[go: up one dir, main page]

JP4765036B2 - 改善された線形性を有する可変利得増幅器 - Google Patents

改善された線形性を有する可変利得増幅器 Download PDF

Info

Publication number
JP4765036B2
JP4765036B2 JP2001510981A JP2001510981A JP4765036B2 JP 4765036 B2 JP4765036 B2 JP 4765036B2 JP 2001510981 A JP2001510981 A JP 2001510981A JP 2001510981 A JP2001510981 A JP 2001510981A JP 4765036 B2 JP4765036 B2 JP 4765036B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
output
coupled
circuit
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001510981A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003505904A (ja
Inventor
ケン、エル.フォン
Original Assignee
エスティー‐エリクソン、ソシエテ、アノニム
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エスティー‐エリクソン、ソシエテ、アノニム filed Critical エスティー‐エリクソン、ソシエテ、アノニム
Publication of JP2003505904A publication Critical patent/JP2003505904A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4765036B2 publication Critical patent/JP4765036B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H03F1/223Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0017Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid-state elements
    • H03G1/0023Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid-state elements in emitter-coupled or cascode amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0088Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using discontinuously variable devices, e.g. switch-operated
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/372Noise reduction and elimination in amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

【0001】
産業上の利用分野
本発明は一般的に利得制御増幅器の回路、より詳細には、高利得モードから1段階もしくはそれ以上低い利得モードに切換える際の線形性を改善するフィードバック技術に関するものである。
【0002】
従来の技術
可変利得増幅器(以下、VGAとも云う)は、グローバル・ポジショニング・システム(GPS)による受信機、ワイヤレス・ローカル・エリア・ネットワーク(LAN)、およびコードレスならびにセルラー電話機といった携帯型通信機のような数多くの電子製品に使用されている。特にVGAは、例えば、無線周波(RF)の入力段、中間周波数(IF)および低周波数またはベースバンド回路のようなさまざまな部品にも使用されている。
【0003】
回路の線形性は各種のパラメータによって規定することができる。例えば、入力第3次のインターセプト点が、回路の伝達関数における第3次の非線形性を示すようにである。この第3次の非線形性に起因する理由によって、近接チャネルにおける望ましからざる2個の信号が、出力部において望ましい信号を損なうことがある出力第3次の相互変調積(IM3)を生む。線形回路の出力部における望ましい信号電力は、この回路の入力電力とともに直線的に増大する。しかしながら、出力IM3の電力は、入力電力の3乗に比例して増加する。入力第3次のインターセプト点は入力電力のレベルであり、その水準で回路の出力部における望ましい信号電力は出力IM3の電力と等しくなる。
【0004】
