JP4764036B2 - アクティブピクセルセンサアレイで、ピクセルの相関性二重サブサンプリングを行う方法及び回路 - Google Patents
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CISの電荷−電圧変換器は、基本的に一つのステージ以上の電圧フォロア(増幅トランジスタ)と一つのキャパシタ、及びこのキャパシタ電圧をリセットさせるための一つのスイッチより構成される。最も単純なビデオシステムで、スイッチは、各ピクセルの読み取りの初期に閉まって、出力レベルだけでなくキャパシタの電圧をリセットさせる。ピクセル電荷パケットがキャパシタに伝達された後には、電圧に変わり、その出力信号は該当ピクセル値と表わされる。スイッチのような構成要素は、それ自体の一定の誤差伝導率を有するため、キャパシタを不特定な一定値にプリチャージし、それ故、出力信号にエラーを発生させる。そのようなプリチャージの不確実性は、CDSによって補償することができる。そのような方法で、出力信号は、各ピクセルに対して2回ずつサンプリングされる。すなわち、キャパシタをプリチャージした直後に1回と、ピクセル電荷パケットが合わせられた後にまた1回である。そのような2つの値の差は、スイッチによって引き起こされたノイズ成分を排除できる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を説明することで、本発明を詳細に説明する。各図面に付された同一参照符号は、同一部材を示す。
図7は、図3のCISで、スイッチで連結された二つのACUを示すブロック図である。図8Aは、図3のCISで、CDSSの間に使用されるスイッチング信号と行選択信号の波形を示すタイミング図である。
増幅器AMP1は、非反転増幅器(ここで、Vref=0)、または後述する並列アナログ−デジタル変換に使用される基準電圧Vrefに接続された差動増幅器でありうる。そのような配置によって、バイアスソースVrampを、平均化動作の間には第1電圧レベルに配置させ、アナログ−デジタル変換動作の間には第2電圧レベルに配置させる。第1電圧レベルは、第2電圧レベルとは異なる。バッファキャパシタCA及び第2出力増幅器AMP2はオプション事項であり、それらは、アナログ−デジタル変換の解像度のためにゲインを増加させるために用いられる。各ACU(例えば、ACU−1及びACU−3)内のアナログドメイン減算器出力は、増幅器AMP1によって感知され、オプションキャパシタCAによってバッファリングされ、オプション増幅器AMP2によってアナログ−デジタル変換のために更に増幅される。これにより、平均化されたVS−VRを示す電圧信号VCD1、VCD3が出力される。
R11ピクセル:QCR11=QCR31=CCR11/CR31(VRESET11−Vref)
R13ピクセル:QCR13=QCR33=CCR13/CR33(VRESET13−Vref)
時間(2)で、平均化スイッチSavgが閉まることで、ピクセルR11及びR13のそれぞれのリセット電圧VR11及びVR13が、データ保存キャパシタCR11及びCR13の間で合成され、且つ分割されて平均化される。その時、次の数式を満足する。
R11ピクセル:QCS11=QCS31=CCS11/CS31(VSIGNAL11Vramp)
R13ピクセル:QCS13=QCS33=CCS13/CS33(VSIGNAL13Vramp)
R31ピクセル:QCR31=CCR31(VRESET31−Vref)
R33ピクセル:QCR33=CCR33(VRESET33−Vref)
R31ピクセル:QCS31=CCS31(VSIGNAL31−Vramp)
R33ピクセル:QCS33=CCS33(VSIGNAL33−Vramp)
Claims (43)
- 行と列とに配列された複数のピクセルより構成されたイメージセンサであって、
各カラムのピクセルが、
少なくとも2つのリセット電荷を保存する少なくとも2つのリセットデータキャパシタと、少なくとも2つのイメージ電荷を保存する少なくとも2つのイメージ信号データキャパシタとに、スイッチを介して連結され、
各カラムの前記少なくとも2つのリセットデータキャパシタの少なくとも1つは、同一列にある前記少なくとも2つのイメージ信号データキャパシタの少なくとも1つにノードにおいて直列に連結され、
