は、少なくとも２つ以上の前記分割電極領域と前記接続電極を介して接続可能な分割電極領域に設けられていることを特徴とする液晶表示パネルによって達成される。

本発明によれば、隣接画素との連結不良が生じても、複数の分割電極領域のうち、連結不良に関連する分割電極領域周囲の接続電極をレーザ光の照射等により非導通として、残りの大部分の分割電極領域を救済することができるようになる。

また、上記本発明の液晶表示パネルにおいて、前記接続部は、前記バスライン又は前記薄膜トランジスタに直近の前記分割電極領域に設けられることを特徴とする。少なくとも２つ以上の前記分割電極領域と前記接続電極を介して接続可能な分割電極領域が複数ある場合には、バスライン又は薄膜トランジスタに最も近い位置にある当該分割電極領域に接続部を設けるようにすれば、配線パターンを短くでき、開口率を低下させずに済むようになる。

また、上記本発明の液晶表示パネルにおいて、前記接続電極は、前記分割電極領域と同一の電極材料で形成されていることを特徴とする。本発明によれば、接続電極を分割電極領域のパターニング時に同時に形成することができ、製造工程を増加させないようにすることができる。

さらに、上記本発明の液晶表示パネルにおいて、前記電極抜き領域は、前記液晶に印加される電界に歪みを生じさせて前記液晶の配向を制御する配向規制部材であることを特徴とする。本発明によれば、不良となった分割電極領域を切り離した残りの分割電極領域で垂直配向液晶の配向分割が行えるので、他の正常な画素電極と同様に広視野の表示動作が行えるようになる。

さらに上記本発明の液晶表示パネルにおいて、前記電極抜き領域は、バスラインに対して斜め形成されている、あるいはバスラインに並列に形成されていることを特徴とする。本発明によれば、両基板外面に貼り付ける偏光板の偏光軸の調整や視野角特性の調整などにおける設計の自由度を高めることができるようになる。

以上の通り、本発明によれば、連結不良を生じている画素を救済して、製造歩留まりを向上させることができる。

本発明の第１実施の形態による液晶表示パネルの概略構成を示す図である。 本発明の第２実施の形態による液晶表示パネルの概略構成を示す図である。 本発明の第３実施の形態による液晶表示パネルの概略構成を示す図である。 本発明の第４実施の形態による液晶表示パネルの概略構成を示す図である。 本発明の第５実施の形態による液晶表示パネルの概略構成を示す図である。 本発明の第６実施の形態による液晶表示パネルの概略構成を示す図である。 従来の液晶表示パネルの概略構成を示す図である。 従来の液晶表示パネルにおいて画素電極にパターン不良が発生した状態を示す図である。

本発明の第１の実施の形態による液晶表示パネルを図１を用いて説明する。なお、以下の説明において、図７及び図８を用いて説明した構成要素と同一の作用機能を有する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。図１は、パネル面に向かって見た液晶表示パネルの概略構成を示しており、横方向に並ぶ２つの画素領域を示している。各画素領域にはそれぞれ薄膜トランジスタ３ａ、３ｂと、スリット５が形成された画素電極４ａ、４ｂが形成されている。

本実施の形態における２つの画素電極４ａ、４ｂに形成されるスリット５ａ、５ｂ、５ｃの形成方向は、ゲートバスライン１及びデータバスライン２に対して斜めになっている。この形成方向は、図７及び図８を用いて説明した従来の薄膜トランジスタ基板に形成されたスリット５の形成方向とはデータバスラインの延びる方向に関して逆向きになっている。図１では、４つの分割電極領域ａ、ｂ、ｃ、ｄを示している。

薄膜トランジスタ３ａ、３ｂのソース電極と画素電極４ａ、４ｂとを電気的に接続する接続部を構成するコンタクトホール７ａ、７ｂは、各画素電極４ａ、４ｂの分割電極領域ｂに設けられている。なお、斜線領域Ａ内にある画素電極４ｂの分割電極領域ｂに設けられているコンタクトホール７ｂは表示を省略している。このように本実施の形態での接続部は、２つの分割電極領域ａ、ｃと接続電極６ａ、６ｂを介して接続する分割電極領域ｂに設けられている。