図1は、セルラー電話のごときワイヤレス・システムの受信回路を介して伝送する無線周波信号のような入力信号を増幅する典型的な低ノイズ増幅器(LNA)10を示す。同調器または前段の増幅器のようなソースから送られる入力信号を受信するための信号入力部RFinが備えられている。入力信号は、NPN接合トランジスタQのベースに供与される。縮退インピーダンスZは、トランジスタQのエミッタと接地端子間に結合される。トランジスタQとインピーダンスZは、共通エミッタの相互コンダクタンス・ステージとして機能する。
【0005】
NPN接合トランジスタQは、カスコード構成をなしてトランジスタQに接続される。トランジスタQのエミッタは、トランジスタQのコレクタに接続される。トランジスタQのベースには、オン・チップまたはオフ・チップのいずれかになり得るバイアス回路からのバイアス電圧が供与される。抵抗器RとインダクタLは、トランジスタQのコレクタとコレクタ電圧源Vccとの間に結合される。コンデンサCは、トランジスタQのコレクタと低ノイズ増幅器10の出力部RFoutとの間に配置される。
【0006】
抵抗器Rは、低ノイズ増幅器10の出力インピーダンスと、出力部RFoutに結合される負荷インピーダンスに対して整合機能を発揮する出力整合抵抗器である。インダクタLとコンデンサCは、負荷インピーダンスと整合させるために抵抗器R1によって規定される出力インピーダンスを変換するインピーダンス変換ネットワークを形成する。同様にインダクタLもトランジスタQのコレクタの位置で、許容電圧を上げるプルアップインダクタとして機能する。
【0007】
図1に示す増幅器の利得は、既知の電流分配もしくは電流分割技術を用いて離散ステップにおいて制御される。相互コンダクタンス・デバイスQのコレクタと結合するエミッタと電源Vccに結合するコレクタとを有してNPNトランジスタQの形態をとるスイッチは、このスイッチに導電性もしくは不導電性に切換えさせるためにベースBの位置で制御信号が与えられる。スイッチQが不導電性状態にある場合、増幅器は高利得モードになって相互コンダクタンス・ステージからの電流の全てが出力部RFoutに伝えられる。スイッチQが導電性状態にある場合、増幅器は低利得モードになって出力部からの電流が転換されると同時にスイッチQによって電源にダンプ送り出されることにより、入力部RFinに関して出力部RFoutにおける利得を減少させる。言い換えれば、トランジスタQからの電流は、2径路に分割され、トランジスタQを介して転換された電流の一部と、出力部に送られる残りの電流とになる。この電流分割技術では、2個の利得モード間の利得ステップは、トランジスタQとQのデバイスサイズの比に依存する(エミッタの全てが同じノードと結びつくことによって)。この利得制御機構は、トランジスタQおよびQと並列に複数の負荷トランジスタを接続することによって拡張させることができる(エミッタの全てが同じノードと結びつくことによって)。
【0008】
図1に示す利得制御機構の不利益点は、VGAが高低両利得モードにおいて同じ線形性を示す点である。多くのアプリケーションにおいて、VGAが高利得モードから低利得モードに切換えられる場合、VGAにはより高い線形性が必要とされる。VGAが低利得モードに切換えられる場合に入力信号電力が概して高いので、高い線形性が望まれている。
【0009】
高利得モードから低利得モードに切換える場合にVGAの線形性を改善する新技術を生み出すことが望まれる。
【0010】
発明の概要
本発明による様々な利点は、少なくとも増幅器のような電子回路を提案することによって達成されるものであり、それには以下のものが含まれる。すなわち、(i)入力信号電力を信号電流に変換し、その電流を回路の出力部に供与する相互コンダクタンス・ステージ、(ii)出力部から送られる電流を選択的に転換するために相互コンダクタンス・ステージに結合した電流転換分岐回路、(iii)相互コンダクタンス・ステージの入力部に対し出力部からの転換された電流の一部をフィードバックさせるフィードバック・ネットワークである。可変利得増幅器として使用される場合、電流転換分岐回路は、回路の利得を高レベルから一つ以上の低レベルに変更するように機能する。
【0011】
本発明は、図1を参照して説明したように、既知のVGAに見られるようなVGAの線形性は、相互コンダクタンス・ステージの線形性によって支配されるという認識に部分的に基づいている。転換電流の一部を入力部にフィードバックすることによって、単数または複数の低利得モードにおける回路の線形性を改善する。さらに、フィードバック・ネットワークが入力部と出力部を結合しない以上、入力部に関して出力部の分離は弱められない。
【0012】
提案する発明による一局面に関して、相互コンダクタンス・ステージには、バイポーラ・トランジスタのベース、または入力信号の受信用に結合されているMOSトランジスタのゲートのような制御端子を有する第1トランジスタが含まれる。縮退インピーダンスは、第1トランジスタのエミッタまたはソースのような主電流電極と接地端子との間に設けても良い。
【0013】
本発明による今一つの局面によれば、電流転換分岐回路には、バイアス電圧を受けて切換えのコンダクタンスを制御し、これによって前記電流転換分岐回路を介して転換された電流を制御する切換トランジスタが含まれる。この回路には幾つかの利得モードを有する増幅器を実現するために複数の電流転換分岐回路を含めてもよい。この回路には、改善された線形性を望む目的で利得モードの数に依存する2個以上のフィードバック・ネットワークを設置してもよい。
