JP4857232B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体の製造方法に関する。

近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤ（ハードディスクドライブ）は、高記録密度化の一途を辿っている。ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するためには、情報信号の記録を担う磁気記録層を形成する磁性結晶粒子を微細化すると共に、その層厚を低減していく必要があった。ところが、従来から商業化されている面内磁気記録方式（長手磁気記録方式、水平磁気記録方式とも呼称される）の磁気ディスクの場合、磁性結晶粒子の微細化が進展した結果、超常磁性現象により記録信号の熱的安定性が損なわれ、記録信号が消失してしまう、いわゆる熱揺らぎ現象が発生するようになり、磁気ディスクの高記録密度化への阻害要因となっていた。

この阻害要因を解決するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスクが提案されている。垂直磁気記録方式の場合では、面内磁気記録方式の場合とは異なり、磁気記録層の磁化容易軸は基板面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて保磁力Ｈｃが高く、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。例えば、特開２００２−９２８６５号公報（特許文献１）では、基板上に下地層、Ｃｏ系垂直磁気記録層、保護層をこの順で形成してなる垂直磁気記録媒体に関する技術が開示されている。また、米国特許第６４６８６７０号明細書（特許文献２）には、粒子性の記録層に交換結合した人口格子膜連続層（交換結合層）を付着させた構造からなる垂直磁気記録媒体が開示されている。

特許文献１に記載されているように、垂直磁気記録媒体においては磁気記録層の下方に軟磁性層が設けられ、記録ヘッドから軟磁性層を経て記録ヘッドへと戻る閉磁路が形成されることにより、磁気記録層に高い記録磁界を印加する手法が一般的に採られている。これにより、記録トラックに強い磁界を加えることが可能となるが、同時に隣接トラックへの漏れ磁界も大きくなることから、ＷＡＴＥ（Wide Area Track Erasure）、すなわち、書込みの対象となるトラックを中心に数μｍにわたって記録情報が消失する現象が問題となる。この問題は、隣接トラックが接近する（つまり、高記録密度の）フォーマットにおいて特に顕在化する。

ＷＡＴＥを低減させる手法として、磁気記録層の逆磁区核形成磁界Ｈｎを負とし、さらにその絶対値を大きくすることが重要といわれている。高い（絶対値の大きい）Ｈｎを得るために、グラニュラー構造を有する磁気記録層の上方又は下方に高い垂直磁気異方性を示す薄膜（連続層）が形成されたＣＧＣ（Coupled Granular Continuous）媒体が考案されていることは、特許文献２に記載されているとおりである。ここでグラニュラー構造とは、磁性粒子と非磁性粒子がそれぞれ連続して成長することにより、結晶学的につながった結晶粒子の間に粒界部を形成する非磁性領域を備えた構造である。ＣＧＣ媒体は、この磁気的に分離性の良いグラニュラー層と連続層との間の交換結合作用により、高いＨｎを得ている。
特開２００２−９２８６５号公報 米国特許第６４６８６７０号明細書

磁気記録層は、スパッタリング法によって形成される場合が多い。スパッタリング法は、不活性ガス（主としてＡｒ）の雰囲気中でターゲットと基板との間に高電圧をかけ、イオン化した不活性ガスをターゲットに衝突させ、飛ばされたターゲットの原子によって基板に成膜する方法である。

このとき、高いＨｃおよび大きなＨｎを得るためには、雰囲気ガスの圧力を１０気圧程度と高くすることが好ましい。このとき形成される膜は結晶構造が疎であり、磁性粒子の間の磁気的な分離が比較的進んでいる。このためＨｃ、Ｈｎ、およびＳＮ比（Signal-Noise Ratio）は高い値を示すが、耐衝撃性は低くなってしまう。また、圧力を高くすることにより、膜の表面粗さが大きくなるという問題がある。

一方、雰囲気ガスの圧力を低くすると緻密な膜が形成され、耐衝撃性は高い。また、膜の表面粗さは小さくなる。その代わり強磁性結晶粒子の磁気的な分離が不十分となり、ＨｃやＨｎは低く、またＳＮ比も低くなってしまうという問題がある。