接続部を構成するコンタクトホール７ａ、７ｂが設けられる領域として分割電極領域ｂを選択するのは、第１に、分割電極領域ｂが薄膜トランジスタ３ａ、３ｂ及びデータバスライン２に直近に配置されているからである。分割電極領域ｂを選択することにより、データバスライン近傍に薄膜トランジスタ３を形成でき、さらに、薄膜トランジスタ３のソース電極からコンタクトホール７までの距離を短くすることができる。第２に、隣接画素との連結不良が生じても、複数の分割電極領域ａ、ｂ、ｃ、ｄのうち、例えば図１に示すように、連結不良に関与する画素領域４ａの分割電極領域ａの周囲の接続電極６ａをレーザ光の照射等により非導通にすれば、画素領域４ａの残りの大部分の分割電極領域ｂ、ｃ、ｄを救済することができるからである。

さて、図１において、薄膜トランジスタ３ｂ上層の斜線領域Ａは、薄膜トランジスタ３ｂの近傍において画素電極４ａの分割電極領域ａと画素電極４ｂの分割電極領域ｂとが電気的に接続された画素電極パターン不良による連結不良の生じた領域を示している。

この場合、本実施の形態では、画素電極４ａ側の分割電極領域ａを画定するスリット５ａ上の接続電極６ａにレーザ光等を照射して切断し、分割電極領域ａ、ｂ間を非導通とし、分割電極領域ａを薄膜トランジスタ３ａから電気的に分離することにより、画素電極４ａ、４ｂ間の電気的接続を遮断することができる。薄膜トランジスタ３ａ、３ｂは、相互に影響されることなく独立に動作できるようになる。

このとき、画素電極４ａでは、分割電極領域ｂ、ｃ、ｄが薄膜トランジスタ３ａに接続される状態となる。また、画素電極４ｂでは、画素電極４ａ側の分割電極領域ａが新たに画素トランジスタ３ｂに接続される状態となる。

画素電極４ａにおいては、相互に導通状態にある分割電極領域ｂ、ｃ間のスリット５ｂと図示しない対向電極との間に生じる斜め電界により、垂直配向液晶を所定方向に配向規制して配向分割が行われる。同様に、分割電極領域ｃ、ｄ間のスリット５ｃと図示しない対向電極との間に生じる斜め電界により、垂直配向液晶を所定方向に配向規制して配向分割が行われる。つまり、画素電極４ａでは、相互に導通状態にある分割電極領域ｂ、ｃ、ｄにより、他の正常な画素の画素電極とほぼ同様の広視野角の表示動作を行うことができるようになる。

また、画素電極４ｂでは、新たに加わった画素電極４ａ側の分割電極領域ａを除いたそれぞれの分割電極領域ａ、ｂ、ｃ、ｄ間のスリット５において同様の配向分割が行われる。

このように、図１の斜線領域Ａで示す画素電極パターン不良に対し画素電極４ａ側の分割電極領域ａを切り離して連結不良を修復し、残りの分割電極領域ｂ、ｃ、ｄを救済して画素電極４ａ、４ｂを同時に救済できるようになるので、歩留まりを向上させることが可能となる。

次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示パネルを図２を用いて説明する。図２は、パネル面に向かって見た液晶表示パネルの概略構成を示しており、横方向に並ぶ２つの画素領域を示している。各画素領域にはそれぞれ薄膜トランジスタ３ａ、３ｂと、スリット５が形成された画素電極４ａ、４ｂが形成されている。

本実施の形態における２つの画素電極４ａ、４ｂに形成されるスリット５ａ、５ｂは、データバスライン２に並列に形成されている。図２では、図中横方向に並ぶ３つの分割電極領域ａ、ｂ、ｃを示している。

薄膜トランジスタ３ａ、３ｂのソース電極と画素電極４ａ、４ｂとを電気的に接続する接続部を構成するコンタクトホール７ａ、７ｂは、各画素電極４ａ、４ｂの分割電極領域ｂに設けられている。このように本実施の形態での接続部は、２つの分割電極領域ａ、ｃと接続電極６ａ、６ｂを介して接続する分割電極領域ｂに設けられている。