【0014】
本発明によるさらなる別の局面によれば、フィードバック・ネットワークには、電流転換分岐回路のスイッチングトランジスタの出力端子と相互コンダクタンス・ステージの入力部との間を結ぶインピーダンス・ネットワークが含まれる。本発明は、同様に1個または2個以上の利得モードの線形性を改善するために、可変利得増幅器の出力部から転換される電流の一部をフィードバックする方法に関するものである。
【0015】
本発明による特徴と利点を示すかかるがごとき目的は、以下に示す詳細な説明と図を参照することによって明らかになろう。
【0016】
本発明は電子回路の分野では一般的に適用可能であるにしても、本発明を実現するための最善のモードは、部分電流フィードバックを用いた可変利得増幅器に関する実現に部分的に基づくものである。図2を参照することによって、本発明による低ノイズ増幅器100は、信号、例えば受信回路の前段としてのソースから、ワイヤレス・システムの受信回路を介して伝達する無線周波信号を供給するための信号入力部RFin、を備えている。例えば、増幅器100は0.9GHzで動作することができるようにである。
【0017】
入力信号はNPN接合トランジスタQのベースに供与される。縮退インピーダンスZは、トランジスタQのエミッタと接地端子との間に結合される。例えば、1nHから3nHまでの範囲内で選択されるインダクタンスを有するインダクタは、縮退Zとして使用することができる。トランジスタQとインピーダンスZは、入力信号の電力をトランジスタQのコレクタ上に生ずる電流に変換させる、共通エミッタ相互コンダクタンス・ステージ110として機能する。インピーダンスZは好ましいが、トランジスタQのエミッタを直接接地しても差し支えない。
【0018】
NPN接合トランジスタQは、相互コンダクタンス・ステージから増幅器100の出力部RFoutを分離するためにカスコード構成としてトランジスタQに結合する。例えば、トランジスタQのベースには、バイアス入力Biasから約2Vのバイアス電圧が供給される。このバイアス電圧は、オン・チップ回路またはオフ・チップ回路のいずれかによって供給されてもよい。抵抗器RとインダクタLは、トランジスタQのコレクタとコレクタの電圧ソースVccとの間に結合される。例えば、コレクタ電圧を約3Vにすることができる。
【0019】
コンデンサCは、トランジスタQのコレクタと低ノイズ増幅器100の出力部RFoutとの間に配置される。例えば、動作周波数0.9GHzについては、コンデンサCの静電容量が1pFとなるように選択することができ、抵抗器Rの抵抗値は200オームとすることができ、かつインダクタLのインダクタンスは5nHとなるように選択することができる。
【0020】
抵抗器Rは、出力部RFoutに結合された負荷のインピーダンスと低ノイズ増幅器100の出力インピーダンスを整合させる出力整合抵抗器として機能する。インダクタLとコンデンサCは、負荷のインピーダンスと増幅器100の出力インピーダンスを整合させる出力インピーダンス変換ネットワークを形成する。インダクタLも同様に、トランジスタQのコレクタにおける許容電圧を上げるプルアップインダクタとして機能する。本発明はバイポーラ・トランジスタを例にとって開示されているが、電界効果トランジスタをトランジスタQおよびQとして使用しても良いことは、当業者には明らかであろう。
【0021】
電流転換分岐回路120には、相互コンダクタンス・デバイスQのコレクタと結合するエミッタおよび電力供給部Vccに結合するコレクタを有するNPN型トランジスタQが含まれる。トランジスタQは、導電状態と不導電状態を切換えるためにベースBに制御信号が供給される。スイッチQが不導電状態にある場合、増幅器は高利得モードとなって相互コンダクタンス・ステージから送られる電流は全て出力部RFoutに伝えられる。スイッチQが導電状態にある場合、電流はスイッチQによってトランジスタQから電源に転換され、これによって出力部RFoutに供与される電流が減少し、入力部RFinに対して出力部RFoutで利得が下がるので、増幅器は低利得モードとなる。
【0022】
低利得モードに切換えられる場合、低ノイズ増幅器100の線形性を改善するために、出力部RFoutから転換された電流が少なくとも部分的に相互コンダクタンス・ステージの入力部、この例では入力部RFinに、フィードバックされるようにフィードバック・ネットワーク130が配置される。フィードバック・ネットワークには、スイッチQのコレクタと電力供給部Vccとの間に結合される抵抗器R、およびトランジスタQのコレクタとトランジスタQのベースとの間に結合されるフィードバック・コンデンサCが含まれる。フィードバック・コンデンサCは、トランジスタQの内部静電容量であっても良い。
【0023】
