JP4750741B2 - Connection structure of electrode terminals in planar optical circuits - Google Patents
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Description
本発明は、平面型光回路における電極端子の接続構造に関する。 The present invention relates to an electrode terminal connection structure in a planar optical circuit.
〔従来技術の第一例〕
近年、平面基板上に形成された光導波路と、その上面に形成された電気配線からなる平面型光回路が数多く開発されている。特に、石英系光導波路は伝搬損失が低く、安定性が高く、長期信頼性に優れており、石英系平面型光回路は実用的な光部品として数多くの光モジュールに使用されている。このような電気配線を有する平面型光回路の例としては、熱光学効果を利用した光スイッチや可変光減衰器などがあげられる。
[First example of prior art]
In recent years, many planar optical circuits comprising an optical waveguide formed on a planar substrate and electrical wiring formed on the upper surface thereof have been developed. In particular, quartz optical waveguides have low propagation loss, high stability, and excellent long-term reliability. Silica-based planar optical circuits are used in many optical modules as practical optical components. Examples of the planar optical circuit having such an electrical wiring include an optical switch using a thermo-optic effect and a variable optical attenuator.
図15(a)は、平面基板上に形成された従来の導波路型光スイッチの一例の概略図である。導波路型光スイッチは、入力導波路901、902と、2個の光カプラ911、921と、2個の光カプラ911、921を結ぶ光遅延導波路931、932と、出力導波路903、904とからなるマッハツェンダ干渉計の構成を有し、少なくとも一つの光遅延導波路に、屈折率調整手段941を備えている。
FIG. 15A is a schematic view of an example of a conventional waveguide type optical switch formed on a flat substrate. The waveguide type optical switch includes
屈折率調整手段941としては、例えばクロムや窒化タンタルの比較的高抵抗の薄膜ヒータ等が用いられ、熱光学効果を利用することにより屈折率を調整することができる。屈折率を変化させると、2本の光遅延導波路931、932の実効的な光路長差が変化するため、光の干渉状態が変化し、光路の切り替えを行うことができる。
As the refractive index adjusting means 941, for example, a relatively high resistance thin film heater such as chromium or tantalum nitride is used, and the refractive index can be adjusted by utilizing the thermo-optic effect. When the refractive index is changed, the effective optical path length difference between the two
なお、図示しないが、光遅延導波路931、932に装荷した薄膜ヒータへ電力を供給するための、低抵抗の金薄膜等を用いた電気配線が平面型光回路上に形成されている。さらに、薄膜ヒータと電気配線は石英等の絶縁膜で覆われており、この絶縁膜に保護されることにより、薄膜ヒータの長期信頼性を確保している(下記特許文献1を参照)。
Although not shown, electrical wiring using a low-resistance gold thin film or the like for supplying electric power to the thin film heater loaded in the
この導波路型光スイッチは単独で用いられる場合もあるが、複数の導波路型光スイッチを一定間隔に並べた多連の導波路型光スイッチも用いられ、例えば、光スイッチ・可変光減衰器アレイ、光アドドロップ多重回路、N×Nマトリクス光スイッチ、1×Nタップ型光スイッチ、1×Nツリー型光スイッチなどが開発されている(下記非特許文献1、2を参照)。
Although this waveguide type optical switch may be used independently, a multiple waveguide type optical switch in which a plurality of waveguide type optical switches are arranged at a constant interval is also used. For example, an optical switch or a variable optical attenuator Arrays, optical add / drop multiplexing circuits, N × N matrix optical switches, 1 × N tap optical switches, 1 × N tree optical switches, and the like have been developed (see Non-Patent
図15(b)は、導波路型光スイッチを用いた従来の平面型光回路モジュールの一例の概略図である。平面型光回路951には導波路型光スイッチ等の、電気配線を備えた光回路が多数形成されている。これら電気配線を備えた光回路の入力導波路(図示せず)と出力導波路(図示せず)は、平面型光回路951の基板端面に位置する光ファイバアレイ957に接続されている。
FIG. 15B is a schematic diagram of an example of a conventional planar optical circuit module using a waveguide type optical switch. In the planar
平面基板上には、図示しないが、光導波路上に装荷された薄膜ヒータと、平面型光回路951の基板端面に並べられた電極端子959を結ぶ電気配線が形成されている。電極端子959に給電することにより、それぞれの光回路の光導波路上に装荷された薄膜ヒータを駆動することができる。
On the flat substrate, although not shown, an electrical wiring is formed to connect the thin film heater loaded on the optical waveguide and the
パッケージ956の中には、平面型光回路951の他に、電気コネクタ958と、電極953と、電気コネクタ958と、電極953を結ぶ配線954からなる電気配線基板952が収容されている。そして、平面型光回路951上の電極端子959と、電気配線基板952の電極953はボンディングワイヤ955で電気的に接続されている。
In the
電気コネクタ958には、平面型光回路モジュールの内部もしくは外部より電源を接続することができる。このような構成にすることで、電気配線基板952を中継し、平面型光回路951の電極端子959に容易に電力を供給することができる(下記特許文献2を参照)。
A power source can be connected to the
〔従来技術の第二例〕
近年、液晶表示装置の分野では、回路素子と電極端子が形成された液晶回路基板と、この液晶回路基板の電極端子に接続するための電極が形成された樹脂フィルムをベースとする配線基板を接続する方法として、異方性導電膜を用いる方法が採用されている。図16(a)に、その接続方法を示す。液晶回路基板971の上面に電極端子972が形成され、配線基板962の基板961上面に電極963が形成され、両者は導電粒子967と接着剤968を含む異方性導電膜966を介して接続されている(下記特許文献3を参照)。
[Second example of prior art]
In recent years, in the field of liquid crystal display devices, a liquid crystal circuit board on which circuit elements and electrode terminals are formed is connected to a wiring board based on a resin film on which electrodes for connecting to the electrode terminals of the liquid crystal circuit board are formed. As a method for this, a method using an anisotropic conductive film is employed. FIG. 16A shows the connection method. An
異方性導電膜966は、熱硬化性の接着剤樹脂内に導電粒子967を含有させたもので、接着時の加熱・加圧により接着剤樹脂が流動し、垂直方向のみに導電性を示す性質を持つ。図16(b)には配線基板962の一例の概略図を、図16(c)には図16(b)において破線で示された部分の断面構造の概略図を示す。基板961上面に配線964と、配線964につながる電極963が形成され、配線964と、電極963の一部はカバー965で覆われている(下記特許文献3を参照)。
The anisotropic
この異方性導電膜966を用いて電極端子972を接続する方法は液晶表示装置の分野では広く用いられており、様々な技術が開発されている。例えば、所定の間隔を隔てて形成された複数の電極963を有する配線基板962の電極963と、液晶回路基板971の電極端子972において、熱変位の大きい電極963のピッチを、熱変位の小さい電極端子972のピッチよりも小さくしておくと共に、位置合わせの基準とするための電極963と電極端子972のピッチを同一にした部分を形成することにより、熱変位の小さい電極端子972と熱変位の大きい電極963とを精度良く位置合わせる接続方法が開発されている(下記特許文献4を参照)。
A method of connecting the
また、例えば、短冊状に形成された液晶回路基板971の電極端子972もしくは配線基板962の電極963のいずれか一方の端子間ピッチを一定とし、いずれか他方の端子間ピッチについては、端子の中央部では小さく設定し、端部側に行くに従って大きく設定することにより、配線基板962の熱膨張に起因する伸びによる接続不良を減少させる接続方法が開発されている。
Further, for example, the pitch between the terminals of either the
また、例えば、液晶回路基板971の電極端子972もしくは配線基板962の電極963のいずれか一方の縁部を中心とする所定範囲に位置ずれ防止用絶縁膜を形成した接続方法が開発されている(下記特許文献5を参照)。
また、例えば、電極端子972と電極963の間に導電粒子を挟むための突起電極を用いた接続方法が開発されている(下記特許文献6を参照)。
In addition, for example, a connection method has been developed in which a displacement-preventing insulating film is formed in a predetermined range centered on one edge of either the
For example, a connection method using a protruding electrode for sandwiching conductive particles between the
しかし、図15(b)に示す従来技術の第一例の平面型光回路モジュールは、パッケージ956の中に、平面型光回路951の他に、電気配線基板952を収容する必要があり、モジュールのサイズが大きくなるという問題があった。一方、図16に示す従来技術の第二例で説明した、異方性導電膜966を用いる接続方法は、液晶表示装置の分野で広く用いられている技術である。もし、図15(b)に示す平面型光回路951に同様の接続方法を適用することができれば、電気配線基板952を省き、電気配線基板952を平面型光回路の電極端子959に直接接続できるため、平面型光回路モジュールを大幅に小型化できることが期待される。
However, the planar optical circuit module of the first example of the prior art shown in FIG. 15B needs to accommodate an
しかしながら、異方性導電膜966を用いた電極端子972の接続技術は、平面型光回路951の分野では確立されておらず、下記に示すような問題がある。
第1に、図16に示す異方性導電膜966を用いて電極端子972と配線基板962の電極963を接続する接続構造では、電極端子972と配線基板962の電極963を、液晶回路基板971に対して突出させるのが一般的である(上記特許文献3を参照)。
However, the connection technique of the
First, in the connection structure in which the
しかし、図15(b)に示す平面型光回路951では、電極端子959を除いて、クラッド上面は薄膜ヒータを保護するための絶縁膜で覆われているため、電極端子959が窪んでいる。図16に示す異方性導電膜966は突出した電極963と同じく突出した電極端子972とを接続するよう設計されているため、図15(b)に示す窪んだ電極端子959と突出した電極953を接続する構造では、接触抵抗が生じやすい。
However, in the planar
第2に、図15(b)に示す一定のピッチを隔てて複数形成されている平面型光回路951の電極端子959に電気配線基板952の電極953を接続する場合において、樹脂フィルムをベースとする電気配線基板952は、温度変化により収縮・膨張しやすいため、電極953の位置がずれるという問題がある。もし、図16に示す突出した電極963と同じく突出した電極端子972との接続なら、図15(b)に示す電極端子959と電気配線基板952の電極953の位置が多少ずれても電気的に接続できるが、電極端子959が窪んでいる構造の場合は、位置ずれが生じると接続不良につながる。
Second, in the case where the
第3に、図15(b)に示す平面型光回路951では、平面基板や光導波路層に用いる材料の組み合わせによっては平面基板に反りが生じる場合があり、電気配線基板952の温度変化による収縮・膨張が無かったとしても、電極端子959の位置と電気配線基板952の電極953の位置とがずれるという問題がある。
Third, in the planar
以上のことから、本発明は、電極端子が絶縁膜の中に窪んだ平面型光回路で、異方性導電膜を介して配線基板の電極を低抵抗で接続でき、かつ配線不良を抑制できる平面型光回路における電極端子の接続構造を提供することを目的とする。 From the above, the present invention is a planar optical circuit in which the electrode terminal is recessed in the insulating film, and can connect the electrodes of the wiring board with a low resistance through the anisotropic conductive film, and can suppress wiring defects. An object of the present invention is to provide a connection structure for electrode terminals in a planar optical circuit.
