JP4731970B2 - 発光装置及びその作製方法 - Google Patents

Description

本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、ＴＦＴおよび有機発光素子を有する発光表示装置を部品として搭載した電子機器に関する。

なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。

近年、自発光型の発光素子としてＥＬ素子を有した発光装置の研究が活発化している。この発光装置は有機ＥＬディスプレイ、又は有機発光ダイオードとも呼ばれている。これらの発光装置は、動画表示に適した速い応答速度、低電圧、低消費電力駆動などの特徴を有しているため、新世代の携帯電話や携帯情報端末（ＰＤＡ）をはじめ、次世代ディスプレイとして大きく注目されている。

有機化合物を含む層を発光層とするＥＬ素子は、有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）が陽極と、陰極との間に挟まれた構造を有し、陽極と陰極とに電界を加えることにより、ＥＬ層からルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が発光する。

このＥＬ素子における有機化合物を含む層には、低分子系材料や高分子系材料を用いることができ、その成膜方法には、蒸着法（真空蒸着法を含む）、スピンコート法、インクジェット法、ディップ法、電界重合法等が挙げられる。

赤、緑、青の発光色を用いてフルカラーのフラットパネルディスプレイを作製することを考えた場合、上記成膜方法での成膜精度がそれほど高くないため、異なる画素間の間隔を広く設計したり、画素間に土手（バンク、または障壁）と呼ばれる絶縁物を設けたりしている。

本出願人は、ＥＬ素子の端部に遮光部を設けることで透明電極から遮光部方向へ出射しようとする光を遮断して光の取り出し効率を高める構成を特許文献１に記載している。なお、特許文献１に記載の構成は、下面出射構造（ボトムエミッション構造とも呼ぶ）の発光装置である。

また、本出願人は、隔壁の上層として光を吸収する多層膜を用い、下層として有機樹脂を用いることによって配線による反射光が観察者の目に到達することを防ぐことを特許文献２で提案している。なお、特許文献２に記載の構成は、上面出射構造（トップエミッション構造とも呼ぶ）の発光装置である。

また、本出願人は、円偏光フィルムを用いずにＥＬ発光装置の鏡面化を防ぐため、発光素子の陽極または陰極に接して遮光膜が設けられた構造を特許文献３に記載している。なお、特許文献３に記載の構成は、上面出射構造および下面出射構造の発光装置である。
特開２００２−８３６８９ 特開２００４−３１２０１ 特開２００２−３３１８５

赤、緑、青の発光色を用いるフルカラーのフラットパネルディスプレイとして、高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。こうした要求は、発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進める上で大きな課題となっている。また、同時に生産性の向上や低コスト化の要求も高まっている。

本発明は、発光素子と着色層とを用いるアクティブマトリクス型の発光装置を提供する。本発明の発光装置は、発光素子及びＴＦＴが設けられている基板側の画素間にブラックマトリクス（ＢＭ）となる隔壁（バンク、土手または障壁）と呼ばれる絶縁物を設け、封止基板側にＲ、Ｇ、Ｂの着色層を設ける。このようにすることで画素の左右における合わせマージンが確保でき、隔壁の幅を３０μｍ以下、好ましくは５μｍ〜２０μｍとすることができる。

一般にカラーフィルタと呼ばれているものは、同一基板上に規則正しく配置されたＲ、Ｇ、Ｂの着色層と、それらの隙間にブラックマトリクスを接して配置して一体としたものである。従って、印刷法などでカラーフィルタを形成する場合、先にブラックマトリクスを形成した後、隙間ができないようＲ、Ｇ、Ｂの着色層を設けると、着色層とブラックマトリクスが一部重なり、厚い部分ができて表面に凹凸が形成される。また、先にＲ、Ｇ、Ｂの着色層を形成した後、ブラックマトリクスを形成しても一部重なり、厚い部分ができる。従って、従来では、この凹凸を平坦化するためにオーバーコート層と呼ばれる透明な層が設けられていた。このオーバーコート層を設けるとカラーフィルタのトータルの厚さが増加していた。

また、本発明により発光素子及びＴＦＴが設けられている基板と、着色層が設けられている封止基板との間隔を狭めることによって、着色層と発光素子との距離を近づけて視野角を広くすることができる。なお、一つの着色層は、一つの発光素子の発光領域（隔壁で囲まれた領域）の面積よりも大きい面積とすることが好ましい。

特に本発明においては、封止基板側にはＲ、Ｇ、Ｂの着色層のみが設けられており、ブラックマトリクスが設けられていないため、封止基板側の構成が簡略化され、封止基板側の作製工程も簡略化される。また、従来のカラーフィルタのようにオーバーコート層を設ける必要が特にないため、さらに基板間隔を狭めることが可能となる。加えて、基板間隔が狭まれば、基板間に充填する材料の量を削減することができる。

また、基板間隔を狭めるため、発光素子及びＴＦＴが設けられている基板と、封止基板との貼り合わせには減圧下での貼り合わせを行うことが好ましい。減圧下での貼り合わせは気泡が入りにくく、基板間に充填する材料の量の調節がしやすい。

また、基板間隔を極限まで狭めると、充填する材料が基板表面に対して密着性が悪い場合、うまく充填されない恐れがある。そこで、封止基板との貼り合わせを行う前に、予め発光素子の陰極（或いは陽極）を覆う保護膜上に密着性を向上させる下地層の形成（または下地前処理）を全面または選択的に行うことが好ましい。なお、保護膜は発光素子への水分の侵入を防ぐ。

本明細書で開示する発明の構成は、第１の基板上に第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に接する透光性である第２の電極とを有する白色発光素子を複数有する画素部を備え、第２の基板で封止された発光装置であり、前記第１の基板上に設けられた隣合う第１の電極間には遮光材料からなる隔壁が設けられ、前記第２の基板には、赤、緑、青の３色の着色層が配置され、前記発光素子は保護膜で覆われ、該保護膜上には光触媒機能を有する物質を含む下地層が設けられ、前記着色層と前記光触媒機能を有する物質を含む下地層との間は、透明な充填材料で充填されていることを特徴とする発光装置である。

また、上記構成において、上面出射型の発光装置とする場合、前記第１の電極は、光反射性を有する材料膜、或いは透明導電膜と光反射性を有する材料膜の積層とすることを特徴の一つとしている。また、上記構成において、さらにコントラストを向上させるため、前記第１の基板と前記第１の電極の間には遮光性を有する層間絶縁膜を設けることを特徴の一つとしている。

なお、下地層の形成としては、スプレー法またはスパッタ法によって光触媒物質（酸化チタン（ＴｉＯ_X）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ₃）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化タングステン（ＷＯ₃））を全面に滴下する処理、またはインクジェット法やゾルゲル法を用いて有機材料（光硬化ポリイミド樹脂、光硬化アクリル樹脂）を選択的に単層または積層で形成する処理を行えばよい。

光触媒物質は、光触媒機能を有する物質を指し、紫外光領域の光（波長４００ｎｍ以下、好ましくは３８０ｎｍ以下）を照射し、光触媒活性を生じさせるものである。また、本発明の下地層は、太陽の光などを吸収、散乱させる特徴を有しており、発光表示装置を太陽の下で使用する場合に、発光層などの有機化合物を含む層を太陽光から保護する光保護層としての機能も有する。

例えば、ＴｉＯ_Xに光照射する前、親油性はあるが、親水性はない、つまり撥水性の状態にある。光照射を行うことにより、光触媒活性が起こり、親水性にかわり、逆に親油性がない状態となる。なお、光照射時間により、親水性と親油性を共に有する状態にもなりうる。

更に光触媒物質へ遷移金属（Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｅ、Ｍｏ、Ｗ等）をドーピングすることにより、光触媒活性を向上させたり、可視光領域（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の光により光触媒活性を起こすことができる。このように光の波長は光触媒物質によって決定されるため、光照射とは光触媒物質が光触媒活性化する波長の光を照射することを指す。

液滴吐出法により、インクジェット装置やディスペンサ装置を用いて、充填材料を封止基板側に設けられたシールパターンの内側に滴下し、もう一方の基板（光触媒物質が表面に形成された基板）と貼り合わせると、狭い基板間に充填材料を充填することができる。

また、他の発明の構成は、第１の基板上に透光性である第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に接する透光性である第２の電極とを有する白色発光素子を複数有する画素部を備えた発光装置であり、前記第１の基板上に設けられた隣合う第１の電極間には遮光材料からなる隔壁が設けられ、前記第２の基板には、赤、緑、青の３色の着色層が配置され、前記発光素子は保護膜で覆われ、該保護膜上には光触媒機能を有する物質を含む層が設けられ、前記着色層と前記光触媒機能を有する物質を含む層との間は、透明な充填材料で充填されていることを特徴とする発光装置である。

上記構成において、前記白色発光素子からの前記第１の電極を通過する発光は、第１の基板を通過し、前記白色発光素子からの前記第２の電極を通過する発光は、第２の基板上に設けられた着色層と、第２の基板を通過することを特徴の一つとしている。

また、上記各構成において、前記遮光材料からなる隔壁は、前記透明な充填材料を間に挟んで、前記着色層の一部と重ねて配置することを特徴の一つとしている。また、上記各構成において、前記遮光材料からなる隔壁で囲まれる発光面積よりも前記着色層の面積の方が大きいことを特徴の一つとしている。白色発光素子及びＴＦＴが設けられている基板には、ブラックマトリクスとして機能する隔壁が設けられているため、封止基板との貼り合わせマージンが確保できる。

また、上記各構成において、前記発光装置は、電極または配線として、炭素及びニッケルを含むアルミニウム合金（Ａｌ（Ｃ＋Ｎｉ））膜を用いていることを特徴の一つとしている。Ａｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜は、通電、或いは熱処理後もＩＴＯやＩＴＳＯとのコンタクト抵抗値に大きな変動がない材料である。

また、白色発光素子の発光層は、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送物質及び発光材料で形成し、その分子数から低分子系有機化合物、中分子系有機化合物（昇華性を有さず、且つ分子数が２０以下、又は連鎖する分子の長さが１０μｍ以下の有機化合物を指していう）、高分子系有機化合物から選ばれた一種又は複数種の層を含み、電子注入輸送性又は正孔注入輸送性の無機化合物と組み合わせても良い。

また、白色発光素子の発光層は、一重項励起発光材料の他、金属錯体などを含む三重項励起材料を用いても良い。三重項励起発光材料の一例としては、金属錯体をドーパントとして用いたものがあり、第三遷移系列元素である白金を中心金属とする金属錯体、イリジウムを中心金属とする金属錯体などが知られている。三重項励起発光材料としては、これらの化合物に限られることはなく、上記構造を有し、且つ中心金属に周期表の８〜１０属に属する元素を有する化合物を用いることも可能である。

発光色は、発光層を形成する材料で決まるため、これらを選択することで所望の発光を示す発光素子を形成することができる。発光層の形成に用いることができる高分子系の電界発光材料は、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェン系、ポリフルオレン系が挙げられる。

