JP4779920B2 - Photoelectric conversion device - Google Patents
Photoelectric conversion device Download PDFInfo
- Publication number
- JP4779920B2 JP4779920B2 JP2006268979A JP2006268979A JP4779920B2 JP 4779920 B2 JP4779920 B2 JP 4779920B2 JP 2006268979 A JP2006268979 A JP 2006268979A JP 2006268979 A JP2006268979 A JP 2006268979A JP 4779920 B2 JP4779920 B2 JP 4779920B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photoelectric conversion
- sealing body
- mount substrate
- mount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
本発明は、光素子を備えた光電気変換装置に関するものである。 The present invention relates to a photoelectric conversion apparatus including an optical element.
従来、光電気変換装置としては、例えば特許文献1の図9に記載されているように、電気信号を光信号に変換して発光する発光素子と、この発光素子に電気信号を送信するためのIC回路が形成され、発光素子が発光する側と反対側から一方面に実装される基板と、発光素子から基板の一方面と直交する方向に延びるように配設されて、発光素子が発光する光を伝送する導波路とを備えたものが知られている。なお、前記発光素子に代えて、受光した光信号を電気信号に変換する受光素子を用いることも可能である。 Conventionally, as a photoelectric conversion device, for example, as described in FIG. 9 of Patent Document 1, a light emitting element that emits light by converting an electric signal into an optical signal, and an electric signal for transmitting the light signal to the light emitting element An IC circuit is formed, the substrate mounted on one surface from the side opposite to the light emitting element emits light, and disposed so as to extend from the light emitting element in a direction perpendicular to one surface of the substrate, so that the light emitting element emits light. One having a waveguide for transmitting light is known. In place of the light emitting element, a light receiving element that converts a received optical signal into an electric signal may be used.
また、特許文献1の図9に記載された光電気変換装置では、基板の他方面に、配線基板に設けられた雌型の電気コネクタと着脱可能な雄型の電気コネクタが設けられており、これらの電気コネクタ同士が接続されることによって、基板と配線基板とが電気的に接続されるようになっている。
しかしながら、前記のような構成では、導波路が発光素子から基板の一方面と直交する方向に延びるように配設されているため、装置全体の高さはかなり高くなる。 However, in the configuration as described above, since the waveguide is disposed so as to extend from the light emitting element in a direction orthogonal to the one surface of the substrate, the height of the entire apparatus becomes considerably high.
ここで、特許文献1の図3に記載されているように、基板の端面に電気コネクタを設けて、発光素子の発光する方向を配線基板と平行な方向にすることも考えられるが、このようにしても少なくとも発光素子の大きさ分や制御IC素子の大きさ分の装置高さが必要になるため、装置高さをあまり抑えることはできない。 Here, as described in FIG. 3 of Patent Document 1, an electrical connector may be provided on the end face of the substrate so that the light emitting element emits light in a direction parallel to the wiring substrate. However, the height of the device is at least as large as the size of the light emitting element and the size of the control IC element, so that the height of the device cannot be suppressed so much.
そこで、本出願の出願人は、装置の低背化を図ることができるようにするために、光素子を発光する側または受光する側からマウント基板の一方面に実装し、このマウント基板に光素子用のIC回路を設けるとともにマウント基板の一方面またはその反対側の他方面に外部コネクタと着脱可能な電気コネクタを設け、さらに光素子と光学的に結合する導波路をマウント基板の一方面または他方面に沿うようにマウント基板に設けた光電気変換装置を提案した。 Therefore, the applicant of the present application mounts the optical element on one side of the mount substrate from the light emitting side or the light receiving side so that the apparatus can be reduced in height, and the optical element is mounted on the mount substrate. An IC circuit for the element is provided and an electrical connector that can be attached to and detached from the external connector is provided on one surface of the mount substrate or the other surface on the opposite side, and a waveguide that is optically coupled to the optical element is provided on one surface of the mount substrate or A photoelectric conversion device provided on the mount substrate along the other surface has been proposed.
この光電気変換装置であれば、マウント基板の板厚方向における装置全体の高さを抑えることができ、装置の低背化を図ることができる。 With this photoelectric conversion device, the overall height of the device in the thickness direction of the mount substrate can be suppressed, and the device can be reduced in height.
このような光電気変換装置においては、マウント基板と電気コネクタとの間にインターポーザ基板(中間基板)を配し、該インターポーザ基板により電極パターンを変換してマウント基板と電気コネクタとを電気的に接続することが考えられるが、このようにするとインターポーザ基板の分だけ部品点数が増加しコストが上昇するため、さらなる部品点数の削減を図ることが望まれる。 In such a photoelectric conversion device, an interposer substrate (intermediate substrate) is disposed between the mount substrate and the electrical connector, and the electrode pattern is converted by the interposer substrate to electrically connect the mount substrate and the electrical connector. However, since the number of parts increases by the amount corresponding to the interposer substrate and the cost increases, it is desired to further reduce the number of parts.
本発明は、このような要望に鑑み、マウント基板の配線パターン等を保護しつつ、部品点数の削減もできる光電気変換装置を提供することを目的とする。 In view of such a demand, an object of the present invention is to provide a photoelectric conversion apparatus that can reduce the number of components while protecting a wiring pattern of a mount substrate.
請求項1の発明は、電気信号を光信号にまたは光信号を電気信号に変換する光素子と、この光素子に電気信号を送信するまたは光素子から電気信号を受信するためのIC回路と、前記光素子が実装されるマウント基板と、外部コネクタと着脱可能な電気コネクタと、前記光素子と光学的に結合する導波路とを備え、前記電気コネクタは、前記マウント基板の一方面に設けられ、前記導波路は、前記マウント基板の一方面またはその反対側の他方面に沿うようにマウント基板に設けられた光電気変換装置であって、前記マウント基板の一方面に形成された基板側配線パターン上に立設される柱状配線と、前記柱状配線をその先端を残して包含可能な厚さで前記マウント基板の一方面を覆う絶縁性の封止体と、前記封止体の外面に露出した柱状配線と電気的に接続する状態で前記封止体の外面に形成される封止体側配線パターンとを備え、前記封止体側配線パターンは、前記電気コネクタの端子に対応する配列間隔で配置された封止体側端子部を有することを特徴とするものである。 The invention of claim 1 is an optical element that converts an electrical signal into an optical signal or an optical signal into an electrical signal, and an IC circuit that transmits an electrical signal to or receives an electrical signal from the optical element, A mounting board on which the optical element is mounted; an electrical connector that can be attached to and detached from an external connector; and a waveguide that is optically coupled to the optical element, wherein the electrical connector is provided on one surface of the mounting board. The waveguide is a photoelectric conversion device provided on the mount substrate along one surface of the mount substrate or the other surface on the opposite side thereof, and the substrate-side wiring formed on the one surface of the mount substrate Columnar wiring standing on the pattern, an insulating sealing body that covers one surface of the mount substrate with a thickness that allows the columnar wiring to be included without leaving the tip, and exposed to the outer surface of the sealing body Columnar arrangement A sealing body-side wiring pattern formed on the outer surface of the sealing body in a state of being electrically connected to the sealing body, and the sealing body-side wiring pattern is disposed at an arrangement interval corresponding to the terminals of the electrical connector. It has a stationary-side terminal portion.
請求項2の発明は、請求項1に記載の光電気変換装置において、前記光素子および前記IC回路が、前記マウント基板の一方面に設けられており、前記封止体によって包含されていることを特徴とするものである。 According to a second aspect of the present invention, in the photoelectric conversion apparatus according to the first aspect, the optical element and the IC circuit are provided on one surface of the mount substrate and are covered by the sealing body. It is characterized by.
請求項1の発明によれば、マウント基板の基板側配線パターンを封止して保護する封止体を合理的に利用して、マウント基板と電気コネクタとを電気的に接続することができるので、インターポーザ基板(中間基板)が不要となり、部品点数を削減することができる。 According to the first aspect of the present invention, the mounting substrate and the electrical connector can be electrically connected by rationally using the sealing body that seals and protects the wiring pattern on the substrate side of the mounting substrate. The interposer substrate (intermediate substrate) becomes unnecessary, and the number of parts can be reduced.
また、マウント基板に柱状配線を立設し、その柱状配線を介してマウント基板と電気コネクタとを電気的に接続するように構成することによって、柱状配線の直径が通常百ミクロン以下であることから、数百ミクロン程度の半田ボールでマウント基板に接続されたインターポーザ基板を用いてマウント基板と電気コネクタとを接続する場合と異なり、マウント基板の基板側配線パターンの占有面積を上記インターポーザ基板を用いる場合よりも小さくすることができる。これにより、マウント基板のサイズを容易に縮小することができる。 In addition, since the columnar wiring is erected on the mounting substrate and the mounting substrate and the electrical connector are electrically connected via the columnar wiring, the diameter of the columnar wiring is usually 100 microns or less. Unlike the case where the mount substrate and electrical connector are connected using an interposer substrate connected to the mount substrate with a solder ball of about several hundred microns, the area occupied by the wiring pattern on the substrate side of the mount substrate is used with the above interposer substrate. Can be made smaller. Thereby, the size of the mount substrate can be easily reduced.
また、封止体によりマウント基板の基板側配線パターンを封止して湿気や埃から保護することができる。 Further, the substrate-side wiring pattern of the mount substrate can be sealed by the sealing body to protect it from moisture and dust.
請求項2の発明によれば、封止体によってさらに光素子およびIC回路を封止して保護するとともに、光素子およびIC回路で発生する熱を速やかに封止体に移動させることで放熱性を向上させることができる。
According to the invention of
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
まず、図1〜図7を参照して、本出願人が以前に提案した光電気変換装置1Aを参考例として説明する。この光電気変換装置1Aは、一の配線基板2に電気コネクタ6,7同士の嵌合によって装着される発光側光電気変換部(E/Oモジュールともいう)1A1と、他の配線基板2に同じく電気コネクタ6,7同士の嵌合によって装着される受光側光電気変換部(O/Eモジュールともいう)1A2と、これらの変換部1A1,1A2を光学的に連結する外部導波路9とを備えている。
First, with reference to FIGS. 1 to 7, the
なお、本明細書では、図1の上下方向を上下方向、図1の紙面と直交する方向を左右方向というとともに、発光側光電気変換部1A1に対しては図1の右側を前方、左側を後方といい、受光側光電気変換部1A2に対しては図1の左側を前方、右側を後方という。 In the present specification, the vertical direction in FIG. 1 is referred to as the vertical direction, the direction orthogonal to the paper surface in FIG. 1 is referred to as the horizontal direction, and the right side in FIG. The left side of FIG. 1 is referred to as the front side and the right side is referred to as the rear side with respect to the light-receiving side photoelectric conversion unit 1A2.
発光側光電気変換部1A1は、平面視で前後方向に延びる長方形状をなすマウント基板3を備えている。このマウント基板3の下面となる一方面3aには、図2に示すように、電気信号を光信号に変換して発光する発光素子4Aと、この発光素子4Aに電気信号を送信するためのIC回路50Aが形成されたIC基板5Aとが実装されているとともに、これら4A,5Aを下方から覆うようにヘッダ型電気コネクタ(以下、単に「ヘッダ」という)6が設けられている。また、マウント基板3の一方面3aには、発光素子4Aの駆動用電源ラインや信号ラインが配線パターン36で形成されている(図4参照)。さらに、マウント基板3には、発光素子4Aの真上となる位置に発光素子4Aが発光する光の光路を略90°変換するミラー部33が設けられているとともに、発光素子4Aと光学的に結合する内部導波路31がミラー部33からマウント基板3の前端面3bまで延びるように設けられている。
The light emission side photoelectric conversion unit 1A1 includes a
発光素子4Aは、上下方向に扁平な正方形板状の形状を有し、上面から上方に発光するものであり、発光する側からマウント基板3の一方面3aに実装されている。この発光素子4Aとしては、半導体レーザーであるVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)が採用されている。IC基板5Aは、VCSELを駆動させるドライバICであり、上下方向に扁平な正方形板状の形状を有し、発光素子4Aの近傍に配置されている。そして、発光素子4AおよびIC基板5Aは、金または半田からなるバンプ11(図3参照)でマウント基板3の配線パターン36に接続されている。なお、発光素子4Aとしては、LED等も採用可能であるが、LED等はVCSEL等のレーザーダイオードに比べて高速発振が難しく、数百MHz以下の伝送帯域での使用が条件となり、その場合には低価格という点で有利である。