上記の課題を解決するための第1の発明(請求項1に対応)に係る平面型光回路における電極端子の接続構造は、
平面基板上に形成されたクラッドと、該クラッドの中に形成され、該クラッドよりも屈折率が高いコアとから成る平面型光回路であって、前記クラッドの上面に電気配線と、該電気配線につながる電極端子とが形成され、該電極端子の全部もしくは一部の領域を開口部とし、前記電極端子の開口部を除く領域が絶縁膜で覆われた平面型光回路において、
前記平面型光回路の電極端子の開口部に、基板上に形成された配線と、該配線につながる電極とから成る配線基板であって、前記基板の上面から前記電極の上面までの高さがtである配線基板の電極が、粒子径φの導電粒子を有する導電膜を介して電気的に接続され、
前記電極端子の開口幅が前記配線基板の電極の幅よりも広く、かつ、前記絶縁膜の上面から前記電極端子の開口部の上面までの深さdが、0<d≦t−φとなるよう電極端子が形成されている
ことを特徴とする。
The electrode terminal connection structure in the planar optical circuit according to the first invention (corresponding to claim 1) for solving the above-described problem is
A planar optical circuit comprising a clad formed on a flat substrate and a core formed in the clad and having a refractive index higher than that of the clad, comprising: an electric wiring on the upper surface of the clad; and the electric wiring In the planar optical circuit in which the electrode terminal connected to the electrode terminal is formed, the entire or part of the electrode terminal is an opening, and the region excluding the opening of the electrode terminal is covered with an insulating film.
A wiring board comprising wiring formed on a substrate in an opening of an electrode terminal of the planar optical circuit and an electrode connected to the wiring, the height from the upper surface of the substrate to the upper surface of the electrode The electrode of the wiring board which is t is electrically connected through a conductive film having conductive particles having a particle diameter φ,
The opening width of the electrode terminal is wider than the width of the electrode of the wiring board, and the depth d from the upper surface of the insulating film to the upper surface of the opening portion of the electrode terminal satisfies 0 < d ≦ t−φ. An electrode terminal is formed.
上記の課題を解決するための第2の発明(請求項2に対応)に係る平面型光回路における電極端子の接続構造は、第1の発明に係る平面型光回路における電極端子の接続構造において、
前記平面型光回路の電極端子の開口幅をw、前記配線基板の電極の幅をLとした時、w≧L+2φとなるよう電極端子が形成されている
ことを特徴とする。
The electrode terminal connection structure in the planar optical circuit according to the second invention (corresponding to claim 2) for solving the above problems is the electrode terminal connection structure in the planar optical circuit according to the first invention. ,
The electrode terminal is formed so that w ≧ L + 2φ, where w is the opening width of the electrode terminal of the planar optical circuit and L is the width of the electrode of the wiring board.
上記の課題を解決するための第3の発明(請求項3に対応)に係る平面型光回路における電極端子の接続構造は、第1の発明又は第2の発明に係る平面型光回路における電極端子の接続構造において、
前記平面型光回路の電極端子の硬度及び前記配線基板の電極の硬度が前記導電粒子の硬度よりも高く、かつ、前記電極端子の開口部の上面と、前記配線基板の電極の上面との間隔が、前記導電粒子の粒子径より小さい
ことを特徴とする。
An electrode terminal connection structure in a planar optical circuit according to a third invention (corresponding to claim 3) for solving the above problems is an electrode in the planar optical circuit according to the first invention or the second invention. In the terminal connection structure,
The hardness of the electrode terminal of the planar optical circuit and the hardness of the electrode of the wiring board are higher than the hardness of the conductive particles, and the distance between the upper surface of the opening of the electrode terminal and the upper surface of the electrode of the wiring board Is smaller than the particle diameter of the conductive particles.
上記の課題を解決するための第4の発明(請求項4に対応)に係る平面型光回路における電極端子の接続構造は、第1の発明又は第2の発明に係る平面型光回路における電極端子の接続構造において、
前記平面型光回路の電極端子の硬度又は前記配線基板の電極の硬度が、前記導電粒子の硬度よりも低く、かつ、前記電極端子の開口部の上面と、前記配線基板の電極の上面との間隔が、前記導電粒子の粒子径より小さい
ことを特徴とする。
An electrode terminal connection structure in a planar optical circuit according to a fourth invention (corresponding to claim 4) for solving the above problems is an electrode in the planar optical circuit according to the first invention or the second invention. In the terminal connection structure,
The hardness of the electrode terminal of the planar optical circuit or the hardness of the electrode of the wiring board is lower than the hardness of the conductive particles, and the upper surface of the opening of the electrode terminal and the upper surface of the electrode of the wiring board The interval is smaller than the particle diameter of the conductive particles.
上記の課題を解決するための第5の発明(請求項5に対応)に係る平面型光回路における電極端子の接続構造は、第1の発明乃至第4の発明のいずれかに係る平面型光回路における電極端子の接続構造において、
前記平面型光回路の電極端子が所定の間隔を隔てて複数形成された
ことを特徴とする。
The electrode terminal connection structure in the planar optical circuit according to the fifth invention (corresponding to claim 5) for solving the above problems is the planar light according to any one of the first to fourth inventions. In the electrode terminal connection structure in the circuit,
A plurality of electrode terminals of the planar optical circuit are formed at a predetermined interval.
上記の課題を解決するための第6の発明(請求項6に対応)に係る平面型光回路における電極端子の接続構造は、第5の発明に係る平面型光回路における電極端子の接続構造において、
前記配線基板の電極と、前記平面型光回路の電極端子とが、第1から第N(Nは3以上の整数)まで所定の間隔を隔てて複数配置され、
前記配線基板の第n(1≦n≦N)の電極に接続される前記平面型光回路の第nの電極端子の開口幅をw(n)とした時、前記平面型光回路の第m(1≦m≦N−1)の電極端子の中心位置と第m+1の電極端子の中心位置の間隔が、前記配線基板の電極を前記平面型光回路の電極端子に接続する前の、前記配線基板の第mの電極の中心位置と第m+1の電極の中心位置の間隔と等しく、かつ、前記平面型光回路の第mの電極端子の開口幅w(m)と第m+1の電極端子の開口幅w(m+1)のいずれか一方が、他方よりも広い
ことを特徴とする。
An electrode terminal connection structure in a planar optical circuit according to a sixth invention (corresponding to claim 6) for solving the above-described problem is an electrode terminal connection structure in a planar optical circuit according to the fifth invention. ,
A plurality of electrodes of the wiring board and electrode terminals of the planar optical circuit are arranged at a predetermined interval from first to Nth (N is an integer of 3 or more),
When the opening width of the nth electrode terminal of the planar optical circuit connected to the nth (1 ≦ n ≦ N) electrode of the wiring board is w (n), the mth of the planar optical circuit. The distance between the center position of the electrode terminal (1 ≦ m ≦ N−1) and the center position of the (m + 1) th electrode terminal is the wiring before the electrode of the wiring board is connected to the electrode terminal of the planar optical circuit. The distance between the center position of the mth electrode and the center position of the (m + 1) th electrode of the substrate is equal to the opening width w (m) of the mth electrode terminal and the opening of the (m + 1) th electrode terminal of the planar optical circuit. One of the widths w (m + 1) is wider than the other.
上記の課題を解決するための第7の発明(請求項7に対応)に係る平面型光回路における電極端子の接続構造は、第5の発明に係る平面型光回路における電極端子の接続構造において、
前記配線基板の電極の幅をL、電極間の隙間の幅をSとしたとき、前記配線基板の電極が、第1の電極から第N(Nは3以上の整数)の電極まで一定間隔L+Sを隔てて複数配置され、
前記配線基板の第n(1≦n≦N)の電極に接続される前記平面型光回路の第nの電極端子の開口幅をw(n)とした時、第1から第Nの電極端子のうち、最も真ん中に近い第mの電極端子の開口幅がw(n)の中で最小であり、かつ、w(m)≧L+2φを満たし、第mから第1の電極端子に向かうにつれ電極端子の開口幅が次第に広くなり、第mから第Nの電極端子に向かうにつれ電極端子の開口幅が次第に広くなる
ことを特徴とする。
An electrode terminal connection structure in a planar optical circuit according to a seventh invention (corresponding to claim 7) for solving the above-described problem is an electrode terminal connection structure in a planar optical circuit according to the fifth invention. ,
When the width of the electrode of the wiring board is L and the width of the gap between the electrodes is S, the electrode of the wiring board is a constant distance L + S from the first electrode to the Nth electrode (N is an integer of 3 or more). Are arranged across
When the opening width of the nth electrode terminal of the planar optical circuit connected to the nth (1 ≦ n ≦ N) electrode of the wiring board is w (n), the first to Nth electrode terminals Among them, the opening width of the m-th electrode terminal closest to the center is the smallest among w (n), and satisfies w (m) ≧ L + 2φ, and the electrode moves from the m-th to the first electrode terminal. The opening width of the terminal is gradually increased, and the opening width of the electrode terminal is gradually increased from the mth to the Nth electrode terminal.
上記の課題を解決するための第8の発明(請求項8に対応)に係る平面型光回路における電極端子の接続構造は、第5の発明に係る平面型光回路における電極端子の接続構造において、
前記平面型光回路の電極端子が、第1から第N(Nは3以上の整数)まで所定の間隔を隔てて複数配置され、
前記配線基板の電極の幅をL、電極間の隙間の幅をSとしたとき、前記配線基板の電極が、第1の電極から第Nの電極まで一定間隔L+Sを隔てて複数配置され、
前記平面基板の反りの曲率をRとすると、前記平面型光回路の第1から第Nの電極端子のうち、第mの電極端子の中心位置を基準として、前記平面型光回路の第n(1≦n≦N)の電極端子の中心位置が、x(n)=R・arcsin((L+S)・(n−m)/R)に配置されている
ことを特徴とする。
The electrode terminal connection structure in the planar optical circuit according to the eighth invention (corresponding to claim 8) for solving the above problem is the electrode terminal connection structure in the planar optical circuit according to the fifth invention. ,
A plurality of electrode terminals of the planar optical circuit are arranged at a predetermined interval from the first to the Nth (N is an integer of 3 or more),
When the width of the electrode of the wiring board is L and the width of the gap between the electrodes is S, a plurality of electrodes of the wiring board are arranged with a constant interval L + S from the first electrode to the Nth electrode,
When the curvature of warpage of the planar substrate is R, the nth ((n) th) of the planar optical circuit is based on the center position of the mth electrode terminal among the first to Nth electrode terminals of the planar optical circuit. The center position of the electrode terminal of 1 ≦ n ≦ N) is arranged as x (n) = R · arcsin ((L + S) · (nm) / R).
上記の課題を解決するための第9の発明(請求項9に対応)に係る平面型光回路における電極端子の接続構造は、第1の発明乃至第8の発明のいずれかに係る平面型光回路における電極端子の接続構造において、
前記コアとクラッドからなる光導波路は、石英系光導波路である
ことを特徴とする。
An electrode terminal connection structure in a planar optical circuit according to a ninth invention (corresponding to claim 9) for solving the above problems is a planar light according to any of the first to eighth inventions. In the electrode terminal connection structure in the circuit,
The optical waveguide composed of the core and the clad is a silica-based optical waveguide.
第1の発明によれば、電極端子が窪んだ平面型光回路であっても、異方性導電膜を介して配線基板の電極を低抵抗で接続できる。配線基板を直接平面型光回路に接続するので、電気配線基板とボンディングワイヤを用いなくても、平面型光回路の電極端子に電力を供給でき、平面型光回路モジュールを大幅に小型化できる。 According to the first invention, even in the planar optical circuit in which the electrode terminals are recessed, the electrodes of the wiring board can be connected with low resistance via the anisotropic conductive film. Since the wiring board is directly connected to the planar optical circuit, electric power can be supplied to the electrode terminals of the planar optical circuit without using an electrical wiring board and bonding wires, and the planar optical circuit module can be greatly reduced in size.
第2の発明によれば、第1の発明の効果に加え、配線基板の突出した電極端と平面型光回路の窪んだ電極端子端の間に導電粒子が挟まるのを回避し、接触不良の抑制をさらに確実なものとすることができる。
第3の発明及び第4の発明によれば、第1の発明又は第2の発明の効果に加え、平面型光回路の電極端子と配線基板の電極との導通をさらに良くすることができる。
According to the second invention, in addition to the effects of the first invention, the conductive particles are prevented from being sandwiched between the protruding electrode end of the wiring board and the recessed electrode terminal end of the planar optical circuit, thereby preventing poor contact. Suppression can be further ensured.
