JP4975581B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板及びその製造方法に係り、配線基板の厚さ方向のサイズを小型化することのできる配線基板及びその製造方法に関する。

図１は、従来の配線基板の断面図である。

図１を参照するに、従来の配線基板２００は、コアレス基板であり、ソルダーレジスト層２０１，２０６と、外部接続用パッド２０２と、樹脂層２０３と、配線パターン２０４とを有する。

ソルダーレジスト層２０１は、貫通部２１１を有する。外部接続用パッド２０２は、貫通部２１１に設けられている。外部接続用パッド２０２の上面２０２Ａは、樹脂層２０３の上面２０３Ａと略面一となるように構成されている。外部接続用パッド２０２は、Ａｕ層上にＮｉ層が積層された構成とされている。外部接続用パッド２０２は、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続されるパッドである。

樹脂層２０３は、ソルダーレジスト層２０１の上面２０１Ａと、外部接続用パッド２０２の上面２０２Ａの一部とを覆うように設けられている。樹脂層２０３は、外部接続用パッド２０２の一部を露出する貫通孔２１２を有する。

配線パターン２０４は、ビア部２１４と、配線部２１５と、パッド部２１６とを有する。ビア部２１４は、貫通孔２１２に設けられている。ビア部２１４の下端は、外部接続用パッド２０２の上端と接続されている。配線部２１５は、ビア部２１４の上端及び樹脂層２０３の上面２０３Ａに設けられている。配線部２１５は、ビア部２１４とパッド部２１６とを電気的に接続している。パッド部２１６は、樹脂層２０３の上面２０３Ａに設けられている。パッド部２１６は、電子部品（図示せず）が接続される部分である。

ソルダーレジスト層２０６は、配線部２１５を覆うように、樹脂層２０３上に設けられている。ソルダーレジスト層２０６は、パッド部２１６の上面を露出する開口部２１８を有する。

図２〜図７は、従来の配線基板の製造工程を示す図である。図２〜図７において、従来の配線基板２００と同一構成部分には同一符号を付す。

図２〜図７を参照して、従来の配線基板２００の製造方法について説明する。始めに、図２に示す工程では、導電材料よりなる支持基板２２１を準備し、その後、支持基板２２１の上面２２１Ａを粗化し、その後、粗化された支持基板２２１の上面２２１Ａに貫通部２１１を有したソルダーレジスト層２０１を形成する。支持基板２２１の上面２２１Ａの粗化処理は、支持基板２２１とソルダーレジスト層２０１との密着性を向上させるためのものである。ソルダーレジスト層２０１の材料としては、感光性樹脂材料を用いることができる。

次いで、図３に示す工程では、支持基板２２１を給電層とする電解めっき法により、Ｎｉ層と、Ａｕ層とを順次形成することで外部接続用パッド２０２を形成する。このとき、外部接続用パッド２０２は、ソルダーレジスト層２０１の上面２０１Ａと外部接続用パッド２０２の上面２０２Ａとが略面一となるように形成する。

次いで、図４に示す工程では、ソルダーレジスト層２０１の上面２０１Ａ及び外部接続用パッド２０２の上面２０２Ａに貫通孔２１２を有した樹脂層２０３を形成する。次いで、図５に示す工程では、セミアディティブ法により、貫通孔２１２及樹脂層２０３の上面２０３Ａに配線パターン２０４を形成する。

次いで、図６に示す工程では、配線部２１５を覆うように樹脂層２０３上にソルダーレジスト層２０６を形成する。次いで、図７に示す工程では、支持基板２２１を除去する。これにより、配線基板２００が製造される（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００７−１３０９２号公報

しかしながら、従来の配線基板２００では、ソルダーレジスト層２０１の上面２０１Ａ及び外部接続用パッド２０２の上面２０２Ａに樹脂層２０３を設け、この樹脂層２０３を貫通する貫通孔２１２及び樹脂層２０３の上面２０３Ａに配線パターン２０４を形成していたため、配線基板２００の厚さ方向のサイズを小型化することができないという問題があった。

そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、配線基板の厚さ方向のサイズを小型化することのできる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一観点によれば、貫通部を有したソルダーレジスト層と、前記貫通部に設けられた外部接続用パッドと、前記外部接続用パッドと電気的に接続された配線パターンと、少なくとも前記外部接続用パッドの接続面に形成される拡散防止膜と、を備えた配線基板であって、前記ソルダーレジスト層に前記配線パターンを設け、前記拡散防止膜は、前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記ソルダーレジスト層に設けられており、前記配線パターンは、前記配線パターンの形成領域に対応する部分に配置された前記拡散防止膜に設けられており、前記外部接続用パッドの接続面に形成されている拡散防止膜の前記接続面の反対面は、前記ソルダーレジスト層の前記配線パターンが設けられている面の反対面と面一とされており、前記外部接続用パッドは、前記貫通部の前記拡散防止膜を除く部分を充填していることを特徴とする配線基板が提供される。

本発明によれば、ソルダーレジスト層に外部接続用パッドと電気的に接続された配線パターンを設けることにより、従来、配線パターンを形成するためにソルダーレジスト層に配設されていた樹脂層が不要となるため、配線基板の厚さ方向のサイズを小型化することができる。

