JP4756841B2

JP4756841B2 - 半導体発光装置の製造方法

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Publication number: JP4756841B2
Application number: JP2004284416A
Authority: JP
Inventors: 光範原田
Original assignee: Stanley Electric Co Ltd
Current assignee: Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 2004-09-29
Filing date: 2004-09-29
Publication date: 2011-08-24
Anticipated expiration: 2024-09-29
Also published as: JP2006100543A; US20060065906A1; CN1770488A; DE102005046418A1; DE102005046418B4; CN100446283C; US7442563B2

Description

本発明は、発光素子チップからの光を波長変換層を介して出射させて、発光素子チップからの出射光と波長変換層からの励起光とを混合して、外部に出射するようにした半導体発光装置の製造方法に関するものである。

従来、このような半導体発光装置としてのＬＥＤは、例えば特許文献１に示すようにして製造される。
即ち、特許文献１によれば、図４（Ａ）に示すように、上面に光反射キャビティ１ａを備えた熱可塑性樹脂から成る基板１に、リードフレーム２がインサート成形されている。上記リードフレーム２は、上記光反射キャビティ１ａ内にてその底面に露出している。
そして、上記光反射キャビティ１ａの底部にて、リードフレーム２上にＬＥＤチップ３が載置され、リードフレーム２に対して、図示しないダイボンディング，ワイヤボンディング等により電気的に接続される。
その後、上記光反射キャビティ１ａ内にて、ＬＥＤチップ３を覆うように中間高さまで第一の封止樹脂５が塗布され、続いて、その上に所定量の粒子状の波長変換剤としての蛍光体６ａを含む第二の封止樹脂６が塗布される。

その際、上記第二の封止樹脂６は、蛍光体６ａの粒子が沈降しない程度の粒子濃度で調製される。
そして、図４（Ｂ）に示すように、第二の封止樹脂６内の粒子状の蛍光体が、下方に向かって第一の封止樹脂５内に沈降する。
最後に、第一の封止樹脂５及び第二の封止樹脂６が硬化されることによって、ＬＥＤが完成する。

このような構成のＬＥＤの製造方法によれば、蛍光体６ａが混入されない比較的低粘度の第一の封止樹脂５が光反射キャビティ１ａ内に塗布されることにより、その上面がほぼ平坦になると共に、その上にほぼ均一の厚さで塗布された第二の封止樹脂６により、水平方向に関して蛍光体６ａの濃度分布がほぼ均一になる。
これにより、蛍光体６ａが沈降することによって、水平方向に関してほぼ均一な蛍光体濃度となり、色ムラのない発光特性が得られることになる。
特開２００４ー１１９８３８号公報

ところで、このような構成のＬＥＤの製造方法においては、以下のような問題がある。
即ち、第二の封止樹脂６がほぼ均一な厚さで塗布され、その中に含まれる蛍光体６ａの粒子が第一の封止樹脂５を通って沈降されることから、光反射キャビティ１ａの中心付近にＬＥＤチップ３が存在することにより、ＬＥＤチップ３の上方とその周囲の光キャビティ１ａの底面では、蛍光体の分布高さがＬＥＤチップ３の高さ分だけ段差を生ずることになる。
従って、ＬＥＤチップ３の周囲に位置する蛍光体６ａは、ＬＥＤチップ３からの距離が遠くなるほど励起強度が小さくなるので、ＬＥＤ全体の変換効率が低下してしまう。

また、ＬＥＤチップ３が青色光を出射し、蛍光体６ａが青色光を黄色光に変換する場合には、ＬＥＤチップ３の上部とその周囲で、蛍光体６ａが二次元的に均一に沈降しているために、青色光が三次元的に放射されるＬＥＤチップ３上では、ＬＥＤチップ３からの青色光と蛍光体６ａによる励起光との混色光がやや青みがかった白色となり、他方ＬＥＤチップ３の周辺では上記混色光が黄みがかった白色となってしまうことがよく知られている。

さらに、蛍光体６ａを沈降させる際に、第一の封止樹脂５を介して蛍光体６ａの粒子が沈降するので、蛍光体の沈降密度が高くない。このため、蛍光体６ａが波長変換で損失したエネルギーを熱として放出することから、ＬＥＤチップ３自体の発熱と共に、基板としての熱可塑性樹脂１に効率良く放熱され得なくなってしまう。

