JP5027191B2 - 圧力センサ及びその調整方法 - Google Patents
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Description
ダイヤフラムの変位に応じた大きさの信号を出力するものとして、ピエゾ抵抗(半導体)式圧力センサや静電容量式圧力センサが知られているが、これらは高価である。
また、ダイヤフラムに永久磁石を取り付けておき、前記ダイヤフラムの変位をホール素子を使用して検出するようにした、ホール素子を用いた圧力センサが提案されている(特許文献1〜7)。
ホール素子の出力電圧と磁束密度との間には所定の比例関係が存在するが、磁石の位置とホール素子の出力電圧との関係は、ホール素子及び磁石の個々のばらつき、ホール素子と磁石との距離のばらつきにより各製品個々に異なってくる。このような各種のばらつきがあっても、各製品が一定の圧力と出力電圧特性を有するようにスパン調整を行うことが必要である。
特許文献2(特開平09−170958号公報)に記載された圧力センサは、スパン調整で必要なバネ定数を選定した後に規定のコイルバネを挿入する方法であるが、座のすわり具合やバネ自体のバラツキが大きく、ロードスケール(スパン)が安定しないという問題があった。
特許文献3(特開2000−18997号公報)に記載された圧力センサは、基板上に設置された可変抵抗を調整することでスパン調整を行うが、部品が高価であり、防滴構造をとるために防水塗料を塗布する必要があるため手間ひまがかかり、塗布時にトリマー抵抗器の抵抗値がずれる可能性もある。また、可変抵抗を調整するための調整設備に費用がかかるという問題がある。
特許文献4(特開昭56−155824号公報)、特許文献5(特開平08−327483号公報)及び特許文献6(特開2000−214036公報)に記載された圧力センサは、同極性の一対の磁石を対向させ中間にホール素子を配置した仕様であり、磁石を大小2個使用して磁束密度の調整を行う構造である。また、高価な磁石(希土類ネオジウム、サマリウムコバルト(CoSm)等)を2個使用するため、コスト的な面で問題がある。
特許文献7(特開平08−327484号公報)には、温度ドリフト低減を目的として、磁性体板(鉄板)を備える圧力センサが記載されている。
そこで、本発明は、この調整抵抗を廃止し、基板レス及び小型化を図るとともに調整工程の簡略化を実現することができる圧力センサ及びその調整方法を提供することを目的としている。
また、前記磁性体板は、複数枚の樹脂板と1枚の磁性体板とが積層されて構成されたプレートにおける磁性体板とされているものである。
さらに、前記積層された磁性体板の位置が異なる複数のプレートの中から調整工程において選択されたプレートが装着されているものである。
さらにまた、前記空隙の縦方向の長さが異なる複数の磁性体板の中から調整工程において選択された磁性体板が装着されているものである。
さらにまた、本発明の他の圧力センサの調整方法は、被測定流体の流入口を有する継手本体、内部に受圧板が貫入されるガイド室が設けられた上側本体、前記継手本体と上側本体により周縁を挟持されたダイヤフラム、前記ダイヤフラムの上面に前記上側本体のガイド室内に摺動自在に設けられた受圧板、前記受圧板の摺動面に固定された永久磁石、及び、前記上側本体のガイド室の側面に前記永久磁石と対向するように設置された、ホール素子及び該ホール素子の出力を増幅する回路を有するリニアホールICを有する圧力センサの調整方法であって、前記リニアホールICの前記永久磁石側とは反対側に、その中心位置が前記リニアホールICの中心位置と一致する空隙が設けられた磁性体板を装着して、当該圧力センサの出力電圧範囲を測定し、その測定結果が所定の範囲内にないときは、前記磁性体板を前記空隙の寸法が異なる他の磁性体板に変更することによって、前記リニアホールICを通過する磁束の集束度を調整して、当該圧力センサの出力電圧範囲を制御するものである。
調整抵抗などの調整のための電子回路をなくすことができ、構造をシンプル化することができたため、コストダウン、サイズダウンの効果を奏することができる。
また、むき出しの基板品よりも耐環境性、耐久性に優れた圧力センサを実現することができる。防滴性の低い基板に比べ、比較的防滴構造にしやすい等の特徴もある。
さらに、スパン調整法がシンプルであり、複雑な調整設備を必要としない。
さらにまた、トータルコストの低減、調整抵抗の防水塗布によるズレを防ぎ品質が安定するという効果もある。
この図において、10は継手本体、20はダイヤフラム、30は上側本体である。前記継手本体10の底面の中央には被測定流体を導入するための導入口を有する継手部11が備えられており、また、継手本体10の上面には段部12が形成されている。前記ダイヤフラム20は、例えば硬度の高いシリコーンゴム製であり、中心部に受圧板支持部21、その周囲にドーナツ状で肉厚に形成されたバネ力付与部22、周縁部にフランジ部23が形成されている。図示するように、前記継手本体10の上面に形成されている段部12に、前記上側本体30の下端フランジ部31の下面の突出部が嵌合しており、継手本体10の段部12と上側本体30の下端フランジ部31とにより前記ダイヤフラム20のフランジ部23が挟持されて固定されている。
前記上側本体30のガイド室32内には略円筒状の受圧板24が図中上下方向に摺動自在に配置されている。受圧板24の下端は前述したダイヤフラム20の受圧板支持部21上に固定されている。この受圧板24の前記ガイド部32の前記平坦部33に対向する部分は平坦部25とされており、両者の嵌合によって、受圧板24は回転することなく上下動可能となっている。そして、受圧板24の平坦部25の前記上側本体30のガイド室32の平坦部33に配置されたリニアホールIC34に対向する位置に永久磁石26が固定されている。この永久磁石(以下、単に「磁石」とよぶ。)26として、例えば、Nd(ネオジウム)又はCoSm(サマリウムコバルト)などの透磁率が一定の磁石が用いられる。
前記受圧板24の上端面は、上側本体30の上部に螺合した調整ねじ28に支持されたコイルバネ27により押圧され、ダイヤフラム20の前記バネ力付与部22によるバネ力と釣り合うようになされている。なお、調整ねじ28により磁石26の初期位置を調整することができる。
また、前記ガイド室32には、空気抜き孔38が設けられており、前記ダイヤフラム20と前記上側本体30の内部により形成される領域Bを大気圧に保持するようにしている。
この図に示す例では、プレート40は、図示するように、いずれも中央部に横長の角孔44が形成された1枚の磁性体板41と2枚の樹脂板42及び43とが積層された構造とされている。磁性体板41としては、透磁率が高い材料であれば良いのであるが、ここでは、鉄板(SPCC)を用いるものとして説明する。(以下、磁性体板を単に「鉄板」とよぶ。)そして、図2の(a)に示す第1の種類のプレート(プレート I )は、一番右側が鉄板41とされており、(b)に示す第2の種類のプレート(プレート II)は中央が鉄板41とされており、(c)に示す第3の種類のプレート(プレートIII)は一番左側が鉄板41とされている。
このプレート40を前記プレート収納部36に挿入し、上側本体30の凹部37に装着することにより、プレート40は、前記角孔44の中心位置が、前記リニアホールIC34の中心位置と一致する位置に装着される。
この3種類のプレート(プレート I、プレート II、プレートIII)のうちのいずれかを選択して前記プレート収納部36に装着することにより、前記リニアホールIC34と鉄板41との間の距離を選択することが可能となる。
本発明においては、磁石26は着磁方向が図中上下方向となるように取り付けられており、リニアホールIC34中のホール素子は、磁石のN極とS極の境界付近の実装面に垂直な磁界成分のみを検出するようにされている。N極とS極の境界では検出する磁界がゼロとなり、この近傍では磁石の移動に対して磁束密度がリニアに変化するため直線性のよい出力を得ることができる。
図3の(b)に示す磁石変位ゼロ位置(B)では、変位量(リニアホールICの中心位置に対する磁石の中心位置)が0mmであり、そのときの磁束密度が0[mT]、出力電圧が2.5 [V]となる。
図3の(c)に示す最大加圧時(A)には、ダイヤフラム20の中心部及び受圧板24が上昇して磁石26の中心位置がリニアホールIC34の中心位置よりも0.5mm上の位置(変位量が+0.5mm)となり、磁束密度が23 [mT]、出力電圧が4.0 [V]となる。
これにより、図3の(d)の磁電変換特性及び(e)の変位出力特性に示すように、直線性の良好な部分を用いて、流体の圧力に応動した出力電圧から流体圧力を検出することができる。
そこで、本発明においては、個々の圧力センサの特性に応じて、その個体に最も適したプレートを選択して装着すること、あるいは、プレートを装着しないことにより、調整抵抗を用いることなく、スパン調整を行う。
図4の(a)は前記図1の(a)と同じく本発明の圧力センサの断面図、(b)、(c)、(d)及び(e)は、それぞれ、プレートを装着しない場合、プレート I を装着した場合、プレート IIを装着した場合、及び、プレートIIIを装着した場合におけるリニアホールIC34を通過する磁力線について説明する図、(f)は前記(b)〜(e)の各場合における磁電変換特性(磁束密度に対する磁石の変位及び出力電圧特性)を示す図、(g)は前記(b)〜(e)の各場合における変位出力特性(磁石の変位に対する出力電圧及び磁束密度特性)を示す図である。
この図に示すように、プレート40が装着されていない場合(プレートとの距離が無限大であることと等価)は、磁力線が最も広がっており、磁力線の集束は無いものということができる。この場合は、後述する(c)のプレート I を装着した場合と比較して出力電圧の範囲(スパン)が小さくなる。
図4の(d)は、プレート IIを装着した場合を示す図である。この場合には、プレート40の中央部に鉄板41が位置しており、(c)のプレート I の場合よりもリニアホールIC34に近い位置に鉄板41が装着されていることとなる。この場合の磁束の集束度は中程度ということができ、スパンは前記(c)の場合よりも増加する。
図4の(e)は、プレートIIIを装着した場合を示す図である。この場合にはプレート40中の鉄板41がリニアホールIC34に最も近い位置になるように装着されている。これにより、磁石26からの磁束の集束度は最も大きくなり、すなわち、ホール素子を通過する磁束密度が他の場合よりも大きくなり、スパンは最も大きくなる。
そして、図4(g)の変位出力特性において、プレートを装着しない場合(図中、無)はプレート I を装着した場合(図中、 I )よりも、磁石の変位に対する出力電圧の傾きが小さくなる。また、プレート IIを装着した場合(図中、 II)はプレート I を装着した場合よりも磁石の変位に対する出力電圧の傾きが大きくなり、プレートIIIを装着した場合(図中、III)はさらに傾きが大きくなる。
このように、プレート I を装着した場合を基準とし、特性を評価した後にプレートを取り外すか、あるいは、プレート II又はプレートIIIに変更することにより、特性のバラツキを吸収して要求されている特性となるように調整することができる。
この図において、(a)はリニアホールIC34と鉄板との距離と磁束密度の関係のシミュレーション結果を示すグラフ、(b)〜(e)はリニアホールIC34と鉄板との距離が3.2mm、3.5mm、4.2mm及び鉄板が無い場合の各場合における磁束密度分布のシミュレーション結果を示す図である。
この図に示すように、鉄板とリニアホールICとの距離が小さくなるほど、集束した磁束がリニアホールICを通過することとなり、(a)に示すように、磁石変位に対する磁束密度の変化の傾きが大きくなっていることがわかる。すなわち、前記図4の(g)に示した結果が裏付けられる。
このように、空隙を設けた鉄板の設置位置、すなわち、鉄板とリニアホールICとの間の距離に応じて、ホール素子により検出される磁束の集束度が変化し、スパンを調整することができる。
従来と同様にして、前記図1に示した圧力センサの組み立てが終了したものとする。ただし、この時点では、前記プレート収納部36に基準となるプレート I を仮に取り付けておく。
この状態で、前記調整ねじ28を調整し、その圧力センサの特性を測定する。
その結果、出力電圧範囲が所定の範囲内に入っているときには、そのまま、プレート I を上側本体30に固定して、調整作業を終了する。
一方、出力電圧範囲が所定の範囲内に入っていないときは、前記プレート I を取り外し、あるいは、他のプレート II又はプレートIIIに取り替えて、特性の測定を行う。その結果、出力電圧範囲が所定の範囲内に入っている場合には、プレートが取り外されているときはそのまま、プレートが取り付けられているときはそのプレートを上側本体30に固定して、調整作業を終了する。
このようにして、電子回路を使用すること無く、精度の調整、すなわちスパンの調整を行うことができる。
圧力センサに要求される精度が、例えば、常温におけるオフセット精度要求が±6%FS(full scale)、感度の精度要求が+12%FS/−8%FSであるとする。
感度誤差の要因としては、(1)センサ(ホール素子)と磁石間の距離(1mmで100%Span、50μmずれると5%FS)、(2)磁石の磁束密度のバラツキ(透磁率、磁石サイズ)±3%FS、(3)バネ荷重(+4%FS/−2%FS)、(4)センサ感度(センサの実力±5%FS)などがある。
最大合計誤差は、5+3+4+5=17%、5+3+2+5=−15%より、31%Span生じる計算になる。この例では、感度精度要求は+12%/−8%まで許されているので、+5%/−7%の調整範囲が有れば、要求精度に入れることが理論上可能である。
本発明のように鉄板を挿入することによる感度の制御は+10%程度が限界であるので、設計目標値を−5%下げたポイントに設定し、実測値が目標値よりも不足した場合、鉄板を挿入することで感度を許容範囲内に調整することが可能となる。
すなわち、図6に示すように、許容範囲を超えている場合に、本発明による機械的な方法を用いて補償を行うことにより、許容範囲内の精度とすることができる。
図7の(a)は前述した図1の(b)と同じく本発明の圧力センサの上部断面図、(b)はその磁石26とプレート40の部分を拡大して示す図である。
磁石26の横寸法をA、角孔40の横寸法をXとしたとき、角孔40の横寸法Xは、横方向の磁界の乱れが発生しないように、磁石26の左右端からそれぞれ磁石幅(A)以上あるようにすること、すなわち、X≧A+(2A)とすることが望ましい。例えば、磁石幅(A)が2mmの場合、角孔40の横寸法(X)は6mm以上とすればよい。
磁石26の縦寸法をB、角孔44の縦寸法をYとしたとき、角孔44の縦寸法Yには特に規定は無いが、目安として磁石26のストローク量(前記図2に示した例では1mm)程度の寸法は有った方がよく、一方、磁石26の縦寸法(B)の1/2未満に抑えることが望ましい。以上のことから、磁石26の縦寸法(B)が4mmのとき、角孔44の縦寸法(Y)は、1mm〜2mm程度とすればよい。
前述した本発明の第1の実施の形態においては、リニアホールIC34と鉄板(SPCC)41との間の距離が異なるように異なる種類のプレート I 〜プレートIIIのいずれかを選択してスパン調整を行うものであったが、この実施の形態においては、設けられている角孔44の縦方向(磁石26の着磁方向と同一方向)の寸法が異なる複数種類のプレートから選択したものを装着することにより、第1の実施の形態の場合と同様にスパン調整を行う。
そして、プレート I の隙間の大きさをa、プレート IIの隙間の大きさをb、プレートIIIの隙間の大きさをcとしたとき、c<b<aとなるようにしている。そして、隙間の大きさが最も大きいプレート I を基準のプレートとする。
図示するように、プレートの隙間が小さいほど、リニアホールIC34を通過する磁束の集束度は高くなる。これにより、図4の(f)及び(g)に示すように、プレートの隙間が小さくなるほど、スパン(出力電圧の範囲)が大きくなる。また、(b)のプレート40を装着しない場合は、磁束の集束度が小さくなり、スパンが小さくなる。
この図において、(a)は隙間を0.1mm、0.4mm、1.0mmとした場合及び鉄板(SPCC)を装着しなかった場合における磁石の変位に対する磁束密度の関係のシミュレーション結果を示すグラフ、(b)〜(e)は、鉄板の隙間の大きさが、1.0mm、0.4mm、0.1mm及び鉄板無しの角場合における磁束密度分布のシミュレーション結果を示す図である。
この図に示すように、隙間の大きさが小さい場合ほど磁束の集束度が高くなっている、すなわち、(e)、(b)、(c)、(d)の順で磁束の集束度が高くなっていることがわかる。
例えば、角孔44に代えてスリット状の空隙を設けるようにしてもよい。
図10の(a)は前述のように角孔44を形成したプレートを示す図であり、(b)は角孔に変えてスリット状の空隙を形成したプレートの構成例を示す図である。(b)に示すように、空隙Yを隔てて配置された2枚の長板を用いて前述した各種のプレートを構成するようにしても良い。
あるいは、角孔44に代えて、楕円形など他の形状の孔部を形成するようにしても良い。
さらに、孔又は空隙ではなく、透磁率が1に近い媒質の部分を備えた鉄板を備えるようにしてもよい。
図11は、この実施の形態におけるプレートの例を示す図であり、図11の(a)に示すプレート I は、鉄板41が図中一番右側に配置されており、この方向で前記プレート収納部36に装着したときリニアホールIC34から鉄板41までの距離が他のプレートと比較して最も遠くなる。(b)に示すプレート II は、鉄板41が中心部に配置されており、リニアホールIC34から鉄板41までの距離が中間的な値となる。(c)に示すプレート III は、鉄板41が図中一番左側に配置されており、この方向で前記プレート収納部36に装着したとき、リニアホールIC34から鉄板41までの距離が他のプレートと比較して最も近くなる。
リニアホールIC34と鉄板41との距離が異なることにより、磁石からの磁束密度の集束度が異なることとなるため、(a)〜(c)で示すプレートのいずれかを選択して装着するかあるいはプレートを装着しないようにすることにより、リニアホールICからの出力電圧の範囲を変更することができ、前述の実施の形態と同様に、スパン調整を行うことができる。ただし、この場合には、角孔44を形成した場合に比べて調整量が少なくなる。
Claims (6)
- 被測定流体の流入口を有する継手本体、
内部に受圧板が貫入されるガイド室が設けられた上側本体、
前記継手本体と上側本体により周縁を挟持されたダイヤフラム、
前記ダイヤフラムの上面に前記上側本体のガイド室内に摺動自在に設けられた受圧板、
前記受圧板の摺動面に固定された永久磁石、及び、
前記上側本体のガイド室の側面に前記永久磁石と対向するように設置された、ホール素子及び該ホール素子の出力を増幅する回路を有するリニアホールICを有し、
前記リニアホールICの前記永久磁石側とは反対側に、その中心位置が前記リニアホールICの中心位置と一致するように設けられた空隙を有する磁性体板が装着されていることを特徴とする圧力センサ。 - 前記磁性体板は、複数枚の樹脂板と1枚の磁性体板とが積層されて構成されたプレートにおける磁性体板であることを特徴とする請求項1記載の圧力センサ。
- 前記積層された磁性体板の位置が異なる複数のプレートの中から調整工程において選択されたプレートが装着されていることを特徴とする請求項2記載の圧力センサ。
- 前記空隙の縦方向の長さが異なる複数の磁性体板の中から調整工程において選択された磁性体板が装着されていることを特徴とする請求項1記載の圧力センサ。
- 被測定流体の流入口を有する継手本体、内部に受圧板が貫入されるガイド室が設けられた上側本体、前記継手本体と上側本体により周縁を挟持されたダイヤフラム、前記ダイヤフラムの上面に前記上側本体のガイド室内に摺動自在に設けられた受圧板、前記受圧板の摺動面に固定された永久磁石、及び、前記上側本体のガイド室の側面に前記永久磁石と対向するように設置された、ホール素子及び該ホール素子の出力を増幅する回路を有するリニアホールICを有する圧力センサの調整方法であって、
前記リニアホールICの前記永久磁石側とは反対側に、複数枚の樹脂板と1枚の磁性体板とが積層されたプレートを装着して、当該圧力センサの出力電圧範囲を測定し、
その測定結果が所定の範囲内にないときは、前記磁性体板の積層されている位置が異なる他のプレートを装着すること、あるいは、前記プレートを取り外すことによって、前記リニアホールICを通過する磁束の集束度を調整して、当該圧力センサの出力電圧範囲を制御することを特徴とする圧力センサの調整方法。 - 被測定流体の流入口を有する継手本体、内部に受圧板が貫入されるガイド室が設けられた上側本体、前記継手本体と上側本体により周縁を挟持されたダイヤフラム、前記ダイヤフラムの上面に前記上側本体のガイド室内に摺動自在に設けられた受圧板、前記受圧板の摺動面に固定された永久磁石、及び、前記上側本体のガイド室の側面に前記永久磁石と対向するように設置された、ホール素子及び該ホール素子の出力を増幅する回路を有するリニアホールICを有する圧力センサの調整方法であって、
前記リニアホールICの前記永久磁石側とは反対側に、その中心位置が前記リニアホールICの中心位置と一致する空隙が設けられた磁性体板を装着して、当該圧力センサの出力電圧範囲を測定し、
その測定結果が所定の範囲内にないときは、前記磁性体板を前記空隙の寸法が異なる他の磁性体板に変更することによって、前記リニアホールICを通過する磁束の集束度を調整して、当該圧力センサの出力電圧範囲を制御することを特徴とする圧力センサの調整方法。
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