JP4790306B2

JP4790306B2 - レーザダイオード駆動回路

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Publication number: JP4790306B2
Application number: JP2005136510A
Authority: JP
Inventors: 豊明卯尾; 正道野上; 潤一中川
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2005-05-09
Filing date: 2005-05-09
Publication date: 2011-10-12
Anticipated expiration: 2025-05-09
Also published as: JP2006313860A

Description

本発明は、レーザダイオードを駆動するレーザダイオード駆動回路に関するものである。

レーザダイオードのような光半導体素子に電気信号を入力し、変調動作をさせて光信号を出力するような光変調装置を構成する場合、送信すべきデータ（送信データ）に基づいて変調された駆動電流がレーザダイオード駆動回路からレーザダイオードに供給されるが、例えば、レーザダイオードに入力される駆動電流の変化率（伝送レート）が１０Ｇｂｉｔ／ｓ程度になると、レーザダイオードに流れる電流の立ち上がり部において緩和振動が発生し、波形劣化の原因になることが知られている。このような、レーザダイオードの性質に起因する波形劣化は、伝送速度の上限を規定する原因の一つでもあり、高速伝送を実現するために解決しなければならない問題の一つとして、種々の検討がなされている。

なお、従来から、この種のレーザダイオード駆動回路において、緩和振動を抑圧する技術を開示した公報が存在する（例えば、特許文献１、２）。

例えば、下記特許文献１に示される従来技術では、差動増幅回路の入力端子と接地間にコンデンサを接続し、入力信号の立ち上がり時にコンデンサが充電されることにより緩和振動を抑制するようにしている。また、例えば、下記特許文献２に示される従来技術では、バッファ回路をレーザダイオード駆動回路の入力段に設け、入力信号の立ち上がり波形を鈍らせ、緩和振動を抑制するようにしている。

特許第２９１０２７９号明細書特開平４−９４５８１号公報

しかしながら、上記特許文献１に示される従来技術では、入力信号の立ち上がり部の波形を鈍らすと同時に、立ち下がり部の波形も鈍ってしまうため、アイ開口率が低下して伝送信号が劣化してしまうといった問題点があった。

また、上記特許文献２に示される従来技術では、緩和振動を抑制するために設けられたバッファ回路の出力波形の形状が、トランジスタサイズや、トランジスタ特性で決定されてしまうため、外部から調整を行うことができないといった問題点があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、レーザダイオードに出力する駆動信号の立ち下がり部の急峻な波形を維持しつつ立ち上がり部の波形を鈍らせて緩和振動を抑圧するとともに、このような駆動信号波形をトランジスタサイズやトランジスタ特性に応じて調整可能としたレーザダイオード駆動回路を提供することを第１の目的とする。

また、本発明は、レーザダイオード駆動回路を構成した後に、上述のような駆動信号波形を出力させるための外部調整機能を備えたレーザダイオード駆動回路を提供することを第２の目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかるレーザダイオード駆動回路は、入力信号に基づいてレーザダイオードに印加するレーザダイオード駆動信号を生成出力するレーザダイオード駆動回路において、前記レーザダイオード駆動回路は、一対の差動入力端を有し、該差動入力端に印加された前記レーザダイオード駆動信号に基づいてレーザダイオードを駆動する差動増幅回路と、前記差動増幅回路の一方の差動入力端に印加するレーザダイオード駆動信号を生成出力する帰還増幅回路と、前記入力信号を帰還増幅回路に伝達するスイッチ回路と、を備え、前記入力信号に基づいて、前記レーザダイオード駆動信号の立ち下がり部における信号波形が、該レーザダイオード駆動信号の立ち上がり部における信号波形よりも急峻となるように前記スイッチ回路の時定数が切り替え制御されることを特徴とする。

本発明にかかるレーザダイオード駆動回路によれば、入力信号を後段の増幅器に伝達するスイッチ回路が具備され、伝達されたレーザダイオード駆動信号の立ち下がり部における信号波形が、レーザダイオード駆動信号の立ち上がり部における信号波形よりも急峻となるようにスイッチ回路の時定数が切り替え制御されるので、レーザダイオード駆動信号の立ち下がり部の急峻な波形を維持しつつ立ち上がり部の波形を鈍らせることができるとともに、トランジスタサイズやトランジスタ特性に応じて調整された駆動信号波形を出力することができるという効果を奏する。

