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JP4742216B2 - ケイ素化合物 - Google Patents

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Description

本発明は、シルセスキオキサン誘導体を用いて得られるケイ素化合物に関する。このケイ素化合物は、電子材料、光学材料、電子光学材料、塗料、プライマーなどに用いられる。「シルセスキオキサン」は、各ケイ素原子が3個の酸素原子と結合し、各酸素原子が2個のケイ素原子と結合している化合物を示す類名であるが、本発明において用いる「シルセスキオキサン骨格」は、シルセスキオキサン構造およびその一部が変形したシルセスキオキサン類似構造の総称である。
シルセスキオキサン骨格を含むポリマーは、特異な構造を有するため様々な分野での用途が検討されている。これまで、テトラエトキシシランのようなアルコキシシランを用いたゾル−ゲル法によってシルセスキオキサン構造を有する重合体の合成が行われてきた。しかし、ゾル−ゲル法には、反応時間が長い、反応の制御が難しい、微細な空孔が残りやすいなどの課題が残されている。
かご型構造を有するシルセスキオキサンまたはその誘導体を用いた重合体に関する研究が行われている。そしてこの重合体は、耐候性、耐熱性、物理的特性、光学的特性などに優れていると期待されている。例えば、Lichtenhan等は、シルセスキオキサンのかご型構造に欠損があるもの、いわゆる不完全なかご型構造(完全な8面体状ではなく、その1部が欠損した構造)のものをシロキサンで結合した共重合体の製造方法を開示している(特許文献1および2)。この製造方法は、多面体オリゴメリックシルセスキオキサン(polyhedral oligomeric Silsesquioxane)を、アミンなどを官能基とする二官能性のシラン、シロキサン、または有機金属化合物で架橋する方法である。Lichtenhan等は、不完全なかご型構造のシルセスキオキサンをシロキサン等で結合したものを主鎖とする共重合体の製造方法、およびかご型構造のシルセスキオキサンをペンダント共重合成分とし、メタクリル酸を共重合体主鎖成分とした共重合体の製造方法を開示している(非特許文献1)。更に、非特許文献2にてシルセスキオキサンの不完全なかご型構造の隅に位置するSiに結合するOHと、ビス(ジメチルアミノ)シラン等とを反応させたシルセスキオキサン−シロキサン共重合体の製造方法を開示している(非特許文献2)。
一方、完全なかご型構造のシルセスキオキサンとビニル基含有化合物とを反応させる共重合体の製造方法が開示されている(Lichtenhan等、特許文献3)。田中等は水素化オクタシルセスキオキサンとフェニルエチルベンゼンをヒドロシリル化重合させて共重合体が得られることを報告している(非特許文献3)。Laine等は、かご型構造の複数の隅にビニル基を結合させた完全なかご型のシルセスキオキサン化合物と、水素化した完全なかご型のシルセスキオキサン化合物をヒドロシリル化重合させると、ゲル状の共重合体が得られることを報告している(非特許文献4)。Zank等は、かご型構造を有する水素化オクタシルセスキオキサンと水酸基含有化合物またはビニル基含有化合物とを反応させて、有機溶剤可溶性の水素化オクタシルセスキオキサンを有する共重合体を得る製造法を開示している(特許文献4および5)。これらはいずれも、完全なかご型構造を有するシルセスキオキサンが主鎖にグラフトした構造であるか、架橋点となるかのどちらかである。かご型構造を有するシルセスキオキサンをポリマー鎖にグラフトさせた場合、シルセスキオキサンは局所的な分子運動を抑制するためポリマーへの改質効果を示すが、ポリマー鎖構造の変化には寄与しない、一方、シルセスキオキサンが架橋点となった場合、ゲル状の共重合体となり成形性に劣る。
米国特許第5,412,053号明細書 米国特許第5,589,562号明細書 米国特許第5,484,867号明細書 特開2002−069191 特開2000−265065 Comments Inorg. Chem., 1995, 17, 115-130 Macromolecules, 1993, 26, 2141-2142 Chem.,Lett., 1998, 763-764 J. Am.Chem.Soc, 1998, 120, 8380-8391 Polymer Preprints, Japan, Vol.50, No.12(2001)
電気・電子材料においては、特に、絶縁性、耐熱性、耐久性、成形性等の更なる改善が求められている。しかしながら、従来のシルセスキオキサン共重合体ではこれらの特性を満たすことはできない。そのために、優れた耐熱性、耐候性、電気絶縁性、硬度、力学的強度、耐薬品性等をもつかご型構造を有するシルセスキオキサンを主鎖とし、結合の位置が明確に限定され、成形性に優れた共重合体が望まれている。しかしながら、主鎖にかご型構造を有するシルセスキオキサンを有する共重合体は、従来の化合物を用いる場合には困難であった。非特許文献5には主鎖型ポリマーとして用いることのできる化合物が開示されているが、T8構造のシルセスキオキサン骨格を主鎖に導入した共重合体の開示例は1つのみであり、成形体として使用できる可能性も不明であり、知られている特性も限られていた。従って、依然として具体的な用途は十分明らかではなかった。
T8D2構造またはその類似構造を有するシルセスキオキサン骨格を主鎖に導入することにより、任意に分子量等を制御でき、求められる物性に調整することが可能となる。Siに3個の酸素が結合している構造をT構造とし、Siに2個の酸素が結合している構造をD構造とするとき、T8D2構造は8つのT構造と2つのD構造とが組み合わされている構造を意味する。
本発明者等は、下記の式(1)で示される構成単位を有するケイ素化合物を新規に合成し、これを用いて無色透明なコーティング膜を形成できること、加熱溶融により成形体を形成できることを知った。即ち、上記の課題は下記の構成からなる本発明によって解決される。
[1]式(2)で示される化合物と式(3)で得られる化合物を反応させることによって得られる式(1)で示される構成単位を有するケイ素化合物。