接続部を構成するコンタクトホール７ａ、７ｂが設けられる領域として分割電極領域ｂを選択するのは、隣接画素との連結不良が生じても、複数の分割電極領域ａ、ｂ、ｃのうち、例えば図２に示すように、連結不良に関与する画素領域４ａの分割電極領域ｃ周囲の接続電極６ｂをレーザ光の照射等により非導通にすれば、画素領域４ａの残りの分割電極領域ａ、ｂを救済することができるからである。同様に、連結不良に関与する画素領域４ｂの分割電極領域ａ周囲の接続電極６ａをレーザ光の照射等により非導通にすれば、画素領域４ａの残りの分割電極領域ｂ、ｃを救済することができるからである。

さて、図２において、斜線領域Ｂは、画素電極４ａの分割電極領域ｃと画素電極４ｂの分割電極領域ａとが電気的に接続されて画素電極パターン不良の生じた領域を示している。この例において本実施の形態では２つの修復方法を採ることができる。

第１の修復方法は、画素電極４ａにおいて、分割電極領域ｃを画定するスリット５ｂ上の接続電極６ｂにレーザ光を照射して切断し、分割電極領域ｂ、ｃ間を非導通とし、分割電極領域ｃを薄膜トランジスタ３ａから電気的に分離する。こうすることにより、画素電極４ａ、４ｂ間の電気的接続を遮断することができる。

第２の修復方法は、画素電極４ｂにおいて、分割電極領域ａを画定するスリット５ａ上の接続電極６ａにレーザ光を照射して切断し、分割電極領域ａ、ｂ間を非導通とし、分割電極領域ａを薄膜トランジスタ３ｂから電気的に分離する。こうすることにより、画素電極４ａ、４ｂ間の電気的接続を遮断することができる。

以上の何れの方法によっても画素電極４ａ、４ｂ間の電気的接続を遮断できるので、薄膜トランジスタ３ａ、３ｂは、相互に影響されることなく独立に動作でき、両画素電極を共に救済できるようになる。

第１の修復方法による場合には、画素電極４ａにおいては、相互に導通状態にある分割電極領域ａ、ｂ間のスリット５ａと図示しない対向電極との間に生じる斜め電界により、垂直配向液晶を所定方向に配向規制して配向分割が行われる。つまり、画素電極４ａでは、相互に導通状態にある分割電極領域ａ、ｂにより、他の正常な画素の画素電極とほぼ同様の広視野角の表示動作を行うことができるようになる。また、画素電極４ｂでは、新たに加わった画素電極４ａ側の分割電極領域ｃを除いたそれぞれの分割電極領域ａ、ｂ、ｃ間のスリット５において同様の配向分割が行われる。

また、第２の方法による場合には、画素電極４ｂにおいては、相互に導通状態にある分割電極領域ｂ、ｃ間のスリット５ｂと図示しない対向電極との間に生じる斜め電界により、垂直配向液晶を所定方向に配向規制して配向分割が行われる。つまり、画素電極４ｂでは、相互に導通状態にある分割電極領域ｂ、ｃにより、他の正常な画素の画素電極とほぼ同様の広視野角の表示動作を行うことができるようになる。また、画素電極４ａでは、新たに加わった画素電極４ｂ側の分割電極領域ａを除いたそれぞれの分割電極領域ａ、ｂ、ｃ間のスリット５において同様の配向分割が行われる。

このように、図２の斜線領域Ｂで示す画素電極パターン不良に対し画素電極４ａ側の分割電極領域ｃを切り離して連結不良を修復して残りの分割電極領域ａ、ｂを救済し、あるいは、画素電極４ｂの分割電極領域ａを切り離して残りの分割電極領域ｂ、ｃを救済することにより、画素電極４ａ、４ｂを同時に救済できるようになる。これにより、歩留まりを向上させることが可能となる。

次に、本発明の第３の実施の形態による液晶表示パネルを図３を用いて説明する。図３は、パネル面に向かって見た液晶表示パネルの概略構成を示しており、横方向に並ぶ２つの画素領域を示している。各画素領域にはそれぞれ薄膜トランジスタ３ａ、３ｂと、スリット５が形成された画素電極４ａ、４ｂが形成されている。

