JP4903179B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
11a,11b,61a,61b,81a,81b シート
12a,12b,22a,22b,32a,32b,62a,62b,72a,72b,82a,82b,102a,102b 電極
12,22,32,62,72,82,102 発光ダイオードチップ
14 樹脂層
15,25,35,45,55,65,75,85,105,115 外部端子用ブロック
15a,25a,45a,55a,65a,75a,115a 絶縁性ブロック体
15b,25b,35b,45b,55b,65b,75b 接続部
16a,16b,26a,26b,36a,36b,66a,66b,76a,76b,86a,86b,106a,106b ワイヤ
17,67,87 スペーサー
18,68,88 硬化性液状樹脂
28,38,78,108 パッケージ本体
31,91 チャンバー
33 ステージ
34,94 樹脂貯蔵部
36,96 真空バルブ
37 ツェナーダイオード
39 放熱体
46 光吸収防止層
69,79 蛍光体層
74 側面反射層
84 樹脂層
Claims (26)
- 両電極が形成された電極形成面を有する複数の発光ダイオードチップと少なくとも一面に露出された接続部とを有する複数の外部端子用ブロックを設ける工程と、
それぞれ前記電極形成面と前記接続部の露出面とが上部を向いた状態で前記発光ダイオードチップが前記外部端子用ブロックの間に位置するように第1シート上に前記外部端子用ブロックと前記発光ダイオードチップとを取り付ける工程と、
前記発光ダイオードチップの電極を、隣接した外部端子用ブロックの露出された接続部にワイヤでそれぞれ連結する工程と、
前記外部端子用ブロックと前記発光ダイオードチップとの配列領域を囲むように前記第1シート上に前記ワイヤの高さより大きい高さを有するスペーサーを取り付けることによりチップアレイ構造物を設ける工程と、
チャンバー内に前記チップアレイ構造物を配置し、前記チャンバー内が減圧または真空状態になるように前記チャンバー内を減圧させる工程と、
前記スペーサーにより囲まれた前記配列領域が埋まるように硬化性液状樹脂を滴下する工程と、
前記硬化性液状樹脂が前記チップアレイ構造物の内部に充填された状態で前記スペーサー上に第2シートを取り付ける工程と、
前記チップアレイ構造物の内部に充填された硬化性液状樹脂を硬化させる工程と、
複数の発光装置が得られるように前記チップアレイ構造物を所望の大きさに切断する工程と、
を含み、
前記複数の外部端子用ブロックは、それぞれ相互反対に位置した第1面及び第2面を有する絶縁性ブロック体を含み、
前記複数の外部端子用ブロックの接続部は、前記絶縁性ブロック体の第1面及び第2面を貫通する導電性ビアホールを含み、
前記接続部が露出された面は、前記絶縁性ブロック体の第1面であることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 両電極が形成された電極形成面を有する複数の発光ダイオードチップと少なくとも一面に露出された接続部とを有する複数の外部端子用ブロックを設ける工程と、
それぞれ前記電極形成面と前記接続部の露出面が上部を向いた状態で前記発光ダイオードチップが前記外部端子用ブロックの間に位置するように第1シート上に前記外部端子用ブロックと前記発光ダイオードチップを取り付ける工程と、
前記発光ダイオードチップの電極を、隣接した外部端子用ブロックの露出された接続部にワイヤでそれぞれを連結する工程と、
前記外部端子用ブロックと前記発光ダイオードチップとの配列領域を囲むように前記第1シート上に前記ワイヤの高さより大きい高さを有し少なくとも1つの流入口が設けられたスペーサーを取り付ける工程と、
前記スペーサー上に第2シートを取り付けることにより前記配列領域を含んだ内部空間を有するチップアレイ構造物を製造する工程と、
チャンバー内に前記チップアレイ構造物を配置し、前記チップアレイ構造物の内部空間が減圧または真空状態になるように前記チャンバー内を減圧させる工程と、
前記チャンバーの減圧が維持された状態で、前記内部空間が密閉されるように前記スペーサーの流入口と隣接した領域に硬化性液状樹脂を配置する工程と、
前記流入口を通じ前記硬化性液状樹脂が前記内部空間に流入され充填されるように前記チャンバーの減圧または真空状態を解除する工程と、
前記チップアレイ構造物の内部に充填された硬化性液状樹脂を硬化させる工程と、
複数の発光装置が得られるように前記チップアレイ構造物を所望の大きさに切断する工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記複数の発光ダイオードチップは、それぞれ少なくとも側面に形成された透明樹脂層を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記複数の発光ダイオードチップは、それぞれ側面と前記電極形成面の反対の面とに形成された透明樹脂層を含むことを特徴とする請求項3に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透明樹脂層のうち、少なくとも前記電極形成面の反対の面に形成された部分は蛍光体粉末を含むことを特徴とする請求項4に記載の発光装置の製造方法。
- 前記硬化性液状樹脂を硬化させる工程と前記チップアレイ構造物を所望の大きさに切断する工程の間に、前記第1シート及び前記第2シートを除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法。
- 前記硬化性液状樹脂を硬化させる工程と、前記チップアレイ構造物を所望の大きさに切断する工程との間に、前記第1シートが除去された後に露出された面のうち少なくとも前記発光ダイオードチップ領域に蛍光体層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法。
- 前記複数の外部端子用ブロックは、それぞれ相互反対に位置した第1面及び第2面を有する絶縁性ブロック体を含み、
前記複数の外部端子用ブロックの接続部は、前記絶縁性ブロック体の第1面及び第2面を貫通する導電性ビアホールを含み、
前記接続部が露出された面は、前記絶縁性ブロック体の第1面であることを特徴とする請求項2〜7のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法。 - 前記複数の外部端子用ブロックの接続部は、前記絶縁性ブロック体の第1面に形成され前記導電性ビアホールに連結された電極層をさらに含むことを特徴とする請求項1または8に記載の発光装置の製造方法。
- 前記絶縁性ブロック体はセラミックブロック体またはPCBブロックであることを特徴とする請求項1、8または9に記載の発光装置の製造方法。
- 前記セラミックブロック体は多孔性構造を有することを特徴とする請求項10に記載の発光装置の製造方法。
- 前記チップアレイ構造物を切断する工程は、前記導電性ビアホールが露出されるように前記外部端子用ブロックと共に前記チップアレイ構造物を切断する工程であることを特徴とする請求項1または8に記載の発光装置の製造方法。
- 前記外部端子用ブロックと前記発光ダイオードチップとを配列する工程は、4つの発光ダイオードチップが前記1つの外部端子用ブロックを共有するように前記外部端子用ブロックと前記発光ダイオードチップを配列する工程であり、
前記チップアレイ構造物を切断する工程は、前記絶縁性ブロック体の隣接した2つの側面において前記導電性ビアホールが露出されるように前記外部端子用ブロックと共に前記チップアレイ構造物を切断する工程であることを特徴とする請求項12に記載の発光装置の製造方法。 - 前記外部端子用ブロックは少なくとも1つの段差が形成された側面を有することを特徴とする請求項2〜13のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法。
- 前記第1シート上に前記発光ダイオードチップと前記外部端子用ブロックを取り付ける工程は、
硬化性物質が塗布された前記第1シート上に前記発光ダイオードチップと前記外部端子用ブロックを配列する工程と、
前記第1シート上に前記発光ダイオードチップと前記外部端子用ブロックが維持されるように前記硬化性物質を硬化させる工程を含むことを特徴とする請求項1〜14のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法。 - 前記チャンバー内を減圧させる工程の前に、前記硬化性液状樹脂を前記チャンバー内に配置する工程をさらに含み、これにより前記チャンバー内を減圧させる工程において硬化性液状樹脂が脱泡処理されることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法。
- 前記硬化性液状樹脂を硬化させる工程の前に、前記チップアレイ構造物を前記チャンバーの外部にアンローディングする工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜14のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法。
- 前記硬化性樹脂は電気的絶縁性を有する高反射性粉末を含むことを特徴とする請求項1〜17のいずれか一つ発光装置の製造方法。
- 前記高反射性粉末はTiO2粉末であることを特徴とする請求項18に記載の発光装置の製造方法。
- 前記外部端子用ブロックと前記発光ダイオードチップを取り付ける工程の後に、前記外部端子用ブロックまたは前記発光ダイオードチップ上にツェナーダイオードを取り付ける工程をさらに含み、
前記ワイヤで連結する工程は、前記ツェナーダイオードと共に前記外部端子用ブロックの接続部と前記発光ダイオードチップの電極をワイヤで連結する工程であることを特徴とする請求項1〜19のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法。 - 前記外部端子用ブロックと前記発光ダイオードチップを取り付ける工程の後に、前記発光ダイオードチップ上に放熱体を取り付ける工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜20のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法。
- 前記第2シートは、硬性(rigid)シートであることを特徴とする請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記外部端子用ブロックの高さは前記スペーサーの高さと同じであり、
前記外部端子用ブロックは前記発光ダイオードチップを向く面に形成された段差構造を有し、段差面と上端面が相互電気的に連結されたことを特徴とする請求項2に記載の発光装置の製造方法。 - 前記外部端子用ブロックは、それ自体が接続部として提供されることができるように導体からなることを特徴とする請求項23に記載の発光装置の製造方法。
- 前記チップアレイ構造物を製造する工程は、前記第2シートを前記スペーサーの上面と複数の外部端子用ブロックの上端面に取り付ける工程であることを特徴とする請求項23に記載の発光装置の製造方法。
- 請求項1〜25のいずれか一つに記載の製造方法により製造されたことを特徴とする発光装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2007-0039402 | 2007-04-23 | ||
KR20070039402 | 2007-04-23 | ||
KR10-2008-0036995 | 2008-04-22 | ||
KR1020080036995A KR100990637B1 (ko) | 2007-04-23 | 2008-04-22 | 발광장치 및 그 제조방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011090804A Division JP5413920B2 (ja) | 2007-04-23 | 2011-04-15 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008270820A JP2008270820A (ja) | 2008-11-06 |
JP4903179B2 true JP4903179B2 (ja) | 2012-03-28 |
Family
ID=40049818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008113118A Active JP4903179B2 (ja) | 2007-04-23 | 2008-04-23 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20080290359A1 (ja) |
JP (1) | JP4903179B2 (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2928993B1 (fr) * | 2008-03-20 | 2014-01-10 | Guillaume Boulais | Module d'eclairage, en particulier de retro-eclairage |
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CN102651446B (zh) * | 2011-02-25 | 2014-12-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及光源装置 |
CN102694102B (zh) * | 2011-03-22 | 2014-11-05 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法、以及光源装置 |
-
2008
- 2008-04-23 JP JP2008113118A patent/JP4903179B2/ja active Active
- 2008-04-23 US US12/081,888 patent/US20080290359A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-03-23 US US13/070,014 patent/US8735935B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008270820A (ja) | 2008-11-06 |
US8735935B2 (en) | 2014-05-27 |
US20080290359A1 (en) | 2008-11-27 |
US20110169035A1 (en) | 2011-07-14 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R371 | Transfer withdrawn |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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