According to the third invention and the fourth invention, in addition to the effects of the first invention or the second invention, conduction between the electrode terminal of the planar optical circuit and the electrode of the wiring board can be further improved.
第5の発明によれば、第1の発明乃至第4の発明のいずれかの効果に加え、導波路型光スイッチや可変光減衰器などの光回路を集積した、小型で高機能な平面型光回路を実現できる。
第6の発明によれば、第5の発明の効果に加え、平面型光回路の電極端子を一定ピッチに配置したまま、配線基板の膨張・収縮による電極の位置ずれが生じたとしても、電極端子と配線基板の電極を電気的に接続することができる。
According to the fifth invention, in addition to the effects of any one of the first to fourth inventions, a compact and highly functional planar type in which optical circuits such as a waveguide type optical switch and a variable optical attenuator are integrated. An optical circuit can be realized.
According to the sixth invention, in addition to the effects of the fifth invention, the electrode terminals of the planar optical circuit are arranged at a constant pitch, and even if the electrode is displaced due to expansion / contraction of the wiring board, the electrode The terminal and the electrode of the wiring board can be electrically connected.
第7の発明によれば、第5の発明の効果に加え、配線基板の突出した電極端と平面型光回路の窪んだ電極端子端の間に導電粒子が挟まるのを回避しつつ、配線基板の膨張・収縮による電極の位置ずれを補償できる。
第8の発明によれば、第5の発明の効果に加え、平面基板に反りが生じたとしても、電極端子の位置と配線基板の電極の位置を合わせることができる。
According to the seventh invention, in addition to the effects of the fifth invention, the wiring board avoids the conductive particles from being sandwiched between the protruding electrode end of the wiring board and the recessed electrode terminal end of the planar optical circuit. It is possible to compensate for the displacement of the electrode due to the expansion and contraction of the electrode.
According to the eighth invention, in addition to the effect of the fifth invention, the position of the electrode terminal and the position of the electrode of the wiring board can be matched even if the flat substrate is warped.
第9の発明によれば、第1の発明乃至第8の発明のいずれかの効果に加え、伝搬損失が低く、安定性が高く、長期信頼性に優れた光部品を実現できる。
以上のことから、本発明により、配線基板を平面型光回路の電極端子に低抵抗で高信頼に接続できる技術が確立され、従来の平面型光回路モジュールの大きさを大幅に小型化することができる。
According to the ninth aspect, in addition to the effects of any one of the first to eighth aspects, an optical component having low propagation loss, high stability, and excellent long-term reliability can be realized.
From the above, according to the present invention, a technology capable of connecting a wiring board to an electrode terminal of a planar optical circuit with low resistance and high reliability is established, and the size of a conventional planar optical circuit module is greatly reduced. Can do.
以下、本発明に係る平面型光回路における電極端子の接続構造の種々の実施形態について、図1から図14を用いて説明する。ここで、図1は本発明の第1実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造であって、(a)は平面図、(b)は切断面A−A´における断面図、(c)は配線基板の断面構造の概略図、図2は本発明の第1実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造の概略図、図3は本発明の第2実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造の概略図、図4は本発明の第3実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造で、電極端子近傍の絶縁膜が、周辺の絶縁膜に対し盛り上がっている様子を示した図、図5は本発明の第4実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造の概略図、図6は本発明の第5実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造の概略図、図7は本発明の第6実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造の概略図、図8は本発明の第7実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造であって、(a)は配線基板の断面図、(b)は導電膜を挟んで配線基板の電極と平面型光回路の上面の電極端子を加熱・圧着した後の接続構造の断面図、図9は本発明の第8実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造の概略図、図10は本発明の第9実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造の概略図、図11は本発明の第10実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造の概略図、図12は本発明の各実施形態で説明した平面型光回路における電極端子の接続構造を適用した光回路の一例であって、(a)は平面図、(b)は切断面B−B´における断面図、(c)は切断面C−C´における断面図、図13は本発明の各実施形態で説明した平面型光回路における電極端子の接続構造を適用した多連の光回路の一例を示した図、図14は本発明の平面型光回路の製作工程を説明する模式図である。 Hereinafter, various embodiments of electrode terminal connection structures in a planar optical circuit according to the present invention will be described with reference to FIGS. Here, FIG. 1 is a connection structure of electrode terminals of the planar optical circuit in the first embodiment of the present invention, where (a) is a plan view, (b) is a cross-sectional view taken along the section AA ′, c) is a schematic diagram of a cross-sectional structure of a wiring board, FIG. 2 is a schematic diagram of a connection structure of electrode terminals of a planar optical circuit in the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a planar model in the second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic diagram of an electrode terminal connection structure of an optical circuit, and FIG. 4 is a connection structure of an electrode terminal of a planar optical circuit in a third embodiment of the present invention. FIG. 5 is a schematic diagram of a connection structure of electrode terminals of a planar optical circuit according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an electrode of the planar optical circuit according to the fifth embodiment of the present invention. FIG. 7 is a schematic diagram of a terminal connection structure, and FIG. FIG. 8 is a schematic view of the electrode terminal connection structure of FIG. 8, FIG. 8 is a connection structure of the electrode terminal of the planar optical circuit in the seventh embodiment of the present invention, FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view of the connection structure after heating and pressure bonding the electrode of the wiring board and the electrode terminal on the upper surface of the planar optical circuit across the film, and FIG. 9 shows the electrode terminal of the planar optical circuit in the eighth embodiment of the present invention. 10 is a schematic diagram of a connection structure, FIG. 10 is a schematic diagram of a connection structure of electrode terminals of a planar optical circuit in a ninth embodiment of the present invention, and FIG. 11 is an electrode terminal of a planar optical circuit in a tenth embodiment of the present invention. FIG. 12 is a schematic diagram of a connection structure, and FIG. 12 is an example of an optical circuit to which the electrode terminal connection structure in the planar optical circuit described in each embodiment of the present invention is applied, where (a) is a plan view and (b) is a plan view. Sectional view at section plane BB ', (c) is sectional view at section plane CC' FIG. 13 is a diagram showing an example of a multiple optical circuit to which the electrode terminal connection structure in the planar optical circuit described in each embodiment of the present invention is applied, and FIG. 14 is a process for manufacturing the planar optical circuit of the present invention. FIG.
〔第1の実施形態〕
図1に、本発明の第1実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造を示す。平面基板161上に、コア(図示せず)が埋め込まれたクラッド401と、クラッド401の上面に電気配線171と、電気配線171につながれた電極端子191が形成され、電極端子191の一部の領域を開口部181とし、開口部181を除く電極端子191の残りの領域と、その周辺のクラッド401及び電気配線171が絶縁膜168で覆われている。ここでは、電極端子191と開口部181は四角形に形成したが、形状は任意である。
[First Embodiment]
FIG. 1 shows a connection structure of electrode terminals of a planar optical circuit in the first embodiment of the present invention. A clad 401 having a core (not shown) embedded therein, an
そして、電極端子191の開口部181に、配線基板311の電極321を、粒子径φの導電粒子211を有する導電膜201を介して電気的に接続している。配線基板311は、基板301上に形成され、カバー341に覆われた配線331と、配線331につながる電極321から成り、基板301の上面から電極321の上面までの高さはtである。
The