前記少なくとも2つのリセットデータキャパシタは、スイッチを介して互いに連結され、
前記イメージセンサは、
前記少なくとも2つのリセット電荷を利用して、第1平均化動作を行って、同一列にある少なくとも2つのピクセルのための平均化されたリセット電荷を生成する平均化回路を備え、
前記第1平均化動作は、
同一行に配列されたピクセルのリセット値を平均化する第1ステップと同一列に配列されたピクセルのリセット値を平均化する第2ステップとを含むことを特徴とするイメージセンサ。 - 前記平均化回路は、
前記少なくとも2つのイメージ電荷を利用して、第2平均化動作を行って同一列にある少なくとも2つのピクセルのための平均化されたイメージ電荷を生成することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記第1及び第2平均化動作は、アナログドメインで行われることを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
- 前記イメージセンサは、
前記平均化されたイメージ電荷から、前記平均化されたリセット電荷を減算して、差分電圧を生成するアナログ減算器を更に備えることを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。 - 前記イメージセンサは、
前記差分電圧をアナログ−デジタル変換するアナログ−デジタル変換器を更に備えることを特徴とする請求項4に記載のイメージセンサ。 - 前記平均化回路及びアナログ−デジタル変換器は、
同じバイアスソースによって共通的にバイアスされることを特徴とする請求項5に記載のイメージセンサ。 - 前記バイアスソースは、
前記第1及び第2平均化動作の間に第1電圧レベルであり、前記アナログ−デジタル変換動作の間に第2電圧レベルであり、前記第1電圧レベルは、前記第2電圧レベルと異なることを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサ。 - 前記平均化の第1ステップは、
前記平均化の第2ステップが行われる前に行われることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記平均化回路は、
前記少なくとも2つのリセットデータキャパシタの間に位置したスイッチを含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記平均化回路は、
前記少なくとも2つのイメージ信号データキャパシタの間に位置したスイッチを含むことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。 - 前記イメージセンサは、CMOSタイプであることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- APSアレイ中のN2個のピクセルをサブサンプリングする方法において、
前記APSアレイの第1列にあるN個のピクセルからN個のピクセルリセット電荷を受信し、第1ノードと第2ノードとの間にスイッチを介して互いに並列に連結されたN個の第1セットのリセット電荷蓄積キャパシタに連続的に格納する段階と、
前記第1ノードと前記第2ノードとの間の前記N個の第1セットのリセット電荷蓄積キャパシタに連結された(N−1)個のリセット電荷保持スイッチを閉じる段階と、
前記第1ノードと、前記APSアレイの第2列に対応するN個のリセット電荷蓄積キャパシタとの間に配置された行方向平均化スイッチを閉じる段階と、を備え、
前記N−1個のリセット電荷保持スイッチが閉じたとき、前記N個の第1セットのリセット電荷蓄積キャパシタは互いに並列に連結され、
前記第1列にあるN個のピクセルのための平均化されたリセット電荷が生成される第1平均化動作を行うことを特徴とするサブサンプリング方法。 - 前記サブサンプリング方法は、
前記APSアレイの第1列にあるN個のピクセルからN個のイメージ電荷をN個の第2セットのイメージ電荷蓄積キャパシタに格納する段階を更に含むことを特徴とする請求項12に記載のサブサンプリング方法。 - 前記第1平均化動作は、