本実施の形態における２つの画素電極４ａ、４ｂに形成されるスリット５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅは、ゲートバスライン１に並列に形成されている。図３では、図中縦方向に並ぶ６つの分割電極領域ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆを示している。

薄膜トランジスタ３ａ、３ｂのソース電極と画素電極４ａ、４ｂとを電気的に接続する接続部を構成するコンタクトホール７ａ、７ｂは、各画素電極４ａ、４ｂの分割電極領域ｃに設けられている。このように本実施の形態での接続部は、２つの分割電極領域ｂ、ｄと接続電極６ｂ、６ｃを介して接続する分割電極領域ｃに設けられている。

接続部を構成するコンタクトホール７ａ、７ｂが設けられる領域として分割電極領域ｃを選択するのは、隣接画素との連結不良が生じても、複数の分割電極領域ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆのうち、例えば図３に示すように、連結不良に関与する画素領域４ａの分割電極領域ａ周囲の接続電極６ａをレーザ光の照射等により非導通にすれば、画素領域４ａの残りの分割電極領域ｂ〜ｆを救済することができるからである。同様に、連結不良に関与する画素領域４ｂの分割電極領域ａ周囲の接続電極６ａをレーザ光の照射等により非導通にすれば、画素領域４ａの残りの分割電極領域ｂ〜ｆを救済することができる。さらに本実施の形態では、仮に分割電極領域ｂに連結不良が生じても、残りの分割領域ｃ〜ｆを救済することができる。

さて、図３において、斜線領域Ｃは、画素電極４ａ、４ｂの分割電極領域ａ同士が電気的に接続されている画素電極パターン不良が生じた領域を示している。この例において本実施の形態では２つの修復方法を採ることができる。

第１の修復方法は、画素電極４ａにおいて、分割電極領域ａを画定するスリット５ａ上の接続電極６ａにレーザ光を照射して切断し、分割電極領域ａ、ｂ間を非導通とし、分割電極領域ａを薄膜トランジスタ３ａから電気的に分離する。こうすることにより、画素電極４ａ、４ｂ間の電気的接続を遮断することができる。

第２の修復方法は、画素電極４ｂにおいて、分割電極領域ａを画定するスリット５ａ上の接続電極６ａにレーザ光を照射して切断し、分割電極領域ａ、ｂ間を非導通とし、分割電極領域ａを薄膜トランジスタ３ｂから電気的に分離する。こうすることにより、画素電極４ａ、４ｂ間の電気的接続を遮断することができる。

以上の何れの方法によっても画素電極４ａ、４ｂ間の電気的接続を遮断できるので、薄膜トランジスタ３ａ、３ｂは、相互に影響されることなく独立に動作でき、両画素電極４ａ、４ｂを共に救済できるようになる。本実施の形態も第２の実施の形態と同様に、救済された分割電極領域を用いて他の正常な画素の画素電極とほぼ同様の広視野角の表示動作を行うことができるようになる。

このように、図３の斜線領域Ｃで示す画素電極パターン不良に対し画素電極４ａまたは画素電極４ｂにおいて分割電極領域ａを切り離して残りの分割電極領域ｂ〜ｆを救済することにより、画素電極４ａ、４ｂを同時に救済できるようになる。これにより、歩留まりを向上させることが可能となる。

次に、本発明の第４の実施の形態による液晶表示パネルを図４を用いて説明する。図４は、パネル面に向かって見た液晶表示パネルの概略構成を示しており、横方向に並ぶ２つの画素領域を示している。各画素領域にはそれぞれ薄膜トランジスタ３ａ、３ｂと、スリット５が形成された画素電極４ａ、４ｂが形成されている。

本実施の形態における２つの画素電極４ａ、４ｂに形成されるスリット５ａ、５ｂ、５ｃは、ゲートバスライン１及びデータバスライン２に対して斜めに形成されている。この形成方向は、図７及び図８を用いて説明した従来の薄膜トランジスタ基板に形成されたスリット５の形成方向と同じである。なお、斜線領域Ｄ中に表れる画素電極４ｂの分割電極領域ａは表示を省略している。