出力部からの電流を転換するためにトランジスタQにバイアスされると、トランジスタQを通過する転換電流の一部は、分流フィードバック・ネットワーク130を介してトランジスタQのベースで相互コンダクタンス・ステージの入力部にフィードバックされる。この例では、ネットワークには切換トランジスタQの出力端子(この例ではコレクタ)と電力供給部Vccとの間に結合される抵抗器R、およびトランジスタQの出力端子とトランジスタQの制御端子またはベースとの間に結合されるコンデンサCが含まれる。これ以外のインピーダンス要素を使用しても構わない。フィードバック電流は、低利得モードにおけるLNAの線形性を改善する。
【0024】
以下に示す表は、本発明による分流フィードバック・ネットワークに帰すべき理由によって入力第3次のインターセプト点(IIP3)における改善効果を示すものである。測定は0.9GHzの入力信号で行われた。
【0025】
【表1】
Figure 0004765036
抵抗器RとコンデンサCの値は、LNAの入力リターンロス(ソースに戻される入力電力量)と妥協することなく、低利得モードにおける線形性の改善のために選択される。線形性はRおよびCの値を上げることによって改善されるが入力リターンロスはそれに応じて減衰する。
【0026】
回路の反転分離は、前記回路の出力部における信号による回路の入力に対する分離である。
【0027】
増幅器に対する従来のフィードバック・ループは、増幅器の入力部と出力部間の結合を定着させ、それによって増幅器の反転分離を減らしている。これに対して、分流フィードバック・ネットワーク130は出力部RFoutと入力部RFinを接続しないので、トランジスタQによってVGAの反転分離を減衰させることはない。
【0028】
トランジスタQのコレクタとトランジスタQおよびQのエミッタ間にそれぞれ結合された抵抗器RおよびRは、出力部RFoutと電流転換分岐回路120との間で電流の分割を制御している。2個の利得モード間の利得ステップは、抵抗器RおよびRの抵抗比に依存する。例えば、抵抗器RおよびRの抵抗値が同じならばこの利得ステップは6dBとなる。電流分割の制御がトランジスタQおよびQを欠く状態で達成され得るにしても、抵抗器RおよびRの利用は制御能力を改善させる。一般的に、集積回路では、トランジスタに比べて抵抗器の方がはるかに厳しい公差で製作することができるので、抵抗器の利用は電流分割の制御をより厳密にさせる。抵抗器は典型的には充分な抵抗値があるので、電流分割はトランジスタのサイジングから独立的になる。同様に、抵抗器RおよびRはまた低利得モードにおけるトランジスタQおよびQから生ずるノイズ寄与を減少させる。
【0029】
従って、増幅器100は、縮退インピーダンスZによって与えられる直列帰還回路を有し、低利得モードにおける線形性を改善するために転換分岐回路120によって転換された電流のいかなる部分をフィードバックさせるのに有効なフィードバック・ネットワーク130によって与えられる付加的な分流帰還回路を備える。
【0030】
図3は、本発明によって、さらなる利得モードを含むように拡張された回路を示すものである。図2の構成部分と一致する構成部分は同じ符号が与えられている。2個の付加された電流転換分岐回路140および160は、相互コンダクタンス・デバイスQのコレクタを介して相互コンダクタンス・ステージに結合され、抵抗器RとNPNトランジスタQ、および抵抗器RとさらなるNPNトランジスタQをそれぞれ含む。分流フィードバック・ネットワーク150および170には、抵抗器RとコンデンサC、および抵抗器RとコンデンサCがそれぞれ含まれる。トランジスタQおよびQに対応するベースBおよびBは、トランジスタQのベースBに印加されたと同じように、第2、第3以上の利得モードを達成するために、出力部RFoutから送られる電流を転換したり転換されなかったりするのに必要な適切なバイアス電圧を受ける。抵抗器RおよびRは、フィードバック・ネットワーク150および170と同様に、抵抗器Rならびにフィードバック・ネットワーク130に対してもそれぞれ対応する方法で機能する。デバイスQおよびQのサイズ、ベースBおよびBに印加されるバイアス電圧のレベル、ならびに抵抗器RおよびRの抵抗値がさまざまな利得モードにおいて利得ステップを制御するために調整しても良いことを通常技術は知っている。
【0031】
本明細書においては、本発明による好適な実施形態が開示・記述されているが、本発明はここに説明したような本発明の範囲内において変更および修正することができるものと認識すべきである。例えば、MOSデバイスは、すでに明らかにされたバイポーラ・デバイスの代わりに使用することができるといったようにである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 VGAに関する従来の電流分割回路図。
【図2】 低利得モードにおいて線形性を改善する部分電流のフィードバックを有する本発明による回路図。
【図3】 図2に類似する回路であるが、付加された利得モードを実行させる付加的電流転換分岐回路を示す図。
【符号の説明】
100 増幅器
110 相互コンダクタンス・ステージ
120 電流転換分岐回路
130 フィードバック・ネットワーク
140 電流転換分岐回路
150 分流フィードバック・ネットワーク
160 電流転換分岐回路
170 分流フィードバック・ネットワーク