アナログドメインで行われることを特徴とする請求項12に記載のサブサンプリング方法。 - 前記サブサンプリング方法は、
N個の前記第2セットのイメージ電荷蓄積キャパシタに格納されたイメージ電荷に、第2平均化動作を行う段階を更に含むことを特徴とする請求項13に記載のサブサンプリング方法。 - 前記第2平均化動作は、
前記イメージ電荷を合成する段階と、
互いに並列である前記第2セットのイメージ電荷蓄積キャパシタのうち、少なくとも2つのキャパシタを連結する段階を含むことを特徴とする請求項15に記載のサブサンプリング方法。 - 前記サブサンプリング方法は、
アナログドメインで、減算動作を更に含み、
前記減算動作で、前記第2セットのイメージ電荷蓄積キャパシタのうち、少なくとも一つのキャパシタと、前記第1セットのイメージ電荷蓄積キャパシタのうち、少なくとも一つのキャパシタを直列に連結して、差分電圧を生成することを特徴とする請求項16に記載のサブサンプリング方法。 - 前記サブサンプリング方法は、
前記減算動作からの前記差分電圧をアナログ−デジタル変換する段階を更に含むことを特徴とする請求項17に記載のサブサンプリング方法。 - 前記平均化動作及び前記差分電圧のアナログ−デジタル変換は、
一つのソースバイアスによってバイアスされた回路により行われることを特徴とする請求項18に記載のサブサンプリング方法。 - 前記一つのソースバイアスは、
前記平均化動作の間は低い電圧レベルであり、前記アナログ−デジタル変換の間は高い電圧であることを特徴とする請求項19に記載のサブサンプリング方法。 - 前記Nは4であることを特徴とする請求項16に記載のサブサンプリング方法。
- 4個のピクセルは、2行及び2列に配列され、
前記第1平均化動作は、
第1行の第1ピクセル対から、2つのリセット電荷に対する第1同一行平均を生成する段階と、
第2行の第2ピクセル対から、2つのリセット電荷に対する第2同一行平均を生成する段階と、
前記第1同一行平均と前記第2同一行平均とを平均する段階と、を含むことを特徴とする請求項21に記載のサブサンプリング方法。 - 複数の行及び複数のカラムに配列されたピクセルアレイより構成され、
各カラムピクセルの各ピクセルが平均化部に連結される動作が行われ、
各平均化部は、
第1ピクセル及び第2ピクセルからのアナログリセットデータを保存する第1及び第2保存キャパシタと、
前記第1ピクセル及び前記第2ピクセルからのアナログイメージ信号データを保存する第3及び第4保存キャパシタと、を含み、
前記第1及び第2保存キャパシタの少なくとも1つは同一カラムの前記第3及び第4保存キャパシタの少なくとも1つにノードにおいて直列に連結され、
前記第1及び第2保存キャパシタは、同一カラムの前記第1及び第2ピクセルのために平均リセット電荷を生成するために、相互にスイッチで連結されることを特徴とするイメージセンサ。 - 前記第1ピクセル及び前記第2ピクセルからの前記アナログリセットデータは、電荷として保存されることを特徴とする請求項23に記載のイメージセンサ。
- 前記イメージセンサは、
少なくとも2つの平均化部に保存されたアナログリセットデータを平均化することを含む第1平均化動作を行う第1平均化スイッチを更に含むことを特徴とする請求項23に記載のイメージセンサ。 - 前記第1平均化スイッチは、
少なくとも2つの平均化部に保存されたアナログイメージ信号を平均化することを含む第2平均化動作を行うことを特徴とする請求項25に記載のイメージセンサ。 - 前記第1及び第2平均化動作は、
アナログドメインで行われることを特徴とする請求項26に記載のイメージセンサ。 - 前記各平均化部は、
N番目のピクセルからのアナログイメージ信号データを保存するN番目の保存キャパシタを更に含むことを特徴とする請求項23に記載のイメージセンサ。 - 前記各平均化部は、
N番目のピクセルからのアナログリセットデータを保存する2N番目の保存キャパシタを更に含むことを特徴とする請求項23に記載のイメージセンサ。 - 前記イメージセンサは、
前記平均化部からの複数の出力をアナログ−デジタル変換する各カラムのためのアナログ−デジタル変換器を更に含むことを特徴とする請求項23に記載のイメージセンサ。 - 前記それぞれのアナログ−デジタル変換器は、