本実施形態では、電極端子191の開口部181の幅が、配線基板311の電極321の幅よりも広くなるよう電極端子191を形成した。それにより、電極端子191を絶縁膜168で覆った電極構造であっても、導電膜210を通し、配線基板311の電極321と電極端子191を電気的に接続できた。
In the present embodiment, the
さらに、絶縁膜168の上面から電極端子191の開口部181の上面までの深さdが、d≦t−φとなるよう電極端子191を形成した。ここで、φは粒子径である。なお、絶縁膜168の上面よりも電極端子191の開口部181の上面の方が低い位置にあるため、深さd>0である。この条件式は次のように導出した。
Further, the
図1(b)に示す導電膜210を挟んで配線基板311の電極321と平面型光回路の上面の電極端子191を加熱・圧着した後の接続構造において、絶縁膜168の上面と配線基板311の基板301上面との距離をgとすると、t+φ=g+dが成立する。この式を整理すると、d=t+φ−gを得る。ここで、絶縁膜168の上面と配線基板311の基板301上面との間に2φ以上の隙間をあけるとすれば、導電粒子211が挟まることがなく、充分な導通が取れる。
In the connection structure after the
この時、g≧2φであるので、d≦t−φの条件式を得る。もちろん、g≧2φでなくともg≧φであれば、少なくとも絶縁膜168の上面と配線基板311の基板301上面との間にはφの隙間ができるため、導通は取れる。しかし、使用する材料や接続条件等により、加熱・圧着後に粒子が圧縮され、粒子径がφより小さくなる場合もあるので、少なくともg≧2φ、すなわち、d≦t−φとなるよう電極端子191を形成すれば、接触不良は避けることができる。
At this time, since g ≧ 2φ, a conditional expression of d ≦ t−φ is obtained. Of course, if g ≧ φ but not g ≧ 2φ, a gap of φ is formed at least between the upper surface of the insulating
以上、説明したように、電極端子191の開口部181の幅が、配線基板311の電極321の幅よりも広くなるよう電極端子191を形成し、かつ、絶縁膜168上面と配線基板311の基板301上面に充分な隙間を開けることにより、絶縁膜168上面と配線基板311の基板301上面の間に導電粒子211が挟まるのを防ぎ、安定した電気的接続を得た。
As described above, the
図2(a)に、導電膜201を通し、配線基板311の電極321と電極端子191とを接続する前の様子を示す。配線基板311として、フレキシブル配線板を用い、基板301とカバー341(図1参照)は厚さ25μmの薄膜を、電極321は厚さt=9μmの薄膜で形成した。
FIG. 2A shows a state before the
導電膜201として、熱硬化性接着剤樹脂である接着剤241に平均粒子径φ=3μmの金属粒子を導電粒子211として含有させた異方性導電膜を用いた。平面型光回路はシリコン基板上に形成した石英系光導波路で形成し、電気配線171(図1参照)の厚さを3μm、電極端子191の厚さを3μm、電極端子191の開口部181の上面までの深さd=3μmとなるよう、石英系の絶縁膜168を装荷した。平面型光回路と配線基板311の間に導電粒子211と熱硬化性接着剤樹脂である接着剤241からなる導電膜201である異方性導電膜を挟み、加熱・圧着することにより配線基板311を平面型光回路に接続した。
As the
接続後の様子を図2(b)に示す。平面型光回路の電極端子191の開口部181と配線基板311の電極321が、導電膜201である異方性導電膜の導電粒子211を介して物理的に、電気的に接続され、接着剤241により固定された様子が示されている。さらに詳しくは、平面型光回路の電極端子191の開口部181に、配線基板311の電極321が挿入され、異方性導電膜である導電膜201が圧縮され、接続されている。
The state after connection is shown in FIG. The
ここでもし電極端子191の開口部181の幅が、配線基板311の電極321の幅よりも狭いか、または電極端子191の開口部181の上面までの深さdが、d>t−φであったとすれば、配線基板311の電極321と電極端子191を電気的に接続しにくくなり、接触抵抗の発生につながっていた。
If the width of the
それに対し、本実施形態では、電極端子191の開口幅を配線基板311の電極321の幅よりも広く、かつ、絶縁膜168の上面から電極端子191の開口部181の上面までの深さdが0<d≦t−φとなるよう電極端子191を形成したことにより、配線基板311の電極321を平面型光回路の電極端子191に高い信頼性で物理的にかつ電気的に接続できた。
On the other hand, in the present embodiment, the opening width of the
このように、本実施形態によれば、絶縁膜168で覆われ、電極端子191が窪んだ平面型光回路であっても、接続不良を起こすことなく、異方性導電膜である導電膜201を介して配線基板311の電極321を低抵抗で、かつ、高い信頼性で接続することができた。
As described above, according to the present embodiment, the
〔第2の実施形態〕
図3に、本発明の第2実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造を示す。平面基板161上に、コア(図示せず)が埋め込まれたクラッド401と、クラッド401の上面に、電気配線171(図1参照)につながれた電極端子191が形成され、電極端子191の一部の領域を開口部181とし、開口部181を除く電極端子191の残りの領域と、その周辺のクラッド401及び電気配線171(図1参照)が絶縁膜168で覆われている。
[Second Embodiment]
FIG. 3 shows a connection structure of electrode terminals of a planar optical circuit in the second embodiment of the present invention. A clad 401 in which a core (not shown) is embedded is formed on a
そして、電極端子191の開口部181に、配線基板311の電極321を、粒子径φの導電粒子211を有する導電膜201を介して電気的に接続している。配線基板311の基板301の上面から電極321の上面までの高さはtである。ここで、本実施形態の導電粒子211は、核221と、核221を覆う膜231により構成されており、核221は比較的柔らかい材料、膜231は導電性の良い材料で形成した。
The
本実施形態では、電極端子191の開口部181の幅が、配線基板311の電極321の幅よりも広くなるよう電極端子191を形成し、かつ、絶縁膜168の上面から電極端子191の開口部181の上面までの深さdが、d≦t−φとなるよう電極端子191を形成した。なお、絶縁膜168の上面よりも電極端子191の開口部181の上面の方が低い位置にあるため、深さd>0である。
In the present embodiment, the
さらに、本実施形態では、電極端子191の硬度と配線基板311の電極321の硬度が、導電粒子211の硬度よりも高くなるようにし、加熱・圧着により、電極端子191と配線基板311の電極321で導電粒子211を圧縮する接続構造とした。この時、電極端子191の開口部181の上面と、配線基板311の電極321の上面との間隔が、導電粒子211の粒子径より小さく、電極端子191と配線基板311の電極321で導電粒子211を押しつぶした構造とすることにより、導通をさらに良くした。
Furthermore, in the present embodiment, the hardness of the
先の条件式d≦t−φは次のように導出した。絶縁膜168の上面と配線基板311の基板301上面との距離をgとすると、t+φ=g+dが成立するが、加熱・圧着後は、電極端子191と配線基板311の電極321に挟まれた導電粒子211の粒子径はφより小さくなるため、t+φ>g+dとなる。なお、φは電極端子191と配線基板311の電極321に押しつぶされていない導電粒子211の直径である。
The previous conditional expression d ≦ t−φ was derived as follows. If the distance between the upper surface of the insulating
一方、導電粒子211はφμmから最大で0μmまで圧縮されるので、g+d≧tが成立する。g+d=tとなるのは、導電粒子211が完全に押しつぶされた状態である。ここで、絶縁膜168の上面と配線基板311の基板301上面との間に少なくともφの隙間をあければ、導電粒子211が挟まることがなく、導通が取れる。この時、g≧φであるので、d≦t−φの条件式を得る。
On the other hand, since the
以上、説明したように、電極端子191の開口部181の幅が、配線基板311の電極321の幅よりも広くなるよう電極端子191を形成し、かつ、絶縁膜168上面と配線基板311の基板301上面に充分な隙間を開けることにより、絶縁膜168上面と配線基板311の基板301上面の間に導電粒子211が挟まるのを防ぎ、安定した電気的接続を得た。さらに、電極端子191の開口部181の上面と、配線基板311の電極321の上面との間隔が、導電粒子211の粒子径より小さくなるようにし、導電粒子211を押しつぶした構造とすることにより、導通をさらに良くした。
As described above, the
本実施形態では、配線基板311として、フレキシブル配線板を用い、基板301とカバー341(図1参照)は厚さ25μmのポリイミド薄膜を、電極321は厚さt=9μmの銅箔で形成した。導電膜201として、粒子径φ=5μmの導電粒子211を含む異方性導電膜を用い、導電粒子211は表面を金メッキしたプラスチック粒子を使用した。平面型光回路はシリコン基板上に形成した石英系光導波路で形成し、電気配線171(図1参照)の厚さを3μm、電極端子191の厚さを3μm、電極端子191の開口部181の上面までの深さd=3μmとなるよう、石英系の絶縁膜168を装荷した。
In this embodiment, a flexible wiring board is used as the
なお、第1実施形態では、電極端子191の長手方向の両端を除く領域を開口部181としたのに対し、本実施形態では、電極端子191の長手方向の両端だけでなく短手方向の両端にも僅かに絶縁膜168を被せ、開口部181の幅が電極端子191の幅よりも僅かに狭くなるよう作製した。電極端子191の全周囲を絶縁膜168で覆うことで、電極端子191の剥離を防ぐことができる。
In the first embodiment, the region excluding both ends in the longitudinal direction of the
平面型光回路と配線基板311の間に導電粒子211と熱硬化性接着剤樹脂である接着剤241からなる異方性導電膜である導電膜201を挟み、加熱・圧着することにより、平面型光回路の電極端子191の開口部181と配線基板311の電極321が、異方性導電膜である導電膜201の導電粒子211を介して物理的に、電気的に接続され、接着剤241により固定された。
By sandwiching a
以上、本実施形態では、導電粒子211を、柔らかい材質の粒子核221と、粒子核221を覆う導電性の良いメッキの膜231で形成し、平面型光回路の電極端子191上面と配線基板311の電極321上面の間隔を導電粒子211の粒子径より小さくし、導電粒子211を押し潰すことにより、良好な導通特性を得た。本実施形態では、2種類の異なる材質で導電粒子211を形成したが、もちろん、3種類以上の異なる材料で導電粒子211を形成しても良いし、形状も任意である。
As described above, in the present embodiment, the
このように、本実施形態によれば、絶縁膜168で覆われ、電極端子191が窪んだ平面型光回路であっても、接続不良を起こすことなく、異方性導電膜である導電膜201を介して配線基板311の電極321を低抵抗で、かつ、高い信頼性で接続することができた。
As described above, according to the present embodiment, the
〔第3の実施形態〕
図4に、本発明の第3実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造を示す。平面基板161上に、コア(図示せず)が埋め込まれたクラッド401と、クラッド401の上面に、電気配線171(図1参照)につながれた電極端子191が形成され、電極端子191の一部の領域を開口部181とし、開口部181を除く電極端子191の残りの領域と、その周辺のクラッド401及び電気配線171(図1参照)が絶縁膜168で覆われている。
[Third Embodiment]
FIG. 4 shows a connection structure of electrode terminals of a planar optical circuit in the third embodiment of the present invention. A clad 401 in which a core (not shown) is embedded is formed on a
そして、電極端子191の開口部181に、配線基板311の電極321を、粒子径φの導電粒子211を有する導電膜201を介して電気的に接続している。配線基板311の基板301の上面から電極321の上面までの高さはtである。ここで、本実施形態の導電粒子211は、核221と、核221を覆う膜231により構成されており、核221は導電性の良い材料、膜231は絶縁性の薄膜で形成した。導電粒子211の粒子径はφであり、電極端子191と配線基板311の電極321に押しつぶされていない導電粒子211の直径である。
The
本実施形態では、電極端子191の開口部181の幅が、配線基板311の電極321の幅よりも広くなるよう電極端子191を形成し、かつ、絶縁膜168の上面から電極端子191の開口部181の上面までの深さdが、d≦t−φとなるよう電極端子191を形成した。なお、絶縁膜168の上面よりも電極端子191の開口部181の上面の方が低い位置にあるため、深さd>0である。
In the present embodiment, the
本実施形態では電極端子191の短手方向の両端のかどを僅かに覆うように絶縁膜168を形成しているが、電極端子191を覆う部分の近傍の絶縁膜168が、電極端子191の厚さだけ突出している。この場合、深さdは、電極端子191の厚さだけ突出した部分の絶縁膜168上面から電極端子191の上面までの距離を表す。もし絶縁膜168上面が滑らかでない場合は、導電粒子211をその絶縁膜168上面に置いたと仮定した時の導電粒子211の底の位置を実質的な絶縁膜168上面の位置とすれば良い。
In this embodiment, the insulating
さらに、本実施形態では、電極端子191の硬度と配線基板311の電極321の硬度が、導電粒子211の硬度よりも高くなるようにし、加熱・圧着により、電極端子191と配線基板311の電極321で導電粒子211を圧縮する接続構造とした。本実施形態の導電粒子211は、導電性の粒子が絶縁皮膜で覆われた構造のため、電極端子191の開口部181の上面と、配線基板311の電極321の上面との間隔が、導電粒子211の粒子径より小さくなるようにし、電極端子191と配線基板311の電極321により押し潰された導電粒子211のみが導通する。一方、電極端子191と配線基板311の電極321に押し潰されていない導電粒子211の絶縁性は保持されたままなので、絶縁特性が良いながら、電気的に接続したい部分では良好な導通が得られた。
Furthermore, in the present embodiment, the hardness of the
以上、説明したように、電極端子191の開口部181の幅が、配線基板311の電極321の幅よりも広くなるよう電極端子191を形成し、かつ、0<d≦t−φとなるよう電極端子191を形成したことにより、絶縁膜168上面と配線基板311の基板301上面の間に導電粒子211が挟まるのを防ぎ、電極端子191と配線基板311の電極321で導電粒子211を充分圧縮できた。さらに、電極端子191の開口部181の上面と、配線基板311の電極321の上面との間隔が、導電粒子211の粒子径より小さくなるようにし、導電粒子211を押しつぶした構造とすることにより、絶縁被覆を破り、導通を取った。