The
マウント基板3は、実装時の熱の影響や使用環境による応力の影響を避けるために、剛性が必要である。また、光伝送の場合は、発光素子から受光素子までの光伝送効率が必要になるので、光素子を高精度に実装することや使用中の熱影響による位置変動を極力抑制する必要がある。このため、マウント基板3としては、シリコン基板が採用されている。また、マウント基板3は、発光素子4Aと線膨張係数の近い材料で構成されていることが好ましく、シリコン以外には、VCSEL材料と同系統のGaAs等の化合物半導体や窒化アルミ等のセラミックで構成されていてもよい。
The
ミラー部33は、マウント基板3がエッチングされることにより形成された45°傾斜面に金、銀、銅やアルミニウムを蒸着やスパッタ等の製法で成膜することにより形成することができる。なお、45°傾斜面は、シリコン結晶のエッチング速度の違いを利用した異方性エッチングにより形成することができる。異方性エッチングには、例えば水酸化カリウム水溶液やTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)水溶液等の強アルカリが用いられる。
The
内部導波路31は、マウント基板3の一方面3aに沿って設けられており、発光素子4Aが発光する光をマウント基板3の一方面3aと平行な方向に伝送するものである。この内部導波路31は、屈折率の異なる2種類の樹脂から構成されている。具体的には、内部導波路31は、図3に示すように、屈折率の高い樹脂からなるコア31aと、コア31aを周囲から覆う屈折率の低い樹脂からなるクラッド31bとで構成されており、マウント基板3に形成された導波路形成用溝32内に配設されている。コア31aおよびクラッド31bのサイズは、発光素子4Aの発散角度と後述する受光素子4Bの受光径等による光損失計算から決定される。なお、内部導波路31は、樹脂以外にも石英等の光透過性のある材料であれば無機材料で構成されていてもよい。
The
導波路形成用溝32は、前記45°傾斜面を形成するのと同様に、異方性エッチングにより形成することができる。なお、異方性エッチング以外にも、導波路形成用溝32の形成には、反応性イオンエッチング等のドライエッチングの形成方法がある。
The
図4および図5(a)(b)に示すように、断面略矩形状の導波路形成用溝32と45°傾斜面とを異方性エッチングにより形成するときには、それらのエッチング条件は異なる。すなわち、エッチング溶液の組成が異なる。従って、エッチングを2回に分けて行う必要がある。ただし、どちらを先に行ってもよい。
As shown in FIGS. 4 and 5A and 5B, when the
あるいは、導波路形成用溝32を45°傾斜面と同時に形成するときには、図5(c)および(d)に示すように、導波路形成用溝32の断面形状が略台形状になって導波路形成用溝32の溝幅が大きくなる。導波路形成用溝32は、発光素子4A用のボンディングパッドにかからなければ問題ないため、このようにすることも可能である。
Alternatively, when the
マウント基板3の前端面3bには、外部導波路9が光学用接着剤によって接合されるようになっており、この接合により、内部導波路31は外部導波路9と光学的に結合されるようになる。なお、ミラー部33から外部導波路9までの距離が短ければ、単に空気中に光を伝搬させるようにしても損失が少ない場合があるため、この場合には、内部導波路31を省略して、ミラー部33から外部導波路9に直接光を入射させるようにしてもよい。
The
外部導波路9は、樹脂光導波路を薄型化したフレキシブルなフィルム状のものを用いた方が取り扱い上便利である。つまり、フィルム状の外部導波路9であれば、屈曲性に優れており、例えば携帯電話等の折り曲げ部に使用しても問題ない。折り曲げの曲率によっては光の損失が発生することもあるが、これはコアとクラッドの屈折率差を大きくすることによって低減させることが可能である。なお、外部導波路9としては、フィルム状のもの以外でも、石英系ファイバやプラスチックファイバであってもよい。
As the
ヘッダ6は、配線基板2に設けられた外部コネクタであるソケット型電気コネクタ(以下、単に「ソケット」という)7と着脱可能なものである。なお、ヘッダ6とソケット7は相互に入れ替え可能であり、マウント基板3にソケット7が設けられ、配線基板2にヘッダ6が設けられていて、ヘッダ6が外部コネクタとなっていてもよい。
The
ソケット7は、図6(a)に示すように、平面視で前後方向に延びる略長方形状をなしている。このソケット7は、ソケット本体72と、このソケット本体72に保持される端子71とを有しており、ソケット本体72には、平面視で長方形枠状の嵌合凹部72aが設けられていて、この嵌合凹部72a内に端子71が露出している。また、端子71の端部は、ソケット本体72から左右方向に張り出しており、この端部が図略の半田等によって配線基板2の上面に形成された図略の配線パターンに接続されている。ソケット7は、通常はリフローによって配線基板2に実装される。
As shown in FIG. 6A, the
一方、ヘッダ6は、図6(b)に示すように、下面視でソケット7よりも一回り小さな前後方向に延びる略長方形状をなしている。このヘッダ6は、ヘッダ本体62と、このヘッダ本体62に保持される端子61とを有しており、ヘッダ本体62には、ソケット7の嵌合凹部72aに嵌合可能な下面視で長方形枠状の嵌合凸部62aが設けられていて、この嵌合凸部62aの表面に端子61が露出している。また、端子61の端部は、ヘッダ本体62から左右方向に張り出しており、この端部が半田ボール10によってマウント基板3の配線パターン36に接続されている。また、ヘッダ6のマウント基板3への実装には、半田ボール以外にも端子用ポストやピン等を用いることが可能である。なお、マウント基板3と半田ボール10を含めた高さは、1mm程度である。
On the other hand, as shown in FIG. 6B, the
そして、ヘッダ6の嵌合凸部62aがソケット7の嵌合凹部72aに差し込まれてそれらが嵌合すると、端子61,71同士が接触して配線基板2の配線パターンとマウント基板3の配線パターン36とが電気的に接続されるようになる。このときのソケット7の下面からヘッダ6の上面までの高さは1mm程度である。このため、発光側光電気変換部1A1を配線基板2に装着したときの配線基板2の上面からマウント基板3の上面となる他方面3cまでの高さは2mm程度となる。
Then, when the fitting