以下に、本発明にかかるレーザダイオード駆動回路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかるレーザダイオード駆動回路の原理的構成を示す図である。同図に示すレーザダイオード駆動回路は、一対の差動入力端を有し、この差動入力端に印加されるレーザダイオード駆動信号に基づいてレーザダイオード（以下「ＬＤ」と表記）１３を駆動する差動増幅回路９と、差動増幅回路９の一方の差動入力端に印加するレーザダイオード駆動信号を生成出力する帰還増幅回路７と、入力信号（例えばレーザダイオードに付与する変調信号）を帰還増幅回路７に伝達するスイッチ回路６と、反転端子および非反転端子を有し、例えば入力信号に基づく非反転出力端の出力信号をスイッチ回路６に印加し、入力信号に基づく反転出力端の出力信号を差動増幅回路９の他方の差動入力端に印加するバッファ回路５などを備えている。

差動増幅回路９では、電界効果トランジスタ（ＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下「ＦＥＴ」と略記）１１の負荷としてＬＤ１３の一端（例えばカソード端）がＦＥＴ１１の一端（例えばドレイン端）に接続されるとともに、ＦＥＴ１１の他端（例えばソース端）とＦＥＴ１２の一端（例えばソース端）とが共通接続され、この共通接続点に電流源１４の一端が接続されている。また、差動増幅回路９の一方の差動入力端をなすＦＥＴ１１の制御端（例えばゲート端）には帰還増幅回路７の出力端が接続され、差動増幅回路９の他方の差動入力端をなすＦＥＴ１２の制御端（例えばゲート端）にはバッファ回路５の反転出力端が接続されている。また、電源Ｖｃｃは、ＬＤ１３のアノード端とＦＥＴ１２の他端（例えばコレクタ端）との接続点に接続されている。

なお、以下に示す図２〜図５の構成を含み、図１〜図５に示す差動増幅回路９を構成するＦＥＴ１１，１２の導電型については特に明記していないが、該当する図を用いた説明を行う場合に、その動作説明に適合する導電型のＦＥＴが接続されているものとする。

図１に戻り、帰還増幅回路７では、抵抗１７と起電力１８を帰還回路として有する増幅器１９が備えられ、帰還増幅回路７の入力端にはスイッチ回路６の出力端が接続されるように構成されている。

スイッチ回路６では、スイッチ手段１６と、このスイッチ手段１６の両端に並列に接続されるコンデンサ（容量素子）２０を備えられ、スイッチ回路６の入力端にはバッファ回路５の非反転出力端が接続されるように構成されている。

バッファ回路５は、同相信号入力端（Ｓ）および逆相信号入力端（Ｓ'）である２つの入力端と、これらの入力端に入力された入力信号に基づいて非反転信号および反転信号を生成して前述の所定の端子に出力する２つの出力端（非反転出力端および反転出力端）を有している。なお、これらの入力端は必ずしも２つある必要はなく、１つの入力端に入力された入力信号に基づいて２つの出力（非反転出力および反転出力）が生成されるように構成することも可能である。

つぎに、図１に示したレーザダイオード駆動回路の動作について説明する。同図において、スイッチ回路６は、入力波形の立ち上がりを検出すると開放し、立ち下がりを検出すると短絡するような回路である。今、入力波形が立ち上がったとすると、スイッチ回路６のスイッチ手段１６は開放状態となるため、帰還ループの電圧方程式は、次式で示される。

Ｖ_O(ｔ)−Ｖ_I(ｔ)＝Ｒ・ｉ(ｔ) ・・・（１）

一方、入出力電圧の関係は、増幅器１９の増幅度をＡとおくと、次式で示される。

Ｖ_O(ｔ)＝Ａ・Ｖ_I(ｔ) ・・・（２）

増幅器１９の入力インピーダンスが大きければ、電流ｉ(ｔ)は増幅器１９にほとんど流れ込まないので、次式が成立する。

ｉ(ｔ)＝Ｃ｛ｄＶ_I(ｔ)／ｄｔ｝・・・（３）

上記（１）〜（３）式から、出力電圧Ｖ_O(ｔ)は、次式で表すことができる。

Ｖ_O(ｔ)＝[Ｅ／(１−Ａ)]・[１−ｅｘｐ(−(１−Ａ)ｔ／(ＣＲ)] ・・・（４）

ここで、増幅器１９の増幅度Ａが１に近ければ、ＣＲ／(１−Ａ)>>ｔが成立する。したがって、（４）式を級数展開して整理すれば、次式で表すことができる。

Ｖ_O(ｔ)＝[Ｅ／(ＣＲ)]・ｔ・・・（５）

（５）式は、出力電圧の立ち上がりがＣＲ積で決定されることを意味している。したがって、ＬＤ１３に流れる電流波形の立ち上がり時間もＣＲ積で決定されることになる。

一方、先ほどとは逆に、スイッチ回路６が入力波形の立ち下がりを検出したときを考える。スイッチ短絡時のスイッチ手段１６の抵抗は極めて小さいので、コンデンサ２０の電荷はスイッチ手段１６を通して急速に放電される。したがって、増幅器１９の入力電位は急速に減少し、出力電圧Ｖ_O（ｔ）も急速に減少するため、ＬＤ１３に流れる電流波形の立ち下がり時間は急峻になる。

図２は、本発明の実施の形態１にかかるレーザダイオード駆動回路の構成を示す図であり、図１に示したレーザダイオード駆動回路の原理的構成の一部をより具体化して表した回路構成例として示している。

図２では、スイッチ回路６を、トランジスタ２１、コンデンサ２０、抵抗２４、ダイオード２５および抵抗１７で実現している。また、帰還増幅回路７を、トランジスタ２２、抵抗２７、抵抗１７で実現している。一方、帰還増幅回路７と差動増幅回路９との間にはトランジスタ２８および抵抗２９を有するエミッタフォロワ回路として構成された出力バッファ回路８が挿入されており、出力バッファ回路８の出力端が差動増幅回路９の一方の差動入力端であるＦＥＴ１１の制御端（ゲート端）に接続されるように構成されている。

なお、抵抗１７は、帰還増幅回路７の帰還抵抗およびスイッチ回路６の後述する第１の時定数設定手段の両者として作用する。また、コンデンサ２３およびダイオード２５は、起電力１８を具現する素子である。

また、電源Ｖｃｃは、抵抗２４を介してトランジスタ２１の制御端（例えばベース端）に接続され、ダイオード２５および抵抗１７を介してトランジスタ２１の出力端（例えばコレクタ端、同時に帰還増幅回路７のトランジスタ２２の制御端（例えばベース端））に接続され、ダイオード２５およびコンデンサ２３を介してトランジスタ２２の出力端（例えばエミッタ端、同時に出力バッファ回路８のトランジスタ２８の制御端（例えばベース端））に接続されるとともに、トランジスタ２８の制御端ではない非出力端（例えばコレクタ端）に直接的に接続されている。

つぎに、図２に示すレーザダイオード駆動回路の動作について説明する。なお、図２に示す回路構成では、スイッチ回路６において入力信号が反転されるため、図１とは異なりＬＤ１３が接続される差動増幅回路９に入力されるレーザダイオード駆動信号の極性が逆になる。ただし、ＬＤ１３に電流を流すという観点に鑑みれば、レーザダイオード駆動信号が立ち下がるときに、ＬＤ１３の電流が引き出され（すなわちＬＤ１３の電流が立ち上がり）、逆にレーザダイオード駆動信号が立ち上がるときに、ＬＤ１３に流れていた電流の流れが停止する（すなわちＬＤ１３の電流が立ち下がる）という関係は変わらない。したがって、以下の説明では、図１の説明とも整合させるため、レーザダイオード駆動信号の電位が降下する場合を「立ち上がり」として説明し、逆にレーザダイオード駆動信号の電位が上昇する場合を「立ち下がり」として説明する。

図２において、入力信号が入力されないとき、トランジスタ２１のベース電流Ｉｂ１は抵抗２４を通じて供給され、トランジスタ２１が飽和状態になる。このとき、コンデンサ２０と抵抗１７の接続点（Ｑ点）の電位Ｖｃｅ２１は、トランジスタ２１の飽和時のエミッタ−コレクタ間の電位差であり、０．３Ｖ程度になる。一方、電源Ｖｃｃからトランジスタ２２、抵抗２７を介して電源“−Ｖｅｅ”に向かって電流Ｉｃが流れるため、トランジスタ２２のエミッタ−ベース間の電位差はＰＮ接合部の導通時の電位差となり約０．７Ｖになる。したがって、トランジスタ２２のエミッタ端（Ｓ点）の電位は−０．４Ｖ（０．３−０．７）程度になる。したがって、出力バッファ回路８へのトランジスタ２８は導通せず、差動増幅回路９に対する出力電圧は０ＶとなってＬＤ１３に電流は流れない。

また、ダイオード２５の立ち上がり電圧をＶｆとし、Ｓ点の電位をＶｓとすると、コンデンサ２３の端子間電圧はＶｃｃ−Ｖｆ−Ｖｓ≒Ｖｃｃ−Ｖｆとなる。いま、コンデンサ２３の容量が十分大きいものとすれば、微小時間の放電による電圧減少を無視することができ、あたかも定電圧源と考えることができる。

続いて、上記定常状態から入力電位が降下した場合を考える。入力電位の降下が０．７Ｖ以上になると、この電位がコンデンサ２６を介してトランジスタ２１のベース端に伝達されトランジスタ２１は遮断状態になる。すると、コンデンサ２０は、抵抗１７を介してコンデンサ２３から電荷を受け取り、Ｑ点の電位が上昇する。トランジスタ２２はエミッタフォロワ回路を構成しているので、Ｓ点の電位も上昇する。したがって、出力バッファ回路８の出力電位も上昇し、ＬＤ１３に電流が流れ始める。ＬＤ１３に流れる電流（以下「ＬＤ電流」という）波形の立ち上がり時間ｔｒは、抵抗１７の抵抗値（Ｒ）とコンデンサ２０の容量値（Ｃ）とのＣＲ積（すなわち時定数）によって決定される。すなわち、抵抗１７およびコンデンサ２０は、ＬＤ電流波形の立ち上がり特性、すなわちレーザダイオード駆動信号の立ち上がり部における信号波形の急峻度を決める時定数（第１の時定数）を設定するための第１の時定数設定手段として作用する。

一方、上記の状態から入力電位が上昇した場合を考える。入力電位の上昇が０．７Ｖ以上になると、トランジスタ２１が再び飽和状態になる。トランジスタ２１に電流が流れ、Ｑ点はＶｃｅ２１（約０．３Ｖ）に向かって減少していく。このとき、コンデンサ２０に蓄積していた電荷は、トランジスタ２１を通して放電されることになる。ところが、トランジスタのＯＮ抵抗はきわめて小さいため、コンデンサ２０の電荷は急激に放電され、Ｑ点およびＳ点の電位も急激に降下する。したがって、出力バッファ回路８の出力電位も急激に減少し、レーザダイオードに流れる電流も急激に小さくなる。このようにしてＬＤ電流波形の立ち下がり時間ｔｆは、コンデンサ２０の容量（Ｃ）とトランジスタ２１のＯＮ抵抗値（Ｒｏｎ）とのＣＲ積（時定数）によって決定される。すなわち、トランジスタ２１（ＯＮ抵抗）およびコンデンサ２０は、ＬＤ電流波形の立ち下がり特性、すなわちレーザダイオード駆動信号の立ち下がり部における信号波形の急峻度を決める時定数（第２の時定数）を設定するための第２の時定数設定手段として作用する。

なお、第１の時定数設定手段の一つである抵抗１７の抵抗値（Ｒ）と、第２の時定数設定手段の一つであるトランジスタ２１のＯＮ抵抗値（Ｒｏｎ）との間には、Ｒ>>Ｒｏｎの関係が存在するので、ＬＤ電流の立ち上がり時間ｔｒは緩慢になり、逆にＬＤ電流の立ち下がり時間ｔｆは急峻になる。

このようにして、使用されるＬＤ１３の特性に応じて、上述のような第１、第２の時定数設定手段として作用するコンデンサ２０、抵抗１７およびトランジスタ２１を選定するようにすれば、所望の特性を有するレーザダイオード駆動信号を出力させることができる。

以上説明したように、この実施の形態のレーザダイオード駆動回路によれば、入力信号に基づいて、レーザダイオード駆動信号の立ち下がり部における信号波形が、レーザダイオード駆動信号の立ち上がり部における信号波形よりも急峻となるようにスイッチ回路の時定数を切り替え制御するようにしているので、レーザダイオードに出力する駆動信号の立ち下がり部の急峻な波形を維持しつつ立ち上がり部の波形を鈍らせて緩和振動を抑圧するとともに、このような駆動信号波形をトランジスタサイズやトランジスタ特性に応じて調整可能としたレーザダイオード駆動回路を提供することができる。

なお、この実施の形態では、スイッチ回路６の第１の時定数設定手段を構成する抵抗と、帰還増幅回路７の帰還抵抗とを共通化するように構成しているが、共通化せずに、それぞれ別々に設けるようにしてもよい。

実施の形態２．
図３は、本発明の実施の形態２にかかるレーザダイオード駆動回路の構成を示す図である。同図に示すレーザダイオード駆動回路は、実施の形態１の構成において、コンデンサ２０を可変容量素子としている。なお、その他の構成については、図２に示す実施の形態１の構成と同一あるいは同等であり、これらの構成部には同一符号を付して示している。

ところで、図２に示したレーザダイオード駆動回路の場合、回路を集積化すると、レーザダイオード駆動電流の立ち上がり時間ｔｒおよび立ち下がり時間ｔｆがそれぞれ決定されてしまう。したがって、緩和振動を確実に抑圧するには、レーザダイオードの詳細な過渡応答モデルが必要になる場合がある。また、使用するレーザダイオードを変えると、必要な立ち上がり時間が異なるため、回路を共通化できなくなる場合がある。

そこで、この実施の形態のレーザダイオード駆動回路では、コンデンサ２０を可変容量素子とし、コンデンサ２０の容量値を可変制御する外部制御端子Ｃｔｒを備えるように構成している。このような構成により、コンデンサ２０の容量値を外部信号に基づいて可変することができるとともに、立ち上がり時間を任意に設定することができ、詳細なレーザダイオード過渡応答モデルがなくても回路設計を行うことができる。また、異なる特性のレーザダイオードにも一つの回路で対応することができ、回路の共通化が可能となる。

以上説明したように、この実施の形態のレーザダイオード駆動回路によれば、レーザダイオード駆動信号波形を制御するための外部調整機能を具備しているので、レーザダイオード駆動回路を構成した後であっても、種々のレーザダイオードに流れる電流波形の立ち上がり時間を任意に設定することができ、異なる特性のレーザダイオードを用いた場合であっても回路の共通化が可能となる。

実施の形態３．
図４は、本発明の実施の形態３にかかるレーザダイオード駆動回路の構成を示す図である。同図に示すレーザダイオード駆動回路は、実施の形態１の構成において、トランジスタ２２のコレクタ端子に電流源３１を接続することで、負電源−Ｖｅｅおよび抵抗２７を用いずに構成している。なお、その他の構成については、図２に示す実施の形態１の構成と同一あるいは同等であり、これらの構成部には同一符号を付して示している。

つぎに、図４に示したレーザダイオード駆動回路の動作について説明する。同図の回路では、電源Ｖｃｃからトランジスタ２２を介してコレクタ電流Ｉｃが流れる。この場合、コンデンサ２３の端子間電圧が、ダイオード２５の立ち上がり電圧Ｖｆ、コレクタ電流Ｉｃおよびトランジスタ２２の静特性で決定される。一方、コンデンサ２３の端子間電圧は、コンデンサ２０の充電時間を支配する起電力として作用するので、電流源３１が自身に引き込む電流を制御することで、コンデンサ２３の端子間電圧を変化させ、ＬＤ電流の立ち上がり時間ｔｒを可変することができる。

以上説明したように、この実施の形態のレーザダイオード駆動回路によれば、実施の形態１と同等の機能を実現する上で、電源−Ｖｅｅおよび抵抗２７を電流源３１で置き換えるように構成しているので、１種類の電源電圧（Ｖｃｃ）のみで構成でき、回路をコンパクトに構成することができる。

実施の形態４．
図５は、本発明の実施の形態４にかかるレーザダイオード駆動回路の構成を示す図である。同図に示すレーザダイオード駆動回路は、実施の形態３の構成において、コンデンサ２０を可変容量素子としている。なお、その他の構成については、図４に示す実施の形態１の構成と同一あるいは同等であり、これらの構成部には同一符号を付して示している。

図５に示すレーザダイオード駆動回路では、外部信号に基づいてコンデンサ２０の容量値を可変制御でき、電流源３１の引き込み電流を制御することでコンデンサ２３の端子間電圧を変化させることができるので、ＬＤ電流の立ち上がり時間ｔｒを可変することができる。また、両者の可変制御機能を利用しているので、種々のレーザダイオードにおける立ち上がり時間の調整範囲が広がって調整が容易になる。

以上説明したように、この実施の形態のレーザダイオード駆動回路によれば、実施の形態３の構成において、さらにレーザダイオード駆動信号波形を制御するための外部調整機能を具備するようにしているので、実施の形態３の効果に加え、種々のレーザダイオードにおける立ち上がり時間の調整を容易化することができる。