As described above, the
本実施形態では、配線基板311として、フレキシブル配線板を用い、基板301とカバー341(図1参照)は厚さ12.5μmのポリイミド薄膜を、電極321は厚さt=9μmの銅箔で形成した。導電膜201として、粒子径φ=6μmの導電粒子を含む異方性導電膜を用い、導電粒子211は表面を絶縁被覆で覆ったニッケル粒子を使用した。
In this embodiment, a flexible wiring board is used as the
平面型光回路はシリコン基板上に形成した石英系光導波路で形成し、電気配線171(図1参照)の厚さを2μm、電極端子191の厚さを2μm、電極端子191の開口部181の上面までの深さd=3μmとなるよう、石英系の絶縁膜168を装荷した。平面型光回路と配線基板311の間に導電粒子211と熱硬化性接着剤樹脂である接着剤241からなる異方性導電膜である導電膜201を挟み、加熱・圧着することにより、平面型光回路の電極端子191と配線基板311の電極321を導通させた。
The planar optical circuit is formed of a silica-based optical waveguide formed on a silicon substrate. The thickness of the electric wiring 171 (see FIG. 1) is 2 μm, the thickness of the
以上、本実施形態では、導電粒子211を、導電性の核221と、核221を覆う絶縁被覆の膜231で形成し、平面型光回路の電極端子191上面と配線基板311の電極321上面の間隔を導電粒子211の粒子径より小さくし、導電粒子211を押し潰すことにより、絶縁性を保ったまま、導通を取りたい端子間で良好な導通特性を得た。
As described above, in this embodiment, the
このように、本実施形態によれば、絶縁膜168で覆われ、電極端子191が窪んだ平面型光回路であっても、接続不良を起こすことなく、異方性導電膜である導電膜201を介して配線基板301の電極321を低抵抗で、かつ、高い信頼性で接続することができた。
As described above, according to the present embodiment, the
〔第4の実施形態〕
図5に、本発明の第4実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造を示す。平面基板161上に、コア(図示せず)が埋め込まれたクラッド401と、クラッド401の上面に、電気配線171(図1参照)につながれた電極端子191が形成され、電極端子191の一部の領域を開口部181とし、開口部181を除く電極端子191の残りの領域と、その周辺のクラッド401及び電気配線171(図1参照)が絶縁膜168で覆われている。そして、電極端子191の開口部181に、配線基板311の電極321を、粒子径φの導電粒子211を含有する導電膜201を介して電気的に接続している。配線基板311の基板301の上面から電極321の上面までの高さはtである。
[Fourth Embodiment]
FIG. 5 shows a connection structure of electrode terminals of a planar optical circuit in the fourth embodiment of the present invention. A clad 401 in which a core (not shown) is embedded is formed on a
本実施形態では、電極端子191の開口部181の幅が、配線基板311の電極321の幅よりも広くなるよう電極端子191を形成し、かつ、絶縁膜168の上面から電極端子191の開口部181の上面までの深さdが、d≦t−φとなるよう電極端子191を形成した。なお、絶縁膜168の上面よりも電極端子191の開口部181の上面の方が低い位置にあるため、深さd>0である。
In the present embodiment, the
さらに、本実施形態では、電極端子191の硬度と配線基板311の電極321の硬度が、導電粒子211の硬度よりも低くなるようにし、加熱・圧着により、電極端子191と配線基板311の電極321で導電粒子211を圧縮する接続構造とした。この時、電極端子191の開口部321の上面と、配線基板311の電極321の上面との間隔が、導電粒子211の粒子径より小さく、導電粒子211が電極端子191と配線基板311の電極321にめり込む構造とすることにより、導通をさらに良くした。
Furthermore, in this embodiment, the hardness of the
先の条件式d≦t−φは次のように導出した。絶縁膜168の上面と配線基板311の基板301上面との距離をgとすると、t+φ=g+dが成立するが、加熱・圧着後は、電極端子191と配線基板311の電極321の間の距離は、導電粒子211の粒子径はφより小さくなるため、t+φ>g+dとなる。
The previous conditional expression d ≦ t−φ was derived as follows. If the distance between the upper surface of the insulating
一方、電極端子191と配線基板311の電極321の間の距離は、最大で0μmであるので、g+d≧tが成立する。g+d=tとなるのは、導電粒子211が電極端子191と配線基板311の電極321の中に完全に埋没した状態である。ここで、絶縁膜168の上面と配線基板311の基板301上面との間に少なくともφの隙間をあければ、導電粒子211が挟まることがなく、導通が取れる。この時、g≧φであるので、d≦t−φの条件式を得る。
On the other hand, since the distance between the
以上、説明したように、電極端子191の開口部181の幅が、配線基板311の電極321の幅よりも広くなるよう電極端子191を形成し、かつ、絶縁膜168上面と配線基板311の基板301上面に充分な隙間を開けることにより、絶縁膜168上面と配線基板311の基板301上面の間に導電粒子211が挟まるのを防ぎ、安定した電気的接続を得た。さらに、電極端子191の開口部181の上面と、配線基板311の電極321の上面との間隔が、導電粒子211の粒子径より小さくなるようにし、導電粒子211を押しつぶした構造とすることにより、導通をさらに良くした。
As described above, the
本実施形態では、配線基板311として、フレキシブル配線板を用い、基板301とカバー341(図1参照)は厚さ25μmのポリイミド薄膜を、電極321は厚さt=18μmの銅箔で形成した。導電膜201として、粒子径φ=10μmの導電粒子211を含む異方性導電膜を用い、導電粒子211は金メッキニッケル粒子を使用した。
In this embodiment, a flexible wiring board is used as the
平面型光回路はシリコン基板上に形成した石英系光導波路で形成し、電気配線171(図1参照)の厚さを5μm、電極端子191の厚さを5μm、電極端子191の開口部181の上面までの深さd=5μmとなるよう、石英系の絶縁膜168を装荷した。平面型光回路と配線基板311の間に導電粒子211と熱硬化性接着剤樹脂である接着剤241からなる異方性導電膜である導電膜201を挟み、加熱・圧着することにより、平面型光回路の電極端子191と配線基板311の電極321を導通させた。
The planar optical circuit is formed by a silica-based optical waveguide formed on a silicon substrate. The thickness of the electric wiring 171 (see FIG. 1) is 5 μm, the thickness of the
以上、本実施形態では、平面型光回路の電極端子191上面と配線基板311の電極321上面の間隔を導電粒子211の粒子径より小さくし、導電粒子211を電極端子191と配線基板311の電極321にめり込ませることにより、良好な導通特性を得た。
As described above, in the present embodiment, the distance between the upper surface of the
このように、本実施形態によれば、絶縁膜168で覆われ、電極端子191が窪んだ平面型光回路であっても、接続不良を起こすことなく、異方性導電膜である導電膜201を介して配線基板311の電極321を低抵抗で、かつ、高い信頼性で接続することができた。
As described above, according to the present embodiment, the
〔第5の実施形態〕
図6に、本発明の第5実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造を示す。平面基板161上に、コア(図示せず)が埋め込まれたクラッド401と、クラッド401の上面に、電気配線171(図1参照)につながれた電極端子191が形成され、電極端子191の一部の領域を開口部181とし、開口部181を除く電極端子191の残りの領域と、その周辺のクラッド401及び電気配線171(図1参照)が絶縁膜168で覆われている。そして、電極端子191の開口部181に、配線基板311の電極321を、粒子径φの導電粒子211を含有する導電膜201を介して電気的に接続している。配線基板311の基板301の上面から電極321の上面までの高さはtである。
[Fifth Embodiment]
FIG. 6 shows a connection structure of electrode terminals of a planar optical circuit in the fifth embodiment of the present invention. A clad 401 in which a core (not shown) is embedded is formed on a
本実施形態では、絶縁膜168の上面から電極端子191の開口部181の上面までの深さdが、d≦t−φとなるよう電極端子191を形成した。なお、絶縁膜168の上面よりも電極端子の開口部の上面の方が低い位置にあるため、深さd>0である。さらに、配線基板311の電極321の幅をL、電極端子191の開口部181の開口幅をwとしたとき、w≧L+2φとなるよう電極端子191を形成した。
In this embodiment, the
電極端子191の開口幅wがL+2φの時、配線基板311の電極321の中心と電極端子191の開口部181の中心が一致するよう位置を合わせると、配線基板311の電極321の両端で、配線基板311の突出した電極321端部と開口部181の窪んだ電極端子191端部の間にφずつの隙間ができる。
When the opening width w of the
もちろん、第1実施形態で説明したように、電極端子191の開口幅が配線基板311の電極321の幅よりも広く(すなわちw>Lとなるよう)設定すれば良いが、w≧L+2φにし、導通に寄与しない余分な導電粒子211をこの隙間に回避させることで、配線基板311の突出した電極321端部と平面型光回路の窪んだ電極端子191端部の間に導電粒子211が挟まるのを防ぎ、接触不良の抑制をさらに確実なものとすることができる。
Of course, as described in the first embodiment, the opening width of the
本実施形態では、配線基板311として、フレキシブル配線板を用い、基板301とカバー341(図1参照)は厚さ25μmのポリイミド薄膜を、電極321は厚さt=35μmの銅箔で形成した。導電膜201として、粒子径φ=3μmの導電粒子211を含む異方性導電膜を用い、導電粒子211はニッケル粒子を使用した。
In this embodiment, a flexible wiring board is used as the
平面型光回路はシリコン基板上に形成した石英系光導波路で形成し、電気配線171(図1参照)の厚さを1μm、電極端子191の厚さを1μm、電極端子191の開口部181の上面までの深さd=2μmとなるよう、石英系の絶縁膜168を装荷した。配線基板311の電極321の幅Lは50μm、電極端子191の開口幅wは60μmに設定した。
The planar optical circuit is formed of a silica-based optical waveguide formed on a silicon substrate. The thickness of the electric wiring 171 (see FIG. 1) is 1 μm, the thickness of the
以上、本実施形態では、電極端子191の開口幅wがw≧L+2φを満たすよう、電極端子191を形成することにより、配線基板311の突出した電極321端部と平面型光回路の窪んだ電極端子191端部の間に導電粒子211が挟まるのを回避し、接触不良を抑えた。
As described above, in the present embodiment, by forming the
このように、本実施形態によれば、絶縁膜168で覆われ、電極端子191が窪んだ平面型光回路であっても、接続不良を起こすことなく、異方性導電膜である導電膜201を介して配線基板311の電極321を低抵抗で、かつ、高い信頼性で接続することができた。
As described above, according to the present embodiment, the
〔第6の実施形態〕
図7に、本発明の第6実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造を示す。平面基板161上に、コア(図示せず)が埋め込まれたクラッド401と、クラッド401の上面に、電気配線171(図1参照)につながれた複数の電極端子191,192が形成され、電極端子191,192の一部の領域を開口部181,182とし、開口部181,182を除く電極端子191,192の残りの領域と、その周辺のクラッド401及び電気配線171(図1参照)が絶縁膜168で覆われている。
[Sixth Embodiment]
FIG. 7 shows a connection structure of electrode terminals of a planar optical circuit in the sixth embodiment of the present invention. A clad 401 in which a core (not shown) is embedded on a
そして、電極端子191,192の開口部181,182に、配線基板311の電極321,322を、粒子径φの導電粒子211を有する導電膜201を介して電気的に接続している。配線基板311の基板301の上面から電極321,322の上面までの高さはtである。ここで、本実施形態の導電粒子211は、核221と、核221を覆う膜231により構成されており、核221は比較的柔らかい材料、膜231は導電性の良い材料で形成した。
The
本実施形態では、配線基板311として、フレキシブル配線板を用い、基板301とカバー341(図1参照)は厚さ25μmのポリイミド薄膜を、電極321,322は厚さt=12μmの銅箔で形成した。電極321,322の間隔Dは500μmとし、電極321,322の幅Lは共に90μmに設定した。導電膜201として、粒子径φ=6μmの導電粒子211を含む異方性導電膜を用い、導電粒子211は表面をニッケルで金メッキしたプラスチック粒子を使用した。
In this embodiment, a flexible wiring board is used as the
平面型光回路はシリコン基板上に形成した石英系光導波路で形成し、電気配線311の厚さを1μm、電極端子191,192の厚さを2μm、電極端子191,192の開口部181,182の上面までの深さd=4μmとなるよう、石英系の絶縁膜168を装荷した。電極端子191,192の間隔Dは500μmとし、開口幅wは共に100μmに設定した。
The planar optical circuit is formed by a silica-based optical waveguide formed on a silicon substrate, the
平面型光回路と配線基板311の間に導電粒子211と熱硬化性接着剤樹脂である接着剤241からなる導電膜201である異方性導電膜を挟み、加熱・圧着することにより、平面型光回路の電極端子191,192の開口部181,182と配線基板311の電極321,322が、異方性導電膜の導電粒子211を介して物理的に、電気的に接続され、接着剤241により固定された。
By sandwiching an anisotropic conductive film, which is a
以上、本実施形態では、電極端子191,192の開口幅を配線基板311の電極321,322の幅よりも広く、かつ、絶縁膜168の上面から電極端子191,192の開口部181の上面までの深さdが0<d≦t−φを満たすよう形成したことにより、所定の間隔Dを隔てて配置した複数の電極端子191,192に、導電粒子211を介して、配線基板311の電極321、322を高信頼で接続することができた。
As described above, in the present embodiment, the opening width of the
このように、本実施形態によれば、絶縁膜168で覆われ、電極端子191,192が窪んだ平面型光回路であっても、接続不良を起こすことなく、異方性導電膜である導電膜201を介して配線基板311の電極321,322を低抵抗で、かつ、高い信頼性で接続することができた。
As described above, according to the present embodiment, even in a planar optical circuit covered with the insulating
〔第7の実施形態〕
図8に、本発明の第7実施形態における平面型光回路の電極端子の接続構造を示す。平面基板161上に、コア(図示せず)が埋め込まれたクラッド401と、クラッド401の上面に、電気配線171(図1参照)につながれた第1〜第3(N=3)の電極端子191〜193が形成され、第1〜第3の電極端子191〜193の一部の領域を開口部181〜183とし、開口部181〜183を除く第1〜第3の電極端子191〜193の残りの領域と、その周辺のクラッド401及び電気配線171(図1参照)が絶縁膜168で覆われている。
[Seventh Embodiment]
FIG. 8 shows the electrode terminal connection structure of the planar optical circuit in the seventh embodiment of the present invention. A clad 401 having a core (not shown) embedded on a
そして、第1〜第3の電極端子191〜193の開口部181〜183に、配線基板311の第1〜第3の電極321〜323を、粒子径φの導電粒子211を有する導電膜201を介して電気的に接続している。配線基板311の基板301の上面から第1〜第3の電極321〜323の上面までの高さはtである。
Then, the first to
配線基板311の電極321〜323は、第1の電極321から第N(ここではN=3とする)の電極323まで所定の間隔を隔ててN個配置されている。本実施形態では、第1の電極321から第Nの電極323までを、一定間隔L+Sを隔てて配置した。ここで、Lは電極321〜323の幅、Sは電極321〜323間の隙間の幅で、L=Sに設定される場合が多いが、第6実施形態のように、LとSをそれぞれ異なる値にしても良い。また、本実施形態では、電極321と電極322の間隔と、電極322と電極323の間隔が等しい場合を示すが、異なっていても良い。
平面型光回路に対し、ポリイミドをベースとする配線基板311は、温度変化により比較的膨張・収縮しやすいため、電極321〜323の位置が変化し、電極端子191〜193との位置ずれが生じやすい。そこで、配線基板311の電極321〜323のピッチ(二つの電極の中心間の距離)のずれ量に合わせ、平面型光回路の電極端子191〜193の位置を予めずらしておくことも考えられる。
In contrast to a planar optical circuit, a polyimide-based
しかし、配線基板311の電極321〜323のピッチの変化量は、外部温度に依存し、必ずしも毎回同じずれ量が再現するとは限らない。そこで、本実施形態では、平面型光回路の電極端子191〜193のピッチは、配線基板311の電極321〜323を平面型光回路の電極端子191〜193に接続する前の、配線基板311の初期の電極321〜323のピッチと等しく設定するが、配線基板311の熱膨張・収縮による電極321〜323の位置ずれを補償するため、電極端子191〜193の開口幅を、電極端子191〜193ごとに変化させている。
However, the amount of change in the pitch of the
より詳しく説明すると、配線基板311の第n(1≦n≦N)の電極321〜323に接続される平面型光回路の第nの電極端子191〜193の開口幅をw(n)とした時、平面型光回路の第1の電極端子191の中心位置と第2の電極端子192の中心位置の間隔が、配線基板311の第1の電極321の中心位置と第2の電極322の中心位置の間隔と同じL+Sであり、かつ、第1の電極端子191の幅w(1)が、第2の電極端子192の幅w(2)よりも広くなるよう電極端子191,192を形成する。
More specifically, the opening width of the n-
そして、配線基板311の電極321〜323を電極端子191〜193に圧着接続する際の熱膨張により、配線基板311の電極321,323がδxだけ外側にずれたとしても、熱膨張を補償するよう、第1の電極端子191の幅w(1)を広くしてあるので、接続不良は生じない。熱収縮が起きる場合はδxだけ内側にずれるが、電極端子191の中心位置に対し、両側均等にw(1)の幅を持たせているので、熱膨張が生じる場合と熱収縮が生じる場合、共に対応できる。
Then, even if the
本実施形態では、配線基板311として、フレキシブル配線板を用い、基板301とカバー341(図1参照)は厚さ25μmのポリイミド薄膜を、電極321〜323は厚さt=18μmの銅箔で形成した。LとSは125μmに設定し、L+S=250μmとした。導電膜201として、粒子径φ=3μmの導電粒子211を含む異方性導電膜を用い、導電粒子211としてはニッケル粒子を使用した。
In this embodiment, a flexible wiring board is used as the
平面型光回路はシリコン基板上に形成した石英系光導波路で形成し、電気配線171(図1参照)の厚さを2μm、電極端子191〜193の厚さを2μm、電極端子191〜193の開口部181〜183の上面までの深さd=3μmとなるよう、石英系の絶縁膜168を装荷した。第1〜第3の電極端子191〜193の開口幅w(n)はそれぞれ、w(1)=140μm、w(2)=130μm、w(3)=140μmに設定した。
The planar optical circuit is formed by a silica-based optical waveguide formed on a silicon substrate. The thickness of the electric wiring 171 (see FIG. 1) is 2 μm, the thickness of the
配線基板311の電極321〜323を電極端子191〜193に圧着する前は、配線基板311の電極321〜323は一定のピッチL+Sであったが、加熱・圧着を行う過程で配線基板311が膨張し、第2の電極322に対し、第1の電極321と第3の電極323の中心位置がそれぞれ外側にδx=5μmずれ、接着剤241により固定された。しかし、本実施形態の電極構造を用いることにより、熱膨張後でも配線基板311の電極321〜323は電極端子191〜193の開口部181〜183内に位置したため、接続不良は生じなかった。
Before the
このように、本実施形態によれば、所定の間隔を隔てて複数配置された電極端子191〜193であっても、平面型光回路の電極端子191〜193を配置する間隔を変えることなく、配線基板311の膨張・収縮による電極321〜323の位置ずれを補償でき、接触不良を抑えながら良好な光学特性を得た。
As described above, according to the present embodiment, even if the
〔第8の実施形態〕
図9に、本発明の第8実施形態における平面型光回路の電極端子を示す。この電極端子191〜198は、第1から第N(Nは3以上の整数)まで一定間隔L+Sを隔てて電極(図示せず)が複数配置された配線基板(図示せず)と接続するよう設計してある。ここで、Lは配線基板の電極の幅、Sは電極間の隙間の幅であり、N=8とする。
[Eighth Embodiment]
FIG. 9 shows electrode terminals of a planar optical circuit in the eighth embodiment of the present invention. The
平面基板(図示せず)上に、コア(図示せず)が埋め込まれたクラッド401と、クラッド401の上面に、圧着接続する前の初期の配線基板の電極と同じL+Sのピッチを隔てて第1〜第8の電気配線171〜178が形成され、これら第1〜第8の電気配線171〜178につながれた第1〜第8の電極端子191〜198が形成されている。
A clad 401 in which a core (not shown) is embedded on a flat substrate (not shown), and an upper surface of the clad 401 are spaced apart by the same L + S pitch as the electrodes of the initial wiring board before the crimp connection. First to eighth
図9に示すように、電極端子191〜198の中心位置は、それぞれ、電気配線171〜178の中心位置と一致している。第1〜第8の電極端子191〜198の全部の領域を開口部181〜188とし、開口部181〜188を除く領域、すなわちクラッド401及び電気配線171〜178の上面が絶縁膜168で覆われている。
As shown in FIG. 9, the center positions of the
第n(1≦n≦N)の電極端子191〜198の開口幅をw(n)とした時、第1から第8(N=8)の電極端子191〜198のうち、最も真ん中に近い第mの電極端子184,185の開口幅w(m)がw(n)の中で最小であり、w(m)≧L+2φを満たすよう形成した。
When the opening width of the n-th (1 ≦ n ≦ N)
なお、本実施形態では、電極端子191〜198の数が偶数であり、左右が鏡像対称になるよう作製したため、最も真ん中に近いのは第4、もしくは第5の電極端子184,185である(m=4、もしくは5)。そして、第4(m=4)の電極端子194から第1の電極端子191に向かうにつれ電極端子191〜194の開口幅が次第に広くなり、第5(m=5)の電極端子195から第8(N=8)の電極端子198に向かうにつれ電極端子195〜198の開口幅が次第に広くなるよう電極端子191〜198を形成した。
In the present embodiment, the number of
本実施形態では、配線基板として、ポリイミドをベースとするフレキシブル配線板を用い、LとSは75μmに設定し、L+S=150μmとした。導電膜(図示せず)として、粒子径φ=2μmのニッケル導電粒子を含む異方性導電膜を用いた。電気配線171〜178の幅は50μm、第1〜第8の電極端子191〜198の長手方向の長さは1mm、開口幅w(n)はそれぞれ、w(m)=w(4)=w(5)=80μm、w(3)=w(6)=85μm、w(2)=w(7)=90μm、w(1)=w(8)=95μmに設定した。
In this embodiment, a flexible wiring board based on polyimide is used as the wiring board, L and S are set to 75 μm, and L + S = 150 μm. As the conductive film (not shown), an anisotropic conductive film containing nickel conductive particles having a particle diameter φ = 2 μm was used. The
そして、配線基板の最も真ん中に近い、第m(=4、5)の電極の中心位置を、平面型光回路の第m(=4、5)の電極端子194,195の中心位置に合わせて圧着した。圧着後、配線基板の第m(=4、5)の電極の中心位置は、平面型光回路の第m(=4、5)の電極端子194,195の中心位置と一致していた。
Then, the center position of the mth (= 4, 5) electrode closest to the center of the wiring board is matched with the center position of the mth (= 4, 5)
一方、圧着時の配線基板の熱膨張により、第4から第1に、そして、第5から第8の電極に向かうにつれ、電極の中心位置は電極端子191〜198の中心位置より外側にずれた位置でそれぞれ接続されていたが、全電極とも電極端子191〜198の開口部181〜188の領域内に収まっていた。
On the other hand, due to the thermal expansion of the wiring board during crimping, the center position of the electrode is shifted outward from the center position of the
このように、一定間隔を隔てて形成された複数の電極端子191〜198に配線基板の電極を接続する場合、電極端子191〜198のピッチを変えることなく、真ん中から端に向かうにつれ、開口幅が次第に広くなるよう電極端子191〜198を形成するだけで、接続時に配線基板の電極位置が左右にずれても配線基板の電極は電極端子191〜198の開口幅の範囲内に位置するので、良好な電気的接続が得られる。
Thus, when connecting the electrodes of the wiring board to the plurality of
また、光回路素子を一定のピッチで並べた多連の光回路に本発明を適用する場合でも、電極端子191〜198のピッチを一定にでき、光回路素子を配置する間隔を変える必要が無いので、光導波路や電気配線171〜178の密度が均一になり、良好な光学特性が得られる。
Even when the present invention is applied to a multiple optical circuit in which optical circuit elements are arranged at a constant pitch, the pitch of the
さらに、第1〜第Nの電極端子191〜198の中で、開口幅が最も狭い第mの電極端子194,195の開口幅が少なくともL+2φ以上になるようにすれば、第4の実施形態でも説明したように、配線基板の突出した電極端と平面型光回路の窪んだ電極端子191〜198の端部の間に導電粒子211(図1参照)が挟まるのを回避でき、接触不良を抑えた。
Furthermore, if the opening width of the m-
このように、本実施形態によれば、所定の間隔を隔てて複数配置された電極端子191〜198であっても、平面型光回路の電極端子191〜198を配置する間隔を変えることなく、配線基板の膨張・収縮による電極の位置ずれを補償でき、接触不良を抑えながら良好な光学特性を得た。
Thus, according to this embodiment, even if it is a plurality of
〔第9の実施形態〕