Figure 0004742216

Figure 0004742216


Figure 0004742216


ここに、mは1〜の整数であり;Rフェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基であり;RおよびRは独立してフェニルまたはメチルでありXは−OHであり;Zは塩素であり;R は−O−である。
]Rのすべてがフェニルであり、そして構成単位の繰り返し数が2〜100である[1]項に記載のケイ素化合物。
本発明により、T8D2構造またはその類似構造を有するPSQ骨格を主鎖に含み、熱可塑性を有する重合体が提供される。本発明の重合体は、透明性、皮膜形成性などに優れていて、フィルム、シートおよび成形体として使用することができる。
以下の説明においては、式(1)で示される構成単位を有するケイ素化合物を化合物(1)と表記することがある。式(2)で示される化合物を化合物(2)と表記することがある。他の式で示される化合物についても、同様の方法で簡略化して表記することがある。「シルセスキオキサン」を記号「PSQ」で表記することがある。従って、「シルセスキオキサン誘導体」は「PSQ誘導体」と表記される。そして、化合物(1)はPSQ誘導体であり、更には主鎖にPSQ骨格を有する重合体である。以下、本発明をさらに詳しく説明する。
式(1)における は、フェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基である。そして、R およびR は独立してフェニルまたはメチルである。
式(1)におけるmは1〜の整数である。好ましいmは1である。そして、本発明のケイ素化合物における式(1)で示される構成単位の繰り返し数は1以上である。好ましい繰り返し数は2〜100であり、より好ましい繰り返し数は2〜20である。
式(1)における好ましいRは、本発明のケイ素化合物の主鎖が全てSiおよびOから構成されることから、−O−である。
化合物(1)は、化合物(2)と化合物(3)とを反応させることにより得ることができる。