受光側光電気変換部1A2の基本的な構成は、発光側光電気変換部1A1と同様であるため、詳細な説明は省略する。なお、発光側光電気変換部1A1と異なる点としては、図7に示すように、マウント基板3の一方面3aに、受光して光信号を電気信号に変換する受光素子4Bと、この受光素子4Bから電気信号を受信するためのIC回路50Bが形成されたIC基板5Bとが実装されている点である。受光素子4Bとしては、PDが採用されており、IC基板5Bは、電流・電圧の変換を行うTIA(Trans-impedance Amplifier)素子である。また、マウント基板3には、アンプ素子が実装されることもある。
Since the basic configuration of the light-receiving side photoelectric conversion unit 1A2 is the same as that of the light-emitting side photoelectric conversion unit 1A1, detailed description thereof is omitted. The light-emitting side photoelectric conversion unit 1A1 is different from the light-emitting side photoelectric conversion unit 1A1 in that a
以上説明したような参考例の光電気変換装置1Aでは、発光素子4Aまたは受光素子4Bが実装されるマウント基板3の一方面3aにヘッダ6を設けるとともに、内部導波路31をマウント基板3の一方面3aと平行な方向に延びるように設けたから、マウント基板3の板厚方向における装置全体の高さを抑えることができ、装置の低背化を図ることができる。
In the
次に、図8〜図10を参照して、本発明の一実施形態に係る光電気変換装置1Bを説明する。この光電気変換装置1Bは、参考例の光電気変換装置1Aを改良したものであるため、参考例と同一構成部分には同一符号を付して、その説明は省略する。また、この光電気変換装置1Bにおいても、受光側光電気変換部は発光側光電気変換部と同様であるため、発光側光電気変換部1B1のみを図示して説明する。
Next, with reference to FIGS. 8-10, the
本実施形態の発光側光電気変換部1B1では、図8に示すように、シリコン樹脂製のマウント基板3の一方面3aに封止体37が設けられており、該封止体37を介してマウント基板3とヘッダ6とが電気的に接続されている。
In the light emission side photoelectric conversion part 1B1 of this embodiment, as shown in FIG. 8, a sealing
すなわち、マウント基板3の一方面3aに形成された配線パターン(基板側配線パターン)36は、図9に示すように、外部電気接続用端子部36aと、配線部36bと、発光素子4A用およびIC基板5A用の端子部36cとにより構成されている。そして、図8および図10に示すように、配線パターン36の外部電気接続用端子部36aには、マウント基板3の一方面3aに対して略垂直に延びるように柱状配線38が立設されている。この柱状配線38は、マウント基板3の各外部電気接続用端子部36a上にメッキ工法等で金属を柱状に積み上げることで形成される。
That is, as shown in FIG. 9, the wiring pattern (substrate-side wiring pattern) 36 formed on the one
また、マウント基板3の一方面3aには、絶縁性樹脂(市販のチップサイズパッケージ用封止樹脂、例えば、松下電工製の「CV8710」系材料や「CV8510」系材料)からなる封止体37が設けられている。封止体37は、発光素子4AおよびIC基板5Aの全体を包み込むとともに、柱状配線38をその先端部38aを残して包含している。従って、柱状配線38は、先端部38aが封止体37の外面(下面)に露出する態様となっている。この封止体37は、マウント基板3上の配線パターン36、発光素子4AおよびIC基板5Aを封止して湿気や埃等から保護する機能を有している。
Further, a sealing
封止体37の下面には、再配置配線パターン(封止体側配線パターン)39が形成されている。この再配置配線パターン39は、再配置配線部39aと再配置端子部39bとにより構成され、再配置配線部39aは、封止体37の外面に露出した柱状配線38の先端部38aと電気的に接続している。これにより、配線パターン36と再配置配線パターン39とが、柱状配線38により電気的に接続されている。
A rearrangement wiring pattern (sealing body side wiring pattern) 39 is formed on the lower surface of the sealing
また、再配置端子部39bは、その配列間隔(ピッチ)がヘッダ6の端子61のピッチと略等しくなるように位置決めされて形成されている。従って、本実施形態では、封止体37、柱状配線38および再配置配線パターン39が、インターポーザ基板(中間基板)としての役割を兼ねるようになっている。なお、本実施形態では図示の都合上、ヘッダ6の端子61の数を参考例とは異ならせている。
Further, the
また、上記構成において、外部電気接続用端子部36aと再配置端子部39bの数を必ずしも1対1に対応させる必要はなく、複数の柱状配線38を1つにまとめながら封止体37の外面に露出させ、封止体37の外面の再配置配線パターン39に接続することも可能である。従って、柱状配線38で電気ラインを集約させて、ヘッダ6およびソケット7の端子数を低減させることも可能である。
In the above configuration, the number of the external electrical
このように構成することによって、マウント基板3の配線パターン36の自由度を向上させることができる。すなわち、マウント基板3には、発光素子4AおよびIC基板5Aが実装されているために、マウント基板3の配線パターン36の外部電気接続用端子部36aをヘッダ6の端子61に一致させることが困難な場合があるので、このような場合には、上記端子数の変換手法が特に有効である。
With this configuration, the degree of freedom of the