本実施の形態による薄膜トランジスタ３ａ、３ｂは、図中右隣りのデータバスライン２近傍に形成されている。薄膜トランジスタ３ａ、３ｂのソース電極と画素電極４ａ、４ｂとを電気的に接続する接続部を構成するコンタクトホール７ａ、７ｂは、各画素電極４ａ、４ｂの分割電極領域ｃに設けられている。このように本実施の形態での接続部は、２つの分割電極領域ｂ、ｄと接続電極６ｂ、６ｃを介して接続する分割電極領域ｃに設けられている。薄膜トランジスタ３ａ、３ｂを図中右隣りデータバスライン２近傍に形成することにより、それぞれの分割電極領域ｃ内のコンタクトホール７ａ、７ｂと接続する薄膜トランジスタ３ａ、３ｂのソース電極の長さを最短にしている。

接続部を構成するコンタクトホール７ａ、７ｂが設けられる領域として分割電極領域ｃを選択するのは、隣接画素との連結不良が生じても、複数の分割電極領域ａ、ｂ、ｃ、ｄのうち、例えば図４に示すように、連結不良に関与する画素領域４ａ、４ｂの分割電極領域ｂの周囲の接続電極６ｂをレーザ光の照射等により非導通にすれば、画素領域４ａ、４ｂの残りの分割電極領域ｃ、ｄを救済することができるからである。

さて、図４において、斜線領域Ｄは、ゲートバスライン１とデータバスライン２が交差する付近において、画素電極４ａの分割電極領域ａと画素電極４ｂの分割電極領域ａ、ｂとが電気的に接続されている比較的広範囲の画素電極パターン不良が生じた領域を示している。

この場合、本実施の形態では、画素電極４ｂ側の分割電極領域ｂ、ｃ間のスリット５ｂ上の接続電極６ｂをレーザ光等を照射して切断し、分割電極領域ｂ、ｃ間を非導通とし、分割電極領域ａ、ｂを薄膜トランジスタ３ｂから電気的に分離することにより、画素電極４ａ、４ｂ間の電気的接続を遮断することができる。薄膜トランジスタ３ａ、３ｂは、相互に影響されることなく独立に動作できるようになる。

このとき、画素電極４ｂでは、画素分割電極領域ｃ、ｄが薄膜トランジスタ３ｂに接続される状態となる。また、画素電極４ａでは、斜線領域Ｄ下方の画素電極４ｂ側の分割電極領域ａが新たに画素トランジスタ３ａに接続される状態となる。このような状態において、画素電極４ａ側では所望の配向分割制御が行われ、同様に、画素電極４ｂ側では分割電極領域ｃ、ｄにおいて正常な分割配向制御が行われる。

このように、図４の斜線領域Ｄで示す画素電極パターン不良に対し画素電極４ｂ側の分割電極領域ａ、ｂを切り離して連結不良を修復し、残りの分割電極領域ｃ、ｄを救済することにより、画素電極４ａ、４ｂを同時に救済できるようになるので、歩留まりを向上させることが可能となる。

次に、本発明の第５の実施の形態による液晶表示パネルを図５を用いて説明する。図５は、パネル面に向かって見た液晶表示パネルの概略構成を示しており、横方向に並ぶ２つの画素領域を示している。各画素領域にはそれぞれ薄膜トランジスタ３ａ、３ｂと、スリット５が形成された画素電極４ａ、４ｂが形成されている。

本実施の形態における２つの画素電極４ａ、４ｂに形成されるスリット５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄは、第４の実施の形態と同様にゲートバスライン１及びデータバスライン２に対して斜めに形成されている。但し、スリットの形成パターンが図４に示すパターンと異なっている。

本実施の形態による薄膜トランジスタ３ａ、３ｂは、図中右隣りのデータバスライン２近傍に形成されている。薄膜トランジスタ３ａ、３ｂのソース電極と画素電極４ａ、４ｂとを電気的に接続する接続部を構成するコンタクトホール７ａ、７ｂは、各画素電極４ａ、４ｂの分割電極領域ｂに設けられている。このように本実施の形態での接続部は、２つの分割電極領域ａ、ｃと接続電極６ａ、６ｂを介して接続する分割電極領域ｂに設けられている。薄膜トランジスタ３ａ、３ｂを図中右隣りデータバスライン２近傍に形成することにより、それぞれの分割電極領域ｂ内のコンタクトホール７ａ、７ｂと接続する薄膜トランジスタ３ａ、３ｂのソース電極の長さを最短にしている。

