JP4868113B2 - Support apparatus, stage apparatus, and exposure apparatus - Google Patents
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 14
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 129
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 42
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 15
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 meteorite Chemical compound 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
本発明は支持装置、ステージ装置及び露光装置に係り、更に詳しくは、第1物体に対して第2物体を支持する支持装置、2次元面内を移動可能なステージを備えるステージ装置及び該ステージ装置を備える露光装置に関する。 The present invention relates to a support device, a stage device, and an exposure device, and more specifically, a support device that supports a second object relative to a first object, a stage device including a stage that can move in a two-dimensional plane, and the stage device Relates to an exposure apparatus comprising:
近年、ステッパやスキャニングステッパなどの投影露光装置では、ウエハを保持するテーブルと、該テーブルを保持して2次元面内で移動するステージと、このステージを駆動する駆動源としてのリニアモータと、を有するリニアモータ方式のステージ装置が主流となっている。 In recent years, a projection exposure apparatus such as a stepper or a scanning stepper includes a table that holds a wafer, a stage that holds the table and moves in a two-dimensional plane, and a linear motor that drives the stage. The linear motor type stage apparatus which has has become mainstream.
この種のステージ装置では、テーブルはステージに対し、例えば3つのボイスコイルモータあるいは3つの電磁石等の微動機構を介して支持されており、該微動機構によりテーブルがステージ上でそのステージの移動面に対する傾斜方向及び移動面に直交する方向の3自由度方向への微動が可能とされている。これら微動機構と前記リニアモータとによりテーブルの6自由度方向への駆動が実現されている(例えば、特許文献1参照)。 In this type of stage apparatus, the table is supported with respect to the stage via a fine movement mechanism such as three voice coil motors or three electromagnets, and the fine movement mechanism causes the table to move on the stage with respect to the moving surface of the stage. Fine movement is possible in the direction of inclination and in the direction of three degrees of freedom perpendicular to the moving surface. The fine movement mechanism and the linear motor realize driving of the table in the direction of six degrees of freedom (see, for example, Patent Document 1).
この種のステージ装置においては、テーブルの軽量化に加え、高加速でのテーブルの駆動を実現することが重要である。 In this type of stage apparatus, in addition to reducing the weight of the table, it is important to realize driving of the table with high acceleration.
これらの装置では、テーブルを支持する機構として、自重キャンセラを採用する提案がなされている(例えば、特許文献2参照)。しかるに、従来の自重キャンセラでは、テーブルの水平方向の移動を許容すると、必ずしも重力方向に関する剛性を十分に高くすることができなかった。 In these apparatuses, a proposal has been made to adopt a self-weight canceller as a mechanism for supporting the table (see, for example, Patent Document 2). However, in the conventional self-weight canceller, if the table is allowed to move in the horizontal direction, the rigidity in the direction of gravity cannot always be sufficiently increased.
本発明は、上述した事情の下になされたものであり、第1の観点からすると、第1物体(31)に対して第2物体(WTB)を支持する支持装置であって、前記第1物体に接続された固定部(90)と;前記固定部に対して重力方向に移動可能な可動部(190)と;を備え、前記可動部は、前記第2物体の一部を重力方向の両側から非接触で挟み、前記第2物体の前記一部に対する前記重力方向に垂直な面内での移動が許容された状態で前記第2物体に接続される接続部(74A,74B,70A,70B,72a〜72d)を含むことを特徴とする支持装置である。 The present invention has been made under the circumstances described above. From the first viewpoint, the present invention is a support device for supporting a second object (WTB) with respect to a first object (31), wherein A fixed part (90) connected to the object; and a movable part (190) movable in the gravitational direction with respect to the fixed part, wherein the movable part moves a part of the second object in the gravitational direction. seen sandwiched in a non-contact from both sides, the second said connecting portion moving in a plane perpendicular to the direction of gravity with respect to some of which is connected to the second object in the allowed state of the object (74A, 74B, 70A , 70B, 72a to 72d).
これによれば、第1物体に接続された固定部に対して重力方向に移動可能な可動部が、第2物体の一部を重力方向の両側から非接触で挟んだ状態で第2物体に接続される接続部を含んでいるので、少なくとも重力方向に垂直な面内における第2物体の移動を許容した状態で、接続部の重力方向に関する剛性を高く設定することが可能となる。また、第2物体には支持装置が接触した状態で接続されないので、第2物体全体(第2物体に直接接続される構造体を含む)の重量を小さくすることが可能となる。 According to this, the movable part that can move in the gravitational direction with respect to the fixed part connected to the first object is attached to the second object in a state where a part of the second object is sandwiched from both sides in the gravitational direction without contact. Since the connection part to be connected is included, it is possible to set the rigidity of the connection part in the gravitational direction to be high with at least the movement of the second object in a plane perpendicular to the gravitational direction. Moreover, since the support device is not connected to the second object in contact with the second object, the weight of the entire second object (including the structure directly connected to the second object) can be reduced.
本発明は、第2の観点からすると、2次元面内を移動可能なステージ(31)と;該ステージに対して、基板(W)を保持するテーブル(WTB)を支持する本発明の支持装置と;を備える第1のステージ装置である。 From a second viewpoint, the present invention provides a stage (31) movable in a two-dimensional plane; and a support device according to the present invention for supporting a table (WTB) for holding a substrate (W) on the stage. And a first stage apparatus.
これによれば、少なくともテーブルの重力方向に垂直な面内での移動を許容した状態で、テーブルを重力方向に関して高剛性で、ステージに対して支持することができるとともに、テーブルを重力方向に垂直な面内で駆動する場合にも高加速化を図ることが可能となる。 According to this, the table can be supported with respect to the stage with high rigidity in the gravity direction and at least allowed to move in a plane perpendicular to the gravity direction of the table, and the table is perpendicular to the gravity direction. Even when driving in a smooth plane, it is possible to achieve high acceleration.
本発明は、第3の観点からすると、本発明の第1のステージ装置を備え、前記ステージに保持された基板(W)を露光することを特徴とする露光装置である。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus comprising the first stage apparatus of the present invention, wherein the substrate (W) held on the stage is exposed.
これによれば、本発明のステージ装置を備えていることにより、露光性能の向上を図ることが可能である。 According to this, by providing the stage apparatus of the present invention, it is possible to improve the exposure performance.
以下、本発明の一実施形態を図1〜図7に基づいて説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
図1には、一実施形態に係る露光装置10の概略的な構成が示されている。この露光装置10は、ステッパ等の一括露光型の投影露光装置である。 FIG. 1 shows a schematic configuration of an exposure apparatus 10 according to an embodiment. The exposure apparatus 10 is a batch exposure type projection exposure apparatus such as a stepper.
この露光装置10は、照明ユニットIOP、レチクルRを保持するレチクルステージRST、投影光学系PL、基板としてのウエハWを保持してXY平面内でXY2次元方向に移動するウエハステージWSTを含むステージ装置50、及びこれらの制御系、並びに投影光学系PLを保持するコラム34等を備えている。
The exposure apparatus 10 includes an illumination unit IOP, a reticle stage RST that holds a reticle R, a projection optical system PL, and a wafer stage WST that holds a wafer W as a substrate and moves in an XY two-dimensional direction in an XY plane. 50, a control system thereof, and a
前記照明ユニットIOPは、光源及び照明光学系を含み、その内部に配置された視野絞り(マスクキングブレード又はレチクルブラインドとも呼ばれる)で規定される矩形又は円弧状の照明領域にエネルギビームとしての照明光ILを照射し、回路パターンが形成されたレチクルRを均一な照度で照明する。ここでは、照明光ILとしては、超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線(波長436nmのg線、波長365nmのi線等)が用いられるものとする。ただし、それらに代えて、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)又はArFエキシマレーザ光(波長193nm)あるいはF2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光を用いることとしても良い。 The illumination unit IOP includes a light source and an illumination optical system, and illumination light as an energy beam in a rectangular or arcuate illumination region defined by a field stop (also referred to as a mask king blade or a reticle blind) disposed therein. IL is irradiated, and the reticle R on which the circuit pattern is formed is illuminated with uniform illuminance. Here, as the illumination light IL, an emission line in the ultraviolet region from an ultrahigh pressure mercury lamp (g-line with a wavelength of 436 nm, i-line with a wavelength of 365 nm, etc.) is used. However, vacuum ultraviolet light such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), or F 2 laser light (wavelength 157 nm) may be used instead.
前記レチクルステージRSTは、照明ユニットIOPの下方に配置されている。レチクルステージRSTは、実際には、投影光学系PLの上面に載置されている(ただし、図1では図示の便宜上、レチクルステージRSTと投影光学系PLとが離間して示されている)。具体的には、レチクルステージRSTは、投影光学系PLの上面に固定されたベース上で、レチクルRを保持してX軸方向、Y軸方向、θz方向に微小駆動可能とされている。なお、レチクルステージRSTは、単にレチクルRを保持するだけの機能を有するように構成し、レチクルRの駆動は行わないようにしても良い。 The reticle stage RST is disposed below the illumination unit IOP. In practice, reticle stage RST is placed on the upper surface of projection optical system PL (however, in FIG. 1, for convenience of illustration, reticle stage RST and projection optical system PL are shown apart from each other). Specifically, reticle stage RST can be finely driven in the X-axis direction, Y-axis direction, and θz direction while holding reticle R on the base fixed to the upper surface of projection optical system PL. Note that the reticle stage RST may be configured to have a function of simply holding the reticle R, and the reticle R may not be driven.
レチクルRの一部には、一対のアライメントマークが設けられている。本実施形態では、露光前に、この一対のアライメントマークを不図示のレチクルアライメント系を用いて計測し、位置決めを行う。 A part of the reticle R is provided with a pair of alignment marks. In the present embodiment, before the exposure, the pair of alignment marks are measured and positioned using a reticle alignment system (not shown).
前記投影光学系PLとしては、ここでは両側テレセントリックな縮小系、かつ共通のZ軸方向の光軸を有する複数枚のレンズエレメントを含む屈折光学系が用いられている。この投影光学系PLの投影倍率βは、例えば1/4あるいは1/5である。このため、前述の如く、照明ユニットIOPからの照明光ILによりレチクルRが照明されると、レチクルRに形成された前述の照明領域内の回路パターンが投影光学系PLによりウエハW上の照明領域と共役な照明光ILの照射領域(露光領域)に縮小投影され、回路パターンの縮小像(部分等立像)が転写形成される。 As the projection optical system PL, here, a bilateral telecentric reduction system and a refractive optical system including a plurality of lens elements having a common optical axis in the Z-axis direction are used. The projection magnification β of the projection optical system PL is, for example, 1/4 or 1/5. Therefore, as described above, when the reticle R is illuminated by the illumination light IL from the illumination unit IOP, the circuit pattern in the illumination area formed on the reticle R is illuminated on the wafer W by the projection optical system PL. Is reduced and projected onto the irradiation area (exposure area) of the illumination light IL conjugate with the light, and a reduced image (partial equality image) of the circuit pattern is transferred and formed.
投影光学系PLの鏡筒の高さ方向のほぼ中央部には、フランジFLGが設けられている。 A flange FLG is provided at substantially the center in the height direction of the lens barrel of the projection optical system PL.
前記コラム34は、床面Fにその下端部が固定された3本の脚部32b(紙面奥側の脚部は不図示)と、該脚部32bにより床面F上方で支持された天板部32aとを備えている。天板部32aの中央部に上下方向(Z軸方向)に貫通した状態で開口34aが形成されている。
The
投影光学系PLは、コラム34を構成する天板部32aの下面側に一端が固定された3つの吊り下げ支持機構37(ただし紙面奥側の吊り下げ支持機構は不図示)を介して、そのフランジFLG部分にて吊り下げ支持されている。これら吊り下げ支持機構37のそれぞれは、柔構造の連結部材であるコイルばね36とワイヤ35とを含む。前記コイルばね36は、光軸に垂直な方向には振り子のように振動するため、投影光学系PLの光軸に垂直な方向の除振性能(床の振動が投影光学系PLに伝達するのを防止する性能)を有している。また、光軸に平行な方向に関しても、高い除振性能を有している。
The projection optical system PL has three suspension support mechanisms 37 (one suspension support mechanism on the back side of the drawing is not shown) fixed at one end to the lower surface side of the
また、コラム34の脚部32bそれぞれのZ軸方向に関する中央部近傍には凸部134aが形成され、凸部134aそれぞれと投影光学系PLのフランジの外周部との間には、駆動機構40が設けられている。この駆動機構は、投影光学系PLを鏡筒の半径方向に駆動するボイスコイルモータと、投影光学系PLを光軸方向(Z軸方向)に駆動するボイスコイルモータとを含んでいる。これら駆動機構により、投影光学系PLを6自由度方向に移動できる構成となっている。
Further, a
投影光学系PLのフランジFLGには、投影光学系PLの6自由度方向の加速度を検出するための不図示の加速度センサが設けられており、該加速度センサで検出される加速度情報に基づいて、不図示の主制御装置が、投影光学系PLがコラム34及び床面Fに対して静止した状態となるように駆動機構40のボイスコイルモータの駆動を制御する。
The flange FLG of the projection optical system PL is provided with an acceleration sensor (not shown) for detecting the acceleration in the direction of 6 degrees of freedom of the projection optical system PL. Based on the acceleration information detected by the acceleration sensor, A main controller (not shown) controls the drive of the voice coil motor of the
投影光学系PLのフランジFLGの下面からは、リング状の計測マウント51が3本の支持部材53(ただし、紙面奥側の支持部材は不図示)を介して吊り下げ支持されている。3本の支持部材53は、実際には、その両端部に支持部材53の長手方向以外の5自由度の変位が可能なフレクシャー部を有するリンク部材を含んで構成され、計測マウント51とフランジFLGとの間に応力がほとんど生じることなく計測マウント51を支持することができるようになっている。
From the lower surface of the flange FLG of the projection optical system PL, a ring-shaped
計測マウント51では、ウエハ干渉計58や、不図示のアライメント系、不図示の多点焦点位置検出系などが保持されている。アライメント系としては、画像処理方式のセンサを用いることができ、この画像処理方式のセンサは、例えば特開平4−65603号公報に開示されている。また、多点焦点位置検出系としては、例えば特開平4−215015号公報等に開示されるフォーカスセンサを用いることができる。
The
前記ステージ装置50は、ウエハステージWSTと、該ウエハステージWSTを駆動するウエハステージ駆動系と、を備えている。
The
前記ウエハステージWSTは、投影光学系PLの下方に水平に配置されたステージ定盤BSの上面に、その底面に設けられたエアベアリングなどを介して浮上支持されている。 Wafer stage WST is levitated and supported on the upper surface of stage surface plate BS arranged horizontally below projection optical system PL via an air bearing or the like provided on the bottom surface thereof.
ここで、ステージ定盤BSは、直接的に床面F上に据え付けられており、その+Z側の面(上面)は、その平坦度が非常に高くなるように加工されており、ウエハステージWSTの移動基準面(ガイド面)とされている。 Here, the stage surface plate BS is directly installed on the floor surface F, and the surface (upper surface) on the + Z side is processed so as to have a very high flatness, and the wafer stage WST. The movement reference plane (guide plane).
ウエハステージWSTは、図2に示されるように、ステージ31と、該ステージ31上の一直線上にない3箇所に設けられた3つの自重キャンセラ150を介して搭載されたウエハテーブルWTBとを備えている。3つの自重キャンセラ150は、ステージ31上でウエハテーブルWTBを3点で支持し、それぞれが駆動機構(ボイスコイルモータ等)等を含んで構成されている。各駆動機構により、ウエハテーブルWTBがZ軸方向、θx方向(X軸回りの回転方向)、θy方向(Y軸回りの回転方向)の3自由度方向に微小駆動される。なお、自重キャンセラ150の構成等については後に更に詳述する。
As shown in FIG. 2, wafer stage WST includes
また、ウエハテーブルWTBとステージ31との間には、X微動機構VXと一対のY微動機構VY1,VY2とが設けられている。これらX、Y微動機構は、それぞれ例えば電機子ユニットを含む固定子と磁極ユニットを含む可動子とを含んで構成されるボイスコイルモータ等であり、それぞれの固定子がステージ31の上面に固定され、それぞれの可動子がウエハテーブルWTBの側面に固定されている。これらのうち、X微動機構VXによって、ウエハテーブルWTBがX軸方向に駆動され、一対のY微動機構VY1,VY2によって、ウエハテーブルWTBがY軸方向及びθz方向(Z軸回りの回転方向)の2自由度方向について微小駆動される。したがって、ウエハテーブルWTBは、3つの自重キャンセラ150のそれぞれに設けられた前記駆動機構、X微動機構VX、一対のY微動機構VY1,VY2によってステージ31に対して6自由度方向に移動可能となっている。
Further, an X fine movement mechanism VX and a pair of Y fine movement mechanisms VY 1 and VY 2 are provided between wafer table WTB and
前記ステージ31は、XZ断面が長方形の枠状部材を含んで構成され、該枠状部材の内部空間には不図示のY可動子が設けられている。枠状部材の下面には、不図示のエアベアリングが複数設けられ、これらのエアベアリングを介してウエハステージWSTが前述のガイド面の上方に数μm程度のクリアランスを介して浮上支持されている。
The
前記Y可動子は、Y軸方向を長手方向とするY固定子134Yとともに、Y軸リニアモータを構成し、ステージ31をウエハテーブルWTB、ウエハWとともにY軸方向に駆動する。以下においては、このY軸リニアモータをY固定子と同一の符号を用いて、Y軸リニアモータ134Yとも呼ぶものとする。
The Y mover constitutes a Y axis linear motor together with a
Y固定子134YのY軸方向一端部及び他端部には、X可動子132X1,132X2が固定されている。X可動子132X1は、ステージ定盤BSの+Y側近傍に設けられた、X軸方向を長手方向とするX固定子134X1とともに、第1のX軸リニアモータを構成し、X可動子132X1は、ステージ定盤BSの−Y側近傍に設けられた、X軸方向を長手方向とするX固定子134X2とともに、第2のX軸リニアモータを構成する。以下においては、これら第1のX軸リニアモータと第2のX軸リニアモータをそのX固定子と同一の符号を用いて、第1のX軸リニアモータ134X1、第2のX軸リニアモータ134X2とも呼ぶものとする。
X movers 132X 1 and 132X 2 are fixed to one end and the other end of the
本実施形態では、第1、第2のX軸リニアモータ134X1、134X2によって、Y軸リニアモータ134Yとともに、ウエハステージWSTがX軸方向に沿って駆動される。また、第1、第2のX軸リニアモータ134X1、134X2がそれぞれ発生するX軸方向の電磁力(駆動力)を僅かに異ならせることにより、ウエハステージWSTをθz方向に回転させることもできる。
In the present embodiment, wafer stage WST is driven along the X-axis direction together with Y-axis
これまでの説明から分かるように、本実施形態ではY軸リニアモータ134Yと、第1、第2のX軸リニアモータ134X1、134X2と、3つの自重キャンセラ150と、X微動機構VX、一対のY微動機構VY1、VY2とにより、ウエハステージ駆動系の少なくとも一部が構成されている。このウエハステージ駆動系の構成各部は、不図示の主制御装置により制御される。
As can be seen from the above description, in this embodiment, the Y-axis
前記ウエハテーブルWTBの上面には、ウエハホルダ25を介してウエハWが真空吸着(又は静電吸着)等により吸着保持されている。ウエハホルダ25は、ウエハテーブルWTB上で、その裏面側の全面を真空吸着により吸着保持されている。
Wafer W is adsorbed and held on the upper surface of wafer table WTB via
図3(A)は、ウエハテーブルWTB近傍を拡大して示す平面図であり、図3(B)は、図3(A)のA−A線断面図である。これら図3(A)、図3(B)に示されるように、本実施形態では、ウエハホルダ25外周部近傍のウエハテーブルWTB上面には、所定深さの溝(非貫通のスリット)41a、41bが形成されている(図2では不図示)。溝41aは、平面視(上方から見て)においてY軸方向を長手方向とする部分と、X軸及びY軸に交差する方向を長手方向とする部分と、X軸方向を長手方向とする部分とを有している。また、溝41bは、X軸方向を長手方向とした平面視(上方から見て)においてX軸方向を長手方向とした非常に細長い矩形状の形状を有している。
3A is an enlarged plan view showing the vicinity of wafer table WTB, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 3A. As shown in FIGS. 3A and 3B, in this embodiment, grooves (non-penetrating slits) 41a and 41b having a predetermined depth are formed on the upper surface of the wafer table WTB near the outer periphery of the
これらの溝41a,41bは、X微動機構VX、一対のY微動機構VY1,VY2とウエハホルダ25との間に位置するように形成されており、X微動機構VX、一対のY微動機構VY1,VY2による駆動力の伝播が溝41a,41bの下部を回り込んでウエハテーブルWTBに広がるため、その影響を緩和することが可能となっている。
These
これについて更に説明すると、図3(C)に示されるようにウエハテーブルWTB上に溝41a,41bが形成されていない場合には、X微動機構VX(及び一対のY微動機構VY1,VY2)による駆動力をウエハテーブルWTBに作用させた際に、その駆動力がウエハホルダ25の外周部(吸着領域の外縁部)に直接伝播することとなるが、本実施形態のようにウエハテーブルWTB上に溝41a,41bを形成することにより、図3(D)に示されるように、X微動機構VX(一対のY微動機構VY1,VY2)により発生した駆動力が、溝41a,41bの下部を回り込んでウエハテーブルWTBに伝播するようになっている。
More specifically, as shown in FIG. 3C, when the
図1に戻り、ウエハステージWSTの位置情報は、ウエハテーブルWTBの側面に設けられた反射面に測長ビームを照射するウエハ干渉計58によって、例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出されている。
Returning to FIG. 1, the position information of wafer stage WST is always detected at a resolution of, for example, about 0.5 to 1 nm by
これを更に詳述すると、ウエハ干渉計58は、図4に示されるように、3つのダブルパス方式の干渉計ユニット58Y、58X1,58X2を含んで構成され、各干渉計ユニット58Y、58X1,58X2内部に設けられた固定鏡の反射面を基準とするウエハテーブルWTBの反射面の位置の情報、すなわち、各干渉計ユニット内で分岐された測長ビームと参照ビームとの分岐点からの光路長の差の情報を用いて、ウエハテーブルWTB(ウエハW)の位置情報を計測する。各干渉計ユニット58Y、58X1,58X2は、前述の計測マウント51にて吊り下げ状態で支持されている。
More specifically, as shown in FIG. 4, the
干渉計ユニット58X1,58X2に対向するウエハテーブルWTBの側面(−X側の側面)は、図4に示されるように、Z軸方向(上下方向)に関して3つの領域に分割され、その最上部の領域(第1領域)と最下部の領域(第2領域)はYZ面に平行な平面とされ、その表面が鏡面加工されている(以下、それぞれの平面を第1反射面54a、第2反射面54bと呼ぶ)。また、中央部の領域(第3領域)は、計測ビームWXF3、WX3(これについては後述する)に対して所定角度α°(0<α<90)だけ傾いた平面とされ、その表面が鏡面加工されている(以下、第3領域の鏡面加工された面を、第3反射面54cと呼ぶ)。
The side surface (side surface on the −X side) of wafer table WTB facing interferometer units 58X 1 and 58X 2 is divided into three regions in the Z-axis direction (vertical direction) as shown in FIG. The upper region (first region) and the lowermost region (second region) are planes parallel to the YZ plane, and the surfaces thereof are mirror-finished (hereinafter, each plane is referred to as a first reflecting
干渉計ユニット58X1は、第1反射面54aに対してX軸に平行な測長ビームWXF1を照射し、第2反射面54bに対してX軸に平行な測長ビームWXF2を照射し、第3反射面54cに対してX軸に平行な測長ビームWXF3を照射する。
The interferometer unit 58X 1 irradiates the first reflecting
また、干渉計ユニット58X1には、固定鏡56aが設けられており、その反射面(+X側の面)は、第3反射面54cで反射した測長ビームWXF3がほぼ垂直に入射するような角度に設定されている。
Further, the interferometer unit 58X 1 is provided with a fixed
干渉計ユニット58X2は、第1反射面54aに対してX軸に平行な測長ビームWX1を照射し、第2反射面54bに対してX軸に平行な測長ビームWX2を照射し、第3反射面54cに対してX軸に平行な測長ビームWX3を照射する。
The interferometer unit 58X 2 irradiates the first reflecting
また、干渉計ユニット58X2には、固定鏡56bが設けられており、その反射面(+X側の面)は、第3反射面54cで反射した測長ビームWX3が垂直に入射するような角度に設定されている。
Further, the interferometer unit 58X 2 is provided with a fixed
一方、干渉計ユニット58Yに対向するウエハテーブルWTBの側面(−Y側の側面)は、不図示ではあるが、上端部近傍の第1領域と下端部近傍の第2領域と第1、第2領域に挟まれた第3領域とに分けられ、そのうちの第1領域と第2領域とが鏡面加工されている。干渉計ユニット58Yは、その第1領域側の反射面に対してY軸に平行な測長ビームWY1、WY3を照射し、第2領域側の反射面に対してY軸に平行な測長ビームWY2を照射する。
On the other hand, the side surface (side surface on the −Y side) of wafer table WTB facing
なお、−Y側の側面については、全面を鏡面加工しても良いが、第1領域、第2領域に相当する部分を精度良く鏡面加工することが望ましい。 Note that the entire surface of the −Y side surface may be mirror-finished, but it is desirable to mirror-finish the portions corresponding to the first region and the second region with high accuracy.
アライメント中においては、干渉計ユニット58X1の測長ビームWXF1、WXF2を用いて、ウエハテーブルWTBのX軸方向の位置、及びθy方向(Y軸回りの回転方向)の位置を計測するとともに、測長ビームWXF1〜WXF3を用いて、ウエハテーブルWTBのZ軸方向の位置を計測する。また、干渉計ユニット58Yの測長ビームWY1,WY2を用いて、ウエハテーブルWTBのY軸方向の位置及びθx方向(X軸回りの回転方向)の位置を計測することができるとともに、測長ビームWY1、WY3によりθz方向の位置を計測することができる。
During the alignment, the measurement beams WXF 1 and WXF 2 of the interferometer unit 58X 1 are used to measure the position of the wafer table WTB in the X-axis direction and the θy direction (rotation direction around the Y-axis). The position of wafer table WTB in the Z-axis direction is measured using measurement beams WXF 1 to WXF 3 . Further, by using the measurement beams WY 1 and WY 2 of the
一方、露光中においては、干渉計ユニット58X2の測長ビームWX1、WX2、を用いて、ウエハテーブルWTBのX軸方向の位置、及びθy方向(Y軸回りの回転方向)の位置を計測するとともに、測長ビームWXF1〜WXF3を用いて、ウエハテーブルWTBのZ軸方向の位置を計測する。また、アライメント中と同様に、干渉計ユニット58Yの測長ビームWY1,WY2を用いて、ウエハテーブルWTBのY軸方向の位置及びθx方向(X軸回りの回転方向)の位置を計測することができるとともに、測長ビームWY1、WY3によりθz方向の位置を計測することができる。
On the other hand, during exposure , using the measurement beams WX 1 and WX 2 of the interferometer unit 58X 2 , the position of the wafer table WTB in the X axis direction and the position in the θy direction (rotation direction around the Y axis) are determined. In addition to measurement, the position of wafer table WTB in the Z-axis direction is measured using measurement beams WXF 1 to WXF 3 . Similarly to the alignment, the length measurement beams WY 1 and WY 2 of the
なお、ウエハテーブルWTBのZ軸方向に関する位置計測方法については、特開2000−49066号公報に開示されているので、詳細な説明は省略する。 Note that the position measuring method in the Z-axis direction of wafer table WTB is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-49066, and thus detailed description thereof is omitted.
ここで、アライメント中、露光中のいずれにおいても、測長ビームWXF1、WXF2(又はWX1,WX2)の計測結果の差と各測長ビームのZ軸方向に関する距離とに基づいて、ウエハテーブルWTBのθy方向の位置を計測するようになっているが、本実施形態においては、第1反射面54aと第2反射面54bとが第3反射面54cを挟んで離れた位置に配置されていることから、第1、第2反射面の面積を大きくすることなく、各測長ビームのZ軸方向に関する距離を大きく取ることが可能である。これにより、第1、第2反射面をコスト高を招くことなく高精度に加工することができ、また、測長ビームのZ方向に関する距離を大きくとることで、ウエハテーブルWTBのθy方向の位置を高精度に計測することが可能となっている。また、ウエハテーブルWTBのθx方向の計測に用いられるウエハテーブルWTBの+Y側側面も同様に第1、第2反射面が分離されているので、コスト高を招くことなく高精度に鏡面加工することができ、また、測長ビームのZ方向に関する距離を大きくとることで、ウエハテーブルWTBのθx方向の位置を高精度に計測することが可能となっている。
Here, during both alignment and exposure, based on the difference between the measurement results of the measurement beams WXF 1 and WXF 2 (or WX 1 and WX 2 ) and the distance of each measurement beam in the Z-axis direction, Although the position of the wafer table WTB in the θy direction is measured, in the present embodiment, the first reflecting
次に、本実施形態の自重キャンセラ150の構成等について、図5〜図7に基づいて詳細に説明する。
Next, the configuration of the self-
図5の斜視図に示されるように、本実施形態の自重キャンセラ150は、様々な構造の部品が組み合わさった状態とされ、大きく分けて、ステージ31の上面に固定される固定部90と、該固定部90に対してZ方向に移動可能とされ、ウエハテーブルWTBの下面に固定される固定部材60にその一部が接続される可動部190と、可動部190を固定部90に対してZ軸方向に駆動する駆動機構VMと、を備えている。
As shown in the perspective view of FIG. 5, the self-
ウエハテーブルWTBに固定される固定部材60は、図6の分解斜視図に点線にて示されるように、円板部分60cと該円板部分の±Y側に固定された一対のL字状部分60a,60bとを有している。このうち円板部分60cの上下面は、平坦度が高く設定されている。また、L字状部分60a,60bの上端面がウエハテーブルWTBの下面に固定される(図7参照)。
The fixing
前記固定部90は、図6に示されるように、概略立方体状の枠部材92と、その一部(Y軸方向中央部)に円柱部分94aを有するピストン部94とを備えている。ピストン部94は、その+Y側端部及び−Y側端部において枠部材92に固定された状態となっている。
As shown in FIG. 6, the fixed
前記可動部190は、図6、図7に示されるように、固定部材60の円板部分60cを上下方向から挟んだ状態の一対の第1挟持部材74A,74Bと、該一対の第1挟持部材を上下方向から挟んだ状態の一対の第2挟持部材70A,70Bと、該一対の第2挟持部材70A,70BをZ軸方向に関して所定間隔を維持するための4つのスペーサ部材72a〜72dと、下側の第2挟持部材70Bの下面が固定される概略立方体状のシリンダ部材80と、を含んで構成されている。
As shown in FIGS. 6 and 7, the
前記一方の第1挟持部材74Aは、その下面が平面174bで、その上面が球面174aとされており、不図示の気体静圧軸受(第1クリアランス形成機構)により、固定部材60の円板部分60cの上面に対して、所定のクリアランス94A(図7参照)が維持されている。
The
前記他方の第1挟持部材74Bも、上下対称ではあるが一方の第1挟持部材74Aと同様の構成であり、その上面が平面274aで、その下面が球面274bとされ、不図示の気体静圧軸受(第1クリアランス形成機構)により、固定部材60の円板部分60cの下面に対して所定のクリアランス94B(図7参照)が維持されている。
The other
前記一方の第2挟持部材70Aは、図7に示されるように、その下面側に、第1挟持部材74Aの球面174aと対応する形状の凹面170aが形成され、不図示の気体静圧軸受(第2クリアランス形成機構)により、第1挟持部材74Aの上面に対して所定のクリアランス96Aが維持されている。また、他方の第2挟持部材70Bも、上下対称ではあるが、一方の第2挟持部材70Bと同様に構成されており、その上側の面には第1挟持部材74Bの球面274bと対応する形状の凹面270a(図6、図7参照)が形成されている。これらの球面274bと球状の凹面270aとの間には、不図示の気体静圧軸受(第2クリアランス形成機構)により、所定のクリアランス96B(図7参照)が維持されている。
As shown in FIG. 7, the one
前記スペーサ部材72a〜72dは、その全てが同一のZ方向長さを有し、その上端が第2挟持部材70Aの下面の四隅部分に固定され、その下端が第2挟持部材70Bの上面の四隅部分に固定されている。
All of the
上述した、第1挟持部材74A,74Bと第2挟持部材70A,70Bとを固定部材60に対して組み付けた状態では、固定部材60に対する一対の第1挟持部材74A,74BのXY面内方向の移動、及び一対の第1挟持部材74A,74Bに対する一対の第2挟持部材70A,70BのX軸回り及びY軸回りの回転が非接触の状態で許容される。
In the state where the
前記シリンダ部材80は、概略板状の第1板状部材82A及び第2板状部材82Bと、各板状部材82A,82Bの間を所定間隔に維持する4本の角柱部材84とを備えている。
The
第1板状部材82Aには、そのほぼ中央部に上面側から、XY断面が円形の凹部182aが形成され、該凹部182aの底面のほぼ中央部には、貫通孔182b(図7参照)が形成されている。凹部182aの上側は、第2挟持部材70Bの下面側で閉塞され、貫通孔182bには、前述した固定部90のピストン部94に設けられた円柱部分94aが挿入されるようになっている。円柱部分94a外周面と貫通孔182bの内壁との間には、気体静圧軸受等により所定のクリアランスが形成されており、凹部182a内の気体が漏れるのが防止されるようになっている。したがって、第2挟持部材70Bと第1板状部材82Aとピストン部94の円柱部分94aとにより形成される空間は気密空間ARとされている。気密空間AR内には、不図示の気体供給管、及び供給管路等を介して、気体(例えば、空気、窒素ガス等)が供給されるようになっている。これにより、気密空間AR内は、陽圧空間となる。以下においては、気密空間ARを陽圧空間ARとも呼ぶものとする。なお、陽圧空間AR内に気体の代わりに液体等を供給し、この液体により陽圧が発生するようにしても良い。
The first plate-
第2板状部材82Bには、そのほぼ中央部にXY断面が円形の開口282aが形成されている。この開口282aには、後述する駆動機構VMの一部が挿入されるようになっている(図5、図7参照)。また、第1板状部材82Aと第2板状部材82Bとは、ピストン部材94を間に挟んだ状態で4本の角柱部材84により接続されるようになっている(図7参照)。
The second plate-
前記駆動機構VMは、図7に示されるように、ステージ31上に固定される固定子88Aと、固定子88Aとの間の電磁相互作用により、固定子88Aに対してZ軸方向に移動する可動子88Bとを備えるボイスコイルモータ等から構成されている。可動子88Bの一部は、第2板状部材82Bの底面と接続され、駆動機構VMの駆動力により、可動部190全体をZ軸方向に駆動するようになっている。
As shown in FIG. 7, the drive mechanism VM moves in the Z-axis direction with respect to the
ここで、図5のように組み上げられた状態では、4本の角柱部材84と枠部材92とが対向する位置には、不図示の気体静圧軸受により、所定のクリアランスが形成されている。これにより、固定部90に対して可動部190が摩擦を生じることなく移動することができるようになっている。
Here, in the assembled state as shown in FIG. 5, a predetermined clearance is formed by a static gas bearing (not shown) at a position where the four
このようにして構成される3つの自重キャンセラ150によると、陽圧空間AR内の陽圧によりウエハテーブルWTBを支持することができるとともに、ウエハテーブルWTBがXY面内及びXY面に傾斜する方向に微小量移動する場合であっても、クリアランス94A,94B,96A,96Bが形成されていることにより、その移動を許容することができる。また、駆動機構VMにより、Z軸方向、及びθx、θy方向にウエハテーブルWTBを微小駆動することが可能である。本実施形態の場合、各自重キャンセラ150は、駆動機構VMで発生した駆動力がウエハテーブルWTBに作用する位置と、前記陽圧空間ARで発生する陽圧がウエハテーブルWTBに作用する位置は、Z軸に関して略同軸上に位置するように構成されている。また、駆動機構VMの駆動力と陽圧空間ARによる陽圧(ウエハテーブルWTBの自重の支持力)とは、ウエハテーブルWTBに対して互いに並列に作用するようになっている。ただし本発明はこのような構成に限定されるものではない。
According to the three self-
本実施形態の露光装置では、従来と同様、照明光ILのもとで、レチクルRのパターンを投影光学系PLを介してウエハW上の1つのショット領域に投影する動作と、ウエハステージWSTを介してウエハWをX軸方向、Y軸方向にステップ移動する動作とが、ステップ・アンド・リピート方式で繰り返される。この場合のステップ移動は、ウエハ干渉計58(干渉計ユニット58X1,58X2、58Y)の計測結果に基づいて、ステージ駆動系(X軸リニアモータ134X1、134X2、Y軸リニアモータ134Y、X微動機構VX、Y微動機構VY1,VY2、自重キャンセラ150の駆動機構VMを含んで構成される)を介して駆動される。
In the exposure apparatus of the present embodiment, as in the prior art, the operation of projecting the pattern of the reticle R onto one shot area on the wafer W via the projection optical system PL under the illumination light IL, and the wafer stage WST The operation of moving the wafer W stepwise in the X-axis direction and the Y-axis direction is repeated in a step-and-repeat manner. In this case, the step movement is based on the measurement result of the wafer interferometer 58 (
以上詳細に説明したように、本実施形態の露光装置では、自重キャンセラ150を備えており、該自重キャンセラ150によると、ステージ31に接続された固定部90に対して重力方向に移動可能な可動部190が、ウエハテーブルWTBの一部(固定部材60)を重力方向の両側から非接触で挟んだ状態でウエハテーブルWTBに接続される接続部(第1挟持部材74A,74B)を含んでいるので、少なくとも水平面内の動作が許容されるとともに、重力方向に関する剛性を高くすることが可能となる。また、ウエハテーブルWTBには自重キャンセラ150の少なくとも一部が接触した状態では接続されないので、ウエハテーブルWTB全体(ウエハテーブルWTBに直接接続される構造を含む)の重量を小さくすることが可能である。
As described above in detail, the exposure apparatus according to the present embodiment includes the self-
これにより、ウエハテーブルWTBと自重キャンセラ150の可動部190とが非接触となるため、ウエハテーブルWTB全体(ウエハテーブルに接続される構造を含む)の重量を小さくすることができ、ウエハテーブルWTBを水平面内で駆動する場合にも高加速化を図ることができる。また、自重キャンセラ150がウエハテーブルWTBの一部(固定部材60)を上下方向から非接触で挟持した状態で接続されるので、ステージ31とウエハテーブルWTBの間をZ軸方向に関して高剛性で支持することが可能となる。これにより、高加速でウエハテーブルを移動することができるので、スループットを向上することが可能となる。
Thereby, wafer table WTB and
また、本実施形態では、可動部190側にシリンダ部材80が設けられ、固定部90側にシリンダ部材80の内部に挿入され、該シリンダ部材80に沿って、相対移動可能な円柱部分94aを有するピストン部材94が設けられているので、ピストン部材94の円柱部分94aを重力方向に付勢する気密空間AR内の気体の陽圧により、ウエハテーブルWTBを支持することができる。したがって、ウエハテーブルWTBを低剛性で支持することができるとともに、ウエハテーブルWTBを支持するために駆動機構VMによるZ軸方向の駆動力を常時発生する必要がないので、熱の発生等によるウエハW近傍雰囲気のゆらぎの発生、ひいては露光精度の低下等を抑制することが可能となる。
Further, in the present embodiment, the
また、本実施形態では、陽圧空間AR内の陽圧を用いて、ステージ31に対するウエハテーブルWTBの支持を行っていることにより、床面Fからの振動の伝達を、陽圧空間ARにて吸収することができる。これにより、ステージ定盤BSと床面Fとの間に防振機構を設ける必要がなく、低コストで、高精度な露光を実現することが可能となる。
In the present embodiment, the positive pressure in the positive pressure space AR is used to support the wafer table WTB with respect to the
また、本実施形態では、ウエハテーブルWTBの一部(固定部材60)を上下方向の両側から非接触で挟持する一対の第1挟持部材74A,74Bと第1挟持部材74A,74Bを上下方向からから挟持する一対の第2挟持部材70A,70Bとを有し、第1挟持部材74A,74Bと第2挟持部材70A,70Bとが対向する部分は、球面とされているので、ウエハテーブルWTBが水平面に傾斜する方向に傾こうとする場合であっても、第1挟持部材74A,74Bと第2挟持部材70A,70Bとの相対的な位置関係が変更されることにより、ウエハテーブルWTBの傾きを許容することができる。これにより、ウエハテーブルWTBをθx、θy方向に関しても微小駆動することが可能となる。
In the present embodiment, the pair of
また、本実施形態では、第1挟持部材74A,74Bと固定部材60との間、第2挟持部材70A,70Bと第1挟持部材74A,74Bとの間が、気体静圧軸受により所定のクリアランスが形成されているので、各部材間を非接触に維持することができ、摩擦等の影響を受けることなく、ウエハテーブルWTBの水平面内及びθx、θy方向の移動を許容することができる。
In the present embodiment, a predetermined clearance is provided between the
また、本実施形態の露光装置で10は、ステージ装置50において、ウエハテーブルWTBの側面に第1、第2、第3領域がZ軸方向に沿って設けられ、そのうちの第1、第2領域の面がウエハ干渉計58からの計測ビームを反射する第1反射面54a、第2反射面54bとされているので、ウエハテーブルWTBのθy方向の回転を計測するに際して第1、第2反射面54a,54bに計測ビームを照射することにより、計測ビームのZ軸方向に関する距離を大きくすることができる。これにより、反射面全体の面積を大きくすることなく、計測ビームのZ方向に関する距離を大きくできるので、コスト高を招くことなく、高精度な鏡面加工を行うことができるとともに、高精度な計測を実現することが可能である。そのため、ウエハテーブルWTBのθy方向の回転を精度良く計測することが可能である。
Further, in the exposure apparatus 10 of the present embodiment, in the
また、本実施形態の露光装置10では、ステージ装置50において、ウエハテーブルWTBのウエハホルダ25を吸着する吸着固定領域の外側の少なくとも一部に、所定深さの溝41a、41bが形成されており、X微動機構VX、Y微動機構VY1、VY2による駆動力が、溝41a,41bを回り込んだ状態で、ウエハテーブルに広がるようになっているので、その影響を緩和することが可能である。これにより、高精度な露光を実現することが可能である。
Further, in the exposure apparatus 10 of the present embodiment, in the
なお、上記実施形態では、自重キャンセラ150の固定部90側にピストン部材を設け、可動部190側にシリンダ部材を設けることとしたが、本発明がこれに限られるものではなく、固定部90側にシリンダ部材を設け、可動部190側にピストン部材を設けることとしても良い。
In the above embodiment, the piston member is provided on the fixed
なお、上記実施形態では、自重キャンセラ150の気密空間ARの内部を陽圧にすることでウエハテーブルWTBの自重を支持するように構成したが、これに限定されるものではない。気密空間AR内の圧力によってウエハテーブルWTBを支持する+Z方向の力が発生するように構成すれば良い。例えば、気密空間AR内を負圧(真空)にし、この気密空間ARと周囲の気圧(例えば、大気圧)との差圧によって、ウエハテーブルWTBを支持する+Z方向の力を発生するように構成しても良い。真空を用いて物を支持する力を発生させる構成については、例えば、特開昭60−78125号公報に開示されている。また、発熱の影響が小さい場合には、駆動機構VMで発生する駆動力によってウエハテーブルWTBの自重を支持するようにしても良い。
In the above-described embodiment, the inside of the airtight space AR of the self-
なお、上記実施形態では、第1挟持部材74A,74Bと第2挟持部材70A,70Bとが対向する部分を球面とする場合について説明したが、これに限らず、非球面とすることとしても良い。また、固定部材60の円板部分60cの上下面と第1挟持部材74A、74Bとが対向する部分を球面又は非球面とすることとしても良い。更には、上記実施形態では、第1挟持部材74Aの上面及び第1挟持部材74Bの下面を凸状に設定し、第2挟持部材70Aの下面及び第2挟持部材70Bの上面を凹状に設定することとしたが、これに限らず、第1挟持部材74A,74B側を凹状に設定し、第2挟持部材70A,70B側を凸状に設定することとしても良い。
In the embodiment described above, the case where the
なお、上記実施形態では、第1挟持部材74A,74Bと固定部材60との間、第2挟持部材70A,70Bとの間のそれぞれに、所定のクリアランスを形成するために気体静圧軸受を設けているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、気密空間ARに供給されたウエハテーブルWTBの自重を支持するための陽圧を発生させる気体と、所定のクリアランスを形成するために各部材間に供給される気体とを共通にしても良い。その場合、各部材に気密空間ARと連通させた気体が流通可能な管路を設け、この管路を介して各部材間の隙間に噴出される気体の静圧を利用して、所定のクリアランスを形成することができる。
In the above embodiment, a static gas bearing is provided between the
また、所定のクリアランスを形成するために気体を用いたが、磁力を用いた軸受等を用いても良い。更に、真空や磁力等で予圧を発生させるタイプの軸受を用いても良い。 Further, although gas is used to form a predetermined clearance, a bearing using magnetic force may be used. Further, a type of bearing that generates a preload by vacuum or magnetic force may be used.
また、上記実施形態では、固定部材60と第1挟持部材74A,74Bとの間が非接触であれば、第1挟持部材74A,74Bと第2挟持部材70A,70Bとの間は非接触でなくても良い。
In the above embodiment, if the fixing
なお、上記実施形態では、固定部材60をウエハテーブルWTBの下面に固定した場合について説明したが、これに限らず、ウエハテーブルWTBの側面に固定することとしても良い。この場合、固定部材60を板状部材とすることとしても良い。
In the above-described embodiment, the case where the fixing
なお、上記実施形態では、自重キャンセラ150に微動機構VMを設ける場合について説明したが、これに限らず、微動機構VMを自重キャンセラ150と分離し、別々にウエハテーブルWTBとステージ31との間に設けることとしても良い。
In the above embodiment, the case where the self-
なお、上記実施形態では、自重キャンセラ150の固定部90がステージ31の上面に固定される場合について説明したが、これに限らず、ステージ31の側面に固定されるようにすることもできる。
In the above embodiment, the case where the fixing
なお、上記実施形態では、ウエハステージWSTに自重キャンセラ150を設けた場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、レチクルステージRST側に設けることとしても良い。また、露光装置に限らず、第1物体に対して第2物体を支持する場合(例えば、露光装置の光学系等を支持するための防振装置の一部等)であれば、種々の装置に適用することが可能である。
In the above embodiment, the case where the self-
なお、上記実施形態では、ウエハテーブルWTB上で、かつウエハホルダ25とは機械的に干渉しない位置に溝41a,41bを形成する場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、ウエハホルダ25の吸着領域を狭くして、ウエハホルダ25の下側に溝41a,41bが位置するようにしても良い。このようにすることで、ウエハテーブルWTBの小型化を図ることが可能となる。
In the above-described embodiment, the case where the
なお、上記実施形態では、照明光ILとしてKrFエキシマレーザ光などの遠紫外光、F2レーザ、ArFエキシマレーザ等の真空紫外域光、あるいは超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線(g線、i線等)などを用いるものとしたが、これに限らずAr2レーザ光(波長126nm)などの他の真空紫外光を用いても良い。また、例えば、真空紫外光として上記各光源から出力されるレーザ光に限らず、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(Er)(又はエルビウムとイッテルビウム(Yb)の両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。 In the above-described embodiment, far ultraviolet light such as KrF excimer laser light, illumination light IL, vacuum ultraviolet light such as F 2 laser and ArF excimer laser, or ultraviolet bright line (g-line, However, the present invention is not limited to this, and other vacuum ultraviolet light such as Ar 2 laser light (wavelength 126 nm) may be used. Further, for example, not only laser light output from each of the above light sources as vacuum ultraviolet light, but also single wavelength laser light in the infrared region or visible region oscillated from a DFB semiconductor laser or fiber laser, for example, erbium (Er) A harmonic that is amplified by a fiber amplifier doped with erbium and ytterbium (Yb) and wavelength-converted into ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be used.
更に、照明光ILとしてEUV光、X線、あるいは電子線やイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置、投影光学系を用いない、例えばプロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナー、及び例えば国際公開WO99/49504号などに開示される、投影光学系PLとウエハとの間に液体が満たされる液浸型露光装置などにも本発明を適用しても良い。 Further, an exposure apparatus that uses EUV light, X-rays, or charged particle beams such as an electron beam or an ion beam as illumination light IL, a projection system that does not use a projection optical system, such as a proximity type exposure apparatus, a mirror projection aligner, and The present invention may also be applied to an immersion type exposure apparatus disclosed in International Publication WO99 / 49504 and the like in which a liquid is filled between the projection optical system PL and the wafer.
なお、上記実施形態では、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれに限定されないことは勿論である。すなわちステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置にも本発明は好適に適用できる。 In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the step-and-repeat reduction projection exposure apparatus has been described. However, the scope of the present invention is of course not limited thereto. That is, the present invention can be suitably applied to a scanning exposure apparatus such as a step-and-scan method.
なお、複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本体に組み込み、光学調整をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整(電気調整、動作確認等)をすることにより、上記実施形態の露光装置を製造することができる。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 An illumination optical system and projection optical system composed of a plurality of lenses are incorporated into the exposure apparatus body for optical adjustment, and a reticle stage and wafer stage made up of a number of mechanical parts are attached to the exposure apparatus body to provide wiring and piping. , And further performing general adjustment (electrical adjustment, operation check, etc.), the exposure apparatus of the above embodiment can be manufactured. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
なお、本発明は、半導体製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子などを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックウエハ上に転写する露光装置、及び撮像素子(CCDなど)、マイクロマシン、有機EL、DNAチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(遠紫外)光やVUV(真空紫外)光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、螢石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。 The present invention is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor, but is used for manufacturing a display including a liquid crystal display element. An exposure apparatus for transferring a device pattern onto a glass plate and a device used for manufacturing a thin film magnetic head. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a pattern onto a ceramic wafer, and an exposure apparatus that is used for manufacturing an imaging device (CCD or the like), micromachine, organic EL, DNA chip, and the like. Further, in order to manufacture reticles or masks used in not only microdevices such as semiconductor elements but also light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc., glass substrates or silicon wafers, etc. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern. Here, in an exposure apparatus using DUV (far ultraviolet) light, VUV (vacuum ultraviolet) light, or the like, a transmission type reticle is generally used. As a reticle substrate, quartz glass, fluorine-doped quartz glass, meteorite, Magnesium fluoride or quartz is used. Further, in a proximity type X-ray exposure apparatus or an electron beam exposure apparatus, a transmission mask (stencil mask, membrane mask) is used, and a silicon wafer or the like is used as a mask substrate.
本発明は、例えば、特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報及びこれらに対応する米国特許第6,400,441号と、特表2000−505958号公報及びこれらに対応する米国特許第5,969,441号及び米国特許第6,262,796号に記載されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。 The present invention includes, for example, JP-A-10-163099, JP-A-10-214783 and US Pat. No. 6,400,441 corresponding thereto, JP 2000-505958A and US corresponding thereto. The present invention can also be applied to the twin stage type exposure apparatus described in Japanese Patent No. 5,969,441 and US Pat. No. 6,262,796.
また、本発明は、特開平11−135400号公報に開示されるように、ウエハ等の被処理基板を保持して移動可能な露光ステージと、各種の計測部材やセンサを備えた計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。 In addition, as disclosed in JP-A-11-135400, the present invention includes an exposure stage that can move while holding a substrate to be processed such as a wafer, and a measurement stage that includes various measurement members and sensors. The present invention can also be applied to a provided exposure apparatus.
また、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(または位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスク、あるいは光反射性の基板上に所定の反射パターンを形成した光反射型マスクを用いたが、それらに限定されるものではない。例えば、そのようなマスクに代えて、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク(光学系の一種とする)を用いるようにしても良い。このような電子マスクは、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されている。なお、上述の電子マスクとは、非発光型画像表示素子と自発光型画像表示素子との双方を含む概念である。 In the above-described embodiment, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate, or a predetermined reflecting pattern on a light-reflecting substrate. Although the formed light reflection type mask is used, it is not limited to them. For example, instead of such a mask, an electronic mask (which is a kind of optical system) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed may be used. Such an electronic mask is disclosed in, for example, US Pat. No. 6,778,257. Note that the above-described electronic mask is a concept including both a non-light-emitting image display element and a self-light-emitting image display element.
また、例えば、2光束干渉露光と呼ばれているような、複数の光束の干渉によって生じる干渉縞を基板に露光するような露光装置にも適用することができる。そのような露光方法及び露光装置は、例えば、国際公開第01/35168号パンフレットに開示されている。 Further, for example, the present invention can also be applied to an exposure apparatus that exposes a substrate with interference fringes caused by interference of a plurality of light beams, which is called two-beam interference exposure. Such an exposure method and exposure apparatus are disclosed in, for example, WO 01/35168.
さらに、本発明は、液体を介して基板に露光光を照射する液浸露光装置にも適用可能である。そのような液浸露光装置としては、例えば投影光学系と基板との間を局所的に液体で満たす方式として、国際公開第2004/053958号パンフレットに開示されているものが知られている。また、露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置や、ステージ上に所定厚の液体層を形成しその中で基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。例えば、特開平6−124873号公報、特開平10−303114号公報及び米国特許第5,825,043号にそれらの構成が開示されている。また、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、投影光学系の終端光学部材の出射側と入射側のそれぞれの光路空間を液体で満たすような液浸露光装置に適用しても良い。 Furthermore, the present invention is also applicable to an immersion exposure apparatus that irradiates a substrate with exposure light through a liquid. As such an immersion exposure apparatus, for example, a system disclosed in International Publication No. 2004/053958 is known as a system for locally filling a space between a projection optical system and a substrate. The present invention also relates to an immersion exposure apparatus that moves a stage holding a substrate to be exposed in a liquid tank, and an immersion exposure apparatus that forms a liquid layer of a predetermined thickness on the stage and holds the substrate therein. Is applicable. For example, JP-A-6-124873, JP-A-10-303114, and US Pat. No. 5,825,043 disclose their configurations. Further, as disclosed in International Publication No. 2004/019128, the present invention is applied to an immersion exposure apparatus that fills the optical path space on the exit side and the entrance side of the terminal optical member of the projection optical system with a liquid. Also good.
半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置を用いて前述の方法によりレチクルのパターンをウエハに転写するステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。 A semiconductor device includes a step of performing functional / performance design of a device, a step of manufacturing a reticle based on the design step, a step of manufacturing a wafer from a silicon material, and a reticle by the above-described method using the exposure apparatus of the above-described embodiment. This pattern is manufactured through a step of transferring the pattern to a wafer, a device assembly step (including a dicing process, a bonding process, and a packaging process), an inspection step, and the like.
以上説明したように、本発明の支持装置は、第1物体に対して第2物体を支持するのに適している。また、本発明のステージ装置は、ステージを少なくとも2次元面内で駆動するのに適している。また、本発明の露光装置は、基板を露光するのに適している。 As described above, the support device of the present invention is suitable for supporting the second object with respect to the first object. The stage apparatus of the present invention is suitable for driving the stage in at least a two-dimensional plane. The exposure apparatus of the present invention is suitable for exposing a substrate.
10…露光装置、25…ウエハホルダ(基板保持部材)、31…ステージ(第1物体)、41a,41b…溝、50…ステージ装置、54A…第1領域(第1反射面)、54B…第2領域(第2反射面)、54C…第3領域(第3反射面)、58…ウエハ干渉計システム(計測装置)、70A,70B…第2挟持部材(接続部の一部)、74A,74B…第1挟持部材(接続部の一部)、80…シリンダ部材(シリンダ部)、90…固定部、94…ピストン部、150…自重キャンセラ(支持装置)、190…可動部、VM…駆動機構(微動機構)、VX…X微動機構(駆動機構)、VY1、VY2…Y微動機構、W…ウエハ(基板)、WTB…ウエハテーブル(第2物体、テーブル)。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Exposure apparatus, 25 ... Wafer holder (substrate holding member), 31 ... Stage (1st object), 41a, 41b ... Groove, 50 ... Stage apparatus, 54A ... 1st area | region (1st reflective surface), 54B ... 2nd Area (second reflecting surface), 54C ... third area (third reflecting surface), 58 ... wafer interferometer system (measuring device), 70A, 70B ... second clamping member (part of connecting portion), 74A, 74B ... first clamping member (part of connecting part), 80 ... cylinder member (cylinder part), 90 ... fixed part, 94 ... piston part, 150 ... self-weight canceller (support device), 190 ... movable part, VM ... drive mechanism (Fine movement mechanism), VX ... X fine movement mechanism (drive mechanism), VY 1 , VY 2 ... Y fine movement mechanism, W ... wafer (substrate), WTB ... wafer table (second object, table).
Claims (10)
前記第1物体に接続された固定部と;
前記固定部に対して重力方向に移動可能な可動部と;を備え、
前記可動部は、前記第2物体の一部を重力方向の両側から非接触で挟み、前記第2物体の前記一部に対する前記重力方向に垂直な面内での移動が許容された状態で前記第2物体に接続される接続部を含むことを特徴とする支持装置。 A support device for supporting a second object with respect to a first object,
A fixed part connected to the first object;
A movable part movable in the direction of gravity with respect to the fixed part;
Said movable portion, a portion of the second object viewed sandwiched in a non-contact from both sides in the direction of gravity, in a state in which movement is allowed within the plane perpendicular to the direction of gravity with respect to the portion of the second object A support device comprising a connection portion connected to the second object.
前記ピストン部を重力方向に付勢する前記シリンダ部内部の圧力により、前記第2物体の自重を前記第1物体に対して支持することを特徴とする請求項1に記載の支持装置。 A cylinder part connected to one of the movable part and the fixed part and a cylinder part inserted into the cylinder part connected to the other of the movable part and the fixed part and movable relative to the cylinder part. A further piston part,
2. The support device according to claim 1 , wherein the weight of the second object is supported on the first object by a pressure inside the cylinder part that urges the piston part in a gravitational direction.
前記第2物体の一部を前記重力方向一側及び他側から非接触で挟持する一対の第1挟持部材と、
該第1挟持部材を前記重力方向一側及び他側から挟持する一対の第2挟持部材と、を有し、
前記第1挟持部材と前記第2挟持部材とが対向する部分は、球面又は非球面とされていることを特徴とする請求項1又は2に記載の支持装置。 The connecting portion is
A pair of first clamping members for clamping a part of the second object from the one side and the other side in the gravitational direction without contact;
A pair of second clamping members that clamp the first clamping member from one side and the other side in the gravity direction;
The support device according to claim 1 or 2 , wherein a portion where the first clamping member and the second clamping member face each other is a spherical surface or an aspherical surface.
該ステージに対して、基板を保持するテーブルを支持する請求項1〜6のいずれか一項に記載の支持装置と;を備えるステージ装置。 A stage movable in a two-dimensional plane;
A stage device comprising: a support device according to any one of claims 1 to 6 that supports a table that holds a substrate with respect to the stage.
前記ステージに保持された基板を露光することを特徴とする露光装置。 A stage apparatus according to any one of claims 7 to 9 , comprising:
An exposure apparatus that exposes a substrate held on the stage.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005185983A JP4868113B2 (en) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | Support apparatus, stage apparatus, and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005185983A JP4868113B2 (en) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | Support apparatus, stage apparatus, and exposure apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007005669A JP2007005669A (en) | 2007-01-11 |
JP4868113B2 true JP4868113B2 (en) | 2012-02-01 |
Family
ID=37690954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005185983A Active JP4868113B2 (en) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | Support apparatus, stage apparatus, and exposure apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4868113B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101052916B (en) * | 2004-09-30 | 2010-05-12 | 株式会社尼康 | Projection optical device and exposure apparatus |
JP5170077B2 (en) * | 2007-03-06 | 2013-03-27 | 株式会社安川電機 | Precision positioning device |
EP2818927B1 (en) * | 2007-07-18 | 2016-04-27 | Nikon Corporation | Measurement method, stage apparatus, and exposure apparatus |
US8421994B2 (en) * | 2007-09-27 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
JP6338386B2 (en) * | 2014-01-31 | 2018-06-06 | キヤノン株式会社 | Lithographic apparatus and article manufacturing method |
CN113539877B (en) * | 2021-07-22 | 2023-10-17 | 长鑫存储技术有限公司 | Measuring device and measuring method for semiconductor structure |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04134293A (en) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Canon Inc | Positioning device |
JPH09275069A (en) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Nikon Corp | Stage device and aligner using the device |
JP3890233B2 (en) * | 2002-01-07 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | Positioning stage apparatus, exposure apparatus, and semiconductor device manufacturing method |
JP2004063653A (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Nikon Corp | Vibration isolator, stage apparatus, and aligner |
-
2005
- 2005-06-27 JP JP2005185983A patent/JP4868113B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007005669A (en) | 2007-01-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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|
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