JP4871852B2

JP4871852B2 - Burn-in equipment

Info

Publication number: JP4871852B2
Application number: JP2007315145A
Authority: JP
Inventors: 明紀上山
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2007-12-05
Filing date: 2007-12-05
Publication date: 2012-02-08
Anticipated expiration: 2027-12-05
Also published as: JP2009139192A

Description

本発明は、半導体装置などの被試験体のバーンイン試験、エージング試験に用いられるバーンイン装置に関する。 The present invention relates to a burn-in apparatus used for a burn-in test and an aging test of a device under test such as a semiconductor device.

従来から半導体レーザ素子の生産工程では、生産直後に発生する初期不良対策として、半導体レーザ素子を使用する通常の温度よりも温度を上昇させた状態で駆動し、測定された光出力または駆動電流の変動によって不良品選別を行うバーンイン試験が行われている。半導体レーザ素子については、数時間から数十時間にわたって指定温度でのバーンイン試験が行われている。 Conventionally, in the production process of a semiconductor laser device, as a countermeasure against initial failure that occurs immediately after production, the semiconductor laser device is driven at a temperature higher than the normal temperature at which the semiconductor laser device is used, and the measured optical output or drive current is measured. A burn-in test is performed to select defective products according to fluctuations. For semiconductor laser elements, a burn-in test at a specified temperature is performed for several hours to several tens of hours.

半導体レーザ素子の高出力化が進むにつれて、半導体レーザ素子の駆動に伴う半導体レーザ素子自身の発熱による影響によって、バーンイン試験時に用いられる恒温槽内の温度むらが発生しやすくなってしまうという問題があり、正確な温度制御が可能なバーンイン装置が求められている。 As the output of the semiconductor laser device increases, there is a problem that the temperature unevenness in the thermostatic chamber used during the burn-in test is likely to occur due to the heat generated by the semiconductor laser device itself when the semiconductor laser device is driven. Therefore, there is a need for a burn-in device capable of accurate temperature control.

図１１は、特許文献１に記載される第１の従来の技術をもとに構成されたバーンイン装置３００の構成を示す模式図である。図１１には、バーンイン装置３００に装着された半導体レーザ素子４００についても図示している。バーンイン装置３００は、温度制御器３０１と、冷却機３０２と、ファン３０３と、半導体レーザ４００素子の出力を検知するためのフォトダイオード３０４と、温度センサ３０５と、複数のフォトダイオード３０４が設けられるフォトダイオード基板３０６と、半導体レーザ素子４００に接触して設けられる放熱プレート３０７と、カセット３０８と、コンタクト部３０９と、外部との断熱効果を有する恒温槽３１０と、半導体レーザ素子４００の光出力を一定出力状態にするため、フォトダイオード３０４からの入力値によって駆動電流を制御するＡＰＣ（Auto Power Control）回路３１１と、ヒータ３１２とを有する。 FIG. 11 is a schematic diagram showing a configuration of a burn-in apparatus 300 configured based on the first conventional technique described in Patent Document 1. As shown in FIG. FIG. 11 also shows the semiconductor laser element 400 mounted on the burn-in apparatus 300. The burn-in apparatus 300 includes a temperature controller 301, a cooler 302, a fan 303, a photodiode 304 for detecting the output of the semiconductor laser 400 elements, a temperature sensor 305, and a photo provided with a plurality of photodiodes 304. The diode substrate 306, the heat radiating plate 307 provided in contact with the semiconductor laser element 400, the cassette 308, the contact portion 309, the thermostat 310 having a heat insulation effect from the outside, and the light output of the semiconductor laser element 400 are constant. In order to enter an output state, an APC (Auto Power Control) circuit 311 that controls a drive current according to an input value from the photodiode 304 and a heater 312 are provided.

恒温槽３１０内部には、ファン３０３と、フォトダイオード３０４と、温度センサ３０５と、フォトダイオード基板３０６と、放熱プレート３０７と、カセット３０８とが設けられる。カセット３０８は、複数（１００個程度）の半導体レーザ素子４００を搭載し、半導体レーザ素子４００に電源供給するための配線が形成されている。恒温槽３１０は、内部に複数（１０カセット程度）カセット３０８が搭載可能に形成されている。カセット３０８には、半導体レーザ素子４００の端子に接触するコンタクト部３０９が設けられ、コンタクト部３０９は、カセット３０８に形成される前記配線と接続されている。 Inside the thermostatic chamber 310, a fan 303, a photodiode 304, a temperature sensor 305, a photodiode substrate 306, a heat radiating plate 307, and a cassette 308 are provided. The cassette 308 has a plurality of (about 100) semiconductor laser elements 400 mounted thereon, and wiring for supplying power to the semiconductor laser elements 400 is formed. The thermostatic chamber 310 is formed so that a plurality of (about 10 cassettes) cassettes 308 can be mounted therein. The cassette 308 is provided with a contact portion 309 that contacts a terminal of the semiconductor laser element 400, and the contact portion 309 is connected to the wiring formed in the cassette 308.

バーンイン装置３００では、温度制御器３０１が温度センサ３０５によって槽内の気温を検出して、冷却機３０２およびヒータ３１２を制御して、槽内の気度をコントロールすることによって、放熱プレート３０７の温度をコントロールし、これによって間接的に半導体レーザ素子４００の温度をコントロールしている。 In the burn-in apparatus 300, the temperature controller 301 detects the temperature in the tank by the temperature sensor 305, controls the cooler 302 and the heater 312 to control the temperature in the tank, thereby controlling the temperature of the heat radiation plate 307. Thus, the temperature of the semiconductor laser device 400 is indirectly controlled.

第２の従来の技術では、半導体レーザ素子を直接恒温プレートに接触させて温度をコントロールすることで、温度コントロールの応答性を改善し、温度バラツキを抑制している（たとえば特許文献２参照）。 In the second conventional technique, the semiconductor laser element is directly brought into contact with the constant temperature plate to control the temperature, thereby improving the temperature control responsiveness and suppressing temperature variation (see, for example, Patent Document 2).

実開平７−２９３３号公報Japanese Utility Model Publication No. 7-2933 特開２００７−６４９２５号公報JP 2007-64925 A

しかしながらバーンイン装置３００では、半導体レーザ素子４００の温度コントロールは、冷却機３０２およびヒータ３１２によって槽内の気体温度をコントロールし、放熱プレート３０７の温度をコントロールすることによって間接的に行われるので、槽内の気体温度の変化に対する半導体レーザ素子４００の温度の変化のレスポンスが遅く、バーンイン試験時の温度上昇および温度下降に時間がかかり、バーンイン試験時間が長くなるという問題がある。また半導体レーザ素子４００のバーンイン試験は、数時間から数十時間にわたって指定温度で行われるが、バーンイン装置３００における半導体レーザ素子４００の温度制御は、冷却機３０２およびヒータ３１２によって熱伝導率の低い気体の温度をコントロールすることによって行われており、恒温状態を保つためのエネルギ消費が大きく、稼動コストが上昇するという問題がある。 However, in the burn-in apparatus 300, the temperature control of the semiconductor laser element 400 is indirectly performed by controlling the gas temperature in the tank by the cooler 302 and the heater 312 and controlling the temperature of the heat radiation plate 307. There is a problem that the response of the temperature change of the semiconductor laser device 400 to the change in gas temperature is slow, the temperature rise and the temperature drop during the burn-in test take time, and the burn-in test time becomes long. The burn-in test of the semiconductor laser element 400 is performed at a specified temperature for several hours to several tens of hours. The temperature control of the semiconductor laser element 400 in the burn-in apparatus 300 is performed by a gas having low thermal conductivity by the cooler 302 and the heater 312. However, there is a problem that the energy consumption for maintaining the constant temperature is large and the operation cost increases.

また半導体レーザ素子４００の高出力化が進むに連れて、半導体レーザ素子４００の駆動に伴う半導体レーザ素子４００自身の発熱の影響で、恒温槽３１０の温風および冷風吹き出し部付近に配置された半導体レーザ４００ａと、前記吹き出し部から離れた位置に配置された半導体レーザ４００ｂとを同じ条件でバーンイン試験することが難しいという問題がある。 Further, as the output of the semiconductor laser element 400 increases, the semiconductor disposed near the hot and cold air blowing portions of the thermostatic chamber 310 due to the heat generated by the semiconductor laser element 400 itself when the semiconductor laser element 400 is driven. There is a problem that it is difficult to perform a burn-in test on the same conditions for the laser 400a and the semiconductor laser 400b disposed at a position away from the blowing portion.

また第２の従来の技術では、被試験体である半導体レーザ素子が、フレーム形状で放熱部が特定された平面となっていることを前提として構成されたものである。したがって、ＣＡＮパッケージのように全面が金属のパッケージで、かつ湾曲した形状となっている半導体レーザ素子を直接恒温プレートに接触させて温度コントロールしようとする場合、半導体レーザ素子の全面を恒温プレートに接触させることは困難であるため、パッケージの特定の部分のみが恒温プレートに接触することになる。このような状態で、恒温プレートの温度をコントロールしても、パッケージのうち恒温プレートに接触していない他の部分から吸熱したり、放熱したりしてしまうので、半導体レーザ素子の温度を精度のよくコントロールすることが難しいという問題がある。 In the second conventional technique, the semiconductor laser device as the device under test is configured on the assumption that the flat surface in which the heat radiating portion is specified is formed in a frame shape. Therefore, when trying to control the temperature of a semiconductor laser device whose entire surface is a metal package and is curved like a CAN package by directly contacting the constant temperature plate, the entire surface of the semiconductor laser device is in contact with the constant temperature plate. Since this is difficult, only certain parts of the package will come into contact with the thermostat plate. Even if the temperature of the constant temperature plate is controlled in such a state, the temperature of the semiconductor laser element is accurately adjusted because heat is absorbed or dissipated from other parts of the package that are not in contact with the constant temperature plate. There is a problem that it is difficult to control well.

したがって本発明の目的は、被試験体の温度調整レスポンスが速く、試験時間の短縮化および省エネルギ化を図ることができ、被試験体の温度を精度よくコントロールすることができ、複数の被試験体を試験する場合であっても複数の被試験体における試験条件を揃えることができるバーンイン装置を提供することである。 Therefore, the object of the present invention is to provide a quick response to the temperature adjustment of the device under test, to shorten the test time and to save energy, to control the temperature of the device under test accurately, and to An object of the present invention is to provide a burn-in device capable of aligning test conditions for a plurality of test objects even when testing a body.

本発明は、被試験体を保持可能であって、温度の調整が可能な第１のペルチェ素子を含む保持部と、
前記保持部の温度を検出する第１の温度検出手段と、
前記第１の温度検出手段によって検出された温度に基づいて前記保持部の温度を制御する第１の温度制御手段と、
前記保持部に保持された前記被試験体の周囲に、前記保持部とともに閉鎖された空間を形成し、前記空間の温度調整が可能な第２のペルチェ素子と、前記第２のペルチェ素子に設けられる吸放熱用フィンと、前記空間の気体を循環させる気体循環用ファンとを含む蓋部と、
前記空間の温度を検出する第２の温度検出手段と、
前記第２の温度検出手段によって検出された温度に基づいて前記空間の温度を制御する第２の温度制御手段と、
前記被試験体の特性を測定可能な測定手段とを含み、
前記第２のペルチェ素子と、前記吸放熱用フィンと、前記気体循環用ファンとは、前記蓋部が閉鎖位置にあるときには、前記保持部に臨まない位置に設けられることを特徴とするバーンイン装置である。 The present invention is a holding unit including a first Peltier element capable of holding a device under test and capable of adjusting a temperature;
First temperature detecting means for detecting the temperature of the holding unit;
First temperature control means for controlling the temperature of the holding portion based on the temperature detected by the first temperature detection means;
A second Peltier element capable of forming a closed space together with the holding part around the DUT held by the holding part and capable of adjusting the temperature of the space, and provided in the second Peltier element A lid portion including a heat absorbing and radiating fin and a gas circulation fan for circulating the gas in the space ;
Second temperature detecting means for detecting the temperature of the space;
Second temperature control means for controlling the temperature of the space based on the temperature detected by the second temperature detection means;
The saw contains a measurable measuring means the characteristics of the test object,
The burn-in device, wherein the second Peltier element, the heat absorbing / dissipating fin, and the gas circulation fan are provided at a position that does not face the holding portion when the lid portion is in a closed position. It is.

また本発明は、前記測定手段によって測定された測定結果に基づいて前記被試験体の良否を判定する判定手段をさらに含むことを特徴とする。 In addition, the present invention further includes a determination unit that determines the quality of the DUT based on the measurement result measured by the measurement unit.

また本発明は、前記被試験体は、リード端子を有する電子素子であり、
前記保持部は、前記電子素子のリード端子を挿入可能な挿入部を備えることを特徴とする。 In the present invention, the device under test is an electronic element having a lead terminal,
The holding portion includes an insertion portion into which a lead terminal of the electronic element can be inserted.

また本発明は、前記保持部は、
金属から成り、前記被試験体を保持可能な保持部本体と、
前記保持部本体のうち、前記被試験体が保持される部分、および前記第１のペルチェ素子が設けられる部分を除く残余の部分の外表面部を形成する第１の断熱カバー体とを含み、
前記蓋部は、
前記被試験体を保持部に押圧可能な押圧部を有する蓋部本体と、
前記蓋部本体、前記吸放熱用フィンおよび前記気体循環用ファンを、前記第２のペルチェ素子とともに覆う第２の断熱カバー体とを含むことを特徴とする。 In the present invention, the holding portion is
A holding unit body made of metal and capable of holding the device under test;
A first heat insulating cover body that forms an outer surface portion of a remaining portion excluding a portion where the test object is held and a portion where the first Peltier element is provided in the holding portion main body;
The lid is
A lid body having a pressing part capable of pressing the device under test against a holding part;
And a second heat insulating cover body that covers the lid main body, the heat absorbing / dissipating fins, and the gas circulation fan together with the second Peltier element.

また本発明は、前記第１の温度制御手段および前記第２の温度制御手段は、前記保持部の温度と前記空間の温度とを独立して制御することを特徴とする。 Further, the present invention is characterized in that the first temperature control means and the second temperature control means independently control the temperature of the holding portion and the temperature of the space.

また本発明は、前記被試験体は、半導体レーザ素子であることを特徴とする。
また本発明は、前記保持部は、複数の半導体レーザ素子を保持可能であることを特徴とする。 In the invention, it is preferable that the device under test is a semiconductor laser element.
Further, the present invention is characterized in that the holding section can hold a plurality of semiconductor laser elements.

本発明によれば、保持部に被試験体を保持させると、保持部と被試験体とが接触する。保持部の温度を第１の温度検出手段によって検出し、この検出した温度に基づいて第１の温度制御手段が保持部の温度を制御すると、保持部と被試験体とが直接接触しているので、保持部の温度の変化に伴う被試験体の温度の変化のレスポンスが早く、すなわち被試験体の温度調整レスポンスが早い。したがって、気体を介して間接的に被試験体の温度を制御する場合と比較して、試験時間の短縮化を図ることができるとともに、省エネルギ化を図ることができる。 According to the present invention, when the test object is held by the holding part, the holding part and the test object come into contact. When the temperature of the holding part is detected by the first temperature detection means, and the first temperature control means controls the temperature of the holding part based on the detected temperature, the holding part and the DUT are in direct contact. Therefore, the response of the change in the temperature of the device under test accompanying the change in the temperature of the holding portion is fast, that is, the temperature adjustment response of the device under test is fast. Therefore, as compared with the case where the temperature of the device under test is controlled indirectly via gas, the test time can be shortened and energy saving can be achieved.

また保持部と蓋部とによって保持部に保持された被試験体の周囲に形成される閉鎖された空間の温度を、第２の温度検出手段によって検出し、この検出した温度に基づいて第２の温度制御手段が被試験体を取り巻く気体の温度を制御することによって、被試験体の保持部と接触していない部分から不所望に吸熱したり放熱したりすることを抑制する。また、第２のペルチェ素子、吸放熱用フィン、および気体循環用ファンは、蓋部が閉鎖位置にあるときは、保持部に臨まない位置に設けられており、不所望に風が吹き付けられることにより被試験体の温度が低下してしまうことを抑制し、被試験体の温度を精度よくコントロールすることができる。これによって、測定手段によって測定された被試験体の特性の信頼性を向上させることができる。 Further, the temperature of the closed space formed around the object to be tested held by the holding part and the cover part by the holding part is detected by the second temperature detecting means, and the second temperature is detected based on the detected temperature. by temperature control means controls the temperature of the gas surrounding the device under test, to suppress or to heat absorption or heat radiation undesirably from the portion not in contact with the holding portion of the test object. In addition, the second Peltier element, the heat absorbing / dissipating fin, and the gas circulation fan are provided at a position that does not face the holding portion when the lid portion is in the closed position, and wind is undesirably blown. Therefore, the temperature of the device under test can be suppressed from decreasing, and the temperature of the device under test can be controlled with high accuracy. Thereby, the reliability of the characteristics of the device under test measured by the measuring means can be improved.

図１は、本発明の実施の一形態のバーンイン装置２００の主要部の構成を示す断面図である。図２は、図１の切断面線ＩＩ−ＩＩから見て示すバーンイン装置２００の断面図である。なお図１および図２には、バーンイン装置２００とともに、被試験体および電子素子である半導体レーザ素子１００をバーンイン装置２００に装着した状態で図示している。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a main part of a burn-in device 200 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the burn-in device 200 as seen from the section line II-II in FIG. FIGS. 1 and 2 show the burn-in apparatus 200 and the semiconductor laser element 100 that is a device under test and an electronic element mounted on the burn-in apparatus 200.

まず、バーンイン装置２００によってバーンイン試験が行われる半導体レーザ素子１００の構成について説明しておく。以下に半導体レーザ素子１００の構成についての一例を記載するが、外形状が類似していればバーンイン装置２００を用いて試験を行うことができる。 First, the configuration of the semiconductor laser device 100 in which the burn-in test is performed by the burn-in apparatus 200 will be described. An example of the configuration of the semiconductor laser element 100 will be described below. However, if the outer shapes are similar, the test can be performed using the burn-in apparatus 200.

図３は、半導体レーザ素子１００の平面図であり、図４は半導体レーザ素子１００の側面図である。半導体レーザ素子１００は、ＣＡＮパッケージを有し、半導体レーザチップ１０１と、ステム１０２と、キャップ１０３と、端子部１０４とを含んで構成される。半導体レーザチップ１０１は、特に限定されるものではないが、たとえばＣＤ（Compact Disk）用またはＤＶＤ（Digital Versatile Disk）用のものであってもよいし、単波長または２波長の光を出力する構成のものであってもよい。発光波長としては、４００μｍ〜８００μｍのものが好ましく、用いられる半導体としてはガリウム砒素系のものが好ましい。 3 is a plan view of the semiconductor laser device 100, and FIG. 4 is a side view of the semiconductor laser device 100. As shown in FIG. The semiconductor laser device 100 has a CAN package and includes a semiconductor laser chip 101, a stem 102, a cap 103, and a terminal unit 104. The semiconductor laser chip 101 is not particularly limited. For example, the semiconductor laser chip 101 may be for a CD (Compact Disk) or a DVD (Digital Versatile Disk), and may output light having a single wavelength or two wavelengths. It may be. The emission wavelength is preferably 400 μm to 800 μm, and the semiconductor used is preferably gallium arsenide.

ステム１０２は、略円柱形の基部１０２ａと、基部１０２ａの軸線方向の一表面１０２Ａから突出し、半導体レーザチップ１０１が搭載される搭載部１０２ｂとを有する。ステム１０２は、半導体レーザチップ１０１において発生する熱を放射する機能を有する。ステム１０２は、熱伝導性および導電性の高い金属によって形成され、その構成材料としては、特に限定されるものではないが、たとえばアルミニウムが挙げられる。基部１０２ａの軸線方向の他表面１０２Ｂから端子部１０４が突出する。端子部１０４は、半導体レーザ素子１００を駆動する電流を供給するためのプラス（＋）端子１０４ａとグランド端子１０４ｂとを有し、その構成材料としては、特に限定されるものではないが、たとえば銅などが挙げられる。プラス端子１０４ａは、ステム１０２に電気絶縁性部材１０５を介して設けられ、ステム１０２とは電気的に絶縁されている。プラス端子１０４ａおよびグランド端子１０４ｂは、ステム１０２に搭載される半導体レーザチップ１０１に電気的に接続されている。 The stem 102 has a substantially cylindrical base portion 102a and a mounting portion 102b that protrudes from one surface 102A in the axial direction of the base portion 102a and on which the semiconductor laser chip 101 is mounted. The stem 102 has a function of radiating heat generated in the semiconductor laser chip 101. The stem 102 is formed of a metal having high thermal conductivity and high conductivity, and the constituent material thereof is not particularly limited, and examples thereof include aluminum. The terminal portion 104 protrudes from the other surface 102B in the axial direction of the base portion 102a. The terminal portion 104 has a plus (+) terminal 104a for supplying a current for driving the semiconductor laser element 100 and a ground terminal 104b, and the constituent materials thereof are not particularly limited. Etc. The positive terminal 104 a is provided on the stem 102 via the electrically insulating member 105 and is electrically insulated from the stem 102. The plus terminal 104 a and the ground terminal 104 b are electrically connected to the semiconductor laser chip 101 mounted on the stem 102.

キャップ１０３は、有底筒状に形成され、半導体レーザチップ１０１および搭載部１０２ｂを覆い、開口部が基部１０２ａの一表面１０２Ａで基部１０２ａに接合されて設けられる。キャップ１０３は、基部１０２ａの一表面１０２Ａの周縁部１０５が露出するような大きさに形成され、基部１０２ａと同軸に設けられる。キャップ１０３も、半導体レーザチップ１０１において発生する熱を放射する機能を有する。キャップ１０３は、底部分に半導体レーザチップ１０１から出射されるレーザ光を透過する透過部１０６を有し、透過部１０６を除く部分については、熱伝導性および導電性の高い金属によって形成され、その構成材料としては、特に限定されるものではないが、たとえばアルミニウムが挙げられる。 The cap 103 is formed in a bottomed cylindrical shape, covers the semiconductor laser chip 101 and the mounting portion 102b, and is provided with an opening joined to the base portion 102a on one surface 102A of the base portion 102a. The cap 103 is formed in such a size that the peripheral edge portion 105 of the one surface 102A of the base portion 102a is exposed, and is provided coaxially with the base portion 102a. The cap 103 also has a function of radiating heat generated in the semiconductor laser chip 101. The cap 103 has a transmission part 106 that transmits laser light emitted from the semiconductor laser chip 101 at the bottom part, and the part other than the transmission part 106 is formed of a metal having high thermal conductivity and conductivity. Although it does not specifically limit as a constituent material, For example, aluminum is mentioned.

再び図１および図２を参照して説明する。バーンイン装置２００は、被試験体を保持可能であって、温度の調整が可能な保持部２２６と、保持部２２６に保持された半導体レーザ素子１００の周囲に、保持部２２６とともに閉鎖された空間を形成し、前記空間の温度調整が可能な蓋部２２７と、第１および第２の温度センサ２０２，２０８と、第１および第２の温度制御器２０５，２１１と、制御部２２０と、駆動回路２１７と、フォトダイオード２１３と、フォトダイオード２１３が搭載されるフォトダイオード基板２１３Ａと、出力部２５０とを含んで構成される。以下、保持部をプレート部という。 Description will be made with reference to FIGS. 1 and 2 again. The burn-in apparatus 200 is capable of holding a device under test and capable of adjusting the temperature, and a space closed together with the holding unit 226 around the semiconductor laser device 100 held by the holding unit 226. A lid 227 that can be formed and can adjust the temperature of the space, first and second temperature sensors 202 and 208, first and second temperature controllers 205 and 211, a controller 220, and a drive circuit 217, a photodiode 213, a photodiode substrate 213A on which the photodiode 213 is mounted, and an output unit 250. Hereinafter, the holding portion is referred to as a plate portion.

プレート部２２６は、保持部本体である恒温プレート２０６と、第１のペルチェ素子２０３と、第１の吸放熱用フィン２０４と、第１放熱ファン２０１と、コンタクト部２１９と、第１の断熱カバー体２１４を含んで構成される。 The plate part 226 includes a constant temperature plate 206 as a holding part main body, a first Peltier element 203, a first heat radiation / radiation fin 204, a first heat radiation fan 201, a contact part 219, and a first heat insulating cover. A body 214 is included.

恒温プレート２０６には、半導体レーザ素子１００の端子部１０４を挿入する挿入部が設けられ、挿入部には挿入孔２３１が形成されている。恒温プレート２０６には、前記挿入孔２３１に端子部１０４を挿入した状態で、ステム１０２の基部１０２ａの他表面１０２Ｂに直接接触して半導体レーザ素子１００を保持可能な保持面２３２が設けられる。前記保持面２３２は、前記ステム１０２の基部１０２ａの他表面１０２Ｂの周縁部の全周にわたって面接触可能に形成される。このように面接触させるためには、保持面２３２およびステム１０２の基部１０２ａの他表面１０２Ｂは、ともに平面に形成されることが好ましい。以後、半導体レーザ素子１００の端子部１０４を挿入孔２３１に挿入して、ステム１０２の基部１０２ａの他表面１０２Ｂを保持面２３２に接触させた状態を、半導体レーザ素子１００が恒温プレート２０６に装着された状態という。 The constant temperature plate 206 is provided with an insertion portion for inserting the terminal portion 104 of the semiconductor laser element 100, and an insertion hole 231 is formed in the insertion portion. The constant temperature plate 206 is provided with a holding surface 232 capable of holding the semiconductor laser device 100 in direct contact with the other surface 102B of the base 102a of the stem 102 with the terminal portion 104 inserted into the insertion hole 231. The holding surface 232 is formed so as to be in surface contact over the entire periphery of the peripheral edge of the other surface 102B of the base 102a of the stem 102. In order to make the surface contact in this manner, it is preferable that both the holding surface 232 and the other surface 102B of the base 102a of the stem 102 are formed in a plane. Thereafter, the semiconductor laser element 100 is mounted on the constant temperature plate 206 in a state where the terminal portion 104 of the semiconductor laser element 100 is inserted into the insertion hole 231 and the other surface 102B of the base 102a of the stem 102 is in contact with the holding surface 232. That state.

コンタクト部２１９は、挿入孔２３１に設けられ、半導体レーザ素子１００が恒温プレート２０６に装着された状態において、端子部１０４に接触する。コンタクト部２１９は、プラス端子１０４ａとグランド端子１０４ｂとに個別に接続され、半導体レーザ素子１００に駆動電流を供給するための電流供給配線を有する。コンタクト部２１９の、端子部１０４と接触する接触部分は、端子部１０４の外周面と面接触するように構成される。 The contact portion 219 is provided in the insertion hole 231 and contacts the terminal portion 104 in a state where the semiconductor laser element 100 is mounted on the constant temperature plate 206. The contact portion 219 is individually connected to the plus terminal 104 a and the ground terminal 104 b and has a current supply wiring for supplying a drive current to the semiconductor laser element 100. A contact portion of the contact portion 219 that comes into contact with the terminal portion 104 is configured to be in surface contact with the outer peripheral surface of the terminal portion 104.

恒温プレート２０６は、熱伝導性の高い金属によって形成され、その構成材料としては、特に限定されるものではないが、たとえばアルミニウム、銅が挙げられる。 The constant temperature plate 206 is formed of a metal having high thermal conductivity, and the constituent material is not particularly limited, and examples thereof include aluminum and copper.

第１のペルチェ素子２０３と、第１の吸放熱用フィン２０４と、第１のファン（送風機）２０１とは、恒温プレート２０６の温度を調整するために恒温プレート２０６に設けられる。第１のペルチェ素子２０３は、恒温プレート２０６の外表面に接触して設けられる。本実施の形態では、恒温プレート２０６は略直方体に形成され、第１のペルチェ素子２０３は、恒温プレート２０６の一側面に設けられる。第１の吸放熱用フィン２０４は、恒温プレート２０６との間にペルチェ素子２０３を挟むように、第１のペルチェ素子２０３に接触して設けられる。第１放熱ファン２０１は、第１のペルチェ素子２０３との間に第１の吸放熱用フィン２０４を挟むように、第１の吸放熱用フィン２０４に接触して設けられる。第１の吸放熱用フィン２０４は、熱伝導性の高い金属によって形成され、その構成材料としては、特に限定されるものではないが、たとえばアルミニウム、銅が挙げられる。第１の吸放熱用フィン２０４は、ヒートシンクである。第１の吸放熱用フィン２０４および第１のファン２０１を設けることによって、第１のペルチェ素子２０３からの伝導する熱を効率的に放射することができ、恒温プレート２０６の温度を効率的に調整することができる。 The first Peltier element 203, the first heat radiation / radiation fin 204, and the first fan (blower) 201 are provided on the constant temperature plate 206 in order to adjust the temperature of the constant temperature plate 206. The first Peltier element 203 is provided in contact with the outer surface of the constant temperature plate 206. In the present embodiment, the constant temperature plate 206 is formed in a substantially rectangular parallelepiped, and the first Peltier element 203 is provided on one side surface of the constant temperature plate 206. The first heat-dissipating / dissipating fins 204 are provided in contact with the first Peltier element 203 so as to sandwich the Peltier element 203 with the constant temperature plate 206. The first heat radiating fan 201 is provided in contact with the first heat absorbing / dissipating fin 204 so as to sandwich the first heat absorbing / dissipating fin 204 between the first Peltier element 203. The first heat absorbing / dissipating fins 204 are formed of a metal having high thermal conductivity, and the constituent material is not particularly limited, and examples thereof include aluminum and copper. The first heat radiation / radiation fin 204 is a heat sink. By providing the first heat absorbing / dissipating fins 204 and the first fan 201, the heat conducted from the first Peltier element 203 can be efficiently radiated, and the temperature of the constant temperature plate 206 can be adjusted efficiently. can do.

第１の断熱カバー体２１４は、恒温プレート２０６のうち、半導体レーザ素子１００が保持される部分、および第１のペルチェ素子２０３が設けられる部分を除く残余の部分の外表面部を覆って設けられる。第１の断熱カバー体２１４を備えることによって、外気の温度変動による恒温プレート２０６の温度への影響を抑制することができる。半導体レーザ素子１００が保持される部分は、挿入孔２３１と保持面２３２とを含む。また実際には、第１の断熱カバー体２１４には、第１の温度センサ２０２、第１のペルチェ素子２０３およびコンタクト部２１９にそれぞれ配線を接続するため、これらの配線を通過させる孔が形成されているが、これらの孔は微小であるので外気の温度変動による影響は考えなくてもよい。第１の断熱カバー体２１４は、断熱性に優れた材料によって形成され、その構成材料としては、特に限定されるものではないが、たとえばポリウレタン、エポキシ樹脂が挙げられる。 The first heat insulating cover body 214 is provided to cover the outer surface portion of the remaining portion of the constant temperature plate 206 excluding the portion where the semiconductor laser element 100 is held and the portion where the first Peltier element 203 is provided. . By including the first heat insulating cover body 214, it is possible to suppress the influence of the temperature variation of the outside air on the temperature of the thermostatic plate 206. The portion where the semiconductor laser element 100 is held includes an insertion hole 231 and a holding surface 232. Further, in practice, the first heat insulating cover body 214 is formed with holes through which these wirings pass in order to connect the wirings to the first temperature sensor 202, the first Peltier element 203, and the contact part 219, respectively. However, since these holes are very small, there is no need to consider the influence of temperature fluctuations in the outside air. The 1st heat insulation cover body 214 is formed with the material excellent in heat insulation, and although the constituent material is not specifically limited, For example, a polyurethane and an epoxy resin are mentioned.

蓋部２２７は、保持部２２６に保持された半導体レーザ素子１００の周囲に、保持部２２６とともに閉鎖された空間を形成する閉鎖位置と、前記空間を外部に開放する開放位置とにわたって、プレート部２２６に対して相対変位可能に設けられる。蓋部２２７は、蓋部本体２３５と、第２のペルチェ素子２０９と、第２の吸放熱用フィン２２０と、気体循環用ファン２１２と、第３の吸放熱用フィン２１０と、第２のファン２０７とを備える。 The lid portion 227 has a plate portion 226 that extends from a closed position that forms a closed space together with the holding portion 226 around the semiconductor laser element 100 held by the holding portion 226 and an open position that opens the space to the outside. Is provided so as to be relatively displaceable. The lid part 227 includes a lid body 235, a second Peltier element 209, a second heat radiation / radiation fin 220, a gas circulation fan 212, a third heat radiation / radiation fin 210, and a second fan. 207.

蓋部本体２３５は、半導体レーザ素子１００を、プレート部２２６に押圧可能な押圧部２３６を有する。蓋部本体２３５は、恒温プレート２０６と同様の材料を用いて形成される。押圧部２３６は、半導体レーザ素子１０１のステム１０２における基部１０２ａの一表面１０２Ａの周縁部１０５に接触可能なステム接触部２１５と、ステム接触部２１５と蓋部本体２３５との間に設けられて、これらに接続される弾発性部材２１６とを含んで構成される。弾発性部材２１６は、たとえば、ばねによって実現される。ステム接触部２１５は、環状に形成され、軸線方向の一方の表面の内周部と、基部１０２ａの一表面１０２Ａの周縁部１０５とが面接触可能に構成される。このように面接触させるためには、ステム接触部２１５のステム１０２に当接する当接面およびステム１０２の基部１０２ａの一表面１０２Ａは、ともに平面に形成されることが好ましい。ステム接触部２１５は、熱伝導性の高い金属によって形成され、その構成材料としては、特に限定されるものではないが、たとえばアルミニウム、銅が挙げられる。 The lid body 235 has a pressing portion 236 that can press the semiconductor laser element 100 against the plate portion 226. The lid body 235 is formed using the same material as the constant temperature plate 206. The pressing portion 236 is provided between the stem contact portion 215 that can contact the peripheral edge portion 105 of the one surface 102A of the base portion 102a of the stem 102 of the semiconductor laser element 101, and between the stem contact portion 215 and the lid portion main body 235. And a resilient member 216 connected thereto. The resilient member 216 is realized by a spring, for example. The stem contact portion 215 is formed in an annular shape so that the inner peripheral portion of one surface in the axial direction and the peripheral portion 105 of one surface 102A of the base portion 102a can be in surface contact. In order to make surface contact in this way, it is preferable that both the contact surface that contacts the stem 102 of the stem contact portion 215 and the one surface 102A of the base portion 102a of the stem 102 are flat. The stem contact portion 215 is formed of a metal having high thermal conductivity, and the constituent material thereof is not particularly limited, and examples thereof include aluminum and copper.

弾発性部材２１６は、ステム接触部２１５の軸線まわりに等しい間隔をあけて複数設けられ、本実施の形態では４個設けられる。このように弾発性部材２１６を設けることによって、蓋部２２７が閉鎖位置にあるとき、半導体レーザ素子１００のステム１０２において基部１０２ａの軸線まわりで、ステム１０２を保持面２３２側に均等に押圧することができるので、ステム１０２と保持面２３２との接触不良を抑制することができる。また基部１０２ａの他表面１０２Ｂの周縁部が軸線まわりの全周にわたって保持面２３２と接触するので、半導体レーザ素子１００における部分的な温度の偏りを抑制することができる。 A plurality of elastic members 216 are provided at equal intervals around the axis of the stem contact portion 215, and four elastic members 216 are provided in this embodiment. By providing the elastic member 216 in this way, when the lid portion 227 is in the closed position, the stem 102 of the semiconductor laser element 100 is pressed evenly around the axis of the base portion 102a toward the holding surface 232 side. Therefore, contact failure between the stem 102 and the holding surface 232 can be suppressed. Further, since the peripheral portion of the other surface 102B of the base portion 102a contacts the holding surface 232 over the entire circumference around the axis, partial temperature deviation in the semiconductor laser element 100 can be suppressed.

図５は、バーンイン装置２００の構成を示す断面図であり、主としてプレート部２２６に蓋部２２７を装着するクランプ部２１８の構成を説明する図である。バーンイン装置２００は、プレート部２２６が固定して設けられる基台２６０と、プレート部２２６に蓋部２２７を着脱可能に固定するクランプ部２１８とをさらに含んで構成される。基台２６０は、プレート部２２６を保持する。クランプ部２１８は、基台２６０に設けられる。蓋部２２７には、後述する第２の断熱カバー体２４４の開口部２４５にクランプ片２４６が設けられている。クランプ部２１８は、複数のトグルクランプ２６１によって実現され、レバーを動かすことによって動作する動作片２６２によって、前記クランプ片２４６を基台２６０に押圧可能に設けられている。蓋部２２７を閉鎖位置に移動させ、トグルクランプ２６１のレバーを操作して動作片２６２によってクランプ片２４６を基台２６０に押圧することによって、前述した押圧部２３６によって半導体レーザ素子１００を保持面２３２に向かって押圧してステム１０２を保持面２３２に密接させることができ、さらにプレート部２２６と蓋部２２７との間に密封された空間が形成される。 FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the burn-in apparatus 200, and is a diagram for mainly explaining the configuration of the clamp portion 218 that attaches the lid portion 227 to the plate portion 226. The burn-in device 200 further includes a base 260 on which the plate portion 226 is fixed and a clamp portion 218 that detachably fixes the lid portion 227 to the plate portion 226. The base 260 holds the plate portion 226. The clamp part 218 is provided on the base 260. The lid 227 is provided with a clamp piece 246 in an opening 245 of a second heat insulating cover body 244 described later. The clamp part 218 is realized by a plurality of toggle clamps 261 and is provided so that the clamp piece 246 can be pressed against the base 260 by an operation piece 262 that operates by moving a lever. The lid portion 227 is moved to the closed position, the lever of the toggle clamp 261 is operated, and the clamp piece 246 is pressed against the base 260 by the operating piece 262, whereby the semiconductor laser device 100 is held by the pressing portion 236 described above. , The stem 102 can be brought into close contact with the holding surface 232, and a sealed space is formed between the plate portion 226 and the lid portion 227.

再び図１を参照して、蓋部本体２３５には、フォトダイオード２１３およびフォトダイオード基板２１３Ａが設けられる。フォトダイオード２１３は、蓋部２２７が閉鎖位置にあるとき、挿入孔２３１に臨むように設けられ、恒温プレート２０６側から到来する光を受光可能に設けられている。これによって、半導体レーザ素子１００が恒温プレート２０６に装着された状態では、フォトダイオード２１３の受光面が半導体レーザ素子１００の発光面に対向して、半導体レーザ素子１００からの光を受光することができる。 Referring to FIG. 1 again, the lid body 235 is provided with a photodiode 213 and a photodiode substrate 213A. The photodiode 213 is provided so as to face the insertion hole 231 when the lid portion 227 is in the closed position, and is provided so as to receive light coming from the constant temperature plate 206 side. Accordingly, in a state where the semiconductor laser element 100 is mounted on the constant temperature plate 206, the light receiving surface of the photodiode 213 faces the light emitting surface of the semiconductor laser element 100, and light from the semiconductor laser element 100 can be received. .

第２の断熱カバー体２４４は、略有底筒状に形成され、蓋部本体２３５、第２の吸放熱用フィン２２０および気体循環用ファン２１２を、第２のペルチェ素子２０９とともに覆う。第２の断熱カバー体２４４は、蓋部２２７が閉鎖位置にあるときの蓋部本体２３５の恒温プレート２０６に臨む部分、を除く残余の外表面部に接触して設けられる。また第２の断熱カバー体２４４は、蓋部２２７が閉鎖位置にあるときには、その開口部２４５がプレート部２２６の第１の断熱カバー体２１４に接触する。これによって、蓋部２２７とプレート部２２６との間に密閉された空間が形成される。第２の断熱カバー体２４４は、第１の断熱カバー体２１４と同様の材料を用いて形成される。また実際には、第１の断熱カバー体２１４には、第２の温度センサ２０８、第２のペルチェ素子２０９およびフォトダイオード基板２１３Ａにそれぞれ配線を接続するため、これらの配線を通過させる孔が形成されているが、これらの孔は微小であるので外気の温度変動による影響は考えなくてもよい。第２の断熱カバー体２４４を設けることによって、蓋部２２７が閉鎖位置にあるとき、外気の温度変動による閉鎖された空間の温度への影響を抑制することができる。 The second heat insulating cover body 244 is formed in a substantially bottomed cylindrical shape, and covers the lid body 235, the second heat radiation / radiation fin 220, and the gas circulation fan 212 together with the second Peltier element 209. The second heat insulating cover body 244 is provided in contact with the remaining outer surface portion excluding the portion facing the constant temperature plate 206 of the lid body 235 when the lid portion 227 is in the closed position. Further, the opening 245 of the second heat insulating cover body 244 contacts the first heat insulating cover body 214 of the plate portion 226 when the lid 227 is in the closed position. As a result, a sealed space is formed between the lid portion 227 and the plate portion 226. The second heat insulating cover body 244 is formed using the same material as that of the first heat insulating cover body 214. In practice, the first heat insulating cover body 214 is formed with holes through which these wirings pass to connect the wirings to the second temperature sensor 208, the second Peltier element 209, and the photodiode substrate 213A, respectively. However, since these holes are very small, there is no need to consider the influence of temperature fluctuations of the outside air. By providing the second heat insulating cover body 244, when the lid portion 227 is in the closed position, the influence on the temperature of the closed space due to the temperature fluctuation of the outside air can be suppressed.

第２のペルチェ素子２０９は、断熱カバー体２４４に支持されて設けられる。第２の吸放熱用フィン２２０は、蓋部２２７が閉鎖位置にあるときの、第２のペルチェ素子２０９の閉鎖された空間に臨む表面に接触して設けられる。気体循環用ファン２１２は、第２のペルチェ素子２０９との間に第２の吸放熱用フィン２２０を挟むように、第２の吸放熱用フィン２２０に接触して設けられる。第３の吸放熱用フィン２１０は、第２の吸放熱用フィン２２０との間に第２のペルチェ素子２０９を挟むように、蓋部２２７が閉鎖位置にあるときの、第２のペルチェ素子２０９の外部空間に臨む表面に接触して設けられる。第２のファン２０７は、第２のペルチェ素子２０９との間に第３の吸放熱用フィン２１０を挟むように、第３の吸放熱用フィン２１０に接触して設けられる。第２および第３の吸放熱用フィン２２０，２１０は、ヒートシンクである。第２および第３の吸放熱用フィン２２０，２１０、ならびに第２のファン２０７および気体循環用ファン２１２を設けることによって、第２のペルチェ素子２０９からの伝導する熱を効率的に放射することができ、閉鎖された空間の温度を効率的に調整することができる。 The second Peltier element 209 is provided to be supported by the heat insulating cover body 244. The second heat radiation / radiation fin 220 is provided in contact with the surface of the second Peltier element 209 facing the closed space when the lid 227 is in the closed position. The gas circulation fan 212 is provided in contact with the second heat absorbing / dissipating fin 220 so as to sandwich the second heat absorbing / dissipating fin 220 between the second Peltier element 209. The third Peltier element 209 when the lid 227 is in the closed position so that the third Peltier element 209 is sandwiched between the third heat absorption / radiation fin 210 and the second heat dissipation / heat radiation fin 220 . It is provided in contact with the surface facing the external space. The second fan 207 is provided in contact with the third heat absorbing / dissipating fin 210 so as to sandwich the third heat absorbing / dissipating fin 210 between the second Peltier element 209. The second and third heat absorbing / dissipating fins 220 and 210 are heat sinks. By providing the second and third heat absorbing / dissipating fins 220 and 210, the second fan 207, and the gas circulating fan 212 , the heat conducted from the second Peltier element 209 can be efficiently radiated. The temperature of the closed space can be adjusted efficiently.

図２に示すように、第２のペルチェ素子２０９と、第２の吸放熱用フィン２２０と、気体循環用ファン２１２と、第３の吸放熱用フィン２１０と、第２のファン２０７とは、蓋部２２７が閉鎖位置にあるときには、前記プレート部２２６に臨まない位置に設けられる。また気体循環用ファン２１２は、半導体レーザ素子１００に向かって直接送風するのではなく、第２の断熱カバー体２４４の側壁に沿って気体が循環するように送風可能な位置に設けられている。このような構成とすることによって、密閉された空間の温度を均一に保つことができ、不所望に風が吹き付けられることによって半導体レーザ素子１００の温度が低下してしまうことが抑制することができる。 As shown in FIG. 2, the second Peltier element 209, the second heat sink / heat sink fin 220, the gas circulation fan 212, the third heat sink / heat sink fin 210, and the second fan 207 are: When the lid portion 227 is in the closed position, the lid portion 227 is provided at a position that does not face the plate portion 226. The gas circulation fan 212 is not directly blown toward the semiconductor laser element 100 but is provided at a position where air can be blown so that the gas circulates along the side wall of the second heat insulating cover body 244. By adopting such a configuration, the temperature of the sealed space can be kept uniform, and the temperature of the semiconductor laser device 100 can be suppressed from being lowered by undesirably blowing air. .

第１および第２の温度センサ２０２，２０８は、たとえば熱電対によって実現される。第１の温度センサ２０２は、恒温プレート２０６に埋め込まれて設けられる。第２の温度センサ２０８は、第２の吸放熱用フィン２２０の近傍に設けられる。 The first and second temperature sensors 202 and 208 are realized by thermocouples, for example. The first temperature sensor 202 is provided embedded in a constant temperature plate 206. The second temperature sensor 208 is provided in the vicinity of the second heat radiation / radiation fin 220 .

図６は、第１のファン２０１、第１のペルチェ素子２０３および第１の吸放熱用フィン２０４によって温度が制御される第１の温度制御範囲２２８を示す図である。図６において、第１の温度制御範囲２２８に斜線を付して示している。第１の温度制御範囲２２８は、恒温プレート２０６が設けられている部分と一致する。 FIG. 6 is a diagram showing a first temperature control range 228 in which the temperature is controlled by the first fan 201, the first Peltier element 203, and the first heat radiation / radiation fin 204. In FIG. 6, the first temperature control range 228 is indicated by hatching. The first temperature control range 228 coincides with the portion where the constant temperature plate 206 is provided.

再び図１を参照して、第１の温度制御器２０５は、第１のファン２０１、第１のペルチェ素子２０３および第１の温度センサ２０２に電気的に接続されている。第１の温度制御器２０５は、第１の温度制御手段であり、また第１の温度センサ２０２とともに、第１の温度検出手段を構成する。第１の温度制御器２０５は、マイクロコンピュータによって実現され、制御部２２０から与えられる第１の温度指令に応じて、第１の温度センサ２０２によって検出される温度が、第１の温度指令に応じた温度となるように第１のファン２０１、第１のペルチェ素子２０３の動作を制御する。たとえば、温度安定時の温度コントロールでは、第１の温度制御器２０５は、第１のペルチェ素子２０３で頻繁に加熱、冷却を繰り返すように制御する。第１のペルチェ素子２０３による加熱、冷却に応じて、第１のファン２０１をコントロールして、送風したり停止したりすると温度追従性が低下するので、第１の温度制御器２０５は、常時、第１のファン２０１を稼動状態する。このような制御を行うと、加熱側の最高到達温度性能は低下するが、指令温度に対する温度精度を向上させることができる。 Referring again to FIG. 1, the first temperature controller 205 is electrically connected to the first fan 201, the first Peltier element 203, and the first temperature sensor 202. The first temperature controller 205 is a first temperature control means, and constitutes a first temperature detection means together with the first temperature sensor 202. The first temperature controller 205 is realized by a microcomputer, and the temperature detected by the first temperature sensor 202 is in accordance with the first temperature command in accordance with the first temperature command given from the control unit 220. The operations of the first fan 201 and the first Peltier element 203 are controlled so that the temperature becomes high. For example, in temperature control when the temperature is stable, the first temperature controller 205 controls the first Peltier element 203 to repeat heating and cooling frequently. When the first fan 201 is controlled according to the heating and cooling by the first Peltier element 203 and the air is blown or stopped, the temperature followability is lowered. Therefore, the first temperature controller 205 is always The first fan 201 is activated. When such control is performed, the maximum temperature performance on the heating side is lowered, but the temperature accuracy with respect to the command temperature can be improved.

図７は、第２のペルチェ素子２０９と、第２の吸放熱用フィン２２０と、気体循環用ファン２１２と、第３の吸放熱用フィン２１０と、第２のファン２０７とによって温度が制御される第２の温度制御範囲２２９を示す図である。図７において、第２の温度制御範囲２２９に斜線を付して示している。第１の温度制御範囲２２９は、プレート部２２６と蓋部２２７とのよって囲まれる閉鎖された空間に一致する。 In FIG. 7, the temperature is controlled by the second Peltier element 209, the second heat sink / heat sink fin 220, the gas circulation fan 212, the third heat sink / heat sink fin 210, and the second fan 207. It is a figure which shows the 2nd temperature control range 229 . In FIG. 7, the second temperature control range 229 is indicated by hatching. The first temperature control range 229 corresponds to a closed space surrounded by the plate portion 226 and the lid portion 227.

再び図１を参照して、第２の温度制御器２１１は、第２のファン２０７、第２の温度センサ２０８、第２のペルチェ素子２０９および気体循環用ファン２１２に電気的に接続されている。第２の温度制御器２１１は、第２の温度制御手段であり、また第２の温度センサ２０８とともに、第２の温度検出手段を構成する。第２の温度制御器２１１は、マイクロコンピュータによって実現され、制御部２２０から与えられる第２の温度指令に応じて、第２の温度センサ２０８によって検出される温度が、温度指令に応じた温度となるように第２のファン２０７、第２のペルチェ素子２０９、気体循環用ファン２１２の動作を制御して、第２の温度制御範囲２２９における温度ムラを抑制する。たとえば、温度安定時の温度コントロールでは、第２の温度制御器２１１は、第２のペルチェ素子２０９で頻繁に加熱、冷却を繰り返すように制御する。第２のペルチェ素子２０９による加熱、冷却に応じて、第２のファン２０７および気体循環用ファン２１２をコントロールして、送風したり停止したりすると温度追従性が低下するので、第２の温度制御器２１１は、常時、第２のファン２０７および気体循環用ファン２１２を稼動状態する。このような制御を行うと、加熱側の最高到達温度性能は低下するが、指令温度に対する温度精度を向上させることができる。 Referring to FIG. 1 again, the second temperature controller 211 is electrically connected to the second fan 207, the second temperature sensor 208, the second Peltier element 209, and the gas circulation fan 212. . The second temperature controller 211 is a second temperature control unit, and constitutes a second temperature detection unit together with the second temperature sensor 208. The second temperature controller 211 is realized by a microcomputer, and the temperature detected by the second temperature sensor 208 in accordance with the second temperature command given from the control unit 220 is the temperature corresponding to the temperature command. The operations of the second fan 207, the second Peltier element 209, and the gas circulation fan 212 are controlled so as to suppress temperature unevenness in the second temperature control range 229. For example, in temperature control when the temperature is stable, the second temperature controller 211 controls the second Peltier element 209 to repeat heating and cooling frequently. If the second fan 207 and the gas circulation fan 212 are controlled according to the heating and cooling by the second Peltier element 209 and the air is blown or stopped, the temperature followability is lowered. The device 211 always operates the second fan 207 and the gas circulation fan 212. When such control is performed, the maximum temperature performance on the heating side is lowered, but the temperature accuracy with respect to the command temperature can be improved.

駆動回路２１７は、フォトダイオード２１３と、コンタクト部２１９と電気的に接続される。駆動回路２１７は、ＡＰＣ回路およびＡＣＣ（Auto Current Control）回路のうち、少なくともいずれか一方を含んで構成される。ＡＰＣ回路によって半導体レーザ素子１００を駆動する場合には、駆動回路２１７は、駆動回路２１７は、たとえば制御部２２０に予め設定されているバーンイン試験用の光出力値、たとえば１００ｍＷになるように半導体レーザ素子１００を発光させる。この際、半導体レーザ素子１００の光出力を一定に保つために、フォトダイオード２１３から出力される信号に基づいて、コンタクト部２１９に所定の電流を出力することによって、半導体レーザ素子１００の駆動電流を制御する。またＡＣＣ回路によって半導体レーザ素子１００を駆動する場合には、駆動回路２１７は、コンタクト部２１９に所定の電流を出力する。また駆動回路２１７は、フォトダイオード２１３およびフォトダイオード基板２１３Ａとともに半導体レーザ素子１００の特性を測定可能な測定手段として機能し、フォトダイオード２１３から出力される信号（光出力値）を測定し、測定した結果を表す測定情報を制御部２２０に与える。 The driver circuit 217 is electrically connected to the photodiode 213 and the contact portion 219. The drive circuit 217 includes at least one of an APC circuit and an ACC (Auto Current Control) circuit. When the semiconductor laser element 100 is driven by the APC circuit, the drive circuit 217 is configured so that the drive circuit 217 has a semiconductor laser output so as to have a light output value for burn-in test preset in the control unit 220, for example, 100 mW. The element 100 is caused to emit light. At this time, in order to keep the optical output of the semiconductor laser element 100 constant, a predetermined current is output to the contact portion 219 based on a signal output from the photodiode 213, thereby reducing the drive current of the semiconductor laser element 100. Control. When the semiconductor laser device 100 is driven by the ACC circuit, the drive circuit 217 outputs a predetermined current to the contact portion 219. The drive circuit 217 functions as a measurement unit capable of measuring the characteristics of the semiconductor laser element 100 together with the photodiode 213 and the photodiode substrate 213A, and measures and measures a signal (light output value) output from the photodiode 213. Measurement information representing the result is given to the control unit 220.

制御部２２０は、マイクロコンピュータを含んで構成され、予め定める制御プログラムをＣＰＵ（Central Processing Unit）が実行処理することによって、第１および第２の温度制御器２０５，２１１ならびに駆動回路２１７に、第１および第２温度指令、制御指令をそれぞれ与えて、これらを制御する。制御部２２０は、この制御部２２０に予め設定されているバーンイン試験用の温度条件に応じて、第１の温度制御範囲２２８の温度と、第２の温度制御範囲２２９の温度とを独立して制御することができる。制御部２２０は、たとえば、第１の温度制御範囲２２８の温度が８０℃となり、第２の温度制御範囲２２９の温度が２５℃となるように、第１および第２温度指令を与える。また制御部２２０は、この制御部２２０に予め設定されているバーンイン試験用の動作条件に応じて、駆動回路２１７に、所定の駆動条件で半導体レーザ素子１００を駆動するように制御指令を与える。このように第１の温度制御範囲２２８の温度と、第２の温度制御範囲２２９の温度とを、第１および第２の温度制御器２０５，２１１によって独立して制御することによって、多様な試験条件を設定することができ、利便性を向上させることができる。 The control unit 220 is configured to include a microcomputer, and a CPU (Central Processing Unit) executes a predetermined control program so that the first and second temperature controllers 205 and 211 and the drive circuit 217 have a first control program. The first and second temperature commands and the control command are given to control them. The control unit 220 independently sets the temperature of the first temperature control range 228 and the temperature of the second temperature control range 229 according to the temperature condition for the burn-in test preset in the control unit 220. Can be controlled. For example, the control unit 220 gives the first and second temperature commands so that the temperature of the first temperature control range 228 is 80 ° C. and the temperature of the second temperature control range 229 is 25 ° C. In addition, the control unit 220 gives a control command to the drive circuit 217 to drive the semiconductor laser element 100 under a predetermined drive condition in accordance with a burn-in test operation condition preset in the control unit 220. In this way, by controlling the temperature of the first temperature control range 228 and the temperature of the second temperature control range 229 independently by the first and second temperature controllers 205 and 211, various tests can be performed. Conditions can be set, and convenience can be improved.

また制御部２２０は、駆動回路２１７によって測定された測定結果に基づいて半導体レーザ素子１００の良否を判定する判定手段として機能する。制御部２２０は、予め制御部２２０に設定されているバーンイン試験条件に従って、駆動回路２１７から与えられる測定情報を、たとえば、測定間隔を３０分とし、測定回数を２０回として取得する。そして制御部２２０は、予め設定されているバーンイン試験用の良否判定方法に従って、得られた測定情報に基づいて半導体レーザ素子１００の良否を判定する。制御部２５０は、駆動している半導体レーザ素子１００が所望の特性となっている、すなわち全測定情報において駆動電流に対して出力される光量が十分であると判定した場合には、半導体レーザ素子１００が良品であると判定し、所望の特性となっていない、全測定情報において１つでも駆動電流に対して出力される光量が十分ではないと判定した場合には、半導体レーザ素子１００が不良品であると判定する。制御部２２０は、駆動している半導体レーザ素子１００が良品であるのか不良品であるのかを判定した判定結果を出力部２５０に与える。 In addition, the control unit 220 functions as a determination unit that determines the quality of the semiconductor laser element 100 based on the measurement result measured by the drive circuit 217. The control unit 220 acquires the measurement information given from the drive circuit 217 according to the burn-in test conditions set in the control unit 220 in advance, for example, with a measurement interval of 30 minutes and a measurement count of 20 times. Then, the control unit 220 determines the quality of the semiconductor laser element 100 based on the obtained measurement information according to a preset quality determination method for burn-in test. If the controller 250 determines that the semiconductor laser element 100 being driven has the desired characteristics, that is, the amount of light output with respect to the drive current is sufficient in all measurement information, the semiconductor laser element 100 If it is determined that 100 is a non-defective product, and it is determined that even one of the total measurement information does not have the desired characteristics and the amount of light output with respect to the drive current is not sufficient, the semiconductor laser device 100 is defective. Judged to be non-defective. The control unit 220 gives the output unit 250 a determination result for determining whether the semiconductor laser device 100 being driven is a good product or a defective product.

出力部２５０は、表示装置、プリンタ装置または発光装置などによって実現され、制御部２２０から判定結果が与えられると、判定結果を表示する。これによって、試験者は、試験している半導体レーザ素子１００が良品であるのか不良品であるのかを判断することができる。 The output unit 250 is realized by a display device, a printer device, a light emitting device, or the like, and displays a determination result when a determination result is given from the control unit 220. Thus, the tester can determine whether the semiconductor laser device 100 being tested is a good product or a defective product.

以上のようにバーンイン装置２００では、プレート部２２６に半導体レーザ素子１００を保持させると、プレート部２２６の恒温プレート２０６と半導体レーザ素子１００のステム１０２とが接触する。恒温プレート２０６の温度を第１の温度センサ２０２および第１の温度制御器２０５によって検出し、この検出した温度に基づいて第１の温度制御器２０５が恒温プレート２０６の温度を制御すると、恒温プレート２０６と半導体レーザ素子１００とが直接接触しているので、恒温プレート２０６の温度の変化に伴う半導体レーザ素子１００の温度の変化のレスポンスが早く、すなわち半導体レーザ素子１００の温度調整レスポンスが早い。したがって、気体を介して間接的に半導体レーザ素子１００の温度を制御する場合と比較して、試験時間の短縮化を図ることができるので、試験効率を向上させることができ、また半導体レーザ素子１００の生産効率を向上させることができ、さらにバーンイン試験において省エネルギ化を図ることができる。 As described above, in the burn-in apparatus 200, when the semiconductor laser element 100 is held on the plate part 226, the constant temperature plate 206 of the plate part 226 and the stem 102 of the semiconductor laser element 100 come into contact with each other. When the temperature of the constant temperature plate 206 is detected by the first temperature sensor 202 and the first temperature controller 205 and the first temperature controller 205 controls the temperature of the constant temperature plate 206 based on the detected temperature, the constant temperature plate 206 Since 206 and the semiconductor laser element 100 are in direct contact with each other, the temperature change response of the semiconductor laser element 100 accompanying the temperature change of the constant temperature plate 206 is fast, that is, the temperature adjustment response of the semiconductor laser element 100 is fast. Therefore, the test time can be shortened compared with the case where the temperature of the semiconductor laser element 100 is indirectly controlled through gas, so that the test efficiency can be improved, and the semiconductor laser element 100 can be improved. Production efficiency can be improved, and energy saving can be achieved in the burn-in test.

またプレート部２２６と蓋部２２７とによってプレート部２２６に保持された半導体レーザ素子１００の周囲に形成される閉鎖された空間の温度を、第２の温度センサ２０８および第２の温度制御器２１１によって検出し、この検出した温度に基づいて第２の温度制御器２１１が半導体レーザ素子１００を取り巻く気体の温度を制御することによって、半導体レーザ素子１００のプレート部２２６と接触していない部分から不所望に吸熱したり放熱したりすることを抑制して、半導体レーザ素子１００の温度を精度よくコントロールすることができる。これによって、駆動回路２１７によって測定された半導体レーザ素子１００の特性の信頼性を向上させることができ、制御部２２０によって判定される半導体レーザ素子１００の良否判定の信頼性を向上させることができる。 Further, the temperature of the closed space formed around the semiconductor laser element 100 held by the plate portion 226 and the lid portion 227 is determined by the second temperature sensor 208 and the second temperature controller 211. The second temperature controller 211 detects the temperature based on the detected temperature and controls the temperature of the gas surrounding the semiconductor laser element 100, so that it is not desired from the portion not in contact with the plate portion 226 of the semiconductor laser element 100. It is possible to control the temperature of the semiconductor laser device 100 with high accuracy by suppressing heat absorption and heat dissipation. Thereby, the reliability of the characteristics of the semiconductor laser element 100 measured by the drive circuit 217 can be improved, and the reliability of the quality determination of the semiconductor laser element 100 determined by the control unit 220 can be improved.

図８は、本発明の実施の他の形態のバーンイン装置２７０の主要部の構成を示す断面図であり、図９は、図８の切断面線ＩＸ−ＩＸから見て示すバーンイン装置２７０の断面図である。なお図８および図９には、バーンイン装置２００とともに、被試験体および電子素子である半導体レーザ素子１００をバーンイン装置２００に装着した状態で図示している。図１０は、バーンイン装置２７０の構成を示す断面図であり、主としてプレート部２２６に蓋部２２７を装着するクランプ部２１８の構成を説明する図である。 FIG. 8 is a cross-sectional view showing a configuration of a main part of a burn-in device 270 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the burn-in device 270 as seen from the section line IX-IX in FIG. FIG. 8 and 9 show the burn-in apparatus 200 and the semiconductor laser element 100, which is a device under test and an electronic element, mounted on the burn-in apparatus 200. FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the configuration of the burn-in device 270, mainly illustrating the configuration of the clamp portion 218 that attaches the lid portion 227 to the plate portion 226.

本実施の形態のバーンイン装置２７０は、前述したバーンイン装置２００に類似するので、同様の構成には同様の参照符号を付してその説明を省略する。本実施の形態のバーンイン装置２７０と、前述したバーンイン装置２００との主な相違点は、バーンイン装置２００では１個の半導体レーザ素子１００について試験を行う構成としているが、バーンイン装置２７０では複数個の半導体レーザ素子１００について試験を行うことができる構成としていることにある。バーンイン装置２７０では、４０個の半導体レーザ素子１００をマトリクス状に並べて搭載可能に構成されている。 Since the burn-in device 270 of the present embodiment is similar to the burn-in device 200 described above, the same reference numerals are given to the same components, and the description thereof is omitted. The main difference between the burn-in apparatus 270 of this embodiment and the burn-in apparatus 200 described above is that the burn-in apparatus 200 is configured to test one semiconductor laser element 100, but the burn-in apparatus 270 includes a plurality of tests. The semiconductor laser device 100 has a configuration in which a test can be performed. The burn-in device 270 is configured so that 40 semiconductor laser elements 100 can be mounted in a matrix.

バーンイン装置２７０と、バーンイン装置２００とは、主としてプレート部２２６と、蓋部２２７との構成が異なる。本実施の形態では、プレート部２２６には、複数の挿入孔２３１が形成される。挿入孔２３１の数は、保持可能な半導体レーザ素子１００の数に等しい。挿入孔２３１は、恒温プレート２０６の長手方向である予め定めるＸ方向に予め定める間隔をあけて１０個形成され、恒温プレート２０６の長手方向であり、前記予め定める方向Ｘに垂直な予め定めるＹ方向に予め定める間隔をあけて４個形成される。前記予め定める間隔は、相互に隣接する半導体レーザ素子１００の熱が測定に影響を与えないように選ばれる。各挿入孔２３１には、それぞれコンタクト部２１９が設けられている。各コンタクト部２１９は個別に駆動回路２１７に接続される。また各挿入孔２３１の開口部には保持面２３２がそれぞれ形成され、各保持面２３２の間における恒温プレート２０６の表面は、第１の断熱カバー体２１４によって覆われる。 The burn-in device 270 and the burn-in device 200 mainly differ in the configuration of the plate portion 226 and the lid portion 227. In the present embodiment, a plurality of insertion holes 231 are formed in the plate portion 226. The number of insertion holes 231 is equal to the number of semiconductor laser elements 100 that can be held. Ten insertion holes 231 are formed at predetermined intervals in the predetermined X direction which is the longitudinal direction of the constant temperature plate 206, and are the predetermined Y direction perpendicular to the predetermined direction X, which is the longitudinal direction of the constant temperature plate 206. Four are formed at predetermined intervals. The predetermined interval is selected so that the heat of the semiconductor laser elements 100 adjacent to each other does not affect the measurement. Each insertion hole 231 is provided with a contact portion 219. Each contact portion 219 is individually connected to the drive circuit 217. A holding surface 232 is formed at each opening of the insertion hole 231, and the surface of the thermostatic plate 206 between the holding surfaces 232 is covered with a first heat insulating cover body 214.

また本実施の形態ではプレート部２２６は、複数の第１のペルチェ素子２０３を有する。第１のペルチェ素子２０３の数は、恒温プレート２０６の大きさおよび第１のペルチェ素子２０３の大きさに応じて決定され、ここでは２つに選ばれている。本実施の形態では、恒温プレート２０６は略直方体に形成され、第１のペルチェ素子２０３は、恒温プレート２０６の底面に設けられる。複数の半導体レーザ素子１００を保持する構成とする場合、前述の実施の形態と同様に第１のペルチェ素子２０３を恒温プレート２０６の一側面に設けると、第１のペルチェ素子２０３に近接して配置されている半導体レーザ素子１００と、第１のペルチェ素子２０３から離間して配置されている半導体レーザ素子１００とにおいて、温度のばらつきが生じるおそれがあるが、第１のペルチェ素子２０３を恒温プレート２０６の底面に設けることによって、複数の半導体レーザ素子１００における温度のばらつきを抑制することができる。 In the present embodiment, the plate portion 226 includes a plurality of first Peltier elements 203. The number of the first Peltier elements 203 is determined according to the size of the constant temperature plate 206 and the size of the first Peltier elements 203, and is selected to be two here. In the present embodiment, the constant temperature plate 206 is formed in a substantially rectangular parallelepiped, and the first Peltier element 203 is provided on the bottom surface of the constant temperature plate 206. In the case of a configuration in which a plurality of semiconductor laser elements 100 are held, when the first Peltier element 203 is provided on one side surface of the constant temperature plate 206 as in the above-described embodiment, the first Peltier element 203 is disposed close to the first Peltier element 203. Although there is a risk of temperature variations between the semiconductor laser element 100 and the semiconductor laser element 100 arranged away from the first Peltier element 203, the first Peltier element 203 is replaced with the constant temperature plate 206. By providing it on the bottom surface, temperature variations in the plurality of semiconductor laser elements 100 can be suppressed.

本実施の形態では蓋部２２７は、複数の押圧部２３６を有する。押圧部２３６の数は、保持可能な半導体レーザ素子１００の数に等しい。各押圧部２３６は、各挿入孔２３１にそれぞれ対応して設けられる。また蓋部２２７には、前記押圧部２３６の数に等しいフォトダイオード２１３が設けられる。各フォトダイオード２１３は、半導体レーザ素子１００が恒温プレート２０６に装着された状態では、フォトダイオード２１３の受光面が半導体レーザ素子１００の発光面に対向して、半導体レーザ素子１００からの光を受光することができる。各フォトダイオード２１３は、個別に駆動回路２１７に接続される。 In the present embodiment, lid portion 227 has a plurality of pressing portions 236. The number of pressing parts 236 is equal to the number of semiconductor laser elements 100 that can be held. Each pressing portion 236 is provided corresponding to each insertion hole 231. The lid 227 is provided with photodiodes 213 equal in number to the pressing parts 236. Each photodiode 213 receives light from the semiconductor laser element 100 with the light receiving surface of the photodiode 213 facing the light emitting surface of the semiconductor laser element 100 in a state where the semiconductor laser element 100 is mounted on the constant temperature plate 206. be able to. Each photodiode 213 is individually connected to the drive circuit 217.

また本実施の形態では蓋部２２７に設けられる第２のペルチェ素子２０９は、予め定めるＸ方向の中央部に設けられ、蓋部２２７が閉鎖位置にあるときには、予め定めるＹ方向の一方で半導体レーザ素子１０１に対向しない位置に設けられる。また本実施の形態では、蓋体本体２３５は、第２の断熱カバー体２４４に臨む外表面のうち、Ｘ方向の両端部を除いて第２の断熱カバー体２４４と間隔をあけて設けられる。これによって蓋体本体２３５と、第２の断熱カバー体２４４との間に気体の流路が形成される。気体循環用ファン２１２は、半導体レーザ素子１００に向かって直接送風するのではなく、図９の矢符Ｆで示すように、前記流路と、蓋体本体２３５およびプレート部２２６との間の空間とを気体が循環するように送風可能な位置に設けられている。これによって、閉鎖された空間内における温度のばらつきを抑制することができる。 In the present embodiment, the second Peltier element 209 provided in the lid portion 227 is provided in the central portion in the predetermined X direction, and when the lid portion 227 is in the closed position, the semiconductor laser is on the one side in the predetermined Y direction. It is provided at a position not facing the element 101. Further, in the present embodiment, the lid body 235 is provided at an interval from the second heat insulating cover body 244 except for both end portions in the X direction on the outer surface facing the second heat insulating cover body 244. Accordingly, a gas flow path is formed between the lid body 235 and the second heat insulating cover body 244. The air circulation fan 212 does not blow directly toward the semiconductor laser element 100, but, as indicated by the arrow F in FIG. 9, the space between the flow path, the lid body 235, and the plate portion 226. Is provided at a position where air can be blown so that the gas circulates. Thereby, it is possible to suppress temperature variations in the closed space.

また図１０に示すように、蓋部２２７の予め定めるＸ方向の両端部にクランプ片２４６が設けられ、プレート部２２６の予め定めるＸ方向の両側で、全述した実施の形態と同様に、基台２６０に設けられるクランプ部２１８によって、蓋部２２７をプレート部２２６に押圧してプレート部２２６と蓋部２２７との間に密封された空間を形成することができる。 As shown in FIG. 10, clamp pieces 246 are provided at both ends of the lid portion 227 in the predetermined X direction, and on both sides of the plate portion 226 in the predetermined X direction, as in the above-described embodiment. The lid portion 227 is pressed against the plate portion 226 by the clamp portion 218 provided on the base 260, so that a sealed space can be formed between the plate portion 226 and the lid portion 227.

またバーンイン装置２７０は、図示しないが前述の実施の形態と同様に、第１および第２の温度センサ２０２，２０８と、第１および第２の温度制御器２０５，２１１と、制御部２２０と、駆動回路２１７と、出力部２５０とを含んで構成される。駆動回路２１７は、保持可能な半導体レーザ素子１００の数だけ設けられ、それぞれの駆動回路２１７からの測定情報が制御部２２０に与えられる。制御部２２０は、各駆動回路２１７から与えられる測定情報に基づいて、前述したように、各半導体レーザ素子１００が良品であるのか不良品であるのかを個別に判定する。制御部２２０は、半導体レーザ素子１００の良品であるのか不良品であるのかを判定した判定結果を、その半導体レーザ素子１００がプレート部２２６に保持されている位置を表す情報とともに出力部２５０に与える。出力部２５０が、前記判定結果と、この判定結果となった半導体レーザ素子１００が保持されている位置を表す情報とを表示することによって、試験者は、複数の半導体素子１００を同時に試験しても、どの半導体レーザ素子１００が良品であるのか不良品であるのかを判断することができる。半導体レーザ素子１００が保持されている位置を表す情報は、たとえば複数の挿入孔２３１にそれぞれ対応する番号を予め定めておき、番号によって表してもよい。 Although not shown, the burn-in device 270 includes the first and second temperature sensors 202 and 208, the first and second temperature controllers 205 and 211, the control unit 220, as in the above-described embodiment. A drive circuit 217 and an output unit 250 are included. The drive circuits 217 are provided as many as the number of semiconductor laser elements 100 that can be held, and measurement information from the respective drive circuits 217 is given to the control unit 220. Based on the measurement information provided from each drive circuit 217, the control unit 220 individually determines whether each semiconductor laser element 100 is a good product or a defective product, as described above. The control unit 220 gives the output unit 250 the determination result of determining whether the semiconductor laser element 100 is a non-defective product or a defective product together with information indicating the position where the semiconductor laser device 100 is held by the plate unit 226. . The output unit 250 displays the determination result and information indicating the position where the semiconductor laser element 100 that is the determination result is held, so that the tester can simultaneously test the plurality of semiconductor elements 100. In addition, it is possible to determine which semiconductor laser element 100 is a good product or a defective product. For example, the information indicating the position where the semiconductor laser element 100 is held may be represented by numbers corresponding to the plurality of insertion holes 231 in advance.

以上のようにバーンイン装置２７０では、前述したバーンイン装置２００と同様の効果を達成することができるとともに、試験条件を揃えて、複数の半導体レーザ素子１００の同時に試験することができるので、検査効率をさらに向上させることでき、半導体レーザ素子１００の生産効率をさらに向上させることができる。また、複数の半導体レーザ素子１００のバーンイン試験を行うときには、バーンイン装置２００を複数用いて試験を行う場合と比較して装置が１つでよいので、構成部品の数を抑えることができ、組み立てが容易であって、低コスト化を図ることができる。 As described above, the burn-in apparatus 270 can achieve the same effect as the burn-in apparatus 200 described above, and can test a plurality of semiconductor laser elements 100 simultaneously with the same test conditions. The production efficiency of the semiconductor laser device 100 can be further improved. Also, when performing a burn-in test of a plurality of semiconductor laser elements 100, the number of components can be reduced and the number of components can be reduced as compared with the case where a test is performed using a plurality of burn-in apparatuses 200. It is easy and cost reduction can be achieved.

前述した各実施形態においては、被試験体として半導体レーザ素子１００を用いているが、被試験体については、半導体レーザ素子１００に限定されるものではなく、バーンイン試験が必要なものであればよく、たとえばＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの他の電子素子であってもよい。 In each of the above-described embodiments, the semiconductor laser device 100 is used as a device under test. However, the device under test is not limited to the semiconductor laser device 100, and any device that requires a burn-in test may be used. For example, another electronic element such as an LED (Light Emitting Diode) may be used.

本発明の実施の一形態のバーンイン装置２００の主要部の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the principal part of the burn-in apparatus 200 of one Embodiment of this invention. 図１の切断面線ＩＩ−ＩＩから見て示すバーンイン装置２００の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the burn-in device 200 as viewed from the section line II-II in FIG. 1. 半導体レーザ素子１００の平面図であり、1 is a plan view of a semiconductor laser device 100, 半導体レーザ素子１００の側面図である。1 is a side view of a semiconductor laser device 100. FIG. バーンイン装置２００の構成を示す断面図であり、主としてプレート部２２６に蓋部２２７を装着するクランプ部２１８の構成を説明する図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the burn-in device 200, and mainly explaining the configuration of a clamp portion 218 that attaches a lid portion 227 to a plate portion 226. 第１のファン２０１、第１のペルチェ素子２０３および第１の吸放熱用フィン２０４によって温度が制御される第１の温度制御範囲２８８を示す図である。It is a figure which shows the 1st temperature control range 288 in which temperature is controlled by the 1st fan 201, the 1st Peltier element 203, and the 1st fin 204 for heat absorption / radiation. 第２のペルチェ素子２０９と、第２の吸放熱用フィン２２０と、気体循環用ファン２１２と、第３の吸放熱用フィン２１０と、第２のファン２０７とによって温度が制御される第２の温度制御範囲２８９を示す図である。The second Peltier element 209, the second heat radiation / radiation fin 220, the gas circulation fan 212, the third heat radiation / radiation fin 210, and the second fan 207 control the temperature. It is a figure which shows the temperature control range 289. 本発明の実施の他の形態のバーンイン装置２７０の主要部の構成を示す断面図であり、It is sectional drawing which shows the structure of the principal part of the burn-in apparatus 270 of other embodiment of this invention, 図８の切断面線ＩＸ−ＩＸから見て示すバーンイン装置２７０の断面図である。It is sectional drawing of the burn-in apparatus 270 shown seeing from the cut surface line IX-IX of FIG. バーンイン装置２７０の構成を示す断面図であり、主としてプレート部２２６に蓋部２２７を装着するクランプ部２１８の構成を説明する図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a configuration of a burn-in device 270, and mainly explaining a configuration of a clamp portion 218 that attaches a lid portion 227 to a plate portion 226. 特許文献１に記載される第１の従来の技術をもとに構成されたバーンイン装置３００の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the burn-in apparatus 300 comprised based on the 1st prior art described in patent document 1. FIG.

Explanation of symbols

１００半導体レーザ
２００，２７０バーンイン装置
２０１第１のファン
２０２第１の温度センサ
２０３第１のペルチェ素子
２０４第１の吸放熱用フィン
２０５第１の温度制御器
２０６恒温プレート
２０７第２のファン
２０８第２の温度センサ
２０９第２のペルチェ素子
２１０第２の吸放熱用フィン
２１１第２の温度制御器
２１２気体循環用ファン
２１３フォトダイオード
２１４第１の断熱カバー体
２１７駆動回路
２１９コンタクト部
２２０第３の吸放熱用フィン
２２０制御部
２２６プレート部
２２７蓋部
２３１挿入孔
２３６押圧部
２４４第２の断熱カバー体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Semiconductor laser 200,270 Burn-in apparatus 201 1st fan 202 1st temperature sensor 203 1st Peltier element 204 1st heat absorption and radiation fin 205 1st temperature controller 206 Constant temperature plate 207 2nd fan 208 2nd 2nd temperature sensor 209 2nd Peltier element 210 2nd heat radiation heat sink 211 2nd temperature controller 212 fan for gas circulation 213 photodiode 214 first heat insulation cover body 217 drive circuit 219 contact part 220 3rd Heat-absorbing / dissipating fin 220 Control unit 226 Plate unit 227 Lid unit 231 Insertion hole 236 Press unit 244 Second heat insulating cover body

Claims

A holding unit including a first Peltier element capable of holding a device under test and capable of adjusting a temperature;
First temperature detecting means for detecting the temperature of the holding unit;
First temperature control means for controlling the temperature of the holding portion based on the temperature detected by the first temperature detection means;
A second Peltier element capable of forming a closed space together with the holding part around the DUT held by the holding part and capable of adjusting the temperature of the space, and provided in the second Peltier element A lid portion including a heat absorbing and radiating fin and a gas circulation fan for circulating the gas in the space;
Second temperature detecting means for detecting the temperature of the space;
Second temperature control means for controlling the temperature of the space based on the temperature detected by the second temperature detection means;
Measuring means capable of measuring the characteristics of the device under test,
The burn-in device, wherein the second Peltier element, the heat absorbing / dissipating fin, and the gas circulation fan are provided at a position that does not face the holding portion when the lid portion is in a closed position. .

2. The burn-in apparatus according to claim 1, further comprising determination means for determining the quality of the device under test based on a measurement result measured by the measurement means.

The device under test is an electronic element having a lead terminal,
The burn-in apparatus according to claim 1, wherein the holding portion includes an insertion portion into which a lead terminal of the electronic element can be inserted.

The holding part is
A holding unit body made of metal and capable of holding the device under test;
A first heat insulating cover body that forms an outer surface portion of a remaining portion excluding a portion where the test object is held and a portion where the first Peltier element is provided in the holding portion main body;
The lid is
A lid body having a pressing part capable of pressing the device under test against a holding part;
The said cover part main body, the said heat absorption / radiation fin, and the said 2nd heat insulation cover body which covers the said fan for gas circulation with a said 2nd Peltier element are included, The any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. The burn-in device described in 1.

The said 1st temperature control means and the said 2nd temperature control means control the temperature of the said holding | maintenance part and the temperature of the said space independently, Any one of the Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. The burn-in device described in 1.

6. The burn-in apparatus according to claim 1, wherein the device under test is a semiconductor laser element.

The burn-in apparatus according to claim 6, wherein the holding unit is capable of holding a plurality of semiconductor laser elements.