JP4896512B2 - 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 - Google Patents
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Description
なお、本明細書での「オルトメタル化」とは、一般式(1)でのZ1、C1、C2および
Q1含む五員または六員の芳香環または芳香族複素環において、配位原子を有する置換基
の結合位置に対してオルト位のC−H結合が、分子内反応で金属−炭素結合を含むキレート環を生成する反応をいう。
また、真空蒸着法には大型の設備が必要となり、その条件も厳密な制御が必要とされるなど、時に大画面化にあたって簡便な製造方法とは言えない。
〔1〕
下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体から導かれる構造単位を含む重合体からなることを特徴とする高分子発光材料。
HX7、−NX8X9、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜22の直鎖、環状もし
くは分岐アルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アルキル基、あるいは炭素数6〜21のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基もしくは炭素数7〜21のアラルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アリール基、ハロゲン置換ヘテロアリール基もしくはハロゲン置換アラルキル基を表す。(ここで、X1〜X9は各々独立に炭素数1〜22の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基、炭素数6〜21のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基、または、炭素数7〜21のアラルキル基を表す。)
Q1は炭素原子、窒素原子または硫黄原子を表し、Z1は炭素原子C1、C2および前記Q1と共に、五員環または六員環の芳香環または芳香族複素環を形成するための原子群を表
し、該環は置換基を有してもよく、さらに他の環との縮合環を形成してもよい。
Lは、重合性官能基を有する、1価アニオンの2座配位子を表す。)
上記一般式(1)において、C1、C2、Q1およびZ1より形成される五員または六員の芳香環または芳香族複素環あるいは、前記芳香環または芳香族複素環と他の環との縮合環が、ベンゼン、ナフタレン、フェナンスレン、アントラセン、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ベンゾピラゾールおよびトリアジンからなる群から選ばれる一種の化合物の環骨格を骨格としており、かつR1〜R8で定義される基と同様の置換基を有していてもよいことを特徴とする〔1〕に記載の高分子発光材料。
前記イリジウム錯体が、下記一般式(2)〜(8)のいずれかで表されることを特徴とする〔1〕に記載の高分子発光材料。
、ニトロ基、シアノ基、−OH、−SX1、−OCOX2、−COOX3、−SiX4X5X6、−NH2、−NHX7、−NX8X9、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜22の直鎖、環状もしくは分岐アルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アルキル基、あるいは炭素数6〜21のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基もしくは炭素数7〜21のアラルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アリール基、ハロゲン置換ヘテロアリール基もしくはハロゲン置換アラルキル基を表す。(ここで、X1〜X9は各々独立に炭素数1〜22の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基、炭素数6〜21のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基、または、炭素数7〜21のアラルキル基を表す。)
Lは、重合性官能基を有する、1価アニオンの2座配位子を表す。)
前記Lが、下記一般式(9)または(10)で表される2座配位子であることを特徴とする〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の高分子発光材料。
重合性官能基を有する置換基を表す。)
前記重合体が、さらに、ホール輸送性の重合性化合物および電子輸送性の重合性化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の重合性化合物から導かれる構造単位を含むことを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の高分子発光材料。
陽極と陰極とに挟まれた1層または2層以上の有機高分子層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機高分子層の少なくとも1層に、〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の高分子発光材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔6〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像表示装置。
〔6〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた面発光光源。
1.高分子発光材料
本発明に係る高分子発光材料は、特定のイリジウム錯体から導かれる構造単位を含む重合体からなる。このような材料では、イリジウム錯体の三重項励起状態からの発光が得られる。上記高分子発光材料は、さらに、ホール輸送性の重合性化合物および電子輸送性の重合性化合物からなる群から選択される少なくとも1種の重合性化合物から導かれる構造単位を含む重合体からなることが好ましい。
<イリジウム錯体から導かれる構造単位を含む重合体>
本発明に用いられる重合体は、上記式(1)で表されるイリジウム錯体を含む単量体を重合して得られる。上記重合体において、上記イリジウム錯体の単量体は、1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いてもよい。本明細書において、上記重合体には、上記錯体の単独重合体、および2種以上の該錯体の共重合体も含む。
一般式(1)〜一般式(10)中、R1〜R35は、各々独立に水素原子、ハロゲン原子
、ニトロ基、シアノ基、−OH、−SX1、−OCOX2、−COOX3、−SiX4X5X6、−NH2、−NHX7、−NX8X9、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜22の直鎖、環状もしくは分岐アルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アルキル基、炭素数6〜21のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基もしくは炭素数7〜21のアラルキル基又はそれらの水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換されたハロゲン置換アリール基、ハロゲン置換ヘテロアリール基もしくはハロゲン置換アラルキル基を表す。(ここで、X1〜X9は各々独立に炭素数1〜22の直鎖、環状もしくは分岐のアルキル基、炭素数6〜21のアリール基、炭素数2〜20のヘテロアリール基、または、炭素数7〜21のアラルキル基を表す。)
ここで、X1〜X9は置換基を有していてもよく、置換基の例として、ハロゲン原子、シアノ基、アルデヒド基、アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基等を挙げることができる。これらの置換基は、さらにハロゲン原子、メチル基等によって置換されていてもよい。
基、アントリル基、フルオレニル基、フラン残基、チオフェン残基、ピロール残基、オキサゾール残基、チアゾール残基、イミダゾール残基、ピリジン残基、ピリミジン残基、ピラジン残基、トリアジン残基、キノリン残基、キノキサリン残基を挙げることができる。
シルチオ基、オクチルチオ基、フェニルチオ基、2−メチルフェニルチオ基、4−tert−ブチルフェニルチオ基を挙げることができる。
。
−COOX3の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、tert
−ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等を挙げることができる。
ニルシリル基等を挙げることができる。
−NHX7の例としては、N−メチルアミノ基、N−エチルアミノ基、N−ベンジルア
ミノ基、N−フェニルアミノ基等を挙げることができる。
一般式(1)で表されるイリジウム錯体の誘導体としては、合成の容易さや作成した素子の寿命および色純度の点から、以下の一般式(2)または(8)で示されるイリジウム錯体がより好ましい。
1価アニオンの2座配位子としては、例えば、水素イオンが1つ脱離して、2つの配位座を含む共役構造が、全体として1価アニオン性となり得る構造を有する化合物から、水素イオンが1つ脱離し、1価のアニオンとなった化合物;または、分子内にピリジン環、カルボニル基、イミン基等の非イオン性の配位座と、水酸基、カルボキシル基等の水素イオンが1つ脱離して1価のアニオン性配位座になり得る部位を有する化合物などが挙げられる。
重合性官能基を有する置換基を表す。)
一般式(9)または一般式(10)で表される2座配位子は、Y1或いはY2で示される重合性官能基を有する。該官能基は、ラジカル重合性、カチオン重合性、アニオン重合性、付加重合性、および縮合重合性の官能基のいずれであってもよい。これらのうちで、ラジカル重合性の官能基は、重合体の製造が容易であるため好ましい。
体(イリジウムに対して0.5当量)とを、2−エトキシエタノールなどの溶媒中で反応させる。次いで、得られたイリジウム2核錯体と、重合性官能基を有する、1価アニオンの2座配位子の誘導体を、炭酸ナトリウムと共に、2−エトキシエタノールなどの溶媒中で加熱した後、精製して式で表されるイリジウム錯体を得ることができる。
以下に、本発明で用いられるイリジウム錯体を合成するための原料として用いられるイリジウム2核錯体の代表例(D1)〜(D12)を示す。
上記重合体の重合方法は、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、および付加重合のいずれでもよいが、ラジカル重合が好ましい。
<キャリア輸送性の重合性化合物から導かれる構造単位を有する重合体>
本発明に用いられる重合体は、1種または2種以上の上記イリジウム錯体の単量体と共に、ホール輸送性の重合性化合物および電子輸送性の重合性化合物からなる群より選択される少なくとも1種の重合性化合物を含む単量体を共重合して得られる重合体であることが好ましい。なお、本明細書において、ホール輸送性の重合性化合物および電子輸送性の重合性化合物を併せて、キャリア輸送性の重合性化合物ともいう。
上記重合性官能基は、ラジカル重合性、カチオン重合性、アニオン重合性、付加重合性、および縮合重合性の官能基のいずれであってもよい。これらのうちで、ラジカル重合性の官能基は、重合体の製造が容易であるため好ましい。
具体的には、上記官能基を、上記一般式(A1)〜(A12)で表される置換基として有することがより好ましい。これらのうちで、下記式(A1)、(A5)、(A8)、(A12)で表される置換基は、官能基が容易に導入できるためさらに好ましい。
上記式(E1)〜(E15)で表される重合性化合物は、公知の方法によって製造することができる。
本発明に係る高分子発光材料は、有機EL素子の材料として好適に用いられる。上記有機EL素子は、陽極と陰極とに挟まれた1層または2層以上の有機高分子層を含み、該有機高分子層の少なくとも1層に、上記高分子発光材料が含まれる。本発明に係る高分子発光材料は、簡便な塗布法で発光層を成膜でき、素子の大面積化が図れる。
極(6)の間に、ホール輸送層(3)、発光層(4)および電子輸送層(5)を、この順で設けている。上記有機EL素子では、例えば、陽極(2)と陰極(6)の間に、1)ホール輸送層/発光層、2)発光層/電子輸送層のいずれかを設けてもよい。また、3)ホール輸送材料、発光材料、電子輸送材料を含む層、4)ホール輸送材料、発光材料を含む層、5)発光材料、電子輸送材料を含む層、6)発光材料の単独層のいずれかの層を1層のみ設けてもよい。さらに、発光層を2層以上積層してもよい。
えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが用いられる。
本発明に係る有機EL素子は、公知の方法で、マトリックス方式またはセグメント方式による画素として画像表示装置に好適に用いられる。また、上記有機EL素子は、画素を形成せずに、面発光光源としても好適に用いられる。
[実施例]
[合成例1]イリジウム錯体(C2)の合成
(1−1)化合物(a)の合成
6−ブロモフェナントリジン(Journal of the Chemical Society, Chemical Communications、1995年、2295頁に記載の方法に従って合成した)2.0g(7.7mmol)、4−t−ブチルフェニルボロン酸1.4g(7.7mmol)およびテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.23g(0.20mmol)の混合物に50mlの1,2−ジメトキシエタンおよび炭酸カリウム3.0g(22mol)の50ml水溶液を加えて、5時間加熱還流した。反応液を室温にまで冷却後、有機層を抽出し、減圧で溶媒を留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することによって、化合物(a)2.5gを得た。
(1−2)イリジウム錯体(C2)の合成
化合物(a)2.5g(8.0mmol)および塩化イリジウム(III)三水和物1.4g(4.0mmol)の混合物に90mlの2−エトキシエタノールおよび30mlの水を加え、12時間加熱還流した。生成した褐色沈殿を冷メタノールで洗浄し、減圧乾燥することによって二核錯体(D2)を得た。得られた錯体(D2)1.0g(0.59mmol)に20mlのN,N−ジメチルホルムアミドを加え、化合物(b)(特開2003−113246に記載の方法に従って合成した)0.50g(2.3mmol)および炭酸カリウム0.32g(2.3mmol)を加えて、90℃で4時間加熱撹拌した。得られた反応液を水中に投入し、生じた沈殿を水洗後、減圧乾燥した。シリカゲルのカラムクロマトグラフィーによって精製することにより、イリジウム錯体(C2)0.85g(0.83mmol)を得た。
元素分析: 計算値(C60H55IrN2O2) C,70.08;H,5.39;N,2.72. 測定値 C,69.88;H,5.61;N,2.90.
質量分析(FAB+): 1028(M+).
[合成例2]イリジウム錯体(C5)の合成
4−t−ブチルフェニルボロン酸の替わりに2−ナフタレンボロン酸を用いた以外は化合物(a)の合成と同様な方法で化合物(c)を合成した。次に化合物(a)の替わりに化合物(c)を用い、化合物(b)の替わりに化合物(d)(特開2003−206320に記載の方法に従って合成した)を用いた以外はイリジウム錯体(C2)の合成と同様な方法でイリジウム錯体(C5)を得た。
元素分析: 計算値(C54H34IrN3O2) C,68.34;H,3.61;N,4.43. 測定値 C,68.56;H,3.47;N,4.22.
質量分析(FAB+): 949(M+).
[合成例3]イリジウム錯体(C8)の合成
4−t−ブチルフェニルボロン酸の替わりに2−チオフェンボロン酸を用いた以外は化合物(a)の合成と同様な方法で化合物(e)を合成した。次に化合物(a)の替わりに化合物(e)を用い、化合物(b)の替わりに化合物(f)(特開2003−206320に記載の方法に従って合成した)を用いた以外はイリジウム錯体(C2)の合成と同様な方法でイリジウム錯体(C8)を得た。
元素分析: 計算値(C49H32IrN3O3S2) C,60.85;H,3.33;N,
4.34. 測定値 C,60.51;H,3.39;N,4.70.
質量分析(FAB+): 967(M+).
密閉容器に、イリジウム錯体(C2)80mg、上記式(E1)で表される化合物460mg、および上記式(E7)で表される化合物460mgを入れ、脱水トルエン(9.9mL)を加えた。次いで、V−601(和光純薬工業(株)製)のトルエン溶液(0.1M、198μL)を加え、凍結脱気操作を5回繰り返した。真空のまま密閉し、60℃で60時間撹拌した。反応後、反応液をアセトン500mL中に滴下し、沈殿を得た。さらにトルエン−アセトンでの再沈殿精製を2回繰り返した後、50℃で一晩真空乾燥して、共重合体(I)を得た。共重合体(I)の重量平均分子量(Mw)は35800、分子量分布指数(Mw/Mn)は2.06であった。ICP元素分析および13C−NMR測定の結果から見積もった共重合体におけるm/(m+n)の値は0.035であった。また、共重合体(I)において、x/nの値は、0.42であり、y/nの値は、0.58であった。
イリジウム錯体(C2)の代わりにイリジウム錯体(C5)を、上記式(E1)で表される化合物の代わりに上記式(E2)で表される化合物を、上記式(E7)で表される化合物の代わりに上記式(E14)で表される化合物を用いた他は、実施例1と同様にして
、共重合体(II)を得た。共重合体(II)の重量平均分子量(Mw)は32300、分子量分布指数(Mw/Mn)は2.15であった。ICP元素分析および13C−NMR測定の結果から見積もった共重合体におけるm/(m+n)の値は0.050であった。また、共重合体(II)において、x/nの値は、0.50であり、y/nの値は、0.50であった。
イリジウム錯体(C2)の混合物の代わりにイリジウム錯体(C8)を用いた他は、実施例1と同様にして、共重合体(III)を得た。共重合体(III)の重量平均分子量(Mw)は37100、分子量分布指数(Mw/Mn)は2.31であった。ICP元素分析および13C−NMR測定の結果から見積もった共重合体におけるm/(m+n)の値は0.040であった。また、共重合体(III)において、x/nの値は、0.40であり、y/nの値は、0.60であった。
ITO付き基板(ニッポ電機(株)製)を用いた。これは、25mm角のガラス基板の一方の面に、幅4mmのITO(酸化インジウム錫)電極(陽極)が、ストライプ状に2本形成された基板であった。
得られた赤色光は、CIE色度座標においてx=0.68およびy=0.33であった。最大発光外部量子効率は6.3%、最高輝度は11400cd/m2であった。また初
期輝度100cd/m2で電流値を一定にして通電して連続発光し、強制劣化させた際、
輝度が半減するまでの時間は、2200時間であった。
[実施例5]有機EL素子の作製および発光特性の評価
共重合体(I)の代わりに共重合体(II)を用いたほかは、実施例4と同様にして、有機EL素子を作製し、発光色などの測定を行った。
得られた赤色光は、CIE色度座標においてx=0.68およびy=0.32であった
。最大発光外部量子効率は5.7%、最高輝度は8900cd/m2であった。また初期
輝度100cd/m2で電流値を一定にして通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝
度が半減するまでの時間は、2100時間であった。
[実施例6]有機EL素子の作製および発光特性の評価
共重合体(I)の代わりに共重合体(III)を用いたほかは、実施例4と同様にして、有機EL素子を作製し、発光色などの測定を行った。
得られた赤色光は、CIE色度座標においてx=0.66およびy=0.33であった。最大発光外部量子効率は5.8%、最高輝度は9200cd/m2であった。また初期
輝度100cd/m2で電流値を一定にして通電して連続発光し、強制劣化させた際、輝
度が半減するまでの時間は、2200時間であった。
2: 陽極
3: ホール輸送層
4: 発光層
5: 電子輸送層
6: 陰極
Claims (6)
- 下記一般式(C1)〜(C12)のいずれかで表される1種または2種以上のイリジウム錯体から導かれる構造単位と、
下記一般式(E1)〜(E6)で表わされるホール輸送性の重合性化合物、および前記ホール輸送性の重合性化合物が有するビニル基を、下記一般式(A2)〜(A12)で表わされる置換基に代えたホール輸送性の重合性化合物から選択される少なくとも1種のホール輸送性の重合性化合物から導かれる構造単位と、
下記式(E7)〜(E15)で表わされる電子輸送性の重合性化合物、および前記電子輸送性の重合性化合物が有するビニル基を、下記式(A2)〜(A12)で表わされる置換基に代えた電子輸送性の重合性化合物から選択される少なくとも1種の電子輸送性の重合性化合物から導かれる構造単位とを含む重合体からなることを特徴とする高分子発光材料。
- 前記一般式(C1)〜(C12)のいずれかで表される1種または2種以上のイリジウム錯体が、一般式(C2)、(C5)または(C8)で表わされるイリジウム錯体である請求項1に記載の高分子発光材料。
- 前記重合体が、
前記一般式(C2)で表わされるイリジウム錯体から導かれる構造単位と、前記一般式(E1)で表わされるホール輸送性の重合性化合物から導かれる構造単位と、前記一般式(E7)で表わされる電子輸送性の重合性化合物から導かれる構造単位とを含む重合体、
前記一般式(C5)で表わされるイリジウム錯体から導かれる構造単位と、前記一般式(E2)で表わされるホール輸送性の重合性化合物から導かれる構造単位と、前記一般式(E14)で表わされる電子輸送性の重合性化合物から導かれる構造単位とを含む重合体、または
前記一般式(C8)で表わされるイリジウム錯体から導かれる構造単位と、前記一般式(E1)で表わされるホール輸送性の重合性化合物から導かれる構造単位と、前記一般式(E7)で表わされる電子輸送性の重合性化合物から導かれる構造単位とを含む重合体である請求項1に記載の高分子発光材料。 - 陽極と陰極とに挟まれた1層または2層以上の有機高分子層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機高分子層の少なくとも1層が、請求項1〜3のいずれかに記載の高分子発光材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた画像表示装置。
- 請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた面発光光源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005369456A JP4896512B2 (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005369456A JP4896512B2 (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007169474A JP2007169474A (ja) | 2007-07-05 |
JP4896512B2 true JP4896512B2 (ja) | 2012-03-14 |
Family
ID=38296466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005369456A Active JP4896512B2 (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 高分子発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4896512B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009131165A1 (ja) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | 昭和電工株式会社 | 電荷輸送性高分子化合物およびこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CA2822899A1 (en) | 2011-02-09 | 2012-08-16 | F. Hoffmann-La Roche Ag | New iridium-based complexes for ecl |
JP2014510048A (ja) * | 2011-02-09 | 2014-04-24 | エフ.ホフマン−ラ ロシュ アーゲー | Ecl用の新規イリジウムベース錯体 |
JP2015530978A (ja) * | 2012-08-02 | 2015-10-29 | エフ.ホフマン−ラ ロシュ アーゲーF. Hoffmann−La Roche Aktiengesellschaft | Ecl用の新規イリジウムベース錯体 |
ES2602206T3 (es) * | 2012-08-02 | 2017-02-20 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Nuevos complejos de bis-iridio para la elaboración de marcajes EQL |
CN104822696B (zh) * | 2012-08-02 | 2017-09-22 | 霍夫曼-拉罗奇有限公司 | 用于ecl的新型铱基配合物 |
JP6255017B2 (ja) | 2012-08-02 | 2017-12-27 | エフ.ホフマン−ラ ロシュ アーゲーF. Hoffmann−La Roche Aktiengesellschaft | Ecl用の新規イリジウムベース錯体 |
JP2015530979A (ja) * | 2012-08-02 | 2015-10-29 | エフ.ホフマン−ラ ロシュ アーゲーF. Hoffmann−La Roche Aktiengesellschaft | Ecl用の新規イリジウムベース錯体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002141173A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP4048810B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2008-02-20 | 住友化学株式会社 | 高分子発光体およびそれを用いた高分子発光素子 |
JP3650082B2 (ja) * | 2001-06-04 | 2005-05-18 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光材料および有機化合物 |
JP4285947B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2009-06-24 | 三洋電機株式会社 | 発光性有機金属化合物及び発光素子 |
JP3893949B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2007-03-14 | 昭和電工株式会社 | 重合性化合物およびその製造方法 |
JP3951876B2 (ja) * | 2001-11-09 | 2007-08-01 | 昭和電工株式会社 | 重合性化合物およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-12-22 JP JP2005369456A patent/JP4896512B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007169474A (ja) | 2007-07-05 |
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