前記平均化部からの複数の出力を並列にアナログ−デジタル変換することを特徴とする請求項30に記載のイメージセンサ。 - 前記平均化部及び前記アナログ−デジタル変換器は、
共通的に同じバイアス電圧によってバイアスされることを特徴とする請求項30に記載のイメージセンサ。 - 前記バイアス電圧は、
前記平均化動作の間は第1電圧レベルであり、前記アナログ−デジタル変換の間は第2電圧レベルであり、前記第1電圧レベルは、前記第2電圧レベルと異なることを特徴とする請求項32に記載のイメージセンサ。 - 前記第1平均化動作は、
同じ行に配列されたピクセルについてのアナログリセットデータを平均化することを含むことを特徴とする請求項26に記載のイメージセンサ。 - 前記第2平均化動作は、
同じ行に配列されたピクセルについてのアナログイメージ信号データを平均化することを含むことを特徴とする請求項27に記載のイメージセンサ。 - 前記各平均化部は、
同じカラムのピクセルについてのアナログリセットデータを平均化する第1及び第2保存キャパシタの間に位置したリセット平均化スイッチを更に含むことを特徴とする請求項23に記載のイメージセンサ。 - 前記各平均化部は、
同じカラムのピクセルについてのアナログイメージ信号データを平均化する第3及び第4保存キャパシタの間に位置したイメージ信号平均化スイッチを更に含むことを特徴とする請求項23に記載のイメージセンサ。 - 前記イメージセンサは、
CMOSタイプであることを特徴とする請求項23に記載のイメージセンサ。 - 前記イメージセンサは、
デジタル信号処理器を更に含むことを特徴とする請求項23に記載のイメージセンサ。 - 各ピクセルがリセット電圧とイメージ信号電圧とを出力する、複数の行と複数のカラムとに配列されたピクセルを有するアレイでN2個のピクセルをサブサンプリングする方法において、
前記N2個のピクセルから出力された複数のリセット電圧を第1セットの蓄積キャパシタに格納し、合成する段階と、
前記N2個のピクセルから出力された複数のイメージ信号電圧を第2セットの蓄積キャパシタに格納し、合成する段階と、
前記第1セットの蓄積キャパシタ中の少なくとも1個の蓄積キャパシタと前記第2セットの蓄積キャパシタ中の少なくとも1個の蓄積キャパシタとを直列に連結する段階と、を備え、
前記第1セットの蓄積キャパシタを互いにスイッチで連結し、同一カラムにある複数のピクセルのための平均化されたリセット電荷を生成することを特徴とするサブサンプリング方法。 - 前記直列に連結された前記第1セットの蓄積キャパシタと前記第2セットの蓄積キャパシタとの間の電圧を検出する段階を更に含むことを特徴とする請求項40に記載のサブサンプリング方法。
- 前記直列に連結された前記第1セットの蓄積キャパシタと前記第2セットの蓄積キャパシタとの間の電圧をデジタルに量子化する段階を更に含むことを特徴とする請求項40に記載のサブサンプリング方法。
- 各ピクセルがリセット電圧とイメージ信号電圧とを出力する、N行とNカラムとに配列されたN2ピクセルを有するAPSアレイでN2個のピクセルをサブサンプリングする方法において、
第1行中の第1ピクセルの前記リセット電圧を第1電荷として第1キャパシタに、第1行中の第2ピクセルの前記リセット電圧を第2電荷として第2キャパシタにそれぞれ格納し、前記第1電荷と前記第2電荷とを直ちに結合させて第1行の平均化されたリセット電荷を生成する段階と、
第2行中の第1ピクセルの前記リセット電圧を第3電荷として第3キャパシタに、第2行中の第2ピクセルの前記リセット電圧を第4電荷として第4キャパシタにそれぞれ格納し、前記第3電荷と前記第4電荷とを直ちに結合させて第2行の平均化されたリセット電荷を生成する段階と、
前記第1行の平均化されたリセット電荷と前記第2行の平均化されたリセット電荷とを結合させてサブサンプリング用リセット電荷を合成する段階と、を備え、
前記第1キャパシタと前記第3キャパシタとは相互にスイッチで連結され、同一カラムの前記第1及び第2行にあるピクセルのための平均化されたリセット電荷を生成することを特徴とするサブサンプリング方法。
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