JP5099317B2 - 電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、省電力モードを備えた電子機器に関する。

省エネギーのために、機器が使用されないときに省電力モードに移行する機器が知られている。このとき、揮発性メモリ（Dynamic Random Access Memory（ＤＲＡＭ）、Synchronous DRAM（ＳＤＲＡＭ）等）に記憶されているデータを不揮発性メモリに退避させて、揮発性メモリへの給電を停止する技術が知られている。

特許文献１には、Synchronous DRAM（ＳＤＲＡＭ）展開されているプログラムや設定データを、省電力モード移行時にStatic Random Access Memory（ＳＲＡＭ）に退避させる技術が記載されている。また、特許文献２には、ＲＡＭ内の作業データ等を、サスペンションモード移行時にフラッシュメモリにセーブする技術が記載されている（特開平１０−２４０３９１号公報にもこれに類似する技術が記載されている）。
特開２００４−７４６２１号公報 特開平７−２９５６７２号公報

しかしながら、上記の特許文献１に記載の技術では、ＳＤＲＡＭ内のデータの退避先として用いられるＳＲＡＭは揮発性メモリであるため、記憶内容の保持のために給電を継続する必要があり、省電力効果が小さい。

また、上記の特許文献２に記載の技術では、フラッシュメモリの動作速度がＳＤＲＡＭに比して低速であるため、フラッシュメモリにデータを退避して省電力モードに移行した後、通常モードへの復帰が遅くなるという問題がある。

そこで、本発明の解決すべき課題は、通常モードと省電力モードとの間の移行時の動作において、省電力モードから通常モードへの復帰の迅速性を優先した動作と、電力の消費の抑制を優先した動作とをユーザの要望等に応じて切り替えできる電子機器の提供である。

上記の課題を解決するため、請求項１の発明では、揮発性メモリと、書換可能な不揮発性メモリと、動作モードとして通常の電力消費レベルで演算処理を行う通常モードと電力の消費を抑えた状態で演算処理を行う省電力モードとを有する演算処理部とを備え、前記演算処理部は、動作モード移行時の動作として、第１及び第２の動作を切り替え可能に有し、前記第１の動作が選択されているときには、前記揮発性メモリ内のデータを前記不揮発性メモリに退避させて前記通常モードから前記省電力モードに移行し、前記第２の動作が選択されているときには、前記揮発性メモリ内のデータを前記揮発性メモリ内で保持させた状態で前記通常モードから前記省電力モードに移行する電子機器において、前記演算処理部は、前記省電力モードから前記通常モードへの移行時において、前記第１の動作が選択されているときには、前記不揮発性メモリに退避させておいた前記データを前記不揮発性メモリから前記揮発性メモリに転送して前記揮発性メモリから読み込む第１の復帰動作と、前記不揮発性メモリに退避させておいた前記データを前記不揮発性メモリから直接読み込む第２の復帰動作とのいずれか一方を選択可能となっている一方、前記第２の動作が選択されているときには、前記揮発性メモリに保持させていた前記データを読み込む。

また、請求項２の発明では、請求項１の発明に係る電子機器において、前記揮発性メモリは、データの入出力に対応する第１のモードと、電力の消費を抑制してデータの保持を行う第２のモードとを切り替え可能に有し、前記演算処理部は、前記通常モードから前記省電力モードへの移行時において、前記第２の動作が選択されているときには、前記揮発性メモリを前記第１のモードから前記第２のモードに移行させる。

請求項１及び請求項２に記載の発明によれば、通常モードから省電力モードへの移行時に第１の動作が選択されているときには、揮発性メモリ内のデータが不揮発性メモリに退避されるため、省電力モードにおいて揮発性メモリへの給電を停止でき、電力の消費を抑制できる。但し、この場合は省電力モードから通常モードへの復帰時に、データを不揮発性メモリから揮発性メモリに転送してから演算処理部に読み込ませるか、不揮発性メモリから直接演算処理部に読み込ませる必要があるため、復帰が遅くなる。

一方、通常モードから省電力モードへの移行時に第１の動作が選択されているときには、揮発性メモリにデータを保持させた状態で省電力モードに移行するため、通常モードへ高速で復帰できる。但し、この場合は省電力モード時に不揮発性メモリにデータ保持のための給電を継続する必要があるため、電力を節約する効果は小さくなる。

このように、本発明によれば、通常モードと省電力モードとの間の移行時の動作において、省電力モードから通常モードへの復帰の迅速性を優先した動作と、電力の消費の抑制を優先した動作とをユーザの要望等に応じて切り替えできる。