白色発光を得るには、青色発光層を含め、２層或いは３層の発光層を設け、白色発光するような発光素子を構成すればよい。具体的には、ホール輸送層上に、ＮＰＢとフェニルアントラセン誘導体とを体積比が１：３となるように、かつナフタセン誘導体を含むように共蒸着した混合層タイプの第１発光層と、ＮＰＢとフェニルアントラセン誘導体とを体積比が１：３となるように、かつスチリルアミン誘導体を含むように共蒸着した混合層タイプの第２の青色発光層と、を積層した発光素子とすると白色発光が得られる。

また、他の白色発光素子としては、発光層として、亜鉛のオキサゾール錯体を用いた青色発光層と、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）を用いた緑色発光層と、Ａｌｑ₃に赤色の蛍光色素（Ｐ−６６０、ＤＣＭ１）をドープした赤色発光層とを積層したものを用いればよい。

また、２層発光を用いた白色発光素子としては、Ａｌｑ₃にクマリン６をドープした緑色発光層と、ＴＰＤにルブレンをドープした黄色発光層とを積層したものを用いればよい。

以上に掲げる有機化合物を含む層を形成する物質は一例であり、正孔注入輸送層、正孔輸送層、電子注入輸送層、電子輸送層、発光層、電子ブロック層、正孔ブロック層などの機能性の各層を適宜積層することで白色発光素子を形成することができる。また、これらの各層を合わせた混合層又は混合接合を形成しても良い。

また、白色発光素子に限定されず、白色発光素子に代えて、第１の基板上に青色発光素子として遮光性を有する隔壁を設置し、第２の基板には色変換層を配置することでフルカラー表示を実現してもよい。

また、有機化合物を含む層の塗り分けを画素ごとに行って、第１の基板上に赤色発光素子、青色発光素子、緑色発光素子をそれぞれ形成し、それらの間に遮光性を有する隔壁を設置し、第２の基板には色純度を高めるための着色層を配置してもよい。例えば、赤色の発光性の画素、緑色の発光性の画素及び青色の発光性の画素のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色の発光性の画素を三重項励起発光材料で形成し、他を一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝度を得るのに消費電力が少なくて済むという特徴がある。すなわち、赤色画素に適用した場合、発光素子に流す電流量が少なくて済むので、信頼性を向上させることができる。低消費電力化として、赤色の発光性の画素と緑色の発光性の画素とを三重項励起発光材料で形成し、青色の発光性の画素を一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、より低消費電力化を図ることができる。

本発明により、隔壁の幅を狭め、且つ、隣合う発光領域の間隔を狭めることができる。即ち、開口率を向上させることができる。

また、本発明は、発光素子からの迷光を黒色の隔壁で吸収、または遮蔽することによって表示のコントラストを向上させることができる。また、黒色の隔壁及びＴＦＴが設けられている基板と、着色層が設けられている封止基板との間隔を狭めることによって視野角を広くすることができる。

加えて、基板間隔が狭まれば、一対の基板間に充填する材料の量を削減することができる。また、基板間隔を狭めても、密着性を向上させる下地層を形成することによって、うまく一対の基板間に充填材料を充填することを可能としている。また、密着性を向上させる下地層により、一対の基板間の固着強度を増加させ、発光装置の信頼性を向上させている。

本発明の実施形態について、以下に図１、図２、図３、及び図４を用いて説明する。

図１はアクティブマトリクス型の発光装置の一部断面を示す図である。

第１の基板１０１上には、３つのＴＦＴ１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂを設けている。これらのＴＦＴは、チャネル形成領域１２０と、ソース領域またはドレイン領域１２１、１２２とを活性層とし、ゲート絶縁膜１０５と、ゲート電極１２３ａ、１２３ｂを有するｐチャネル型ＴＦＴである。また、ゲート電極は２層となっており、テーパー形状となっている下層１２３ａと、上層１２３ｂとで構成されている。

また、第２の基板１１６には、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂが設けられている。図２（Ｃ）に第２の基板に設けられた着色層の配置上面図の一例を示す。なお、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂは、それぞれの発光素子に対向して配置されており、ＴＦＴに接続されている白色発光素子からの白色光をカラー化している。

また、図２（Ｃ）にはストライプ状の着色層とした例を示しているが、マトリクス状に着色層を配置してもよい。また、画素の配列をデルタ配列やモザイク配列としてもよい。また、Ｒ、Ｇ、Ｂの３種類の画素を用いたフルカラー表示に限らず、３色映像データを４色映像データに変換してＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗ（白色）の４種類の画素を用いたフルカラー表示としてもよい。４種類の画素を用いると、輝度が増加し、躍動感のある映像表示が行える。なお、４種類の画素を用いる場合、Ｗの画素に対向して着色層は設けない。

また、隔壁１０９は黒色樹脂であり、異なる着色層との境界（或いは隙間）と重なるブラックマトリクス（ＢＭ）の役目を果たしている。従って、隔壁１０９は、発光領域を囲むように格子形状としている。また、隣り合う着色層において隙間が空いてもよいが、隔壁１０９の幅よりも隙間の幅が広くならないようにする。

図２（Ｄ）に第１の基板に設けられた隔壁の上面図の一例を示す。黒い隔壁で囲まれた領域が発光領域と対応して同一面積になっている。また、着色層は発光領域よりも面積を大きくし、視野角を広いものとしている。また、有機化合物層において生じた光の全てが透明電極からＴＦＴの方へ取り出されるわけではなく、例えば、横方向（基板面と平行な方向）にも発光されるが、結果的にこの横方向に発光する光は取り出されないため、ロスになっていた。また、これらの迷光がＴＦＴの活性層に照射されることでＴＦＴの電気特性に影響を与えたり、劣化の原因の一つとなっていた。そこで、本発明は、発光素子からの迷光を黒色樹脂からなる隔壁１０９で吸収、または遮蔽する構成としている。

白色発光素子は、第１の電極１０８ａ、１０８ｂと、有機化合物を含む層１１０と、透明導電材料からなる第２の電極１１１とで構成されている。図１では全面に有機化合物を含む層１１０が設けられているが、白色発光素子であるので１枚のマスクで選択的に形成してもよい。

また、第１の電極１０８ａ、１０８ｂ及び第２の電極１１１は仕事関数を考慮して材料を選択する必要がある。但し第１の電極及び第２の電極は、画素構成によりいずれも陽極、又は陰極となりうる。駆動用ＴＦＴの極性がｐチャネル型である場合、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極とするとよい。また、駆動用ＴＦＴの極性がＮチャネル型である場合、第１の電極を陰極、第２の電極を陽極とすると好ましい。

ここでは、第１の電極として、金属材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）など）からなる下層１０８ａと、透明導電材料（インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）など）からなる上層１０８ｂとの積層とした例を示している。下層１０８ａとして、反射性を有する層とすれば、発光が第２の基板を通過する上面出射型の発光装置となり、透光性を有する層とすれば、発光が第１の基板および第２の基板を通過する両面出射型の発光装置となる。なお、上面出射型は、下面出射型に比べて、有機化合物を含む層から発光する光が通過する材料層を少なくでき、屈折率の異なる材料層間での迷光を抑えることができる。

中でも好ましい材料は、下層１０８ａとしてＡｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜を用い、上層１０８ｂとして酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）を用いる組み合わせである。本実施例では、Ａｌ中に０．３ａｔｏｍｓ％のＣと、３ａｔｏｍｓ％のＮｉを含有しているＡｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜を用いる。なお、Ａｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜は、通電、或いは熱処理後もＩＴＯやＩＴＳＯとのコンタクト抵抗値に大きな変動がない材料である。また、ＩＴＳＯは、通電、或いは熱処理によって結晶化しにくく表面の平坦性が高い材料である。

また、有機化合物を含む層１１０は、第１の電極（陽極）側から順に、ＨＩＬ（ホール注入層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電子注入層）の順に積層されている。なお、有機化合物を含む層は、積層構造以外に単層構造、又は混合構造をとることができる。

また、水分や脱ガスによるダメージから発光素子を保護するため、第２の電極１１１を覆う保護膜１１２を設けることが好ましい。保護膜１１２としては、ＰＣＶＤ法による緻密な無機絶縁膜（ＳｉＮ膜、ＳｉＮＯ膜など）、スパッタ法による緻密な無機絶縁膜（ＳｉＮ膜、ＳｉＮＯ膜など）、炭素を主成分とする薄膜（ＤＬＣ膜、ＣＮ膜、アモルファスカーボン膜）、金属酸化物膜（ＷＯ₂、ＣａＦ₂、Ａｌ₂Ｏ₃など）などを用いることが好ましい。なお、ダイヤモンドライクカーボン膜（ＤＬＣ膜とも呼ばれる）は、プラズマＣＶＤ法（代表的には、ＲＦプラズマＣＶＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）ＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法など）、燃焼炎法、スパッタ法、イオンビーム蒸着法、レーザー蒸着法などで形成することができる。成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化水素系のガス（例えばＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₆Ｈ₆など）とを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝突させて成膜する。また、ＣＮ膜は反応ガスとしてＣ₂Ｈ₄ガスとＮ₂ガスとを用いて形成すればよい。なお、ＤＬＣ膜やＣＮ膜は、膜厚にもよるが、可視光に対して透明もしくは半透明な絶縁膜である。可視光に対して透明とは可視光の透過率が８０〜１００％であることを指し、可視光に対して半透明とは可視光の透過率が５０〜８０％であることを指す。

また、保護膜１１２上には、光触媒機能を有する物質を含む下地層（バッファー層とも言う）１１３が設けられている。光触媒機能を有する物質としては、スパッタ法またはスプレー法により得られる酸化チタン（ＴｉＯ_X）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ₃）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化タングステン（ＷＯ₃）が挙げられる。下地層１１３は透光性を持たせることが好ましい。なお、この下地層１１３は、保護膜としても機能する。

第１の基板１０１と第２の基板１１６との間は、充填材料１１４が充填されている。第１の基板と第２の基板とを貼り合わせるシール材と充填材料１１４との密着性や、保護膜と充填材料１１４との密着性を向上させるために光触媒機能を有する物質を含む下地層１１３が設けられている。なお、貼り合わせる前に、予め光触媒活性化させる波長の光を下地層１１３に照射しておく。また、第２の基板１１６側にも着色層を覆うオーバーコート層として光触媒機能を有する物質を含む層を設けてもよい。

また、ここでは第２の基板１１６の第１の基板１０１に近い面に着色層を設けた例を示しているが、第２の基板１１６の外側面に着色層を設けてもよく、その場合には第２の基板１１６と充填材料１１４とが接する構造となる。