Figure 0004742216
ここに、RおよびRは式(1)におけるRおよびRとそれぞれ同様に定義される基であり;Xは−OHである。

Figure 0004742216
ここに、Rおよびmは式(1)におけるRおよびmとそれぞれ同様に定義される基であり;Zは塩素である。
本発明で用いる化合物(2)は、例えば、化合物(4)と化合物(5)とを反応させることにより得ることができる。

Figure 0004742216

Figure 0004742216
これらの式におけるR、RおよびXは、式(2)におけるそれぞれの記号と同じ意味を有する。なお、Xが−OHである化合物(2)は、Xが水素である化合物(2)を加水分解することによって得ることができる。
化合物(5)の代わりに化合物(6)を用いても化合物(2)を合成することができる。但し、このときは架橋反応によるオリゴマー化が起きないように注意が必要である。そして、Xが塩素である化合物(2)が得られるので、Zが−OHである化合物(3)を入手できない場合には、これを加水分解して−OHに変える必要がある。

Figure 0004742216
そして、化合物(4)は、例えば、式(7)で表される化合物を1価のアルカリ金属水酸化物および水の存在下、有機溶剤の存在下もしくは不存在下で加水分解、縮重合することにより製造することができる。1価のアルカリ金属水酸化物の例は、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウムである。これらのうち、水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムが好ましい。1価のアルカリ金属水酸化物の使用量は、前記のシラン化合物に対するモル比で、0.3〜1.5である。より好ましいモル比は0.4〜0.8である。そして、添加する水の量は、シラン化合物に対するモル比で1.0〜1.5である。より好ましいモル比は1.1〜1.3である。有機溶剤の好ましい例は直鎖状、分岐状または環状の1価のアルコールである。アルコールは縮合過程での構造制御に寄与すると推定される。

Figure 0004742216
反応に用いる溶剤は、反応の進行を阻害しないものであれば特に制限されない。好ましい溶剤の例は、ヘキサンやヘプタンなどの炭化水素系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶剤、ジエチルエーテル、テトラハイドロフラン(THF)、ジオキサンなどのエーテル系溶剤、塩化メチレン、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素系溶剤、および酢酸エチルなどのエステル系溶剤である。これらの溶剤は単独で使用しても、その複数を組み合わせて使用してもよい。これらの溶剤の中でも、芳香族炭化水素系溶剤、その中でもトルエンが最も好ましい。溶剤は必ずしも必要ではないが、使用する場合には、溶剤に対する原料の好ましい割合は、溶剤の重量に基づいて0.05〜80重量%である。より好ましい割合は30〜70重量%である。
反応は室温で実施してもよい。反応を促進させるために加熱してもよい。反応による発熱または好ましくない反応を制御するために冷却してもよい。
かご型構造の骨格を主鎖に導入することによって得られる本発明の重合体は、主鎖の動きが制限されること等により剛直性が付与され、耐熱性や物理的強度が高くなると予測される。その構造の特異性から高い光学透過性が期待できる。本発明の重合体は、溶解性、耐熱性、機械強度、光学透過性、ガス透過性、誘電率、難燃性、接着性、加工性等の優れた効果を期待できるので、幅広い用途に利用できる。電気・電子材料としての用途の例は、金属溶出防止膜、ガスバリア膜、反射防止膜等の基板用コーティング剤、液状封止剤、層間絶縁膜等の半導体用コーティング剤、マイクロレンズ、導光板、光導波路材料等の光学素子、ディスプレイ基板およびプリント配線用基板等である。必要に応じ、初期の性状を損なわない範囲で、重合体への他の成分、例えば、酸化防止剤、着色剤、充填剤等をブレンドして使用してもよい。
実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって制限されない。なお、実施例における化学式において、Meはメチルであり、Phはフェニルである。
式(10)で示される化合物(0.6g)を脱水トルエン(20ml)に溶解し、トリエチルアミン(0.42ml)を加えたのちに30分氷浴し冷却した。この溶液に1,3−ジクロロテトラメチルジシロキサン(0.10ml)を加え室温で1日撹拌したのち、さらに1,3−ジクロロテトラメチルジシロキサン(0.10ml)を加え、室温で7日間撹拌した。こののち、沈殿物をろ過により除き、得られたろ液を水層が中性になるまで水洗した。水洗したろ液にMgSOを加えて水分を除去したのち、有機層を濃縮した。得られた濃縮物をヘキサンを用いて洗浄したのち、沈殿物を乾燥し、0.26gのロウ状物質を得た。さらにヘキサンを用いて洗浄と再沈殿を行い0.16gのロウ状物質を得た。得られたロウ状物質の分子量を測定したところ、Mn=21,000、Mw=210,000であった。