このような問題は、青色ＬＥＤチップだけでなく、他の色を発光するＬＥＤチップや他の発光素子チップからの光と波長変換剤の励起光の混色光を出射するＬＥＤ等の半導体発光装置においても、同様に存在する。
また、リードフレームをインサート成形したタイプのＬＥＤだけでなく、例えば半導体基板の上面に光反射キャビティを形成して、この光反射キャビティの底部から側面を介して基板の上面そして場合によっては下面まで回り込む導電薄膜から成る電極層を備えたタイプのＬＥＤ等の半導体発光装置においても、同様である。

本発明は、以上の点から、簡単な構成により、発光素子チップからの出射光と波長変換剤による励起光との混色光に色ムラが発生せず、また波長変換剤が波長変換の損失エネルギーとして放出する熱が効率良く放熱され得るようにした半導体発光装置の製造方法を提供することを目的としている。

上記目的は、本発明によれば、基板上面に設けられた光反射キャビティの底面に発光素子チップを配置し、上記光反射キャビティ内に粒子状の波長変換剤を含む波長変換層を形成して、上記発光素子チップからの出射光により波長変換剤を励起させて、出射光と励起光との混色光を外部に出射する、半導体発光装置の製造方法であって、上記光反射キャビティ内に波長変換剤を含む波長変換層を充填する工程が、まず上記光反射キャビティ内にて、発光素子チップの上面が僅かに露出する程度に、そして発光素子チップの上面から周囲に向かってすり鉢状に傾斜するように、波長変換剤を含まない第一の光透過性樹脂を充填する第一の段階と、次に、上記光反射キャビティ内にて、上記第一の光透過性樹脂の上に波長変換剤を含む第二の光透過性樹脂を充填する第二の段階と、その後、上記第一の光透過性樹脂及び第二の光透過性樹脂を硬化させる第三の段階と、を含んでいることを特徴とする、半導体発光装置の製造方法により、達成される。

本発明による半導体発光装置の製造方法は、好ましくは、上記第一及び第二の光透過性樹脂が、加熱時に粘度が低下する特性を有する熱硬化性樹脂であって、上記第三の段階にて、上記第一及び第二の光透過性樹脂を加熱硬化させる際に、上記第二の光透過性樹脂内の粒子状の波長変換剤が上記光透過性樹脂の粘度低下により下方に沈降して、発光素子チップの上部及びその周囲付近に堆積する。

本発明による半導体発光装置の製造方法は、好ましくは、上記光反射キャビティが上方に向かって広がるように形成されている。

本発明による半導体発光装置の製造方法は、好ましくは、上記波長変換剤が、蛍光体である。

本発明による半導体発光装置の製造方法は、好ましくは、上記発光素子チップに対する給電ラインが、上記基板内にインサート成形され且つ光反射キャビティの底面に露出するリードフレームにより構成されている。

本発明による半導体発光装置の製造方法は、好ましくは、上記発光素子チップに対する給電ラインが、上記基板表面そして光反射キャビティの側面及び底面に形成された導電薄膜から成る電極層により構成されている。

上記構成によれば、波長変換層の充填の際に、まず光反射キャビティ内に第一の光透過性樹脂を充填して、発光素子チップの上面が僅かに露出すると共に、第一の光透過性樹脂の表面を周囲で盛り上がるようにすり鉢状に形成する。
これにより、発光素子チップの上面は、すり鉢状の第一の光透過性樹脂の最も低い底部で僅かに露出するようになっている。

この状態から、続いて光反射キャビティ内に波長変換剤を含む第二の光透過性樹脂を充填する。これにより、第二の光透過性樹脂は、その底面がすり鉢状に形成されることになり、中心から周囲に向かって半径方向に徐々に厚さが薄くなり、従って波長変換剤の量が少なくなる濃度傾斜を備えることになる。

その後、第一及び第二の光透過性樹脂を加熱硬化させると、これらの光透過性樹脂の粘度が低下することによって、第二の光透過性樹脂中に含まれる波長変換剤の粒子が自然沈降して、発光素子チップ上部と周囲の光反射キャビティの底面上に堆積して、波長変換層が形成されることになる。
その際、発光素子チップ付近では波長変換剤の濃度が高いことから、波長変換剤は、発光素子チップを中心として三次元的に均一な密度となる。
従って、発光素子チップから出射する光による波長変換剤の励起強度が半径方向に関してほぼ均一になるので、全体として色ムラのない発光特性が得られることになる。