図２（Ａ）、図２（Ｂ）は貼り合わせる前のそれぞれの基板の様子を斜視図で示したものである。図２（Ａ）、図２（Ｂ）では１つの基板で４枚のパネルを作製する多面取りを行っている。図２（Ａ）に示す第１の基板２０１には、ＢＭ２０９および白色発光素子が配置されている画素部２０２を設けており、画素部２０２を覆うように光触媒物質形成領域２０３を設けている。なお、図２（Ｄ）にＢＭ２０９の一部を示す。図２（Ｂ）に示す第２の基板２１６には、画素部と重なる着色層２０４を囲むようにシール２０５が設けられ、シール２０５で囲まれた領域に充填材料２０６が液滴吐出法により滴下されている。なお、図２（Ｃ）に着色層２０４の一部を示す。

そして、貼り合わせ装置で光触媒物質形成領域２０３と充填材料２０６、およびシール２０５と接するようにし、気泡が入らないように第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる。

図３に貼り合わせ装置の一例を示す。図３に示す貼り合わせ装置は、減圧雰囲気で貼り合わせることが可能な装置である。

図３中、４０は第１基板支持台、４１ｂは真空チャンバー上部、４１ａは真空チャンバー下部、４２は第２基板支持台、４８は下側定盤である。図３（Ａ）は貼り合わせ前の状態を示している。

貼り合わせ時には、真空チャンバー上部４１ｂを真空チャンバー下部４１ａと接するように下降させた後、排気してチャンバー内を減圧とする。そして、第１基板支持台４０に対向している第２基板支持台４２を下降させた後、圧力をかけて第１基板３５と第２基板３１を貼り合わせ、そのまま加熱することによって硬化させる。第２基板支持台４２および下側定盤４８は加熱ヒータが内蔵されており、シール材３２および充填材料３３を硬化させる。貼り合わせ後の状態を図３（Ｂ）に示す。さらにシール材の描画も減圧下で行ってもよい。

また、液滴吐出装置の例を図４に示す。図４において、３００は第２の基板、３０４は撮像手段、３０７はステージ、３１１はマーカー、３０３は１つの画素部を囲むシールを示している。１つの画素部の幅と同じ幅のヘッド３０５ａ、３０５ｂを備え、ステージを移動させてこれらのヘッドを走査、例えばジグザグまたは往復させて適宜、充填材料を滴下する。基板の幅と同じ幅のヘッドとすることも可能であるが、図４のように１つのパネルサイズに合わせるほうが操作しやすい。また、スループット向上のためには、ステージを動かしたままで充填材料の吐出を行うことが好ましい。

貼り合わせた後は、所望のサイズに基板を分断すればよい。

第１の基板１０１上に形成する下地絶縁膜１０２としては、ＰＣＶＤ法による無機絶縁膜（ＳｉＮ膜、ＳｉＮＯ膜など）の単層または積層を用いる。また、ＰＣＶＤ法による無機絶縁膜（ＳｉＮ膜、ＳｉＮＯ膜など）を用いて層間絶縁膜１０６を形成している。

また、層間絶縁膜１０６上に設けられる高耐熱性平坦化膜１０７は、塗布法による平坦な層間絶縁膜である。塗布法による平坦な層間絶縁膜とは、液状の組成物を塗布して形成する層間絶縁膜を指す。塗布法による平坦な層間絶縁膜としては、アクリル、ポリイミドなどの有機樹脂、有機溶媒中に溶かされた絶縁膜材料を塗布した後熱処理により被膜を形成する所謂、塗布珪素酸化膜（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ、以下「ＳＯＧ」ともいう。）、シロキサンポリマーなどの焼成によりシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合）を形成する材料膜などが挙げられる。また、高耐熱性平坦化膜１０７は、塗布法に限定されず、気相成長法やスパッタリング法により形成された酸化珪素膜などの無機絶縁膜も用いることができる。また、保護膜として窒化珪素膜をＰＣＶＤ法やスパッタ法で形成した後、塗布法による平坦な絶縁膜を積層してもよい。

また、白色発光素子においては、第１の電極が平坦とすることが重要であり、高耐熱性平坦化膜１０７が平坦でない場合、高耐熱性平坦化膜１０７の表面凹凸の影響によって第１の電極も平坦とならない恐れがある。従って、高耐熱性平坦化膜１０７の平坦性は重要である。

また、ＴＦＴのドレイン配線、またはソース配線１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃは、３層構造としている。ここでは、Ｔｉ膜と、Ａｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜と、Ｔｉ膜との積層膜を用いる。ＴＦＴのドレイン配線、またはソース配線は、層間絶縁膜のカバレッジを考慮して、テーパー形状とすることが好ましい。

また、ここではトップゲート型ＴＦＴを例として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。

以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。

本実施例では図５（Ａ）を用いて、上面出射型の発光装置の作製例を示す。

まず、第１の基板４０１上に下地絶縁膜を形成する。第１の基板４０１は平坦性および耐熱性を有している基板であれば特に限定されない。下地絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜を形成する。

次いで、下地絶縁膜上に半導体層を形成する。半導体層は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られた結晶質半導体膜を第１のフォトマスクを用いて所望の形状にパターニングして形成する。この半導体層の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜７０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。

また、非晶質構造を有する半導体膜の結晶化処理として連続発振のレーザーを用いてもよく、非晶質半導体膜の結晶化に際し、大粒径の結晶を得るためには、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２高調波〜第４高調波を適用するのが好ましい。代表的には、Ｎｄ：ＹＶＯ₄レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を適用すればよい。連続発振のレーザーを用いる場合には、出力１０Ｗの連続発振のＹＶＯ₄レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中にＹＶＯ₄結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照射する。このときのエネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ²程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ²）が必要である。そして、１０〜２０００ｃｍ／ｓ程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すればよい。

次いで、レジストマスクを除去した後、半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法または熱酸化法を用い、厚さを１〜２００ｎｍとする。

次いで、ゲート絶縁膜上に膜厚１００〜６００ｎｍの導電膜を形成する。ここでは、スパッタ法を用い、ＴａＮ膜とＷ膜との積層からなる導電膜を形成する。なお、ここでは導電膜をＴａＮ膜とＷ膜との積層としたが、特に限定されず、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料の単層、またはこれらの積層で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。

次いで、第２のフォトマスクを用いてレジストマスクを形成し、ドライエッチング法またはウェットエッチング法を用いてエッチングを行う。このエッチング工程によって、導電膜をエッチングして、ＴＦＴ４０４のゲート電極を形成する。

次いで、レジストマスクを除去した後、第３のフォトマスクを用いてレジストマスクを新たに形成し、ここでは図示しないｎチャネル型ＴＦＴを形成するため、半導体にｎ型を付与する不純物元素（代表的にはリン、またはＡｓ）を低濃度にドープするための第１のドーピング工程を行う。レジストマスクは、ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域と、導電層の近傍とを覆う。この第１のドーピング工程によって絶縁膜を介してスルードープを行い、ｎ型の低濃度不純物領域を形成する。一つの発光素子は、複数のＴＦＴを用いて駆動させるが、ｐチャネル型ＴＦＴのみで駆動させる場合には、上記ドーピング工程は特に必要ない。

次いで、レジストマスクを除去した後、第４のフォトマスクを用いてレジストマスクを新たに形成し、半導体にｐ型を付与する不純物元素（代表的にはボロン）を高濃度にドープするための第２のドーピング工程を行う。この第２のドーピング工程によってゲート絶縁膜を介してスルードープを行い、ｐ型の高濃度不純物領域を形成する。

次いで、第５のフォトマスクを用いてレジストマスクを新たに形成し、ここでは図示しないｎチャネル型ＴＦＴを形成するため、半導体にｎ型を付与する不純物元素（代表的にはリン、またはＡｓ）を高濃度にドープするための第３のドーピング工程を行う。レジストマスクは、ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域と、導電層の近傍とを覆う。この第３のドーピング工程によってゲート絶縁膜を介してスルードープを行い、ｎ型の高濃度不純物領域を形成する。

この後、レジストマスクを除去し、水素を含む絶縁膜を成膜した後、半導体層に添加された不純物元素の活性化および水素化を行う。水素を含む絶縁膜は、ＰＣＶＤ法により得られる窒化酸化珪素膜（ＳｉＮＯ膜）を用いる。

次いで、層間絶縁膜の２層目となる平坦化膜４１０を形成する。平坦化膜４１０としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いる。また、平坦化膜に用いる他の膜としては、塗布法によって得られるアルキル基を含むＳｉＯｘ膜からなる絶縁膜、例えばシリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどを用いて形成された絶縁膜を用いることができる。シロキサン系ポリマーの一例としては、東レ製塗布絶縁膜材料であるＰＳＢ−Ｋ１、ＰＳＢ−Ｋ３１や触媒化成製塗布絶縁膜材料であるＺＲＳ−５ＰＨが挙げられる。

次いで、第６のマスクを用いて層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する。次いで、第６のマスクを除去し、導電膜（ＴｉＮ膜、Ａｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜、ＴｉＮ膜を順次積層した導電膜）を形成した後、第７のマスクを用いてエッチングを行い、配線（ＴＦＴのソース配線及びドレイン配線や、電流供給配線など）を形成する。

次いで、第７のマスクを除去し、３層目の層間絶縁膜４１１を形成する。３層目の層間絶縁膜４１１としては、塗布法によって得られる黒色顔料を分散させてなる感光性または非感光性の有機材料を用いる。本実施例では、コントラスト向上、迷光の吸収のために遮光性を有する層間絶縁膜を用いている。さらに３層目の層間絶縁膜を保護するため、４層目の層間絶縁膜としてＰＣＶＤ法により得られる窒化酸化珪素膜（ＳｉＮＯ膜）を積層してもよい。４層目の層間絶縁膜を設けた場合、後の工程で第１の電極をパターニングした後、第１の電極をマスクとして選択的に除去することが好ましい。

次いで、第８のマスクを用いて層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する。

次いで、反射導電膜と透明導電膜を成膜した後、第９のマスクを用いてパターニングを行って反射電極４１２と透明電極４１３との積層を得る。反射電極４１２としては、Ａｇ、Ａｌ、またはＡｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜を用いる。透明電極４１３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の他、例えば、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）や酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料を用いることができる。

次いで、第１０のマスクを用いて反射電極４１２及び透明電極４１３の端部を覆って隔壁、即ち、ブラックマトリクス（ＢＭ）となる、遮光性を有する絶縁物４１９を形成する。遮光性を有する絶縁物としては、黒色顔料を分散させてなる感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜）を膜厚０．８μｍ〜１μｍの範囲で用いる。例えば、富士フィルムオーリン社製ＣＯＬＯＲ ＭＯＳＡＩＣ ＣＫ（商品名）のような材料を用いる。なお、本実施例では、層間絶縁膜４１１も遮光性を有する絶縁物で設けることによって、層間絶縁膜４１１とのトータルで遮光の効果を得ることができ、絶縁物４１９の厚さを薄くしたり、遮光性の低い材料を用いることもできる。

次いで、有機化合物を含む層４１４を、蒸着法または塗布法を用いて形成する。白色発光を得るためには、様々な方法があるが、本実施例では塗布により形成可能な高分子材料からなる発光層を用いる場合について説明する。この場合、発光層となる高分子材料への色素ドーピングは溶液調整で行うことができ、複数の色素をドーピングする共蒸着を行う蒸着法に比べて極めて容易に得ることができる。具体的には、陽極上に、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を全面に塗布、焼成した後、発光層として作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）をドープしたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成する。なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは溶媒に水を用いており、有機溶剤には溶けない。従って、ＰＶＫをその上から塗布する場合にも、再溶解する心配はない。また、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとＰＶＫは溶媒が異なるため、成膜室は同一のものを使用しないことが好ましい。

また、本実施例では高分子材料からなる有機化合物膜を積層とした例を示したが、有機化合物層を単層とすることもできる。例えば、ホール輸送性を有するポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に電子輸送性を有する１，３，４−オキサジアゾール誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分散することで白色発光が得られる。また、赤色発光する有機化合物膜や緑色発光する有機化合物膜や青色発光する有機化合物膜を適宜選択し、重ねて混色させることによって全体として白色発光を得ることも可能である。

なお、発光素子の信頼性を向上させるため、有機化合物を含む層４１４の形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、有機化合物材料の蒸着を行う前に、基板に含まれるガスを除去するために減圧雰囲気や不活性雰囲気で２００℃〜３００℃の加熱処理を行うことが望ましい。

次いで、有機化合物を含む層４１４の上に透明電極４１５、即ち、有機発光素子の陰極を膜厚１０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で形成する。透明電極４１５としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の他、例えば、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）や酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯを用いることができる。

以上のようにして、白色発光素子が作製される。白色発光素子を構成する陽極、有機化合物を含む層および陰極の各材料は適宜選択し、各膜厚も調整する。陽極と陰極とで同じ材料を用い、且つ、同程度の膜厚、好ましくは１００ｎｍ程度の薄い膜厚とすることが望ましい。

次いで、発光素子を覆って、水分の侵入を防ぐ透明保護層４１６を形成する。透明保護層４１６としては、スパッタ法またはＣＶＤ法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＮＯ膜（組成比Ｎ＞Ｏ）またはＳｉＯＮ膜（組成比Ｎ＜Ｏ））、炭素を主成分とする薄膜（例えばＤＬＣ膜、ＣＮ膜）などを用いることができる。

次いで、ぬれ性を向上させるために光触媒物質を含む下地層４０５を形成する。光触媒物質としてスパッタリング法により所定の結晶構造を有するＴｉＯ₂結晶を形成する。ターゲットには金属チタンチューブを用い、アルゴンガスと酸素を用いてスパッタリングを行う。更にＨｅガスを導入してもよい。光触媒活性の高いＴｉＯ₂を形成するためには、酸素を多く含む雰囲気とし、形成圧力を高めにする。更に成膜室又は処理物が設けられた基板を加熱しながらＴｉＯ₂を形成すると好ましい。このように形成されるＴｉＯ₂は非常に薄膜（１μｍ 程度）であっても光触媒機能を有する。その後、選択的に光照射を行って照射領域を形成するため、光学系を用いて光を集光させる。そして照射領域におけるＴｉＯ₂は、親水性を示す。なお光照射時間により、親水性と親油性を共に有する状態にもなりうる。

次いで、基板間隔を確保するためのギャップ材（フィラー（ファイバーロッド）、微粒子（真絲球など）など）を含有するシール材を用い、着色層４０２Ｇ、４０２Ｒが設けられた第２の基板４０３と基板４０１とを貼り合わせる。なお、一対の基板間には充填材料４１７、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を充填する。また、第２の基板４０３は、光透過性を有するガラス基板や石英基板やプラスチック基板を用いればよい。透明な充填材料（屈折率１．５０程度）を一対の基板間に充填することによって、一対の基板間を空間（不活性気体）とした場合に比べて全体の透過率を向上させることができる。

本実施例の発光素子は、透明電極４１５、透明保護層４１６、光触媒物質を含む下地層４０５、および充填材料４１７が透光性材料で形成され、図５（Ａ）の白抜きの矢印で表すように、上面側から採光することができる。

また、本実施例は実施の形態と自由に組み合わせることができる。

本実施例では、図５（Ｂ）を用いて、両面出射型の発光装置の作製例を示す。

まず、透光性を有する第１の基板５０１上に下地絶縁膜を形成する。第１の基板５０１は透光性を有する基板であれば特に限定されない。下地絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜を形成する。

次いで、実施例１と同様にして下地絶縁膜上に半導体層を形成する。次いで、実施例１と同様にして半導体層を覆うゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。

次いで、実施例１と同様にして適宜、ドーピングを行ってｎ型の低濃度不純物領域、ｐ型の高濃度不純物領域、ｎ型の高濃度不純物領域などを形成する。次いで、レジストマスクを除去し、水素を含む絶縁膜（透光性を有する層間絶縁膜）を成膜した後、半導体層に添加された不純物元素の活性化および水素化を行う。

次いで、層間絶縁膜の２層目となる透光性を有する平坦化膜５１０を形成する。透光性を有する平坦化膜５１０としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いる。

次いで、実施例１と同様に層間絶縁膜にコンタクトホールを形成した後、導電膜（ＴｉＮ膜、Ａｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜、ＴｉＮ膜を順次積層）を形成した後、エッチングを選択的に行い、配線（ＴＦＴ５０４のソース配線及びドレイン配線や、電流供給配線など）を形成する。

次いで、３層目の層間絶縁膜５１１を形成する。３層目の層間絶縁膜５１１としては、塗布法によって得られるアルキル基を含むＳｉＯｘ膜からなる絶縁膜を用いる。さらに３層目の層間絶縁膜を保護するため、４層目の層間絶縁膜としてＰＣＶＤ法により得られる窒化酸化珪素膜（ＳｉＮＯ膜）を積層してもよい。４層目の層間絶縁膜を設けた場合、後の工程で第１の電極をパターニングした後、第１の電極をマスクとして選択的に除去することが好ましい。

次いで、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する。

次いで、透明導電膜を成膜した後、パターニングを行って透明電極５１３を得る。透明電極５１３としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の他、例えば、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）や酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯなどの仕事関数の高い（仕事関数４．０ｅＶ以上）透明導電材料を用いる。

次いで、マスクを用いて透明電極５１３の端部を覆ってブラックマトリクス（ＢＭ）となる、遮光性を有する絶縁物５１９を形成する。遮光性を有する絶縁物としては、黒色顔料を分散させてなる感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜）を膜厚０．８μｍ〜１μｍの範囲で用いる。

次いで、実施例１と同様にして有機化合物を含む層５１４を、蒸着法または塗布法を用いて形成する。

次いで、有機化合物を含む層５１４の上に透明電極５１５、即ち、有機発光素子の陰極を膜厚１０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で形成する。透明電極５１５としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の他、例えば、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）や酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯを用いることができる。

以上のようにして、白色発光素子が作製される。

次いで、実施例１と同様に、発光素子を覆って、水分の侵入を防ぐ透明保護層５１６を形成する。透明保護層５１６としては、スパッタ法またはＣＶＤ法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＮＯ膜（組成比Ｎ＞Ｏ）またはＳｉＯＮ膜（組成比Ｎ＜Ｏ））、炭素を主成分とする薄膜（例えばＤＬＣ膜、ＣＮ膜）などを用いることができる。

次いで、実施例１と同様に、ぬれ性を向上させるために光触媒物質を含む下地層５０５を形成する。

次いで、基板間隔を確保するためのギャップ材（フィラー（ファイバーロッド）、微粒子（真絲球など）など）を含有するシール材を用い、着色層５０２Ｇ、５０２Ｒが設けられた第２の基板５０３と基板５０１とを貼り合わせる。なお、一対の基板間には充填材料５１７、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を充填する。また、第２の基板５０３は、光透過性を有するガラス基板や石英基板やプラスチック基板を用いればよい。

本実施例の発光素子は、透明電極５１５、充填材料５１７が透光性材料で形成され、図５（Ｂ）の白抜きの矢印で表すように、上面側および下面側の両方から採光することができる。

最後に光学フィルム（偏光板、または円偏光板）５０６、５０７を設けてコントラストを向上させる。

例えば、基板５０１に光学フィルム（基板に近い順に、λ／４板と、偏光板とを配置）５０７を設け、第２の基板５０３に光学フィルム（基板に近い順に、λ／４板と、偏光板とを配置）５０６を設ける。

また、他の例として、基板５０１に光学フィルム（基板に近い順に、λ／４板と、λ／２板と、偏光板とを配置）５０７を設け、第２の基板５０３に光学フィルム（基板に近い順に、λ／４板と、λ／２板と、偏光板とを配置）５０６を設ける。

このように、本発明は両面出射型表示装置の構成に応じて、偏光板、円偏光板、またはそれらを組み合わせて設けることができる。その結果、きれいな黒表示を行え、コントラストが向上する。さらに、円偏光板を設けることにより反射光を防止することができる。

また、本実施例は実施の形態、または実施例１と自由に組み合わせることができる。

本実施例では、図６を用いてボトムゲート型（逆スタガ型とも呼ぶ）のＴＦＴを用いた発光装置の作製例を示す。

まず、基板６０１上に下地絶縁膜６０２を形成する。下地絶縁膜６０２として酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯ_xＮ_y）等の絶縁膜を用いることが好ましい。なお、基板６０１は、無アルカリガラス基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。

次いで、下地絶縁膜６０２上に膜厚１００〜６００ｎｍの導電膜を形成する。導電膜としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、スカンジウム（Ｓｃ）、Ｎｄ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を組み合わせた合金膜（代表的には、Ｍｏ―Ｗ合金、Ｍｏ―Ｔａ合金）を用いることができる。

次いで、フォトマスクを用いてレジストマスクを形成し、ドライエッチング法またはウェットエッチング法を用いてエッチングを行う。このエッチング工程によって、導電膜をエッチングして、導電層６２３を得る。なお、導電層６２３はＴＦＴ６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂのゲート電極となる。後の工程で薄い半導体膜を形成するため、カバレッジ不良が生じないように導電層の端面形状はテーパー形状となるようにエッチングすることが好ましい。

次いで、レジストマスクを除去した後、導電層を覆う絶縁膜６０５を形成する。絶縁膜６０５はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用いて得られる酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯ_xＮ_y）等の絶縁膜単層または積層膜を用い、厚さを５０〜２００ｎｍとする。例えば、下層を窒化シリコン膜とし、上層を酸化シリコン膜とする積層構造としても良い。なお、絶縁膜６０５はＴＦＴのゲート絶縁膜となる。勿論、ゲート絶縁膜は上記材料に限定されず、酸化タンタル膜などの他の絶縁膜を用いても良い。ただし、絶縁膜６０５の成膜温度で導電層６２３がダメージを受けないようにする。

次いで、絶縁膜６０５上に５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の厚さで非晶質構造を含む半導体膜、或いは結晶構造を含む半導体膜を、プラズマＣＶＤ法を用いて全面に形成する。本実施例では、ＳｉＨ₄ガスとＦ₂ガスを原料ガスに用いてセミアモルファスシリコン膜を成膜する。また、ＳｉＨ₄とＦ₂の混合気体を用いたＰＣＶＤ法により得られるセミアモルファスシリコン膜にレーザー光を照射して、さらに結晶性を向上させてもよい。

他のセミアモルファス半導体膜の成膜方法としては、ＳｉＨ₄をＨ₂で３倍〜１０００倍に希釈した混合気体、Ｓｉ₂Ｈ₆とＧｅＦ₄のガス流量比を２０〜４０：０．９（Ｓｉ₂Ｈ₆：ＧｅＦ₄）で希釈した混合気体、或いはＳｉ₂Ｈ₆とＦ₂の混合気体、或いはＳｉＨ₄とＳｉＦ₄の混合気体を用いたＰＣＶＤ法がある。なお、セミアモルファスシリコン膜は、下地との界面に、より結晶性を持たせることができるため好ましい。

セミアモルファス半導体膜は、少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎｍの結晶粒を含んでいる。セミアモルファス半導体膜については、ラマンスペクトルが単結晶に特有の５２０ｃｍ^-1よりも低波数側にシフトしている。また、セミアモルファス半導体膜は、Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。また、セミアモルファス半導体膜は、未結合手（ダングリングボンド）を終端化させるため水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。セミアモルファス半導体膜の作製方法としては、珪化物気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚとする。基板加熱温度は３００℃以下でよく、好ましくは１００〜２５０℃とする。

なお、得られたセミアモルファスシリコン膜中に含まれるＣ、Ｎ、Ｏのそれぞれの濃度は、３×１０²¹／ｃｍ³以下、好ましくは３×１０²⁰／ｃｍ³以下とする。また、得られたセミアモルファスシリコン膜中に含まれる水素濃度は、１×１０²¹／ｃｍ³であり、アモルファスシリコン膜と同程度である。

次いで、結晶構造を含む半導体膜上に絶縁膜を全面に形成した後、パターニングを行ってチャネル保護膜６０６を形成する。通常のフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行ってもよいし、導電層をマスクとする裏面露光法を用いて自己整合的にレジストマスクを形成してパターニングを行ってもよい。また、チャネル保護膜６０６としては、界面の清浄性を確保して、有機物や金属物、水蒸気などの不純物で半導体層が汚染されることを防ぐ効果を得るために、緻密な膜で形成することが好ましい。

次いで、半導体層をパターニングするため、フォトマスクを用いてレジストマスクを形成する。次いで、エッチングを行い、ＴＦＴの活性層となる半導体層６２０を形成する。

次いで、レジストマスクを除去した後、一導電型（ｎ型またはｐ型）の不純物元素を含有する非晶質半導体膜を２０〜８０ｎｍの厚さで形成する。一導電型（ｎ型またはｐ型）を付与する不純物元素を含む非晶質半導体膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で全面に形成する。なお、一導電型（ｎ型またはｐ型）を付与する不純物元素を含む非晶質半導体膜に代えて、一導電型（ｎ型またはｐ型）を付与する不純物元素を含むセミアモルファス半導体膜としてもよい。本実施例では、非晶質半導体膜としてｎ型を付与する不純物元素（リン）を含む非晶質半導体膜を用い、ｎ＋層（オーミックコンタクト層）とも呼ぶ。本実施例では、ＣＶＤ法により、ＳｉＨ₄ガスと水素ガスとＰＨ₃（０．２％希釈）ガスとを原料ガスとして一導電型を付与する不純物元素を含む非晶質半導体膜を得る。

次いで、金属材料からなる第１の導電膜をスパッタ法や真空蒸着法で形成する。第１の導電膜の材料としては、一導電型を付与する不純物元素を含む非晶質半導体膜とオーミックコンタクトのとれる金属材料であれば特に限定されず、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉから選ばれた元素、または前記元素を成分とする合金か、前記元素を組み合わせた合金膜等が挙げられる。本実施例ではスパッタ法を用い、第１の導電膜として、５０〜１５０ｎｍの厚さで形成したＴｉ膜と、そのＴｉ膜上に重ねてアルミニウム合金（Ａｌ（Ｃ＋Ｎｉ））を３００〜４００ｎｍの厚さで形成し、さらにその上にＴｉ膜を１００〜１５０ｎｍの厚さで形成する。

次に、フォトリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去して配線（後の工程によりソース配線及びドレイン電極となる）６２４ａ、６２４ｂ、６２４ｃを形成する。

次いで、レジストマスクをそのまま用いて、一導電型を付与する不純物元素を含む非晶質半導体膜をエッチングしてソース領域またはドレイン領域６２１，６２２を形成する。本実施例ではｎ＋層をソース領域またはドレイン領域と呼ぶ。次いで、レジストマスクを除去する。

次いで、層間絶縁膜６０７を形成する。層間絶縁膜６０７としては、透光性を有する無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いる。

次いで、フォトマスクを用いてレジストマスクを形成し、層間絶縁膜の一部をエッチングにより除去して開孔（コンタクトホール）を形成する。なお、開孔の底部は配線６２４ｃに達している。

次いで、レジストマスクを除去した後、全面に第２の導電膜を成膜する。次いでフォトマスクを用いて、第２の導電膜のパターニングを行い、第１の電極６０８ａ、６０８ｂを形成する。本実施例では反射性を有する金属材料（Ａｇ、Ａｌなど）からなる下層６０８ａと、透明導電材料（ＩＴＯ、ＩＴＳＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂など）からなる上層６０８ｂとの積層とした例を示している。

また、第１の電極は積層ではなく、単層としてもよい。例えば、第１の電極はＡｌ（Ｃ＋Ｎｉ）合金膜の単層としてもよい。

以上の工程により、第１の基板６０１上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう）のＴＦＴおよび第１の電極が形成された発光表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。本実施例のＴＦＴ６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂはｎチャネル型とした例であるので第１の電極は陰極として機能させることが好ましい。

次いで、第１の電極６０８ａ、６０８ｂの端部を覆う隔壁６０９を形成する。隔壁６０９としては、黒色顔料を分散させてなる感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜）を膜厚０．８μｍ〜１μｍの範囲で用いる。

次いで、有機化合物を含む層６１０を、蒸着法または塗布法を用いて形成する。本実施例では白色発光が得られるように有機化合物を含む層６１０の材料は適宜選択し、各膜厚も調整する。有機化合物を含む層６１０は、第１の電極（陰極）側から順に、ＥＩＬ（電子注入層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＨＩＬ（ホール注入層）の順に積層されている。なお有機化合物を含む層は、積層構造以外に単層構造、又は混合構造をとることができる。

次いで、有機化合物を含む層６１０の上に透明電極６１１、即ち、有機発光素子の陽極を膜厚１０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で形成する。透明電極６１１としては、ＩＴＯ、ＩＴＳＯ、ＩＺＯなどを用いることができる。

次いで、発光素子を覆って、水分の侵入を防ぐ透明保護層６１２を形成する。透明保護層６１２としては、スパッタ法またはＣＶＤ法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜（ＳｉＮＯ膜（組成比Ｎ＞Ｏ）またはＳｉＯＮ膜（組成比Ｎ＜Ｏ））、炭素を主成分とする薄膜（例えばＤＬＣ膜、ＣＮ膜）などを用いることができる。

次いで、ぬれ性を向上させるために光触媒物質を含む下地層６１３を形成する。光触媒物質としてスパッタリング法により所定の結晶構造を有するＴｉＯ₂結晶を形成する。

次いで、基板間隔を確保するためのギャップ材（フィラー（ファイバーロッド）、微粒子（真絲球など）など）を含有するシール材を用い、着色層６１５Ｒ、６１５Ｇ、６１５Ｂが設けられた第２の基板６１６と基板６０１とを貼り合わせる。なお、一対の基板間には充填材料６１４、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を充填する。また、第２の基板６１６は、光透過性を有するガラス基板や石英基板やプラスチック基板を用いればよい。

本実施例の発光素子は、透明電極６１１、透明保護層６１２、光触媒物質を含む下地層６１３、充填材料６１４が透光性材料で形成され、上面側から採光することができる。

また、本実施例の活性層はセミアモルファスシリコン膜であり、アモルファスシリコン膜に比べてＴＦＴのオフ電流が増加する問題がある。そこで、この問題を解決するためにダブルゲート構造としてもよい。なお、本実施例はシングルゲート構造に限定されることなく、オフ電流のバラツキをさらに低減するために、トリプルゲート構造等のマルチゲート構造としても構わない。

また、本実施例は実施の形態、または実施例１と自由に組み合わせることができる。

本実施例では、金属元素を使用した結晶化方法を用いた後、オゾン含有水溶液による酸化処理を行ない、歪みを低減する熱処理を行ない、ゲッタリングを行って半導体層を得る工程例を図７に示す。

図７（Ａ）中、７１０は、絶縁表面を有する基板、７１１はブロッキング層となる絶縁膜、７１２は非晶質構造を有する第１の半導体膜である。

まず、図７（Ａ）に示すように基板７１０上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯ_xＮ_y）等の絶縁膜から成る下地絶縁膜７１１を形成する。

次いで、下地絶縁膜上に非晶質構造を有する第１の半導体膜７１２を形成する。第１の半導体膜７１２は、シリコンを主成分とする半導体材料を用いる。代表的には、非晶質シリコン膜又は非晶質シリコンゲルマニウム膜などが適用され、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、或いはスパッタ法で１０〜１００ｎｍの厚さに形成する。後の結晶化で良質な結晶構造を有する半導体膜を得るためには、非晶質構造を有する第１の半導体膜７１２の膜中に含まれる酸素、窒素などの不純物濃度を５×１０¹⁸／ｃｍ³（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）にて測定した原子濃度）以下に低減させておくと良い。これらの不純物は後の結晶化を妨害する要因となり、また、結晶化後においても捕獲中心や再結合中心の密度を増加させる要因となる。そのために、高純度の材料ガスを用いることはもとより、反応室内の鏡面処理（電界研磨処理）を施した反応室やオイルフリーの真空排気系を備えた超高真空対応のＣＶＤ装置を用いることが望ましい。

次いで、非晶質構造を有する第１の半導体膜７１２を結晶化させる技術としてここでは特開平８−７８３２９号公報記載の技術を用いて結晶化させる。同公報記載の技術は、非晶質シリコン膜（アモルファスシリコン膜とも呼ばれる）に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点として広がる結晶構造を有する半導体膜を形成するものである。この技術は、結晶化に必要とする加熱温度を低下させる効果ばかりでなく、結晶方位の配向性を単一方向に高めることが可能である。このような結晶構造を有する半導体膜でＴＦＴを形成すると、電界効果移動度の向上のみでなく、サブスレッショルド係数（Ｓ値）が小さくなり、飛躍的に電気的特性を向上させることが可能となっている。