そこで本発明は、高い保磁力Ｈｃや逆磁区核形成磁界Ｈｎを維持しつつ、耐衝撃性を高めることの可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的としている。

上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、基板上に少なくとも第１磁気記録層、第２磁気記録層を備える垂直磁気記録方式の磁気記録媒体の製造方法において、第１磁気記録層および第２磁気記録層は連続して成長した結晶粒子の間に粒界部を形成する非磁性領域を備えたグラニュラー構造の強磁性層であって、基板側の第１磁気記録層は高圧の雰囲気ガス圧でスパッタリング法を用いて成膜し、基板から離れて形成する第２磁気記録層は低圧の雰囲気ガス圧でスパッタリング法を用いて成膜することを特徴とする。上記構成によれば、第１磁気記録層によって高い保磁力Ｈｃや逆磁区核形成磁界Ｈｎを維持しつつ、第２磁気記録層によって高い耐衝撃性を有する磁気記録媒体を得ることができる。また第1磁気記録層と第２磁気記録層との間で結晶粒の交換結合が生じるため、磁気記録層の上層に連続層が不要となる。

第１磁気記録層の雰囲気ガス圧は、３Ｐａ〜１０Ｐａの高圧とすることができる。かかる範囲の圧力の雰囲気ガスにより、高いＨｃおよびＨｎを得ることができる。

第２磁気記録層の雰囲気ガス圧は、０．６Ｐａ〜３Ｐａの低圧とすることができる。さらに好ましくは０．８〜２Ｐａである。０．６Ｐａより低くするとプラズマ放電が不安定となるため好ましくなく、また３Ｐａより高くすると衝撃性が低下してしまう。かかる範囲の圧力の雰囲気ガスにより、高い耐衝撃性を得ることができる。

第１磁気記録層および第２磁気記録層は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜することができる。スパッタリング法の中でもＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いることにより、好適に磁気記録層を成膜することができる。

本発明によれば、高い保磁力Ｈｃや逆磁区核形成磁界Ｈｎを維持しつつ、耐衝撃性を高めることの可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。

［第1実施例］
本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の実施例について説明する。図１は本実施例に係る垂直磁気記録媒体の構成を説明する図、図２は雰囲気ガス圧と保磁力Ｈｃの関係を示す図、図３は実施例および比較例の各種特性を説明する図である。なお、以下の実施例に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。

図１に示す垂直磁気記録媒体は、基板の例としてのディスク基体１、付着層２、軟磁性層３、下地層４、第１磁気記録層５、第２磁気記録層６、カップリング制御層７、交換エネルギー制御層８（Continuous層）、媒体保護層９、潤滑層１０で構成されている。

まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１を得た。

得られたディスク基体１上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリング法にて、付着層２から交換エネルギー制御層８まで順次成膜を行い、媒体保護層９はＣＶＤ法により成膜した。この後、潤滑層１０をディップコート法により形成した。以下、各層の構成および製造方法について説明する。

付着層２は１０ｎｍのＴｉ合金層となるように、Ｔｉ合金ターゲットを用いて成膜した。付着層２を形成することにより、ディスク基体１と軟磁性層３との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層３の剥離を防止することができる。付着層２の材料としては、例えばＴｉ含有材料を用いることができる。実用上の観点からは付着層の膜厚は、１ｎｍ〜５０ｎｍとすることが好ましい。

軟磁性層３は５０ｎｍのアモルファスＣｏＴａＺｒ層となるように、ＣｏＴａＺｒターゲットを用いて成膜した。下地層４はＲｕからなり、磁気記録層５の結晶配向性を改善するために形成される。

第１磁気記録層５および第２磁気記録層６は、非磁性物質の例としての酸化珪素（ＳｉＯ_２）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いてｈｃｐ結晶構造を形成した。これにより第１磁気記録層５および第２磁気記録層６は、連続して成長した結晶粒子の間に粒界部を形成する非磁性領域を備えたグラニュラー構造の強磁性層となる。