また、省電力モードから通常モードへの移行時において、第１の動作が選択されているときに第１の復帰動作が選択された場合には、不揮発性メモリに退避させておいたデータを不揮発性メモリから揮発性メモリに転送して揮発性メモリから演算処理部に読み込ませるため、通常モードへの復帰が速い。一方、第２の復帰動作が選択された場合には、不揮発性メモリに退避させておいたデータを不揮発性メモリから直接演算処理部に読み込ませるため、揮発性メモリへの給電を停止した状態で通常モードに復帰でき、電力の消費の抑制に有利である。このように第１の復帰動作と第２の復帰動作を切り替えることにより、種々の状況に効率よく対応できる。

請求項２に記載の発明によれば、電力の消費を抑制してデータの保持を行う第２のモードを有する揮発性メモリを採用したため、電力の消費をさらに抑制できる。

図１は、本発明の一実施形態に係る電子機器の構成及び通常モード時の動作を示すブロック図である。この電子機器１は、図１に示すように、揮発性メモリであるＳＤＲＡＭ２と、書換可能な不揮発性メモリであるフラッシュメモリ３と、動作モードとして通常の電力消費レベルで演算処理を行う通常モードと電力の消費を抑えた状態で演算処理を行うスリープモード（省電力モード）とを有する演算処理部であるCentral Processing Unit（ＣＰＵ）４とを備えている。なお、上記構成の変形例として、ＳＤＲＡＭ２に代えてＤＲＡＭ等の他の揮発性メモリを用いてもよく、フラッシュメモリ３に代えてElectrically Erasable Programmable Read-Only Memory（ＥＥＰＲＯＭ）等の他の不揮発性メモリを用いてもよい。

ＳＤＲＡＭ２は、ＣＰＵ４が処理を行うためのワークエリア等として用いられる。また、ＳＤＲＡＭ２は、データの入出力に対応する第１のモードと、電力の消費を抑制してデータの保持を行う第２のモード（例えば、セルフリフレッシュモード）とを切り替えできる。

フラッシュメモリ３は、ＣＰＵ４が実行するプログラム及びＣＰＵ４の処理に必要な設定データ等の格納に用いられるとともに、スリープモード移行時のデータの待避場所として用いられる。

ＣＰＵ４は、電源投入による起動時等においては、図１に示すように、フラッシュメモリ３に記憶されたプログラム及び設定データ等をＳＤＲＡＭ２に転送し、ＳＤＲＡＭ２から読み込み、動作速度の速いＳＤＲＡＭ２を用いて処理を実行する。

ＣＰＵ４の動作モード移行時の動作として、第１及び第２の動作が切り替え可能に備えられている。第１の動作が選択されているときには、ＣＰＵ４は、図２（ａ）に示すように、ＳＤＲＡＭ２内のデータをフラッシュメモリ３に退避させて通常モードからスリープモード１に移行する。このときＳＤＲＡＭ２への給電が停止されて、電力の消費が抑制される。また、このスリープモード１では、ＣＰＵ４はスリープモード時の処理に必要なプログラムや設定データ等をフラッシュメモリ３から読み込む。

このスリープモード１から通常モードへの復帰時には、ＣＰＵ４は、図２（ｂ）に示すように、フラッシュメモリ３に退避させておいた待避データをフラッシュメモリ３からＳＤＲＡＭ２に転送してＳＤＲＡＭ２から読み込んで処理を実行する。このように待避データをフラッシュメモリ３からＳＤＲＡＭ２に転送してＳＤＲＡＭ２から読み込むため、通常モードへ迅速に復帰できる。但し、待避データをフラッシュメモリ３からＳＤＲＡＭ２に転送する時間が必要であるため、その分通常モードへの復帰は遅くなる。

一方、第２の動作が選択されているときには、ＣＰＵ４は、図３（ａ）に示すように、ＳＤＲＡＭ２を第１のモードから第２のモード（例えば、セルフリフレッシュモード）に移行させてＳＤＲＡＭ２内で展開されているデータをＳＤＲＡＭ２内に保持させた状態で通常モードからスリープモード２に移行する。このとき、ＳＤＲＡＭ２へはデータ保持のための給電が継続されるため、その分電力の消費を節約する効果は小さくなる。また、このスリープモード２においてもスリープモード１と同様に、ＣＰＵ４はスリープモード時の処理に必要なプログラムや設定データ等をフラッシュメモリ３から読み込む。

このスリープモード２から通常モードへの復帰時には、ＣＰＵ４は、図３（ｂ）に示すように、ＳＤＲＡＭ２を第２のモードから第１のモードに移行させ、ＳＤＲＡＭ２内に保持されているデータを読み込んで処理を実行する。このとき、上記のスリープモード１からの復帰時のように、待避データをフラッシュメモリ３からＳＤＲＡＭ２に転送する必要がないため、その分通常モードへの復帰が速くなる。