Figure 0004742216
分子量の測定は下記の条件で行った。
装置:Waters 996 Potodiod Detecter Array
カラム:Shodex KF806M 300X8.0mm
移動相:THF
流速:1.0ml/min
温度:35℃
分子量標準サンプル:分子量既知のポリスチレン
式(11)で示される化合物(1.31g)を脱水トルエン(30ml)に溶解し、トリエチルアミン(0.42ml)および1,3−ジクロロテトラメチルジシロキサン(0.20ml)を加えて室温で1日撹拌した。このちさらに1,3−ジクロロテトラメチルジシロキサン(0.10ml)を加え、室温で1日撹拌した。この後、沈殿物をろ過により除いたのち、得られたろ液を水層が中性になるまで水洗した。水洗したろ液にMgSOを加えて水分を除去した後、有機層を乾燥して白色固体0.854gを得た。この白色固体をヘキサンで洗浄した後乾燥させ、0.805gの白色固体を得、さらに再沈殿を行うことにより目的物の白色固体0.14gを得た。得られた白色固体の分子量を測定したところMn=4,200,Mw=8,000であった。分子量の測定は実施例2と同じ条件で行った。

Figure 0004742216
表1に示した化合物(2)と化合物(3)を用いて、実施例2または3と同様の方法により化合物(1)を合成し、それぞれの分子量と転移温度を測定した。結果は表1に示すとおりであった。
<表1>
Figure 0004742216
No.4−1〜No.4−3で用いた化合物(2)は、実施例2に記載の化合物(10)であり、No.4−4で用いた化合物(2)は、実施例3に記載の化合物(11)である。これらの化合物(1)をそれぞれのTg以上に加熱したのち、ガラス板の間で圧延して冷却することにより、無色・透明なフィルムを得ることができた。

Claims (2)