基板側の第１磁気記録層５は高圧の雰囲気ガス圧で成膜し、基板から離れて形成する第２磁気記録層６は低圧の雰囲気ガス圧で成膜する。なお、第１磁気記録層５と第２磁気記録層６とは同じ材料（ターゲット）でもよいが、組成や種類の異なる材料であってもよい。なお非磁性領域を形成するための非磁性物質としては、例えば酸化珪素（ＳｉＯ_ｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ_Ｘ）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ_２）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）を例示できる。

第１磁気記録層５の雰囲気ガス圧は、３Ｐａ〜１０Ｐａの高圧とすることができる。図２を参照すれば、スパッタリング中の雰囲気ガスの圧力によって、保磁力Ｈｃが大きく異なることがわかる。そして、種類の異なる材料を用いた場合であっても、上記範囲の圧力の雰囲気ガスによって成膜することにより、高いＨｃおよびＨｎを得ることができる。第２磁気記録層６の雰囲気ガス圧は、０．６Ｐａ〜３Ｐａの低圧とすることができる。かかる範囲の圧力の雰囲気ガスにより、高い耐衝撃性を得ることができる。

ここで図３に示すように、実施例１として第１磁気記録層５を３Ｐａの高圧雰囲気下で８ｎｍの膜厚で形成し、第２磁気記録層６を１Ｐａの低圧雰囲気下で６ｎｍの膜厚で成膜した。そして比較例１として磁気記録層を３Ｐａの高圧雰囲気下で１４ｎｍの膜厚で形成し（すなわち全膜厚が第１磁気記録層の構成である）、比較例２として１Ｐａの低圧雰囲気下で１４ｎｍの膜厚で形成した（すなわち全膜厚が第２磁気記録層の構成である）。

カップリング制御層７は、Ｐｄ（パラジウム）層により形成した。カップリング制御層７はＰｄ層の他にＰｔ層で形成することもできる。カップリング制御層７の膜厚は２ｎｍ以下が好ましく、さらに望ましくは０．５〜１．５ｎｍである。交換エネルギー制御層８はＣｏＢとＰｄとの交互積層膜からなり、低Ａｒガスで形成した。交換エネルギー制御層８の膜厚は１〜８ｎｍが好ましく、望ましくは３〜６ｎｍである。

媒体保護層９は、Ａｒに水素を３０％含有させた混合ガス中で、プラズマＣＶＤ法により膜厚３．５ｎｍの水素化カーボンからなる媒体保護層９を形成した。潤滑層１０は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜した。潤滑層１０の膜厚は約１ｎｍである。

以上の製造工程により、垂直磁気記録媒体が得られた。得られた垂直磁気記録ディスクにおける第１磁気記録層５、第２磁気記録層６を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を利用して詳細に分析したところ、グラニュラー構造を備えていた。具体的には、Ｃｏを含有するｈｃｐ結晶構造の結晶粒子の間に、酸化珪素からなる粒界部分が形成されていることを確認した。なお、比較例１、比較例２の構成も同様にグラニュラー構造を備えていた。

［評価］
上記の実施例１、比較例１、比較例２について、各種の特性について比較を行った。図３に示すように、実施例１の構成では、高いＳＮ比、良好な上書き特性（オーバーライト特性：Ｏ／Ｗ）、および高い耐衝撃性を示した。これに対し比較例１では、ＳＮ比と上書き特性は良好であったが、耐衝撃性が低かった。比較例２では、耐衝撃性は高かったが、ＳＮ比と上書き特性が低かった。

また保磁力Ｈｃに着目すれば、高圧の雰囲気ガスで成膜した比較例１の場合が５４００エルステッド（Ｏｅ）と最も高かったが、実施例１の場合も４３００エルステッドであり、比較例２の場合の３７００エルステッドより高かった。逆磁区核形成磁界Ｈｎに至っては、比較例１の２０００エルステッド、比較例２の１５００エルステッドに比べて、実施例１の場合が２３００エルステッドともっとも高かった（Ｈｎは絶対値）。

すなわち、本実施例に係る垂直磁気記録媒体においては、磁気記録層を２段階成膜プロセスとし、高圧雰囲気下で成膜した第１磁気記録層５により磁気独立性のよい高い記録再生特性を備え、低圧雰囲気下で成膜した第２磁気記録層６により高い耐衝撃性を備えることができる。また、基板の表層側の第２磁気記録層６を低圧雰囲気下で成膜することにより、表面粗さも低く抑えることができる。

さらに、第１磁気記録層５と第２磁気記録層６との間で結晶流の交換結合が生じるため、磁気記録層の上層に連続層であるカップリング制御層７および交換エネルギー制御層８を必ずしも必要としない。これら連続層を設けないことにより、磁気ヘッドと記録層の距離を縮めることができるため、記録再生特性をさらに高めることができる。また、これらの層が不要となることにより、生産コストの低減をも図ることができる。

なお、上記実施例および比較例において磁気記録層の総厚を１４ｎｍとしたのは、１５ｎｍ程度より厚くなるにつれ、逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）が低下してしまうためである。これは結晶粒子が粗大化するために磁化回転モードが非一斉回転となるためである。従って第１磁気記録層の厚みに応じて第２磁気記録層の厚みも考慮する必要があり、第１磁気記録層と第２磁気記録層の総厚が１５ｎｍ以下であることが好ましい。

また、上記実施例において非磁性物質は酸化珪素（ＳｉＯ_２）として説明したが、磁性粒（磁性グレイン）間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト（Ｃｏ）と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ_Ｘ）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ_２）を例示できる。

［第２実施例］
本発明にかかる磁気記録媒体の実施例について説明する。図４は本実施例にかかる磁気記録媒体の構成を説明する図であって、上記第１実施例と説明の重複する部分については同一の符号を付して説明を省略する。

図４に示す磁気記録媒体は垂直磁気記録媒体であって、ディスク基体１、付着層１２、第１軟磁性層１４ａ、スペーサ層１４ｂ、第２軟磁性層１４ｃ、配向制御層１６、第１下地層１８ａ、第２下地層１８ｂ、微細化促進層２０、第１磁気記録層２２ａ、第２磁気記録層２２ｂ、補助記録層２４、媒体保護層２６、潤滑層２８で構成されている。なお第１軟磁性層１４ａ、スペーサ層１４ｂ、第２軟磁性層１４ｃは、あわせて軟磁性層１４を構成する。第１下地層１８ａと第２下地層１８ｂはあわせて下地層１８を構成する。第１磁気記録層２２ａと第２磁気記録層２２ｂとはあわせて磁気記録層２２を構成する。

まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１を得た。

得られたディスク基体１上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリング法にて、付着層１２から補助記録層２４まで順次成膜を行い、媒体保護層２６はＣＶＤ法により成膜した。この後、潤滑層２８をディップコート法により形成した。なお、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、各層の構成および製造方法について説明する。

付着層１２は１０ｎｍのＴｉ合金層となるように、Ｔｉ合金ターゲットを用いて成膜した。付着層１２を形成することにより、ディスク基体１と軟磁性層１４との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層１４の剥離を防止することができる。付着層１２の材料としては、例えばＣｒＴｉ合金を用いることができる。

軟磁性層１４は、第１軟磁性層１４ａと第２軟磁性層１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成した。これにより軟磁性層１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１４から生じるノイズを低減することができる。具体的には、第１軟磁性層１４ａ、第２軟磁性層１４ｃの組成はＣｏＦｅＴａＺｒとし、スペーサ層１４ｂの組成はＲｕ（ルテニウム）とした。

配向制御層１６は、軟磁性層１４を防護する作用と、下地層１８の結晶粒の配向の整列を促進する作用を備える。配向制御層の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。

下地層１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層２２のｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させることができる。したがって、下地層１８の結晶配向性が高いほど、磁気記録層２２の配向性を向上させることができる。下地層の材質としては、Ｒｕの他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を良好に配向させることができる。

本実施例において下地層１８は、Ｒｕからなる２層構造となっている。上層側の第２下地層１８ｂを形成する際に、下層側の第１下地層１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くしている。ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの自由移動距離が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏのそれに近づき、Ｃｏのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。

微細化促進層２０は非磁性のグラニュラー層である。下地層１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に第１磁気記録層２２ａのグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期成長の段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。微細化促進層２０の組成は非磁性のＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２とした。

磁気記録層２２は、膜厚の薄い第１磁気記録層２２ａと、膜厚の厚い第２磁気記録層２２ｂとから構成されている。

第１磁気記録層２２ａは、非磁性物質の例としての酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、２ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ_２Ｏ_３のｈｃｐ結晶構造を形成した。非磁性物質は磁性物質の周囲に偏析して粒界を形成し、磁性粒（磁性グレイン）は柱状のグラニュラー構造を形成した。この磁性粒は、微細化促進層のグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長した。

第２磁気記録層２２ｂは、非磁性物質の例としての酸化チタン（ＴｉＯ_２）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ_２のｈｃｐ結晶構造を形成した。第２磁気記録層２２ｂにおいても磁性粒はグラニュラー構造を形成した。

ここで、上記第１実施例と同様に、第１磁気記録層５の雰囲気ガス圧は、３Ｐａ〜１０Ｐａの高圧とした。このように高圧の雰囲気ガスによって成膜することにより、高いＨｃおよびＨｎを得ることができた。第２磁気記録層６の雰囲気ガス圧は、０．６Ｐａ〜３Ｐａの低圧とした。このように低圧の雰囲気ガスによって成膜することにより、高い耐衝撃性を得ることができた。

補助記録層２４はグラニュラー磁性層の上に高い垂直磁気異方性を示す薄膜（連続層）を形成し、ＣＧＣ構造（Coupled Granular Continuous）を構成するものである。これによりグラニュラー層の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、連続膜の高熱耐性を付け加えることができる。補助記録層２４の組成は、ＣｏＣｒＰｔＢとした。

媒体保護層２６は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜して形成した。媒体保護層２６は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録層を防護することができる。

潤滑層２８は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜した。潤滑層２８の膜厚は約１ｎｍである。

本実施例に示した如く、下地層１８を１層ではなく２層にし、またＣｏＢとＰｄとの交互積層膜からなる交換エネルギー制御層８の代わりに単層の補助記録層２４を設けた場合であっても、高い保磁力Ｈｃや逆磁区核形成磁界Ｈｎを維持しつつ、耐衝撃性を高めることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体の製造方法として利用することができる。

実施例に係る垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。 雰囲気ガス圧と保磁力Ｈｃの関係を示す図である。 実施例および比較例の各種特性を説明する図である。 第２実施例にかかる磁気記録媒体の構成を説明する図である。

符号の説明

１ …ディスク基体
２、１２ …付着層
３、１４ …軟磁性層
１４ａ …第１軟磁性層
１４ｂ …スペーサ層
１４ｃ …第２軟磁性層
１６ …配向制御層
４、１８ …下地層
１８ａ …第１下地層
１８ｂ …第２下地層
２０ …微細化促進層
２２ …磁気記録層
５、２２ａ …第１磁気記録層
６、２２ｂ …第２磁気記録層
７ …カップリング制御層
８ …交換エネルギー制御層
９、２６ …媒体保護層
１０、２８ …潤滑層
２４ …補助記録層

Claims (4)

1. 基板上に少なくとも第１磁気記録層、第２磁気記録層を備える垂直磁気記録方式の磁気記録媒体の製造方法において、
   前記第１磁気記録層および第２磁気記録層は連続して成長した結晶粒子の間に粒界部を形成する非磁性領域を備えたグラニュラー構造の強磁性層であって、
   前記基板側の第１磁気記録層は高圧の雰囲気ガス圧でスパッタリング法を用いて成膜し、
   前記基板から離れて形成する第２磁気記録層は低圧の雰囲気ガス圧でスパッタリング法を用いて成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 前記第１磁気記録層の雰囲気ガス圧は、３Ｐａ〜１０Ｐａの高圧であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
3. 前記第２磁気記録層の雰囲気ガス圧は、０．６Ｐａ〜３Ｐａの低圧であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. 前記第１磁気記録層および第２磁気記録層は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。

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