接続部を構成するコンタクトホール７ａ、７ｂが設けられる領域として分割電極領域ｂを選択する理由は、第４の実施の形態と同様である。すなわち、隣接画素との連結不良が生じても、ソース電極と接続するコンタクトホール７ａ、７ｂを分割電極領域ｂに設けておけば、複数の分割電極領域ａ、ｂ、ｃ、ｄのうち、例えば図５に示すように、連結不良に関与する画素領域４ｂの分割電極領域ａの周囲の接続電極６ａをレーザ光の照射等により非導通にすれば、画素領域４ａの全てと画素領域４ｂの残りの大部分の分割電極領域ｂ、ｃ、ｄを救済することができる。

さて、図５において斜線領域Ｅは、ゲートバスライン１とデータバスライン２が交差する付近において、画素電極４ａの分割電極領域ｂと画素電極４ｂの分割電極領域ａとが電気的に接続されている画素電極パターン不良が生じた領域を示している。
本実施の形態では、画素電極４ｂ側の分割電極領域ａ、ｂ間のスリット５ａ上の接続電極６ａをレーザ光等を照射して切断し、分割電極領域ａ、ｂ間を非導通とし、分割電極領域ａを薄膜トランジスタ３ｂから電気的に分離することにより、画素電極４ａ、４ｂ間の電気的接続を遮断することができる。薄膜トランジスタ３ａ、３ｂは、相互に影響されることなく独立に動作できるようになる。

このとき、画素電極４ｂでは、画素分割電極領域ｂ、ｃ、ｄが薄膜トランジスタ３ｂに接続される状態となる。また、画素電極４ａでは、画素電極４ｂ側の分割電極領域ａが新たに画素トランジスタ３ａに接続される状態となる。このような状態において、画素電極４ａ側では所望の配向分割制御が行われ、同様に、画素電極４ｂ側では分割電極領域ｂ、ｃ、ｄにおいて正常な分割配向制御が行われる。

このように、図５の斜線領域Ｅで示す画素電極パターン不良に対し画素電極４ｂ側の分割電極領域ａを切り離して連結不良を修復し、残りの分割電極領域ｂ、ｃ、ｄを救済することにより、画素電極４ａ、４ｂを同時に救済できるようになるので、歩留まりを向上させることが可能となる。

次に、本発明の第６の実施の形態による液晶表示パネルを図６を用いて説明する。図６は、パネル面に向かって見た液晶表示パネルの概略構成を示しており、横方向に並ぶ２つの画素領域を示している。各画素領域にはそれぞれ薄膜トランジスタ３ａ、３ｂと、スリット５が形成された画素電極４ａ、４ｂが形成されている。

本実施の形態における２つの画素電極４ａ、４ｂに形成されるスリット５ａ、５ｂ、５ｃのパターン形状は、第４の実施の形態と同じである。本実施の形態による薄膜トランジスタ３ａ、３ｂは、図中右隣りデータバスライン２近傍に形成されている。薄膜トランジスタ３ａ、３ｂのソース電極と画素電極４ａ、４ｂとを電気的に接続する接続部を構成するコンタクトホール７ａ、７ｂは、各画素電極４ａ、４ｂの分割電極領域ｂに設けられている。このように本実施の形態での接続部は、２つの分割電極領域ａ、ｃと接続電極６ａ、６ｂを介して接続する分割電極領域ｂに設けられている。薄膜トランジスタ３ａ、３ｂを図中右隣りのデータバスライン２近傍に形成することにより、それぞれの分割電極領域ｂ内のコンタクトホール７ａ、７ｂと接続する薄膜トランジスタ３ａ、３ｂのソース電極の長さを最短にしている。