  1. 式(2)で示される化合物と式(3)で得られる化合物を反応させることによって得られる式(1)で示される構成単位を有するケイ素化合物。

    Figure 0004742216

    Figure 0004742216

    Figure 0004742216
    ここに、mは1〜3の整数であり;Rはフェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基であり;RおよびRは独立してフェニルまたはメチルであり;Xは−OHであり;Zは塩素であり;Rは−O−であり;構成単位の繰り返し数が2〜100である。
  2. のすべてがフェニルであり、そして構成単位の繰り返し数が2〜100である、請求項1に記載のケイ素化合物。
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4826160B2 (ja) * 2005-07-28 2011-11-30 ナガセケムテックス株式会社 光素子封止用樹脂組成物
JP2007246880A (ja) * 2006-02-20 2007-09-27 Matsushita Electric Works Ltd 半導体光装置及び透明光学部材
JP4679388B2 (ja) * 2006-02-20 2011-04-27 パナック株式会社 離型性を有する積層体およびその製造方法
TWI411648B (zh) * 2006-03-27 2013-10-11 Nippon Steel & Sumikin Chem Co A hardening resin and a hardened resin composition and a molded body thereof
JPWO2007119627A1 (ja) * 2006-04-10 2009-08-27 宇部興産株式会社 硬化性組成物、シルセスキオキサン硬化物、及びこれらの製造方法
US8299198B2 (en) 2006-07-21 2012-10-30 Kaneka Corporation Polysiloxane composition, molded body obtained from the same, and optodevice member
JP4920364B2 (ja) * 2006-10-13 2012-04-18 新日鐵化学株式会社 表示装置
WO2008065786A1 (en) * 2006-11-27 2008-06-05 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Optical semiconductor device and transparent optical member
WO2008065787A1 (fr) * 2006-11-27 2008-06-05 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Dispositif semi-conducteur optique et élément optique transparent associé
WO2008065966A1 (en) * 2006-11-27 2008-06-05 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Semiconductor optical device and transparent optical member
WO2008065967A1 (en) * 2006-11-27 2008-06-05 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Semiconductor optical device and transparent optical member
JP5018065B2 (ja) 2006-12-15 2012-09-05 Jnc株式会社 ポリシロキサン化合物とその製造方法
US8013077B2 (en) 2007-03-02 2011-09-06 Fujifilm Corporation Insulating film forming composition and production method of insulating film
JP4802120B2 (ja) * 2007-03-02 2011-10-26 富士フイルム株式会社 絶縁膜形成用組成物および絶縁膜製造方法
KR101433815B1 (ko) * 2007-03-26 2014-08-27 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 렌즈
EP3656778A1 (en) 2007-04-17 2020-05-27 Kaneka Corporation Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product
JP5246679B2 (ja) * 2007-05-09 2013-07-24 Jnc株式会社 架橋性シロキサンポリマー、シロキサン系の架橋性組成物及びシリコーン膜
JP5101930B2 (ja) 2007-06-08 2012-12-19 マブチモーター株式会社 多角形状外形の小型モータ
JP5211059B2 (ja) * 2007-08-17 2013-06-12 パナソニック株式会社 半導体光装置及び透明光学部材
JP5403730B2 (ja) * 2008-03-07 2014-01-29 株式会社Adeka 低誘電性絶縁膜、プラズマディスプレイおよびその製造方法
JPWO2009139462A1 (ja) 2008-05-16 2011-09-22 日本電気株式会社 有機シリコン化合物およびシリカ系微粒子形成用材料
JPWO2009139463A1 (ja) 2008-05-16 2011-09-22 日本電気株式会社 金属酸化物系微粒子およびその製造方法、並びに樹脂組成物
JP5369629B2 (ja) * 2008-11-12 2013-12-18 Jnc株式会社 架橋性ケイ素化合物、その製造方法、架橋性組成物、シロキサンポリマー、シリコーン膜、該架橋性ケイ素化合物の原料となるケイ素化合物、及びその製造方法
JP5610379B2 (ja) * 2008-11-12 2014-10-22 Jnc株式会社 シロキサンポリマー、シロキサン系の架橋性組成物及びシリコーン膜
JP5793824B2 (ja) * 2009-06-02 2015-10-14 Jnc株式会社 有機ケイ素化合物、該有機ケイ素化合物を含む熱硬化性組成物、および光半導体用封止材料
JP5704168B2 (ja) * 2010-05-18 2015-04-22 Jnc株式会社 新規有機ケイ素化合物、該有機ケイ素化合物を含む熱硬化性樹脂組成物、硬化樹脂および光半導体用封止材料
WO2011148896A1 (ja) 2010-05-28 2011-12-01 株式会社カネカ ポリシロキサン系組成物、硬化物、及び、光学デバイス
CN103201317B (zh) * 2010-09-22 2015-05-27 道康宁公司 含有树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物的热稳定组合物
WO2012039322A1 (ja) 2010-09-22 2012-03-29 株式会社カネカ 多面体構造ポリシロキサン変性体、多面体構造ポリシロキサン系組成物、硬化物、及び、光半導体デバイス
KR101807190B1 (ko) 2010-09-22 2017-12-08 다우 코닝 코포레이션 수지-선형 유기실록산 블록 공중합체의 제조 방법
US9045668B2 (en) 2010-09-22 2015-06-02 Dow Corning Corporation Organosiloxane block copolymer
JP5674948B2 (ja) 2010-09-22 2015-02-25 ダウ コーニング コーポレーションDow Corning Corporation 樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーを含有する高屈折率組成物
JP5857039B2 (ja) * 2011-03-30 2016-02-10 旭化成ケミカルズ株式会社 オルガノポリシロキサン、その製造方法、及びオルガノポリシロキサンを含有する硬化性樹脂組成物
WO2012133432A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 旭化成ケミカルズ株式会社 オルガノポリシロキサン、その製造方法、及びオルガノポリシロキサンを含有する硬化性樹脂組成物
TWI598416B (zh) * 2012-12-26 2017-09-11 財團法人工業技術研究院 塗佈組合物、所形成之膜層、及該塗佈組合物的製備方法
JP2015155541A (ja) * 2015-02-25 2015-08-27 国立大学法人 熊本大学 シロキサンポリマー架橋硬化物
CN105860018B (zh) * 2016-04-14 2018-09-21 江南大学 一种双层笼型倍半硅氧烷改性植物油基聚氨酯复合材料的制备方法
JP6967185B2 (ja) * 2017-09-05 2021-11-17 国立大学法人 熊本大学 ホットメルト型ポリシロキサン接着剤
WO2022030354A1 (ja) 2020-08-06 2022-02-10 Jnc株式会社 シロキサンポリマー、シロキサンポリマー組成物および成形体
KR102739430B1 (ko) 2022-02-08 2024-12-06 주식회사 파이오셀 신규한 구조의 POSS (polyhedral oligomeric silsesquioxane)-변성체 폴리실록산계 화합물
KR102739431B1 (ko) 2022-07-26 2024-12-06 주식회사 파이오셀 신규한 구조의 POSS (polyhedral oligomeric silsesquioxane)-변성체 폴리실록산계 화합물, 이의 제조방법, 및 이의 제조방법으로 제조된 신규한 구조의 POSS (polyhedral oligomeric silsesquioxane)-변성체 폴리실록산계 화합물을 포함하는 조성물

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60258517A (ja) * 1984-06-06 1985-12-20 Dainippon Ink & Chem Inc 液晶表示素子
US5412053A (en) * 1993-08-12 1995-05-02 The University Of Dayton Polymers containing alternating silsesquioxane and bridging group segments and process for their preparation
US5484867A (en) * 1993-08-12 1996-01-16 The University Of Dayton Process for preparation of polyhedral oligomeric silsesquioxanes and systhesis of polymers containing polyhedral oligomeric silsesqioxane group segments
JP2000265065A (ja) * 1999-03-17 2000-09-26 Dow Corning Asia Ltd 有機溶剤可溶性の水素化オクタシルセスキオキサン−ビニル基含有化合物共重合体の製造方法
JP2000334881A (ja) * 1999-05-28 2000-12-05 Konica Corp かご状シルセスキオキサン含有皮膜
JP2002069191A (ja) * 2000-08-31 2002-03-08 Dow Corning Asia Ltd 水素化オクタシルセスキオキサン−水酸基含有化合物共重合体の製造方法
JP2002327062A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Asahi Kasei Corp 籠状シルセスキオキサン類含有ポリカーボネート系樹脂組成物
JP2003510337A (ja) * 1999-08-04 2003-03-18 ハイブリッド・プラスチックス 多面体オリゴマーシルセスキオキサンの形成方法
WO2003024870A1 (fr) * 2001-09-18 2003-03-27 Chisso Corporation Derives silsesquioxane et procede de fabrication
JP2004051847A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Asahi Kasei Corp シルセスキオキサン化合物の製造方法
JP2004083757A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Chisso Corp ケイ素化合物含有複合材料および記録素子
WO2004081084A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Chisso Corporation シルセスキオキサン誘導体を用いて得られる重合体
WO2004081085A1 (ja) * 2003-03-11 2004-09-23 Chisso Petrochemial Corporation シルセスキオキサン誘導体を用いて得られる重合体
JP2004323665A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Chisso Corp 液晶配向膜形成用ワニス、液晶配向膜および液晶表示素子
JP2004331647A (ja) * 2003-03-13 2004-11-25 Chisso Corp シルセスキオキサン骨格を有する重合体および化合物
JP2005002159A (ja) * 2003-06-10 2005-01-06 Chisso Corp 有機ケイ素化合物を含有する電解質
JP2005015738A (ja) * 2002-09-13 2005-01-20 Chisso Corp 官能基を有するシルセスキオキサン誘導体の製造方法およびシルセスキオキサン誘導体
JP2005029800A (ja) * 2003-07-11 2005-02-03 Degussa Ag 熱硬化性粉末塗料組成物、その使用、その製造方法、被覆系の製法及びかかる被覆系

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60258517A (ja) * 1984-06-06 1985-12-20 Dainippon Ink & Chem Inc 液晶表示素子
US5412053A (en) * 1993-08-12 1995-05-02 The University Of Dayton Polymers containing alternating silsesquioxane and bridging group segments and process for their preparation
US5484867A (en) * 1993-08-12 1996-01-16 The University Of Dayton Process for preparation of polyhedral oligomeric silsesquioxanes and systhesis of polymers containing polyhedral oligomeric silsesqioxane group segments
US5589562A (en) * 1993-08-12 1996-12-31 The University Of Dayton Polymers containing alternating silsesquioxane and bridging group segments and process for their preparation
JP2000265065A (ja) * 1999-03-17 2000-09-26 Dow Corning Asia Ltd 有機溶剤可溶性の水素化オクタシルセスキオキサン−ビニル基含有化合物共重合体の製造方法
JP2000334881A (ja) * 1999-05-28 2000-12-05 Konica Corp かご状シルセスキオキサン含有皮膜
JP2003510337A (ja) * 1999-08-04 2003-03-18 ハイブリッド・プラスチックス 多面体オリゴマーシルセスキオキサンの形成方法
JP2002069191A (ja) * 2000-08-31 2002-03-08 Dow Corning Asia Ltd 水素化オクタシルセスキオキサン−水酸基含有化合物共重合体の製造方法
JP2002327062A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Asahi Kasei Corp 籠状シルセスキオキサン類含有ポリカーボネート系樹脂組成物
WO2003024870A1 (fr) * 2001-09-18 2003-03-27 Chisso Corporation Derives silsesquioxane et procede de fabrication
JP2004051847A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Asahi Kasei Corp シルセスキオキサン化合物の製造方法
JP2004083757A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Chisso Corp ケイ素化合物含有複合材料および記録素子
JP2005015738A (ja) * 2002-09-13 2005-01-20 Chisso Corp 官能基を有するシルセスキオキサン誘導体の製造方法およびシルセスキオキサン誘導体
WO2004081085A1 (ja) * 2003-03-11 2004-09-23 Chisso Petrochemial Corporation シルセスキオキサン誘導体を用いて得られる重合体
JP2006070049A (ja) * 2003-03-11 2006-03-16 Chisso Corp シルセスキオキサン誘導体を用いて得られる重合体
WO2004081084A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Chisso Corporation シルセスキオキサン誘導体を用いて得られる重合体
JP2004331647A (ja) * 2003-03-13 2004-11-25 Chisso Corp シルセスキオキサン骨格を有する重合体および化合物
JP2004323665A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Chisso Corp 液晶配向膜形成用ワニス、液晶配向膜および液晶表示素子
JP2005002159A (ja) * 2003-06-10 2005-01-06 Chisso Corp 有機ケイ素化合物を含有する電解質
JP2005029800A (ja) * 2003-07-11 2005-02-03 Degussa Ag 熱硬化性粉末塗料組成物、その使用、その製造方法、被覆系の製法及びかかる被覆系

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