Claims (14)

  1. 入力信号を受信する入力部と、
    入力信号の電力を電流に変換する相互コンダクタンス・ステージと、
    前記相互コンダクタンス・ステージに結合された分離ステージであって前記入力信号と分離されて、前記相互コンダクタンス・ステージによって電流が供される出力部を提供する、分離ステージと、
    前記相互コンダクタンス・ステージに結合され、前記出力部から送られる電流を選択的に転換する第1転換分岐回路と、
    前記第1転換分岐回路と前記入力部との間に結合され、前記第1転換分岐回路を介して前記出力部からの転換された電流の一部を前記入力部にフィードバックさせるフィードバック・ネットワークと、
    を備えたことを特徴とする電子回路。
  2. 前記相互コンダクタンス・ステージは、前記入力部に結合されるベースと、前記出力部ならびに前記第1転換分岐回路に結合されるコレクタと、エミッタとを有するバイポーラ・トランジスタを含むことを特徴とする請求項1記載の電子回路。
  3. 前記相互コンダクタンス・ステージは、さらに前記バイポーラ・トランジスタの前記エミッタに結合されるエミッタ縮退インピーダンスを含むことを特徴とする請求項2記載の電子回路。
  4. 前記フィードバック・ネットワークは、第1静電容量および第1抵抗を備えるRC対を含む分流フィードバック・ネットワークを備えたことを特徴とする請求項2記載の電子回路。
  5. 前記第1転換分岐回路は、(a)前記出力部から送られる電流を転換する導電状態、および(b)前記出力部からの電流が転換されない不導電状態との間で制御可能なスイッチを含み、かつ、前記電子回路はさらに、前記バイポーラ・トランジスタの前記コレクタと前記出力部との間に結合されるカスコード・トランジスタを含むことを特徴とする請求項4記載の電子回路。
  6. さらに前記バイポーラ・トランジスタの前記コレクタと前記カスコード・トランジスタとの間に結合される第2抵抗、および前記第1転換分岐回路の前記スイッチと前記バイポーラ・トランジスタの前記コレクタとの間に結合される第3抵抗、を備え、前記第1転換分岐回路を介して転換される電流の割合は、前記第2および第3抵抗に依存することを特徴とする請求項5記載の電子回路。
  7. 前記フィードバック・ネットワークはインピーダンスを含むことを特徴とする請求項1記の電子回路。
  8. 前記第1転換分岐回路は、前記出力部から送られる電流を転換する導電状態と、前記出力部から送られる電流が転換されない不導電状態との間で制御可能なスイッチを含み、かつ、前記電子回路は、さらに前記バイポーラ・トランジスタの前記コレクタと前記出力部との間で結合されるカスコード・トランジスタを含むことを特徴とする請求項1記載の電子回路。
  9. さらに前記相互コンダクタンス・ステージと前記出力部との間に結合される第2抵抗、及び前記第1転換分岐回路に結合される第3抵抗を備え、前記第1転換分岐回路を介して転換される電流割合は、前記第2および第3抵抗に依存することを特徴とする請求項1記載の電子回路。
  10. さらに前記相互コンダクタンス・ステージに結合されて前記出力部から送られる電流を選択的に転換する転換分岐回路をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の電子回路。
  11. 集積回路によって実現された請求項1記載の電子回路。
  12. 前記回路がVGAである請求項1記載の電子回路。
  13. 入力信号の電力を出力部に供給する電流に変換する相互コンダクタンス・ステージを有する可変利得増幅器の線形性を改善する方法において、
    前記相互コンダクタンス・ステージに入力信号を与えるステップと、
    前記入力信号を、前記出力部から分離するステップと、
    前記出力部から電流を、前記出力部から分離されているように、転換するステップと、
    前記出力部から転換された電流の一部を前記入力部にフィードバックさせるステップと、
    を備えたことを特徴とする方法。
  14. 入力信号を受信する入力部を有し、前記入力信号の電力を電流に変換してその電流を出力部に供給する相互コンダクタンス手段と、
    前記入力信号を前記出力部から分離する分離手段と、
    前記相互コンダクタンス手段に結合され、可変利得増幅器の利得を1つの利得レベルから、より低い低利得レベルに変更するために、前記出力部から前記相互コンダクタンス・ステージの電流を選択的に転換する電流転換手段と、
    低利得レベルにおける可変利得増幅器の線形性を改善するために、前記出力部からの前記入力信号の分離を維持しながら、前記相互コンダクタンス手段の前記入力部に、前記電流転換手段によって転換される電流の一部をフィードバックさせるフィードバック手段と、
    を備えたことを特徴とする可変利得増幅器。
JP2001510981A 1999-07-16 2000-07-12 改善された線形性を有する可変利得増幅器 Expired - Fee Related JP4765036B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/354,603 US6211737B1 (en) 1999-07-16 1999-07-16 Variable gain amplifier with improved linearity
US09/354,603 1999-07-16
PCT/EP2000/006626 WO2001006644A1 (en) 1999-07-16 2000-07-12 Variable gain amplifier with improved linearity