本発明の他の観点によれば、貫通部を有したソルダーレジスト層と、前記貫通部に設けられた外部接続用パッドと、前記外部接続用パッドと電気的に接続された配線パターンと、を備えた配線基板の製造方法であって、支持基板本体と、前記支持基板本体の少なくとも一方の面に設けられた支持金属層とを有する支持基板を準備する支持基板準備工程と、前記支持金属層に前記貫通部を有した前記ソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、前記貫通部の側面に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面、及び前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面を粗化処理するソルダーレジスト層粗化工程と、前記ソルダーレジスト粗化工程後に、前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面、前記貫通部の側面に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面、及び前記貫通部の底面に対応する部分の前記支持金属層の面に拡散防止膜を形成し、前記拡散防止膜の前記支持金属層に接する面と前記ソルダーレジスト層の前記支持金属層に接する面とを面一とする拡散防止膜形成工程と、前記拡散防止膜が形成された前記貫通部に前記外部接続用パッドを形成し、前記貫通部の前記拡散防止膜を除く部分を前記外部接続用パッドで充填する外部接続用パッド形成工程と、前記拡散防止膜に前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。

本発明によれば、支持基板本体と、支持基板本体の少なくとも一方の面に設けられた支持金属層とを有する支持基板を準備し、次いで、支持金属層に貫通部を有したソルダーレジスト層を形成し、次いで、貫通部の側面に対応する部分のソルダーレジスト層の面、及び配線パターンの形成領域に対応する部分のソルダーレジスト層の面を粗化処理し、その後、配線パターンの形成領域に対応する部分のソルダーレジスト層の面、貫通部の側面に対応する部分のソルダーレジスト層の面、及び貫通部の底面に対応する部分の支持金属層の面に拡散防止膜を形成し、その後、拡散防止膜が形成された貫通部に外部接続用パッドを形成すると共に、拡散防止膜に配線パターンを形成することにより、従来、配線パターンを形成するためにソルダーレジスト層に配設されていた樹脂層が不要となるため、配線基板の厚さ方向のサイズを小型化することができる。

本発明のその他の観点によれば、貫通部を有したソルダーレジスト層と、前記貫通部に設けられた外部接続用パッドと、前記外部接続用パッドと電気的に接続された配線パターンと、を備えた配線基板の製造方法であって、支持基板本体と、前記支持基板本体の少なくとも一方の面に設けられた支持金属層とを有する支持基板を準備する支持基板準備工程と、前記支持金属層に前記貫通部を有していないソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、一方の面が粗化された金属箔を準備すると共に、粗化された前記一方の面が前記ソルダーレジスト層と接触するように、前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面に前記金属箔を貼り付ける金属箔貼付工程と、前記ソルダーレジスト層に前記貫通部を形成する貫通部形成工程と、前記貫通部の側面に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面を粗化するソルダーレジスト層粗化工程と、前記ソルダーレジスト層粗化工程後に、前記金属箔、前記貫通部の側面に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面、及び前記貫通部の底面に対応する部分の前記支持金属層の面を覆うように拡散防止膜を形成し、前記拡散防止膜の前記支持金属層に接する面と前記ソルダーレジスト層の前記支持金属層に接する面とを面一とする拡散防止膜形成工程と、前記拡散防止膜が形成された前記貫通部に前記外部接続用パッドを形成し、前記貫通部の前記拡散防止膜を除く部分を前記外部接続用パッドで充填する外部接続用パッド形成工程と、前記拡散防止膜に前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。

本発明によれば、支持基板本体と、支持基板本体の少なくとも一方の面に設けられた支持金属層とを有する支持基板を準備し、次いで、支持金属層に貫通部を有していないソルダーレジスト層を形成し、次いで、一方の面が粗化された金属箔を準備すると共に、粗化された一方の面がソルダーレジスト層と接触するように、配線パターンの形成領域に対応する部分のソルダーレジスト層の面に金属箔を貼り付け、その後、ソルダーレジスト層に貫通部を形成し、次いで、貫通部の側面に対応する部分のソルダーレジスト層の面を粗化し、その後、金属箔、貫通部の側面に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面、及び貫通部の底面に対応する部分の支持金属層の面を覆うように拡散防止膜を形成し、拡散防止膜が形成された貫通部に外部接続用パッドを形成し、拡散防止膜に配線パターンを形成することにより、従来、配線パターンを形成するためにソルダーレジスト層に配設されていた樹脂層が不要となるため、配線基板の厚さ方向のサイズを小型化することができる。

また、一方の面が粗化された金属箔を準備すると共に、粗化された一方の面がソルダーレジスト層と接触するように、配線パターンの形成領域に対応する部分のソルダーレジスト層の面に金属箔を貼り付けることにより、ソルダーレジスト層と金属箔との密着性を向上させることができる。

さらに、配線パターンの形成領域に対応する部分のソルダーレジスト層の面に金属箔を貼り付け、その後、例えば、レーザ加工法を用いて、ソルダーレジスト層に貫通部を形成することにより、貫通部の加工精度を向上させることができる。

本発明によれば、配線基板の厚さ方向のサイズを小型化することができる。

次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。

（第１の実施の形態）
図８は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の断面図である。

図８を参照するに、第１の実施の形態の配線基板１０は、コアレス基板であり、ソルダーレジスト層１１，２１と、拡散防止膜１２，２３と、外部接続用パッド１３と、配線パターン１４，１７，１９と、絶縁層１６，１８（積層された複数の絶縁層）とを有する。