動作モード移行時の動作として、ＣＰＵ４に第１の動作と第２の動作のいずれを選択させるかは、ユーザの設定により自由に切り替えできる。例えば、ＣＰＵ４に第１の動作と第２の動作のいずれを選択させるかを予めユーザが指定してもよいし、あるいは、ＣＰＵ４が第１の動作か第２の動作かを選択するための選択条件を設定しておき、ＣＰＵ４がその選択条件に従って第１及び第２の動作のいずれを選択するべきかを判断するようにしてもよい。例えば、具体例として、スリープモードへの移行時の時刻や動作状況に関して予め設定された選択条件に従って、ＣＰＵ４が第１及び第２の動作のいずれを選択するべきかを判断するようにしてもよい。

以上のように、本実施形態によれば、動作モード移行時の動作として上記の第１及び第２の動作が切り替え可能に設けられているため、通常モードとスリープモードとの間の移行時の動作において、スリープモードから通常モードへの復帰の速度を優先した動作と、電力の消費の抑制を優先した動作とをユーザの要望等に応じて切り替えできる。

また、第２のモード（例えば、セルフリフレッシュモード）を有するＳＤＲＡＭ２を採用したため、電力の消費をさらに抑制できる。

なお、上述の実施形態の変形例として、スリープモード１から通常モードへの復帰時において、ＣＰＵ４が、退避データをフラッシュメモリ３からＳＤＲＡＭ２に転送してＳＤＲＡＭ２から読み込みんで処理を実行する第１の復帰動作と、退避データをフラッシュメモリ３から直接読み込んで処理を実行する第２の復帰動作とのいずれか一方を選択できるようにしてもよい。第１の復帰動作により、退避データをフラッシュメモリ３からＳＤＲＡＭ２に転送してＳＤＲＡＭ２からＣＰＵ４に読み込ませた場合には、通常モードへの復帰が速い利点がある。一方、第２の復帰動作により、退避データをフラッシュメモリ３から直接ＣＰＵ４に読み込ませた場合には、ＳＤＲＡＭ２への給電を停止した状態で通常モードに復帰でき、電力の消費の抑制に有利である。

このように第１の復帰動作と第２の復帰動作を切り替えて選択することにより、種々の状況に効率よく対応できる。例えば、この電子機器１がファクシミリ装置である場合、夜間のファクシミリの受信等のように迅速な処理が要求されない場合には、第２の復帰動作が選択されるように設定しておくことにより、電力の消費の抑制が図れる。

本発明の一実施形態に係る電子機器の構成及び通常モード時の動作を示すブロック図である。 （ａ）はスリープモード１の動作を示す図であり、（ｂ）はスリープモード１からの復帰時の動作を示す図である。 （ａ）はスリープモード２の動作を示す図であり、（ｂ）はスリープモード２からの復帰時の動作を示す図である。

符号の説明

１ 電子機器
２ ＳＤＲＡＭ
３ フラッシュメモリ
４ ＣＰＵ

Claims (2)

1. 揮発性メモリと、書換可能な不揮発性メモリと、動作モードとして通常の電力消費レベルで演算処理を行う通常モードと電力の消費を抑えた状態で演算処理を行う省電力モードとを有する演算処理部とを備え、
   前記演算処理部は、動作モード移行時の動作として、第１及び第２の動作を切り替え可能に有し、前記第１の動作が選択されているときには、前記揮発性メモリ内のデータを前記不揮発性メモリに退避させて前記通常モードから前記省電力モードに移行し、前記第２の動作が選択されているときには、前記揮発性メモリ内のデータを前記揮発性メモリ内で保持させた状態で前記通常モードから前記省電力モードに移行する電子機器において、
   前記演算処理部は、前記省電力モードから前記通常モードへの移行時において、前記第１の動作が選択されているときには、前記不揮発性メモリに退避させておいた前記データを前記不揮発性メモリから前記揮発性メモリに転送して前記揮発性メモリから読み込む第１の復帰動作と、前記不揮発性メモリに退避させておいた前記データを前記不揮発性メモリから直接読み込む第２の復帰動作とのいずれか一方を選択可能となっている一方、前記第２の動作が選択されているときには、前記揮発性メモリに保持させていた前記データを読み込むことを特徴とする電子機器。
2. 請求項１に記載の電子機器において、
   前記揮発性メモリは、データの入出力に対応する第１のモードと、電力の消費を抑制してデータの保持を行う第２のモードとを切り替え可能に有し、
   前記演算処理部は、前記通常モードから前記省電力モードへの移行時において、前記第２の動作が選択されているときには、前記揮発性メモリを前記第１のモードから前記第２のモードに移行させることを特徴とする電子機器。

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