JP4935143B2

JP4935143B2 - 載置台及び真空処理装置

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Publication number: JP4935143B2
Application number: JP2006089923A
Authority: JP
Inventors: 信幸岡山
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2006-03-29
Filing date: 2006-03-29
Publication date: 2012-05-23
Anticipated expiration: 2026-03-29
Also published as: JP2007266342A

Description

本発明は、被処理基板にプラズマ処理等の真空処理を行う際にこの被処理基板が載置される載置台及び、この載置台を備えた真空処理装置に関する。

半導体デバイスの製造工程の中には、例えばエッチングやＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）による成膜処理等のように基板の処理を真空雰囲気にて行うものが多数ある。このような真空処理を行う処理装置は、例えば図５に示すように、処理容器９内に下部電極を兼用する半導体ウエハ（以下、ウエハという。）Ｗの載置台９１を配置すると共に、この載置台９１の上方側に上部電極をなすガス供給室９２を設けるように構成されている。そして載置台９１に高周波電源９１ａよりプラズマ発生用の高周波電圧を印加して、載置台９１とガス供給室９２との間でプラズマを発生させ、このプラズマによりガス供給室９２から処理容器９内に導入された処理ガスを活性化し、これにより載置台９１に載置されたウエハＷに対して所定の処理を行うように構成されている。

ところで載置台９１は金属製の支持部材９３（金属部材）と、支持部材９３の上面に設置された静電チャック９４と、この静電チャック９４を取り囲むように配置されたフォーカスリング９６とから構成されている。ここで、静電チャック９４は例えばタングステンからなるシート状のチャック電極９４ａの表裏を例えばアルミナ等の誘電体からなる絶縁層９４ｂにて挟んだ構造となっている。そして、直流電源９５からチャック電極９４ａに対して直流電圧（チャック電圧）を印加することにより、絶縁層９４ｂ表面に生じるクーロン力によってウエハＷを静電吸着し、保持できるようになっている。なお、図５中９７は処理容器９内の雰囲気を外部に排出するための排気路である。

従来、静電チャックは、例えばアルミナ等を溶射して形成される下面側と上面側との２つの絶縁層の間に、例えばタングステンからなるシート状のチャック電極を挟んだ構造を有する溶射タイプのものがほとんどであった。

しかしながら、上記の方法にて作成された静電チャックを高温の処理雰囲気で使用すると、チャック電極と絶縁層との熱膨張率の差等により熱応力が生じ絶縁層が割れてしまう場合がある。また、溶射により上面の絶縁層を形成すると溶射表面が凹凸を有する形状になるため、その先端部から膜剥れが発生してパーティクルとなり、ウエハの裏面側に付着してしまう場合もある。

このようなことから、熱応力に強く、凹凸の少ない平坦な表面を形成することが可能な窒化アルミニウム等のセラミックプレートが絶縁層９４ｂとして用いられるようになってきている。セラミックプレートからなる絶縁層９４ｂを用いた載置台９１は、例えば図５に示すような構造を有している。即ち、静電チャック９４は、絶縁層９４ｂであるセラミックプレートと、当該セラミックプレート内に埋設されたシート状のチャック電極９４ａとから構成されており、この静電チャック９４と、処理容器９の底部に固定された、例えばアルミニウム等からなる支持部材９３と、が接着層９８を介して接着されている。接着層９８としては、例えばシリコーン系の接着性樹脂等が用いられている。

更に、上述の載置台９１は、支持部材９３中に冷媒流路９３ａが形成されており、この冷媒流路９３ａに所定温度に調整された冷媒を通流させることにより、当該支持部材９３の表面を所定の基準温度に調整することができるようになっている。そしてプラズマからの入熱により高温となるウエハＷの熱を静電チャック９４、接着層９８、及び支持部材９３を介して冷媒流路９３ａ中を通流する冷媒に逃すことにより、ウエハＷ温度が所定のプロセス温度となるように制御することが可能となる。

しかしながら上述のセラミックプレートタイプの静電チャック９４では、静電チャック９４と支持部材９３とを接合する接着層９８（シリコーン系接着性樹脂）の熱伝導率が低いことから、ウエハＷの熱が支持部材９３まで伝わりにくい。一方、載置台９１の表面の温度は、プラズマからの入熱と冷媒流路への放熱とのバランスにより決まってくるため、装置の運転開始直後やプロセス温度の変更を伴うロットの切り替わり時等において、最初の数枚のウエハＷについては温度が不安定な状態にある。従って、ウエハＷの熱が冷媒まで伝わりにくく上述のバランスが取れるまでの時間が長くなると、ロット内において載置台９１の表面温度が安定するまでに長い時間を要するので、温度が不安定な状態で処理されるウエハＷの枚数が多くなり、歩留まり低下の要因になるという課題がある。

更に接着層９８の側周面の周囲にはフォーカスリング９６が配置されているが、接着層９８とフォーカスリング９６との間にはわずかな隙間があるため、ウエハＷの処理中に接着層９８の側周面がプラズマ中の活性種に晒されてしまう。ここで接着層９８を構成するシリコーン系接着性樹脂は特にフッ素（Ｆ）ラジカルに対する耐性が小さい。このため、フッ素ラジカルを生成する処理、例えばフッ素を含む処理ガスを用いるエッチングにおいては、フッ素ラジカルによってシリコーン系接着性樹脂の側周面が浸食されてしまう。浸食された接着層９８の側周部位は熱伝導性が悪くなるので、プラズマからウエハＷに入熱した熱が接着層９８の側周面を介して支持部材９３に逃げにくくなる。このため、接着層９８の浸食に伴ってウエハＷの外周部の温度が上昇し、結果的に処理の均一性例えばエッチング速度の面内均一性が悪くなり、早期に静電チャック９４の交換が必要になるという問題がある。また、ウエハＷ間で均一な処理を行うためには、載置台９１の表面の温度と同じように、フォーカスリングの温度についても装置の運転開始直後等にできるだけ早く安定させる必要がある。

接着層の熱伝導率の低さや、接着層側周面の浸食によるウエハ温度の制御性が悪いという問題に対処するため、例えば特許文献１には、静電チャックを構成するセラミックプレート側に冷媒流路の形成された載置台が記載されている。詳細には、セラミックプレートの厚みを従来のものより厚くしてその下面に溝部を形成し、このセラミックプレートを平坦な上面を有する支持部材上にクランプで固定する。これにより、セラミックプレートの溝部と支持部材上面とで囲まれる領域が冷媒流路となる。このような載置台では、ウエハが載置されるセラミックプレートと冷媒とが接触しており、ウエハから冷媒までの熱抵抗が小さいので、載置台９１の表面の温度が安定するまでの時間を短くすることができる。また、クランプを使ってセラミックプレートを支持部材に固定しているため、接着層が浸食される事もない。

ところで、ウエハ温度の面内均一性を保つためにはセラミックプレートの外周部に限らず中央部にも流路を形成する必要がある。しかしクランプは、通常、セラミックプレートを外周部で固定する構造となっているため、中央部ではセラミックプレートを支持部材に押さえつける力が弱い。従って、特許文献１に開示されている載置台では、このような押さえつける力の弱い部分に形成されている冷媒流路から、冷媒の一部が漏れ出して例えば隣の流路に漏れ込むバイパスが形成されてしまい、予定している冷却機能が得られなくなってしまう場合がある。また、セラミックプレートが厚くなった結果、支持部材とウエハとの距離が大きくなるため、支持部材に印加した高周波電に対してプラズマの発生に利用される電力の割合が低くなり、消費電力が大きくなってしまうという問題もある。
特開２００３−７７９９６号公報：第３頁第２２段落〜第４頁第２４段落

本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、静電チャック用の電極が埋設されたセラミックプレートを金属部材の上に積層してなる被処理基板の載置台において、冷媒による冷却効率を向上させることができる載置台を提供することにある。また、他の目的は、この載置台を備えた真空処理装置を提供することにある。

本発明に係る載置台は、被処理基板が載置され、静電チャック用の電極が埋設されたセラミックプレートが金属部材の上に積層された載置台において、
前記セラミックプレートの下面及び前記金属部材の上面のうちの少なくとも一方に冷媒流路形成用の溝部が加工され、セラミックプレートと金属部材とが、この金属部材よりも熱伝導率の低い接着性樹脂の接着層を介して接合されると共に、この接着層は、前記溝部内に臨む金属部材を覆うように形成されていることを特徴とする。
前記接着性樹脂として、シリコーン系の接着性樹脂を用いてもよい。

このとき、前記溝部は、金属部材側には形成されず、セラミックプレート側に形成されていることが好ましい。更に、前記静電チャック用の電極は、前記被処理基板を取り囲むように配置されたフォーカスリングを静電吸着可能なように設けられているとよい。

また、前記セラミックプレート内において、冷媒流路の上方側にプラズマ生成用の電極が設けられていてもよい。このとき、プラズマ生成用の電極は静電チヤック用の電極を兼用していることが好ましい。

更に、被処理基板に対して真空処理が行われる処理容器と、
この処理容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、
前記処理容器内を真空排気するための手段と、を備えた真空処理装置に上述の特徴を有する載置台を適用するとよい。

本発明によれば、ウエハ等の被処理基板を静電吸着するセラミックプレートの下面と金属部材との間に、ウエハを冷却するための冷媒が通流する冷媒流路が形成されており、これらの部材は接着層を介して接着されている。このため、高い冷却効率が得られ、セラミックプレートの表面温度が速やかに安定するので、被処理基板間においてプロセス温度のばらつきを抑えることができる。また、クランプ等により機械的にセラミックプレートと金属部材とを固定する場合と比較して、冷媒流路から冷媒の一部が漏れ出したりすることがなく、予定している冷却機能が確実に得られる。

以下、図１〜図３に基づき、本発明に係る載置台の実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、被処理基板であるウエハに対して真空処理を行う真空処理装置、例えばプラズマによるエッチング処理を施すプラズマ処理装置に適用される載置台を例に説明を行う。図１は、本実施の形態に係る載置台１の縦断側面図である。

載置台１は、例えば円柱状に形成され、アルミニウム等からなる導電性の支持部材４（金属部材）の上面にセラミックプレート２を積層した構造となっている。支持部材４は、ウエハＷがプラズマ処理装置内の適切な位置に載置されるようにセラミックプレート２の設置位置を位置決めする役割を果たす。支持部材４は、当該載置台１が組み込まれるプラズマ処理装置の処理容器６１の底板上に固定されている。円柱状の支持部材４の略中央部には、貫通孔４０ａが鉛直方向に形成され、この貫通孔４０ａの上端部は、拡径して拡径部４０ｂとして形成されている。貫通孔４０ａ内には、例えばアルミニウム等の導電性の素材により構成された第１の電極ロッド４１が絶縁性のスリーブ４２内に嵌入れされた状態で挿入されている。この第１の電極ロッド４１の上端には、雌ネジが形成されていて、後述の第２の電極ロッドの下端部と螺合されるようになっている。

次にセラミックプレート２及びこれに埋設されているシート状電極２２について説明する。本実施の形態において、セラミックプレート２は、処理対象のウエハＷや後述するフォーカスリング５を静電吸着により固定しながら保持する静電チャックとしての機能を果たすと共に、プラズマ処理装置の下部電極としての機能も兼ね備えている。セラミックプレート２は、セラミクスのなかでも比較的熱伝導率の高い窒化アルミニウム等の誘電体からなり、図１、図３に示すように、扁平な円柱体の上面外縁部をリング状に切欠して断部を形成した形状、即ち、支持部材４と略同じ径を有する円盤状の下面プレート部２１ｂと、ウエハＷよりも少し径の小さい円盤状の上面プレート部２１ａと、を同心円上に重ねた形状を有している。また、セラミックプレート２下面の略中央部には、図１に示すように、支持部材４の拡径部４０ｂに嵌合する形状の凸部が形成されており、位置ずれせずにセラミックプレート２を支持部材４に固定することができるようになっている。

シート状電極２２は、例えばモリブデンやタングステンからなり、シート状の形状を有している。シート状電極２２は、図３に示したセラミックプレート２の略全体の領域をカバーして、図１に示すようにセラミックプレート２の表面近傍に埋め込まれている。シート状電極２２は、この電極に供給される電力の導電路をなす第２の電極ロッド２５の上端と接続されている。第２の電極ロッド２５は、例えばアルミニウム等の導電性の素材からなり、その下端に雄ネジが形成されている。この第２の電極ロッド２５を第１の電極ロッド４１と螺合させることにより載置台１全体を貫通する導電路が形成され、外部の電源からシート状電極２２に対して電力を供給することが可能となる。

ここで、第１の電極ロッド４１には、整合器７２を介して高周波電源７１が接続されており、シート状電極２２へ向けて高周波電力を供給することができる。本実施の形態では、高周波電源７１は、プラズマ中のイオンを引き込むためのバイアス電力用として設けられているが、プラズマ発生用の高周波電力をシート状電極２２に対して供給するための高周波電源を更に接続してもよい。この場合、その高周波電源は、当該高周波電源に応じた整流器を介して第１の電極ロッド４１に接続されることとなる。更に、第１の電極ロッド４１にはスイッチ７５と抵抗７４とを介して直流電源７３が接続されており、シート状電極２２へ向けて直流電力を供給することもできる。

一方、セラミックプレート２の下面には、図１、図３に示すように、セラミックプレート２内を蛇行する溝部が形成されている。セラミックプレート２を支持部材４上に固定することによって、セラミックプレート２の溝部と支持部材４の平坦な上面とで形成される空間が冷媒流路２３となる。図中、２３ａは冷媒供給路であり、２３ｂは冷媒排出路である。この冷媒流路２３には、図示しない温調部で所定の温度に調整された例えばガルデン（登録商標）等の冷媒が、図示しない冷媒供給手段を介して通流される。セラミックプレート２表面近傍には図示しない温度センサーが装着されており、この温度センサーによってセラミックプレート２の表面の温度が常時監視されている。そして、この監視結果に基づき温調部で冷媒の温度を調整することにより、セラミックプレート２の表面温度を所定の温度、例えば１０℃〜６０℃程度に制御することが可能となる。

ここで、セラミックプレート２と支持部材４とは、例えばシリコーン系の接着性樹脂等からなる接着層３を介して接着されており、この場合、例えば支持部材４の上面全体に接着性樹脂を塗布することでセラミックプレート２と支持部材４との接合面に加えて冷媒流路２３を形成する支持部材４側の面についてもこの接着層３によって覆われることになる。シリコーン系の接着性樹脂は、アルミニウム等の金属と比較して熱伝導率が低いため、冷媒流路２３内を通流する冷媒が温度制御の対象ではない支持部材４から熱を奪いにくくするための断熱材としての機能も発揮することになる。即ち、接着層３は支持部材４にセラミックプレート２を接着して固定する役割と、支持部材４に対する断熱材としての役割との２つの役割を果たしていることになる。

なお、図１、図２に示した２４は、セラミックプレート２表面とウエハＷ裏面との間の熱伝達性を高めるために供給されるヘリウム（Ｈｅ）ガス等、熱伝導性のバックサイドガスのガス供給孔であり、２４ａはそのガス供給管である。また、上面プレート部２１ａの上側表面にはドット２６と呼ばれる薄い円盤状の凸部が多数形成されている。ドット２６は、ウエハＷとセラミックプレート２との接触面積を減らすことによって、それらの部分を確実に接触させ、ウエハＷのセラミックプレート２への静電吸着を確実なものとすると共に、ウエハＷの裏面へのパーティクルの付着を抑制する役割を有している。また、ウエハＷの裏面とセラミックプレート２表面との間に隙間を形成することができるので、ガス供給孔２４から供給されるバックサイドガスを流れやすくして、ウエハＷとセラミックプレート２間での熱伝達を向上させる役割も有している。なお図２以外の図では、ドット２６の図示を省略している。

また、図１、図２中の５は、ウエハＷをプラズマにより処理するときに、ウエハＷの周縁の外方の領域のプラズマ状態を調整する役割、例えばウエハＷよりも広げて、ウエハ面内のエッチング速度の均一性を向上させる役割を果たすフォーカスリングである。本実施の形態において、フォーカスリング５は例えばシリコン等の導体からなり、図１に示すように内側に一段低くなった段部を有する環状部材として構成されている。

フォーカスリング５は、セラミックプレート２の下面プレート部２１ｂ側、即ち図３に示したリング状の面に載置される。フォーカスリング５が載置された状態では、図１、図２に示すように、フォーカスリング５内側の段部が、僅かな隙間を介して上面プレート部２１ａの側周面を取り囲む位置関係となる。また、フォーカスリング５内側の段部上面はウエハＷが載置されるドット２６よりも僅かに低くなるように設定されている。また、上面プレート部２１ａの径は、ウエハＷの径よりも少し小さいので、載置台１に載置されたウエハＷの外周部は図１に示すようにフォーカスリング５の段部上面から僅かな隙間を介して浮いた状態となる。

次に、本実施の形態である載置台１を備えたプラズマ処理装置６の一例について図４参照して説明する。図４に示したプラズマ処理装置６は、例えば内部が密閉空間となっている真空チャンバーからなる処理容器６１と、この処理容器６１内の底板中央に固定された本実施の形態に係る載置台１と、載置台１の上方に当該載置台１と対向するように設けられた上部電極６２とを備えている。なお、載置台１中の導電路を構成する第１、第２の電極ロッド４１、２５等の記載は省略した。

処理容器６１は電気的に接地されており、また処理容器６１の底板の排気口６３には排気管８１ａを介して真空ポンプ等からなる排気装置８１が接続されている。処理容器６１の側面にはウエハＷの搬送口６１ａが設けられており、この搬送口６１ａはゲートバルブ６１ｂによって開閉可能となっている。

載置台１のセラミックプレート２中に埋設されているシート状電極２２は、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）７６を介して接地されている。また、シート状電極２２に接続されている高周波電源７１（第１の高周波電源）からは、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。

一方、上部電極６２は中空状に形成され、その下面には処理容器６１内へ処理ガスを分散供給するための多数の処理ガス供給孔６２ａが例えば均等に分散して形成されることにより、ガスシャワーヘッドを構成している。また上部電極６２の上面中央には処理ガス供給管８２ａが設けられ、この処理ガス供給管８２ａは絶縁部材６１ｃを介して処理容器６１の上面中央を貫通している。そしてこの処理ガス供給管８２ａの上流には処理ガス供給部８２が接続されており、図示しないバルブや流量制御部によって処理ガス流量及びその給断の制御を行うことができるようになっている。

上部電極６２はローパスフィルタ（ＬＰＦ）７７を介して接地されており、またこの上部電極６２には第２の高周波電源として、第１の高周波電源７１よりも周波数の高い例えば６０ＭＨｚの高周波電源７９が整合器７８を介して接続されている。第２の高周波電源７９からの高周波電力は、処理ガスをプラズマ化するためのものであり、第１の高周波電源７１からの高周波電力は、ウエハＷにバイアス電力を印加することでプラズマ中のイオンをウエハＷ表面に引き込むものである。なお、各高周波電源７９、７１は図示しない制御部に接続されており、この制御部からの制御信号に従って上部電極６２及びシート状電極２２への電力供給が制御される。

次いで本実施の形態の作用について説明する。先ずゲートバルブ６１ｂを開き、搬送口６１ａを介して図示しない搬送アームにより、処理容器６１内のセラミックプレート２の表面にウエハＷが載置される。そして搬送アームが退出してゲートバルブ６１ｂを閉じた後、排気口６３を介して処理容器６１内の真空引きを行う。このとき静電チャック用の電極としてのシート状電極２２に対して直流電源７３から直流電圧が印加され、ウエハＷはクーロン力によりセラミックプレート２の表面に静電吸着される。また、シート状電極２２への直流電圧の印加によりフォーカスリング５の載置面にもクーロン力が発生するので、フォーカスリング５の底面もセラミックプレート２の表面に静電吸着される。

そして、冷媒流路２３内に冷媒の通流を開始すると共に、ガス供給孔２４からバックサイドガスを供給する。次にウエハＷに向けて処理ガス例えばＣ_４Ｆ_８ガスを供給し、上部電極６２に高周波電源７９から高周波電圧を印加してプラズマを発生させると共に、下部電極としてのシート状電極２２に高周波電源７１から高周波電圧を印加し、ウエハＷ表面の例えばシリコン酸化膜のエッチングが行われる。

高周波電極としてのシート電極２２がセラミックプレート２の表面近傍に埋め込まれているので、冷媒流路２３を備えたことによりセラミックプレート２の厚みが大きくなったことに伴う電力損失が少なくて済む。また、シート状電極２２に高周波電圧を印加すると、セラミックプレート２表面の近傍に電界が発生するので、処理容器６１内に存在するパーティクルをはじき返してウエハＷにパーティクルを付着させにくくすることができると考えられる。

ウエハＷは、プラズマに晒されることにより高温となるが、冷媒流路２３を通流する冷媒によってセラミックプレート２の表面は例えば６０℃の基準温度にコントロールされている。このため、ウエハＷの熱は、薄いシート状電極２２を除いて他の部材を介することなく、セラミックプレート２内に形成された冷媒流路２３を通流する冷媒に直接移動し、処理中のウエハＷの温度を所定のプロセス温度に調整することができる。

ここで、冷媒流路２３の支持部材４側の面は支持部材４とセラミックプレート２とを接着する接着層３で覆われているので、支持部材４からの熱が冷媒に対して伝達されにくくなっている。このため、冷媒流路２３内を通流する冷媒は、主としてウエハＷから移動してきた熱を効率よく吸収することができる。また、フォーカスリング５の底面がセラミックプレート２の表面に静電吸着されていることによって、これらの部材間の接触面積が大きくなると共に細隙が小さくなり、フォーカスリング５の熱がセラミックプレート２に逃げやすくなる。この結果、フォーカスリング５の温度を低く抑えることができる。更に、図１と図５とを比較すると分かるように、本実施の形態に係るセラミックプレート２は、内部に冷媒流路２３の溝を形成するためにその厚みを大きくした結果、冷媒流路２３と支持部材４との接着面の位置が従来のものより下方に移動している。このため、プラズマが上記の接着面に到達しにくくなり、Ｃ_４Ｆ_８ガス等から発生したフッ素ラジカル等により接着層３の側周面が浸食されにくくなっている。また、たとえ一部のフッ素ラジカル等が接着層３まで到達して、その側周面を浸食したとしても、従来のものと比べて接着層３の位置がウエハＷから遠いため、接着層３の側周面が浸食されたことによるウエハＷ温度の制御への影響は殆どないものと考えられる。

以上の動作を経てウエハＷに対してエッチングが施された後、ウエハＷは搬入時と逆の順序で処理容器６１から搬出される。

実施の形態では、載置台１をプラズマ処理装置６に組み込んだ例を示したが、本発明に係る載置台１を利用可能な真空処理装置はこれに限定されない。例えばウエハ等への成膜処理を行うＣＶＤ装置等にも本発明に係る載置台１は適用することができる。

また、本発明は、実施の形態で例示した、いわゆる上下２周波タイプに限定されることなく、例えばシート状電極２２に第１、第２の高周波電源の両方を接続する下部２周波タイプ等にも適用することができる。

また、本実施の形態では、シート状電極２２がチャック電極と、プラズマ処理に係る下部電極（高周波電極）とを兼ねて一体的に形成されている場合について説明したが、これらの電極を別々に構成してセラミックプレート２内に埋設してもよい。また、チャック電極としてのシート状電極２２についても、ウエハＷを静電吸着するチャック電極とフォーカスリング５を静電吸着するチャック電極とを別々に構成して、セラミックプレート２内に埋設してもよい。

本実施の形態に係る載置台１によれば、被処理基板であるウエハＷを静電吸着するセラミックプレート２の下面と支持部材４との間に、ウエハＷを冷却するための冷媒が通流する冷媒流路２３が形成されており、これらの部材２、４は接着層を介して接着されている。このため、高い冷却効率が得られ、セラミックプレート２の表面温度が速やかに安定するので、ウエハＷ間においてプロセス温度のばらつきを抑えることができる。また、クランプ等により機械的にセラミックプレート２と支持部材４とを固定する場合と比較して、冷媒流路２３から冷媒の一部が漏れ出したりすることがなく、予定している冷却機能が確実に得られる。

また、冷媒流路２３の支持部材４側の面が接着層３で覆われているので、接着層３を構成するシリコーン系接着性樹脂の断熱効果により、支持部材４と冷媒との間で熱が伝熱されにくくなり、ウエハＷの冷却効率がより一層向上する。なお、接着層３は、冷媒流路２３に面している支持部材４の表面に形成せずに、セラミックプレート２と支持部材４との接合面のみに形成してもよい。

なお、本実施の形態では、セラミックプレート２側に冷媒流路２３となる溝部が形成されている場合について例示したが、セラミックプレート２と支持部材４との双方、または支持部材４側にのみ溝部を形成してもよい。これらの場合において、セラミックプレート２と支持部材４との接合面のみならず、溝部内にも接着性樹脂等からなる層（接着層）を形成すれば、接着性樹脂等の断熱効果により、既述のようにウエハＷの冷却効率を高くすることができる。

本発明の実施の形態である載置台の一例を示す縦断側面図である。上記の実施の形態を示す斜視図である。上記の実施の形態を構成するセラミックプレートを示す平面図である。上記の実施の形態に係る載置台を適用したプラズマ処理装置の一例を示す縦断側面図である。従来の載置台を備えたプラズマ処理装置の一例を示す縦断側面図である。

符号の説明

Ｗウエハ
１載置台
２セラミックプレート
３接着層
４支持部材
５フォーカスリング
６プラズマ処理装置
９処理容器
２１ａ上面プレート部
２１ｂ下面プレート部
２２シート状電極
２３冷媒流路
２３ａ冷媒供給路
２３ｂ冷媒排出路
２４ガス供給孔
２４ａガス供給管
２５第２の電極ロッド
２６ドット
４０ａ貫通孔
４０ｂ拡径部
４１第１の電極ロッド
４２スリーブ
６１処理容器
６１ａ搬送口
６１ｂゲートバルブ
６１ｃ絶縁部材
６２上部電極
６２ａ処理ガス供給孔
６３排気口
７１高周波電源（第１の高周波電源）
７２整合器
７３直流電源
７４抵抗
７５スイッチ
７６ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）
７７ローバスフィルタ（ＬＰＨ）
７８整合器
７９高周波電源（第２の高周波電源）
８１排気装置
８１ａ排気管
８２処理ガス供給部
８２ａ処理ガス供給管
９１載置台
９１ａ高周波電源
９２ガス供給室
９３支持部材
９３ａ冷媒流路
９４静電チャック
９４ａチャック電極
９４ｂ絶縁層
９５直流電源
９６フォーカスリング
９７排気路
９８接着層

Claims

被処理基板が載置され、静電チャック用の電極が埋設されたセラミックプレートが金属部材の上に積層された載置台において、
前記セラミックプレートの下面及び前記金属部材の上面のうちの少なくとも一方に冷媒流路形成用の溝部が加工され、セラミックプレートと金属部材とが、この金属部材よりも熱伝導率の低い接着性樹脂の接着層を介して接合されると共に、この接着層は、前記溝部内に臨む金属部材を覆うように形成されていることを特徴とする載置台。
接着性樹脂は、シリコーン系の接着性樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の載置台。
前記溝部は、金属部材側には形成されず、セラミックプレート側に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の載置台。
前記静電チャック用の電極は、前記被処理基板を取り囲むように配置されたフォーカスリングを静電吸着可能なように設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の載置台。
前記セラミックプレート内において、冷媒流路の上方側にプラズマ生成用の電極が設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の載置台。
プラズマ生成用の電極は静電チヤック用の電極を兼用していることを特徴とする請求項５に記載の載置台。
被処理基板に対して真空処理が行われる処理容器と、
この処理容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、
前記処理容器内に設けられた請求項１ないし６のいずれか一つに記載の載置台と、
前記処理容器内を真空排気するための手段と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。