ソルダーレジスト層１１は、複数の貫通部２５を有する。ソルダーレジスト層１１の面１１Ａ及び貫通部２５の側面に対応する部分のソルダーレジスト層の面は、粗化された面である。ソルダーレジスト層１１の面１１Ａの一部は、配線パターン１４の形成領域に対応する面である。粗化処理された部分のソルダーレジスト層１１の面の粗さ（Ｒａ）は、例えば、０．１μｍ〜１．０μｍとすることができる。

このように、ソルダーレジスト層１１の面１１Ａ及び貫通部２５の側面に対応する部分のソルダーレジスト層の面を粗化することにより、ソルダーレジスト層１１に直接、金属膜（本実施の形態の場合、拡散防止膜１２）を形成することが可能となる。

ソルダーレジスト層１１としては、感光性樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層１１として感光性樹脂を用いた場合、複数の貫通部２５は、例えば、ソルダーレジスト層１１を露光、現像することにより形成する。

拡散防止膜１２は、配線パターン１４の形成領域に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面（粗化された面）と、貫通部２５の側面に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面（粗化された面）と、外部接続用パッド１３の接続面１３Ａとを覆うように設けられている。拡散防止膜１２は、導電性を有した膜（具体的には、例えば、金属膜）により構成されている。外部接続用パッド１３の接続面１３Ａに設けられた拡散防止膜１２の接続面１２Ａ（外部接続端子（図示せず）が配設される面）は、ソルダーレジスト層１１の面１１Ｂと略面一とされている。また、拡散防止膜１２の接続面１２Ａは、粗化処理されている。拡散防止膜１２の接続面１２Ａは、外部接続端子（図示せず）が配設される面である。

このように、拡散防止膜１２の接続面１２Ａを粗化された面とすることにより、拡散防止膜１２の接続面１２Ａに配設される外部接続端子（図示せず）と拡散防止膜１２との密着性を向上させることができる。拡散防止膜１２としては、例えば、Ｎｉ層と、Ａｕ層とを順次積層させたＡｕ／Ｎｉ積層膜を用いることができる。

外部接続用パッド１３は、拡散防止膜１２が形成された貫通部２５に設けられている。外部接続用パッド１３の側面及び接続面１３Ａは、拡散防止膜１２により覆われている。外部接続用パッド１３は、拡散防止膜１２を介して、電子部品（図示せず）又はマザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続されるパッドである。

配線パターン１４は、配線部２６と、パッド部２７とを有する。配線部２６は、ソルダーレジスト層１１の粗化された面１１Ａに配置された拡散防止膜１２上に設けられている。配線部２６は、外部接続用パッド１３とパッド部２７とを電気的に接続するためのものである。

パッド部２７は、外部接続用パッド１３上又はソルダーレジスト層１１の粗化された面１１Ａに形成された拡散防止膜１２上に設けられている（図８では、外部接続用パッド１３上にパッド部２７が配置された部分の断面を例に挙げて図示するが、パッド部２７は、ソルダーレジスト層１１の面１１Ａに形成された拡散防止膜１２上に配置される場合が多い。）。パッド部２７は、配線部２６を介して、外部接続用パッド１３と電気的に接続されている。配線パターン１４の材料としては、例えば、導電性材料（例えば、Ｃｕ）を用いることができる。

上記構成された配線パターン１４は、拡散防止膜１２を介して、ソルダーレジスト層１１上に配設されると共に、外部接続用パッド１３と電気的に接続されている。

このように、ソルダーレジスト層１１の粗化された面１１Ａに拡散防止膜１２を設けると共に、拡散防止膜１２上に外部接続用パッド１３と電気的に接続された配線パターン１４を設けることにより、従来、配線パターン２０４を形成するためにソルダーレジスト層２０１上に配設されていた樹脂層２０３（図１参照）が不要となるため、配線基板１０の厚さ方向のサイズを小型化することができる。

上記説明した配線パターン１４は、外部接続用パッド１３と一体的に構成されている。このように、配線パターン１４を外部接続用パッド１３と一体的に構成することにより、配線パターン１４と外部接続用パッド１３とを同時に形成することが可能となるため、配線基板１０の製造工程を簡略化することができる。

絶縁層１６は、配線部２６を覆うように、ソルダーレジスト１１の面１１Ａに設けられている。絶縁層１６は、パッド部２７の上面を露出する開口部３１を有する。絶縁層１６としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂からなる樹脂層を用いることができる。

配線パターン１７（他の配線パターン）は、ビア部３３と、配線部３４と、パッド部３５とを有する。ビア部３３は、開口部３１に設けられている。ビア部３３の下端は、パッド部２７と接続されている。これにより、ビア部３３は、配線パターン１４と電気的に接続されている。

配線部３４は、絶縁層１６の上面１６Ａ及び／又はビア部３３の上端に設けられている。配線部３４は、ビア部３３及びパッド部３５と接続されている。これにより、配線部３４は、ビア部３３とパッド部３５とを電気的に接続している。

パッド部３５は、絶縁層１６の面１６Ａ及び／又はビア部３３の上端に設けられている。パッド３５は、ビア部３３と電気的に接続されている。

上記構成とされたビア部３３、配線部３４、及びパッド部３５は、一体的に構成されている。配線パターン１７の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。

絶縁層１８は、配線部３４を覆うように、絶縁層１６の面１６Ａに積層されている。絶縁層１８は、パッド部３５の上面を露出する開口部３７を有する。絶縁層１８としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂からなる樹脂層を用いることができる。

配線パターン１９（他の配線パターン）は、ビア部４１と、配線部４２と、パッド部４３とを有する。ビア部４１は、開口部３７に設けられている。ビア部４１の下端は、パッド部３５と接続されている。これにより、ビア部４１は、配線パターン１７と電気的に接続されている。