前記実施形態であれば、マウント基板3の配線パターン36を封止して保護する封止体37を合理的に利用して、マウント基板3とヘッダ6とを電気的に接続することができるので、インターポーザ基板(中間基板)が不要となり、装置のより一層の低背化を図れるとともに、部品点数を削減することができる。
In the embodiment, since the sealing
また、マウント基板3に柱状配線38を立設し、その柱状配線38を介してマウント基板3とヘッダ6とを電気的に接続するように構成することによって、柱状配線38の直径が通常百ミクロン以下であることから、数百ミクロン程度の半田ボールでマウント基板に接続されたインターポーザ基板を用いてマウント基板と電気コネクタとを接続する場合と異なり、マウント基板3上の外部電気接続用端子部36aの占有面積を上記インターポーザ基板を用いる場合よりも小さくすることができる。これにより、図11に示すように、マウント基板3のサイズを縮小させることも可能である。
Further, by arranging the
また、封止体37によりマウント基板3の配線パターン36を封止して湿気や埃から保護することができる。
Further, the
また、封止体37によってさらに発光素子4AおよびIC基板5Aをも封止して保護するとともに、発光素子4AおよびIC基板5Aで発生する熱を封止体37に速やかに移動させることで放熱性を向上させることができる。
In addition, the sealing
本実施形態では、光電気変換装置1Bとして、発光側光電気変換部1B1から受光側光電気変換部に光信号が送られる一方向通信型のものを示したが、光電気変換装置1Bは、発光側光電気変換部1B1に受光素子4Bを実装するとともに受光側光電気変換部に発光素子4Aを実装し、かつ、マウント基板3に複数の導波路31を形成した双方向通信型のものであってもよい。また、光電気変換装置1Bは、少なくとも発光側光電気変換部1B1または受光側光電気変換部の一方を備えていればよい。また、一方向通信型、双方向通信型の両方において、1チャンネルの通信について説明しているが、アレイ形状の受発光素子を実装して、多チャンネル通信であってもよく、外部導波路9も複数の導波路が形成されたものを使用すればよい。
In the present embodiment, as the
また、発光素子4AおよびIC基板5Aの両方がマウント基板3の一方面3aに設けられているが、これに限らず、発光素子4AおよびIC基板5Aの両方あるいはいずれか一方がマウント基板3の他方面3cに設けられていてもよい。
Further, both the
1B 光電気変換装置
2 配線基板
3 マウント基板
3a 一方面
3c 他方面
31 内部導波路
36 配線パターン
36a 外部電気接続用端子部
37 封止体
38 柱状配線
38a 先端部
39 再配置配線パターン
39a 再配置配線部
39b 再配置端子部
4A 発光素子
4B 受光素子
5A,5B IC基板
50A,50B IC回路
6 ヘッダ型電気コネクタ
7 ソケット型電気コネクタ
9 外部導波路
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記マウント基板の一方面に形成された基板側配線パターン上に立設される柱状配線と、
前記柱状配線をその先端を残して包含可能な厚さで前記マウント基板の一方面を覆う絶縁性の封止体と、
前記封止体の外面に露出した柱状配線と電気的に接続する状態で前記封止体の外面に形成される封止体側配線パターンとを備え、
前記封止体側配線パターンは、前記電気コネクタの端子に対応する配列間隔で配置された封止体側端子部を有することを特徴とする光電気変換装置。 An optical element that converts an electrical signal into an optical signal or an optical signal into an electrical signal, an IC circuit for transmitting an electrical signal to or receiving an electrical signal from the optical element, and the optical element are mounted A mounting substrate; an electrical connector that can be attached to and detached from an external connector; and a waveguide that is optically coupled to the optical element, wherein the electrical connector is provided on one surface of the mounting substrate, and the waveguide is A photoelectric conversion device provided on the mount substrate along one surface of the mount substrate or the other surface on the opposite side,
Columnar wiring standing on a substrate-side wiring pattern formed on one surface of the mounting substrate;
An insulating sealing body that covers one surface of the mount substrate with a thickness that can include the columnar wiring leaving the tip; and
A sealing body-side wiring pattern formed on the outer surface of the sealing body in a state of being electrically connected to the columnar wiring exposed on the outer surface of the sealing body;