以上のように、本発明にかかるレーザダイオード駆動回路は、緩和振動を抑圧しつつ波形劣化を最小限にするレーザダイオード駆動回路として有用であり、特に、レーザダイオードに流れる電流の電流波形を外部信号に基づいて調節できるレーザダイオード駆動回路として好適である。

本発明の実施の形態１にかかるレーザダイオード駆動回路の原理的構成を示す図である。本発明の実施の形態１にかかるレーザダイオード駆動回路の構成を示す図である。本発明の実施の形態２にかかるレーザダイオード駆動回路の構成を示す図である。本発明の実施の形態３にかかるレーザダイオード駆動回路の構成を示す図である。本発明の実施の形態４にかかるレーザダイオード駆動回路の構成を示す図である。

符号の説明

５バッファ回路
６スイッチ回路
７帰還増幅回路
８出力バッファ回路
９差動増幅回路
１４，３１電流源
１６スイッチ手段
１７，２４，２７，２９抵抗
１８起電力
１９増幅器
２０，２３，２６コンデンサ
２１，２２，２８トランジスタ
２５ダイオード

Claims

入力信号に基づいてレーザダイオードに印加するレーザダイオード駆動信号を生成出力するレーザダイオード駆動回路において、
前記レーザダイオード駆動回路は、
一対の差動入力端を有し、該差動入力端に印加された前記レーザダイオード駆動信号に基づいてレーザダイオードを駆動する差動増幅回路と、
前記差動増幅回路の一方の差動入力端に印加するレーザダイオード駆動信号を生成出力する帰還増幅回路と、
前記入力信号を帰還増幅回路に伝達するスイッチ回路と、
を備え、
前記入力信号に基づいて、前記レーザダイオード駆動信号の立ち下がり部における信号波形が、該レーザダイオード駆動信号の立ち上がり部における信号波形よりも急峻となるように前記スイッチ回路の時定数が切り替え制御されることを特徴とするレーザダイオード駆動回路。
前記スイッチ回路は、
前記入力信号の変化を前記帰還増幅回路に伝達するスイッチング素子と、
前記レーザダイオード駆動信号の信号波形の立ち上がり特性を決める第１の時定数を設定する第１の時定数設定手段と、
該信号波形の立ち下がり特性を決める第２の時定数を設定する第２の時定数設定手段と、
を備え、
前記第１の時定数設定手段によって設定された第１の時定数よりも前記第２の時定数設定手段によって設定された第２の時定数の方が小さいことを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオード駆動回路。
前記帰還増幅回路は、抵抗素子および起電力からなる帰還回路を具備するエミッタフォロワ回路（ソースフォロワ回路）で構成されることを特徴とする請求項１または２に記載のレーザダイオード駆動回路。
前記スイッチ回路は、前記第１の時定数設定手段および前記第２の時定数設定手段の両者として機能する可変容量素子と、該可変容量素子の容量値を可変制御するための外部制御端子と、
を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のレーザダイオード駆動回路。
前記スイッチ回路は、前記第１の時定数設定手段および前記第２の時定数設定手段の両者として機能する容量素子を具備し、
前記帰還増幅回路は、一端が自身のエミッタ端子（ソース端子）に接続される電流源を具備することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のレーザダイオード駆動回路。
前記スイッチ回路は、前記第１の時定数設定手段および前記第２の時定数設定手段の両者として機能する可変容量素子と、該可変容量素子の容量値を可変制御するための外部制御端子と、を具備し、
前記帰還増幅回路は、一端が自身のエミッタ端子（ソース端子）に接続される電流源を具備することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のレーザダイオード駆動回路。
前記第１の時定数が、前記容量素子または前記可変容量素子の容量値および前記帰還抵抗の抵抗値に基づいて設定されるとともに、前記第２の時定数が、前記容量素子または前記可変容量素子の容量値および前記スイッチング素子が導通したときの自身の抵抗値に基づいて設定されることを特徴とする請求項２〜６のいずれか一つに記載のレーザダイオード駆動回路。
前記帰還増幅回路からの出力信号を入力信号として前記差動増幅回路の一方の差動入力端に前記レーザダイオード駆動信号を出力する出力バッファ回路を具備し、
前記出力バッファ回路がエミッタフォロワ回路（ソースフォロワ回路）で構成されることを特徴とする請求項７に記載のレーザダイオード駆動回路。