接続部を構成するコンタクトホール７ａ、７ｂが設けられる領域として分割電極領域ｂを選択する理由は、第４の実施の形態と同様である。この場合、隣接画素との連結不良が生じても、複数の分割電極領域ａ、ｂ、ｃ、ｄのうち、例えば図６に示すように、連結不良に関与する画素領域４ｂの分割電極領域ａの周囲の接続電極６ａをレーザ光の照射等により非導通にすれば、画素領域４ａの全てと画素領域４ｂの残りの大部分の分割電極領域ｂ、ｃ、ｄを救済することができる。

さて、図６において斜線領域Ｆは、ゲートバスライン１とデータバスライン２が交差する付近において、画素電極４ａの分割電極領域ｂと画素電極４ｂの分割電極領域ａとが電気的に接続されている画素電極パターン不良が生じた領域を示している。
本実施の形態では、画素電極４ｂ側の分割電極領域ａを画定するスリット５ａ上の接続電極６ａをレーザ光等を照射して切断し、分割電極領域ａ、ｂ間を非導通とし、分割電極領域ａを薄膜トランジスタ３ｂから電気的に分離することにより、画素電極４ａ、４ｂ間の電気接続を遮断するようにしている。薄膜トランジスタ３ａ、３ｂは、相互に影響されることなく独立に動作できるようになる。

このとき、画素電極４ｂでは、画素分割電極領域ｂ、ｃ、ｄが薄膜トランジスタ３ｂに接続される状態となる。また、画素電極４ａでは、画素電極４ｂ側の分割電極領域ａが新たに画素トランジスタ３ａに接続される状態となる。このような状態において、画素電極４ａ側では所望の配向分割制御が行われ、同様に、画素電極４ｂ側では分割電極領域ｂ、ｃ、ｄにおいて正常な分割配向制御が行われる。

このように、図６の斜線領域Ｆで示す画素電極パターン不良に対し画素電極４ｂ側の分割電極領域ａを切り離して連結不良を修復し、残りの分割電極領域ｂ、ｃ、ｄを救済することにより、画素電極４ａ、４ｂを同時に救済できるようになるので、歩留まりを向上させることが可能となる。

本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば上記実施の形態によるスリット５上の接続電極６は、画素電極４がフォトリソグラフィ工程を用いたパターニングで形成される際、画素電極４と同一工程で同一材料により形成される。本発明はこれに限らず、画素電極４の形成工程とは別の工程を用いて別の材料により接続電極６を形成してももちろんよい。

１ ゲートバスライン
２ データバスライン
３ａ、３ｂ 薄膜トランジスタ
４ａ、４ｂ 画素電極
５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ スリット
６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅ 接続電極
７ａ、７ｂ コンタクトホール
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ 分割電極領域
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ 斜線領域

Claims (4)

1. 垂直配向型の液晶表示パネルであって、
   画素領域毎に形成し、バスラインに接続した薄膜トランジスタと、当該薄膜トランジスタと電気的に接続して前記画素領域に配置した構造体を備えた画素電極と、を備えた薄膜トランジスタ基板と、
   前記薄膜トランジスタ基板に対向配設した対向基板と、
   前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置された負の誘電率異方性を有する液晶を含む液晶層とを備え、
   前記薄膜トランジスタ基板は、１つの画素の中で第１方向に延びる第１構造体と、前記画素の中で前記第１方向とは異なる第２方向に延びる第２構造体とを備え、
   前記第１方向及び第２方向は、前記バスラインの延伸方向に対して斜めであり、
   前記第１構造体及び第２構造体は全て、前記画素電極の一辺から他の辺まで延びており、
   前記第１及び第２構造体によって、電圧印加時に、前記画素の中に、液晶の配向方向が互いに異なる複数の液晶ドメインが形成され、
   前記第１構造体及び第２構造体が、各々、前記第１方向に沿って並んで配置した複数の構成単位、及び前記第２方向に沿って並んで配置した複数の構成単位からなり、
   前記画素電極が、前記複数の構成単位により形成した接続電極部を介して構成した複数の分割電極領域を具備すること
   を特徴とする液晶表示パネル。
2. 前記第１方向と前記第２方向とが略９０°異なることを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。
3. 前記第１構造体及び前記第２構造体が、前記画素電極に形成されたスリットであることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示パネル。
4. 前記接続電極部が、前記複数の分割電極領域と同一の電極材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。

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