図10に、本発明の第9実施形態における平面型光回路の電極端子を示す。第8の実施形態では、一定の間隔L+Sを隔てて配置された第1〜第8の電極端子191〜198の幅を、電極端子191〜198ごとに変化させたが、本実施形態では、電極端子191〜198の幅は一定にし、開口幅のみを変化させた。
[Ninth Embodiment]
FIG. 10 shows electrode terminals of a planar optical circuit according to the ninth embodiment of the present invention. In the eighth embodiment, the widths of the first to
具体的には、LとSは75μmに設定し、L+S=150μmとした。導電膜(図示せず)として、粒子径φ=3μmのニッケル導電粒子を含む異方性導電膜を用いた。電気配線171〜178の幅は100μm、第1〜第8の電極端子191〜198の幅も100μmに設定し、開口幅w(n)をそれぞれ、w(m)=w(4)=w(5)=82μm、w(3)=w(6)=86μm、w(2)=w(7)=92μm、w(1)=w(8)=100μmに設定した。
Specifically, L and S were set to 75 μm, and L + S = 150 μm. As the conductive film (not shown), an anisotropic conductive film containing nickel conductive particles having a particle diameter φ = 3 μm was used. The width of the
なお、本実施形態では、遠くの電極(図示せず)ほど位置ずれ量が大きくなることを考慮して、w(n)を設定した。例えば、第4の電極端子194に対し第3の電極端子193の開口幅をw(3)−w(4)=4μm広くしているのに対し、第3の電極端子193に対し第2の電極端子192の開口幅はw(2)−w(3)=6μm、第2の電極端子192に対し第1の電極端子191の開口幅はw(1)−w(2)=8μm広くしている。このように、電極端子191〜198の開口幅は、予想される電極の位置ずれ量に応じて設定すれば良い。
In the present embodiment, w (n) is set in consideration of the fact that the amount of positional deviation increases as the distance of the electrode (not shown) increases. For example, the opening width of the
もちろん、第8の実施形態で説明したように、電極端子191〜198の全領域を開口部181〜188としても良いが、本実施形態のように、電極端子191〜198の必要最小限の領域だけを開口部181〜188とすることにより、絶縁膜168で覆った部分は特に高い信頼性が得られることや、突出した絶縁膜168と窪んだ配線基板の電極間の隙間がかみ合うことにより接着力が強化できることや、あるいは、隣接する電極端子191〜198間でショートが生じる確率を減らせることなど、多くの利点が得られる。
Of course, as described in the eighth embodiment, the entire region of the
このように、本実施形態によれば、所定の間隔を隔てて複数配置された電極端子191〜198であっても、平面型光回路の電極端子191〜198を配置する間隔を変えることなく、配線基板の膨張・収縮による電極の位置ずれを補償でき、接触不良を抑えながら良好な光学特性を得た。
Thus, according to this embodiment, even if it is a plurality of
〔第10の実施形態〕
図11に、本発明の第10実施形態における平面型光回路の電極端子を示す。この電極端子191〜195は、第1から第5(N=5)まで所定の間隔を隔てて複数配置されている。また、配線基板311の電極321〜325の幅をL、電極321〜325間の隙間の幅をSとしたとき、配線基板311の電極321〜325が、第1の電極321から第5(N=5)の電極325まで一定間隔L+Sを隔てて複数配置されている。
[Tenth embodiment]
FIG. 11 shows electrode terminals of the planar optical circuit in the tenth embodiment of the present invention. A plurality of
平面基板401と配線基板311のうち、いずれか一方に反りがあれば、電極端子191〜195と電極321〜325との間に位置ずれが生じる。例えば、図11では、配線基板311は平坦であるが、平面基板401は曲率Rの反りが生じている様子が示されている。
If either one of the
そこで、本実施形態では、平面基板401の反りに応じて、電極端子191〜195のピッチを設定した。第1の電極端子191から第5(N=5)の電極端子195のうち、最も真ん中に近い第3の電極端子193を第mの電極端子とし、第mの電極端子の中心位置を基準位置とすると、第n(1≦n≦N)の電極端子の中心位置は、基準位置に対し、(L+S)・(n−m)の位置にあるのが望ましい。
Therefore, in the present embodiment, the pitch of the
しかし、平面基板401の反りにより、それぞれの電極端子191〜195の中心位置は、当初の設定より基準位置に近い方向にずれる。このずれを補償するには、R・sinθ=(L+S)・(n−m)と、x(n)=R・θの関係より、第nの電極端子の中心位置を、基準位置に対し、x(n)=R・arcsin((L+S)・(n−m)/R)の位置に配置すれば良い。
However, due to the warp of the
本実施形態では、シリコン基板で平面型光回路を作製し、平面型光回路の反りは50mm、配線基板311には反りが無く、LとSはそれぞれ0.5mmに設定し、L+S=1mmとした。第3(m=3)の電極端子193の中心位置を基準として、第1〜第5(N=5)の電極端子191〜195の中心位置を、それぞれ、x(1)=−(2mm+0.534μm)、x(2)=−(1mm十0.067μm)、x(3)=0mm、x(4)=1mm十0.067μm、x(5)=2mm十0.534μmに設定した。
In the present embodiment, a planar optical circuit is fabricated with a silicon substrate, the planar optical circuit has a warp of 50 mm, the
これらx(n)の第1項は、平面基板401の反りが無い場合の中心位置、すなわち、(L+S)・(n−m)であり、第2項が平面基板401の反りに対応した補正量である。このように、基準位置から離れるほど、補正量は大きくなる。本実施形態では、電極端子191〜195の中心位置を補正しているが、それに加えて、第7実施形態で説明したような、配線基板311の熱膨張・熱収縮に対応した電極端子191〜195の開口部181〜185を用いた。
The first term of x (n) is the center position when there is no warp of the
以上、本実施形態では、平面基板401の真ん中が突出した反りが生じる場合を説明したが、反対に、平面基板401の真ん中が窪んだ反りが生じる場合にも、同様の補正を行えばよい。
As described above, in the present embodiment, the case where the warp in which the center of the
このように、本実施形態によれば、平面基板401に反りがある場合でも、電極端子191〜195の中心位置を補正することにより、配線基板311の電極321〜325と接続できた。
As described above, according to the present embodiment, even when the
〔その他の実施形態〕
以上のような平面型光回路の電極端子の接続構造において、実際の光回路に適用する場合を説明する。
図12(a)は平面基板上に形成された導波路型光スイッチ・アッテネータの構成図である。本回路は、入力導波路101、102と、2個の3dB光カプラ111、121と、2個の光カプラを結ぶ光遅延導波路131、132と、出力導波路103、104とからなるマッハツェンダ干渉計の構成を有し、一方の光遅延導波路132の一部に、屈折率調整手段141を備えている。
[Other Embodiments]
In the above-described electrode terminal connection structure of a planar optical circuit, a case where it is applied to an actual optical circuit will be described.
FIG. 12A is a configuration diagram of a waveguide type optical switch attenuator formed on a flat substrate. This circuit includes Mach-Zehnder interference including
屈折率調整手段141としては薄膜ヒータを用い、熱光学効果を利用することにより、二本の光遅延導波路131、132の光路長差を0〜半波長の間で変化させることにより、出力光強度を調整した。薄膜ヒータに給電するため、光ファイバが接続される入力端面と出力端面とは異なる基板端面に電極端子191と192を形成し、薄膜ヒータの一方の端と電極端子191を電気配線171で接続し、薄膜ヒータの他方の端と電極端子192を電気配線172で接続した。
By using a thin film heater as the refractive index adjusting means 141 and utilizing the thermo-optic effect, the optical path length difference between the two
電極端子191、192の一部の領域を開口部181、182とし、開口部181、182を除く平面型光回路の上面を絶縁膜168で覆った。さらに、薄膜ヒータの近傍に、消費電力を低減し、偏波依存性を低減するため、断熱溝151、152を形成した。図12(b)に(a)のB−B´における断面図を示し、図12(c)に(a)のC−C´における断面図を示す。
Partial regions of the
図12では、平面基板161上に導波路型光スイッチ・アッテネータが一つだけ形成されているが、複数の導波路型光スイッチ・アッテネ一夕を並べ、図9や図10に示したように、基板端面付近に、所定の間隔を隔てて複数の電極端子191,192を形成し、給電しても良い。あるいは、次に示すように、電極端子191,192を平面基板161上に形成しても良いし、電極端子191,192は1列でなく、2列以上に並べても良い。
In FIG. 12, only one waveguide type optical switch / attenuator is formed on the
図13の平面型回路には、一定間隔500μmを隔てて、導波路型光スイッチ・アッテネータ431〜433が多連に並べられている。そして、導波路型光スイッチ・アッテネータ431〜433の光遅延導波路に形成された屈折率調整手段に給電するため、平面基板161(図12参照)上に、光軸方向に対して平行に電極端子191〜196を2列に並べた。
In the planar circuit of FIG. 13, waveguide type optical switch /
電極端子191〜196の幅は150μm、電極端子191〜196の開口幅は100μm、電極端子191〜196のピッチは500μmとした。このような多連の光回路の場合、電極端子191〜196を基板端面ではなく、平面基板161(図12参照)上に形成すると、平面型光回路を小型にすることができる。
The
上記で述べた平面型光回路は図14に示すように作製した。すなわち、平面基板161上に火炎堆積法でSiO2を主体にした下部クラッドガラススート162、SiO2にGeO2を添加したコアガラススート163を堆積した(図14の(a))。その後、1000℃以上の高温でガラス透明化を行った。この時に、下部クラッドガラス層164、コアガラス165は設計した厚さとなるように、ガラスの堆積を行った(図14の(b))。
The planar optical circuit described above was fabricated as shown in FIG. That is, the lower
引き続き、フォトリソグラフィ技術を用いてコアガラス165上にエッチングマスク166を形成し(図14の(c))、反応性イオンエッチングによってコアガラス165のパターン化を行った(図14の(d))。エッチングマスク166を除去した後、上部クラッドガラス167を再度火炎堆積法で形成した。上部クラッドガラス167にはB2O3やP2O5などのドーパントを添加してガラス転移温度を下げ、それぞれのコアガラス165とコアガラス165の狭い隙間にも上部クラッドガラス167が入り込むようにした(図14の(e))。
Subsequently, an
続いて、上部クラッド167の上面にAuの電気配線(図示せず)と電極端子191、及び窒化タンタルの薄膜ヒータを形成し(図14の(f))、電極端子191の開口部を除く領域を石英の絶縁膜168で覆った(図14の(g))。電気配線と電極端子191はAuで、薄膜ヒータは窒化タンタルで形成したが、その他の材料を用いても良い。また、窒化タンタル上にAuを形成するなど、2種類以上の材料を用いて電気配線や電極端子191を作製しても良い。電気配線層を作製した後、薄膜ヒータ近傍に断熱溝(図示せず)を形成した。
Subsequently, an electric wiring (not shown) of Au, an
以上述べた本発明の各実施形態では、主にシリコン基板上の石英系ガラス導波路を用いた例を示したが、その導波路材料がポリイミド、シリコン、半導体、LiNbO3などであってもよい。また、例えばその製造方法が、スピンコート法、ゾルゲル法、スパッタ法、CVD法、イオン拡散法、イオンビーム直接描画法などであっても本発明は適用可能である。 In each of the embodiments of the present invention described above, an example using a silica-based glass waveguide mainly on a silicon substrate has been shown, but the waveguide material may be polyimide, silicon, semiconductor, LiNbO 3 or the like. . For example, the present invention can be applied even if the manufacturing method is a spin coating method, a sol-gel method, a sputtering method, a CVD method, an ion diffusion method, an ion beam direct drawing method, or the like.
また、基板もシリコンに限定するものではなく、石英などその他の材料を用いても良い。
また、屈折率調整手段として、薄膜ヒータを用いた熱光学効果を利用したが、電気光学効果、磁気光学効果など、その他の手段を用いても良い。
Further, the substrate is not limited to silicon, and other materials such as quartz may be used.
Further, although the thermo-optic effect using a thin film heater is used as the refractive index adjusting means, other means such as an electro-optic effect and a magneto-optic effect may be used.
本発明は、例えば電気配線を備えた平面型光回路の小型化、高密度集積化を可能とする平面型光回路における電極端子の接続構造に適用することが可能である。 The present invention can be applied, for example, to a connection structure of electrode terminals in a planar optical circuit that enables downsizing and high-density integration of a planar optical circuit including electrical wiring.
101,102 入力導波路
103,104 出力導波路
111 光カプラ
121 光カプラ
131,132 光遅延導波路
141 ヒータ
151,152 溝
161 平面基板
162 下部クラッドガラススート
163 コアガラススート
164 下部クラッドガラス
165 コアガラス
166 エッチングマスク
167 上部クラッドガラス
168 絶縁膜
171〜178 電気配線
181〜188 電極端子の開口部
191〜198 電極端子
201 導電膜
211 導電粒子
221 導電粒子の核
231 導電粒子の膜
241 接着剤
301 基板
311 配線基板
321〜325 電極
331 配線
341 カバー
401 クラッド
431〜433 光スイッチ・可変光減衰器
901,902 入力導波路
903,904 出力導波路
911 光カプラ
921 光カプラ
931,932 光遅延導波路
941 屈折率調整手段
951 平面型光回路
952 電気配線基板
953 電極
954 配線
955 ボンディングワイヤ
956 パッケージ
957 光ファイバアレイ
958 電気コネクタ
959 電極端子
961 基板
962 配線基板
963 電極
964 配線
965 カバー
966 異方性導電膜
967 導電粒子
968 接着剤
971 液晶回路基板
972 電極端子
101, 102
Claims (9)
前記平面型光回路の電極端子の開口部に、基板上に形成された配線と、該配線につながる電極とから成る配線基板であって、前記基板の上面から前記電極の上面までの高さがtである配線基板の電極が、粒子径φの導電粒子を有する導電膜を介して電気的に接続され、
前記電極端子の開口幅が前記配線基板の電極の幅よりも広く、かつ、前記絶縁膜の上面から前記電極端子の開口部の上面までの深さdが、0<d≦t−φとなるよう電極端子が形成されている
ことを特徴とする平面型光回路における電極端子の接続構造。 A planar optical circuit comprising a clad formed on a flat substrate and a core formed in the clad and having a refractive index higher than that of the clad, comprising: an electric wiring on the upper surface of the clad; and the electric wiring In the planar optical circuit in which the electrode terminal connected to the electrode terminal is formed, the entire or part of the electrode terminal is an opening, and the region excluding the opening of the electrode terminal is covered with an insulating film.
A wiring board comprising wiring formed on a substrate in an opening of an electrode terminal of the planar optical circuit and an electrode connected to the wiring, the height from the upper surface of the substrate to the upper surface of the electrode The electrode of the wiring board which is t is electrically connected through a conductive film having conductive particles having a particle diameter φ,
The opening width of the electrode terminal is wider than the width of the electrode of the wiring board, and the depth d from the upper surface of the insulating film to the upper surface of the opening portion of the electrode terminal satisfies 0 < d ≦ t−φ. An electrode terminal connection structure in a planar optical circuit, wherein an electrode terminal is formed.
前記平面型光回路の電極端子の開口幅をw、前記配線基板の電極の幅をLとした時、w≧L+2φとなるよう電極端子が形成されている
ことを特徴とする平面型光回路における電極端子の接続構造。 In the connection structure of the electrode terminal in the planar optical circuit according to claim 1,
In the planar optical circuit, the electrode terminal is formed so that w ≧ L + 2φ, where w is the opening width of the electrode terminal of the planar optical circuit and L is the width of the electrode of the wiring board. Electrode terminal connection structure.
前記平面型光回路の電極端子の硬度及び前記配線基板の電極の硬度が前記導電粒子の硬度よりも高く、かつ、前記電極端子の開口部の上面と、前記配線基板の電極の上面との間隔が、前記導電粒子の粒子径より小さい
ことを特徴とする平面型光回路における電極端子の接続構造。 In the electrode terminal connection structure in the planar optical circuit according to claim 1 or 2,
The hardness of the electrode terminal of the planar optical circuit and the hardness of the electrode of the wiring board are higher than the hardness of the conductive particles, and the distance between the upper surface of the opening of the electrode terminal and the upper surface of the electrode of the wiring board Is smaller than the particle diameter of the conductive particles, the electrode terminal connection structure in the planar optical circuit.
前記平面型光回路の電極端子の硬度又は前記配線基板の電極の硬度が、前記導電粒子の硬度よりも低く、かつ、前記電極端子の開口部の上面と、前記配線基板の電極の上面との間隔が、前記導電粒子の粒子径より小さい
ことを特徴とする平面型光回路における電極端子の接続構造。 In the electrode terminal connection structure in the planar optical circuit according to claim 1 or 2,
The hardness of the electrode terminal of the planar optical circuit or the hardness of the electrode of the wiring board is lower than the hardness of the conductive particles, and the upper surface of the opening of the electrode terminal and the upper surface of the electrode of the wiring board An electrode terminal connection structure in a planar optical circuit, wherein the interval is smaller than the particle diameter of the conductive particles.
前記平面型光回路の電極端子が所定の間隔を隔てて複数形成された
ことを特徴とする平面型光回路における電極端子の接続構造。 In the connection structure of the electrode terminal in the planar optical circuit in any one of Claims 1 thru | or 4,
An electrode terminal connection structure in a planar optical circuit, wherein a plurality of electrode terminals of the planar optical circuit are formed at a predetermined interval.
前記配線基板の電極と、前記平面型光回路の電極端子とが、第1から第N(Nは3以上の整数)まで所定の間隔を隔てて複数配置され、
前記配線基板の第n(1≦n≦N)の電極に接続される前記平面型光回路の第nの電極端子の開口幅をw(n)とした時、前記平面型光回路の第m(1≦m≦N−1)の電極端子の中心位置と第m+1の電極端子の中心位置の間隔が、前記配線基板の電極を前記平面型光回路の電極端子に接続する前の、前記配線基板の第mの電極の中心位置と第m+1の電極の中心位置の間隔と等しく、かつ、前記平面型光回路の第mの電極端子の開口幅w(m)と第m+1の電極端子の開口幅w(m+1)のいずれか一方が、他方よりも広い
ことを特徴とする平面型光回路における電極端子の接続構造。 In the connection structure of the electrode terminal in the planar optical circuit according to claim 5,
A plurality of electrodes of the wiring board and electrode terminals of the planar optical circuit are arranged at a predetermined interval from first to Nth (N is an integer of 3 or more),
When the opening width of the nth electrode terminal of the planar optical circuit connected to the nth (1 ≦ n ≦ N) electrode of the wiring board is w (n), the mth of the planar optical circuit. The distance between the center position of the electrode terminal (1 ≦ m ≦ N−1) and the center position of the (m + 1) th electrode terminal is the wiring before the electrode of the wiring board is connected to the electrode terminal of the planar optical circuit. The distance between the center position of the mth electrode and the center position of the (m + 1) th electrode of the substrate is equal to the opening width w (m) of the mth electrode terminal and the opening of the (m + 1) th electrode terminal of the planar optical circuit. A connection structure of electrode terminals in a planar optical circuit, wherein either one of the widths w (m + 1) is wider than the other.
前記配線基板の電極の幅をL、電極間の隙間の幅をSとしたとき、前記配線基板の電極が、第1の電極から第N(Nは3以上の整数)の電極まで一定間隔L+Sを隔てて複数配置され、
前記配線基板の第n(1≦n≦N)の電極に接続される前記平面型光回路の第nの電極端子の開口幅をw(n)とした時、第1から第Nの電極端子のうち、最も真ん中に近い第mの電極端子の開口幅がw(n)の中で最小であり、かつ、w(m)≧L+2φを満たし、第mから第1の電極端子に向かうにつれ電極端子の開口幅が次第に広くなり、第mから第Nの電極端子に向かうにつれ電極端子の開口幅が次第に広くなる
ことを特徴とする平面型光回路における電極端子の接続構造。 In the connection structure of the electrode terminal in the planar optical circuit according to claim 5,
When the width of the electrode of the wiring board is L and the width of the gap between the electrodes is S, the electrode of the wiring board is a constant distance L + S from the first electrode to the Nth electrode (N is an integer of 3 or more). Are arranged across
When the opening width of the nth electrode terminal of the planar optical circuit connected to the nth (1 ≦ n ≦ N) electrode of the wiring board is w (n), the first to Nth electrode terminals Among them, the opening width of the m-th electrode terminal closest to the center is the smallest among w (n), and satisfies w (m) ≧ L + 2φ, and the electrode moves from the m-th to the first electrode terminal. An electrode terminal connection structure in a planar optical circuit, characterized in that the opening width of the terminal is gradually increased and the opening width of the electrode terminal is gradually increased from the mth to the Nth electrode terminal.
前記平面型光回路の電極端子が、第1から第N(Nは3以上の整数)まで所定の間隔を隔てて複数配置され、
前記配線基板の電極の幅をL、電極間の隙間の幅をSとしたとき、前記配線基板の電極が、第1の電極から第Nの電極まで一定間隔L+Sを隔てて複数配置され、
前記平面基板の反りの曲率をRとすると、前記平面型光回路の第1から第Nの電極端子のうち、第mの電極端子の中心位置を基準として、前記平面型光回路の第n(1≦n≦N)の電極端子の中心位置が、x(n)=R・arcsin((L+S)・(n−m)/R)に配置されている
ことを特徴とする平面型光回路における電極端子の接続構造。 In the connection structure of the electrode terminal in the planar optical circuit according to claim 5,
A plurality of electrode terminals of the planar optical circuit are arranged at a predetermined interval from the first to the Nth (N is an integer of 3 or more),
When the width of the electrode of the wiring board is L and the width of the gap between the electrodes is S, a plurality of electrodes of the wiring board are arranged with a constant interval L + S from the first electrode to the Nth electrode,
When the curvature of warpage of the planar substrate is R, the nth ((n) th) of the planar optical circuit is based on the center position of the mth electrode terminal among the first to Nth electrode terminals of the planar optical circuit. In the planar optical circuit, the center position of the electrode terminal of 1 ≦ n ≦ N) is arranged as x (n) = R · arcsin ((L + S) · (nm) / R) Electrode terminal connection structure.
前記コアとクラッドからなる光導波路は、石英系光導波路である
ことを特徴とする平面型光回路における電極端子の接続構造。 In the electrode terminal connection structure in the planar optical circuit according to any one of claims 1 to 8,
The optical waveguide composed of the core and the clad is a silica-based optical waveguide, and the electrode terminal connection structure in the planar optical circuit.
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5435465B2 (en) * | 2009-10-06 | 2014-03-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Mounting structure, electro-optical device, and touch panel |
JP6037328B2 (en) * | 2009-10-30 | 2016-12-07 | リサーチ フロンティアーズ インコーポレイテッド | Method of providing a connection between a conductive layer of a suspended particle device and a power bus |
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JP6623102B2 (en) * | 2016-03-31 | 2019-12-18 | 古河電気工業株式会社 | Optical waveguide circuit device |
WO2019035385A1 (en) * | 2017-08-16 | 2019-02-21 | 富士フイルム株式会社 | Conductive film for touch panel, conductive member, and touch panel |
JP2019197194A (en) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | 日本電信電話株式会社 | Semiconductor device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004233737A (en) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Waveguide type optical switch |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005070723A (en) * | 2003-08-04 | 2005-03-17 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device substrate, electro-optical device, and electronic apparatus |
JP2005189650A (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Optrex Corp | Method for manufacturing liquid crystal display element |
JP3828122B2 (en) * | 2004-05-25 | 2006-10-04 | 日本アビオニクス株式会社 | Electrical component connection method |
-
2007
- 2007-03-20 JP JP2007072080A patent/JP4750741B2/en active Active
Patent Citations (1)
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