配線部４２は、絶縁層１８の面１８Ａ及び／又はビア部４１の上端に設けられている。配線部４２は、ビア部４１及びパッド部４３と接続されている。これにより、配線部４２は、ビア部４１とパッド部４３とを電気的に接続している。

パッド部４３は、絶縁層１８の面１８Ａ及び／又はビア部４１の上端に設けられている。パッド４３は、ビア部４１と電気的に接続されている。パッド部４３は、拡散防止膜２３を介して、電子部品（図示せず）又はマザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される部分である。

上記構成とされたビア部４１、配線部４２、及びパッド部４３は、一体的に構成されている。上記構成とされた配線パターン１９の材料としては、例えば、導電性材料（具体的には、Ｃｕ）を用いることができる。

ソルダーレジスト層２１は、配線部４２を覆うように、絶縁層１８の面１８Ａに設けられている。ソルダーレジスト層２１は、パッド部４３を露出する開口部２１Ａを有する。ソルダーレジスト層２１としては、例えば、感光性樹脂を用いることができる。

拡散防止膜２３は、開口部２１Ａに露出された部分のパッド部４３に設けられている。拡散防止膜２３は、導電性を有した膜（具体的には、例えば、金属膜）により構成されている。拡散防止膜２３としては、例えば、パッド部４３上にＮｉ層と、Ａｕ層とを順次積層させたＡｕ／Ｎｉ積層膜を用いることができる。

本実施の形態の配線基板によれば、ソルダーレジスト層１１の粗化された面１１Ａに拡散防止膜１２を設けると共に、拡散防止膜１２上に外部接続用パッド１３と電気的に接続された配線パターン１４を設けることにより、従来、配線パターン２０４を形成するためにソルダーレジスト層２０１上に配設されていた樹脂層２０３（図１参照）が不要となるため、配線基板１０の厚さ方向のサイズを小型化することができる。

なお、本実施の形態の配線基板１０では、ソルダーレジスト層１１の粗化された面１１Ａに拡散防止膜１２を設け、この拡散防止膜１２上に配線パターン１４を設けた場合を例に挙げて説明したが、拡散防止膜１２を設けることなく、ソルダーレジスト層１１に直接、配線パターン１４を設けてもよい。この場合、本実施の形態の配線基板１０と同様な効果を得ることができる。

図９〜図２２は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図である。図９〜図２２において、第１の実施の形態の配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図１１〜図２２において、Ａは支持基板５０の配線基板１０が形成される領域（以下、「配線基板形成領域Ａ」とする）、Ｂは支持基板５０を切断する位置（以下、「切断位置Ｂ」とする）をそれぞれ示している。

図９〜図２２を参照して、第１の実施の形態の配線基板１０の製造方法について説明する。始めに、図９に示す工程では、支持基板本体５１と、２つの下地層５２と、下地層５２よりも外形の大きい２つの支持金属層５３とを準備し、次いで、支持基板本体５１の両面５１Ａ，５１Ｂに、下地層５２、支持金属層５３の順にそれぞれ１つの下地層５２及び支持金属層５３を配置する（図９に示す状態）。支持基板本体５１、２つの下地層５２、及び２つの支持金属層５３は、後述する図１０に示す支持基板５０の構成要素となる部材である。

支持基板本体５１としては、例えば、樹脂基板（具体的には、プリプレグ）を用いることができる。支持基板本体５１としてプリプレグを用いる場合、プリプレグとしては、Ｂ−ステージ（半硬化状態）を用いることができる。

下地層５２としては、例えば、金属箔（例えば、Ｃｕ箔）、離型フィルム、離型剤等を用いることができる。離型フィルムとしては、例えば、フィルム状とされたポリエステル又はポリエチレンテレフタレートに薄いフッ素樹脂を積層したものや、フィルム状とされたポリエステル又はポリエチレンテレフタレートにシリコーン離型処理を施したものを用いることができる。また、離型剤としては、シリコーン系離型剤やフッ素系離型剤等を用いることができる。支持金属層５３としては、例えば、Ｃｕ層やＣｕ箔等を用いることができる。

次いで、図１０に示す工程では、真空雰囲気において、図９に示す構造体を加熱すると共に、図９に示す構造体の上下方向から加圧して、支持基板本体５１の両面５１Ａ，５１Ｂに下地層５２及び下地層５２からはみ出した部分の支持金属層５３を接着することにより、支持基板５０を形成する（支持基板準備工程）。その後、ソルダーレジスト層１１が形成される側の支持金属層５３の面５３Ａを粗化する（支持金属層粗化工程）。具体的には、ソフトエッチング、サンドブラスト、黒化処理等の化学的又は物理的な処理を行うことにより、支持金属層５３の面５３Ａを粗化する。

このように、ソルダーレジスト層１１が形成される側の支持金属層５３の面５３Ａを粗化することにより、外部接続用パッド１３の接続面１３Ａに形成される拡散防止膜１２の接続面１２Ａに支持金属層５３の面５３Ａの形状（具体的には、微細な凹凸形状）が転写されるため、拡散防止膜１２の面１２Ａに接合される外部接続端子（例えば、バンプやはんだボール等）と拡散防止膜１２との密着性を向上させることができる。

次いで、図１１に示す工程では、支持基板本体５１の面５１Ａ側に配置された支持金属層５３の上面、及び支持基板本体５１の面５１Ｂ側に配置された支持金属層５３の下面に、支持金属層５３を露出する貫通部２５を有したソルダーレジスト層１１を形成する（ソルダーレジスト層形成工程）。ソルダーレジスト層形成工程は、貫通部２５を有していないソルダーレジスト層１１を形成する工程と、貫通部２５を有していないソルダーレジスト層１１に貫通部２５を形成する工程と、を有する。

具体的には、例えば、感光性ソルダーレジストを用いてソルダーレジスト層１１を形成する場合、感光性ソルダーレジストを支持金属層５３の面５３Ａに塗布後、塗布した感光性ソルダーレジスト（この段階では貫通部２５が形成されていない）を露光、現像（貫通部２５を形成するため処理）することでソルダーレジスト層１１を形成する。また、貫通部２５は、レーザ加工法により形成してもよい。ソルダーレジスト層１１として熱硬化性ソルダーレジストを用いた場合、ソルダーレジスト層１１は、例えば、スクリーン印刷法により形成することができる。

次いで、図１２に示す工程では、貫通部２５の側面に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面、及び配線パターン１４の形成領域に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面を粗化処理する（ソルダーレジスト層粗化工程）。

このとき、貫通部２５の側面に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面、及び配線パターン１４の形成領域に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面は、粗化されたソルダーレジスト層１１の面にスパッタ法、蒸着法、無電解めっき法等の方法により、金属膜（本実施の形態の場合は拡散防止膜１２の母材となる金属膜）が成膜可能な程度に粗化する。ソルダーレジスト層１１の粗化された面の粗さ（Ｒａ）は、例えば、０．１μｍ〜１．０μｍとすることができる。

このように、貫通部２５の側面に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面、及び配線パターン１４の形成領域に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面を粗化することにより、拡散防止膜１２の母材となる金属膜５４をソルダーレジスト層１１に直接形成する（図１３参照）ことが可能となる。

次いで、図１３に示す工程では、ソルダーレジスト層１１の粗化された面１１Ａ、貫通部２５の側面に対応する部分のソルダーレジスト層１１の粗化された面、及び貫通部２５の底面に対応する部分の支持金属層５３の面５３Ａを覆うように金属膜５４を形成する。金属膜５４は、拡散防止膜１２の母材となる膜である。

具体的には、例えば、スパッタ法、蒸着法、無電解めっき法等の方法により、金属膜５４を形成する。このとき、先に説明した図１０に示す工程において、支持金属層５３の面５３Ａは粗化されているため、支持金属層５３の面５３Ａの微細な凹凸形状が拡散防止膜１２の接続面１２Ａとなる部分の金属膜５４の面５４Ｂに転写される。これにより、拡散防止膜１２の接続面１２Ａは、粗化される。金属膜５４としては、例えば、Ｎｉ層と、Ａｕ層とを順次積層させたＡｕ／Ｎｉ積層膜を用いることができる。

次いで、図１４に示す工程では、金属膜５４の面５４Ａに開口部５５Ａを有したレジスト膜５５を形成する。このとき、開口部５５Ａは、配線パターン１４の形成領域に対応する部分の金属膜５４の面５４Ａを露出するように形成する。

次いで、図１５に示す工程では、金属膜５４を給電層とする電解めっき法により、開口部５５Ａに露出された部分の金属膜５４にめっき膜を析出成長させて、外部接続用パッド１３と配線パターン１４とを同時に形成する（外部接続用パッド形成工程及び配線パターン形成工程）。

このように、外部接続用パッド１３と配線パターン１４とを同時に形成することにより、外部接続用パッド１３と配線パターン１４とを別々の工程で形成した場合と比較して、配線基板１０の製造工程の数が少なくなるため、配線基板１０の製造コストを低減することができる。

次いで、図１６に示す工程では、図１５に示すレジスト膜５５を除去する。続いて、配線パターン１４に覆われていない部分の不要な金属膜５４を除去して、拡散防止膜１２を形成する（拡散防止膜形成工程）。具体的には、配線パターン１４に覆われていない部分の不要な金属膜５４は、例えば、エッチングにより除去することができる。

次いで、図１７に示す工程では、ソルダーレジスト層１１の面１１Ａに、配線部２６を覆うように開口部３１を有した絶縁層１６を形成する。絶縁層１６としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂からなる樹脂層を用いることができる。開口部３１は、外部接続用パッド部２７を露出するように形成する。開口部３１は、例えば、レーザ加工法により形成することができる。

次いで、図１８に示す工程では、配線パターン１７の形成領域に対応する部分の絶縁層１６の面１６Ａ及び開口部３１に、ビア部３３、配線部３４、及びパッド部３５を有した配線パターン１７を形成する。具体的には、配線パターン１７は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。また、配線パターン１７の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。

次いで、図１９に示す工程では、先に説明した図１７及び図１８に示す工程と同様な処理を行うことにより、開口部３７を有した絶縁層１８と、配線パターン１９とを順次形成する。絶縁層１８としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂からなる樹脂層を用いることができる。開口部３７は、パッド部３５を露出するように形成する。開口部３７は、例えば、レーザ加工法により形成することができる。また、配線パターン１９は、例えば、セミアディティブ法により形成することができる。また、配線パターン１９の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。

次いで、図２０に示す工程では、絶縁層１８の面１８Ａに、配線部４２を覆うように開口部２１Ａを有したソルダーレジスト層２１を形成し、その後、開口部２１Ａに露出された部分のパッド部４３に拡散防止膜２３を形成する。これにより、支持基板５０の上下方向に配線基板１０に相当する構造体が製造される。ソルダーレジスト層２１としては、例えば、感光性樹脂を用いることができる。

拡散防止膜２３としては、例えば、パッド部４３にＮｉ層と、Ａｕ層とを順次積層させたＡｕ／Ｎｉ積層膜を用いることができる。

次いで、図２１に示す工程では、図２０に示す構造体の切断位置Ｂに対応する部分を切断することにより、支持金属層５３及び支持金属層５３の面５３Ａに形成された構造体を下地層５２から分離させる。

次いで、図２２に示す工程では、図２１に示す支持金属層５３（ソルダーレジスト層１１の面１１Ｂ及び拡散防止膜１２に設けられた支持金属層５３）を除去する。これにより、配線基板１０が製造される。支持金属層５３は、例えば、ウエットエッチング法により除去することができる。支持金属層５３及び外部接続用パッド１３の材料としてＣｕを用いた場合、拡散防止膜１２の材料はＣｕ以外の材料（具体的には、例えば、Ａｕ／Ｎｉ積層膜）を用いるとよい。このように、支持金属層５３及び外部接続用パッド１３の材料と拡散防止膜１２の材料とを異ならせることにより、支持金属層５３をエッチングする際、外部接続用パッド１３がエッチングされることを防止できる。

本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、支持基板本体５１と、支持基板本体５１の両面５１Ａ，５１Ｂに設けられた支持金属層５３とを有する支持基板５０を準備し、次いで、支持金属層５３に貫通部２５を有したソルダーレジスト層１１を形成し、次いで、貫通部２５の側面に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面、及び配線パターン１４の形成領域に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面を粗化処理し、その後、配線パターン１４の形成領域に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面、貫通部２５の側面に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面、及び貫通部２５の底面に対応する部分の支持金属層５３の面に拡散防止膜１２を形成し、その後、拡散防止膜１２が形成された貫通部２５に外部接続用パッド１３を形成すると共に、ソルダーレジスト層１１の面１１Ａに配置された拡散防止膜１３に配線パターン１４を形成することにより、従来、配線パターン２０４を形成するためにソルダーレジスト層２０１上に配設されていた樹脂層２０３（図１参照）が不要となるため、配線基板１０の厚さ方向のサイズを小型化することができる。

図２３〜図２５は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の他の製造工程を示す図である。図２３〜図２５において、第１の実施の形態の配線基板１０及び図２０に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。

本実施の形態の配線基板の製造方法では、支持基板５１の両面５１Ａ，５１Ｂに下地層５２と、支持金属層５３とを順次形成し、２つの支持金属層５３に配線基板１０を形成する場合を例に挙げて説明したが、図２３〜図２５に示すように、支持基板５１の一方の面５１Ａに下地層５２と、支持金属層５３とを順次形成し、１つの支持金属層５３に配線基板１０を形成してもよい。この場合、本実施の形態の配線基板１０の製造方法と同様な効果を得ることができる。

（第２の実施の形態）
図２６は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の断面図である。図２６において、第１の実施の形態の配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。

図２６を参照するに、第２の実施の形態の配線基板６０は、第１の実施の形態の配線基板１０の構成に、さらに金属箔６１を設けた以外は、配線基板１０と同様に構成される。

金属箔６１は、配線パターン１４の形成領域に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面１１Ａに設けられている。金属箔６１は、一方の面６１Ａが微細な凹凸形状を有した面とされており、他方の面６１Ｂが平滑な面とされている。つまり、金属箔６１の面６１Ａは、粗化された面である。金属箔６１の面６１Ａは、ソルダーレジスト層１１の面１１Ａと接触している。金属箔６１としては、例えば、電解Ｃｕ箔を用いることができる。配線パターン１４と接触する部分の拡散防止膜１２は、金属箔６１の面６１Ｂに設けられている。

図２７〜図３３は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図である。図２７〜図３３において、第２の実施の形態の配線基板６０及び第１の実施の形態で説明した図２０に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。

図２７〜図３３を参照して、第２の実施の形態の配線基板６０の製造方法について説明する。始めに、図２７に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図１０に示す支持基板５０の２つの支持金属層５３の面５３Ａに、貫通部２５を有していないソルダーレジスト層１１を形成する（ソルダーレジスト層形成工程）。具体的には、ソルダーレジスト層１１の材料として液状レジストを用いた場合、ソルダーレジスト層１１は、例えば、スクリーン印刷法やロールコート法等の方法により形成することができる。なお、フィルム状のソルダーレジストを支持金属層５３の面５３Ａにラミネートすることで、ソルダーレジスト層１１を形成してもよい。

次いで、ソルダーレジスト層１１を形成後に、一方の面６１Ａが微細な凹凸形状を有した面とされ、他方の面６１Ｂが平滑な面とされた金属箔６１を準備すると共に、金属箔６１の面６１Ａとソルダーレジスト層１１の面１１Ａとが接触するように、ソルダーレジスト層１１の面１１Ａに金属箔６１を貼り付ける（金属箔貼付工程）。

このように、金属箔６１の微細な凹凸を有した粗化された面６１Ａとソルダーレジスト層１１の面１１Ａとが接触するように、ソルダーレジスト層１１の面１１Ａに金属箔６１を貼り付けることにより、ソルダーレジスト層１１と金属箔６１との密着性が向上するため、ソルダーレジスト層１１の面１１Ａを粗化する工程を省略することができる。