The said sealing body side wiring pattern has the sealing body side terminal part arrange | positioned by the arrangement space | interval corresponding to the terminal of the said electrical connector, The photoelectric conversion apparatus characterized by the above-mentioned.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006268979A JP4779920B2 (en) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | Photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006268979A JP4779920B2 (en) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | Photoelectric conversion device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008091504A JP2008091504A (en) | 2008-04-17 |
JP4779920B2 true JP4779920B2 (en) | 2011-09-28 |
Family
ID=39375382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006268979A Expired - Fee Related JP4779920B2 (en) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | Photoelectric conversion device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4779920B2 (en) |
-
2006
- 2006-09-29 JP JP2006268979A patent/JP4779920B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008091504A (en) | 2008-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4882644B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP5457656B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
EP2428828B1 (en) | Miniaturized high speed optical module | |
US8265487B2 (en) | Half-duplex, single-fiber (S-F) optical transceiver module and method | |
JP4830607B2 (en) | Photoelectric conversion device, manufacturing method thereof, and external waveguide | |
JP2010122312A (en) | Transmission/reception lens block and optical module using the same | |
US20140071632A1 (en) | Semiconductor device, communication device, and semiconductor package | |
JP2021139998A (en) | Optical module | |
US20060261258A1 (en) | Optical assembly with optical transmitting and receiving functions | |
JP4876830B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP2008091516A (en) | Photoelectric conversion device | |
JP2013057719A (en) | Optical module | |
JP4779919B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP4779920B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP4779918B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP2012069882A (en) | Optical module | |
TW201323963A (en) | Optical element package and method for making the same | |
CN101523264A (en) | Photoelectric converter | |
JP4899762B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP2008091515A (en) | Photoelectric converter | |
JP2007178537A (en) | Optical module and optical transmission system | |
JP5113365B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP2008091493A (en) | Photoelectric conversion device | |
JP2008091474A (en) | Photoelectric conversion device | |
JP2004341370A (en) | Optical module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090624 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110518 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110607 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110620 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |