JP4939176B2 - 有機el素子 - Google Patents
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Description
本発明により以下の有機EL素子が提供される。
(1)基板上に、下部電極と有機層と上部電極を積層し、
前記電極のうち光取出し側電極よりもさらに光取出し側に、複数の積層された保護層が配置されており、
前記保護層は
ケイ素、窒素、水素及びフッ素からなり、
前記保護層中には0.01atomic.%以上1atomic.%以下のフッ素原子が含まれていることを特徴とする有機EL素子が提供される。
(2)基板上に、下部電極と有機層と上部電極を積層し、
前記電極のうち光取出し側電極よりもさらに光取出し側に、複数の積層された保護層が配置されており、
前記保護層は、
窒素を含まないケイ素、酸素、水素及びフッ素からなる前記基板側に配置された第1の保護層と、
ケイ素、窒素、水素及びフッ素からなる光取出し側に配置された第2の保護層とが積層された構成であり、
前記第1の保護層中には0.01atomic.%以上4atomic.%以下のフッ素原子が含まれ、
前記第2の保護層中には0.01atomic.%以上1atomic.%以下のフッ素原子が含まれていることを特徴とする有機EL素子が提供される。
(3)前記積層された保護層中のフッ素原子含有量は、基板側から光取出し最表面側に向かって減少することを特徴とする(1)乃至(2)に記載の有機EL素子が提供される。
高温高湿度下にあっても、有機ELの発光特性の著しい低下が見られないという十分な保護機能を有するだけでなく、有機EL素子の初期特性も十分高い光取り出し側層として十分な保護層を有する有機EL素子を提供できる。
本発明の特徴となる保護層の1つの形態について説明する。
本発明のもう1つの形態の保護層について説明する。
さらにまた、窒素原子含有量については測定限界以下(およそ1atomic%以下)である。
保護層を単層で作製したサンプルの実験例について以下に述べる。
厚さ0.8mmのガラス基板上に、実施例にて使用する有機化合物層のう電子注入層を所定の層厚に蒸着し、その後スパッタリングによりITOからなる透明電極層を100nm形成した。
ガラス上のサンプルは以下の様にして評価を行なった。
ガラス基板上の有機化合物層/ITO層上に表1に示すフッ素含有量のサンプルを堆積した後、所定の面積のサンプル表面に、カッターを用いて1mm間隔で長さ20mmのキズを縦/横に入れる。こうしてできた1平方ミリメートルのマスが全て密着するように上から幅広のセロハンテープを貼りつける。その後、ASTM規格に従いテープを180°方向に引き、剥れた面積を比較して膜の密着性試験とした。実際は一回の剥がしテストではうまく剥れず、複数回剥がしテストを行なって評価した。
ガラス上に金属カルシウムを蒸着した基板を用いて、防湿特性を評価した。真空中で、保護層形成チャンバー(CVD)と金属カルシウム蒸着形成チャンバーの間を、基板のやり取りが可能な蒸着装置内にガラス基板を搬送し、蒸着源のカルシウムを所定の膜厚蒸着した。その基板上に、表1に示すフッ素濃度の保護層サンプルを、カルシウム膜が直接外気と接触しない構造のサンプルを形成した。これらのサンプルは、121℃/2気圧/100%RHの雰囲気で100時間放置し、防湿膜を介して外気と反応したカルシウムが水酸化カルシウムへ変化したときの、サンプルの光透過率を評価した。光透過率の変化をフッ素原子含有量別に調べた。カルシウムは光透過性が低いが、反応生成物である水酸化カルシウムは光透過性が高い。
次に、実験例1で作製したものと同じ条件の保護層を、図2に示す通り有機EL素子上に形成した。
前記素子を別の成膜室に移動させた後、実験例1と同様に上部電極26上にケイ素、窒素、水素およびフッ素からなる2ミクロンの第1の保護層27を形成した。このとき第1の保護層中のフッ素原子含有量が1.0%になるように適宜導入ガスを調整し成膜を行なった。
前述したように、作製した各素子は、高温高湿耐久試験の前後で輝度を、素子にかける電流を一定にすることで測定した。保護膜作製条件によって高温高湿耐久後の発光面積に差が出ており、その面積に比例し輝度も変化しているようなので輝度を発光特性の評価基準とした。
実施例1で作製したものと同じ条件で、ガラス基板上に有機EL素子を形成した。
前述したように、作製した各素子は、長期信頼性における発光特性について評価した。
実施例2で作製したものと同じ条件で、ガラス基板上に有機EL素子を形成した。
前述したように、作製した各素子は、長期信頼性における発光特性について評価した。
実施例1で作製したものと同じ条件で、ガラス基板上に有機EL素子を形成した。
前述したように、作製した各素子は、初期及び長期信頼性における発光特性について評価した。
実施例3で作製したものと同じ条件で、ガラス基板上に有機EL素子を形成した。
実施例3と同様に、上部電極26上に酸素を含まないケイ素、窒素、水素及びフッ素からなる3ミクロンの第1の保護層27を形成した。このとき第1の保護層27中のフッ素原子含有量は表6に示す値となるように、適宜条件を変え成膜を行なった。
前述したように、作製した各素子は、初期及び長期信頼性における発光特性について評価した。
12 下部電極
13 有機層
14 上部電極
15−1 第1の保護層
15−2 第2の保護層
21 ガラス基板
22 TFT回路
23 素子分離膜
24 下部電極
25 有機層
26 上部電極
27 第1の保護層
28 第2の保護層
29 偏光板
Claims (3)
- 基板上に、下部電極と有機層と上部電極を順に積層し、
前記電極のうち光取出し側電極よりもさらに光取出し側であって、前記電極の上に保護層が配置されており、