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003505904A JP2003505904A (ja) 2003-02-12
JP4765036B2 true JP4765036B2 (ja) 2011-09-07

Family

ID=23394103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001510981A Expired - Fee Related JP4765036B2 (ja) 1999-07-16 2000-07-12 改善された線形性を有する可変利得増幅器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6211737B1 (ja)
EP (1) EP1127408B1 (ja)
JP (1) JP4765036B2 (ja)
DE (1) DE60027128T2 (ja)
WO (1) WO2001006644A1 (ja)

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9928355D0 (en) * 1999-12-01 2000-01-26 Koninkl Philips Electronics Nv Amplifier
GB2358532A (en) * 2000-01-22 2001-07-25 Mitel Semiconductor Ltd AC voltage amplifier using current mode stages
US6518839B2 (en) * 2000-06-28 2003-02-11 Texas Instrumetns Incorporated Method and apparatus for effecting programmable gain amplification
US6404283B1 (en) * 2000-08-18 2002-06-11 Motorola, Inc. Method and apparatus for amplifying a radio frequency signal
FR2823031B1 (fr) * 2001-03-27 2003-07-04 St Microelectronics Sa Dispositif amplificateur a commutation de gain, en particulier pour un telephone mobile cellulaire
US6801089B2 (en) * 2001-05-04 2004-10-05 Sequoia Communications Continuous variable-gain low-noise amplifier
DE10132800C1 (de) * 2001-07-06 2003-01-30 Infineon Technologies Ag Rauscharme Verstärkerschaltung
US7171170B2 (en) 2001-07-23 2007-01-30 Sequoia Communications Envelope limiting for polar modulators
JP4405113B2 (ja) * 2001-08-16 2010-01-27 パナソニック株式会社 利得可変増幅回路
US6985703B2 (en) 2001-10-04 2006-01-10 Sequoia Corporation Direct synthesis transmitter
US6734736B2 (en) 2001-12-28 2004-05-11 Texas Instruments Incorporated Low power variable gain amplifier
GB0210168D0 (en) * 2002-05-03 2002-06-12 Zarlink Semiconductor Ltd Signal processing stage and radio frequency tuner
US7489916B1 (en) 2002-06-04 2009-02-10 Sequoia Communications Direct down-conversion mixer architecture
WO2004015859A2 (en) * 2002-08-12 2004-02-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Variable gain amplifier with improved control characteristics linearity
US6906592B2 (en) * 2002-11-13 2005-06-14 Qualcomm Inc Continuously variable gain radio frequency driver amplifier having linear in decibel gain control characteristics
US6906595B2 (en) * 2003-08-30 2005-06-14 Lsi Logic Corporation Variable gain current feedback amplifier
US6812771B1 (en) * 2003-09-16 2004-11-02 Analog Devices, Inc. Digitally-controlled, variable-gain mixer and amplifier structures
US6972629B2 (en) * 2003-10-14 2005-12-06 Broadcom Corporation Modulation dependent biasing for efficient and high-linearity power amplifiers
US20050086389A1 (en) * 2003-10-17 2005-04-21 Phillip Chang Wireless network adapter
US7496338B1 (en) 2003-12-29 2009-02-24 Sequoia Communications Multi-segment gain control system
US7609118B1 (en) 2003-12-29 2009-10-27 Sequoia Communications Phase-locked loop calibration system
US7522017B1 (en) 2004-04-21 2009-04-21 Sequoia Communications High-Q integrated RF filters
US7672648B1 (en) 2004-06-26 2010-03-02 Quintics Holdings System for linear amplitude modulation
US7548122B1 (en) 2005-03-01 2009-06-16 Sequoia Communications PLL with switched parameters