また、発光素子チップの上面が第二の光透過性樹脂に対して直接に対向していることから、発光素子チップ上部では、波長変換剤の粒子が発光素子チップの上面に直接に堆積することになる。
従って、半導体発光装置の駆動時に、波長変換剤の粒子が波長変換の損失エネルギーにより熱を発生しても、この熱が発光素子チップから基板を介して放熱されることになるので、効率の良い放熱が行なわれ得ることになる。
これにより、発光素子チップそして半導体発光装置の温度上昇が抑制され得るので、温度上昇によって発光効率が低下するようなことはない。

上記第一及び第二の光透過性樹脂が、加熱時に粘度が低下する特性を有する熱硬化性樹脂であって、上記第三の段階にて、上記第一及び第二の光透過性樹脂を加熱硬化させる際に、上記第二の光透過性樹脂内の粒子状の波長変換剤が上記光透過性樹脂の粘度低下により下方に沈降して、発光素子チップの上部及びその周囲付近に堆積する場合には、上記第一及び第二の光透過性樹脂の加熱硬化の際に、第二の光透過性樹脂中に含まれる波長変換剤の粒子が第一の光透過性樹脂を通って、発光素子チップの上面及びその周囲の光反射キャビティの底面に直接に堆積するので、波長変換剤からの放熱特性が向上することになる。

上記光反射キャビティが上方に向かって広がるように形成されている場合には、発光素子チップから側方に出射した出射光あるいは波長変換剤から側方に出射した励起光が光反射キャビティの側面に入射して、上方に向かって反射されることになり、光の取出し効率が向上することになる。

上記波長変換剤が、蛍光体である場合には、発光素子チップからの出射光が波長変換剤に入射すると、波長変換剤が励起されて励起光としての蛍光を出射することになる。

上記発光素子チップに対する給電ラインが、上記基板内にインサート成形され且つ光反射キャビティの底面に露出するリードフレームにより構成されている場合には、リードフレームタイプの半導体発光装置に本発明を適用することができる。

上記発光素子チップに対する給電ラインが、上記基板表面そして光反射キャビティの側面及び底面に形成された導電薄膜から成る電極層により構成されている場合には、例えば半導体基板等の基板を利用した表面実装タイプの半導体発光装置に本発明を適用することができる。

このようにして、本発明によれば、光反射キャビティ内に波長変換剤を含む光透過性樹脂を充填する際に、まず波長変換剤を含まない第一の光透過性樹脂を発光素子チップの上面が僅かに露出する程度に、そして発光素子チップの上面から周囲に向かってすり鉢状に傾斜するように光反射キャビティ内に充填した後、その上から波長変換剤を含む第二の光透過性樹脂を充填するようにしたから、第二の光透過性樹脂の底面がすり鉢状に、即ち周囲に向かって徐々に厚さが薄くなるように形成される。

これにより、第二の光透過性樹脂に含まれる波長変換剤の量が、周囲に向かって徐々に少なくなるような濃度傾斜を有することになる。従って、第一及び第二の光透過性樹脂の加熱硬化の際に、光透過性樹脂の粘度が低下すると、第二の光透過性樹脂中に含まれる波長変換剤の粒子が自然沈降して、発光素子チップの上面とその周囲の光反射キャビティの底面上に堆積することになる。
その際、波長変換剤は、発光素子チップを中心とする三次元的に均一な密度となり、色ムラのない均一な発光特性が得られることになると共に、発光素子チップ上に直接に波長変換剤が堆積するので、波長変換剤で波長変換の損失エネルギーにより発生する熱が、発光素子チップを介して基板から効率的に放熱され得ることになる。

以下、この発明の好適な実施形態を図１乃至図３を参照しながら、詳細に説明する。
尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。

図１は、本発明による半導体発光装置としてのＬＥＤの製造方法の第一の実施形態を示している。
図１において、ＬＥＤ１０は、一対のリードフレーム１１，１２と、これらのリードフレーム１１，１２を所定位置に保持するように一体成形された基板１３と、この基板１３の上面に設けられた光反射キャビティ１３ａ内に露出する一方のリードフレーム１１のチップ実装部１１ａ上に実装された青色ＬＥＤチップ１４と、上記基板１３の光反射キャビティ１３ａ内にて青色ＬＥＤチップ１４を包囲するように形成された波長変換剤（例えば蛍光体）を混入した波長変換層１５と、から構成されている。

