JP5098250B2

JP5098250B2 - 液晶組成物および液晶表示素子

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Publication number: JP5098250B2
Application number: JP2006218213A
Authority: JP
Inventors: 元樹梁井
Original assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2006-08-10
Filing date: 2006-08-10
Publication date: 2012-12-12
Anticipated expiration: 2026-08-10
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Description

本発明は、主としてＡＭ（active matrix）素子に適する液晶組成物およびこの組成物を含有するＡＭ素子に関する。特に、誘電率異方性が負の液晶組成物に関し、この組成物を含有するＩＰＳ（in-plane switching）モードまたはＶＡ（vertical alignment）モードの素子に関する。

液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）および多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。

これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。この液晶組成物はネマチック相を有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめる。組成物の一般的特性を市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−１０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。

組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。ＶＡモード、ＩＰＳモードなどを有する素子は電気的に制御された複屈折（electrically controlled birefringence）を利用する。そこで、ＶＡモード、ＩＰＳモードなどを有する素子におけるコントラスト比を最大にするために、組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）を一定の値に設計する。この値の例は０．３０μｍから０．４０μｍの範囲（ＶＡモード）または０．２０μｍから０．３０μｍの範囲（ＩＰＳモード）である。セルギャップ（ｄ）は通常２μｍから６μｍの範囲であるので、組成物における光学異方性は主に０．０５から０．１６の範囲である。組成物における大きな誘電率異方性は素子における低いしきい値電圧、小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、大きな誘電率異方性が好ましい。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあと、室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。紫外線および熱に対する組成物の安定性は、液晶表示素子の寿命に関する。これらの安定性が高いとき、この素子の寿命は長い。このような特性は、液晶プロジェクター、液晶テレビなどに用いるＡＭ素子に好ましい。

ＴＮモードを有するＡＭ素子においては正の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。一方、ＶＡモードを有するＡＭ素子においては負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。ＩＰＳモードを有するＡＭ素子においては正または負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。負の誘電率異方性を有する液晶組成物の例は次の特許文献に開示されている。

特開平８−１０４８６９号公報特開平１０−１７６１６７号公報特開平１１−１４０４４７号公報特開２００１−３５４９６７公報国際公開２００６／０３８５２２号パンフレット

望ましいＡＭ素子は、使用できる温度範囲が広い、応答時間が短い、コントラスト比が大きい、しきい値電圧が低い、電圧保持率が大きい、寿命が長い、などの特性を有する。１ミリ秒でもより短い応答時間が望ましい。したがって、組成物の望ましい特性は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、大きな光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性などである。

本発明の目的は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性などの特性を有する液晶組成物である。特にネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、そして負に大きな誘電率異方性の３つの特性が優れた液晶組成物である。他の目的は、少なくとも２つの特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物である。別の目的は、このような組成物を含有する液晶表示素子である。別の目的は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、小さな粘度などを有する組成物であり、そして広い動作温度範囲、大きなコントラスト比、低いしきい値電圧、短い応答時間、大きな電圧保持率、長い寿命などを有するＡＭ素子である。

本発明は、第一成分として式（１−１）から式（１−６）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物、および組成物を含有する液晶表示素子である。

ここで、Ｒ^１およびＲ^２は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ^３からＲ^５は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｘ^１およびＸ^２は独立してフッ素または塩素であり、ただし、Ｘ^１およびＸ^２のうち少なくとも１つはフッ素であり；Ｚ^１およびＺ^２は独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；Ｚ^３からＺ^６は独立して単結合または−ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；環Ａ、環Ｂ、環Ｃおよび環Ｄは独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンである。

本発明の長所は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗、紫外線に対する高い安定性、熱に対する高い安定性などの特性において、特にネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、そして負に大きな誘電率異方性を有する液晶組成物である。本発明の１つの側面は、少なくとも２つの特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物である。別の側面は、このような組成物を含有する液晶表示素子である。他の側面はネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、小さな粘度などを有する組成物であり、そして広い動作温度範囲、大きなコントラスト比、低いしきい値電圧、短い応答時間、大きな電圧保持率、長い寿命などを有するＡＭ素子である。

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物または液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物を意味する。この有用な化合物は１，４−シクロヘキシレンや１，４−フェニレンのような六員環を含有し、棒状（rod like）の分子構造を有する。光学活性な化合物は組成物に添加されることがある。この化合物が液晶性化合物であったとしても、ここでは添加物として分類される。式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１−１）」と略すことがある。「化合物（１−１）」は、式（１−１）で表される１つの化合物または２つ以上の化合物を意味する。他の式で表される化合物についても同様である。「任意の」は、位置だけでなく個数についても任意であることを示すが、個数が０である場合を含まない。

ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。第一成分は、１つの化合物または２つ以上の化合物である。「第一成分の割合」は、液晶組成物の全重量に基づいた第一成分の重量百分率（重量％）を意味する。第二成分の割合などにおいても同様である。組成物に混合される添加物の割合は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）を意味する。

成分化合物の化学式において、Ｒ^１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、Ｒ^１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（１−１）のＲ^１がエチルであり、化合物（１−２）のＲ^１がエチルであるケースがある。化合物（１−１）のＲ^１がエチルであり、化合物（１−２）のＲ^１がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１などにも適用される。

本発明は、下記の項のとおりである。
１．第一成分として式（１−１）から式（１−６）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

２．第一成分が式（１−１）および式（１−２）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第三成分が式（３−１）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である、項１に記載の液晶組成物。

３．第一成分が式（１−３）から式（１−６）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第三成分が式（３−１）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である、項１に記載の液晶組成物。

４．液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、第二成分の割合が１５重量％から４０重量％の範囲であり、そして第三成分の割合が２０重量％から５０重量％の範囲である、項１から３のいずれか１項に記載の液晶組成物。

５．第一成分として式（１−１−Ａ）から式（１−６−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３−１−Ａ）および式（３−２−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１およびＲ^２は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ^３からＲ^５は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｚ^１は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；Ｚ^３およびＺ^４は独立して単結合または−ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；環Ｂおよび環Ｄは独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンである。

６．第二成分が式（２−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物であって、式（２−Ａ）において、Ｒ^３が炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり、Ｒ^４が炭素数１から１２のアルコキシであり、式（３−１−Ａ）において、Ｒ^３が炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり、Ｒ^４が炭素数１から１２のアルコキシであり、式（３−２−Ａ）において、Ｒ^３およびＲ^５は独立して炭素数１から１２のアルキルである、項５に記載の液晶組成物。

７．式（１−１−Ａ）から式（１−６−Ａ）において、Ｚ^１が単結合であり、Ｒ^１およびＲ^２のうちいずれか一方は炭素数１から１２のアルキルであり、他方は炭素数２から１２のアルケニルである、項６に記載の液晶組成物。

８．第一成分が式（１−１−Ａ）および式（１−２−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第三成分が式（３−１−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である、項７に記載の液晶組成物。

９．第一成分が式（１−３−Ａ）から式（１−６−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第三成分が式（３−１−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である、項７に記載の液晶組成物。

１０．第一成分が式（１−１−Ａ）および式（１−２−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、および式（１−３−Ａ）から式（１−６−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物の混合物、第三成分が式（３−１−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である、項７に記載の液晶組成物。

１１．液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、第二成分の割合が１５重量％から４０重量％の範囲であり、そして第三成分の割合が２０重量％から５０重量％の範囲である、項５から１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。

１２．第四成分として式（４−１−Ａ）から式（４−４−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項５から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。

ここで、Ｒ^６からＲ^１１は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｘ^３、Ｘ^４およびＸ^５は独立してフッ素または水素であり、Ｘ^３、Ｘ^４およびＸ^５のうち少なくとも１つはフッ素であり；Ｚ^７は−ＣＯＯ−または−ＣＨ_２Ｏ−である。

１３．式（４−１−Ａ）において、Ｒ^６およびＲ^７が炭素数１から１２のアルキルであり、Ｚ^７が−ＣＯＯ−であり、式（４−２−Ａ）および式（４−３−Ａ）において、Ｒ^８が炭素数２から１２のアルケニルであり、Ｒ^９が炭素数１から１２のアルキルであり、式（４−４−Ａ）において、Ｒ^１０およびＲ^１１は独立して炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり、Ｘ^３がフッ素であり、Ｘ^４およびＸ^５が水素である、項１２に記載の液晶組成物。

１４．第四成分が式（４−２−Ａ）で表される化合物で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である、項１２または１３に記載の液晶組成物。

１５．第四成分が式（４−４−Ａ）で表される化合物で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である、項１２または１３に記載の液晶組成物。

１６．液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、第二成分の割合が１５重量％から４０重量％の範囲であり、第三成分の割合が２０重量％から５０重量％の範囲であり、そして第四成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲である、項１２から１５のいずれか１項に記載の液晶組成物。

１７．ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、周波数１ｋＨｚにおける誘電率異方性（２５℃）が−６．０から−３．０の範囲であり、そして波長５８９ｎｍにおける屈折率異方性（２５℃）が０．０８から０．１３の範囲である、項１から１６のいずれか１項に記載の液晶組成物。

１８．項１から１７のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

１９．液晶表示素子の動作モードが、ＶＡモードまたはＩＰＳモードであり、液晶表示素子の駆動方式がアクティブマトリックス方式である項１８に記載の液晶表示素子。

本発明は、次の項も含む。１）光学活性な化合物を含有する上記の組成物、２）酸化防止剤、紫外線吸収剤、消泡剤などの添加物を含有する上記の組成物。３）上記の組成物を含有するＡＭ素子、４）上記の組成物を含有し、そしてＩＰＳまたはＶＡのモードを有する素子、５）上記の組成物を含有する透過型の素子、６）上記の組成物を、ネマチック相を有する組成物としての使用、７）上記の組成物に光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用。

本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。第五に、成分化合物の具体的な例を示す。第六に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。第七に、成分化合物の合成法を説明する。最後に、組成物の用途を説明する。

第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の液晶性化合物、添加物、不純物などをさらに含有してもよい。「その他の液晶性化合物」は、化合物（１−１）、化合物（１−２）、化合物（１−３）、化合物（１−４）、化合物（１−５）、化合物（１−６）、化合物（２）、化合物（３−１）、化合物（３−２）、化合物（４−１−Ａ）、化合物（４−２−Ａ）、化合物（４−３−Ａ）および化合物（４−４−Ａ）とは異なる液晶性化合物である。このような化合物は、特性をさらに調整する目的で組成物に混合される。その他の液晶性化合物の中で、シアノ化合物は熱または紫外線に対する安定性の観点から少ない方が好ましい。シアノ化合物のさらに好ましい割合は０重量％である。添加物は、光学活性な化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、色素、消泡剤などである。不純物は成分化合物の合成などの工程において混入した化合物などである。

組成物Ｂは、実質的に化合物（１−１）、化合物（１−２）、化合物（１−３）、化合物（１−４）、化合物（１−５）、化合物（１−６）、化合物（２）、化合物（３−１）、化合物（３−２）、化合物（４−１−Ａ）、化合物（４−２−Ａ）、化合物（４−３−Ａ）および化合物（４−４−Ａ）から選択された化合物のみからなる。「実質的に」は、これらの化合物と異なる液晶性化合物を組成物が含有しないことを意味する。「実質的に」は、添加物、不純物などを組成物がさらに含有してもよいことも意味する。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。コストを下げるという観点から、組成物Ｂは組成物Ａよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって物性をさらに調整できるという観点から、組成物Ａは組成物Ｂよりも好ましい。

第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果を説明する。成分化合物の主要な特性を本発明の効果に基づいて表２にまとめる。表２の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、Ｓは小さいまたは低い、を意味する。記号Ｌ、Ｍ、Ｓは、成分化合物のあいだの定性的な比較に基づいた分類である。

成分化合物を組成物に混合したとき、成分化合物が組成物の特性に及ぼす主要な効果は次のとおりである。化合物（１−１）および化合物（１−２）は誘電率異方性の絶対値を上げ、粘度を下げ、そして下限温度を下げる。化合物（１−３）から化合物（１−６）は誘電異方性の絶対値を上げ、上限温度を上げ、粘度を下げ、そして下限温度を下げる。化合物（２）は誘電率異方性の絶対値を上げる。化合物（３−１）および化合物（３−２）は誘電率異方性の絶対値を上げ、上限温度を上げる。化合物（４−１−Ａ）、化合物（４−２−Ａ）、化合物（４−３−Ａ）および化合物（４−４−Ａ）は上限温度を上げ、粘度を下げ、そして化合物の含有割合によって屈折率異方性の大小を調整する。

第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第一成分の好ましい割合は、誘電率異方性の絶対値を上げ、下限温度を下げ、そして粘度を下げるために１０重量％以上であり、下限温度を下げるために４０重量％以下である。さらに好ましい割合は１０重量％から３５重量％の範囲である。特に好ましい割合は１０重量％から３０重量％の範囲である。

第二成分の好ましい割合は、誘電率異方性の絶対値を上げるために１５重量％以上であり、上限温度を上げ、下限温度を下げるために４０重量％以下である。さらに好ましい割合は２０重量％から４０重量％の範囲である。特に好ましい割合は２０重量％から３０重量％の範囲である。

第三成分の好ましい割合は、誘電率異方性の絶対値を上げ、上限温度を上げるために２０重量％以上であり、粘度を下げ、下限温度を下げるために５０重量％以下である。さらに好ましい割合は２５重量％から５０重量％の範囲である。特に好ましい割合は３０重量％から５０重量％の範囲である。

第四成分は、特に小さな粘度を有する組成物の調製に適している。この目的で第四成分を含有する場合の好ましい割合は５重量％から３０重量％の範囲である。さらに好ましい割合は５重量％から２５重量％の範囲である。特に好ましい割合は５重量％から２０重量％の範囲である。

組成物Ａにおいて、第一成分、第二成分、第三成分および第四成分の合計の好ましい割合は、良好な特性を得るために７０重量％以上である。さらに好ましい割合は９０％以上である。組成物Ｂにおける四つの成分の合計は１００重量％である。

第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。
Ｒ^１およびＲ^２は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルである。好ましいＲ^１およびＲ^２は上限温度を上げ、下限温度を下げ、そして粘度を下げるために炭素数１から８の直鎖アルキル、炭素数２から８の直鎖アルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から８の直鎖アルケニルである。さらに好ましいＲ^１およびＲ^２は、Ｒ^１およびＲ^２のいずれか一方が炭素数１から８の直鎖アルキルであり、他方が炭素数２から８の直鎖アルケニルである。Ｒ^３からＲ^５は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルである。好ましいＲ^３は上限温度を上げ、粘度を下げるために炭素数１から８の直鎖アルキル、炭素数２から８の直鎖アルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から８の直鎖アルケニルである。さらに好ましいＲ^３は炭素数１から８の直鎖アルキルまたは炭素数２から８の直鎖アルケニルである。好ましいＲ^４は誘電率異方性の絶対値を上げるために炭素数１から１２の直鎖アルキルまたは炭素数１から１２の直鎖アルコキシである。さらに好ましいＲ^４は炭素数１から８の直鎖アルコキシである。特に好ましいＲ^４は炭素数１から４の直鎖アルコキシである。好ましいＲ^５は上限温度を上げ、粘度を下げるために炭素数１から８の直鎖アルキル、炭素数２から８の直鎖アルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から８の直鎖アルケニルである。さらに好ましいＲ^５は炭素数１から８の直鎖アルキルまたは炭素数２から８の直鎖アルケニルである。特に好ましいＲ^５は炭素数１から８の直鎖アルキルである。Ｒ^６からＲ^１１は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルである。好ましいＲ^６およびＲ^７は上限温度を上げ、粘度を下げるために炭素数１から８の直鎖アルキル、炭素数２から８の直鎖アルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から８の直鎖アルケニルである。さらに好ましいＲ^６およびＲ^７は炭素数１から５の直鎖アルキルまたは炭素数２から５の直鎖アルケニルである。特に好ましいＲ^６およびＲ^７は炭素数１から５の直鎖アルキルである。好ましいＲ^８は上限温度を上げ、下限温度を下げ、そして粘度を下げるために炭素数１から１２の直鎖アルキル、炭素数２から１２の直鎖アルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２の直鎖アルケニルである。さらに好ましいＲ^８は炭素数１から１２の直鎖アルキルまたは炭素数２から１２の直鎖アルケニルである。特に好ましいＲ^８は炭素数２から１２の直鎖アルケニルである。好ましいＲ^９は上限温度を上げ、下限温度を下げ、そして粘度を下げるために炭素数１から１２の直鎖アルキルまたは炭素数１から１２の直鎖アルコキシである。さらに好ましいＲ^９は炭素数１から５の直鎖アルキルである。好ましいＲ^１０およびＲ^１１は上限温度を上げ、下限温度を下げ、そして粘度を下げるために炭素数１から１２の直鎖アルキルまたは炭素数２から１２の直鎖アルケニルである。さらに好ましいＲ^１０およびＲ^１１は炭素数１から５の直鎖アルキルまたは炭素数２から５の直鎖アルケニルである。

好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。さらに好ましいアルキルは、粘度を下げるためにエチル、プロピル、ブチル、ペンチル、またはヘプチルである。

好ましいアルコキシは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、またはヘプチルオキシである。粘度を下げるために、さらに好ましいアルコキシは、メトキシまたはエトキシである。

好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、または５−ヘキセニルである。さらに好ましいアルケニルは、粘度を下げるためにビニル、１−プロペニル、３−ブテニル、または３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。粘度を下げるためなどから１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。これらのアルケニルにおいては、分岐よりも直鎖のアルケニルが好ましい。

任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルの好ましい例は、２，２−ジフルオロビニル、３，３−ジフルオロ−２−プロペニル、４，４−ジフルオロ−３−ブテニル、５，５−ジフルオロ−４−ペンテニル、または６，６−ジフルオロ−５−ヘキセニルである。さらに好ましい例は、粘度を下げるために２，２−ジフルオロビニル、または４，４−ジフルオロ−３−ブテニルである。

環Ａ、環Ｂ、環Ｃおよび環Ｄは独立して１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンである。好ましい環Ａは、上限温度を上げ、下限温度を下げ、そして粘度を下げるために１，４−シクロへキシレンである。好ましい環Ｂは、大きな屈折率異方性を求められる場合は１，４−フェニレンであり、小さな屈折率異方性を求められる場合は１，４−シクロへキシレンである。好ましい環Ｃは誘電率異方性の絶対値を上げるために１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンである。好ましい環Ｄは誘電率異方性の絶対値を上げるために１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンである。１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、上限温度を上げるためにシスよりもトランスが好ましい。

Ｚ^１およびＺ^２は独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−または−ＣＨ＝ＣＨ−である。好ましいＺ^１およびＺ^２は下限温度を下げ、粘度を下げるために単結合である。Ｚ^３からＺ^６は独立して単結合または−ＣＨ_２ＣＨ_２−である。好ましいＺ^３は誘電異方性の絶対値を大きくするために単結合または−ＣＨ_２ＣＨ_２−である。さらに好ましＺ^３は単結合である。好ましいＺ^４は下限温度を下げるために単結合である。好ましいＺ^５およびＺ^６は粘度を下げるために単結合である。Ｚ^７は−ＣＯＯ−または−ＣＨ_２Ｏ−である。好ましいＺ^６は下限温度を下げるために−ＣＯＯ−である。

Ｘ^１およびＸ^２は独立してフッ素または塩素であり、ただし、Ｘ^１およびＸ^２のうち少なくとも１つはフッ素である。好ましいＸ^１は誘電率異方性の絶対値を上げるためにフッ素である。好ましいＸ^２は誘電率異方性の絶対値を上げるためにフッ素または塩素である。さらに好ましいＸ^２はフッ素である。Ｘ^３、Ｘ^４およびＸ^５は独立してフッ素または水素であり、ただし、Ｘ^３、Ｘ^４およびＸ^５のうち少なくとも１つはフッ素である。好ましいＸ^３、Ｘ^４およびＸ^５は上限温度を上げ、下限温度を下げ、そして粘度を下げるために順にフッ素、水素および水素、水素、フッ素および水素、フッ素、水素およびフッ素である。さらに好ましいＸ^３、Ｘ^４およびＸ^５は順にフッ素、水素および水素である。

第五に、成分化合物の具体的な例を示す。下記の好ましい化合物において、Ｒ^１２は炭素数１から１２の直鎖のアルキルであり、Ｒ^１３は炭素数１から１２の直鎖のアルキルまたは炭素数１から１２の直鎖のアルコキシであり、Ｒ^１４は炭素数２から１２の直鎖のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２の直鎖のアルケニルである。なお、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^１０およびＲ^１１は前述の通りである。これらの化合物において１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、上限温度を上げるためにシスよりもトランスが好ましい。

好ましい化合物（１−１）は化合物（１−１−１）から化合物（１−１−６）である。さらに好ましい化合物（１−１）は化合物（１−１−１）である。好ましい化合物（１−２）は化合物（１−２−１）から化合物（１−２−６）である。さらに好ましい化合物（１−２）は化合物（１−２−１）である。好ましい化合物（１−３）は化合物（１−３−１）から化合物（１−３−７）である。さらに好ましい化合物（１−３）は化合物（１−３−１）と化合物（１−３−５）である。好ましい化合物（１−４）は化合物（１−４−１）から化合物（１−４−７）である。さらに好ましい化合物（１−４）は化合物（１−４−１）と化合物（１−４−５）である。好ましい化合物（１−５）は化合物（１−５−１）から化合物（１−５−４）である。さらに好ましい化合物（１−５）は化合物（１−５−１）である。好ましい化合物（１−６）は化合物（１−６−１）から化合物（１−６−４）である。さらに好ましい化合物（１−６）は化合物（１−６−１）である。第一成分に関して化合物（１−１）および化合物（１−２）は、負に大きな誘電異方性および低い下限温度の観点から化合物（１−３）から化合物（１−６）より好ましい。好ましい化合物（２）は化合物（２−１）から化合物（２−６）である。さらに好ましい化合物（２）は化合物（２−１）、化合物（２−２）および化合物（２−３）である。特に好ましい化合物（２）は化合物（２−１）である。好ましい化合物（３−１）は化合物（３−１−１）から化合物（３−１−１８）である。さらに好ましい化合物（３−１）は化合物（３−１−１）、化合物（３−１−２）、化合物（３−１−４）、化合物（３−１−７）および化合物（３−１−１０）である。特に好ましい化合物（３−１）は化合物（３−１−１）および化合物（３−１−４）である。好ましい化合物（３−２）は化合物（３−２−１）から化合物（３−２−７）である。さらに好ましい化合物（３−２）は化合物（３−２−１）である。好ましい化合物（４−１−Ａ）は化合物（４−１−１）および化合物（４−１−２）である。さらに好ましい化合物（４−１−Ａ）は化合物（４−１−１）である。好ましい化合物（４−２−Ａ）は化合物（４−２−１）および化合物（４−２−２）である。さらに好ましい化合物（４−２−Ａ）は化合物（４−２−２）である。好ましい化合物（４−３−Ａ）は化合物（４−３−１）および化合物（４−３−２）である。さらに好ましい化合物（４−３−Ａ）は化合物（４−３−２）である。好ましい化合物（４−４−Ａ）は化合物（４−４−１）から化合物（４−４−３）である。さらに好ましい化合物（４−４−Ａ）は化合物（４−４−１）である。

第六に、組成物に混合してもよい添加物を説明する。このような添加物は、光学活性な化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、色素、消泡剤などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。このような化合物の例は、化合物（５−１）から化合物（５−４）である。光学活性な化合物の好ましい割合は５重量％以下である。さらに好ましい割合は０．０１重量％から２重量％の範囲である。

大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するために、または素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するために、酸化防止剤が組成物に混合される。

酸化防止剤の好ましい例は、ｎが１から９の整数である化合物（６）などである。化合物（６）において、好ましいｎは、１、３、５、７、または９である。さらに好ましいｎは１または７である。ｎが１である化合物（６）は、揮発性が大きいので、大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するときに有効である。ｎが７である化合物（６）は、揮発性が小さいので、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を維持するのに有効である。酸化防止剤の好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように６００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は、１００ｐｐｍから３００ｐｐｍの範囲である。

紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。立体障害のあるアミンのような光安定剤もまた好ましい。これらの吸収剤や安定剤における好ましい割合は、その効果を得るために５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、または下限温度を上げないように１００００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は１００ｐｐｍから１００００ｐｐｍの範囲である。

ＧＨ（Guest host）モードの素子に適合させるためにアゾ系色素、アントラキノン系色素などのような二色性色素（dichroic dye）が組成物に混合される。色素の好ましい割合は、０．０１重量％から１０重量％の範囲である。泡立ちを防ぐために、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどの消泡剤が組成物に混合される。消泡剤の好ましい割合は、その効果を得るために１ｐｐｍ以上であり、表示の不良を防ぐために１０００ｐｐｍ以下である。さらに好ましい割合は、１ｐｐｍから５００ｐｐｍの範囲である。

第七に、成分化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（１−１−１）および化合物（１−３−１）は、国際公開第２００６／０３８５２２号パンフレットに記載された方法で合成する。化合物（２−１）は特表平２−５０３４４１号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−１−４）は公告平４−４６９３４号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−２−１）は特表平２−５０１０７１号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−１−１）は特開昭５４−１０６４５４号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−２−１）は特開昭５７−１６５３２８号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−２−２）は特公平４−３０３８２号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−４−１）は特開昭６０−５１１３５号公報に記載された方法で合成する。酸化防止剤は市販されている。式（６）のｎが１である化合物は、アルドリッチ（Sigma-Aldrich Corporation）から入手できる。ｎが７である化合物（５）などは、米国特許３６６０５０５号明細書に記載された方法によって合成する。

合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。組成物は、このようにして得た化合物から公知の方法によって調製される。例えば、成分化合物を混合し、そして加熱によって互いに溶解させる。

最後に、組成物の用途を説明する。大部分の組成物は、−１０℃以下の下限温度、７０℃以上の上限温度、そして０．０７〜０．２０の範囲の光学異方性を有する。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。この組成物はＡＭ素子に適する。この組成物は透過型のＡＭ素子に特に適する。成分化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、０．０８〜０．２５の範囲の光学異方性を有する組成物、さらには０．１０〜０．３０の範囲の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。この組成物は、ネマチック相を有する組成物としての使用、光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用が可能である。

この組成物はＡＭ素子への使用が可能である。さらにＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有するＡＭ素子およびＰＭ素子への使用が可能である。ＶＡまたはＩＰＳモードを有するＡＭ素子への使用は特に好ましい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）型の素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）型の素子にも使用できる。

試料が組成物のときはそのまま測定し、得られた値を記載した。試料が化合物のときは、この化合物（１５重量％）を母液晶（８５重量％）に混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法よって化合物の特性値を算出した。（外挿値）＝｛（試料の測定値）−０．８５×（母液晶の測定値）｝／０．１５。この割合でスメクチック相（または結晶）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶の割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度および誘電率異方性の値を求めた。

母液晶の組成は下記のとおりである。

特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。

ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型回転粘度計を用いた。

光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。

誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。誘電率（ε‖およびε⊥）は次のように測定した。
１）誘電率（ε‖）の測定：よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであるＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。
２）誘電率（ε⊥）の測定：よく洗浄したガラス基板にポリイミドを塗布した。このガラス基板を焼成した後、得られた配向膜にラビング処理をした。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。

しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＶＡ素子に試料を入れ、この素子をＵＶ硬化の接着剤を用いて密閉した。この素子に印可する電圧（６０Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから２０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が１０％になったときの電圧である。

電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。

電圧保持率（ＶＨＲ−２；８０℃；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。

電圧保持率（ＶＨＲ−３；２５℃；％）：紫外線を照射したあと、電圧保持率を測定し、紫外線に対する安定性を評価した。大きなＶＨＲ−３を有する組成物は紫外線に対して大きな安定性を有する。測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは５μｍである。この素子に試料を注入し、光を２０分間照射した。光源は超高圧水銀ランプＵＳＨ−５００Ｄ（ウシオ電機製）であり、素子と光源の間隔は２０ｃｍである。ＶＨＲ−３の測定では、減衰する電圧を１６．７ミリ秒のあいだ測定した。ＶＨＲ−３は９０％以上が好ましく、９５％以上がより好ましい。

電圧保持率（ＶＨＲ−４；２５℃；％）：試料を注入したＴＮ素子を８０℃の恒温槽内で５００時間加熱したあと、電圧保持率を測定し、熱に対する安定性を評価した。大きなＶＨＲ−４を有する組成物は熱に対して大きな安定性を有する。ＶＨＲ−４の測定では、減衰する電圧を１６．７ミリ秒のあいだ測定した。

応答時間（τ；２５℃で測定；ｍｓ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＶＡ素子に試料を入れ、この素子をＵＶ硬化の接着剤を用いて密閉した。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、１０Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である。応答時間は透過率９０％から１０％に変化するのに要した時間（立ち下がり時間；fall time；ミリ秒）である。

比抵抗（ρ；２５℃で測定；Ωｃｍ）：電極を備えた容器に試料１．０ｍＬを注入した。この容器に直流電圧（１０Ｖ）を印加し、１０秒後の直流電流を測定した。比抵抗は次の式から算出した。（比抵抗）＝｛（電圧）×（容器の電気容量）｝／｛（直流電流）×（真空の誘電率）｝。

ガスクロマト分析：測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍＬ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１重量％）に調製したあと、その１μＬを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。

試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。

組成物に含有される液晶性化合物の割合は、次のような方法で算出してよい。液晶性化合物はガスクロマトグラフで検出することができる。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は液晶性化合物の割合（モル数）に相当する。上に記載したキャピラリカラムを用いたときは、各々の液晶性化合物の補正係数を１とみなしてよい。したがって、液晶性化合物の割合（重量％）は、ピークの面積比から算出する。

実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。比較例および実施例における化合物は、下記の表３の定義に基づいて記号により表した。
表３において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）であり、液晶組成物にはこの他に不純物を含んでいる。最後に、組成物の特性値をまとめた。

比較例１
特許文献３（特開平１１−１４０４４７号公報）でクレームされた下記の組成物を当方にて調整し物性値の測定を行った。
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（４−２−２）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）５％
Ｖ−ＨＨ−３（−）２０％
ＮＩ＝７９．３℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．０９１；Δε＝−３．３；η＝２０．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．１９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＶＨＲ−２＝９８．７％；ＶＨＲ−３＝９８．８％；ＶＨＲ−４＝９８．６％．

比較例２
特許文献５（国際公開２００６／０３８５２２号パンフレット）には、本願第一成分と類似の骨格を有する化合物、本願第二成分の化合物および本願第三成分の化合物を含有するネガ型組成物として、組成物例９が開示されている。
５−Ｈｄｈ２Ｈ−２（−）４％
２−ＨｄｈＨ−３（−）４％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２（３−１−１）４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１２％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
３−ＨＨＥＨ−３（４−１−１）４％
３−ＨＨＥＨ−５（４−１−１）３％
４−ＨＨＥＨ−３（４−１−１）３％
３−ＨＨ−４（−）５％
３−ＨＨ−５（−）５％
３−ＨＨ−Ｏ１（−）６％
３−ＨＨ−Ｏ３（−）６％
３−ＨＢ−Ｏ１（−）５％
３−ＨＢ−Ｏ２（−）５％
ＮＩ＝８５．６℃；Ｔｃ≦０℃；Δｎ＝０．０７５；η＝２７．４ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．３；

実施例１
実施例１の組成物は、比較例１のそれと比較して、ほぼ同等の上限温度、特に低い下限温度、負に大きいΔεを有する。
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１６％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（４−２−２）９％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）５％
ＮＩ＝８０．３℃；Ｔｃ≦−４０℃；Δｎ＝０．０９４；Δε＝−３．８；η＝２５．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．１０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．１％；ＶＨＲ−２＝９８．７％；ＶＨＲ−３＝９８．８％；ＶＨＲ−４＝９８．６％．

実施例２
実施例２の組成物は、比較例２のそれと比較して、ほぼ同等の上限温度、特に低い下限温度、負に大きいΔεを有する。
３−ＢＨｄｈ−Ｖ（１−３−１）９％
３−ＢＨｄｈ−３（１−３−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１３％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
２−ＨＨ−５（−）５％
Ｖ−ＨＨ−３（−）１０％
３−ＨＢ−Ｏ２（−）３％
ＮＩ＝８５．４℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．０８５；η＝２６．１ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．６；

実施例３
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）２５％
３−Ｈｄｈ−１Ｖ（１−１−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１１％
１Ｖ２−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１１％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）６％
１Ｖ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）５％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１１％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１１％
ＮＩ＝７０．２℃；Ｔｃ≦−４０℃；Δｎ＝０．０７９；Δε＝−３．５；η＝２５．４ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＶＨＲ−２＝９８．５％；ＶＨＲ−３＝９８．８％．

実施例４
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１４％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１４％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１１％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１１％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）８％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（４−４−１）４％
１−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−２Ｖ（４−４−１）４％
ＮＩ＝８４．２℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．１１４；Δε＝−３．７；η＝２９．４ｍＰａ・ｓ．
実施例５
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１５％
５−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＥＨ−３（４−１−１）３％
３−ＨＨＥＨ−５（４−１−１）３％
４−ＨＨＥＨ−３（４−１−１）４％
ＮＩ＝８０．９℃；Ｔｃ≦−４０℃；Δｎ＝０．０８１；Δε＝−３．９；η＝２５．３ｍＰａ・ｓ．

実施例６
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１３％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ−３（４−２−１）７％
２−ＨＨ−５（−）５％
３−ＨＢ−Ｏ２（−）５％
５−ＨＢ−Ｏ２（−）５％
ＮＩ＝７６．３℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０８５；Δε＝−３．４；ＶＨＲ−１＝９９．２％；ＶＨＲ−２＝９８．９％；ＶＨＲ−３＝９８．２％．

実施例７
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（２−３）１２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（２−３）１２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−７）８％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−７）８％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−１０）１５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−１０）１５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）１０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（４−４−１）１０％
ＮＩ＝９７．３℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．１４４；Δε＝−３．５．

実施例８
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１０％
３−Ｈｄｈ−ＶＦＦ（１−１−１）８％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（２−３）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（２−３）１４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−７）５％
４−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−７）５％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−７）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−１０）１０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−１０）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（４−２−２）４％
３−ＨＨ−４（−）８％
Ｖ−ＨＨ−３（−）６％
ＮＩ＝７０．１℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０８５；Δε＝−３．０；η＝３５．９ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９８．２％；ＶＨＲ−３＝９８．３％．

実施例９
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１５％
５−Ｈｄｈ−１Ｖ（１−１−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）１５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）１５％
Ｖ−ＨＨ−３（−）３％
１Ｖ−ＨＨ−３（−）１０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（−）４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（−）３％
ＮＩ＝８１．６℃；Ｔｃ≦−４０℃；Δｎ＝０．１１１；Δε＝−３．４；η＝２１．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．２９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．８％；ＶＨＲ−２＝９８．２％；ＶＨＲ−３＝９８．２％．

実施例１０
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１５％
５−Ｈｄｈ−１Ｖ（１−１−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）１５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）１５％
Ｖ−ＨＨ−３（−）８％
ＶＦＦ−ＨＨ−３（−）３％
３−ＨＨＥＢＨ−３（−）３％
３−ＨＨＥＢＨ−５（−）３％
５−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３（−）３％
ＮＩ＝８２．２℃；Ｔｃ≦−４０℃；Δｎ＝０．１０１；Δε＝−３．４；η＝２１．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．２５Ｖ．

実施例１１
３−Ｈｄｈ−２（１−１−１）６％
５−Ｈｄｈ−２（１−１−１）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（４−２−２）５％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１（４−２−２）４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）５％
ＮＩ＝８０．１℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９１；Δε＝−３．７；η＝２４．５ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．１８Ｖ．

実施例１２
３−Ｈｄｈ−２（１−１−１）１０％
５−Ｈｄｈ−２（１−１−１）１０％
３−Ｈｄｈ−Ｏ１（１−１−１）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１４％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１１％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１１％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１１％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１１％
ＮＩ＝７０．０℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０７２；Δε＝−３．３；Ｖｔｈ＝１．５９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．２％；ＶＨＲ−３＝９８．５％．

実施例１３
３−ＨＶｄｈ−３（１−１−３）１４％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１４％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１１％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１１％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−５（４−４−２）４％
５−ＢＢＢ（２Ｆ）−２（４−４−２）４％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２（４−４−３）４％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３（４−４−３）４％
ＮＩ＝８４．８℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．１１３；Δε＝−３．６；η＝３０．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．２０Ｖ．

実施例１４
Ｖ−ｄｈＨ−３（１−２−１）２０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＥＨ−３（４−１−１）３％
３−ＨＨＥＨ−５（４−１−１）３％
３−ＨＨ１ＯＨ−３（４−１−２）４％
ＮＩ＝８１．１℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０８１；Δε＝−３．８；η＝２４．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．００Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＶＨＲ−２＝９８．４％；ＶＨＲ−３＝９８．７％．

実施例１５
Ｖ−ｄｈＨ−３（１−２−１）１０％
Ｖ−ｄｈＨ−５（１−２−１）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（４−２−２）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）５％
ＮＩ＝７４．９℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９１；Δε＝−３．７；η＝２４．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．０２Ｖ．

実施例１６
３−Ｂｄｈ−２（１−１−４）１０％
２Ｏ−Ｂｄｈ−３（１−１−４）６％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（４−２−２）９％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）５％
ＮＩ＝７４．１℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９４；Δε＝−３．６；η＝２６．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＶＨＲ−２＝９８．６％；ＶＨＲ−３＝９８．７％．

実施例１７
３−Ｂｄｈ−２（１−１−４）５％
３−Ｂ２ｄｈ−２（１−１−５）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１３％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ−３（４−２−１）３％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（４−２−１）４％
３−ＨＨ−ＥＭＥ（−）５％
３−ＨＢ−Ｏ２（−）５％
５−ＨＢ−Ｏ２（−）５％
ＮＩ＝７２．３℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０８５；Δε＝−３．５；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＶＨＲ−２＝９８．５％；ＶＨＲ−３＝９８．５％．

実施例１８
３−Ｂｄｈ−２（１−１−４）５％
５−Ｂｄｈ−２（１−１−４）５％
３−ｄｈＢ−２（１−２−４）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（２−１）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）１５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）１５％
１Ｖ−ＨＨ−３（−）１３％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（−）４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（−）３％
ＮＩ＝７２．８℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．１０５；Δε＝−３．２；η＝２０．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．０５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．１％；ＶＨＲ−２＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９８．２％．

実施例１９
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１０％
１Ｖ−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）２０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１４％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１１％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１１％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１１％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（４−２−２）３％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）３％
ＮＩ＝７３．２℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０８９；Δε＝−３．１；η＝２９．０ｍＰａ・ｓ．

実施例２０
３−Ｈ２ｄｈ−２（１−１−２）７％
３−ｄｈＨ−Ｏ１（１−２−１）７％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１４％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１１％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１１％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＢＢ−２（４−３−１）４％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２（４−３−２）４％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）８％
ＮＩ＝８６．７℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．１１０；Δε＝−３．６；η＝３１．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．２２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．４％；ＶＨＲ−２＝９８．３％．

実施例２１
１Ｖ−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）８％
Ｖ−ｄｈＨ−３（１−２−１）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（２−３）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（２−３）７％
３−ＨＢ（２Ｃｌ，３Ｆ）−Ｏ２（２−５）７％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−７）５％
４−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−７）５％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−７）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−１０）１０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１−１０）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（４−２−２）４％
３−ＨＨ−４（−）８％
Ｖ−ＨＨ−３（−）６％
ＮＩ＝７０．９℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０８７；Δε＝−３．０；η＝３５．９ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．０７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９８．４％；ＶＨＲ−２＝９８．４％．

実施例２２
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１６％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−２）１５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−２）１５％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）９％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）８％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）１０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）１０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（４−２−２）９％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（−）３％
ＮＩ＝８４．７℃；Ｔｃ≦−４０℃；Δｎ＝０．０９７；Δε＝−３．８；η＝２２．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．１０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．３％；ＶＨＲ−２＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９８．７％．

実施例２３
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１０％
３−Ｈｄｈ−１Ｖ（１−１−１）４％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）４％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）４％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−２）１０％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−２）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）５％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−２）１１％
５−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−２）１１％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）８％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−５（４−４−１）８％
ＮＩ＝８９．７℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．１２２；Δε＝−３．７；η＝３１．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．１５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＶＨＲ−２＝９８．３％；ＶＨＲ−２＝９８．４％．

実施例２４
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１５％
５−Ｈｄｈ−１Ｖ（１−１−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（２−１）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）１５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）１５％
３−ＨＨ−Ｏ１（−）５％
Ｖ−ＨＨ−Ｖ１（−）５％
７−ＨＢ−１（−）３％
３−ＨＥＢ−Ｏ２（−）３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３（−）４％
ＮＩ＝７０．４℃；Ｔｃ≦−４０℃；Δｎ＝０．１０４；Δε＝−３．３；η＝２０．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．０２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．５％；ＶＨＲ−２＝９８．５％．

実施例２５
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（２−１）１０％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）１９％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）１９％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（−）７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（−）７％
ＮＩ＝１０６．８℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．１５３；Δε＝−３．８．

実施例２６
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）８％
３−ＢｄｈＨ−３（１−５−１）５％
３−ＨｄｈＢ−３（１−６−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２（３−１−１）４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１２％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
３−ＨＨＥＨ−３（４−１−１）４％
３−ＨＨＥＨ−５（４−１−１）３％
４−ＨＨＥＨ−３（４−１−１）３％
３−ＨＨ−４（−）５％
３−ＨＨ−５（−）５％
３−ＨＨ−Ｏ１（−）６％
３−ＨＨ−Ｏ３（−）６％
ＮＩ＝８６．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．０７７；η＝２７．２ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．５．

実施例２７
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１６％
３−ＢＨｄｈ−Ｖ（１−３−１）４％
Ｖ−ｄｈＨＢ−３（１−４−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）１５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）１０％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）５％
ＮＩ＝８０．２℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９４；Δε＝−３．８；η＝２６．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．０５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％．

実施例２８
３−Ｈｄｈ−Ｖ（１−１−１）１０％
３−Ｈｄｈ−１Ｖ（１−１−１）４％
３−ＢＢｄｈ−２Ｖ１（１−３−５）４％
１Ｖ２−ｄｈＢＢ−３（１−４−５）４％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）４％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−１）４％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−２）１０％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（２−２）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−１−１）５％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−２）１１％
５−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−２）１１％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−４）５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−４−１）８％
ＮＩ＝９２．５℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．１１６；Δε＝−３．７；η＝３１．３ｍＰａ・ｓ．

Claims

第一成分として式（１−１−Ａ）から式（１−６−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３−１−Ａ）および式（３−２−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第四成分として、式（４−１−Ａ）から（４−４−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、かつ式（４−２−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、および式（４−４−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１およびＲ^２は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ^３からＲ^５は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｒ ^６からＲ ^１１は独立して炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；Ｘ ^３、Ｘ ^４およびＸ ^５は独立してフッ素または水素であり、Ｘ ^３、Ｘ ^４およびＸ ^５のうち少なくとも１つはフッ素であり；Ｚ^１は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；Ｚ^３およびＺ^４は独立して単結合または−ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；Ｚ ^７は−ＣＯＯ−または−ＣＨ _２Ｏ−であり；環Ｂおよび環Ｄは独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンである。
第二成分が式（２−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物であって、式（２−Ａ）において、Ｒ^３が炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり、Ｒ^４が炭素数１から１２のアルコキシであり、式（３−１−Ａ）において、Ｒ^３が炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり、Ｒ^４が炭素数１から１２のアルコキシであり、式（３−２−Ａ）において、Ｒ^３およびＲ^５は独立して炭素数１から１２のアルキルである、請求項１に記載の液晶組成物。
式（１−１−Ａ）から式（１−６−Ａ）において、Ｚ^１が単結合であり、Ｒ^１およびＲ^２のうちいずれか一方は炭素数１から１２のアルキルであり、他方は炭素数２から１２のアルケニルである、請求項２に記載の液晶組成物。
第一成分が式（１−１−Ａ）および式（１−２−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第三成分が式（３−１−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項３に記載の液晶組成物。
第一成分が式（１−３−Ａ）から式（１−６−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、第三成分が式（３−１−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項３に記載の液晶組成物。
第一成分が式（１−１−Ａ）および式（１−２−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物、および式（１−３−Ａ）から式（１−６−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物の混合物、第三成分が式（３−１−Ａ）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項３に記載の液晶組成物。
式（４−１−Ａ）において、Ｒ^６およびＲ^７が炭素数１から１２のアルキルであり、Ｚ^７が−ＣＯＯ−であり、式（４−２−Ａ）および式（４−３−Ａ）において、Ｒ^８が炭素数２から１２のアルケニルであり、Ｒ^９が炭素数１から１２のアルキルであり、式（４−４−Ａ）において、Ｒ^１０およびＲ^１１は独立して炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数２から１２のアルケニルであり、Ｘ^３がフッ素であり、Ｘ^４およびＸ^５が水素である、請求項１に記載の液晶組成物。
液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０重量％から４０重量％の範囲であり、第二成分の割合が１５重量％から４０重量％の範囲であり、第三成分の割合が２０重量％から５０重量％の範囲であり、そして第四成分の割合が５重量％から３０重量％の範囲である、請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、周波数１ｋＨｚにおける誘電率異方性（２５℃）が−６．０から−３．０の範囲であり、そして波長５８９ｎｍにおける屈折率異方性（２５℃）が０．０８から０．１３の範囲である、請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶組成物。
請求項１から９のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
液晶表示素子の動作モードが、ＶＡモードまたはＩＰＳモードであり、液晶表示素子の駆動方式がアクティブマトリックス方式である請求項１０に記載の液晶表示素子。