JP5090379B2 - Manufacturing method of glass substrate for mask blank, manufacturing method of mask blank, and manufacturing method of photomask for exposure - Google Patents
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Description
本発明は、マスクブランク用ガラス基板の内部欠陥を検査し、内部欠陥のないものを選定するマスクブランク用ガラス基板製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用フォトマスクの製造方法に関する。 The present invention relates to a mask blank glass substrate manufacturing method, a mask blank manufacturing method, and an exposure photomask manufacturing method for inspecting an internal defect of a mask blank glass substrate and selecting one having no internal defect.
近年、半導体デバイスの微細化に伴って、光リソグラフィー技術において露光光として、例えば、ArFエキシマレーザー(露光波長193nm)等のような短波長の光が用いられるようになってきた。また、光リソグラフィー技術において使用される露光用フォトマスク及びこの露光用フォトマスクを製造するためのマスクブランクの技術分野においても、上述の短波長の露光光に対して光を遮断できる遮光膜や、位相を変化させる位相シフト膜の開発が急速に行われ、様々な膜材料が提案されている。 In recent years, with the miniaturization of semiconductor devices, light having a short wavelength such as an ArF excimer laser (exposure wavelength 193 nm) has been used as exposure light in the photolithography technique. Further, also in the technical field of exposure photomasks used in photolithography technology and mask blanks for manufacturing this exposure photomask, a light-shielding film capable of blocking light from the above-mentioned short wavelength exposure light, Phase shift films that change the phase have been rapidly developed, and various film materials have been proposed.
ところで、上記マスクブランク用ガラス基板や、このマスクブランク用ガラス基板を製造するための合成石英ガラス基板の内部には、異物や気泡などの欠陥が存在しないことが要求されている。特許文献1には、ガラス基板内に、波長が200nm以下の波長の検査光を導入したときにガラス基板の内部欠陥から発生される蛍光を検出してガラス基板に存在する内部欠陥(異物や気泡など)を検出する欠陥検出方法が開示されている。 By the way, it is required that the mask blank glass substrate and the synthetic quartz glass substrate for manufacturing the mask blank glass substrate are free from defects such as foreign matters and bubbles. Patent Document 1 discloses an internal defect (foreign matter or bubble) present in a glass substrate by detecting fluorescence generated from the internal defect of the glass substrate when inspection light having a wavelength of 200 nm or less is introduced into the glass substrate. And the like are disclosed.
ところが、上述の欠陥検出方法によって内部欠陥が存在しないと判定されたガラス基板であっても、特に表裏両主表面の近傍付近に微小な欠陥が残っている場合のあることが判明した。本願発明がその原因を究明した結果、以下のことが判明した。 However, it has been found that even if the glass substrate is determined to have no internal defect by the above-described defect detection method, a minute defect may remain particularly in the vicinity of both the front and back main surfaces. As a result of investigating the cause of the present invention, the following has been found.
図8は従来のマスクブランク用ガラス基板の内部欠陥検査工程の説明図であり、図9は図8におけるガラス基板10の斜視図である。図8、図9において、符号10は検査対象たるガラス基板であり、このガラス基板10は、2つの主表面11,12と、4つの端面13,14,15,16とを有する。2つの主表面11,12と、4つの端面13,14,15,16とが交差する角部には、面取り面13a,13b,14a,14b,15a,15b,16a,16bが形成されている。
FIG. 8 is an explanatory diagram of an internal defect inspection process of a conventional mask blank glass substrate, and FIG. 9 is a perspective view of the
検査光Lは、図中左方から端面13に対して垂直に照射されてガラス基板10の内部に導入される。検査光Lは、ガラス基板10の厚さtgより少し大きい幅(上下幅)tLを有し、かつ実質的にはほぼ平行な光である。それゆえ、検査光Lは、実際には、端面13と、面取り面13a,13bとを通じて内部に導入されることになる。なお、検査光Lの横幅(主表面に平行な方向の幅)も上記上下幅tLと略同等程度の幅を有する。したがって、ガラス基板を主表面に平行な方向に移動することによって検査光をガラス基板全体に導入してガラス基板全体を検査するようにしている。
The inspection light L is irradiated perpendicularly to the
ここで、検査光Lは端面13からはほぼ垂直に入射されるが、面取り面13a,13bを通じて内部に導入される光は、これら面取り面に対して45°内外の角度で入射し、ガ
ラス基板10内の領域S1,S2を通過することになる。このため、面取り面13a,13bから入射する際に、これらの面で反射が起こり、これらの面から入射して領域S1,S2を通過する検査光の強度が、端面13から垂直に入射して他の領域を通過する検査光の強度に比較してかなり弱くなるものと考えられる。その結果、領域S1,S2内にある欠陥Ka,Kb等に照射される検査光の強度が十分でなくなり、微小な欠陥Ka,Kb等から発生する蛍光も十分なものでなくなると考えられる。
Here, although the inspection light L is incident from the
本発明は、上述の背景のもとでなされたものであり、その目的は、マスクブランク用ガラス基板の主表面近傍の微小な内部欠陥をも洩れなく検出可能とし、実質的に全ての領域の内部欠陥を良好に検出できるマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made under the above-mentioned background, and the object thereof is to detect even minute internal defects near the main surface of a mask blank glass substrate without omission, and to detect substantially all areas. It is an object of the present invention to provide a defect inspection method for a mask blank glass substrate that can detect internal defects satisfactorily.
上述の課題を解決するための手段として、第1の手段は、
2つの主表面と4つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
前記いずれかの端面から波長200nm以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検査する欠陥検査工程と、
を有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、所定の発散角度を有する発散光を検査光として用い、前記ガラス基板内の検査すべき所定領域全体に検査光を到達させて内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されないガラス基板を選定してマスクブランク用基板を製造する
ことを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造である。
第2の手段は、
前記ガラス基板が、前記2つの主表面と前記4つの端面とが交差する角部に面取り面が形成されたものであることを特徴とする第1の手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第3の手段は、
前記検査光は、一端面からガラス基板内に導入されたとき、所定領域全体に到達する発散角度を有することを特徴とする第1または第2のいずれかの手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第4の手段は、
前記検査光は、一端面からガラス基板内に導入されたとき、前記一端面とこれと対向する端面との間に設定された中間面で2分された所定領域のうち、前記一端面から近い側の領域では全体に到達せず、前記一端面から遠い側の領域では全体に到達する発散角度を有することを特徴とする第1または第2のいずれかの手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第5の手段は、
前記検査光を一端面から前記ガラス基板内に導入して蛍光の有無を検査し、次に、前記検査光を前記一端面と対向する端面から前記ガラス基板内に導入して蛍光の有無を検査することを特徴とする第1から第4のいずれかの手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第6の手段は、
前記検査光は、平行光を凹レンズまたは凹面鏡により、発散光にして端面から前記ガラス基板内に導入されるものであることを特徴とする第1から第5のいずれかの手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第7の手段は、
前記凹レンズは、端面の前に配置されたシリンドリカルレンズであることを特徴とする第6の手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第8の手段は、
前記凹面鏡は、端面の前に配置されたシリンドリカル凹面鏡であることを特徴とする第6の手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法である。
第9の手段は、
第1から第8のいずれかの手段にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
第10の手段は、
第9の手段にかかるマスクブランクの製造方法によって製造されたマスクブランクの前記パターン形成用の薄膜に露光用の微細パターンを形成する工程を有することを特徴とする露光用フォトマスクの製造方法である。
第11の手段は、
2つの主表面と4つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
前記ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
一端面から波長200nm以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検査する欠陥検査工程と、
を有するマスクブランクの製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、所定の発散角度を有する発散光を検査光として用い、前記ガラス基板内の検査すべき所定領域全体に検査光を到達させて内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されないマスクブランクを選定することを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
第12の手段は、
2つの主表面と4つの端面を有する薄板状のマスクブランク用ガラス基板を準備する基板準備工程と、
前記ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜に露光用の微細パターンを形成する微細パターン形成工程と、
一端面から波長200nm以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検査する欠陥検査工程と、
を有する露光用フォトマスクの製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、所定の発散角度を有する発散光を検査光として用い、前記ガラス基板内の検査すべき所定領域全体に検査光を到達させて内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されない露光用フォトマスクを選定することを特徴とする露光用フォトマスクの製造方法である。
As means for solving the above-mentioned problem, the first means is:
A substrate preparation step of preparing a thin plate-like mask blank glass substrate having two main surfaces and four end surfaces;
A defect inspection step of inspecting internal defects by introducing inspection light having a wavelength of 200 nm or less into the glass substrate from any one of the end faces;
A method for producing a glass substrate for a mask blank having
The defect inspection step uses divergent light having a predetermined divergence angle as inspection light, and inspects the presence or absence of fluorescence generated from an internal defect by causing the inspection light to reach the entire predetermined region to be inspected in the glass substrate. And
A mask blank substrate is manufactured by selecting a glass substrate from which fluorescence is not detected and manufacturing a mask blank substrate.
The second means is
The method for producing a glass substrate for a mask blank according to the first means, wherein the glass substrate has a chamfered surface formed at a corner where the two main surfaces and the four end surfaces intersect. It is.
The third means is
The mask blank glass substrate according to any one of the first and second means, wherein the inspection light has a divergence angle that reaches the entire predetermined region when introduced into the glass substrate from one end surface. It is a manufacturing method.
The fourth means is
When the inspection light is introduced into the glass substrate from one end surface, the inspection light is close to the one end surface in a predetermined region divided by an intermediate surface set between the one end surface and the end surface facing the one end surface. The mask blank glass substrate according to any one of the first and second means has a divergence angle that does not reach the entire region in the side region and reaches the entire region in the region far from the one end face. It is a manufacturing method.
The fifth means is
The inspection light is introduced into the glass substrate from one end surface to inspect for the presence of fluorescence, and then the inspection light is introduced into the glass substrate from the end surface opposite to the one end surface to inspect for the presence of fluorescence. A method for manufacturing a glass substrate for a mask blank according to any one of the first to fourth means.
The sixth means is
For the mask blank according to any one of the first to fifth means, the inspection light is collimated light that is diverged by a concave lens or a concave mirror and is introduced into the glass substrate from an end surface. It is a manufacturing method of a glass substrate.
The seventh means is
The concave lens is a cylindrical lens disposed in front of an end face, and is a method for manufacturing a mask blank glass substrate according to a sixth means.
The eighth means is
The concave mirror is a cylindrical concave mirror disposed in front of an end face, and is a method for producing a mask blank glass substrate according to a sixth means.
The ninth means is
It has the process of forming the thin film for pattern formation on the main surface of the glass substrate for mask blanks manufactured by the manufacturing method of the glass substrate for mask blanks concerning any one of the 1st to 8th means. It is a manufacturing method of a mask blank.
The tenth means is
A method for producing a photomask for exposure, comprising a step of forming a fine pattern for exposure on the thin film for pattern formation of the mask blank produced by the method for producing a mask blank according to the ninth means. .
The eleventh means is
A substrate preparation step of preparing a thin plate-like mask blank glass substrate having two main surfaces and four end surfaces;
A thin film forming step of forming a thin film for pattern formation on the main surface of the glass substrate;
A defect inspection step of inspecting internal defects by introducing inspection light having a wavelength of 200 nm or less into the glass substrate from one end surface;
A mask blank manufacturing method comprising:
The defect inspection step uses divergent light having a predetermined divergence angle as inspection light, and inspects the presence or absence of fluorescence generated from an internal defect by causing the inspection light to reach the entire predetermined region to be inspected in the glass substrate. And
A mask blank manufacturing method comprising selecting a mask blank from which fluorescence is not detected.
The twelfth means is
A substrate preparation step of preparing a thin plate-like mask blank glass substrate having two main surfaces and four end surfaces;
A thin film forming step of forming a thin film for pattern formation on the main surface of the glass substrate;
A fine pattern forming step of forming a fine pattern for exposure on the thin film;
A defect inspection step of inspecting internal defects by introducing inspection light having a wavelength of 200 nm or less into the glass substrate from one end surface;
A method for producing a photomask for exposure comprising:
The defect inspection step uses divergent light having a predetermined divergence angle as inspection light, and inspects the presence or absence of fluorescence generated from an internal defect by causing the inspection light to reach the entire predetermined region to be inspected in the glass substrate. And
An exposure photomask manufacturing method comprising selecting an exposure photomask in which fluorescence is not detected.
上述の手段によれば、前記検査工程は、ガラス基板内に一端面から導入された検査光が、検査すべき所定領域全体に到達する発散角度を有する発散光を検査光に使用することにより、ガラス基板内部に導入した検査光をガラス基板主表面近傍の所定領域まで確実に到達させることが容易になり、マスクブランク用ガラス基板の主表面近傍の微小な内部欠陥をも洩れなく検出することが容易になり、欠陥のない製品を容易に得ることが可能になった。 According to the above-mentioned means, the inspection step uses the diverging light having a diverging angle at which the inspection light introduced from one end surface in the glass substrate reaches the entire predetermined region to be inspected, as the inspection light. It is easy to ensure that the inspection light introduced inside the glass substrate reaches a predetermined area near the main surface of the glass substrate, and even minute internal defects near the main surface of the mask blank glass substrate can be detected without omission. It became easy and it became possible to easily obtain a product having no defects.
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1にかかるマスクブランク用ガラス基板の内部欠陥検査工程に関する説明図、図2は図1のA部拡大図、図3は発散角θcの説明図、図4は本発明の実施の形態1にかかるマスクブランク用ガラス基板の内部欠陥検査工程を実施するための装置構成を示す図、図5は欠陥検出の説明図である。以下、これらの図面を参照しながら本発明の実施の形態1にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および露光用フォトマスクの製造方法を説明する。なお、本実施の形態1の検査対象であるマスクブランク用ガラス基板は、上述の従来のマスクブランク用ガラス基板の検査方法の対象であるマスクブランク用ガラス基板と同じものであるので、同一の部分には同一の符号を付して説明する。
(Embodiment 1)
1 is an explanatory diagram relating to an internal defect inspection process for a mask blank glass substrate according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged view of a portion A in FIG. 1, FIG. 3 is an explanatory diagram of a divergence angle θc, and FIG. The figure which shows the apparatus structure for implementing the internal defect inspection process of the glass substrate for mask blanks concerning Embodiment 1 of this invention, FIG. 5 is explanatory drawing of a defect detection. Hereinafter, a method for manufacturing a glass substrate for a mask blank, a method for manufacturing a mask blank, and a method for manufacturing a photomask for exposure according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to these drawings. In addition, since the glass substrate for mask blanks which is an inspection object of this Embodiment 1 is the same as the glass substrate for mask blanks which is the object of the inspection method of the above-mentioned conventional mask blank glass substrate, the same part In the description, the same reference numerals are given.
実施の形態1にかかるマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、(1)欠陥検査の対象となるマスクブランク用ガラス基板の研削工程、(2)マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程、(3)マスクブランク用ガラス基板の研磨工程からなる。また、実施の形態1にかかるマスクブランクの製造方法は、前記の(1)〜(3)の工程で製造したマスクブランク用ガラス基板に対して、(4)マスクブランクの製造工程を行う。さらに、実施の形態1にかかる露光用フォトマスクの製造方法は、(4)の工程で製造したマスクブランクに対して、(5)露光用フォトマスクの製造工程を行う。上記工程のうち、本実施の形態の最大の特徴は、(2)マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程で用いるマスクブランク用ガラス基板の内部欠陥の検査方法にあり、他の工程は、概ね公知の工程を用いるので、以下では、公知の工程の説明は必要最小限にし、マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法を中心に説明する。 The manufacturing method of the mask blank glass substrate according to the first embodiment includes (1) a grinding process of a mask blank glass substrate to be subjected to a defect inspection, (2) a defect inspection process of the mask blank glass substrate, (3) It consists of a polishing process for a mask blank glass substrate. Moreover, the manufacturing method of the mask blank concerning Embodiment 1 performs the manufacturing process of (4) mask blank with respect to the glass substrate for mask blanks manufactured at the process of said (1)-(3). Furthermore, the manufacturing method of the photomask for exposure concerning Embodiment 1 performs the manufacturing process of the photomask for exposure with respect to the mask blank manufactured at the process of (4). Among the above steps, the greatest feature of the present embodiment is (2) a method for inspecting internal defects of the mask blank glass substrate used in the defect inspection step of the mask blank glass substrate, and the other steps are generally known. Therefore, in the following description, the description of the known process is minimized, and the defect inspection method for the mask blank glass substrate will be mainly described.
なお、(2)マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程は、(3)マスクブランク用ガラス基板の研磨工程後のガラス基板や、(4)マスクブランクの製造工程後のマスクブランクや、(5)露光用フォトマスクの製造工程後の露光用フォトマスクに対して行っても内部欠陥検査の精度には実質的な差はない。ただ、(3)のマスクブランク用ガラス基板の研磨工程や(4)マスクブランクの製造工程及び、(5)露光用フォトマスクの製造工程を先に行ってからであると、内部欠陥のある不合格品となるものも含めたすべてのガラス基板に対して研磨や薄膜の成膜を行うため、大きな無駄が生じるので、(3)の研磨工程前に行うことが好ましい。なお、より確実に内部欠陥を発見することに重点を置く場合には、ガラス基板の研磨工程が完了しているマスクブランク用ガラス基板や、そのガラス基板にパターン形成用薄膜が形成されたマスクブランクや、露光用フォトマスクで欠陥検査工程を行うとよい。 In addition, the defect inspection process of the glass substrate for mask blanks (2) The glass substrate after the polishing process of the glass substrate for mask blanks, (4) The mask blank after the mask blank manufacturing process, (5) Even if it is performed on the exposure photomask after the exposure photomask manufacturing process, there is no substantial difference in the accuracy of the internal defect inspection. However, after (3) the polishing process of the glass substrate for mask blank, (4) the manufacturing process of the mask blank, and (5) the manufacturing process of the photomask for exposure, there is no defect with internal defects. Since polishing and thin film formation are performed on all glass substrates including those that are acceptable, it is preferably performed before the polishing step (3). When placing emphasis on finding internal defects more reliably, a glass substrate for a mask blank in which the polishing process of the glass substrate has been completed, or a mask blank in which a thin film for pattern formation is formed on the glass substrate Alternatively, the defect inspection process may be performed using an exposure photomask.
(1)内部欠陥検査の対象となるマスクブランク用ガラス基板の研削工程
公知の方法(例えば、特開平8―31723号公報、特開2003―81654号公報等参照)により作成された合成石英ガラスインゴットから、約152.4mm×約152.4mm×約6.85mmの板状体を切り出して合成石英のガラス基板を得る。このガラ
ス基板は、対向する2つの主表面と、この両主表面に直交する4つの端面とを有する。
(1) Grinding process of glass substrate for mask blank to be subjected to internal defect inspection Synthetic quartz glass ingot prepared by a known method (for example, see JP-A-8-31723, JP-A-2003-81654, etc.) From about 152.4 mm × about 152.4 mm × about 6.85 mm to obtain a glass substrate of synthetic quartz. This glass substrate has two main surfaces facing each other and four end surfaces orthogonal to both the main surfaces.
上記ガラス基板の主表面と端面とが交差する角部に面取り加工を施した後、検査光を導入する端面に鏡面研磨を施して、検査光をガラス基板内部に導入できるようにしてマスクブランク用ガラス基板10を得る。このガラス基板10は、図8、図9に示されるマスクブラク用ガラス基板と同じものであり、2つの主表面11,12、4つの端面13,14,15,16、8つの面取り面13a,13b,14a,14b,15a,15b,16a,16bを有する。ここで、検査光を導入する端面(一端面)13の表面粗さRa(算術平均粗さ)は約0.03μm以下とする。なお、マスクブランクの研磨工程で4つの端面全てに鏡面研磨を施すので、この研削工程の段階で、その他の端面14,15,16に対して鏡面研磨を施してもよい。こうして得られたマスクブランク用ガラス基板10は次の工程である内部欠陥の検査工程に供給される。
For mask blanks, after chamfering the corner where the main surface and end face of the glass substrate intersect, the end face where inspection light is introduced is mirror-polished so that the inspection light can be introduced into the glass substrate. A
(2)マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程
この工程では、上述のようにして得られたマスクブランク用ガラス基板10を以下説明する欠陥検査方法によってその内部欠陥の有無を検査する工程である。以下、この工程で用いるマスクブランク用ガラス基板の検査方法を説明する。図1は、本実施の形態1にかかるマスクブランク用ガラス基板の検査方法の説明図であり、その原理を説明する図である。図1において、発散角度2mradの実質的に平行光である検査光Lを、凹レンズ28によって発散光にし、ガラス基板10の端面13からガラス基板10内に導入し(図1の実線で示される光)、そのときに検査光が照射されたことにより内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査する。
(2) Mask Blank Glass Substrate Defect Inspection Step In this step, the mask
この場合、ガラス基板10内に導入される検査光Lのうち、端面13と面取り面13a、13bとが交差する角部を通過してガラス基板内に導入された光線をL1、L2とすると、この光線L1、L2が、所定領域の表・裏両主表面11,12側の各境界面E,F(図2,図3参照)と、所定領域の端面13側の境界面Bとの交線Be,Bf上、あるいはそれよりも端面13側になるように、検査光の発散角度を設定する。
In this case, among the inspection light L introduced into the
ここで、発散角度とは、端面13と面取り面13a,13bとが交差する各角部を通過してガラス基板10内に導入される光線L1,L2のガラス基板10内に導入される前であって、実質的に平行光の検査光Lが凹レンズ28によって発散光とされた後の状態において、図3に示されるように、光線L1,L2の延長線同士が交わる点において、これらの延長線がなす角度(θc)のことをいう(検査光の光線L1,L2は、端面13からガラス基板10内に導入されるときに、空気とガラス基板10との屈折率差で光線の角度が変わってしまうため、ガラス基板10内の光線L1,L2の延長線がなす角度はθcと同じではない。)。
Here, the divergence angle refers to the light rays L1 and L2 that are introduced into the
ここで、所定領域のマスクブランク用ガラス基板で厚さ方向(主表面11と主表面12との間の方向)の範囲は、必ずしも厚さ方向の全領域に検査光が到達しなければならないわけではない。これは、研削工程終了後に、欠陥検査工程を行う場合においては、その後の研磨工程で、主表面11,12が研磨されることで両側から厚さ方向に所定量のガラスが削り取られる(図2の11a部分)ため、削り取られる領域に内部欠陥があっても、完成したマスクブランク用ガラス基板では、その内部欠陥は除去されているからである。ただし、パターン形成用の薄膜が形成される側の主表面とその反対側の主表面で研磨される量が若干異なることや、両主表面が完全なフラット形状ではないこと等を考慮して、厚さ方向の検査光が到達する領域には多少の余裕を持たせた方がよい。
Here, the range of the mask blank glass substrate in the predetermined region in the thickness direction (the direction between the
例えば、約152mm×152mmの大きさの主表面(面取り部分含んだ大きさ)のマスクブランク用ガラス基板の場合、板厚(厚さ方向の厚さ)は、研削工程終了後の板厚6
.85mmから6.35mmを目標に研磨される。前記の余裕を勘案すると、厚さ方向の基板中心を基準に最低限6.4mmの厚さの領域に検査光が到達すればよいということになる。すなわち、研削工程終了後のガラス基板において、厚さ方向の基板中心を基準に6.4mmよりも外側の部分については、後の研磨工程で除去されるので、検査すべき所定領域から外れても問題がないということになる。
For example, in the case of a mask blank glass substrate having a main surface (including a chamfered portion) having a size of about 152 mm × 152 mm, the plate thickness (thickness in the thickness direction) is the plate thickness 6 after completion of the grinding process.
. Polishing with a target of 85 mm to 6.35 mm. Considering the above margin, the inspection light only needs to reach a region having a thickness of at least 6.4 mm with respect to the substrate center in the thickness direction. That is, in the glass substrate after the grinding process, a portion outside 6.4 mm with respect to the center of the substrate in the thickness direction is removed in a subsequent polishing process. That means there is no problem.
一方、所定領域の主表面側の範囲は、マスクブランク用ガラス基板を用いてマスクブランクを製造し、そのマスクブランクを基に露光用フォトマスクを作製するときに、薄膜に転写パターンが形成される領域について最低限カバーできればよい。なぜなら、このマスクブランク用ガラス基板を基に露光用フォトマスクを作製し、これを露光装置のフォトマスクステージに設置して、転写対象物(ウェハ等)へのパターン転写を行った場合、転写パターンが形成される領域の外側の主表面11,12の領域の露光光は、薄膜で遮られるため、その領域に内部欠陥が存在しても、転写対象物に対して悪影響を与えないからである。
On the other hand, the range on the main surface side of the predetermined region is that when a mask blank is manufactured using a glass substrate for mask blank and an exposure photomask is produced based on the mask blank, a transfer pattern is formed on the thin film. It is only necessary to cover at least the area. This is because when a photomask for exposure is produced based on this glass substrate for mask blank, and this is placed on a photomask stage of an exposure apparatus and pattern transfer to a transfer object (wafer or the like) is performed, a transfer pattern This is because the exposure light in the regions of the
例えば、前記の約152mm×152mmの大きさの主表面のマスクブランク用ガラス基板の場合、転写パターンが形成される領域は、マスクブランクの中心を基準に132mm×132mmの内側の領域とすることが一般的である。この場合、端面13に平行であって、マスクブランクの中心から端面13に向かって66mmの距離に、所定領域の境界面Bが最低限設定されていればよい。この境界面Bと両主表面11,12側の各境界面E,Fとが交わる両交線Be,Bf上か、それよりも端面13側にガラス内の光線L1,L2の位置が来るように、発散角度θc選定するとよい。なお、露光用フォトマスクは、露光装置のフォトマスクステージで、露光光の光源側に薄膜が形成されない側の主表面が向く形で設置される。このため、所定領域の外側の領域においてもガラス基板10の内部まで露光光が照射されるため、内部欠陥があるとそこから蛍光が発生する。内部欠陥が所定領域の境界面B付近にあった場合、そこから発する蛍光が転写対象物へのパターン転写に悪影響を与えることがあり得る。このようなことを考慮する場合、所定領域をマスクブランクの中心を基準に142mm×142mmの内側の領域と、余裕をもって設定すると好ましい。さらに余裕を持たせるならば、所定領域を例えば146mm×146mmの内側の領域とするとより好ましい。
For example, in the case of the mask blank glass substrate having a main surface size of about 152 mm × 152 mm, the region where the transfer pattern is formed may be an inner region of 132 mm × 132 mm with respect to the center of the mask blank. It is common. In this case, the boundary surface B of the predetermined region may be set at a minimum at a distance of 66 mm from the center of the mask blank toward the
以上のことを勘案すると、約152mm×152mm×6.35mmのマスクブランク用ガラス基板を製造する場合、内部欠陥検査工程で検査すべき所定領域は、最低限で、基板中心を基準に132mm×132mm×6.4mmのガラス基板内部とすればよい。また、より確実な内部欠陥検査が要求される場合においては、所定領域を基板中心を基準に142mm×142mm×6.45mmのガラス基板内部とすると好ましい。 Considering the above, when manufacturing a glass substrate for a mask blank of about 152 mm × 152 mm × 6.35 mm, the predetermined area to be inspected in the internal defect inspection process is at least 132 mm × 132 mm based on the substrate center. What is necessary is just to set it as the inside of a glass substrate of * 6.4mm. In addition, when a more reliable internal defect inspection is required, it is preferable that the predetermined area is inside the glass substrate of 142 mm × 142 mm × 6.45 mm with respect to the center of the substrate.
このように発散角度θcを選定することにより、検査光Lを、ガラス基板10の端面13からガラス基板10内に導入するだけで、ガラス基板10の内部欠陥検査をすべき所定領域全体に検査光を照射することができる。これにより、ガラス基板10の特に表裏面近傍の微小な内部欠陥をも漏れなく検出することを可能にしている。
By selecting the divergence angle θc in this way, the inspection light L is introduced into the
すなわち、図1に示されるように、ガラス基板10の端面13からガラス基板10内に導入された検査光Lは、光線L1,L2の外側の領域である領域S3,S4を除き、ガラス基板10内における他の全ての領域に行き渡る。これにより、検査光Lをガラス基板10内の転写パターンが形成される領域に行き渡らせることができ、そのときに発生する欠陥光を検出することにより、比較的簡単に、漏れのない欠陥検出ができる。
That is, as shown in FIG. 1, the inspection light L introduced into the
上述の実施の形態において、上記発散角θcは、具体的には、以下の通りとなる。
・検査光:ArFエキシマレーザー光(露光波長:193nm)
・ガラス基板10の材質:合成石英ガラス
・屈折率:1.52(露光波長:193nmにおいて)
・ガラス基板10の寸法
縦・横:152×152mm、
厚さtg:6.4mm(研磨工程後の目標厚さ6.35mm+誤差範囲)
面取り量m(図2参照):0.6mm
・所定領域:132mm×132mm×6.4mm(基板中心を基準として)
・検査光の発散角度θc:4.8°
・凹レンズ28:シリンドリカルレンズ(焦点距離:300mm)
・凹レンズ28と端面13との距離d:10mm
In the embodiment described above, the divergence angle θc is specifically as follows.
Inspection light: ArF excimer laser light (exposure wavelength: 193 nm)
-Material of glass substrate 10: Synthetic quartz glass-Refractive index: 1.52 (at exposure wavelength: 193 nm)
・ Dimensions of
Thickness tg: 6.4 mm (target thickness after polishing process: 6.35 mm + error range)
Chamfering amount m (see FIG. 2): 0.6 mm
-Predetermined area: 132 mm x 132 mm x 6.4 mm (based on the substrate center)
Inspection light divergence angle θc: 4.8 °
Concave lens 28: Cylindrical lens (focal length: 300 mm)
-Distance d between the
上記実施の形態における発散角度θcは、端面13側の所定領域の境界面Bをカバーすることが可能な、ほぼ最小となる角度としている。本願発明の作用・効果を満たすという観点だけで考慮すると、発散角度θcは、最小の角度よりも大きくしてもよい。しかし、発散角度θcを大きくするに従って、ガラス基板に導入された検査光の光強度(密度)が小さくなっていくため、検査光源の光強度が同じであると、検査光が照射されることにより内部欠陥から発せられる蛍光の光強度も小さくなっていき、蛍光を検出しにくくなる恐れがある。この問題については、検査光源の光強度を増強すれば基本的には解決することであるが、あまり検査光源の光強度を大きくしすぎると、検査光のエネルギーが大きくなることで基板内部にダメージを与えてしまうことが懸念される。この点や、設備増強に係る経済性の点を考慮すると、発散角度θcは、端面13側(検査光の導入される側の端面)の所定領域の境界面Bをカバーすることが可能な最小角度であることが好ましい。
The divergence angle θc in the above embodiment is an angle that is substantially the minimum that can cover the boundary surface B of the predetermined region on the
例えば、前記のようにマスクブランク用ガラス基板の完成時(研磨工程終了後)の縦横寸法が約152mm×152mm×6.35mm、面取り量mが0.6mmの場合、最低限検査光を到達させるべき所定領域を132mm×132mm×6.4mmとすると、発散角度θcは4.8°以上であればよい。また、同じ基板寸法であり、検査光を到達させるべき所定領域を142mm×142mm×6.45mmとすると、発散角度θcは、10.3°以上であればよい。また、凹レンズで発散させる発散角度を大きくすることによる検査光の光強度の低下と、検査光源の光強度を増強することに対する基板へのダメージの危険性やコスト面等を考慮すると、発散角度θcは7.0°以下であることが好ましい。 For example, as described above, when the mask blank glass substrate is completed (after completion of the polishing process) and the vertical and horizontal dimensions are about 152 mm × 152 mm × 6.35 mm and the chamfering amount m is 0.6 mm, the minimum inspection light is allowed to reach. If the predetermined area is 132 mm × 132 mm × 6.4 mm, the divergence angle θc may be 4.8 ° or more. In addition, when the predetermined area to which the inspection light should reach is 142 mm × 142 mm × 6.45 mm with the same substrate dimensions, the divergence angle θc may be 10.3 ° or more. In view of a decrease in the light intensity of the inspection light by increasing the divergence angle diverged by the concave lens and the risk of damage to the substrate and an increase in the light intensity of the inspection light source, the divergence angle θc Is preferably 7.0 ° or less.
なお、本願発明では、凹レンズ28は検査光源からの概ね平行な検査光を発散光とするために必要とするものであるので、球面の凹レンズであってもその機能を満たす。しかし、本願発明で必要とされるのは、基板の厚さ方向への検査光の発散であり、主表面に平行な方向への検査光の発散は必ずしも必要なものではない。逆に発散させることによる検査光の光強度の減少を考慮すると、むしろ主表面に平行な方向への発散は最低限にすることが好ましい。これらのことを考慮すると、凹レンズ28には、シリンドリカルレンズを用いて、主として、基板の厚さ方向へだけ発散させるようにすることが望ましい。また、本願発明では、概ね平行な検査光を発散光とできればどのような手段を用いてもよく、凹面鏡を用いてもよい。この凹面鏡の場合においても、シリンドリカル凹面鏡を用いて、主として、基板の厚さ方向へだけ発散させるようにすることが望ましい。
In the present invention, since the
次に、図4を参照しながら、上述の実施の形態にかかる欠陥検査工程を実施するための装置構成を説明し、本発明の実施の形態にかかるマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査工程をより詳しく説明する。図4において、符号20は、ガラス基板の欠陥検査装置である。このガラス基板の欠陥検査装置20は、検査光Lを発生してガラス基板に照射するためのレーザー装置21と、ガラス基板10を載せてX方向、Y方向、Z方向にそれぞれ移動させるとともにその位置情報を送出するXYZステージ22と、ガラス基板10で発生
した欠陥光を検出するCCDカメラ23と、CCDカメラ23からの画像情報やXYZステージ22からの位置情報等を入力して所定の処理をするコンピュータ27と、検査光Lを発散光にしてガラス基板10に導入するシリンドリカルレンズ28とを有する。
Next, with reference to FIG. 4, the apparatus configuration for carrying out the defect inspection process according to the above-described embodiment will be described, and the defect inspection process of the glass substrate for mask blank according to the embodiment of the present invention will be described. explain in detail. In FIG. 4, the code |
レーザー装置21は、XYZステージ22に載せられたガラス基板10の端面13の側に設けられている。シリンドリカルレンズ28はガラス基板10の端面13の側にこの端面13に沿って設けられている。レーザー装置21から射出された検査光Lは、シリンドリカルレンズ28によって所定の発散光にされた後に、端面13を通じてガラス基板10内に導入されるようになっている。
The
レーザー装置21から射出される検査光は、ビーム形状が7.0mm×4.0mm、パワーが6mJ、周波数が400Hzのパルス状のArFエキシマレーザー光(波長:193nm)であり、シリンドリカルレンズ28は、ガラス基板10の端面13又は14に平行に配置されるもので、これら端面とその縦横幅がほぼ同じに形成されたものである。そして、レンズとしての機能は、長手方向(基板主表面に平行な方向)に直角な切断面(基板厚さ方向)において、凹レンズとして作用する。凹レンズとしての機能は、既に詳述した通り、検査光Lを所定の発散角の発散光にするものである。なお、長手方向については、レンズ作用を有しない。
The inspection light emitted from the
XYZステージ22は、ガラス基板10を載置してこれをXYZ方向に移動できるようになっており、ガラス基板を所望の位置に移動させ、その位置情報をコンピュータ27に送出するものである。本欠陥検査を行う場合には、検査開始の位置にガラス基板10を設置し、次に、レーザー装置21によって、ガラス基板0内に検査光Lを導入し、そのときの蛍光Lkc,Lkdの像をCCDカメラ23によって撮像し、その画像情報及び上記位置情報をコンピュータ27に送って蓄積する。次に、XYZステージ22を駆動してガラス基板10を、検査光Lの幅分だけY方向に移動させ、同様に、検査光Lを照射し、そのときの蛍光Lk,Lkの像をCCDカメラ23によって撮像し、その画像情報を並びに位置情報をコンピュータ27に送る。この動作を繰り返すことにより、端面13の一方の端から他方の端までの全ての領域から検査光Lを導入する。
The
次に、XYZステージ22上でガラス基板10を移動させ、端面14がシリンドリカルレンズ28に対向するように設置する。次いで、端面14から検査光Lが導入されるようにする。そして、端面13から導入した場合と同様の操作を繰り返し、端面14の一方の端から他方の端までの全ての領域から検査光Lを導入する。これによって、ガラス基板10内の全ての領域に検査光Lを照射し、ガラス基板10内の全ての領域の欠陥光の画像を蓄積する。なお、上述の通り、レーザー装置21とシリンドリカルレンズ28とを、ガラス基板10の端面13の側のほかに、端面14の側にも設置すれば(図4の点線で表示)、ガラス基板10をXYZステージ22上に固定したままで、全領域の検査をすることができる。
Next, the
CCDカメラ23は、表裏面のうちの一方の面である面11の側(図の上方)に配置され、ガラス基板10から発せられる光の情報に基づいた画像をつくる。すなわち、ガラス基板10の内部欠陥から発生される蛍光Lkc,Lkdを、検知し、その蛍光による像を撮影し、その画像情報をコンピュータ27に送る。なお、この実施の形態では、CCDカメラ23として、いわゆる白黒カメラを用いた。
The
コンピュータ27は、CCDカメラ23からの画像を入力して、ガラス基板10のY方向の各位置で画像処理し、このガラス基板10のY方向の各位置について、CCDカメラ23が受光する光Lkc,Lkd,Lgの光量(強度)を、ガラス基板10のX方向位置との関係で解析する。つまり、コンピュータ27は、光Lkc,Lkd,Lgの光量が所
定閾値以上の局所的な光量を有する場合に、その所定閾値以上の局所的な光量の光Lkc,Lkdを内部欠陥Kc,Kdが発したと判断して、この内部欠陥Kc,Kdの位置(ガラス基板10におけるX方向及びY方向の位置)と共に、内部欠陥Kc,Kdが発する局所的な光量の光Lkc,Lkdの形状などから内部欠陥Kc,Kdの種類(局所脈理、内容物、異質物)を特定して検出する。
The
例えば、ガラス基板10に内部欠陥Kcとして局所脈理または内容物が存在する場合には、レーザー照射装置21からのArFエキシマレーザー光がガラス基板10に導入されることによって、上記局所脈理または内容物が図5(A)に示すように、所定閾値(1000counts)以上の局所的な光量の光Lkcを発し、合成石英ガラス基板4の局所脈理または内容物以外の領域が光Lgを発する。コンピュータ27は、CCDカメラ23が受光した光Lkc及びLgを画像処理して解析することで、所定閾値以上の局所的な光量の光Lkcの形状から内部欠陥Kcを局所脈理または異質物と判断し、且つその所定閾値以上の局所的な光量の光Lkcが発する位置に局所脈理または内容物が存在するとして、その局所脈理または内容物をその位置と共に検出する。ここで、図5(A)の場合、横軸はガラス基板10のX方向位置を、縦軸は光Lkc及びLgの光量(強度)をそれぞれ示す。
For example, when local striae or contents exist as the internal defect Kc in the
また、ガラス基板10に内部欠陥Kc,Kdとして異質物が存在する場合には、レーザー照射装置21からArFエキシマレーザー光がガラス基板10に導入されることによって、上記異質物が図5(B)に示すように、所定の範囲(例えば10〜20mm)に所定閾値(1000counts)以上の局所的な光量の光Lkdを発し、合成石英ガラス基板4の異質物以外の領域が光Lgを発する。コンピュータ27は、CCDカメラ23が受光した光Lkd及びLgを画像処理して解析することで、所定閾値以上の局所的な光量の光Lkdの形状から内部欠陥Kdを異質物と判断し、且つその所定閾値以上の局所的な光量の光Lkdが発生する位置に当該異質物が存在するとして、この異質物をその位置と共に検出する。ここで、図5(B)の場合も、横軸はガラス基板10のX方向位置を、縦軸は検出された光量(強度)をそれぞれ示す。上記ガラス基板の欠陥検査装置20によって内部欠陥Kc,Kdが検出されないガラス基板10は、検査合格品であり、次の研磨工程に供給される。
Further, when foreign substances exist as internal defects Kc and Kd in the
(3)マスクブランク用ガラス基板の研磨工程
(2)欠陥検査工程で検査合格品となったガラス基板10に対し、その主表面11,12、端面13,14,15,16、面取り面13a,13b,14a,14b,15a,15b,16a,16bをそれぞれ所望の表面粗さになるように鏡面・精密研磨し、洗浄処理を実施してマスクブランク用ガラス基板10を得る。このときの主表面11、12の表面粗さは、自乗平均平方根粗さ(Rms)で0.2nm以下が好ましい。
(3) Polishing process of mask blank glass substrate (2) For
(4)マスクブランクの製造工程(製造方法)
次に、上述のようにして得たマスクブランク用ガラス基板10の主表面11上にマスクパターン形成用の薄膜(ハーフトーン膜)を公知のスパッタリング装置、例えば、DCマグネトロンスパッタリング装置等を用いて形成し、マスクブランクとしてのハーフトーン型位相シフトマスクブランクを得る。なお、このハーフトーン膜に用いられる材料としては、モリブデン、タンタル、タングステン、ジルコニウム等の遷移金属とシリコンとからなる遷移金属シリサイドを酸化、窒化、酸窒化させたものを主成分とする材料が挙げられる。また、ハーフトーン膜を、主として露光光に対する透過率を調整する透過率調整層と、主として膜中を透過する露光光に対して位相差を調整する位相調整層との2層以上の積層構造としてもよい。
(4) Mask blank manufacturing process (manufacturing method)
Next, a thin film (halftone film) for forming a mask pattern is formed on the
(5)露光用フォトマスクの製造工程(製造方法)
次に、上記マスクブランク(ハーフトーン型位相シフトマスクブランク)のハーフトー
ン膜に、公知のパターン形成方法によってパターンを形成して露光用フォトマスクとしてのハートーン位相シフトマスクを得る。すなわち、上記ハーフトーン膜の表面にレジストを塗布した後、加熱処理してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に所定のパターンを描画・現像処理し、レジストパターンを形成し、上記レジストパターンをマスクにして、ハーフトーン膜をドライエッチングしてハーフトーン膜パターンを形成し、レジストパターンを除去して、ガラス基板10上にハーフトーン膜パターンが形成された露光用フォトマスクを得る。
(5) Manufacturing process of photomask for exposure (manufacturing method)
Next, a pattern is formed on the halftone film of the mask blank (halftone phase shift mask blank) by a known pattern forming method to obtain a Hearton phase shift mask as an exposure photomask. That is, after applying a resist to the surface of the halftone film, a heat treatment is performed to form a resist film, a predetermined pattern is drawn and developed on the resist film, a resist pattern is formed, and the resist pattern is masked Then, the halftone film is dry-etched to form a halftone film pattern, the resist pattern is removed, and an exposure photomask in which the halftone film pattern is formed on the
上記実施の形態によれば、欠陥検査工程において、発散角をθcにした検査光Lをガラス基板10の端面13から導入して欠陥光を検出し、次にこの端面13と対向する端面14から検査光Lを導入して同様に欠陥光を検出するようにしたことにより、面取り面がある場合でも、検査光をガラス基板内部の表面近傍まで確実に到達させることを可能にし、同時に、発散角を小さく抑えることによって検査光の減衰を小さく抑えて確実な欠陥検出を可能にして効率的な検査を可能にしている。
According to the embodiment, in the defect inspection process, the inspection light L having a divergence angle θc is introduced from the
なお、上記実施の形態1では、欠陥検査工程において、内部欠陥Kc,Kdが発する光Lkc,Lkd,Lgを受光するCCDカメラ23を、主表面11の側に配置した例を示したが、主表面12側、あるいは端面14,15,16側に配置してもよい。また、検査光が導入可能な程度に研磨されている端面であれば、端面13以外の端面側にArFエキシマレーザー光を導入する配置としてもよい。
In the first embodiment, the
また、上記実施の形態1では、露光光源がArFエキシマレーザーの場合を述べたが、波長が200nm以下、好ましくは波長が100nm〜200nmの光であればよく、F2エキシマレーザーであってもよい。また、ArFエキシマレーザーやF2エキシマレーザーと同じ波長を得るために、重水(D2)ランプ等の光源から光を分光させて中心波長がArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザーと同じ光を用いても構わない。 In the first embodiment, the case where the exposure light source is an ArF excimer laser has been described. However, the light may be light having a wavelength of 200 nm or less, preferably 100 nm to 200 nm, and may be an F2 excimer laser. In addition, in order to obtain the same wavelength as the ArF excimer laser or the F2 excimer laser, the light having a central wavelength that is the same as that of the ArF excimer laser or the F2 excimer laser may be used by dispersing light from a light source such as a heavy water (D2) lamp. .
また、上記実施の形態1においては、CCDカメラ23として白黒カメラを用いた例を掲げたが、CCDカメラをカラーカメラとして、ガラス基板10の内部欠陥及びこの内部欠陥以外の領域が発する、波長が200nm以上の露光波長の光よりも長い波長の光を受光して撮影し、コンピュータ27は、このCCDカメラ23の画像を赤、緑、青の色別に画像処理し、この色別に画像処理した光の強度(光量)分布から内部欠陥16を検出してもよい。この場合、コンピュータ27は、色別に画像処理した光の色や波長等の情報から内部欠陥を検出してもよい。また、内部欠陥の検出は、マスクブランク用ガラス基板の製造工程の最終段階で実施してもよい。
In the first embodiment, an example in which a black and white camera is used as the
更に、上記実施の形態1では、ガラス基板10の内部欠陥及びこの内部欠陥以外の領域が発する、露光波長の光よりも長い波長の光をCCDカメラ23が受光するものを述べたが、これらの光を分光器が受光して、内部欠陥の分光特性(波長及び強度)や、光15及び17の強度(光量)分布を測定して、内部欠陥を検出してもよい。また、蛍光の検出は検査員による目視で行ってもよい。
Furthermore, in Embodiment 1 described above, the
また、上記実施の形態1では、マスクブランク用ガラス基板上にハーフトーン膜を形成したハーフトーン型位相シフトマスクブランクの場合を述べたが、これに限定されるものではない。例えば、ガラス基板10上にハーフトーン膜と、このハーフトーン膜上に遮光膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクや、マスクブランク用ガラス基板7上に遮光膜が形成された、いわゆるバイナリー型のマスクブランクであっても構わない。この場合の遮光膜の構造としては、基板側から遮光層、表面反射防止層の2層積層構造や、さらにそれに基板と遮光層の間に裏面反射防止層を加えた3層積層構造などが挙げられる。遮光膜に用いられる材料としては、クロムを主成分とする材料がまず挙げられ、裏
面反射防止層、遮光層、表面反射防止層に必要とされる特性を満たすように、これを主成分に適度に酸化、窒化、炭化等させた材料を、それぞれ用いるようにするとよい。また、クロム以外の遮光膜に適用可能な材料としては、たとえば、モリブデン、タングステン、ジルコニウム等の遷移金属とシリコンとからなる遷移金属シリサイドが挙げられ、クロムの場合と同様、これを主成分に適度に酸化、窒化、炭化等させた材料を使用するとよい。このほかにも、タンタルを主成分として、適度に酸化、窒化、炭化等させた材料を用いて、2層積層構造あるいは3層積層構造の遮光膜を形成してもよい。尚、これらのハーフトーン型位相シフトマスクブランク、マスクブランクの遮光膜上にレジスト膜を形成していてもよい。
In the first embodiment, the case of a halftone phase shift mask blank in which a halftone film is formed on a mask blank glass substrate has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, a halftone phase shift mask blank having a halftone film on a
(実施の形態2)
実施の形態1では、端面13から検査光を導入するだけで、所定領域における蛍光の有無を検査するようにしたが、検査光源の概ね平行な検査光を凹レンズで発散光とすることによって、少なからず単位面積当りの光強度は減少する。端面13の1か所から導入される検査光(発散光)で所定領域全体の蛍光の有無を検査するためには、端面13と対向する端面14側の所定領域の境界面D(図6参照)で蛍光の有無を十分に検出可能な光強度の大きさが少なくとも必要である。前記の通り、検査光源の光強度自体を増強することで、端面14側の所定領域の境界面Dでの発散光の光強度を上げることは可能ではある。しかし、このとき、検査光の導入側である端面13側の基板内部における発散光の光強度が必然的に大きくなることから、増強する検査光源の光強度の大きさによっては、端面13側の基板内部にダメージを与えてしまう可能性がある。
(Embodiment 2)
In the first embodiment, the presence / absence of fluorescence in the predetermined region is inspected only by introducing inspection light from the
この実施の形態2は、端面13側からだけでなく、端面14側からも検査光の発散光を導入することで、上記の課題を解決するものである。この実施の形態2では、図6に示すように、端面13と端面14との間の距離を2分する主表面11,12上の中間地点C1,C2を通り、かつ端面13および端面14と平行な中間面Cにより、検査光を到達させる必要がある所定領域を2分する。そして、端面13側から導入される検査光で、最低限、所定領域の端面13側の境界面B、中間面C、両主表面11,12側の境界面E、Fに囲まれる領域の蛍光の有無を検査するようにし、端面14側から導入される検査光で、最低限、所定領域の端面14側の境界面D、中間面C両主表面11,12側の境界面E、Fに囲まれる領域の蛍光の有無を検査するようにしている。これによって、導入する発散光は、少なくとも中間面Cで蛍光の有無を検査できるだけの光強度を確保できればよいことになり、発散光を導入する端面側の基板内部のダメージを抑制することができる。この場合、ガラス基板10内に導入される発散光である検査光Lのうち、最も外側の光線をL1,L2とすると、この光線L1、L2と、所定領域の表・裏両主表面11,12側の各境界面E,Fとの交線Be,Bf,De,Df上に掛かるように、検査光の発散角度θcを設定することができる。
The second embodiment solves the above problem by introducing divergent light of inspection light not only from the
この実施の形態2において、端面13側から検査光を導入した内部欠陥検査を行った後、次のステップである端面14側から検査光を導入する場合の方法としては、端面13と端面14の位置が入れ替わるように基板10をXYZステージ22上に置く向きを変えるとよい。また、図4の破線で示すように、端面14側にもレーザー照射装置21とシリンドリカルレンズ28を配置するようにして対応してもよい。なお、この実施の形態2の場合においては、最低限、検査光を導入する2つの端面13,14は、鏡面研磨する必要がある。この他のマスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および露光用フォトマスクの製造方法に関する事項については、実施の形態1の場合と同様である。
In the second embodiment, after performing the internal defect inspection in which the inspection light is introduced from the
(実施の形態3)
この実施の形態3は、実施の形態2と同様に、端面13側からだけでなく、端面14側
からも検査光の発散光を導入することで、検査光のガラス基板内への導入によるダメージの課題を解決するものであるが、従来の平行光による内部欠陥検査工程の場合と、検査光源の光強度をほぼ同等レベルとすることができる点で、実施の形態2とは異なる。
(Embodiment 3)
In the third embodiment, similarly to the second embodiment, the inspection light is introduced not only from the
この実施の形態3では、図7に示すように、端面13側から導入される検査光で、最低限、中間面C、端面14側の境界面D、両主表面11,12側の境界面E、Fに囲まれる領域の蛍光の有無を検査するようにしている。そして、端面14側から導入される検査光で、最低限、中間面C、端面13側の境界面B、両主表面11,12側の境界面E、Fに囲まれる領域の蛍光の有無を検査するようにしている。この場合、ガラス基板10内に導入される発散光である検査光Lのうち、最も外側の光線をL3,L4とすると、この光線L3、L4が、所定領域の表・裏両主表面11,12側の各境界面E,Fと、中間面Cとの交線Ce,Cf,De,Df上に掛かるように、検査光の発散角度θcを設定することができる。これによって、実施の形態1,2の場合に比べて、発散角度θcをかなり小さくすることができ、発散による検査光の光強度の低下を最低限に抑えることができる。これにより、検査光源の光強度を、従来の平行光による内部欠陥検査工程の場合と、ほぼ同等レベルとすることができ、検査光をガラス基板内に導入させることによって与えるダメージは、従来技術と同等レベルに抑えられる。
In the third embodiment, as shown in FIG. 7, the inspection light introduced from the
例えば、マスクブランク用ガラス基板の完成時(研磨工程終了後)の縦横寸法が約152mm×152mm×6.35mm、面取り量kが0.6mmの場合、最低限検査光を到達させるべき所定領域を132mm×132mm×6.4mmとすると、発散角度θcは0.7°以上であればよい。 For example, when the mask blank glass substrate is completed (after completion of the polishing process), the vertical and horizontal dimensions are about 152 mm × 152 mm × 6.35 mm, and the chamfering amount k is 0.6 mm, the predetermined region where the inspection light should reach at least is set. If 132 mm × 132 mm × 6.4 mm, the divergence angle θc may be 0.7 ° or more.
この実施の形態3の内部欠陥検査工程の場合、他の実施の形態では検査光が物理的に届かない領域であるS3,S4,S5,S6の領域にも届く。よって、この実施の形態3の場合、検査光源の光強度を若干上げることによって、基板10内の全ての領域に対して、内部欠陥検査を行うことが可能である。なお、この他のマスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および露光用フォトマスクの製造方法に関する事項については、実施の形態1の場合と同様である。
In the case of the internal defect inspection process of the third embodiment, the inspection light reaches the areas S3, S4, S5, and S6, which are areas where the inspection light does not physically reach in other embodiments. Therefore, in the case of the third embodiment, it is possible to perform the internal defect inspection for all the regions in the
(実施の形態4)
この実施の形態4は、ガラス基板の内部欠陥を検査する工程である欠陥検査工程を(3)マスクブランク用ガラス基板の研磨工程の前に行わず、(4)マスクブランクの製造工程後に行う点で、実施の形態1とは異なる。
(Embodiment 4)
In the fourth embodiment, a defect inspection process, which is a process for inspecting an internal defect of a glass substrate, is not performed before (3) the polishing process of the glass substrate for mask blank, and (4) is performed after the manufacturing process of the mask blank. Thus, it is different from the first embodiment.
(4)マスクブランクの製造工程で製造されたマスクブランクに対して、(2)マスクブランク用ガラス基板の内部欠陥検査工程と同様の方法で、ガラス基板の内部欠陥の検査を行った。マスクブランクのガラス基板の大きさは、縦横寸法が約152mm×152mm×6.35mm、面取り量kが0.6mmを目標に製造されているが、誤差を加味して最低限検査光を到達させるべき所定領域を132mm×132mm×6.4mmとすると、検査光の発散角度θcは4.8°以上であればよい。また、凹レンズで発散させる発散角度を大きくすることによる検査光の光強度の低下と、検査光源の光強度を増強することに対する基板へのダメージの危険性やコスト面等を考慮すると、発散角度θcは7.0°以下であることが好ましい。 (4) The internal defect of the glass substrate was inspected by the same method as the internal defect inspection step of (2) the mask blank glass substrate, with respect to the mask blank manufactured in the mask blank manufacturing process. The mask blank glass substrate is manufactured with the aim of a vertical and horizontal dimension of about 152 mm x 152 mm x 6.35 mm and a chamfering amount k of 0.6 mm. Assuming that the predetermined area is 132 mm × 132 mm × 6.4 mm, the divergence angle θc of the inspection light may be 4.8 ° or more. In view of a decrease in the light intensity of the inspection light by increasing the divergence angle diverged by the concave lens and the risk of damage to the substrate and an increase in the light intensity of the inspection light source, the divergence angle θc Is preferably 7.0 ° or less.
この実施の形態によれば、実施の形態1の場合と同様の効果を得ることができる。また、蛍光が基板主表面11と薄膜との界面で反射することから、蛍光の有無をより識別しやすいという効果も得られる。なお、マスクブランクのガラス基板10内への検査光の導入方法として、実施の形態2に示したように、端面13側からだけでなく、端面14側からも検査光の発散光を順次導入するようにしてもよい。さらに、マスクブランクのガラス基
板10内への検査光の導入方法として、実施の形態3に示したように、発散角度θcが0.7°以上である発散光の検査光を用いて、端面13側からと端面14側からの両方から順次検査光を導入するようにしてもよい。
According to this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained. Further, since the fluorescence is reflected at the interface between the
(5)露光用フォトマスクの製造工程で製造された露光用フォトマスクに対して、マスクブランクに対して行った場合と同様の内部欠陥検査を行ってもよい。また、蛍光を照射することで内部欠陥から発生する蛍光は、照射強度や内部欠陥の大きさによって、光量が大きく変化するので、より確実な内部欠陥が必要であれば、未研磨のガラス基板の段階、研磨して出来上がったマスクブランク用ガラス基板の段階、マスクブランクの段階、露光用フォトマスクの段階のうち、いずれか複数の段階や、全ての段階で内部欠陥検査を行ってもよい。 (5) The same internal defect inspection as that performed on the mask blank may be performed on the exposure photomask manufactured in the manufacturing process of the exposure photomask. In addition, since the amount of light generated from the internal defect due to the irradiation of the fluorescence varies greatly depending on the irradiation intensity and the size of the internal defect, if a more reliable internal defect is required, the unpolished glass substrate The internal defect inspection may be performed at any of a plurality of stages, a mask blank glass substrate stage, a mask blank glass stage, and an exposure photomask stage.
10・・・マスクブランク用ガラス基板
11,12・・・主表面(表裏面)
13,14,15,16・・・端面
13a,13b,14a,14b,15a,15b,16a,16b・・・面取り面
20・・・ガラス基板の欠陥検査装置
21・・・レーザー装置
22・・・XYZステージ
23・・・CCDカメラ
27・・・コンピュータ
28・・・凹レンズ(シリンドリカルレンズ)
10 ... Glass substrate for mask blank 11, 12 ... Main surface (front and back)
13, 14, 15, 16 ... end faces 13a, 13b, 14a, 14b, 15a, 15b, 16a, 16b ... chamfered
Claims (12)
一端面から波長200nm以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検査する欠陥検査工程と
を有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、7.0°以下の発散角度を有する発散光を検査光として用い、前記ガラス基板内の検査すべき所定領域全体に検査光を到達させて内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されないガラス基板を選定することを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。 A substrate preparation step of preparing a thin plate-like mask blank glass substrate having two main surfaces and four end surfaces;
A manufacturing method of a glass substrate for a mask blank having a defect inspection step of inspecting an internal defect by introducing inspection light having a wavelength of 200 nm or less from one end surface into the glass substrate,
The defect inspection step uses divergent light having a divergence angle of 7.0 ° or less as inspection light, and makes the inspection light reach the entire predetermined region to be inspected in the glass substrate, and whether or not there is fluorescence generated from an internal defect Is to inspect
A method for producing a glass substrate for a mask blank, wherein a glass substrate from which fluorescence is not detected is selected.
前記ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
一端面から波長200nm以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検査する欠陥検査工程と
を有するマスクブランクの製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、7.0°以下の発散角度を有する発散光を検査光として用い、前記ガラス基板内の検査すべき所定領域全体に検査光を到達させて内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されないマスクブランクを選定することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 A substrate preparation step of preparing a thin plate-like mask blank glass substrate having two main surfaces and four end surfaces;
A thin film forming step of forming a thin film for pattern formation on the main surface of the glass substrate;
A manufacturing method of a mask blank having a defect inspection step of inspecting internal defects by introducing inspection light having a wavelength of 200 nm or less from one end surface into a glass substrate,
The defect inspection step uses divergent light having a divergence angle of 7.0 ° or less as inspection light, and makes the inspection light reach the entire predetermined region to be inspected in the glass substrate, and whether or not there is fluorescence generated from an internal defect Is to inspect
A method of manufacturing a mask blank, comprising selecting a mask blank from which fluorescence is not detected.
前記ガラス基板の主表面にパターン形成用の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜に露光用の微細パターンを形成する微細パターン形成工程と、
一端面から波長200nm以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検査する欠陥検査工程と
を有する露光用フォトマスクの製造方法であって、
前記欠陥検査工程は、7.0°以下の発散角度を有する発散光を検査光として用い、前記ガラス基板内の検査すべき所定領域全体に検査光を到達させて内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査するものであり、
蛍光が検出されない露光用フォトマスクを選定することを特徴とする露光用フォトマスクの製造方法。 A substrate preparation step of preparing a thin plate-like mask blank glass substrate having two main surfaces and four end surfaces;
A thin film forming step of forming a thin film for pattern formation on the main surface of the glass substrate;
A fine pattern forming step of forming a fine pattern for exposure on the thin film;
A method of manufacturing a photomask for exposure having a defect inspection step of inspecting internal defects by introducing inspection light having a wavelength of 200 nm or less from one end surface into a glass substrate,
The defect inspection step uses divergent light having a divergence angle of 7.0 ° or less as inspection light, and makes the inspection light reach the entire predetermined region to be inspected in the glass substrate, and whether or not there is fluorescence generated from an internal defect Is to inspect
An exposure photomask manufacturing method, wherein an exposure photomask in which fluorescence is not detected is selected.
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