次いで、図２８に示す工程では、外部接続用パッド１３の形成位置に対応する部分のソルダーレジスト層１１及び金属箔６１を貫通する貫通部２５を形成する（貫通部形成工程）。このとき、貫通部２５は、支持金属層５３の面５３Ａを露出するように形成する。具体的には、貫通部２５は、例えば、レーザ加工法により形成することができる。このように、ソルダーレジスト層１１に金属箔６１を積層させた状態で、ソルダーレジスト層１１及び金属箔６１を貫通する貫通部２５を形成することにより、貫通部２５の加工精度を向上させることができる。

次いで、貫通部２５の側面に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面の粗化処理を行う（ソルダーレジスト層粗化工程）。ソルダーレジスト層１１の粗化された面の粗さ（Ｒａ）は、例えば、０．１μｍ〜１．０μｍとすることができる。

このように、貫通部２５の側面に対応する部分のソルダーレジスト層１１の面を粗化することにより、後述する図２９に示す工程において、ソルダーレジスト層１１に金属膜５４を形成することが可能となる。

次いで、図２９に示す工程では、金属箔６１の面６１Ｂ、貫通部２５の側面に対応する部分の金属箔６１及びソルダーレジスト層１１の面、及び貫通部２５の底面に対応する部分の支持金属層５３の面５３Ａを覆うように、金属膜５４を形成する。金属膜５４は、拡散防止膜１２の母材となる膜である。

具体的には、例えば、無電解めっき法、スパッタ法、蒸着法等の方法により、金属膜５４を形成する。このとき、先に説明した図１０に示す工程において、支持金属層５３の面５３Ａは粗化されているため、支持金属層５３の面５３Ａの微細な凹凸形状が拡散防止膜１２の接続面１２Ａとなる部分の金属膜５４の面５４Ｂに転写される。これにより、拡散防止膜１２の接続面１２Ａは、粗化される。金属膜５４としては、例えば、Ｎｉ層と、Ａｕ層とを順次積層させたＡｕ／Ｎｉ積層膜を用いることができる。

次いで、図３０に示す工程では、金属膜５４を給電層とする電解めっき法により、金属膜５４の面５４Ａにめっき膜６４を析出成長させる。めっき膜６４は、外部接続用パッド１３及び配線パターン１４の母材となる膜である。めっき膜６４としては、例えば、Ｃｕめっき膜を用いることができる。

次いで、図３１に示す工程では、配線パターン１４の形成位置に対応する部分のめっき膜６４の面６４Ａにレジスト膜６５を形成する。次いで、図３２に示す工程では、レジスト膜６５をマスクとして、図３１に示すめっき膜６４、金属膜５４、及び金属箔６１をエッチングすることにより、外部接続用パッド１３と配線パターン１４とを同時に形成する。

このように、外部接続用パッド１３と配線パターン１４とを同時に形成することにより、外部接続用パッド１３と配線パターン１４とを別々の工程で形成した場合と比較して、製造工程の数が少なくなるため、配線基板６０の製造コストを低減することができる。

次いで、図３３に示す工程では、図３２に示すレジスト膜６５を除去する。その後、第１の実施の形態で説明した図１７〜図２２に示す工程と同様な処理を行うことにより、配線基板６０が製造される。

本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、金属箔６１の微細な凹凸を有した面６１Ａとソルダーレジスト層１１の面１１Ａとが接触するように、ソルダーレジスト層１１の面１１Ａに金属箔６１を貼り付けることにより、ソルダーレジスト層１１と金属箔６１との密着性が向上するため、ソルダーレジスト層１１の面１１Ａを粗化する工程を省略することができる。

また、ソルダーレジスト層１１に金属箔６１を積層させた状態で、レーザ加工法により、ソルダーレジスト層１１及び金属箔６１を貫通する貫通部２５を形成することにより、貫通部２５の加工精度を向上させることができる。

また、本実施の形態の配線基板６０の製造方法は、第１の実施の形態の配線基板１０と同様な効果を得ることができる。

本実施の形態の配線基板６０の製造方法では、支持基板５１の両面に配線基板６０を形成する場合を例に挙げて説明したが、第１の実施の形態で説明した図２３〜図２５のように、支持基板５１の一方の面にのみ配線基板６０を形成してもよい。この場合、本実施の形態の配線基板６０の製造方法と同様な効果を得ることができる。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

本発明は、配線基板の厚さ方向のサイズを小型化することのできる配線基板及びその製造方法に適用できる。

従来の配線基板の断面図である。 従来の配線基板の製造工程を示す図（その１）である。 従来の配線基板の製造工程を示す図（その２）である。 従来の配線基板の製造工程を示す図（その３）である。 従来の配線基板の製造工程を示す図（その４）である。 従来の配線基板の製造工程を示す図（その５）である。 従来の配線基板の製造工程を示す図（その６）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その２）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その３）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その４）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その５）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その６）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その７）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その８）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その９）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１０）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１１）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１２）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１３）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１４）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の他の製造工程を示す図（その１）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の他の製造工程を示す図（その２）である。 本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の他の製造工程を示す図（その３）である。 本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その１）である。 本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その２）である。 本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その３）である。 本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その４）である。 本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その５）である。 本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その６）である。 本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を示す図（その７）である。

符号の説明

１０，６０ 配線基板
１１，２１ ソルダーレジスト層
１１Ａ，１１Ｂ，１６Ａ，１８Ａ，５４Ａ 面
１２，２３ 拡散防止膜
１２Ａ，１３Ａ 接続面
１３ 外部接続用パッド
１４，１７，１９ 配線パターン
１６，１８ 絶縁層
２１Ａ，３１，３７，５１Ａ，５１Ｂ，５３Ａ，５４Ｂ，５５Ａ，６１Ａ，６１Ｂ，６４Ａ 面
２５ 貫通部
２６，３４，４２ 配線部
２７，３５，４３ パッド部
３３，４１ ビア部
５０ 支持基板
５１ 支持基板本体
５２ 下地層
５３ 支持金属層
５４ 金属膜
５５，６５ レジスト膜
６１ 金属箔
６４ めっき膜
Ａ 配線基板形成領域
Ｂ 切断位置
Ｔ_１ 厚さ

Claims (10)

1. 貫通部を有したソルダーレジスト層と、前記貫通部に設けられた外部接続用パッドと、前記外部接続用パッドと電気的に接続された配線パターンと、少なくとも前記外部接続用パッドの接続面に形成される拡散防止膜と、を備えた配線基板であって、
   前記ソルダーレジスト層に前記配線パターンを設け、
   前記拡散防止膜は、前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記ソルダーレジスト層に設けられており、
   前記配線パターンは、前記配線パターンの形成領域に対応する部分に配置された前記拡散防止膜に設けられており、
   前記外部接続用パッドの接続面に形成されている拡散防止膜の前記接続面の反対面は、前記ソルダーレジスト層の前記配線パターンが設けられている面の反対面と面一とされており、
   前記外部接続用パッドは、前記貫通部の前記拡散防止膜を除く部分を充填していることを特徴とする配線基板。
2. 前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面は、粗化された面であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
3. 前記配線パターンが設けられた側の前記ソルダーレジスト層の面には、積層された複数の絶縁層が設けられ、
   前記積層された絶縁層には、他の配線パターンが設けられており、
   前記配線パターンは、前記他の配線パターンと接続されるパッド部を有することを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。
4. 前記配線パターンは、前記外部接続パッドと一体的に構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の配線基板。
5. 外部接続端子が配設される前記拡散防止膜の接続面は、粗化された面であることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載の配線基板。
6. 貫通部を有したソルダーレジスト層と、前記貫通部に設けられた外部接続用パッドと、前記外部接続用パッドと電気的に接続された配線パターンと、を備えた配線基板の製造方法であって、
   支持基板本体と、前記支持基板本体の少なくとも一方の面に設けられた支持金属層とを有する支持基板を準備する支持基板準備工程と、
   前記支持金属層に前記貫通部を有した前記ソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、
   前記貫通部の側面に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面、及び前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面を粗化処理するソルダーレジスト層粗化工程と、
   前記ソルダーレジスト粗化工程後に、前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面、前記貫通部の側面に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面、及び前記貫通部の底面に対応する部分の前記支持金属層の面に拡散防止膜を形成し、前記拡散防止膜の前記支持金属層に接する面と前記ソルダーレジスト層の前記支持金属層に接する面とを面一とする拡散防止膜形成工程と、
   前記拡散防止膜が形成された前記貫通部に前記外部接続用パッドを形成し、前記貫通部の前記拡散防止膜を除く部分を前記外部接続用パッドで充填する外部接続用パッド形成工程と、
   前記拡散防止膜に前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
7. 前記ソルダーレジスト層形成工程は、前記貫通部を有していない前記ソルダーレジスト層を形成する工程と、
   前記貫通部を有していない前記ソルダーレジスト層に前記貫通部を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項６記載の配線基板の製造方法。
8. 貫通部を有したソルダーレジスト層と、前記貫通部に設けられた外部接続用パッドと、前記外部接続用パッドと電気的に接続された配線パターンと、を備えた配線基板の製造方法であって、
   支持基板本体と、前記支持基板本体の少なくとも一方の面に設けられた支持金属層とを有する支持基板を準備する支持基板準備工程と、
   前記支持金属層に前記貫通部を有していないソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、
   一方の面が粗化された金属箔を準備すると共に、粗化された前記一方の面が前記ソルダーレジスト層と接触するように、前記配線パターンの形成領域に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面に前記金属箔を貼り付ける金属箔貼付工程と、
   前記ソルダーレジスト層に前記貫通部を形成する貫通部形成工程と、
   前記貫通部の側面に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面を粗化するソルダーレジスト層粗化工程と、
   前記ソルダーレジスト層粗化工程後に、前記金属箔、前記貫通部の側面に対応する部分の前記ソルダーレジスト層の面、及び前記貫通部の底面に対応する部分の前記支持金属層の面を覆うように拡散防止膜を形成し、前記拡散防止膜の前記支持金属層に接する面と前記ソルダーレジスト層の前記支持金属層に接する面とを面一とする拡散防止膜形成工程と、
   前記拡散防止膜が形成された前記貫通部に前記外部接続用パッドを形成し、前記貫通部の前記拡散防止膜を除く部分を前記外部接続用パッドで充填する外部接続用パッド形成工程と、
   前記拡散防止膜に前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
9. 前記外部接続用パッドと前記配線パターンとを同時に形成することを特徴とする請求項６ないし８のうち、いずれか一項記載の配線基板の製造方法。
10. 前記ソルダーレジスト形成工程の前に、前記ソルダーレジスト層が形成される側の前記支持金属層の面を粗化する支持金属層粗化工程をさらに設けたことを特徴とする請求項６ないし９のうち、いずれか一項記載の配線基板の製造方法。

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