上記リードフレーム１１及び１２は、それぞれその上記光反射キャビティ１３ａ内に露出する先端にチップ実装部１１ａ及びボンディング部１２ａを備えるように、アルミニウム等の導電性材料から形成されていると共に、他端が、基板１３の側面から下面に回り込んで、表面実装のための接続部１１ｂ及び１２ｂを構成している。
これらのリードフレーム１１，１２は、金属板を所定形状にプレス成形することにより作製されている。

上記基板１３は、上記リードフレーム１１，１２に対してインサート成形により一体に形成されており、上面中央に、すり鉢状に上方に向かって拡る光反射キャビティ１３ａを備えている。
ここで、上記光反射キャビティ１３ａの底部にて、上記リードフレーム１１，１２の先端のチップ実装部１１ａ及びボンディング部１２ａが露出するようになっている。

上記青色ＬＥＤチップ１４は、上記基板１３の光反射キャビティ１３ａ内にて、一方のリードフレーム１３の先端のチップ実装部１３ａ上に接合されると共に、その表面に設けられた電極が、隣接して光反射キャビティ１３ａ内に露出する他方のリードフレーム１２の先端のボンディング部１２ａに対してボンディングワイヤ１６により電気的に接続されるようになっている。

ここで、上記青色ＬＥＤチップ１４は、所謂青色ＬＥＤチップであって、駆動電圧が印加されたとき、青色光を発するようになっている。

上記波長変換層１５は、微粒子状の波長変換剤１５ａを混入した高耐熱の熱硬化性透明樹脂、例えば透明エポキシ樹脂等から構成されており、波長変換剤１５ａが下方に沈降している。
そして、この波長変換層１５に、青色ＬＥＤチップ１４からの青色光が入射することにより、波長変換剤１５ａが励起され、波長変換剤１５ａから黄色光を発生させると共に、これらの混色による白色光が外部に出射するようになっている。

尚、波長変換剤１５ａは、例えばセリウム，ガドリニウム等をドープしたＹＡＧ波長変換剤や、このようなＹＡＧ波長変換剤にてイットリウムを他の元素に置換したもの、あるいはオルトシリケート誘導体等が使用され、黄色光の蛍光を発するようになっている。

ここで、上記波長変換層１５は、本発明により以下のようにして形成されるようになっている。
即ち、図２（Ａ）において、基板１３の光反射キャビティ１３ａ内に露出したリードフレーム１１のチップ実装部１１ａに青色ＬＥＤチップ１４が実装された状態から、まず光反射キャビティ１３ａ内にて、図２（Ｂ）に示すように、波長変換剤１５ａを含まない例えばエポキシ樹脂から成る第一の光透過性樹脂１７が注入・充填される。
ここで、第一の光透過性樹脂１７は、加熱により比較的短時間で粘度が低下する熱硬化性樹脂から構成されている。
その際、第一の光透過性樹脂１７は、青色ＬＥＤチップ１４の上面が僅かに露出する程度に、そして青色ＬＥＤチップ１４の上面から周囲に向かってすり鉢状に上向きに傾斜するように、充填される。

次に、すり鉢状の表面の第一の光透過性樹脂１７の上から、光反射キャビティ１３ａ内に、波長変換剤１５ａを含む第二の光透過性樹脂１８が基板１３の上面とほぼ同じ高さまで注入・充填される。
ここで、第二の光透過性樹脂１８も、同様に加熱により比較的短時間で粘度が低下する熱硬化性樹脂から構成されている。
これにより、第二の光透過性樹脂１８は、第一の光透過性樹脂１７の表面形状に従って、その底面がすり鉢状に形成されることになり、その厚さが周囲に向かって半径方向に徐々に薄くなる、即ち第二の光透過性樹脂１８中に含まれる波長変換剤１５ａの量が少なくなる濃度傾斜を備えることになる。

その後、第一の光透過性樹脂１７及び第二の光透過性樹脂１８が基板１３と共に例えば樹脂硬化装置内に投入されて、加熱硬化される。
その際、第一及び第二の光透過性樹脂１７，１８は、比較的短時間で粘度が低下することによって、第二の光透過性樹脂１８中に含まれる波長変換剤１５ａの粒子が自然沈降し、図１に示すように、青色ＬＥＤチップ１４上そしてその周囲の光反射キャビティ１３ａの底面に高密度で堆積することになる。
ここで、前述したように波長変換剤１５ａが半径方向に濃度傾斜を備えていることによって、青色ＬＥＤチップ１４の上面とその周囲とで波長変換剤１５ａの分布に段差が生ずるようなことはなく、三次元的に均一に堆積することになる。

従って、青色ＬＥＤチップ１４から出射する青色光が波長変換剤１５ａで波長変換されて黄色光の蛍光が出射し、青色光との混色によって白色光となる。その際、波長変換剤１５ａの三次元的に均一な分布によって、色ムラのない発光特性が得られることになる。
また、上述したように、波長変換剤１５ａが青色ＬＥＤチップ１４の上面とその周囲に高密度で堆積することから、波長変換剤１５ａが直接に青色ＬＥＤチップ１４の上面及びその周囲の光反射キャビティ１３ａの底面に堆積することになる。
これにより、ＬＥＤ１０の駆動時に、波長変換剤１５ａの波長変換の損失エネルギーにより熱が発生したとしても、この熱は、青色ＬＥＤチップ１４そして基板１３に効率的に伝達され、放熱されることになる。従って、波長変換剤１５ａの発熱によって青色ＬＥＤチップ１４が温度上昇して発光効率が低下するようなことはなく、良好な発光効率が保持され得ることになる。

本発明実施形態による表面実装型白色ＬＥＤ１０は、以上のように構成されており、一対のリードフレーム１１，１２を介して青色ＬＥＤチップ１４に駆動電圧が印加されると、青色ＬＥＤチップ１４が発光して、青色光が出射する。
そして、青色ＬＥＤチップ１４から出射する青色光の一部が、波長変換層１５に混入された波長変換剤１５ａに入射することにより、波長変換剤１５ａが励起されて、黄色光の蛍光を発生させる。
この黄色光が、青色ＬＥＤチップ１４からの青色光と混色されることにより、白色光となって、波長変換層１５を通って、波長変換層１５の上面から外部に出射することになる。

このようにして、本発明実施形態によるＬＥＤ１０によれば、波長変換層１５を形成する際に、まず第一の光透過性樹脂１７をすり鉢状に光反射キャビティ１３ａ内に充填した後、その上から波長変換剤１５ａが混入された第二の光透過性樹脂１８が、光反射キャビティ１３ａ内に充填される。これにより、第二の光透過性樹脂１８に含まれる波長変換剤１５ａが周囲に向かって徐々に小さくなる濃度傾斜を備えることになる。

その後、第一及び第二の光透過性樹脂１７，１８が加熱硬化される際に、これら粘度が比較的低くなることによって、第二の光透過性樹脂１８内に含まれる波長変換剤が自然沈降して青色ＬＥＤチップ１４の上面及びその周囲の光反射キャビティ１３ａの底面に堆積する。
これにより、青色ＬＥＤチップ１４の周囲にて、波長変換剤１５ａが青色ＬＥＤチップ１４を中心として三次元的に均一な密度となることにより、青色ＬＥＤチップ１４からの青色光による波長変換剤１５ａの励起強度がほぼ均一となり、全体として色ムラのない発光特性が得られることになる。

図３は、本発明による半導体発光装置としてのＬＥＤの製造方法の第二の実施形態を示している。
図３において、ＬＥＤ２０は、図１に示したＬＥＤ１０におけるリードフレーム１１，１２を使用せずに、例えば半導体基板等の基板１３の光反射キャビティ１３ａの底面から傾斜した側面を通って基板１３の上面にまで延びる金属等による導電薄膜から成る電極層１３ｂ，１３ｃを備えたタイプのＬＥＤである。
そして、光反射キャビティ１３ａ内に形成される波長変換層１５は、上述したＬＥＤ１０の場合と同様にして、図２に示すようにして形成されるようになっている。

このような構成のＬＥＤ２０によれば、図１に示したＬＥＤ１０の場合と同様にして、波長変換層１５を形成する際に、まず第一の光透過性樹脂１７をすり鉢状に光反射キャビティ１３ａ内に充填した後、その上から波長変換剤１５ａが混入された第二の光透過性樹脂１８が、光反射キャビティ１３ａ内に充填される。これにより、第二の光透過性樹脂１８に含まれる波長変換剤１５ａが周囲に向かって徐々に小さくなる濃度傾斜を備えることになる。

上述した実施形態においては、光反射キャビティ１３ａは、上方に向かって広がるように形成されているが、これに限らず、光反射キャビティ１３ａの側壁は底面に対して垂直であってもよい。
また、上述した実施形態においては、発光素子チップとして青色ＬＥＤチップ１４が使用されているが、これに限らず、他の色の光を出射するＬＥＤチップであっても、また他の構成の発光素子チップであってもよい。
この場合、波長変換剤１５ａは、青色光を黄色光に変換するようになっているが、これに限らず、ＬＥＤチップを含む発光素子チップの出射光の発光色に対応して、この発光色を適宜の色の光に波長変換するようなものが選択され得る。

このようにして、本発明によれば、簡単な構成により、発光素子チップからの出射光と波長変換剤による励起光との混色光に色ムラが発生せず、また波長変換剤が波長変換の損失エネルギーとして放出する熱が効率良く放熱され得るようにした半導体発光装置の製造方法が提供され得る。

本発明による製造方法の第一の実施形態により製造されたＬＥＤの構成を示す概略断面図である。図１のＬＥＤの波長変換層の製造工程を順次に示す概略断面図である。本発明による製造方法の第二の実施形態により製造されたＬＥＤの構成を示す概略断面図である。従来のＬＥＤの製造方法の一例の製造工程を順次に示す概略断面図である。

符号の説明

１０ＬＥＤ（半導体発光装置）
１１，１２リードフレーム
１３基板
１３ａ光反射キャビティ
１３ｂ，１３ｃ電極層
１４青色ＬＥＤチップ（発光素子チップ）
１５波長変換層
１５ａ蛍光体（波長変換剤）
１６ボンディングワイヤ
１７第一の光透過性樹脂
１８第二の光透過性樹脂

Claims

基板上面に設けられた光反射キャビティの底面に発光素子チップを配置し、上記光反射キャビティ内に粒子状の波長変換剤を含む波長変換層を形成して、上記発光素子チップからの出射光により波長変換剤を励起させて、出射光と励起光との混色光を外部に出射する、半導体発光装置の製造方法であって、
上記光反射キャビティ内に波長変換剤を含む波長変換層を充填する工程が、
まず上記光反射キャビティ内にて、発光素子チップの上面が僅かに露出する程度に、そして発光素子チップの上面から周囲に向かってすり鉢状に傾斜するように、波長変換剤を含まない第一の光透過性樹脂を充填する第一の段階と、
次に、上記光反射キャビティ内にて、上記第一の光透過性樹脂の上に波長変換剤を含む第二の光透過性樹脂を充填する第二の段階と、
その後、上記第一の光透過性樹脂及び第二の光透過性樹脂を硬化させる第三の段階と、
を含んでいることを特徴とする、半導体発光装置の製造方法。
上記第一及び第二の光透過性樹脂が、加熱時に粘度が低下する特性を有する熱硬化性樹脂であって、
上記第三の段階にて、上記第一及び第二の光透過性樹脂を加熱硬化させる際に、上記第二の光透過性樹脂内の粒子状の波長変換剤が上記光透過性樹脂の粘度低下により下方に沈降して、発光素子チップの上部及びその周囲付近に堆積する
ことを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
上記光反射キャビティが上方に向かって広がるように形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体発光装置の製造方法。
上記波長変換剤が、蛍光体であることを特徴とする、請求項１から３の何れかに記載の半導体発光装置の製造方法。
上記発光素子チップに対する給電ラインが、上記基板内にインサート成形され且つ光反射キャビティの底面に露出するリードフレームにより構成されていることを特徴とする、請求項１から４の何れかに記載の半導体発光装置の製造方法。
上記発光素子チップに対する給電ラインが、上記基板表面そして光反射キャビティの側面及び底面に形成された導電薄膜から成る電極層により構成されていることを特徴とする、請求項１から４の何れかに記載の半導体発光装置の製造方法。