JP4994743B2 - フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4994743B2 JP4994743B2 JP2006218241A JP2006218241A JP4994743B2 JP 4994743 B2 JP4994743 B2 JP 4994743B2 JP 2006218241 A JP2006218241 A JP 2006218241A JP 2006218241 A JP2006218241 A JP 2006218241A JP 4994743 B2 JP4994743 B2 JP 4994743B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- epoxy resin
- film adhesive
- average particle
- shaped adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 44
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 15
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical group C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 11
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N C(C1OC1)Oc1ccccc1 Chemical compound C(C1OC1)Oc1ccccc1 FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOXGADZNGVZOX-UHFFFAOYSA-N CCC1C(CC2)CC2C1CC Chemical compound CCC1C(CC2)CC2C1CC OFOXGADZNGVZOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- -1 amine imides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229940042795 hydrazides for tuberculosis treatment Drugs 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Chemical class 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
本発明は、フィルム状接着剤、それを使用する半導体パッケージの製造方法及びそれにより得られた半導体パッケージに関するものである。詳しくは、半導体パッケージ内の半導体素子とインターポーザ基板を接合するに適した絶縁性フィルム状接着剤に関するものである。
近年、電子機器の小型化及び高機能化が進む中で、内部に搭載される半導体パッケージ構造は限られた実装領域の中で実装効率をより高めることが求められている。例えば、周辺端子配列のクワッドフラットパッケージ（以下、QFP）に代わり、面端子配列のチップサイズパッケージ（以下、CSP）やボールグリッドアレイ（BGA）が増えてきたり、また単一パッケージ内に複数個の半導体素子を搭載することにより、携帯機器等に搭載されるメモリへ付加価値を付与したり、メモリ容量を増大させたりすることを狙ったスタックドパッケージ等の登場が代表的な例である。
このような高密度実装化の要求に対し、半導体パッケージ内部に使用される部材は薄型化されている。スタックドパッケージにおいては、同じパッケージサイズの中でより多くの半導体素子を積層させるために、半導体素子、インターポーザ基板、封止樹脂、半導体素子とインターポーザ基板を接着するダイアタッチ材料等の各種部材が薄型化している。
インターポーザ基板が薄型化すると、半導体素子をインターポーザ基板に搭載するダイアタッチ工程において、熱による基板反りが発生しやすくなる。例えば、代表的なインターポーザ基板材料であるビスマレイミド・トリアジン（BT）基板においては、基板厚みが薄くなると、100℃以上で基板反りが発生する。この基板反りにより、ダイアタッチ工程において半導体素子とインターポーザ基板の間に接着不具合を発生させる(図３参照)。従来のフィルム状のダイアタッチ材料（以下、ダイアタッチフィルム）には基板反りを発生させる100℃以上の高温搭載条件が必要であった(特許文献1参照)。
また、インターポーザ基板表面は必ずしも平滑な面状態ではないため、ダイアタッチ工程において被着体との界面に空気を巻き込むことがある。巻き込まれた空気は加熱硬化後の接着力を低下させるだけでなく、パッケージクラックの原因ともなる。ダイアタッチフィルムが凹凸のあるインターポーザ基板の面によく追従するには、搭載温度における粘度が低いことが必要である。従って、基板反りのない低温領域で搭載可能なダイアタッチフィルム材料特性には、常温ではフィルム性を保持するための高粘度を保ちつつ、60℃〜90℃の温度領域で低粘度領域に到達できることが必要となる。
このような低溶融粘度特性を持たせるためには、常温では固形であり軟化点が低温領域に存在する樹脂を多く配合することが容易である。しかし、一般的に使用されるエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂などの樹脂骨格にはヘテロ原子（酸素、窒素など）を含有するものが多く、水素結合により水分子を吸収しやすいものが殆どである。そのため、樹脂配合量の増加とともに吸水率が上昇し、吸水された水分が気化膨張し半導体パッケージクラックを発生し易くする。
熱硬化型接着剤には一般的にエポキシ樹脂が使用されるが、樹脂硬化物の吸水率を低減するために、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を使用することは公知の技術である。例えば、アクリル系粘着成分にジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂をブレンドしたことで、組成物の低吸水化を発現した例がある（特許文献２、３参照）。しかし、この場合、アクリル系粘着成分の吸水率が高く、またシリカ等の無機フィラーも混在しないため、更なる耐湿信頼性付与には限界がある。
本発明の目的は、上記のような基板反りの発生しない100℃以下の低温領域で半導体素子を配線基板へ搭載可能にし、耐湿信頼性がより高い絶縁性フィルム状接着剤を提供することにある。また、ダイアタッチフィルムとして優れるフィルム状接着剤を提供することにある。
すなわち本発明は、(A)ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、（B）平均粒径3〜20μmであり、体積平均粒子径／個数平均粒子径の比が3以下である球状シリカ、(C)フェノキシ樹脂、及び（D）エポキシ樹脂硬化剤を必須成分とし、組成物中の（B）球状シリカ含有量が30〜80重量%であるフィルム状接着剤である。
また、本発明は、（A）ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂が、式（１）
(式中、nは0〜10の整数である)で示されるエポキシ樹脂である上記のフィルム状接着剤である。更に、本発明は、厚さが10〜150μmのフィルム状である上記のフィルム状接着剤である。
また、本発明は、多数の半導体素子が形成されたウェハ裏面に上記のフィルム状接着剤層を設ける工程、ダイシングテープをフィルム状接着剤層側に貼り合せる工程、フィルム状接着剤層とウェハを同時にダイシングして、フィルム状接着剤付き半導体素子とする工程、フィルム状接着剤付き半導体素子をダイシングテープから剥がし、被着体のインターポーザー基板とダイアタッチする工程を含む半導体パッケージの製造方法及びこの製造方法により製造された半導体パッケージである。
半導体素子を、基板反りの発生しない100℃以下の低温条件でインターポーザ基板に搭載することが可能であり、また、組成物硬化物の吸水率が低いためリフロー時のパッケージクラックを防止できるフィルム状接着剤が提供される。
本発明のフィルム状接着剤は、(A)ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、（B）球状シリカ、(C)フェノキシ樹脂、及び（D）エポキシ樹脂硬化剤を必須成分とする組成物をフィルム状に形成してなる。
(A)ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂（以下、ＤＣＰ型エポキシ樹脂ともいう）は、分子内にジシクロペンタジエン骨格と、反応性のエポキシ基を有する樹脂であり、通常は、常温で固形であり、軟化点は好ましくは50℃〜100℃、更に好ましくは60℃〜80℃程度である。これは、常温ではフィルム性を保持するための高粘度を保ちつつ、60℃〜100℃の温度領域で低粘度領域に到達できることが必要だからである。また、分子量は好ましくは430〜2000、更に好ましくは600〜1200である。更に、エポキシ当量は、好ましくは 200〜300g/eq、特に好ましくは240〜280g/eqである。
このようなＤＣＰ型エポキシ樹脂としては、上記式（１）で示されるエポキシ樹脂が好ましく使用される。式（１）において、nは0〜10、好ましくは0〜5の整数である。ＤＣＰ型エポキシ樹脂としては、nが0〜10の混合物として供給されており、具体的にはXD-1000(商品名：日本化薬社製)、HP-7200H(商品名：大日本インキ化学工業社製)等が挙げられる。
また、ＤＣＰ型エポキシ樹脂と汎用の他のエポキシ樹脂を併用してもよい。特に軟化点の高いＤＣＰ型エポキシ樹脂を用いた場合には、組成物の粘度が上昇し、フィルムとしたときに脆くなるため、分子量300〜500の常温液状のエポキシ樹脂をブレンドして用いるのが好ましい。この場合、ＤＣＰ型エポキシ樹脂100重量部に対し、他のエポキシ樹脂5〜70重量部、更に好ましくは30〜60重量部の割合で用いられる。
（B）球状シリカ（以下、球状シリカという）は、組成物の低吸水化、線膨張係数の低減に貢献する。線膨張率の値が高いと配線基板との線膨張率の差が大きくなるため、これら被接着物との応力を抑制する効果が低く、パッケージクラックを発生させることにつながり好ましくない。
球状シリカは高充填化、流動性の観点から優れる。球状シリカの平均粒径は3〜20μmであり、体積平均粒子径／個数平均粒子径の比（以下、粒子径の比ともいう）が3以下である。平均粒径が3μmより小さいとフィラーが凝集しやすくなるため樹脂バインダー中に分散しにくくなり、また比表面積が大きくなるため樹脂との接触面積を大きくし溶融粘度を上昇させてしまう。粒径が20μmより大きいとロールナイフコーター等の塗工機で薄型のフィルムを作製する際に、フィラーがきっかけとなりフィルム表面にスジを発生しやすくなる。
上記粒子径の比は粒子径分布を表す指標として用いられるものであって、一般に体積平均粒子径／個数平均粒子径≧１であり、この値が小さいほど粒子径分布がシャープであり、この値が大きいほど粒子径分布がブロードであることを表す。この粒子径の比が3を超えると、組成物において、粒径の大きなフィラーの隙間に粒径の小さなフィラーが存在し樹脂中にフィラーが密に充填される構造をとり、樹脂とフィラーとの接触面積がより大きくなる。そのため、ダイアタッチ工程において、フィルム状接着剤が熱により溶融しにくくなり（図1参照）、インターポーザ基板と接着層の間に空気を巻き込みやすくする。
組成物中（接着剤中）の球状シリカの配合割合は30〜80重量％である。配合量が80重量%を超えると、バインダーとして働く樹脂成分の不足により組成物の粘度が上昇し、フィルムとしたときに脆くなる、30重量%未満ではフィルム表面タック性が生じハンドリング性が著しく悪化する。
(C)フェノキシ樹脂（以下、フェノキシ樹脂という）は、公知のフェノキシ樹脂を用いることができる。フェノキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールAのようなビスフェノールとエピクロロヒドリンとから得られる通常、分子量が10000以上の熱可塑性樹脂である。このフェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂と構造が類似していることから相溶性がよく、樹脂溶融粘度も低く、接着性もよいという特長を示す。好ましいフェノキシ樹脂は、主骨格がビスフェノールA型であるYP-50S(商品名：東都化成社製)があるが、その他に優れた溶融粘度特性を示すビスフェノールF型であるFX-316(商品名：東都化成社製)、高耐熱性を有したFX-280S(商品名：東都化成社製)などが挙げられる。フェノキシ樹脂の配合割合はＤＣＰ型エポキシ樹脂100重量部に対し10〜200重量部、好ましくは30〜70重量部の割合とすることがよい。10重量部未満の場合、フィルム表面タック性が生じハンドリング性が著しく悪化し、200重量部を超えるとフィルムが硬くなり、フィルム単独では割れやすくなる。
本発明に用いる（D）エポキシ樹脂硬化剤（以下、硬化剤ともいう）には、アミン類、酸無水物類、多価フェノール類等の公知の硬化剤を用いることができるが、好ましくは常温以上の所定の温度、例えば樹脂成分が必要な粘着性を示す温度以上で硬化性を発揮し、しかも速硬化性を発揮する潜在性硬化剤である。潜在性硬化剤には、ジシアンジアミド、イミダゾール類、ヒドラジド類、三弗化ホウ素−アミン錯体、アミンイミド、ポリアミン塩及びこれらの変性物、更にマイクロカプセル型のものも使用可能である。これらは、単独あるいは２種以上混ぜて使用できる。潜在性硬化剤を使用することで室温での長期保存も可能な保存安定性の高いフィルム接着剤を提供できる。エポキシ樹脂硬化剤の使用量は、通常、エポキシ樹脂に対して0.5〜50wt％の範囲である。
上記(A)〜(D)を必須成分とする接着剤形成用の組成物中には、他の添加剤として、例えばカップリング剤、酸化防止剤、難燃剤、着色剤、応力緩和剤としてブタジエン系ゴムやシリコーンゴム等を含有することも可能である。
カップリング剤は、シリカとの界面を補強し高い破壊強度を発現させるとともに接着力向上の目的から好ましい。カップリング剤としては、アミノ基、エポキシ基を含有したものが好ましい。
本発明のフィルム状接着剤は、例えばトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、MIBKやMEK等のケトン系、モノグライム、ジグライム等のエーテル系の単独又は混合系の溶媒に上記(A)〜(D)を必須成分とする組成物を溶解させたワニスを、離型処理されたPP、PE、PET等の基材（保護フィルム）にロールナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般的に公知の方法に従って塗工し、樹脂混合物の硬化開始温度以下の熱処理を施し、乾燥することで得られる。本発明のフィルム状接着剤の厚みは、10〜150μｍの範囲であることが好ましい。
本発明のフィルム状接着剤又はその組成物の粘度は、常温では10000Pas以上の高粘度を有し、基板反りが発生しない60℃〜90℃の温度領域で900Pas以下に達することが好ましい。常温の粘度が10000Pas未満だとフィルム表面タック性が生じハンドリング性が著しく悪化する、60℃〜100℃における粘度の値が900Pasより高いと、ダイアタッチ工程において被着体との界面に空気を巻き込みやすくなる。
また、フィルム状接着剤は加熱等により硬化するが、その硬化物の吸水率（85℃、85%RH、100時間）は、1.5重量%以下が好ましい。吸水率が高いと、リフロー時に高温に曝されると、水分の揮発が多くなるので、パッケージクラックが発生し易くなる。ＤＣＰ型エポキシ樹脂は低吸水性を特長としており、耐湿信頼性を付与するには適した樹脂である。
本発明のフィルム状接着剤をダイアタッチフィルムとして使用する場合について、図面を参照して説明する。図２は、半導体素子とインターポーザ基板とを熱圧着する工程を示す。
先ずシリコンウエハ5の一方の面にフィルム状接着剤（ダイアタッチフィルム）6を貼り付けた後、ダイシングテープ7を下地にしてシリコンウエハとフィルム状接着剤を切断して、フィルム状接着剤付き半導体素子1を得る。次いで、接着剤付き半導体素子1をダイシングテープ7から剥がし、インターポーザー基板2に反りの発生しない100℃以下の加温条件でインターポーザ基板に搭載し、加熱することにより接着剤中のエポキシ樹脂を硬化させ、半導体素子とインターポーザ基板とを熱圧着を行う。この場合の加熱温度は通常は80℃〜180℃であり、加熱時間は1分〜180分間である。この様な加熱により、エポキシ樹脂が硬化し、半導体素子とインターポーザ基板とを強固に接着できる。接着して得られる半導体素子接着基板8は、その後、半導体素子とインターポーザ基板とをワイヤー9で接続され、モールド工程で封止材10により封止される。
図３は、ダイアタッチフィルムを貼り付けた半導体素子1をインターポーザー基板2にダイアタッチする従来の工程を模式的に示す。ヒートステージ3で加熱されたインターポーザー基板がBT基板である場合、BT基板は100℃を超える加熱により反りが生じる。そこで、ダイアタッチフィルムを貼り付けた半導体素子のダイアタッチフィルム面とBT基板の接着面に非接触面4が生じ、接着力が低下することになる。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例において、「溶融粘度」、「吸水率」、「表面タック性」は次のように評価した。
「溶融粘度」 熱硬化前のフィルムを約10g切り取り、簡易プレス機を用いて高さ約4cmの棒状に加工する。このサンプルを島津製作所製高化式フローテスター（CFT-500A）を用いて、各測定温度で測定した。
「吸水率」 熱硬化前のフィルムを約10g切り取り、一定寸法金型に入れ熱板上で溶融させ成型する。成型後サンプルを室温下で冷却し、180℃/1時間熱処理を行う。このサンプルを、85℃、相対湿度85%で、168時間放置後の重量増加から吸水率を求めた。
「表面タック性」 熱硬化前のフィルムの触感、離型処理PETフィルムからの剥離性を観察し、◎（良好）、○（ほぼ良好）、△（やや悪い）、×（悪い）の4段階で評価した。
実施例１
XD-1000（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、軟化点 約70℃、日本化薬社製）60g、YP-50S（フェノキシ樹脂、Tg約100℃、東都化成社製）20g、エピコート828(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、東都化成社製) 44gを秤量し、70gのMIBKを溶剤として500mlのセパラブルフラスコ中、110℃で2時間加熱攪拌して樹脂ワニスを得た。この溶液187gを800mlのプラネタリーミキサーに秤量し、FB-3SDX(球状シリカ、平均粒径 3μm 、粒子径の比＝2.4、デンカ社製) 72gを加えて混合したものを3本ロールで混練した。この混合物に、AH-150（ジシアンジアミド、味の素社製） 6g、HX-3722 (マイクロカプセル型イミダゾール系潜在性硬化剤、旭化成エポキシ社製) 2gを加えてプラネタリーミキサーで攪拌混合後、真空脱泡して混合ワニスを得た。上記ワニスを厚さ50μmの離型処理されたPETフィルム上に塗布後、80℃/10min、150℃/1minで熱風乾燥させ、30μmの接着シート、すなわちフィルム状接着剤を得た。
XD-1000（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、軟化点 約70℃、日本化薬社製）60g、YP-50S（フェノキシ樹脂、Tg約100℃、東都化成社製）20g、エピコート828(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、東都化成社製) 44gを秤量し、70gのMIBKを溶剤として500mlのセパラブルフラスコ中、110℃で2時間加熱攪拌して樹脂ワニスを得た。この溶液187gを800mlのプラネタリーミキサーに秤量し、FB-3SDX(球状シリカ、平均粒径 3μm 、粒子径の比＝2.4、デンカ社製) 72gを加えて混合したものを3本ロールで混練した。この混合物に、AH-150（ジシアンジアミド、味の素社製） 6g、HX-3722 (マイクロカプセル型イミダゾール系潜在性硬化剤、旭化成エポキシ社製) 2gを加えてプラネタリーミキサーで攪拌混合後、真空脱泡して混合ワニスを得た。上記ワニスを厚さ50μmの離型処理されたPETフィルム上に塗布後、80℃/10min、150℃/1minで熱風乾燥させ、30μmの接着シート、すなわちフィルム状接着剤を得た。
実施例２
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂として、HP-7200H（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、軟化点約80℃、大日本インキ化学工業製）60g を使用した他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂として、HP-7200H（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、軟化点約80℃、大日本インキ化学工業製）60g を使用した他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
実施例３
球状シリカとして、FB-3SDXを134g 使用した他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
球状シリカとして、FB-3SDXを134g 使用した他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
実施例４
球状シリカとして、FB-3SDXを314g使用した他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
球状シリカとして、FB-3SDXを314g使用した他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
比較例１
球状シリカとして、FB-3SDXを58g、SO-25R（龍森社製、微粒子球状シリカ、平均粒径0.5μm、粒子径の比=4.3）を14g使用した他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
球状シリカとして、FB-3SDXを58g、SO-25R（龍森社製、微粒子球状シリカ、平均粒径0.5μm、粒子径の比=4.3）を14g使用した他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
比較例２
エポキシ樹脂として、YDCN-702H（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、軟化点約75℃、東都化成社製） を60g 使用した他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
エポキシ樹脂として、YDCN-702H（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、軟化点約75℃、東都化成社製） を60g 使用した他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
比較例３
エポキシ樹脂として、EPPN-501H(トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、軟化点約55℃、日本化薬社製)を60g使用した他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
エポキシ樹脂として、EPPN-501H(トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、軟化点約55℃、日本化薬社製)を60g使用した他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
比較例４
球状シリカを配合しない他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
実施例1〜4、比較例1〜4の組成及び評価結果をまとめて表1に示す。
球状シリカを配合しない他は、実施例1と同様にして接着シートを製造し、評価した。
実施例1〜4、比較例1〜4の組成及び評価結果をまとめて表1に示す。
実施例5
XD-1000（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）60g、YP-50S（フェノキシ樹脂）20g、エピコート828(ビスフェノールA型エポキシ樹脂) 44gを秤量し、70gのMIBKを溶剤として500mlのセパラブルフラスコ中、110℃で2時間加熱攪拌して樹脂ワニスを得た。この溶液187gを800mlのプラネタリーミキサーに秤量し、FB-3SDX(球状シリカ) 72gを加えて混合したものを真空脱泡して混合ワニスを得た。上記ワニスを厚さ50μmの離型処理されたPETフィルム上に塗布後、80℃/10min、150℃/1minで熱風乾燥させ、30μmの接着シート、すなわちフィルム状接着剤を得た。このフィルムの硬化前の溶融粘度を測定した（図1参照）。なお、本実施例においては未硬化状態における溶融粘度を測定するため、エポキシ樹脂硬化剤は配合していない。
XD-1000（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）60g、YP-50S（フェノキシ樹脂）20g、エピコート828(ビスフェノールA型エポキシ樹脂) 44gを秤量し、70gのMIBKを溶剤として500mlのセパラブルフラスコ中、110℃で2時間加熱攪拌して樹脂ワニスを得た。この溶液187gを800mlのプラネタリーミキサーに秤量し、FB-3SDX(球状シリカ) 72gを加えて混合したものを真空脱泡して混合ワニスを得た。上記ワニスを厚さ50μmの離型処理されたPETフィルム上に塗布後、80℃/10min、150℃/1minで熱風乾燥させ、30μmの接着シート、すなわちフィルム状接着剤を得た。このフィルムの硬化前の溶融粘度を測定した（図1参照）。なお、本実施例においては未硬化状態における溶融粘度を測定するため、エポキシ樹脂硬化剤は配合していない。
比較例５
球状シリカとして、FB-3SDXを36g、SO-25Rを36g使用した他は、実施例5と同様にして接着シートを製造し、このフィルムの溶融粘度を測定した（図1参照）。
球状シリカとして、FB-3SDXを36g、SO-25Rを36g使用した他は、実施例5と同様にして接着シートを製造し、このフィルムの溶融粘度を測定した（図1参照）。
比較例６
球状シリカとして、SO-25Rを72g使用した他は、実施例5と同様にして接着シートを製造し、このフィルムの硬化前の溶融粘度を測定した（図1参照）。
球状シリカとして、SO-25Rを72g使用した他は、実施例5と同様にして接着シートを製造し、このフィルムの硬化前の溶融粘度を測定した（図1参照）。
実施例5、比較例5〜6の組成及び溶融粘度結果を表2及び図1に示す。表2に示す粒子径の比の値は単一フィラー配合系では、そのフィラー種の値を記載し、混合配合系では、以下の式により混合系の粒子径の比の値を計算した。
混合配合系の粒子径の比＝（フィラーAの配合割合×フィラーAの[体積平均粒子径]／[個数平均粒子径]）+（フィラーBの配合割合×フィラーBの[体積平均粒子径]／[個数平均粒子径]）
混合配合系の粒子径の比＝（フィラーAの配合割合×フィラーAの[体積平均粒子径]／[個数平均粒子径]）+（フィラーBの配合割合×フィラーBの[体積平均粒子径]／[個数平均粒子径]）
1：接着剤付き半導体素子、2：インターポーザー基板、3：ヒートステージ、4：非接触面、5：シリコンウエハ、6：フィルム状接着剤、7：ダイシングテープ、8：半導体素子接着基板、9：ワイヤー、10：封止材
Claims (5)
- (A)ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、（B）平均粒径3〜20μmであり、体積平均粒子径／個数平均粒子径の比が3以下である球状シリカ、(C)フェノキシ樹脂、及び（D）エポキシ樹脂硬化剤を必須成分とし、（B）球状シリカ含有量が30〜80重量%であるフィルム状接着剤。
- （A）ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂が、式（１）
- 厚さが10〜150μmのフィルム状である請求項1又は２に記載のフィルム状接着剤。
- 多数の半導体素子が形成されたウェハ裏面に請求項１〜３のいずれかに記載のフィルム状接着剤層を設ける工程、ダイシングテープをフィルム状接着剤層側に貼り合せる工程、フィルム状接着剤層とウェハを同時にダイシングして、フィルム状接着剤付き半導体素子とする工程、フィルム状接着剤付き半導体素子をダイシングテープから剥がし、被着体のインターポーザー基板とダイアタッチする工程を含む半導体パッケージの製造方法。
- 請求項４に記載の半導体パッケージの製造方法により製造された半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006218241A JP4994743B2 (ja) | 2006-08-10 | 2006-08-10 | フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006218241A JP4994743B2 (ja) | 2006-08-10 | 2006-08-10 | フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008038111A JP2008038111A (ja) | 2008-02-21 |
| JP4994743B2 true JP4994743B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=39173502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006218241A Active JP4994743B2 (ja) | 2006-08-10 | 2006-08-10 | フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4994743B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5345313B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2013-11-20 | 新日鉄住金化学株式会社 | フィルム状接着剤、それを用いた半導体パッケージ、及びその製造方法 |
| JP2010070653A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Sekisui Chem Co Ltd | 絶縁シート及び積層構造体 |
| JP5126239B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-01-23 | 東洋紡株式会社 | 接着剤用樹脂組成物、これを含有する接着剤、接着シートおよびこれを用いて接着したプリント配線板用積層体 |
| JP5160380B2 (ja) * | 2008-11-12 | 2013-03-13 | 新日鉄住金化学株式会社 | フィルム状接着剤、それを用いた半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP5421626B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-02-19 | 積水化学工業株式会社 | 接着シート及びダイシング−ダイボンディングテープ |
| JP2011159793A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Murata Mfg Co Ltd | 巻線コイル部品の製造方法 |
| US9583453B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-02-28 | Ormet Circuits, Inc. | Semiconductor packaging containing sintering die-attach material |
| US12053934B2 (en) | 2012-06-18 | 2024-08-06 | Ormet Circuits, Inc. | Conductive film adhesive |
| JP5901715B1 (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-13 | 古河電気工業株式会社 | フィルム状接着剤、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法 |
| CN111039255B (zh) * | 2019-12-06 | 2023-10-20 | 上海航天控制技术研究所 | 降低mems惯性器件封装应力的方法及mems器件 |
| JP7654579B2 (ja) | 2021-02-15 | 2025-04-01 | 信越ポリマー株式会社 | 電磁波シールドフィルム、及び電磁波シールドフィルム付きプリント配線板 |
| CN114945268A (zh) * | 2021-02-15 | 2022-08-26 | 信越聚合物株式会社 | 电磁波屏蔽膜和带电磁波屏蔽膜印刷布线板 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3700243B2 (ja) * | 1996-05-08 | 2005-09-28 | 東レ株式会社 | Ｔａｂ用接着剤付きテープおよび半導体装置 |
| JPH10120873A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用絶縁樹脂ペースト |
| JP2000204324A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-25 | Nagase Chiba Kk | エポキシ樹脂系シ―ト状接着剤組成物 |
| JP4537555B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2010-09-01 | 新日鐵化学株式会社 | 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ |
| JP2003055632A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Lintec Corp | 粘接着テープ |
| JP2003268337A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 粘接着剤組成物及び粘接着シート |
| DE602004026875D1 (de) * | 2003-07-08 | 2010-06-10 | Lintec Corp | Härtbare selbstklebefolie zum zertrennen bzw. chip-bonden und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
| JP2005191069A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
-
2006
- 2006-08-10 JP JP2006218241A patent/JP4994743B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008038111A (ja) | 2008-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4994743B2 (ja) | フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 | |
| TWI257415B (en) | Adhesive, adhesive member, interconnecting substrate for semiconductor mounting having adhesive member, and semiconductor device containing the same | |
| CN102676105B (zh) | 高热传导性膜状接着剂，该接着剂用组合物，使用该接着剂的半导体封装件及其制造方法 | |
| WO2009123285A1 (ja) | フラックス活性剤、接着剤樹脂組成物、接着ペースト、接着フィルム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | |
| JP3617417B2 (ja) | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP4258984B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4642173B2 (ja) | フィルム状接着剤用組成物 | |
| JP2013006893A (ja) | 高熱伝導樹脂組成物、高熱伝導性硬化物、接着フィルム、封止用フィルム、及びこれらを用いた半導体装置 | |
| WO1998028788A1 (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP5802400B2 (ja) | 封止用樹脂シートおよびそれを用いた半導体装置、並びにその半導体装置の製法 | |
| JP4449325B2 (ja) | 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。 | |
| KR102710946B1 (ko) | 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP7472954B2 (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4507488B2 (ja) | 接合材料 | |
| JP3999840B2 (ja) | 封止用樹脂シート | |
| JP3528639B2 (ja) | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP4053744B2 (ja) | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着シート | |
| JP4556472B2 (ja) | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2001279197A (ja) | 接着フィルム、接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、半導体装置及びその製造方法 | |
| KR20240148336A (ko) | 필름상 접착제, 다이싱·다이본딩 일체형 필름, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP4044349B2 (ja) | 薄型フィルム状接着剤 | |
| TW202348761A (zh) | 接著劑用組成物及膜狀接著劑、以及使用了膜狀接著劑之半導體封裝及其製造方法 | |
| JP5585542B2 (ja) | 接着フィルムおよびその用途ならびに半導体装置の製造方法 | |
| JP2001207031A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP6768188B2 (ja) | 接着フィルム用接着剤組成物及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090116 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120110 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120508 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120509 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4994743 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |