JP4857552B2

JP4857552B2 - 液晶組成物および液晶表示素子

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Publication number: JP4857552B2
Application number: JP2004353182A
Authority: JP
Inventors: 浩章藤田; 憲和服部
Original assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2004-12-06
Filing date: 2004-12-06
Publication date: 2012-01-18
Anticipated expiration: 2024-12-06
Also published as: JP2006160857A; US7348043B2; US20060118764A1

Description

本発明は、主としてＡＭ（active matrix）素子に適する液晶組成物およびこの組成物を含有するＡＭ素子に関する。

液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）、多結晶シリコン（polycrystal silicon）、および連続粒界結晶シリコン（continuous grain silicon）である。多結晶シリコンは製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。

これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめる。組成物の一般的特性を市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−２０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。

組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。ＶＡモード、ＩＰＳモードなどを有する素子は電気的に制御された複屈折（electrically controlled birefringence）を利用している。そこで、ＶＡモードにおけるコントラスト比を最大にするために、組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）を一定の値に設計する。この値の例は０．３０〜０．３５μｍ（ＶＡモード）または０．２０〜０．３０μｍ（ＩＰＳモード）である。セルギャップ（ｄ）は通常３〜６μｍであるので、組成物における光学異方性は主に０．０５〜０．１１の範囲である。組成物の大きな誘電率異方性は素子の小さな駆動電圧に寄与する。したがって、大きな誘電率異方性が好ましい。通常のＡＭ素子においては正の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。一方、ＶＡモードのＡＭ素子においては負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期に大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあとでも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。

負の誘電率異方性を有する組成物は、負の誘電率異方性を有する化合物を含有する。このような化合物として、例えば６−メチル−２，３−ジフロロ−１，４−フェニレンを有する負の誘電率異方性を有する化合物が記載されている（例えば、特許文献１参照）。

特開平１０−２９１９４５号公報

本発明の目的は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することにある。この目的は複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することでもある。この目的はネマチック相の広い温度範囲、特にネマチック相の下限温度が−２０℃以下である液晶組成物を提供することでもある。この目的は、この組成物を含有し、そして大きな電圧保持率を有する液晶表示素子を提供することでもある。この目的は、小さな粘度、０．０５〜０．１１の光学異方性、−６．５〜−１．５の誘電率異方性などの特性を有する組成物を含有し、そしてＶＡモード、ＩＰＳモードなどに適したＡＭ素子を提供することでもある。

本発明は下記の項などである。
１．第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも２つの化合物を含有し、負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｚ^１は独立して単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；環Ａは独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；ｎは独立して０または１である。

２．第一成分が式（１）においてｎ＝０で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および式（１）においてｎ＝１で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項１に記載の液晶組成物。
３．液晶化合物の全重量に基づいて、式（１）においてｎ＝０で表される化合物の成分の割合が２０〜６０重量％の範囲であり、式（１）においてｎ＝１で表される化合物の成分の割合が４０〜８０重量％の範囲である、項１または２に記載の液晶組成物。

４．第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第二成分として式（２−１）〜（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｚ^１は独立して単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；環Ａは独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；環Ｂは独立して１，４−フェニレンまたは任意の水素がフッ素に置き換えられた１，４−フェニレンであり；ｎは独立して０または１である。

５．液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が３０〜９５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜７０重量％の範囲である、項４に記載の液晶組成物。

６．第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（３）〜（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、さらに負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｚ^１は独立して単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；Ｚ^２は独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２―、―Ｃ_２Ｈ_４ＣＦ_２Ｏ−または−ＯＣＦ_２Ｃ_２Ｈ_４−であり；環Ａは独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｘ^１およびＸ^２の一方は−Ｆであり、他方は−ＣＦ_２Ｈであり；ｎは独立して０または１である。
７．液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０〜９０重量％の範囲であり、第三成分の割合が１０〜９０重量％の範囲である、項６に記載の液晶組成物。

８．第一成分が式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１〜７のいずれか１項に記載の液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｚ^１は独立して単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；ｎは独立して０または１である。

９．第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−１）〜（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（３）〜（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｚ^１は独立して単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；Ｚ^２は独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２―、―Ｃ_２Ｈ_４ＣＦ_２Ｏ−または−ＯＣＦ_２Ｃ_２Ｈ_４−であり；環Ａは独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；環Ｂは独立して１，４−フェニレンまたは任意の水素がフッ素に置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｘ^１およびＸ^２の一方は−Ｆであり、他方は−ＣＦ_２Ｈであり；ｎは独立して０または１である。

１０．液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０〜８５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜７５重量％の範囲であり、第三成分の割合が１０〜８５重量％の範囲である、項９に記載の液晶組成物。

１１．第一成分が式（１−１−１）〜（１−１−４）および（１−２−１）〜（１−２−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシである。

１２．第二成分が式（２−１−１）、（２−１−２）、（２−２−１）、（２−２−２）および（２−３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項４、５および８〜１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。

１３．第三成分が式（３−１−１）、（３−２−１）、（３−２−２）、（４−１−１）、（４−２−１）、（４−２−２）、（５−１−１）および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項６〜１２のいずれか１項に記載の液晶組成物。

１４．第一成分として式（１−１−１）〜（１−１−４）および（１−２−１）〜（１−２−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−１−１）、（２−１−２）、（２−２−１）、（２−２−２）、および（２−３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（３−１−１）、（３−２−１）、（３−２−２）、（４−１−１）、（４−２−１）、（４−２−２）、（５−１−１）、および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

１５．液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０〜８５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜７５重量％の範囲であり、第三成分の割合が１０〜８５重量％の範囲である、項１４に記載の液晶組成物。
１６．第一成分が項１４記載の式（１−１−１）〜（１−１−３）および（１−２−１）〜（１−２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する項１〜１５のいずれか１項に記載の液晶組成物。

１７．第二成分が項１４記載の式（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する項４、５および８〜１６のいずれか１項に記載の液晶組成物。
１８．第三成分が項１４記載の式（３−１−１）、（３−２−１）、（４−１−１）、（４−２−１）、（５−１−１）、および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する項６〜１７のいずれか１項に記載の液晶組成物。

１９．第一成分として式（１−１−１）〜（１−１−３）および（１−２−１）〜（１−２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（３−１−１）、（３−２−１）、（４−１−１）、（４−２−１）、（５−１−１）、および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

２０．液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分での割合が１０〜８５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜６０重量％の範囲であり、第三成分の割合が１０〜８０重量％の範囲である、項１９に記載の液晶組成物。
２１．第一成分として式（１−１−１）〜（１−１−３）および（１−２−１）〜（１−２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（３−１−１）および（３−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

２２．液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０〜８５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜６０重量％の範囲であり、第三成分の割合が１０〜７０重量％の範囲である、項２１に記載の液晶組成物。
２３．第一成分として式（１−１−１）〜（１−１−３）および（１−２−１）〜（１−２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（４−１−１）、（４−２−１）、（５−１−１）、および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

２４．液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０〜８５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜５０重量％の範囲であり、第三成分の割合が１０〜８０重量％の範囲である、項２３に記載の液晶組成物。

２５．第一成分として式（１−１−１）〜（１−１−３）および（１−２−１）〜（１−２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３−１−１）および（３−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（４−１−１）、（４−２−１）、（５−１−１）、および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

２６．液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０〜７５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜５０重量％の範囲であり、第三成分のうち式（３−１−１）および（３−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物の割合が１０〜７０重量％の範囲であり、第三成分のうち式（４−１−１）、（４−２−１）、（５−１−１）、および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物の割合が１０〜７０重量％の範囲である、項２５に記載の液晶組成物。
２７．第一成分として式（１−１−１）、（１−２−１）および（１−２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、第二成分として式（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

２８．液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分の割合が５０〜９０重量％の範囲であり、第二成分の割合が１０〜５０重量％の範囲である、項２７に記載の液晶組成物。
２９．液晶組成物の誘電率異方性の値が−６．５〜−１．５の範囲である項１〜２８のいずれか１項に記載の液晶組成物。

３０．項１〜２９のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
３１．液晶表示素子がＶＡモードまたはＩＰＳモードを有し、そしてアクティブマトリックスで駆動される項３０に記載の液晶表示素子。
３２．項１〜２９のいずれか１項記載の液晶組成物を、ＶＡモードまたはＩＰＳモードを有し、そしてアクティブマトリックスで駆動される液晶表示素子に使用する方法。

本発明の組成物は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗などの特性において、複数の特性を充足する。この組成物は複数の特性に関して適切なバランスを有する。この目的はネマチック相の広い温度範囲、特にネマチック相の下限温度が−２０℃以下である。本発明の素子は、この組成物を含有し、そして大きな電圧保持率を有する。この素子は、小さな粘度、０．０５〜０．１１の光学異方性、−６．５〜−１．５の誘電率異方性などの特性を有する組成物を含有するので、ＶＡモード、ＩＰＳモードなどを有するＡＭ素子に適する。

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。アクティブマトリックスで駆動される素子をＡＭ素子と略すことがある。ＴＮモードを有する素子をＴＮ素子と略すことがある。他のモードを有する素子も同様に略すことがある。液晶組成物は液晶性化合物を含有する。この液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物の総称である。式（１）〜（１−２−４）をまとめて、式（１）と略すことがある。他の式も同様に略すことがある。式（２−１−１）および（２−１−２）をまとめて、式（２−１）と略すことがある。他の式も同様に略すことがある。式（２−１）で表わされる化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（２−１）」と略すことがある。他の式に関する化合物も同様に略すことがある。

ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期に大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあとでも組成物が大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期に大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあとでも素子が大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。組成物における成分の割合（百分率）は、組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。

本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分の構成を説明する。第二に、成分である化合物の主要な特性、および化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、成分である化合物の好ましい割合およびその理由を説明する。第四に、成分である化合物の好ましい形態を説明する。第五に、成分である化合物の具体的な例を示す。第六に、成分である化合物の合成法を説明する。

第一に、組成物における成分の構成を説明する。本発明の組成物は、第一成分である６−メチル−２，３−ジフロロ−１，４−フェニレンの構造を有する化合物（１）を必須成分とする液晶組成物である。第一成分、第二成分、第三成分である化合物（３）および第三成分である化合物（４）および（５）の組み合わせは８とおりである。これをタイプ１〜タイプ８に分類して表２にまとめる。表２においてマル印は該当する化合物が成分であることを意味する。空欄は該当する化合物が成分でないことを意味する。例えば、タイプ３は化合物（１）および化合物（３）が組成物に含有される成分であることを意味する。

表２．化合物の組み合わせ例

本発明の組成物には表２以外の液晶性化合物を含有してもよい。例えば、表２のタイプ（３）は化合物（１）および（３）が含有しているが、化合物（２）、（４）および（５）は含まれていない組成例である。そして、このタイプ（３）には化合物（１）〜（５）でない液晶性化合物を含有してもよい。

第一成分は化合物（１）の群から選択された少なくとも１つの化合物である。この場合、化合物（１）は、単一の化合物であってもよいし、または複数の化合物であってもよい。この規則は他の式で表される化合物にも適用される。好ましい第一成分は、化合物（１−１−１）〜（１−１−４）、（１−２−１）〜（１−２−４）などである。第二成分は化合物（２−１）〜（２−３）の群から選択された少なくとも１つの化合物である。好ましい第二成分は、化合物（２−１−１）、（２−１−２）、（２−２−１）、（２−２−２）、（２−３−１）などである。第三成分は化合物（３）〜（５）の群から選択された少なくとも１つの化合物である。好ましい第三成分は、化合物（３−１−１）、（３−２−１）、（３−２−２）、（４−１−１）、（４−２−１）、（４−２−２）、（５−１−１）、（５−２−１）などである。

本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の化合物をさらに含有してもよい。「その他の化合物」は液晶性化合物、添加物、不純物などである。この液晶性化合物は化合物（１）〜（５）とは異なる。この液晶性化合物は、特性を調整する目的で組成物に混合される。この添加物は光学活性な化合物、色素、紫外線吸収剤、酸化防止剤などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。ＧＨ（guest host）モードを有する素子に適合させるために色素が組成物に混合される。液晶やＡＭ素子の劣化を防止するために紫外線吸収剤や酸化防止剤が組成物に混合される。不純物は化合物の合成や組成物の調製のような工程において混入した化合物などである。

組成物Ｂは、実質的に化合物（１）〜(５)から選択された化合物のみからなる。「実質的に」は、これらの化合物とは異なる液晶性化合物を組成物Ｂが含有しないことを意味する。「実質的に」は、添加物、不純物などを組成物Ｂがさらに含有してもよいことを意味する。これらの化合物に含まれていた不純物、光学活性な化合物、色素、紫外線吸収剤、酸化防止剤などの化合物を組成物Ｂがさらに含有してもよいことも意味する。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。組成物Ｂはコストの観点から組成物Ａよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって物性をさらに調整できるので、組成物Ａは組成物Ｂよりも好ましい。

紫外線吸収剤の例は、ベンゾフェノン、ベンゾエート、トリアゾールなどである。ベンゾフェノンの例は、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノンなどである。ベンゾエートの例は、２，４−ジ−tert−ブチルフェニル−３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートなどである。トリアゾールの例は、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−テトラヒドロキシフタルイミド−メチル）−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾール、２−（３−tert−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾールなどである。

酸化防止剤の例は、フェノール、有機硫黄化合物などである。フェノールの例は、３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシトルエン、２，２’−メチレンビス（６−tert−ブチル−４−メチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（６−tert−ブチル−３−メチルフェノール）、２，６−ジ−tert−ブチル−４−（２−オクタデシルオキシカルボニル）エチルフェノール、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］などである。有機硫黄化合物の例は、ジラウリル−３，３’−チオプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、２−メルカプトベンズイミダゾールなどである。

紫外線吸収剤または酸化防止剤のような添加物は目的を達するためには多い量が好ましい。しかし、多過ぎる量の添加物は組成物の一般的特性には好ましくない。組成物を加熱したとき、多い量の酸化防止剤は比抵抗の低下を防止できる。しかし、多過ぎる量の酸化防止剤は組成物の上限温度を下げることがある。好ましい紫外線吸収剤または酸化防止剤の割合は、組成物の全重量に基づいて例えば１０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍである。好ましい割合は３０〜３００ｐｐｍである。さらに好ましい割合は４０〜２００ｐｐｍである。

第二に、成分である化合物の主要な特性、および化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。化合物の主要な特性を表３にまとめる。表３の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、そしてＳは小さいまたは低いを意味する。０は誘電率異方性がほぼゼロである（または極めて小さい）ことを意味する。Ｌ、ＭおよびＳの記号は、これらの化合物における相対的な評価である。

表３．化合物の特性

１）化合物の誘電率異方性は負である。

成分化合物が組成物に及ぼす主要な効果は以下の通りである。第一成分は、６−メチル−２，３−ジフロロ−１，４−フェニレンの構造を有し、６位のメチル基が化合物の誘電率異方性を負に大きくし、組成物の下限温度を特に下げ、そして誘電率異方性を負に大きくする効果を有する。化合物（１）は、組成物の下限温度を特に下げ、上限温度を下げ、粘度を大きくし、光学異方性を適度にし、そして誘電率異方性を負に大きくする。第二成分は、組成物の粘度を小さくし、誘電率異方性を負に小さくする効果を有する。化合物（２−１）は、組成物の下限温度を下げ、上限温度を下げ、粘度を特に小さくし、光学異方性を小さくし、そして誘電率異方性を負に小さくする。化合物（２−２）は、組成物の上限温度を上げ、粘度を小さくし、そして誘電率異方性を負に小さくする。化合物（２−３）は、組成物の上限温度を特に上げ、粘度を小さくし、光学異方性を大きくし、そして誘電率異方性を負に小さくする。第三成分は、組成物の誘電率異方性を負に大きくする効果を有する。化合物（３）は、組成物の粘度を大きくし、そして誘電率異方性を負に大きくする。化合物（４）は、組成物の粘度を大きくし、そして誘電率異方性を特に負に大きくする。化合物（５）は、組成物の下限温度を下げ、粘度を大きくし、光学異方性を大きくし、そして誘電率異方性を負に大きくする。

第三に、成分の好ましい割合およびその理由を説明する。第一成分は化合物（１）である。第一成分の好ましい割合は、下限温度を下げるおよび誘電率異方性を負に大きくするために、またはしきい値電圧を下げるために５重量％以上であり、そして下限温度を下げるために９０重量％以下である。さらに好ましい割合は１０〜７５重量％である。さらに好ましい割合は３０〜９５重量％でもある。特に好ましい割合は５０〜９０重量％である。第二成分は、化合物（２）である。第二成分の好ましい割合は、粘度を小さくするために５重量％以上であり、そして誘電率異方性を負に大きくするために、またはしきい値電圧を下げるために７５重量％以下である。さらに好ましい割合は、５重量％〜５０重量％である。さらに好ましい割合は、５重量％〜７０重量％でもある。特に好ましい割合は１１０〜５０重量％である。第三成分は化合物（３）〜（５）である。第三成分の好ましい割合は、誘電率異方性を負に大きくするために、またはしきい値電圧を下げるために１０重量％以上であり、そして下限温度を下げるために９０重量％以下である。さらに好ましい割合は２０〜８０重量％である。さらに好ましい割合は１０〜７０重量％でもある。

第四に成分である化合物の好ましい形態を説明する。成分である化合物の化学式において、Ｒ^１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物同士において、複数のＲ^１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（１−１−１）のＲ^１がアルキルであり、化合物（２−１−１）のＲ^１がアルケニルであるケースがある。このルールは、Ｒ^２、Ａ、Ｂ、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｘ^１、Ｘ^２またはｎの記号についても適用する。

Ｒ^１は炭素数１〜１０のアルキルまたは、炭素数２〜１０のアルケニルである。Ｒ^２は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜１０のアルコキシである。
好ましいＲ_１は炭素数１〜８のアルキルまたは、炭素数２〜６のアルケニルである。好ましいＲ^２は炭素数１〜８のアルキル、炭素数２〜６のアルケニルまたは炭素数１〜８のアルコキシである。

好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。さらに好ましいアルキルは、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、またはヘプチルである。

好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、または５−ヘキセニルである。さらに好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、３−ブテニル、または３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。

好ましいアルコキシは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、またはヘプチルオキシである。さらに好ましいアルコキシは、メトキシまたはエトキシである。

成分である化合物において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、シスよりもトランスが好ましい。環Ｂに関する「任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン」は、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１、４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３，５−トリフルオロ−１，４−フェニレン、または２，３，５，６−テトラ−１，４−フェニレンである。好ましいＢは１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。さらに好ましい基は１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−１，４−フェニレンである。２−フルオロ−１，４−フェニレンは３−フルオロ−１、４−フェニレンと同一であるので、後者は例示しなかった。この規則は、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンと３，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンとの関係、２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−１，４−フェニレンと３−ジフルオロメチル−２−フルオロ−１，４−フェニレンとの関係などにも適用される。例えば、化合物（４）には、２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−１，４−フェニレンを有する化合物も含まれる。

Ｚ^１は独立して単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−である。好ましいＺ^１は単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−である。Ｚ^２は独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２―、―Ｃ_２Ｈ_４ＣＦ_２Ｏ−または−ＯＣＦ_２Ｃ_２Ｈ_４−である。好ましいＺ^２は−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２―または−ＯＣＦ_２Ｃ_２Ｈ_４−である。さらに好ましいＺ^２は−ＯＣＦ_２Ｃ_２Ｈ_４−である。

Ｘ^１およびＸ^２の一方はフッ素であり、他方は−ＣＦ_２Ｈである。Ｘ^１が−Ｆの場合Ｘ^２は−ＣＦ_２Ｈであり、Ｘ^１が−ＣＦ_２Ｈの場合Ｘ^２は−Ｆである。好ましいＸ^１およびＸ^２は、Ｘ^１が−ＦでＸ^２が−ＣＦ_２Ｈ、または、Ｘ^１が−ＣＦ_２ＨでＸ^２が−Ｆある。特に好ましいＸ^１およびＸ^２は、Ｘ^１が−Ｆであり、Ｘ^２が−ＣＦ_２Ｈある。

第五に、成分である化合物の具体例を示す。好ましい化合物（１）は、化合物（１−１−１）〜（１−１−４）および（１−２−１）〜（１−２−８）である。より好ましい化合物（１）は、化合物（１−１−１）〜（１−１−４）および（１−２−１）〜（１−２−４）などである。特に好ましい化合物（１）は、化合物（１−１−１）〜（１−１−３）および（１−２−１）〜（１−２−３）などである。

好ましい化合物（２）は、化合物（２−１−１）、（２−１−２）、（２−２−１）、（２−２−２）および（２−３−１）〜（２−３−４）などである。より好ましい化合物（２）は、化合物（２−１−１）、（２−１−２）、（２−２−１）、（２−２−２）および（２−３−１）などである。特に好ましい化合物（２）は化合物（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）などである。

好ましい化合物（３）は、化合物（３−１−１）、（３−２−１）および（３−２−２）である。より好ましい化合物（３）は、化合物（３−１−１）および（３−２−１）などである。

好ましい化合物（４）は、化合物（４−１−１）〜（４−１−５）および（４−２−１）〜（４−２−８）などである。より好ましい化合物（４）は、化合物（４−１−１）、（４−２−１）および（４−２−２）などである。特に好ましい化合物（４）は化合物（４−１−１）および（４−２−１）などである。

好ましい化合物（５）は、化合物（５−１−１）〜（５−１−３）および（５−２−１）〜（５−２−３）などである。より好ましい化合物（５）は、化合物（５−１−１）および（５−２−１）〜（５−２−３）などである。特に好ましい化合物（５）は化合物（５−１−１）および（５−２−１）などである。

これらの具体例の化合物および好ましい化合物において、Ｒ^１などによって表される具体的な基は同一であってもよいし、または異なってもよい。この規則はすでに記載した。

Ｒ^１は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルである。好ましいＲ^１は炭素数１〜８のアルキルまたは、炭素数２〜６のアルケニルである。Ｒ^２は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシである。好ましいＲ^２は炭素数１〜８のアルキル、炭素数２〜６のアルケニルまたは炭素数１〜８のアルコキシである。さらに好ましいアルキル、アルケニル、またはアルコキシはすでに記載したとおりである。これらアルケニルにおいて、−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、すでに記載したとおりである。これらの好ましい化合物において１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はシスよりもトランスが好ましい。

第六に、成分である化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（１）は特開平１０−２９１９４５号公報に記載された方法を修飾することによって合成する。化合物（２−１−１）は特開昭５９−７０６２４号公報または特開昭６０−１６９４０号公報に記載された方法によって合成する。化合物（３−１−１）および（３−２−１）などは、特開平６−２２８０３７号公報に記載された方法を修飾することによって合成する。化合物（４−１−１）および（４−２−１）などは、国際公開００／３９０６３号パンフレット（ＵＳ６５７６３０３Ｂ１）に記載された方法を修飾することによって合成する。化合物（５−１−１）および（５−２−１）などは、特開平９−２７８６９８号公報または特開２００３−２８５８に記載された方法を修飾することによって合成する。

合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Synthesis, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクション（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。組成物は、このようにして得た化合物から公知の方法によって調製される。例えば、成分である化合物を混合し、加熱によって互いに溶解させる。

本発明の組成物は、主として０．０５〜０．１１の光学異方性および−６．５〜−１．５の誘電率異方性を有する。好ましい誘電率異方性は、−５．０〜−２．５の範囲である。成分である化合物の割合を制御することによって、またはその他の化合物を混合することによって、０．０５〜０．１８の光学異方性を有する組成物、さらには０．０５〜０．２０の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。したがって、この組成物はＶＡモード、ＩＰＳモードなどを有するＡＭ素子に適する。この組成物はＶＡモードを有するＡＭ素子に特に適する。

ＴＮモード、ＶＡモードなどを有する素子における電場の方向は、基板の法線方向に対して垂直である。一方、ＩＰＳモードなどを有する素子における電場の方向は、基板の法線方向に対して平行である。ＶＡモードを有する素子の構造は、K. Ohmuro, S. Kataoka, T. Sasaki and Y. Koike, SID '97 Digest of Technical Papers, 28, 845 (1997)に報告されている。ＩＰＳモードを有する素子の構造は、国際公開９１／１０９３６号（ＵＳ５５７６８６７）に報告されている。本発明の組成物は、これらの素子にも適する。

この組成物はＡＭ素子だけでなくＰＭ素子にも使用することが可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＯＣＢなどのモードを有する素子に使用できる。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。この組成物はマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、ＰＮ（polymer network）素子のような、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子などにも使用できる。
（実施例）

実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。実施例における化合物は、下記の表４の定義に基づいて記号により表した。表４において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する、（−）の記号はその他の化合物を意味する。化合物の割合（百分率）は、組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の特性値をまとめる。

表４．記号を用いた化合物の表記方法
Ｒ−（Ａ_１）−Ｚ_１−……−Ｚ_ｎ−（Ａ_ｎ）−Ｘ

組成物は、液晶性化合物などの成分の重量を測定してから混合することによって調製される。したがって、成分の重量％を算出するのは容易である。しかし、組成物をガスクロマト分析することによって成分の割合を正確に算出するのは容易でない。補正係数が液晶性化合物の種類に依存するからである。幸いなことに補正係数はほぼ１である。さらに、成分化合物における１重量％の差異が組成物の特性に与える影響は小さい。したがって、本発明においてはガスクロマトグラフにおける成分ピークの面積比を成分化合物の重量％と見なすことができる。つまり、ガスクロマト分析の結果（ピークの面積比）は、補正することなしに液晶性化合物の重量％と等価であると考えてよいのである。

試料が組成物のときはそのまま測定し、得られた値を記載した。試料が化合物のときは、１５重量％の化合物および８５重量％の母液晶を混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法よって化合物の特性値を算出した。外挿値＝（試料の測定値−０．８５×母液晶の測定値）／０．１５。この割合でスメクチック相（または結晶）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶の割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、および誘電率異方性の値を求めた。

母液晶の組成は下記のとおりである。

特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型回転粘度計を用いた。

回転粘度（γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料を入れた。この素子に３０ボルトから５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性は、下記の誘電率異方性で測定した値を用いた。

光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。

誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５．０μｍであり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧である。

電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃と１００℃で測定；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は６μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。２５℃で測定して得られた電圧保持率をＶＨＲ−１で表した。１００℃で測定して得られた電圧保持率をＶＨＲ−２で表した。次に、このＴＮ素子を１００℃、２５０時間加熱した。ＶＨＲ−３は、加熱後の素子を２５℃で測定して得られた電圧保持率である。ＶＨＲ−４は、加熱後の素子を１００℃で測定して得られた電圧保持率である。ＶＨＲ−１およびＶＨＲ−２は、初期段階における評価に相当する。ＶＨＲ−３およびＶＨＲ−４は、素子を長時間使用した後の評価に相当する。

応答時間（τ；２５℃で測定；ミリ秒）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５．０μｍであり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、５Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である。立ち上がり時間（τｒ：rise time）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。立下がり時間（τｆ：fall time）は透過率１０％から９０％に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立上がり時間と立下り時間との和である。

ガスクロマト分析：測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍｌ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１重量％）に調製したあと、その１μｌを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。

試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。成分化合物の重量％は各ピークの面積比と完全には同一ではない。しかし、本発明においては、これらのキャピラリカラムを用いるときは、成分化合物の重量％は各ピークの面積比と同一であると見なしてよい。成分化合物における補正係数に大きな差異がないからである。
（比較例）

３−ＨＨ−４（２−１−１）７％
３−ＨＨ−４（２−１−１）６％
３−ＨＢ−Ｏ１（２−１−２）８％
５−ＨＢ−３（２−１−２）９％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１４％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−２−１）１４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−２−１）１４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２−１）８％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２−１）８％
ＮＩ＝６７．９℃；Ｔｃ＜−１０℃；Δｎ＝０．０８０；Δε＝−３．０；η＝１９．９ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．３％

３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）１４％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）１４％
５−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−２）５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−４）３％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−１）１１％
５−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−１）１１％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）１１％
５−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）１１％
Ｖ２−ＨＨＶＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−３）４％
３−ＨＨＶＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−３）８％
５−ＨＨＶＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−３）８％
ＮＩ＝７３．２℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８６；Δε＝−４．６；ＶＨＲ−１＝９９．２％

３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）１５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）１５％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−１）１１％
５−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−１）１１％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）１１％
５−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）１１％
３−ＨＨ−Ｖ１（２−１−１）６％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２−１）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−２−１）１０％
ＮＩ＝８１．６℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８３；Δε＝−３．４；ＶＨＲ−１＝９９．４％

３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）１０％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）１０％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）８％
５−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）８％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−２−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−２−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２−１）１０％
ＮＩ＝７１．３℃；Ｔｃ＜−３０℃；Δｎ＝０．０８６；Δε＝−４．５；η＝３６．６ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．２％

３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）１０％
５−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）１０％
３−ＨＨＶＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−３）８％
３−ＨＨ−４（２−１−１）７％
３−ＨＨ−４（２−１−１）６％
３−ＨＢ−Ｏ１（２−１−２）８％
５−ＨＢ−３（２−１−２）９％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１４％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２−１）８％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２−１）８％
ＮＩ＝７４．２℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８２；Δε＝−３．４；η＝２６．３ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．４％

３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）５％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−１）５％
５−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−１）５％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）８％
５−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）８％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）２０％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−１−２）８％
３−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（４−２−５）８％
５−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（４−２−５）８％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（５−２−１）１０％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（５−２−１）１０％
ＮＩ＝８０．３℃；Ｔｃ＜−３０℃；Δｎ＝０．０８９；Δε＝−３．７；η＝３３．３ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．３％

３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−１）１０％
５−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−１）１０％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）１８％
３−ＨＨ−Ｖ１（２−１−１）７％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−１−２）６％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２−１）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−２−１）８％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−２（２−３−１）３％
５−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（４−１−１）５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ４（４−１−１）３％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（４−２−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（４−２−１）１０％
ＮＩ＝９０．１℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８０；Δε＝−３．２；η＝３９．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．４％

３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）８％
５−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）８％
２−ＨＨ−５（２−１−１）５％
３−ＨＨ−４（２−１−１）１５％
３−ＨＨ−５（２−１−１）８％
３−ＨＨＢ−１（２−２−１）５％
３−ＨＨＢ−３（２−２−１）５％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（２−２−１）３％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−１−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２−１）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２−２）５％
３−ＨＨ１ＯＨ−３（−）３％
３−ＨＢ（３Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（−）５％
３−ＨＢ（２Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（−）５％
ＮＩ＝８８．１℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０７８；Δε＝−３．４；η＝２４．７ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．４％

３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）４％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−１）８％
３−ＨＨ−４（２−１−１）６％
３−ＨＨ−５（２−１−１）６％
３−ＨＨＢ−３（２−２−１）２％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１４％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１−１）１２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−２−１）１３％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−２−１）１３％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（５−２−１）１１％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（５−２−１）１１％
ＮＩ＝７３．２℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８７；Δε＝−３．７；η＝２９．０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．３％

３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）６％
Ｖ２−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）６％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−３（１−２−１）８％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−１）８％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ４（１−２−１）８％
３−ＨＨ−Ｖ１（２−１−１）８％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）２６％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−１−２）８％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２−１）８％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−２−１）８％
３−ＨＨＢ−３（２−２−１）６％
ＮＩ＝８０．２℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０７０；Δε＝−１．７；ＶＨＲ−１＝９９．４％

３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）１０％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−１−１）１０％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−１）８％
５−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−１）８％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）８％
５−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ，６Ｍｅ）−Ｏ２（１−２−２）８％
３−ＨＨ−Ｖ１（２−１−１）６％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）１３％
３−ＨＨ−Ｏ２（２−１−２）６％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２−１）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（２−２−１）１０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（２−２−１）３％
ＮＩ＝８３．７℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０７８；Δε＝−２．４；ＶＨＲ−１＝９９．３％

Claims

第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第二成分として式（２−１）〜（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｚ ^１は独立して単結合、−Ｃ _２Ｈ _４ −、−ＣＨ _２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；環Ａは独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；環Ｂは独立して１，４−フェニレンまたは任意の水素がフッ素に置き換えられた１，４−フェニレンであり；ｎは独立して０または１である。
液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が３０〜９５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜７０重量％の範囲である、請求項１に記載の液晶組成物。
第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（３）〜（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、さらに負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｚ^１は独立して単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；Ｚ^２は独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２―、―Ｃ_２Ｈ_４ＣＦ_２Ｏ−または−ＯＣＦ_２Ｃ_２Ｈ_４−であり；環Ａは独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｘ^１およびＸ^２の一方は−Ｆであり、他方は−ＣＦ_２Ｈであり；ｎは独立して０または１である。
液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０〜９０重量％の範囲であり、第三成分の割合が１０〜９０重量％の範囲である、請求項３に記載の液晶組成物。
第一成分が式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｚ^１は独立して単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；ｎは独立して０または１である。
第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−１）〜（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（３）〜（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシであり；Ｚ^１は独立して単結合、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；Ｚ^２は独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２―、―Ｃ_２Ｈ_４ＣＦ_２Ｏ−または−ＯＣＦ_２Ｃ_２Ｈ_４−であり；環Ａは独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；環Ｂは独立して１，４−フェニレンまたは任意の水素がフッ素に置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｘ^１およびＸ^２の一方は−Ｆであり、他方は−ＣＦ_２Ｈであり；ｎは独立して０または１である。
液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０〜８５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜７５重量％の範囲であり、第三成分の割合が１０〜８５重量％の範囲である、請求項６に記載の液晶組成物。
第一成分が式（１−１−１）〜（１−１−４）および（１−２−１）〜（１−２−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシである。
第二成分が式（２−１−１）、（２−１−２）、（２−２−１）、（２−２−２）および（２−３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１、２および５〜８のいずれか１項に記載の液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシである。
第三成分が式（３−１−１）、（３−２−１）、（３−２−２）、（４−１−１）、（４−２−１）、（４−２−２）、（５−１−１）および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項３〜９のいずれか１項に記載の液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシである。
第一成分として式（１−１−１）〜（１−１−４）および（１−２−１）〜（１−２−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−１−１）、（２−１−２）、（２−２−１）、（２−２−２）、および（２−３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（３−１−１）、（３−２−１）、（３−２−２）、（４−１−１）、（４−２−１）、（４−２−２）、（５−１−１）、および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシである。
液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０〜８５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜７５重量％の範囲であり、第三成分の割合が１０〜８５重量％の範囲である、請求項１１に記載の液晶組成物。
第一成分が請求項１１記載の式（１−１−１）〜（１−１−３）および（１−２−１）〜（１−２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の液晶組成物。
第二成分が請求項１１記載の式（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する請求項４、５および５〜１３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
第三成分が請求項１１記載の式（３−１−１）、（３−２−１）、（４−１−１）、（４−２−１）、（５−１−１）、および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する請求項３〜１４のいずれか１項に記載の液晶組成物。
第一成分として式（１−１−１）〜（１−１−３）および（１−２−１）〜（１−２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（３−１−１）、（３−２−１）、（４−１−１）、（４−２−１）、（５−１−１）、および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシである。
液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分での割合が１０〜８５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜６０重量％の範囲であり、第三成分の割合が１０〜８０重量％の範囲である、請求項１６に記載の液晶組成物。
第一成分として式（１−１−１）〜（１−１−３）および（１−２−１）〜（１−２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（３−１−１）および（３−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシである。
液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０〜８５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜６０重量％の範囲であり、第三成分の割合が１０〜７０重量％の範囲である、請求項１８に記載の液晶組成物。
第一成分として式（１−１−１）〜（１−１−３）および（１−２−１）〜（１−２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（４−１−１）、（４−２−１）、（５−１−１）、および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシである。
液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０〜８５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜５０重量％の範囲であり、第三成分の割合が１０〜８０重量％の範囲である、請求項２０に記載の液晶組成物。
第一成分として式（１−１−１）〜（１−１−３）および（１−２−１）〜（１−２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３−１−１）および（３−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第三成分として式（４−１−１）、（４−２−１）、（５−１−１）、および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシである。
液晶化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が１０〜７５重量％の範囲であり、第二成分の割合が５〜５０重量％の範囲であり、第三成分のうち式（３−１−１）および（３−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物の割合が１０〜７０重量％の範囲であり、第三成分のうち式（４−１−１）、（４−２−１）、（５−１−１）、および（５−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物の割合が１０〜７０重量％の範囲である、請求項２２に記載の液晶組成物。
第一成分として式（１−１−１）、（１−２−１）および（１−２−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有し、第二成分として式（２−１−１）、（２−１−２）および（２−２−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

ここで、Ｒ^１は独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｒ^２は独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜９のアルコキシである。
液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分の割合が５０〜９０重量％の範囲であり、第二成分の割合が１０〜５０重量％の範囲である、請求項２４に記載の液晶組成物。
液晶組成物の誘電率異方性の値が−６．５〜−１．５の範囲である請求項１〜２５のいずれか１項に記載の液晶組成物。
請求項１〜２６のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
液晶表示素子がＶＡモードまたはＩＰＳモードを有し、そしてアクティブマトリックスで駆動される請求項２７に記載の液晶表示素子。
請求項１〜２６のいずれか１項記載の液晶組成物を、ＶＡモードまたはＩＰＳモードを有し、そしてアクティブマトリックスで駆動される液晶表示素子に使用する方法。