前記保護層は
酸素を含まないケイ素、窒素、水素及びフッ素からなり、
前記保護層中には0.01atomic.%以上1atomic.%以下のフッ素原子が含まれていることを特徴とする有機EL素子。 - 基板上に、下部電極と有機層と上部電極を順に積層し、
前記電極のうち光取出し側電極よりもさらに光取出し側であって、前記電極の上に複数の積層された保護層が配置されており、
前記保護層は、
窒素を含まないケイ素、酸素、水素及びフッ素からなる前記基板側に配置された第1の保護層と、
酸素を含まないケイ素、窒素、水素及びフッ素からなる光取出し側に配置された第2の保護層とが積層された構成であり、
前記第1の保護層中には0.01atomic.%以上4atomic.%以下のフッ素原子が含まれ、
前記第2の保護層中には0.01atomic.%以上1atomic.%以下のフッ素原子が含まれていることを特徴とする有機EL素子。 - 前記保護層中のフッ素原子含有量は、基板側から光取出し最表面側に向かって減少することを特徴とする請求項1乃至2に記載の有機EL素子。
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JPH07169833A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-07-04 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
EP0723944A1 (en) * | 1995-01-26 | 1996-07-31 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Wear resistant windows |
US5849108A (en) * | 1996-04-26 | 1998-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element with zno layer having increasing fluorine content in layer thickness direction |
JPH10163192A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-06-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
FR2759362B1 (fr) * | 1997-02-10 | 1999-03-12 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent muni d'au moins une couche mince a base de nitrure ou d'oxynitrure de silicium et son procede d'obtention |
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FR2827295B1 (fr) * | 2001-07-13 | 2004-07-09 | Saint Gobain | Materiau transparent en plaque ,a base de polymere de methacrylate de methyle,modifie en surface,vitrages incorporant ce materiau,et procedes correspondants |
JP2003109773A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法 |
JP2006519473A (ja) * | 2003-03-04 | 2006-08-24 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 有機発光ダイオード |
US7816863B2 (en) * | 2003-09-12 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
WO2005072946A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-11 | Arkema Inc. | Transparent conductive oxide films having enhanced electron concentration/mobility and method of making same |
US7642038B2 (en) * | 2004-03-24 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus |
US7220687B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method to improve water-barrier performance by changing film surface morphology |
EP1693473B1 (de) * | 2005-02-18 | 2008-05-07 | Siemens Aktiengesellschaft | MCrAIX-Legierung, Schutzschicht aus MCrAIX-Legierung und Verfahren zur Herstellung |
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