JP4770651B2 - CURRENT / VOLTAGE CONVERSION CIRCUIT, PHOTODETECTOR CIRCUIT HAVING THE SAME AND OPTICAL DISC DEVICE - Google Patents
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Description
本発明は、電圧信号を電気信号に変換する電流電圧変換回路及びそれを備えたフォトディテクタ回路及び光ディスク装置に関する。 The present invention relates to a current-voltage conversion circuit that converts a voltage signal into an electric signal, a photodetector circuit including the current-voltage conversion circuit, and an optical disc apparatus.
従来よりCD(Compact Disc)ドライブ,DVD(Digital Versatile Disc)ドライブなどの光ディスク装置がある。この光ディスク装置は、レーザー光を光学系を介して光ディスクに照射することによって光ディスクに対してデータを読み書きするものである。 Conventionally, there are optical disc apparatuses such as a CD (Compact Disc) drive and a DVD (Digital Versatile Disc) drive. This optical disc apparatus reads and writes data from and on an optical disc by irradiating the optical disc with laser light through an optical system.
この種の光ディスク装置においては、光ディスクにデータを読み書きするときのレーザー光の強度をモニタし、適正なレーザー光の強度となるように調整することが一般的に行われている。 In this type of optical disc apparatus, it is generally performed to monitor the intensity of the laser beam when reading / writing data from / to the optical disc and adjust the laser beam intensity to an appropriate level.
そのため、光ディスク装置では、レーザー光の強度をモニタするために、レーザー光を電気信号に変換するフォトディテクタ回路が用いられている。 For this reason, in an optical disc apparatus, a photodetector circuit that converts laser light into an electrical signal is used to monitor the intensity of the laser light.
そして、このフォトディテクタ回路は、レーザー光である光信号を受信するフォトダイオードと、この光信号によってフォトダイオードに流れる電流信号を電圧信号に変換して出力する電流電圧変換回路とを備えている。 The photodetector circuit includes a photodiode that receives an optical signal that is laser light, and a current-voltage conversion circuit that converts a current signal flowing through the photodiode by the optical signal into a voltage signal and outputs the voltage signal.
この電流電圧変換回路は、光ディスク装置のほか、光伝送システムや光インターコネクションなどの光伝送や光通信などにも用いられている(例えば、特許文献1参照。) This current-voltage conversion circuit is used for optical transmission and optical communication such as an optical transmission system and an optical interconnection in addition to an optical disk device (see, for example, Patent Document 1).
ここで、従来の一般的な電流電圧変換回路の具体的な構成を図面を参照して説明する。図4は、従来の電流電圧変換回路100の構成を示す図である。
Here, a specific configuration of a conventional general current-voltage conversion circuit will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a conventional current-
図4に示すように、電流電圧変換回路100は、フォトダイオードPD100と、差動アンプであるオペアンプAMP100と、帰還抵抗Rfと、コンデンサCfと、基準電圧Vcとを有している。ここで、図4に示される容量Cpは、フォトダイオードPD100の接合容量成分、フォトダイオードPD100と他の素子の配線容量成分、帰還抵抗Rfの容量成分、オペアンプAMP100の入力容量成分、その他の寄生容量成分などによって形成されるものである。
As shown in FIG. 4, the current-
フォトダイオードPD100は、光ディスクにデータを読み書きするときのレーザー光を受光し、電流信号に変換する。フォトダイオードPD100による電流信号Iinは、オペアンプAMP100に入力され、オペアンプAMP100によって電流−電圧変換が行われる。すなわち、フォトダイオードPD100による電流信号IinがオペアンプAMP100によって電圧信号V0へ変換され出力される。 The photodiode PD100 receives laser light when reading / writing data from / to the optical disk and converts it into a current signal. The current signal Iin from the photodiode PD100 is input to the operational amplifier AMP100, and current-voltage conversion is performed by the operational amplifier AMP100. That is, the current signal Iin by the photodiode PD100 is converted into a voltage signal V 0 by the operational amplifier AMP100 is output.
ここで、フォトダイオードPD100の電流信号Iinに対する電圧信号V0の伝達関数は、AMP100の伝達関数をA=(A0×ωc)/(s+ωc)とすると、以下の式(1)で示される。 Here, the transfer function of the voltage signal V 0 with respect to the current signal Iin of the photodiode PD100 is represented by the following formula (1), where A = (A 0 × ωc) / (s + ωc).
上記(1)よりω0とQは、以下の式(2)及び式(3)で示される。
From the above (1), ω 0 and Q are expressed by the following equations (2) and (3).
従って、電流電圧変換回路100における周波数帯域特性を広げるためには、容量Cpの容量値をできるだけ小さくする必要がある。
Therefore, in order to widen the frequency band characteristics in the current-
ところで、フォトディテクタ回路においては、光ディスク装置のモードに応じてその感度を切替える必要がある。光ディスク装置のモードとしては、光ディスクに対してデータを書き込むモード(ライトモード)と、光ディスクに対してデータを読み込むモード(リードモード)などがある。 By the way, in the photo detector circuit, it is necessary to switch the sensitivity in accordance with the mode of the optical disc apparatus. As a mode of the optical disc apparatus, there are a mode for writing data to the optical disc (write mode), a mode for reading data from the optical disc (read mode), and the like.
そこで、フォトディテクタ回路の電流電圧変換回路では、帰還抵抗をNMOSトランジスタなどのトランジスタスイッチで切替えるようにしている。なお、このように帰還抵抗をスイッチで切替えることによって、電流電圧変換回路の感度を調整する方法は、例えば、上記特許文献1に記載された従来技術に示されるように公知の技術である。
Therefore, in the current-voltage conversion circuit of the photodetector circuit, the feedback resistor is switched by a transistor switch such as an NMOS transistor. Note that the method of adjusting the sensitivity of the current-voltage conversion circuit by switching the feedback resistor with a switch in this way is a known technique as shown in the prior art described in
すなわち、図5に示す電流電圧変換回路100’のように、より具体的には、オペアンプAMP100の入出力間に、帰還抵抗Rf-nとNMOSトランジスタN−n(ここでは、n=1,2としている)とを直列接続した組を並列接続し、NMOSトランジスタN-nのON,OFFを制御することによって、電流電圧変換回路100’の感度を切替えるのである。
ところで、NMOSトランジスタN−1をONにし、他のNMOSトランジスタN−2をOFFにした場合の、電流信号Iinと電圧信号V0との関係を式(4)及び式(5)に示す。なお、RONはNMOSトランジスタN−1のON抵抗である。 Incidentally, the NMOS transistor N-1 to ON, in the case of the other NMOS transistor N-2 to OFF, indicating the relationship between the current signal Iin and the voltage signal V 0 in equation (4) and (5). Note that R ON is the ON resistance of the NMOS transistor N-1.
そして、NMOSトランジスタN−1のON抵抗は、NMOSトランジスタN−1のドレイン−ソース間電圧Vds≒0Vとした場合、次式(6)で表される。
The ON resistance of the NMOS transistor N-1 is expressed by the following equation (6) when the drain-source voltage Vds of the NMOS transistor N-1 is approximately 0V.
ここで、
Vth:NMOSトランジスタN−1の閾値電圧
Cox:NMOSトランジスタN−1のゲート酸化膜容量
μn:NMOSトランジスタN−1の電子の移動度
Vgs−1:NMOSトランジスタN−1のゲート−ソース間電圧
L:NMOSトランジスタN−1のゲート長
W:NMOSトランジスタN−1のゲート幅
である。
here,
Vth: threshold voltage of NMOS transistor N-1 Cox: gate oxide film capacitance of NMOS transistor N-1 μn: electron mobility of NMOS transistor N-1 Vgs-1: gate-source voltage of NMOS transistor N-1 L : Gate length of NMOS transistor N-1 W: gate width of NMOS transistor N-1.
図5に示すように、NMOSトランジスタN−1がON状態で、NMOSトランジスタN−2がOFF状態のとき、NMOSトランジスタN−1のゲート間電圧Vg−1は電源電圧Vccとなり、NMOSトランジスタN−2のゲート電圧Vg−2はグランド電圧GNDとなる。 As shown in FIG. 5, when the NMOS transistor N-1 is ON and the NMOS transistor N-2 is OFF, the gate-to-gate voltage Vg-1 of the NMOS transistor N-1 becomes the power supply voltage Vcc, and the NMOS transistor N- The gate voltage Vg-2 of 2 is the ground voltage GND.
このとき、電源電圧Vccの変動や、基準電圧Vcの変動などが発生すると、ゲート−ソース間電圧(Vgs−1)が変動し、それに伴って、NMOSトランジスタN−1のON抵抗も変動してしまう。 At this time, when a variation in the power supply voltage Vcc, a variation in the reference voltage Vc, or the like occurs, the gate-source voltage (Vgs-1) varies, and accordingly, the ON resistance of the NMOS transistor N-1 also varies. End up.
例えば、合計の帰還抵抗をRfとすると、上記式(5)に示すように、RONのばらつきにより帰還抵抗がばらつくことになる。 For example, if the feedback resistor sum and Rf, as shown in the equation (5), so that the feedback resistance due to variations in R ON varies.
帰還抵抗に対してNMOSトランジスタN−1のON抵抗を十分小さく(Rf−1>>RON)できれば問題ないが、フォトディテクタ回路におけるトランスインピーダンスの値は、1K〜100KΩであり、NMOSトランジスタN−1のON抵抗を10Ω程度に抑えなければならず、実現のためには、NMOSトランジスタN−1のサイズ(ゲート幅W)をかなり大きくしていかなければならない。 There is no problem if the ON resistance of the NMOS transistor N-1 can be made sufficiently small (Rf-1 >> R ON ) with respect to the feedback resistance, but the transimpedance value in the photodetector circuit is 1K to 100KΩ, and the NMOS transistor N-1 In order to realize this, the size (gate width W) of the NMOS transistor N-1 must be considerably increased.
しかしながら、NMOSトランジスタN−1のサイズを大きくすると、NMOSトランジスタの寄生容量(ソース・ドレイン−バックゲート間容量、ソース・ドレイン−ゲート間容量等の寄生容量)も大きくなる。 However, when the size of the NMOS transistor N-1 is increased, the parasitic capacitance (parasitic capacitance such as source-drain-back gate capacitance, source-drain-gate capacitance, etc.) of the NMOS transistor also increases.
従って、図4に示した容量Cpの容量値が大きくなってしまうことになり、その結果、電流電圧変換回路の周波数特性が悪化してしまう。しかも、ソースに生じる容量(バックゲート−ウェル間の容量)を少なくするためにバックゲートはグランド電圧GNDに接続することになるため、バックゲート効果によりNMOSトランジスタN−1の閾値電圧Vthの値が上がり、MOSのON抵抗はさらに大きくなってしまう。以上のことは、ON状態のときのNMOSトランジスタN−2についても同様なことがいえる。 Therefore, the capacitance value of the capacitor Cp shown in FIG. 4 is increased, and as a result, the frequency characteristics of the current-voltage conversion circuit are deteriorated. In addition, since the back gate is connected to the ground voltage GND in order to reduce the capacitance generated in the source (capacitance between the back gate and the well), the value of the threshold voltage Vth of the NMOS transistor N-1 is reduced due to the back gate effect. As a result, the ON resistance of the MOS is further increased. The same can be said for the NMOS transistor N-2 in the ON state.