US7479815B1 (en) 2005-03-01 2009-01-20 Sequoia Communications PLL with dual edge sensitivity
US7675379B1 (en) 2005-03-05 2010-03-09 Quintics Holdings Linear wideband phase modulation system
US7595626B1 (en) 2005-05-05 2009-09-29 Sequoia Communications System for matched and isolated references
US7321266B2 (en) * 2005-05-17 2008-01-22 Integrated System Solution Corp. Current-matching variable gain amplifier
JP4935003B2 (ja) * 2005-06-30 2012-05-23 アイコム株式会社 可変利得増幅器及び差動増幅器
FI20055401A0 (fi) * 2005-07-11 2005-07-11 Nokia Corp Parannuksia integroituihin RF-piireihin
JP2007067666A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Alps Electric Co Ltd Agc回路
KR100648380B1 (ko) * 2005-12-12 2006-11-24 한국전자통신연구원 가변 이득 증폭기
US20070205200A1 (en) * 2006-03-02 2007-09-06 Brain Box Concepts Soap bar holder and method of supporting a soap bar
JP4719044B2 (ja) * 2006-03-22 2011-07-06 株式会社東芝 増幅回路
CN101496285A (zh) 2006-05-16 2009-07-29 巨杉通信公司 用于直接调频系统的多模式压控振荡器
JP4662888B2 (ja) * 2006-05-31 2011-03-30 アイコム株式会社 可変利得増幅器及び差動増幅器
US7522005B1 (en) 2006-07-28 2009-04-21 Sequoia Communications KFM frequency tracking system using an analog correlator
US7679468B1 (en) 2006-07-28 2010-03-16 Quintic Holdings KFM frequency tracking system using a digital correlator
US7894545B1 (en) 2006-08-14 2011-02-22 Quintic Holdings Time alignment of polar transmitter
US7920033B1 (en) 2006-09-28 2011-04-05 Groe John B Systems and methods for frequency modulation adjustment
US8086207B2 (en) * 2007-03-19 2011-12-27 Qualcomm Incorporated Linear transconductor for RF communications
JP4708384B2 (ja) * 2007-04-20 2011-06-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 利得切替付低雑音増幅回路
JP2008283555A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変トランスコンダクタ、可変ゲインアンプ、及びフィルタ回路
US7649411B2 (en) * 2007-07-11 2010-01-19 Axiom Microdevices, Inc. Segmented power amplifier
JP2009065511A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Fujitsu Ltd 増幅回路及び通信機
KR100952666B1 (ko) * 2008-02-01 2010-04-13 (주)에프씨아이 커패시터 피드백을 이용한 재구성 가능 저잡음 증폭기
US7705681B2 (en) * 2008-04-17 2010-04-27 Infineon Technologies Ag Apparatus for coupling at least one of a plurality of amplified input signals to an output terminal using a directional coupler
EP2110947B1 (en) * 2008-04-18 2012-07-04 St Microelectronics S.A. Variable gain RF amplifier
CN102474231A (zh) * 2010-03-10 2012-05-23 松下电器产业株式会社 可变增益放大器
US10924075B2 (en) 2018-06-04 2021-02-16 Analog Devices, Inc. Variable gain amplifiers with output phase invariance
US10659011B2 (en) * 2018-10-22 2020-05-19 Delta Electronics Int'l (Singapore) Pte Ltd Low noise amplifier
TWI799094B (zh) 2022-01-20 2023-04-11 瑞昱半導體股份有限公司 具有線性度補償機制的可變增益放大電路及方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS535553A (en) * 1976-07-02 1978-01-19 Sanyo Electric Co Ltd Amplifier
JPH01188007A (ja) * 1988-01-21 1989-07-27 Nec Corp 負帰還増幅回路
JPH02280407A (ja) * 1989-04-21 1990-11-16 Hitachi Ltd 出力回路
JPH04280576A (ja) * 1991-03-08 1992-10-06 Sony Corp ダイナミックフオーカス用アンプ
JPH05259748A (ja) * 1992-03-13 1993-10-08 Hitachi Ltd ビデオ出力回路
JPH06224647A (ja) * 1992-12-03 1994-08-12 Sharp Corp 増幅回路
JPH08111614A (ja) * 1994-08-15 1996-04-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 負帰還可変利得増幅回路および負帰還増幅回路