まず、非晶質構造を有する第１の半導体膜７１２の表面に、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素（ここでは、ニッケル）を重量換算で１〜１００ｐｐｍ含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布してニッケル含有層７１３を形成する。（図７（Ｂ））塗布によるニッケル含有層７１３の形成方法以外の他の手段として、スパッタ法、蒸着法、またはプラズマ処理により極薄い膜を形成する手段を用いてもよい。また、ここでは、全面に塗布する例を示したが、マスクを形成して選択的にニッケル含有層を形成してもよい。

次いで、加熱処理を行い、結晶化を行う。この場合、結晶化は半導体の結晶化を助長する金属元素が接した半導体膜の部分でシリサイドが形成され、それを核として結晶化が進行する。こうして、図７（Ｃ）に示す結晶構造を有する第１の半導体膜７１４ａが形成される。なお、結晶化後での第１の半導体膜７１４ａに含まれる酸素濃度は、５×１０¹⁸／ｃｍ³以下とすることが望ましい。ここでは、脱水素化のための熱処理（４５０℃、１時間）の後、結晶化のための熱処理（５５０℃〜６５０℃で４〜２４時間）を行う。また、強光の照射により結晶化を行う場合は、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一またはそれらの組み合わせを用いることが可能である。なお、必要であれば、強光を照射する前に非晶質構造を有する第１の半導体膜７１４ａに含有する水素を放出させる熱処理を行ってもよい。また、熱処理と強光の照射とを同時に行って結晶化を行ってもよい。生産性を考慮すると、結晶化は強光の照射により結晶化を行うことが望ましい。

このようにして得られる第１の半導体膜７１４ａには、金属元素（ここではニッケル）が残存している。それは膜中において一様に分布していないにしろ、平均的な濃度とすれば、１×１０¹⁹／ｃｍ³を越える濃度で残存している。勿論、このような状態でもＴＦＴをはじめ各種半導体素子を形成することが可能であるが、以降に示すゲッタリング方法で当該元素を除去する。

ここで、レーザ光の照射を行う前に結晶化工程で形成される自然酸化膜を除去する。この自然酸化膜にはニッケルが高濃度に含まれているため、除去することが好ましい。

次いで、結晶化率（膜の全体積における結晶成分の割合）を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するために、結晶構造を有する第１の半導体膜に対してレーザ光を照射する。（図７（Ｄ））レーザ光を照射した場合、半導体膜７１４ｂに歪みやリッジが形成され、表面に薄い表面酸化膜（図示しない）が形成される。このレーザ光としてはパルス発振であるレーザ光源から出射される波長４００ｎｍ以下のエキシマレーザ光や、ＹＡＧレーザの第２高調波、第３高調波を用いればよい。また、レーザ光としては連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２高調波〜第４高調波を用いてもよい。代表的には、Ｎｄ：ＹＶＯ₄レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を適用すればよい。

また、レーザ光による照射でできる表面酸化膜は、オゾン含有水溶液でできる酸化膜より硬いため、エッチングストッパーとなる酸化膜（バリア層）としては優れている。従って、工程数を削減することもできるため、レーザ光による表面酸化膜は特に除去しなくともよい。

次いで、半導体膜７１４ａの表面に、オゾン含有水溶液でエッチングストッパーとなる酸化膜（バリア層と呼ばれる）７１５を１〜１０ｎｍの膜厚で形成する。（図７（Ｅ））

次いで、半導体膜の歪みを低減するための熱処理（半導体膜が瞬間的に４００〜１０００℃程度にまで加熱される熱処理）を窒素雰囲気にて行い、半導体膜７１４ｂを得る。（図７（Ｆ））

次いで、この酸化膜７１５上に希ガス元素を含む第２の半導体膜７１６ａを形成する。（図７（Ｇ））なお、希ガス元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種とする。中でも安価なガスであるアルゴン（Ａｒ）が量産上、好ましい。上記第２の半導体膜の形成方法としては、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法などがあるが、プラズマＣＶＤ法はガスによる成膜室（チャンバーとも呼ぶ）内のクリーニングが行えるため、スパッタ法に比べてメンテナンスが少なくて済み、量産には適していると言える。本実施例では、酸化膜（バリア層）の形成前後に加熱（瞬間的に４００〜１０００℃程度にまで加熱）を行って硬い酸化膜とし、プラズマなどのダメージをブロックしている。そして、第１の半導体膜はブロックしつつ、成膜時のプラズマで酸化膜（バリア層）のみにダメージを意図的に与え、酸化膜（バリア層）に歪みやダングリングボンドを形成することによって、歪みを緩和する方向に動く金属元素を効率よく通過させてゲッタリングサイトに移動および捕獲させることができる。成膜時のプラズマで酸化膜（バリア層）のみにダメージを意図的に与える場合には、プラズマＣＶＤ法でＲＦパワー密度を大きくすることが好ましい。例えば、ＲＦパワー３００Ｗ（０．０５２Ｗ／ｃｍ²）、或いはＲＦパワー４００Ｗ（０．０６９Ｗ／ｃｍ²）、或いは４００Ｗ以上とすればよい。

次いで、加熱処理を行い、第１の半導体膜中における金属元素（ニッケル）の濃度を低減、あるいは除去するゲッタリングを行う。（図７（Ｈ））ゲッタリングを行う加熱処理としては、強光を照射する処理、炉を用いた熱処理、または加熱されたガスに基板を投入し、数分放置した後取りだすことによって加熱を行えばよい。このゲッタリングにより、図７（Ｈ）中の矢印の方向（即ち、基板側から第２の半導体膜表面に向かう方向）に金属元素が移動し、酸化膜７１５で覆われた第１の半導体膜７１４ｃに含まれる金属元素の除去、または金属元素の濃度の低減が行われる。

次いで、酸化膜７１５をエッチングストッパーとして、７１６ｂで示した第２の半導体膜のみを選択的に除去する。次いで、酸化膜７１５を除去する。

次いで、第１の半導体膜７１４ｃを公知のパターニング技術を用いて所望の形状の半導体層７１７を形成する。（図７（Ｉ））なお、酸化膜を除去した後、レジストからなるマスクを形成する前に、オゾン水で表面に薄い酸化膜を形成することが望ましい。

なお、必要があれば、パターニングを行う前に、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを上記酸化膜を介して行う。上記酸化膜を介してドーピングを行った場合には、酸化膜を除去し、再度オゾン含有水溶液によって酸化膜を形成する。

所望の形状の半導体層を形成する工程が終了したら、半導体層の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄し、ゲート絶縁膜となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。この表面洗浄とゲート絶縁膜の形成は、大気にふれさせずに連続的に行うことが望ましい。

もし、金属元素を添加した結晶化方法を用いた場合、基板内でゲッタリングが十分にされず、ゲッタリングにバラツキが生じると、各々のＴＦＴ特性に若干の差、即ちバラツキが生じてしまうため、本実施例に示す工程は有用である。有機化合物を含む層を発光層とする発光装置（ＥＬ素子を備えた発光装置）にとって、ＴＦＴはアクティブマトリクス駆動方式を実現する上で、必須の素子となっている。従って、ＥＬ素子を用いた発光装置は、少なくとも、スイッチング素子として機能するＴＦＴと、ＥＬ素子に電流を供給するＴＦＴとが、各画素に設けられることになる。画素の回路構成、及び駆動方法によらず、ＥＬ素子と電気的に接続され、且つ、ＥＬ素子に電流を供給するＴＦＴのオン電流（Ｉ_on）で画素の輝度が決定されるため、例えば、全面白表示とした場合、オン電流が一定でなければ輝度にバラツキが生じてしまうという問題がある。

また、図７に示した工程順序に限定されず、例えば、レーザ光を照射した後、半導体膜の歪みを低減するための熱処理を行い、さらにオゾン含有水溶液で酸化膜を形成して合計１〜１０ｎｍの酸化膜を形成してもよい。また、酸化膜を除去する前に、半導体膜の歪みを低減するための熱処理を再度行い、その後、形成された酸化膜を除去してもよい。

或いは、レーザ光を照射した後、半導体膜のパターニング工程、半導体膜の歪みを低減するための熱処理工程、オゾン含有水溶液で酸化膜を形成して合計１〜１０ｎｍの酸化膜を形成する工程、酸化膜を除去する工程を順次行ってもよい。なお、工程削減のため酸化膜を除去せずにゲート絶縁膜を形成してもよい。

或いは、レーザ光を照射した後、半導体膜のパターニング工程、オゾン含有水溶液で１〜１０ｎｍの酸化膜を形成する工程、半導体膜の歪みを低減するための熱処理工程、酸化膜を除去する工程を順次行ってもよい。なお、工程削減のため酸化膜を除去せずにゲート絶縁膜を形成してもよい。

また、本実施例は、実施の形態、実施例１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。

本実施例ではＥＬ表示パネルの画素の構成について、図８に示す等価回路図を参照して説明する。

図８（Ａ）に示す画素は、列方向に信号線１４１０及び電源線１４１１〜１４１３、行方向に走査線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用ＴＦＴ１４０３、電流制御用ＴＦＴ１４０４、容量素子１４０２及び発光素子１４０５を有する。

図８（Ｃ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０３のゲート電極が、行方向に配置された電源線１４１３に接続される点が異なっており、それ以外は図８（Ａ）に示す画素と同じ構成である。つまり、図８（Ａ）と図８（Ｃ）に示す両画素は、同じ等価回路図を示す。しかしながら、行方向に電源線１４１２が配置される場合（図８（Ａ））と、列方向に電源線１４１２が配置される場合（図８（Ｃ））では、各電源線は異なる絶縁膜上に形成される。ここでは、駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が接続される配線に注目し、これらを作製するレイヤーが異なることを表すために、図８（Ａ）、図８（Ｃ）として分けて記載する。

図８（Ａ）、図８（Ｃ）に示す画素の特徴として、画素内にＴＦＴ１４０３、１４０４が直列に接続されており、ＴＦＴ１４０３のチャネル長Ｌ₃、チャネル幅Ｗ₃、ＴＦＴ１４０４のチャネル長Ｌ₄、チャネル幅Ｗ₄は、Ｌ₃／Ｗ₃：Ｌ₄／Ｗ₄＝５〜６０００：１を満たすように設定される点が挙げられる。６０００：１を満たす場合の一例としては、Ｌ₃が５００μｍ、Ｗ₃が３μｍ、Ｌ₄が３μｍ、Ｗ₄が１００μｍの場合がある。

なお、ＴＦＴ１４０３は、飽和領域で動作し発光素子１４０６に流れる電流値を制御する役目を有し、ＴＦＴ１４０４は線形領域で動作し発光素子１４０６に対する電流の供給を制御する役目を有する。両ＴＦＴは同じ導電型を有していると作製工程上好ましい。またＴＦＴ１４０３には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のＴＦＴを用いてもよい。上記構成は、ＴＦＴ１４０４が線形領域で動作するために、ＴＦＴ１４０４のＶ_GSの僅かな変動は発光素子１４０６の電流値に影響を及ぼさない。つまり、発光素子１４０６の電流値は、飽和領域で動作するＴＦＴ１４０３により決定される。上記構成を有する本発明は、ＴＦＴの特性バラツキに起因した発光素子の輝度ムラを改善して画質を向上させた表示装置を提供することができる。

図８（Ａ）〜図８（Ｄ）に示す画素において、ＴＦＴ１４０１は、画素に対するビデオ信号の入力を制御するものであり、ＴＦＴ１４０１がオンして、画素内にビデオ信号が入力されると、容量素子１４０２にそのビデオ信号が保持される。なお、図８（Ａ）、図８（Ｃ）には、容量素子１４０２を設けた構成を示したが、特に限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などでまかなうことが可能な場合には、明示的に容量素子１４０２を設けなくてもよい。

図８（Ｂ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図８（Ａ）に示す画素構成と同じである。同様に、図８（Ｄ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図８（Ｃ）に示す画素構成と同じである。

ＴＦＴ１４０６は、新たに配置された走査線１４１５によりオン又はオフが制御される。ＴＦＴ１４０６がオンになると、容量素子１４０２に保持された電荷は放電し、ＴＦＴ１４０６がオフする。つまり、ＴＦＴ１４０６の配置により、強制的に発光素子１４０５に電流が流れない状態を作ることができる。従って、図８（Ｂ）、図８（Ｄ）の構成は、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始することができるため、デューティ比を向上することが可能となる。

図８（Ｅ）に示す画素は、列方向に信号線１４５０、電源線１４５１、１４５２、行方向に走査線１４５３が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４４１、駆動用ＴＦＴ１４４３、容量素子１４４２及び発光素子１４４４を有する。図８（Ｆ）に示す画素は、ＴＦＴ１４４５と走査線１４５４を追加している以外は、図８（Ｅ）に示す画素構成と同じである。なお、図８（Ｆ）の構成も、ＴＦＴ１４４５の配置により、デューティ比を向上することが可能となる。

また、本実施例は、実施の形態、実施例１乃至４のいずれか一と自由に組み合わせることができる。

本実施例は、上記実施例によって作製されるＥＬ表示パネルにＦＰＣや、駆動用の駆動ＩＣを実装する例について説明する。

図９（Ａ）に示す図は、ＦＰＣ１２０９を４カ所の端子部１２０８に貼り付けた発光装置の上面図の一例を示している。基板１２１０上には発光素子及びＴＦＴを含む画素部１２０２と、ＴＦＴを含むゲート側駆動回路１２０３と、ＴＦＴを含むソース側駆動回路１２０１とが形成されている。ＴＦＴの活性層が結晶構造を有する半導体膜で構成されている場合には同一基板上にこれらの回路を形成することができる。従って、システムオンパネル化を実現したＥＬ表示パネルを作製することができる。

なお、基板１２１０はコンタクト部以外において保護膜で覆われており、保護膜上に光触媒機能を有する物質を含む下地層が設けられている。

また、画素部を挟むように２カ所に設けられた接続領域１２０７は、発光素子の第２の電極を下層の配線とコンタクトさせるために設けている。なお、発光素子の第１の電極は画素部に設けられたＴＦＴと電気的に接続している。

また、封止基板１２０４は、画素部および駆動回路を囲むシール材１２０５、およびシール材に囲まれた充填材料によって基板１２１０と固定されている。また、透明な乾燥剤を含む充填材料を充填する構成としてもよい。また、画素部と重ならない領域に乾燥剤を配置してもよい。

また、図９（Ａ）に示した構造は、ＸＧＡクラスの比較的大きなサイズ（例えば対角４．３インチ）の発光装置で好適な例を示したが、図９（Ｂ）は、狭額縁化させた小型サイズ（例えば対角１．５インチ）で好適なＣＯＧ方式を採用した例である。

図９（Ｂ）において、基板１３１０上に駆動ＩＣ１３０１が実装され、駆動ＩＣの先に配置された端子部１３０８にＦＰＣ１３０９を実装している。実装される駆動ＩＣ１３０１は、生産性を向上させる観点から、一辺が３００ｍｍから１０００ｍｍ以上の矩形状の基板上に複数個作り込むとよい。つまり、基板上に駆動回路部と入出力端子を一つのユニットとする回路パターンを複数個形成し、最後に分割して取り出せばよい。ドライバＩＣの長辺の長さは、画素部の一辺の長さや画素ピッチを考慮して、長辺が１５〜８０ｍｍ、短辺が１〜６ｍｍの矩形状に形成してもよいし、画素領域の一辺、又は画素部の一辺と各駆動回路の一辺とを足した長さに形成してもよい。

駆動ＩＣのＩＣチップに対する外形寸法の優位性は長辺の長さにあり、長辺が１５〜８０ｍｍで形成された駆動ＩＣを用いると、画素部に対応して実装するのに必要な数がＩＣチップを用いる場合よりも少なくて済み、製造上の歩留まりを向上させることができる。また、ガラス基板上に駆動ＩＣを形成すると、母体として用いる基板の形状に限定されないので生産性を損なうことがない。これは、円形のシリコンウエハからＩＣチップを取り出す場合と比較すると、大きな優位点である。

また、ＴＡＢ方式を採用してもよく、その場合は、複数のテープを貼り付けて、該テープに駆動ＩＣを実装すればよい。ＣＯＧ方式の場合と同様に、単数のテープに単数の駆動ＩＣを実装してもよく、この場合には、強度の問題から、駆動ＩＣを固定する金属片等を一緒に貼り付けるとよい。

また、基板１３１０もコンタクト部以外において保護膜で覆われており、保護膜上に光触媒機能を有する物質を含む下地層が設けられている。

また、画素部１３０２と駆動ＩＣ１３０１の間に設けられた接続領域１３０７は、発光素子の第２の電極を下層の配線とコンタクトさせるために設けている。なお、発光素子の第１の電極は画素部に設けられたＴＦＴと電気的に接続している。

また、封止基板１３０４は、画素部１３０２を囲むシール材１３０５、およびシール材に囲まれた充填材料によって基板１３１０と固定されている。

また、ＴＦＴの活性層として非晶質半導体膜を用いる場合には、駆動回路を同一基板上に形成することは困難であるため、大きなサイズであっても図９（Ｂ）の構成となる。

本実施例において、保護膜上に、光触媒機能を有する物質を含む下地層が設けられているため、シール材、ＦＰＣ、または駆動ＩＣの密着性を向上させている。

また、本実施例は、実施の形態、実施例１乃至５のいずれか一と自由に組み合わせることができる。

本発明の表示装置、及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図１０、および図１１に示す。

図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）はデジタルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、撮像部２１０３、操作キー２１０４、シャッター２１０６等を含む。本発明により、良好なコントラスト表示が可能なフルカラーの表示部２１０２を備えたデジタルカメラが実現できる。

また、図１０（Ｃ）はモバイルコンピュータの斜視図であり、図１０（Ｄ）は裏面側を示す斜視図である。モバイルコンピュータは、本体２３０１、表示部２３０２ａ、２３０２ｂ、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。表示部２３０２ａ、２３０２ｂは両面発光パネルであり、１枚のパネルにおける一方の面にて主に画像をフルカラー表示する高画質な表示部２３０２ａと、もう一方の面にてモノクロで主に文字や記号を表示する表示部２３０２ｂとを備えている。本発明により、良好なコントラスト表示が可能なフルカラーの表示部２３０２ａを備えたモバイルコンピュータが実現できる。なお、両面発光パネルは、実施例２によって作製することができる。着色層を一方にしか設けない場合には、図１０（Ｄ）に示すように、もう一方がモノクロ表示となるが、カラーフィルタを設ければ、両方ともフルカラー表示とすることも可能である。

図１１（Ａ）は２２インチ〜５０インチの大画面を有する大型の表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカ部２００４、撮像部２００５、ビデオ入力端子２００６等を含む。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。本発明により、２２インチ〜５０インチの大画面であっても、良好なコントラスト表示が可能なフルカラーの大型表示装置を完成させることができる。

図１１（Ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明により、良好なコントラスト表示が可能なフルカラーのノート型パーソナルコンピュータを完成させることができる。

図１１（Ｃ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読込部２４０５、操作キー２４０６、スピーカ部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示する。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。本発明により、良好なコントラスト表示が可能なフルカラーの画像再生装置を完成させることができる。

また、図１１（Ｄ）は携帯情報端末の斜視図であり、図１１（Ｅ）は折りたたんで携帯電話として使用する状態を示す斜視図である。図１１（Ｄ）において、使用者はキーボードのように右手指で操作キー２７０６ａを操作し、左手指で操作キー２７０６ｂを操作する。本発明により、良好なコントラスト表示が可能なフルカラーの携帯情報端末を完成させることができる。

図１１（Ｅ）に示すように、折りたたんだ場合には、片手で本体２７０１、および筐体２７０２を持ち、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６ｃ、アンテナ２７０８等を使用する。

なお、図１１（Ｄ）および図１１（Ｅ）に示した携帯情報端末は、主に画像および文字を横表示する高画質な表示部２７０３ａと、縦表示する表示部２７０３ｂとを備えている。

以上の様に、本発明を実施の形態、実施例１乃至６のいずれか一の作製方法または構成を用いて、様々な電子機器を完成させることができる。

本発明により、フルカラー表示可能な発光装置における封止基板側の構成が簡略化され、封止基板側の作製工程も簡略化される。また、一対の基板間隔を狭めて、基板間に充填する材料の量を削減することができる。

本発明の発光装置の断面を示す図。 貼り合わせる前の基板状態を示す斜視図。 貼り合わせ装置の断面を示す図。 充填材料を滴下している斜視図。 発光装置の断面構造図。（実施例１、実施例２） 実施例３を示す断面構造図である。 断面工程図を示す図である。（実施例４） 本発明のＥＬ表示パネルに適用できる画素の構成を説明する回路図。（実施例５） ＥＬ表示パネルを示す上面図。（実施例６） 電子機器の一例を示す図。（実施例７） 電子機器の一例を示す図。（実施例７）

符号の説明

３１ 第２基板
３２ シール材
３３ 充填材料
３５ 第１の基板
４０ 第１基板支持台
４１ａ 真空チャンバー上部
４１ｂ 真空チャンバー下部
４２ 第２基板支持台
４８ 下側定盤
１０１ 第１の基板
１０２ 下地絶縁膜
１０３Ｒ ＴＦＴ
１０３Ｇ ＴＦＴ
１０３Ｂ ＴＦＴ
１０５ ゲート絶縁膜
１０６ 層間絶縁膜
１０７ 高耐熱性平坦化膜
１０８ａ 第１の電極
１０８ｂ 第１の電極
１０９ 隔壁（黒色）
１１０ 有機化合物を含む層
１１１ 第２の電極
１１２ 保護膜
１１３ 光触媒機能を有する物質を含む下地層
１１４ 充填材料
１１５Ｒ 着色層
１１５Ｇ 着色層
１１５Ｂ 着色層
１１６ 第２の基板
１２０ チャネル形成領域
１２１ ソース領域またはドレイン領域
１２２ ソース領域またはドレイン領域
１２３ａ ゲート電極
１２３ｂ ゲート電極
１２４ａ ドレイン配線またはソース配線
１２４ｂ ドレイン配線またはソース配線
１２４ｃ ドレイン配線またはソース配線
２０１ 第１の基板
２０２ 画素部
２０３ 光触媒物質形成領域
２０４ 着色層
２０５ シール
２０６ 充填材料
２０９ ＢＭ
２１６ 第２の基板
３００ 第２の基板
３０３ シール
３０４ 撮像手段
３０５ａ ヘッド
３０５ｂ ヘッド
３０７ ステージ
３１１ マーカー
４０１ 第１の基板
４０２Ｒ 着色層
４０２Ｇ 着色層
４０３ 第２の基板
４０４ ＴＦＴ
４０５ 下地層
４１０ 平坦化膜
４１１ 層間絶縁膜
４１２ 反射電極
４１３ 透明電極
４１４ 有機化合物を含む層
４１５ 透明電極
４１６ 透明保護層
４１７ 充填材料
４１９ ＢＭ
５０１ 第１の基板
５０２Ｒ 着色層
５０２Ｇ 着色層
５０３ 第２の基板
５０４ ＴＦＴ
５０５ 下地層
５０６ 光学フィルム
５０７ 光学フィルム
５１０ 平坦化膜
５１１ 層間絶縁膜
５１３ 透明電極
５１４ 有機化合物を含む層
５１５ 透明電極
５１６ 透明保護層
５１７ 充填材料
５１９ ＢＭ
６０１ 基板
６０２ 下地絶縁膜
６０３Ｒ ＴＦＴ
６０３Ｇ ＴＦＴ
６０３Ｂ ＴＦＴ
６０５ 絶縁膜
６０６ チャネル保護膜
６０７ 層間絶縁膜
６０８ａ 第１の電極
６０８ｂ 第１の電極
６０９ 隔壁
６１０ 有機化合物を含む層
６１１ 透明電極
６１２ 透明保護層
６１３ 下地層
６１４ 充填材料
６１５Ｒ 着色層
６１５Ｇ 着色層
６１５Ｂ 着色層
６１６ 第２の基板
６２０ 半導体層
６２１ ソース領域またはドレイン領域
６２２ ソース領域またはドレイン領域
６２３ 導電層
６２４ａ 配線
６２４ｂ 配線
６２４ｃ 配線
７１０ 基板
７１１ 絶縁膜
７１２ 半導体膜
７１３ ニッケル含有層
７１４ａ 第１の半導体膜
７１４ｂ 半導体膜
７１５ 酸化膜
７１６ａ 第２の半導体膜
７１６ｂ 第２の半導体膜
７１７ 半導体層
１２０１ ソース側駆動回路
１２０２ 画素部
１２０３ ゲート側駆動回路
１２０４ 封止基板
１２０５ シール材
１２０７ 接続領域
１２０８ 端子部
１２０９ ＦＰＣ
１２１０ 基板
１３０１ 駆動ＩＣ
１３０２ 画素部
１３０４ 封止基板
１３０５ シール材
１３０７ 接続領域
１３０８ 端子部
１３０９ ＦＰＣ
１３１０ 基板
１４０１ スイッチング用ＴＦＴ
１４０２ 容量素子
１４０３ 駆動用ＴＦＴ
１４０４ 電流制御用ＴＦＴ
１４０５ 発光素子
１４０６ 発光素子
１４１０ 信号線
１４１１ 電源線
１４１２ 電源線
１４１３ 電源線
１４１４ 走査線
１４１５ 走査線
１４４１ スイッチング用ＴＦＴ
１４４２ 容量素子
１４４３ 駆動用ＴＦＴ
１４４４ 発光素子
１４４５ ＴＦＴ
１４５０ 信号線
１４５１ 電源線
１４５２ 電源線
１４５３ 走査線
１４５４ 走査線
２００１ 筐体
２００２ 支持台
２００３ 表示部
２００４ スピーカ部
２００５ 撮像部
２００６ ビデオ入力端子
２１０１ 本体
２１０２ 表示部
２１０３ 撮像部
２１０４ 操作キー
２１０６ シャッター
２２０１ 本体
２２０２ 筐体
２２０３ 表示部
２２０４ キーボード
２２０５ 外部接続ポート
２２０６ ポインティングマウス
２３０１ 本体
２３０２ａ 表示部
２３０２ｂ 表示部
２３０３ スイッチ
２３０４ 操作キー
２３０５ 赤外線ポート
２４０１ 本体
２４０２ 筐体
２４０３ 表示部Ａ
２４０４ 表示部Ｂ
２４０５ 記録媒体読込部
２４０６ 操作キー
２４０７ スピーカ部
２７０１ 本体
２７０２ 筐体
２７０３ａ 表示部
２７０３ｂ 表示部
２７０４ 音声入力部
２７０５ 音声出力部
２７０６ａ 操作キー
２７０６ｂ 操作キー
２７０６ｃ 操作キー
２７０８ アンテナ

Claims (11)

1. 第１の電極と、
   前記第１の電極上に設けられた有機化合物層と、
   前記有機化合物層上に設けられた第２の電極と、
   前記第２の電極上に設けられた無機材料の絶縁膜と、を有し、
   前記第２の電極は透光性を有し、前記無機材料の絶縁膜上には光触媒機能を有する物質を含む保護膜が設けられており、
   前記無機材料の絶縁膜に対向して設けられた基板を有し、
   前記基板と前記光触媒機能を有する物質を含む保護膜との間には、前記光触媒機能を有する物質を含む保護膜に接する充填材料が設けられていることを特徴とする発光装置。
2. 第１の電極と、
   前記第１の電極上に設けられ、前記第１の電極に達する開口部を有する隔壁と、
   前記第１の電極上及び前記隔壁上に設けられた有機化合物層と、
   前記有機化合物層上に設けられた第２の電極と、
   前記第２の電極上に設けられた無機材料の絶縁膜と、
   前記無機材料の絶縁膜に対向して設けられた基板と、
   前記基板に設けられた着色層と、を有し、
   前記第２の電極は透光性を有し、前記無機材料の絶縁膜上には光触媒機能を有する物質を含む保護膜が設けられており、
   前記隔壁は遮光性を有し、
   前記着色層は前記開口部と重なる位置に設けられ、且つ前記着色層の面積は前記開口部の面積よりも大きく、
   前記基板と前記光触媒機能を有する物質を含む保護膜との間には、前記光触媒機能を有する物質を含む保護膜に接する充填材料が設けられていることを特徴とする発光装置。
3. 請求項２において、
   前記第１の電極の下には、層間絶縁膜が設けられており、
   前記層間絶縁膜の下には、スイッチング素子が設けられていることを特徴とする発光装置。
4. 請求項２において、
   前記第１の電極の下には、遮光性を有する層間絶縁膜が設けられており、
   前記層間絶縁膜の下には、スイッチング素子が設けられていることを特徴とする発光装置。
5. 第１の電極と、透光性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟まれた有機化合物層と、を有する発光素子を形成し、
   前記第２の電極上に無機材料の絶縁膜を形成し、
   前記無機材料の絶縁膜上に光触媒機能を有する物質を含む保護膜を形成し、
   前記光触媒機能を有する物質を含む保護膜に光を照射することによって、前記光触媒機能を有する物質を含む保護膜に光触媒活性を生じさせた後、前記光触媒機能を有する物質を含む保護膜上に接して充填材料を設けることを特徴とする発光装置の作製方法。
6. スイッチング素子上に層間絶縁膜を形成し、
   前記層間絶縁膜上に第１の電極を形成し、
   前記第１の電極上に有機化合物層を形成し、
   前記有機化合物層上に透光性を有する第２の電極を形成し、
   前記第２の電極上に無機材料の絶縁膜を形成し、
   前記無機材料の絶縁膜上に光触媒機能を有する物質を含む保護膜を形成し、
   前記光触媒機能を有する物質を含む保護膜に光を照射することによって、前記光触媒機能を有する物質を含む保護膜に光触媒活性を生じさせた後、前記光触媒機能を有する物質を含む保護膜上に接して充填材料を設けることを特徴とする発光装置の作製方法。
7. 請求項５又は請求項６において、
   前記光は、紫外光であることを特徴とする発光装置の作製方法。
8. 第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた有機化合物層と、前記有機化合物層上に設けられた透光性の第２の電極と、前記第２の電極上に設けられた無機材料の絶縁膜と、前記無機材料の絶縁膜上に設けられた光触媒機能を有する物質を含む保護膜と、を有する画素部が複数設けられた第１の基板を形成し、
   前記光触媒機能を有する物質を含む保護膜に光を照射することによって、前記光触媒機能を有する物質を含む保護膜に光触媒活性を生じさせ、
   第２の基板の一方の面に、複数の前記画素部に対応する領域をそれぞれ囲むようにして複数のシールを形成し、
   複数の前記シールに囲まれた領域にそれぞれ複数の充填材料を滴下し、
   複数の前記画素部がそれぞれ複数の前記充填材料と接するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせ、
   前記第１の基板と前記第２の基板とを分断することを特徴とする発光装置の作製方法。
9. 請求項８において、
   前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせは、貼り合わせ装置を用いて行われ、
   前記貼り合わせ装置は、下側定盤と、前記下側定盤に取り付けられた前記第２の基板を設置する第１の支持台と、前記第１の基板を設置する第２の支持台と、を有し、
   前記下側定盤には第１のヒータが内蔵されており、
   前記第２の支持台には第２のヒータが内蔵されており、
   前記貼り合わせ装置を用いて圧力をかけて前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた後に、前記圧力をかけた状態で前記第１のヒータ及び前記第２のヒータを用いて複数の前記シール及び複数の前記充填材料を加熱することを特徴とする発光装置の作製方法。
10. 請求項８又は請求項９において、
    複数の前記充填材料の形成は、液滴吐出装置を用いて行われ、
    前記液滴吐出装置は、１つの前記画素部の幅と同じ幅のヘッドを備えていることを特徴とする発光装置の作製方法。
11. 請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
    複数の前記画素部とそれぞれ対向する位置に複数の着色層が設けられており、
    複数の前記着色層は、前記第２の基板の他方の面に設けられていることを特徴とする発光装置の作製方法。

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