このように従来の構成では、電源電圧Vccの変動や基準電圧Vcの変動等に対してトランスインピーダンスのばらつきを抑え、かつ広帯域な周波数帯域特性を有する電流電圧変換回路を設計することができなかった。 Thus, with the conventional configuration, it has been impossible to design a current-voltage conversion circuit that suppresses variations in transimpedance against fluctuations in the power supply voltage Vcc, fluctuations in the reference voltage Vc, etc., and has a wide frequency band characteristic. .
そこで、本発明は、トランスインピーダンスのばらつきを抑え、かつ広帯域な周波数帯域特性を有する電流電圧変換回路及びそれを備えたフォトディテクタ回路及び光ディスク回路を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a current-voltage conversion circuit that suppresses variations in transimpedance and has a wide frequency band characteristic, and a photodetector circuit and an optical disk circuit including the current-voltage conversion circuit.
請求項1に記載の発明は、入力された電流信号を基準電圧に基づいて電圧信号に変換して出力する増幅器を備え、この増幅器の入出力間に、帰還抵抗とトランジスタスイッチとを直列接続した組を並列接続した電流電圧変換回路において、前記増幅器の電源電圧と前記基準電圧との間に、第1定電流源と抵抗とを直列接続して配置すると共に、第2定電流源とトランジスタとを直列接続して配置し、前記抵抗の電圧と前記トランジスタの出力電圧との差分に応じた電圧を出力する差動増幅器を設け、前記差動増幅器の出力である前記電圧を、スイッチを介して前記トランジスタスイッチの制御入力に印可し、かつ前記差動増幅器の出力である前記電圧を前記トランジスタの制御入力に印可することを特徴とする。
The invention described in
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記トランジスタスイッチのサイズを前記トランジスタのサイズよりも大きいサイズとしたことを特徴とする。
The invention according to
また、請求項3に記載の発明は、入力された電流信号を基準電圧に基づいて電圧信号に変換して出力する増幅器を備え、この増幅器の入出力間に、帰還抵抗とトランジスタスイッチとを直列接続した組を並列接続した電流電圧変換回路を備えたフォトディテクト回路において、前記電流電圧変換回路は、前記増幅器の電源電圧と前記基準電圧との間に、第1定電流源と抵抗とを直列接続して配置すると共に、第2定電流源とトランジスタとを直列接続して配置し、前記抵抗の電圧と前記トランジスタの出力電圧との差分に応じた電圧を出力する差動増幅器を設け、前記差動増幅器の出力である前記電圧を、スイッチを介して前記トランジスタスイッチの制御入力に印可し、かつ前記差動増幅器の出力である前記電圧を前記トランジスタの制御入力に印可することを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an amplifier that converts an input current signal into a voltage signal based on a reference voltage and outputs the voltage signal, and a feedback resistor and a transistor switch are connected in series between the input and output of the amplifier. In a photodetector circuit including a current-voltage conversion circuit in which connected sets are connected in parallel, the current-voltage conversion circuit includes a first constant current source and a resistor in series between a power supply voltage of the amplifier and the reference voltage. The second constant current source and the transistor are connected in series , and provided with a differential amplifier that outputs a voltage corresponding to a difference between the voltage of the resistor and the output voltage of the transistor , the voltage which is the output of the differential amplifier via a switch applied to the control input of the transistor switch, and control the voltage the is the output of the differential amplifier of the transistors Characterized in that it applied to the force.
また、請求項4に記載の発明は、レーザー光を光学系を介して光ディスクに照射することによって前記光ディスクに対してデータを読み書きする光ディスク装置において、前記光学系を介して分光された前記レーザー光を電気信号に変換するフォトディテクタ回路を備え、前記フォトディテクタ回路は、入力された電流信号を基準電圧に基づいて電圧信号に変換して出力する増幅器を備え、この増幅器の入出力間に、帰還抵抗とトランジスタスイッチとを直列接続した組を並列接続した電流電圧変換回路を含み、前記電圧電流回路は、前記増幅器の電源電圧と前記基準電圧との間に、第1定電流源と抵抗とを直列接続して配置すると共に、第2定電流源とトランジスタとを直列接続して配置し、前記抵抗の電圧と前記トランジスタの出力電圧との差分に応じた電圧を出力する差動増幅器を設け、前記差動増幅器の出力である前記電圧を、スイッチを介して前記トランジスタスイッチの制御入力に印可し、かつ前記差動増幅器の出力である前記電圧を前記トランジスタの制御入力に印可することを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the optical disc apparatus that reads and writes data from and to the optical disc by irradiating the optical disc with the laser beam through the optical system, the laser beam that is spectrally separated through the optical system. The photo detector circuit includes an amplifier that converts an input current signal into a voltage signal based on a reference voltage and outputs the voltage signal. Between the input and output of the amplifier, a feedback resistor and A current-voltage conversion circuit in which a set of transistor switches connected in series is connected in parallel, and the voltage-current circuit includes a first constant current source and a resistor connected in series between the power supply voltage of the amplifier and the reference voltage And the second constant current source and the transistor are connected in series, and the voltage of the resistor and the output voltage of the transistor Provided a differential amplifier for outputting a voltage corresponding to the difference, the voltage the is the output of the differential amplifier via a switch applied to the control input of the transistor switch, and is the output of the differential amplifier The voltage is applied to a control input of the transistor.
請求項1,3,4に記載の発明によれば、入力された電流信号を基準電圧に基づいて電圧信号に変換して出力する増幅器を備え、この増幅器の入出力間に、帰還抵抗とトランジスタスイッチとを直列接続した組を並列接続した電流電圧変換回路において前記増幅器の電源電圧と前記基準電圧との間に、第1定電流源と抵抗とを直列接続して配置すると共に、第2定電流源とトランジスタとを直列接続して配置し、抵抗の電圧とトランジスタの出力電圧との差分に応じた電圧を出力する差動増幅器を設け、この差動増幅器の出力をスイッチを介してトランジスタスイッチの制御入力に印加すると共に、トランジスタの入力に印加するので、電流電圧変換回路におけるトランスインピーダンスの電源電圧Vccの変動や基準電圧Vcの変動による影響を抑えることができる。従って、電源電圧Vccの変動や基準電圧Vcの変動にかかわらず、広帯域な周波数帯域特性とすることができる。また、従来トランジスタスイッチとして使用していたトランジスタのサイズを削減することが可能となり、寄生容量を小さくすることにより広帯域な電圧電流変換回路を設計することができる。 According to the first, third, and fourth aspects of the present invention, the amplifier includes an amplifier that converts the input current signal into a voltage signal based on the reference voltage and outputs the voltage signal. In a current-voltage conversion circuit in which a set of switches connected in series is connected in parallel, a first constant current source and a resistor are connected in series between the power supply voltage of the amplifier and the reference voltage, and a second constant A current amplifier and a transistor are connected in series, and a differential amplifier is provided that outputs a voltage corresponding to the difference between the voltage of the resistor and the output voltage of the transistor. Since it is applied to the control input of the transistor and to the input of the transistor, it depends on the fluctuation of the transimpedance power supply voltage Vcc and the fluctuation of the reference voltage Vc in the current-voltage conversion circuit. It is possible to suppress the sound. Therefore, a wide frequency band characteristic can be obtained regardless of the fluctuation of the power supply voltage Vcc and the fluctuation of the reference voltage Vc. In addition, the size of a transistor conventionally used as a transistor switch can be reduced, and a broadband voltage-current conversion circuit can be designed by reducing the parasitic capacitance.
また、請求項2に記載の発明によれば、トランジスタスイッチのサイズをトランジスタのサイズよりも大きいサイズとしたので、トランジスタスイッチのON抵抗を小さくすることができる。 According to the second aspect of the present invention, since the size of the transistor switch is larger than the size of the transistor, the ON resistance of the transistor switch can be reduced.
本実施形態におけるフォトディテクタ回路は、レーザー光を光学系を介して光ディスクに照射することによって光ディスクに対してデータを読み書きする光ディスク装置に備えられるものである。また、この光ディスク装置は、CD(Compact Disc)及びDVD(Digital Versatile Disc)のいずれに対してもデータの読み書きが可能に構成される。 The photodetector circuit in this embodiment is provided in an optical disc apparatus that reads and writes data from and on an optical disc by irradiating the optical disc with laser light through an optical system. In addition, this optical disc apparatus is configured to be able to read and write data to both a CD (Compact Disc) and a DVD (Digital Versatile Disc).
そして、このフォトディテクタ回路は、レーザー光である光信号を受信するフォトダイオードと、フォトダイオードに流れる電流信号を電圧信号に変換して出力する電流電圧変換回路を備えている。 The photodetector circuit includes a photodiode that receives an optical signal that is laser light, and a current-voltage conversion circuit that converts a current signal flowing through the photodiode into a voltage signal and outputs the voltage signal.
この電流電圧変換回路は、入力された電流信号を電圧信号に変換して出力する増幅器を備え、この増幅器の入出力間に、帰還抵抗とトランジスタスイッチとを直列接続した組を並列接続しており、トランジスタスイッチのON状態,OFF状態を制御することによって、フォトダイオードに流れる電流信号に対する感度調整を可能としている。 This current-voltage conversion circuit includes an amplifier that converts an input current signal into a voltage signal and outputs the voltage signal. A pair of feedback resistors and transistor switches connected in series is connected in parallel between the input and output of the amplifier. By controlling the ON and OFF states of the transistor switch, it is possible to adjust the sensitivity to the current signal flowing through the photodiode.
しかも、増幅器の電源電圧と基準電圧との間に、第1定電流源と抵抗とを直列接続して配置すると共に、第2定電流源とトランジスタとを直列接続して配置し、抵抗の電圧とトランジスタの出力電圧との差分に応じた電圧を出力する差動増幅器を設け、この差動増幅器の出力をスイッチを介してトランジスタスイッチの制御入力に印加すると共に、トランジスタの入力に印加するようにしている。 In addition, the first constant current source and the resistor are connected in series between the power supply voltage of the amplifier and the reference voltage, and the second constant current source and the transistor are connected in series, so that the voltage of the resistor And a differential amplifier that outputs a voltage corresponding to the difference between the output voltage of the transistor and the output of the transistor is applied to the control input of the transistor switch via the switch and to the input of the transistor. ing.
その結果、電源電圧Vccの変動や基準電圧Vcの変動にかかわらず、電流−電圧変換特性を良好なものとすることができる。 As a result, the current-voltage conversion characteristics can be improved regardless of the fluctuation of the power supply voltage Vcc and the fluctuation of the reference voltage Vc.
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳説する。図1は、本実施形態の光ディスク装置の概略構成図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an optical disc apparatus according to the present embodiment.
本実施形態における光ディスク装置1は、図1に示すように、CD用の光信号であるレーザー光を出射するCD用レーザーダイオード2と、DVD用の光信号であるレーザー光を出射するDVD用レーザーダイオード3と、光学系4と、CDやDVDなどの光ディスク6から反射するレーザー光を受光して電気信号に変換する第1のフォトディテクタ回路5と、光ディスク6を回転制御するためのサーボモータ7と、光学系4を介して分光されたレーザー光を電気信号に変換する第2のフォトディテクト回路であるフロントモニタフォトディテクタ回路10と、各レーザーダイオード2,3からレーザー光を出射するための制御信号の生成処理、各フォトディテクタ回路5,10からの出力信号の処理、サーボモータ7への制御信号の生成処理などの各種信号処理を行うDSP11と、光ディスク装置1全体を制御するコントローラ12などから構成される。
As shown in FIG. 1, an
光学系4は、レンズ20,21,25〜27と、プリズム22と、スプリッタ23と、反射ミラー24とを含んでいる。
The optical system 4 includes
光ディスク装置1において、インターフェイスを介してコントローラ12により記録用のデータを受信すると、コントローラ12は、DSP11を制御して、その記録するデータに応じて変調したレーザー光をCD用レーザーダイオード2又はDVD用レーザーダイオード3から出射させる。
In the
CD用レーザーダイオード2から出射されたレーザー光は、レンズ21及びプリズム22を介して、スプリッタ23に入射する。同様に、DVD用レーザーダイオード3から出射されたレーザー光は、レンズ21及びプリズム22を介して、スプリッタ23に入射する。
The laser light emitted from the
スプリッタ23に入射したレーザー光は、このスプリッタ23によって、反射ミラー24方向とフロントモニタフォトディテクタ回路10方向へと分光される。
The laser light incident on the
反射ミラー24方向へ分光したレーザー光は、反射ミラー24での反射によってその光の方向が変更され、レンズ25によってコリメートされた後、レンズ27によって集光されて、光ディスク6に照射される。
The direction of the laser beam dispersed in the direction of the reflection mirror 24 is changed by reflection by the reflection mirror 24, collimated by the
一方、スプリッタ23によってフロントモニタフォトディテクタ回路10方向へと分光されたレーザー光は、フロントモニタフォトディテクタ回路10で受光される。
On the other hand, the laser light split by the
フロントモニタフォトディテクタ回路10で受光されたレーザー光は、フロントモニタフォトディテクタ回路10によって電気信号に変換され、DSP11へ送信される。
The laser light received by the front
DSP11は、フロントモニタフォトディテクタ回路10から送信される電気信号に基づいて、各レーザーダイオード2,3から出射されるレーザー光の強度を検出し、各レーザーダイオード2,3から出射するレーザー光の強度を調整する。
The
なお、光ディスク6に照射され、この光ディスク6で反射したレーザー光は、レンズ25,26、反射ミラー24、スプリッタ23、レンズ27を介して、第1のフォトディテクタ回路5で受光される。また、光ディスク6に書き込まれたデータを読み取るときには、読み取りのためのレーザー光をCD用レーザーダイオード2又はDVD用レーザーダイオード3から出射する。以降上記と同様の経路で、分光されたレーザー光がフロントモニタフォトディテクタ回路10で受光され、光ディスク6で反射されたレーザー光が第1のフォトディテクタ回路5で受光される。
The laser light irradiated to the
ここで、本発明の特徴部分である電流電圧変換回路30を備えたフロントモニタフォトディテクタ回路10について、図面を参照して具体的に説明する。図2は本実施形態におけるフロントモニタフォトディテクタ回路10の概略構成図、図3はフロントモニタフォトディテクタ回路10における電流電圧変換回路30について電源電圧Vccを変化させた場合のトランスインピーダンス特性を示す図である。
Here, the front
フロントモニタフォトディテクタ回路10は、図2に示すように、フォトダイオードPD1と、電流電圧変換回路30とを有している。
As shown in FIG. 2, the front
電流電圧変換回路30は、図2に示すように、電源電圧Vccとグランド電圧GNDを電源とし、フォトダイオードPD1に流れる電流信号を基準電圧Vcに基づいて電圧信号に変換して出力する増幅器であるオペアンプAMP1を備え、このオペアンプAMP1の入出力(反転入力端子と出力端子)間に、帰還抵抗Rf1−1とNMOSトランジスタN1−1のドレイン−ソース間とを直列接続した第1の組と、帰還抵抗Rf1−2とNMOSトランジスタN1−2のドレイン−ソース間とを直列接続した第2の組とを並列接続して構成しており、NMOSトランジスタN1-1,N1−2のON状態,OFF状態を制御することによって、電流電圧変換回路30の感度を切替えている。なお、オペアンプAMP1の非反転入力端子には、基準電圧Vcが接続されている。また、NMOSトランジスタN1−1,N1−2のソースは、オペアンプAMP1の反転入力端子とフォトダイオードPD1とに接続され、NMOSトランジスタN1−1,N1−2のドレインは、それぞれ帰還抵抗Rf1−1,Rf1−2に接続される。
As shown in FIG. 2, the current-
ここでは、理解を容易にするために、帰還抵抗とトランジスタスイッチであるNMOSトランジスタとを直列接続した組を2つとして説明しているが、感度調整をしたい帯域幅に応じてこれらの組を増やすことができる。また、NMOSトランジスタN1-1,N1−2の制御は、コントローラ12がDSP11を制御して、DSP11から出力される信号に基づいて行なわれる。すなわち、コントローラ12によって電流電圧変換回路30の感度切替えが行なわれる。
Here, in order to facilitate understanding, two pairs of feedback resistors and NMOS transistors as transistor switches are connected in series, but these groups are increased according to the bandwidth for which sensitivity adjustment is desired. be able to. The NMOS transistors N1-1 and N1-2 are controlled based on a signal output from the
さらに、電流電圧変換回路30では、NMOSトランジスタN1−1,N1−2の制御入力(ゲート端子)にNMOSトランジスタN1−1,N1−2をON状態に制御する電圧を生成するために、同一の定電流特性である第1定電流源I1及び第2定電流源I2と、差動増幅器であるオペアンプAMP2と、NMOSトランジスタN2とを備えており、オペアンプAMP2の出力電圧V2がスイッチSW1,SW2を介してNMOSトランジスタN1−1,N1−2の制御入力に入力される。スイッチSW1〜スイッチSW4は、コントローラ12がDSP11を制御して、DSP11から出力される信号によって制御され、これによってNMOSトランジスタN1−1,N1−2のON状態,OFF状態が制御される。
Further, in the current-
第1定電流源I1は、その一端が電源電圧Vccに接続され、その他端が抵抗R2の一端とオペアンプAMP2の反転入力端子に接続される。また、第2定電流源I2は、その一端が電源電圧Vccに接続され、その他端がNMOSトランジスタN2のドレインとオペアンプAMP2の非反転入力端子に接続される。 The first constant current source I1 has one end connected to the power supply voltage Vcc and the other end connected to one end of the resistor R2 and the inverting input terminal of the operational amplifier AMP2. The second constant current source I2 has one end connected to the power supply voltage Vcc and the other end connected to the drain of the NMOS transistor N2 and the non-inverting input terminal of the operational amplifier AMP2.
抵抗R2の他端とNMOSトランジスタN2のソースとは基準電圧Vcに接続される。また、オペアンプAMP2の出力端子は、NMOSトランジスタN2のゲート端子に接続されると共に、スイッチSW1,SW2の一端に接続される。 The other end of the resistor R2 and the source of the NMOS transistor N2 are connected to the reference voltage Vc. The output terminal of the operational amplifier AMP2 is connected to the gate terminal of the NMOS transistor N2 and to one end of the switches SW1 and SW2.
スイッチSW1の他端はスイッチSW4の一端及びNMOSトランジスタN1−1のゲート端子に接続され、スイッチSW2の他端はスイッチSW3の一端及びNMOSトランジスタN1−2のゲート端子に接続される。また、スイッチSW3,SW4の他端は、グランド電圧GNDに接続される。 The other end of the switch SW1 is connected to one end of the switch SW4 and the gate terminal of the NMOS transistor N1-1, and the other end of the switch SW2 is connected to one end of the switch SW3 and the gate terminal of the NMOS transistor N1-2. The other ends of the switches SW3 and SW4 are connected to the ground voltage GND.
このように、電源電圧Vccと基準電圧Vcとの間に、第1定電流源I1と抵抗R2とを直列接続して配置すると共に、第2定電流源I2とNMOSトランジスタN2とを直列接続して配置し、抵抗R2の電圧とNMOSトランジスタN2の電圧との差分に応じた電圧をオペアンプAMP2によって出力し、このオペアンプAMP2の出力をスイッチSW1〜SW4を介してNMOSトランジスタN1−1,N1−2の制御入力であるゲート端子に印加すると共に、NMOSトランジスタN2の入力であるゲート端子に印加するようにしている。 As described above, the first constant current source I1 and the resistor R2 are connected in series between the power supply voltage Vcc and the reference voltage Vc, and the second constant current source I2 and the NMOS transistor N2 are connected in series. The operational amplifier AMP2 outputs a voltage corresponding to the difference between the voltage of the resistor R2 and the voltage of the NMOS transistor N2, and the output of the operational amplifier AMP2 is output to the NMOS transistors N1-1 and N1-2 via the switches SW1 to SW4. And is applied to the gate terminal which is the input of the NMOS transistor N2.
従って、オペアンプAMP2の出力電圧V2が、抵抗R2に発生する電圧V1とNMOSトランジスタN2のドレイン−ソース間電圧とが等しくなるように、NMOSトランジスタN2のゲート電圧を制御するように帰還がかかることになる。 Therefore, feedback is applied to control the gate voltage of the NMOS transistor N2 so that the output voltage V2 of the operational amplifier AMP2 is equal to the voltage V1 generated in the resistor R2 and the drain-source voltage of the NMOS transistor N2. Become.
また、第1定電流源I1と第2定電流源I2とは同一の定電流特性を有していることから、NMOSトランジスタN2と抵抗R2とに流れる電流は等しく、従って、NMOSトランジスタN2のON抵抗は抵抗R2と同一となる。 Further, since the first constant current source I1 and the second constant current source I2 have the same constant current characteristics, the currents flowing through the NMOS transistor N2 and the resistor R2 are equal, and therefore the NMOS transistor N2 is turned on. The resistance is the same as the resistance R2.
NMOSトランジスタN1−1,N1−2,N2は、同一のサイズ(ゲート幅W)としており、その結果、NMOSトランジスタN1−1,N1−2がスイッチSW1,SW2を介して出力電圧V2が印加されON状態となったときのこれらのON抵抗は、抵抗R2と同一となる。 The NMOS transistors N1-1, N1-2, and N2 have the same size (gate width W). As a result, the NMOS transistors N1-1 and N1-2 receive the output voltage V2 via the switches SW1 and SW2. These ON resistances when turned ON are the same as the resistance R2.
また、NMOSトランジスタN2のON抵抗は抵抗R2の抵抗値に依存するものであり、電源電圧Vccには依存しないことになるため、電源電圧Vccが変動した場合であっても、NMOSトランジスタN1−1,N1−2のON抵抗を一定にすることができる。 Further, since the ON resistance of the NMOS transistor N2 depends on the resistance value of the resistor R2, and does not depend on the power supply voltage Vcc, the NMOS transistor N1-1 even when the power supply voltage Vcc fluctuates. , N1-2 can be made constant.
しかも、NMOSトランジスタN2のソースと抵抗R2の他端とをそれぞれオペアンプAMP1の基準電圧Vcに接続してNMOSトランジスタN2のドレイン−ソース間電圧を生成しているので、基準電圧Vcには依存せず、基準電圧Vcが変動した場合であっても、NMOSトランジスタN1−1,N1−2のON抵抗を一定にすることができる。そのため、電流電圧変換回路30において、トランスインピーダンスのばらつきを抑えることができる。
In addition, the drain-source voltage of the NMOS transistor N2 is generated by connecting the source of the NMOS transistor N2 and the other end of the resistor R2 to the reference voltage Vc of the operational amplifier AMP1, so that it does not depend on the reference voltage Vc. Even when the reference voltage Vc fluctuates, the ON resistances of the NMOS transistors N1-1 and N1-2 can be made constant. Therefore, in the current-
以上のように、電源電圧Vccと基準電圧Vcとの間に、第1定電流源I1と抵抗R2との直列接続と、第2定電流源I2とNMOSトランジスタN2との直列接続とを配置し、抵抗R2にかかる電圧とNMOSトランジスタN2にかかる電圧とが同じになるように、抵抗R2にかかる電圧とNMOSトランジスタN2にかかる電圧との差分に応じた電圧をオペアンプAMP2からNMOSトランジスタN2のベースに出力し、このオペアンプAMP2の出力をNMOSトランジスタN1−1,N1−2のON,OFFの制御に用いることとしたので、電源電圧Vccの変動や基準電圧Vcの変動にかかわらず、NMOSトランジスタN1−1,N1−2のON抵抗を、ある一定値とすることが可能となる。 As described above, the series connection of the first constant current source I1 and the resistor R2 and the series connection of the second constant current source I2 and the NMOS transistor N2 are arranged between the power supply voltage Vcc and the reference voltage Vc. The voltage according to the difference between the voltage applied to the resistor R2 and the voltage applied to the NMOS transistor N2 is applied from the operational amplifier AMP2 to the base of the NMOS transistor N2 so that the voltage applied to the resistor R2 and the voltage applied to the NMOS transistor N2 are the same. Since the output of the operational amplifier AMP2 is used for the ON / OFF control of the NMOS transistors N1-1 and N1-2, the NMOS transistor N1- is controlled regardless of the fluctuation of the power supply voltage Vcc and the fluctuation of the reference voltage Vc. The ON resistances of N1 and N1-2 can be set to a certain constant value.
また、NMOSトランジスタN1−1,N1−2のサイズをNMOSトランジスタN2のn倍(n>1)のサイズにすることによって、NMOSトランジスタN1−1,N1−2のON抵抗を、R2/nの抵抗値にすることができる。すなわち、NMOSトランジスタN1−1,N1−2のサイズをNMOSトランジスタN2よりも大きいサイズとしたので、NMOSトランジスタN1−1,N1−2のON抵抗を小さくすることができる。 Further, by making the size of the NMOS transistors N1-1 and N1-2 n times as large as the NMOS transistor N2 (n> 1), the ON resistance of the NMOS transistors N1-1 and N1-2 is reduced to R2 / n. It can be a resistance value. That is, since the size of the NMOS transistors N1-1 and N1-2 is larger than that of the NMOS transistor N2, the ON resistance of the NMOS transistors N1-1 and N1-2 can be reduced.
図3に、電流電圧変換回路30において、電源電圧Vccの変動に対するトランスインピーダンス特性を示す。この図3に示すように、本実施形態における電流電圧変換回路30では、電源電圧Vccの変動に対してトランスインピーダンスが一定の値となっている。なお、基準電圧Vcの変動に対するトランスインピーダンス特性も、電源電圧Vccの変動に対するトランスインピーダンス特性と同様の結果が得られる。
FIG. 3 shows transimpedance characteristics with respect to fluctuations in the power supply voltage Vcc in the current-
従来の電流電圧変換回路では、電源電圧Vccの変動や基準電圧Vcの変動により、トランジスタスイッチであるNMOSトランジスタのON抵抗が変動するために、トランスインピーダンスRfのON抵抗の割合を1%程度まで抑えなければならなかったが、本実施形態におけるゲート電圧の制御方式を用いることにより、Rfに対するON抵抗の割合を10%程度まであげた場合であっても、トランスインピーダンスの電源電圧Vccの変動や基準電圧Vcの変動による影響を抑えることができる。 In the conventional current-voltage conversion circuit, the ON resistance ratio of the transimpedance Rf is suppressed to about 1% because the ON resistance of the NMOS transistor which is a transistor switch fluctuates due to the fluctuation of the power supply voltage Vcc and the fluctuation of the reference voltage Vc. Although it was necessary to use the gate voltage control method in this embodiment, even if the ratio of the ON resistance to Rf is increased to about 10%, the variation of the power supply voltage Vcc of the transimpedance and the reference The influence due to the fluctuation of the voltage Vc can be suppressed.
従って、電源電圧Vccの変動や基準電圧Vcの変動にかかわらず、電流−電圧変換特性を良好なものとすることができる。 Therefore, the current-voltage conversion characteristics can be improved regardless of the fluctuation of the power supply voltage Vcc and the fluctuation of the reference voltage Vc.
しかも、従来トランジスタスイッチとして使用していたNMOSトランジスタのサイズを半分以下に削減することが可能となり、寄生容量を小さくすることにより広帯域な電圧電流変換回路を設計することができる。 In addition, the size of the NMOS transistor conventionally used as a transistor switch can be reduced to less than half, and a broadband voltage-current conversion circuit can be designed by reducing the parasitic capacitance.
また、抵抗R2と等しくなるように帰還がかかるため、NMOSトランジスタN1−1,N1−2のON抵抗のバラツキ要因である、閾値電圧Vth、ゲート長L、温度の変動に対してもON抵抗はばらつかずに一定とになる。 Further, since feedback is applied so as to be equal to the resistance R2, the ON resistance is also affected by variations in the threshold voltage Vth, the gate length L, and the temperature, which are causes of variations in the ON resistance of the NMOS transistors N1-1 and N1-2. It becomes constant without dispersion.
1 光ディスク装置
5,10 フォトディテクタ回路
30 電流電圧変換回路
AMP1,AMP2 オペアンプ(差動増幅器)
I1 第1定電流源
I2 第2定電流源
R1−1,R2−2 帰還抵抗
R2 抵抗
N1−1,N1−2 NMOSトランジスタ(トランジスタスイッチ)
N2 NMOSトランジスタ
PD1 フォトダイオード
SW1〜SW4 スイッチ
Vcc 電源電圧
Vc 基準電圧
GND グランド電位
DESCRIPTION OF
I1 first constant current source I2 second constant current source R1-1, R2-2 feedback resistor R2 resistor N1-1, N1-2 NMOS transistor (transistor switch)
N2 NMOS transistor PD1 Photodiode SW1 to SW4 Switch Vcc Power supply voltage Vc Reference voltage GND Ground potential
Claims (4)
この増幅器の入出力間に、帰還抵抗とトランジスタスイッチとを直列接続した組を並列接続した電流電圧変換回路において、
前記増幅器の電源電圧と前記基準電圧との間に、第1定電流源と抵抗とを直列接続して配置すると共に、
第2定電流源とトランジスタとを直列接続して配置し、
前記抵抗の電圧と前記トランジスタの出力電圧との差分に応じた電圧を出力する差動増幅器を設け、
前記差動増幅器の出力である前記電圧を、スイッチを介して前記トランジスタスイッチの制御入力に印可し、
かつ前記差動増幅器の出力である前記電圧を前記トランジスタの制御入力に印可する
ことを特徴とする電流電圧変換回路。 An amplifier that converts an output current signal into a voltage signal based on a reference voltage and outputs the voltage signal,
Between the input and output of this amplifier, in a current-voltage conversion circuit in which a set of feedback resistors and transistor switches connected in series is connected in parallel,
Between a power supply voltage and the reference voltage of the amplifier, both when a resistance between the first constant current source arranged in series connection,
A second constant current source and a transistor are connected in series ;
A differential amplifier that outputs a voltage corresponding to a difference between the voltage of the resistor and the output voltage of the transistor ;
Applying the voltage, which is the output of the differential amplifier, to the control input of the transistor switch via a switch ;
And a voltage that is an output of the differential amplifier is applied to a control input of the transistor.
ことを特徴とする請求項1に記載の電流電圧変換回路。 The current-voltage conversion circuit according to claim 1, wherein a size of the transistor switch is larger than a size of the transistor.
この増幅器の入出力間に、帰還抵抗とトランジスタスイッチとを直列接続した組を並列接続した電流電圧変換回路を備えたフォトディテクタ回路において、
前記電流電圧変換回路は、
前記増幅器の電源電圧と前記基準電圧との間に、第1定電流源と抵抗とを直列接続して配置すると共に、
第2定電流源とトランジスタとを直列接続して配置し、
前記抵抗の電圧と前記トランジスタの出力電圧との差分に応じた電圧を出力する差動増幅器を設け、
前記差動増幅器の出力である前記電圧を、スイッチを介して前記トランジスタスイッチの制御入力に印可し、
かつ前記差動増幅器の出力である前記電圧を前記トランジスタの制御入力に印可する
ことを特徴とするフォトディテクタ回路。 An amplifier that converts an output current signal into a voltage signal based on a reference voltage and outputs the voltage signal,
In the photodetector circuit having a current-voltage conversion circuit in which a set of feedback resistors and transistor switches connected in series is connected in parallel between the input and output of this amplifier,
The current-voltage conversion circuit is
Between a power supply voltage and the reference voltage of the amplifier, both when a resistance between the first constant current source arranged in series connection,
A second constant current source and a transistor are connected in series ;
A differential amplifier that outputs a voltage corresponding to a difference between the voltage of the resistor and the output voltage of the transistor ;
Applying the voltage, which is the output of the differential amplifier, to the control input of the transistor switch via a switch ;
A photodetector circuit, wherein the voltage which is an output of the differential amplifier is applied to a control input of the transistor.
前記光学系を介して分光された前記レーザー光を電気信号に変換するフォトディテクタ回路を備え、
前記フォトディテクタ回路は、入力された電流信号を基準電圧に基づいて電圧信号に変換して出力する増幅器を備え、この増幅器の入出力間に、帰還抵抗とトランジスタスイッチとを直列接続した組を並列接続した電流電圧変換回路を含み、
前記電流電圧変換回路は、
前記増幅器の電源電圧と前記基準電圧との間に、第1定電流源と抵抗とを直列接続して配置すると共に、
第2定電流源とトランジスタとを直列接続して配置し、
前記抵抗の電圧と前記トランジスタの出力電圧との差分に応じた電圧を出力する差動増幅器を設け、
前記差動増幅器の出力である前記電圧を、スイッチを介して前記トランジスタスイッチの制御入力に印可し、
かつ前記差動増幅器の出力である前記電圧を前記トランジスタの制御入力に印可する
ことを特徴とする光ディスク装置。 In an optical disc apparatus that reads and writes data from and to the optical disc by irradiating the optical disc with laser light through an optical system,
A photodetector circuit for converting the laser beam dispersed through the optical system into an electrical signal;
The photodetector circuit includes an amplifier that converts an input current signal into a voltage signal based on a reference voltage and outputs the voltage signal. A pair of feedback resistors and transistor switches connected in series is connected in parallel between the input and output of the amplifier. Current voltage converter circuit,
The current-voltage conversion circuit is
Between a power supply voltage and the reference voltage of the amplifier, both when a resistance between the first constant current source arranged in series connection,
A second constant current source and a transistor are connected in series ;
A differential amplifier that outputs a voltage corresponding to a difference between the voltage of the resistor and the output voltage of the transistor ;
Applying the voltage, which is the output of the differential amplifier, to the control input of the transistor switch via a switch ;
An optical disc apparatus characterized by applying the voltage, which is an output of the differential amplifier, to a control input of the transistor.
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