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3512096A (en) * 1967-05-31 1970-05-12 Hitachi Ltd Transistor circuit having stabilized output d.c. level
JPS5620723B2 (ja) 1972-07-22 1981-05-15
JPS5330212Y2 (ja) 1972-09-22 1978-07-28
JPS5513606B2 (ja) 1974-08-02 1980-04-10
US5047731A (en) * 1990-09-05 1991-09-10 Hewlett-Packard Company Variable gain wideband bipolar monolithic amplifier
FR2685578A1 (fr) * 1991-12-23 1993-06-25 Philips Electronique Lab Circuit integre comprenant un amplificateur a gain variable.

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS535553A (en) * 1976-07-02 1978-01-19 Sanyo Electric Co Ltd Amplifier
JPH01188007A (ja) * 1988-01-21 1989-07-27 Nec Corp 負帰還増幅回路
JPH02280407A (ja) * 1989-04-21 1990-11-16 Hitachi Ltd 出力回路
JPH04280576A (ja) * 1991-03-08 1992-10-06 Sony Corp ダイナミックフオーカス用アンプ
JPH05259748A (ja) * 1992-03-13 1993-10-08 Hitachi Ltd ビデオ出力回路
JPH06224647A (ja) * 1992-12-03 1994-08-12 Sharp Corp 増幅回路
JPH08111614A (ja) * 1994-08-15 1996-04-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 負帰還可変利得増幅回路および負帰還増幅回路

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001006644A1 (en) 2001-01-25
DE60027128D1 (de) 2006-05-18
EP1127408A1 (en) 2001-08-29
EP1127408B1 (en) 2006-04-05
DE60027128T2 (de) 2006-12-14
JP2003505904A (ja) 2003-02-12
US6211737B1 (en) 2001-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4765036B2 (ja) 改善された線形性を有する可変利得増幅器
US6522195B2 (en) Low noise amplifier having bypass circuitry
US6351183B1 (en) Switched amplifying device
KR101011829B1 (ko) 스위칭 이득 증폭기
US7215196B2 (en) Variable impedance circuit, variable gain differential amplifier, multiplier, high-frequency circuit and differential distributed amplifier
US6181206B1 (en) Low noise RF amplifier with programmable gain
EP1149467B1 (en) Amplifier
JP2002519920A (ja) インピーダンス回路網を用いる可変利得増幅器
JPH1065466A (ja) 複数バンド増幅器
US6803824B2 (en) Dynamic matching in cascode circuits
US8111105B1 (en) Variable gain BiCMOS amplifier
JP2006013810A (ja) 可変利得増幅回路
CN100479325C (zh) 射地-基地连接的放大电路以及使用该电路的通信装置
WO2004021560A1 (en) System and method for establishing a bias current using a feedback loop
EP1532732A2 (en) System and method for establishing the input impedance of an amplifier in a stacked configuration
US7443243B2 (en) High frequency amplifier having an attenuator
US20070018727A1 (en) Variable gain amplifier and wireless communication apparatus including the same
GB2371697A (en) Scaled current sinks for a cross-coupled low-intermodulation RF amplifier
US6052030A (en) Low voltage variable gain amplifier with feedback
US5705953A (en) Device bias based supplemental amplification
KR101007579B1 (ko) 증폭기 장치, 방송 무선 수신기, 및 데이터 신호용 수신기
US9407220B1 (en) Digitally controlled variable transductance stage for microwave mixers and amplifiers
US6594474B1 (en) Controlled-gain power amplifier device, in particular for radio-frequency circuits applied to cellular mobile telephony
US20240171134A1 (en) Feedback circuit with adjustable gain and radio frequency circuit utilizing the same
Eshghabadi et al. A 2.4-GHz LNA: Design, Simulation, and Comparison in 0.2-μm GaAs p-HEMT Process and 0.35-μm SiGe BiCMOS HBT Process

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070710

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20080515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091020

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100119

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100924

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100928

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110422

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20110517

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110517

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees