JP4709661B2 - 撮像装置 - Google Patents

Description

本発明は、対物光学系の光軸を光路変換させて受光部に光学像を導くプリズムを備えた撮像装置に関する。

従来より、固体撮像素子を利用して被写体像を電子的に撮像する種々の装置が開発されている。そして、ＣＣＤ（電荷結合素子）を用いた撮像装置は電子式内視鏡装置等にも利用されている。

従来の撮像装置を内視鏡装置に応用したものとして、特開２０００−１２５１６１号公報が開示されている。この撮像装置によれば、内視鏡先端部に設けた対物光学系の光軸をプリズムで略直角に屈曲させ、挿入部の長手方向軸と略平行に配設した固体撮像装置の受光部に光学像を導く構成である。固体撮像装置には電気部品を実装した該固体撮像装置と略平行に配置された回路基板の先端側に固定されている。そして、回路基板の基端側には複数の信号線が接続されている。
特開２０００−１２５１６１号公報

しかしながら、特許文献１に示されている撮像装置では、電子部品を搭載した回路基板の先端側に受光部を有する固体撮像装置を配設し、該回路基板の基端側に信号線を接続する構成であった。このため、回路基板の長さ寸法が長くなることによって、固体撮像装置の硬質長が長くなるという不具合が生じる。この不具合を解消する目的で、固体撮像装置にフレキシブル基板を接続し、該フレキシブル基板を折り曲げてプリズムの背面に引き回す技術もある。しかし、この技術では組立作業が煩雑であるとともに、撮像装置の外形形状を安定して確保することが難しいという課題があった
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、組立作業性、及び信頼性に優れ、小型化、及び短縮化を図った撮像装置を提供することを目的にしている。

本発明の撮像装置は、入射面側に配置された対物光学系の光軸を、出射面側に配置されたイメージセンサの受光部に導くように光路変化するプリズムと、このプリズムより基端側に積層実装され、前記イメージセンサと電気的に接続される、大きさが異なる複数の基板であって、積層実装される前記複数の基板において、上層側に配置される基板の長さ寸法を、下層側に配置される基板の長さ寸法より長く設定するとともに、積層実装される前記複数の基板のプリズム側端面を、前記プリズムの斜面に沿わせて配置した複数の基板と、これら複数の基板のうちいずれかの回路基板に接続される信号ケーブルと、前記プリズムの斜面と前記複数の基板とを固定する接着固定部と、を具備している。

この構成によれば、プリズム基端側に構成される空間に、複数の回路基板を積層実装した状態で配置させられる。

本発明によれば、組立作業性、及び信頼性に優れ、硬質長が短く、かつ小型の撮像装置を実現できる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１ないし図５は本発明の一実施形態に係り、図１は内視鏡の先端部に配設された撮像装置の構成を説明する図、図２は中継基板の構成を説明する斜視図、図３は実装基板の構成を説明する斜視図、図４は撮像装置の他の構成例を説明する図、図５は撮像装置の別の構成例を説明する図である。

図１に示すように内視鏡１の挿入部２を構成する先端部１０は、先端硬性部１１と先端部カバー部１２とを備えて構成されている。先端硬性部１１は硬質部材で構成されている。先端部カバー部１２は例えば樹脂製であって、先端硬性部１１の先端側に接着等によって一体に設けられる。先端部カバー部１２は、先端硬性部１１が体腔壁等に直接的に接触することを防止する保護部材である。先端硬性部１１、及び先端部カバー部１２には、それぞれ貫通孔である撮像用孔２１、照明用孔２２、処置具チャンネル用孔２３が挿入部長手軸方向に対して平行に設けられている。

なお、先端硬性部１１の基端側には挿入部２の湾曲部１３を構成する先端湾曲駒１４が固設されている。また、先端部カバー部１２の基端側には、先端硬性部１１、先端湾曲駒１４、及びこの先端湾曲駒１４に連設する複数の湾曲駒（不図示）を覆う湾曲ゴム１５が設けられている。湾曲部１３の基端側には挿入部２を構成する可撓管部（不図示）が連設されている。

先端硬性部１１に形成されている処置具チャンネル用孔２３には例えば金属製でパイプ状の口金２４が挿入固定されている。口金２４の基端部は先端硬性部１１の基端面から所定量突出している。口金２４の基端部には処置具挿通用チャンネルを構成する可撓性を有する例えば樹脂製のチャンネルチューブ２５が連結されている。チャンネルチューブ２５は挿入部２内を挿通して図示しない操作部側に延出され、その基端部は操作部（不図示）に設けられている処置具挿入口に連通している。したがって、処置具挿入口から挿入された鉗子等の処置具は、チャンネルチューブ２５、口金２４、処置具チャンネル用孔２３を通過して先端部１０より突出する。

先端硬性部１１に形成されている照明用孔２２は、凹部２２ａとこの凹部２２ａに連通する連通孔２２ｂとで構成されている。凹部２２ａには照明光学部３１が設けられ、連通孔２２ｂは凹部２２ａより細径で、ライトガイドファイバ３２の先端部が配設される。

照明光学部３１は、照明レンズ枠３３と、この照明レンズ枠３３内に配置される複数の光学レンズ３４等で構成されている。ライトガイドファイバ３２の先端面は、照明光学部３１の基端側に配置されている光学レンズ３４の基端面に臨まれている。ライトガイドファイバ３２の基端部は、挿入部２内を挿通して図示しない操作部から延出しているユニバーサルコード（不図示）の基端部に設けられている、図示しない光源装置に着脱自在に接続される内視鏡コネクタに配設されている。したがって、光源装置に設けられている図示しない照明ランプの照明光は、ライトガイドファイバ３２を伝送されて、照明光学部３１の先端側から外部に向けて出射される。

先端硬性部１１に形成されている撮像用孔２１は、凹部２１ａと例えば段付き形状の取り付け孔２１ｂとで構成されている。撮像用孔２１には撮像装置４０が配設される。撮像装置４０は、対物光学系である対物光学部４１と、プリズム４２と、イメージセンサであるＣＭＯＳイメージセンサ（以下、ＣＭＯＳと略記する）４３と、複数の基板５１、５２、５３、６１、６２、７１と、複数の信号線８１、８２、８３、８４、…を有する信号ケーブル８０とで主に構成されている。

対物光学部４１は、対物レンズ枠４４と、この対物レンズ枠４４内に配設される複数の光学レンズ４５とで構成されている。対物光学部４１の光軸は挿入部長手軸方向と略平行である。対物レンズ枠４４の先端側は取り付け孔２１ｂに一体的に固定されている。対物レンズ枠４４の基端側は凹部２１ａ内に遊嵌状態で配置される。

プリズム４２は光軸を略直角に光路変換する。プリズム４２の入射面４２ａ側には対物光学部４１の基端側に配置された芯出しレンズ４５ａが配設される。一方、プリズム４２の出射面４２ｂ側にはカバーガラス４６が配設される。この構成によれば、対物光学部４１を通過して入射面４２ａからプリズム４２に入射した光学像は、該プリズム４２内で略直角に光路変換されて出射面４２ｂから出射する。

ＣＭＯＳ４３は長方形状の１つのシリコンチップである。ＣＭＯＳ４３の一面である表面先端側に、受光部であるイメージエリア部４３ａが備えられ、表面基端側にＰＧＡ、Ａ／Ｄ変換回路等の回路部４３ｂが備えられている。ＣＭＯＳ４３は、イメージエリア部４３ａが対物光学部４１の光軸に平行になるように配設される。カバーガラス４６は、イメージエリア部４３ａを完全に覆うように例えばＵＶ硬化型接着剤で固定される。また、ＣＭＯＳ４３の表面側であって回路部４３ｂの周囲には、図示しない複数の電極が該回路部４３ｂを取り囲むように設けられている。

複数の基板５１、５２、５３、６１、６２、７１は長方形形状、或いは正方形形状である。本実施形態においては、第１の中継基板５１、第２の中継基板５２、及び第３の中継基板５３と、第１の実装基板６１、及び第２の実装基板６２と、ケーブル接続基板７１とを備えている。第１の実装基板６１、及び第２の実装基板６２は映像処理専用ＤＳＰを構成する。

これら複数の基板５１、５２、５３、６１、６２、７１は、ＣＭＯＳ４３の表面側であって回路部４３ｂ上に、第１の中継基板５１、第１の実装基板６１、第２の中継基板５２、第２の実装基板６２、第３の中継基板５３、ケーブル接続基板７１の順で、ＣＭＯＳ４３の表面に略平行で積層実装される。この構成において、信号線８１等が接続されるケーブル接続基板７１は、ＣＭＯＳ４３から最も離れた位置である最上層に配置される。

ＣＭＯＳ４３の表面側に積層実装される基板５１、５２、５３、６１、６２、７１は、該基板５１、５２、５３、６１、６２、７１の基端面の位置を一致させるとともに、ＣＭＯＳ４３の基端面に一致させて配置される。そして、ケーブル接続基板７１の長さ寸法、即ち挿入部長手軸方向の長さ寸法は、ケーブル接続基板７１の先端面がプリズム４２の斜面４２ｃ近傍に配置されるように、所定寸法Ｌに設定されている。

また、第３の中継基板５３と第２の実装基板６２とは同寸法である。その長さ寸法は、第２の実装基板６２の先端面がプリズム４２の斜面４２ｃ近傍に配置されるように、ケーブル接続基板７１よりａ寸法だけ短い（Ｌ−ａ）に設定されている。第２の中継基板５２と第１の実装基板６１とは同寸法である。その長さ寸法は、第１の実装基板６１の先端面がプリズム４２の斜面４２ｃ近傍に配置されるように、第３の中継基板５３よりｂ寸法だけ短い（Ｌ−ａ−ｂ）に設定されている。さらに、第１の中継基板５１の長さ寸法は、第２の中継基板５２及び第１の実装基板６１よりｃ寸法だけ短い（Ｌ−ａ−ｂ−ｃ）に設定されている。第１の中継基板５１の先端面は、プリズム４２の基端側に位置している。

図２を参照して中継基板の構成を説明する。なお、中継基板５１、５２、５３においては、それぞれ外形の大きさ、角孔の大きさ、スルーホールの数、及びスルーホールの位置は異なるが構成は同様である。そのため、図２に示す第３の中継基板５３で中継基板の構成について説明する。

図に示す第３の中継基板５３は例えばセラミック製で、中央部には所定の大きさに設定された角孔５３ａを備えている。そして、図１に示すように第１の中継基板５１は角孔５１ａを備え、第２の中継基板５２は角孔５２ａを備えている。角孔５１ａ、５２ａ、５３ａ内に、電子部品５５，５６等が配置されるように構成されている。

角孔５３ａの周囲には、表面側に配置されるケーブル接続基板７１と、裏面側に配置される第２の実装基板６２とそれぞれ電気的に接続される複数の貫通電極５４が設けられている。貫通電極５４は、スルーホール５４ａと、このスルーホール５４ａに充填される導電体５４ｂとで構成される。

それぞれの中継基板５１、５２、５３に設けられる貫通電極５４において、基端側に設ける貫通電極５４の数を、先端側であるプリズム側に設ける貫通電極５４の数より多く設けている。このことによって、積層実装時において、基板基端側の積層実装状態が安定する。

なお、第２の中継基板５２には、表面側に配置される第２実装基板６２と裏面側に配置される第１実装基板６１とを電気的に接続する貫通電極５４が設けられている。また、第１の中継基板５１には、表面側に配置される第１の実装基板６１と、裏面側に配置されるＣＭＯＳ４３とを電気的に接続する貫通電極５４が設けられている。

中継基板５１、５２、５３は、ＣＭＯＳ４３と第１の実装基板６１、第１の実装基板６１と第２の実装基板６２、及び第２の実装基板６２とケーブル接続基板７１とを電気的に接続する機能とともに、ＣＭＯＳ４３と第１の実装基板６１との間隔、第１の実装基板６１と第２の実装基板６２との間隔、及び第２の実装基板６２とケーブル接続基板７１との間隔をそれぞれ所定間隔に設定して、電子部品５５、５６等の搭載を可能にするスペーサーの機能を備えている。

図３を参照して実装基板の構成を説明する。なお、実装基板６１、６２においては、それぞれ外形の大きさ、搭載される電子部品の種類及び数、電極の数及び位置は異なるが構成は同様である。そのため、図３に示す第２の実装基板６２で実装基板の構成について説明する。

図に示す第２の実装基板６２は例えばセラミック製で、基板中央にセラミックコンデンサや、トランジスタ等の電子部品５５、５６が搭載される。第２の実装基板６２の表面側には複数の表面電極５７、実装バッド（不図示）及び配線パターン（不図示）が設けられ、裏面側（不図示）には複数の裏面電極（不図示）及び配線パターン（不図示）が設けられている。第２の実装基板６２の表面側に設けられた表面電極５７の位置は、この実装基板６２に積層される第３の中継基板５３に設けられている貫通電極５４の位置に対応している。つまり、第２の実装基板６２の表面側に第３の中継基板５３を積層実装した状態において、角孔５３ａ内に電子部品５５、５６が配置され、貫通電極５４と表面電極５７とが電気的な導通状態になる。

これに対して、第２の実装基板６２の図示しない裏面側に設けられる裏面電極の位置は、表面側に設けられた表面電極５７の位置とは異なる位置である。具体的には、実装基板６２の裏面側に設けられる複数の裏面電極の位置は、第２の中継基板５２に設けられている貫通電極５４の位置に対応している。

なお、図１に示すように第１の実装基板６１においては、表面側、及び裏面側にそれぞれ電子部品５５、５６が搭載されている。そして、第１の実装基板６１の表面側に設けられる表面電極（不図示）の位置は、第２の中継基板５２に設けられている貫通電極５４の位置に対応している。これに対して、第１の実装基板６１の裏面側に設けられる裏面電極（不図示）の位置は、表面電極とは異なる位置であって、第１の中継基板５１に設けられている貫通電極５４の位置に対応している。

したがって、第１の実装基板６１の表面側に第２の中継基板５２を積層実装した状態において、角孔５２ａ内には電子部品５５が配置され、貫通電極５４と表面電極とが電気的に導通した状態になる。一方、第１の中継基板５１の表面側に第１の実装基板６１を積層実装した状態において、角孔５１ａ内に電子部品５６が配置され、貫通電極５４と裏面電極とが電気的に導通した状態になる。第１の中継基板５１に設けられている貫通電極５４は、該第１の中継基板５１をＣＭＯＳ４３に積層実装した状態において、回路部４３ｂの周辺に設けられた電極と電気的導通状態になる。

図示は省略するがケーブル接続基板７１の表面には、信号ケーブル８０を構成する信号線８１、８２、８３、８４がそれぞれ配置接続される、信号線接続パッドが設けられている。一方、ケーブル接続基板７１の裏面には第３の中継基板５３の貫通電極５４に対応する位置に裏面電極が設けられている。信号線接続パッドと裏面電極とは図示しない貫通電極、又は配線パターンを介して電気的に接続されている。

さらに、複数の信号線８１、８２、８３、８４は同軸線、又は単純線であり、信号ケーブル８０は同軸線、又は単純線を撚り束ねて絶縁チューブで一纏めに構成される。撮像装置４０から延出された信号ケーブル８０は挿入部２内を挿通して図示しない操作部側に延出され、その基端部は表示部を備えた観察装置（不図示）に着脱自在に接続される映像コネクタ（不図示）に配設される。したがって、観察装置から信号線を介して撮像装置４０への電力の供給が行われる一方、撮像装置４０から信号線を介して出力された映像信号か観察装置に入力されることによって該観察装置の表示部に内視鏡画像が表示される。

ここで、撮像装置４０の組立手順を説明する。

まず、撮像装置４０を組み立てるに当たって、対物光学部４１と、プリズム４２と、ＣＭＯＳ４３とを用意する。対物光学部４１においては芯出しレンズ４５ａ以外の複数の光学レンズ４５が配設されている。ＣＭＯＳ４３は、該ＣＭＯＳ４３のイメージエリア部４３ａが予めカバーガラス４６で塞がれ、回路部４３ｂ上には予め基板５１、６１、５２、６２、５３、７１が積層実装されている。

次に、プリズム４２の出射面４２ｂ側をカバーガラス４６に例えばＵＶ硬化型接着剤を用いて接着固定する。その際、プリズム４２の側面を保持した状態で、出射面４２ｂをＣＭＯＳ４３の先端側からカバーガラス４６上に配置して、イメージエリア部４３ａに対する芯出しを行う。

次いで、ＣＭＯＳ４３に固定されたプリズム４２の入射面４２ａ側の所定位置に芯出しレンズ４５ａを芯出しして接着固定する。その後、この芯出しレンズ４５ａを対物レンズ枠４４に接着固定する。このことによって、プリズム４２に対して対物光学部４１が一体に取り付けられた状態になる。

次に、ケーブル接続基板７１の表面に設けられている信号線接続パッドに信号ケーブル８０の信号線８１、８２、８３、８４を配置し、半田付け固定する。その後、プリズム４２の基端側に位置する斜面４２ｃと、第１の中継基板５１、第１の実装基板６１、第２の中継基板５２、第２の実装基板６２、第３の中継基板５３、及びケーブル接続基板７１の先端面との間に接着剤８５を流し込む。このことによって、プリズム４２と、第１の中継基板５１、第１の実装基板６１、第２の中継基板５２、第２の実装基板６２、第３の中継基板５３、及びケーブル接続基板７１とが一体固定される。

その後、対物レンズ枠４４の基端部にシールド枠９６を接合し、シールド枠９６の内部に絶縁性の充填剤９７を封止する。また、シールド枠９６を絶縁カバー９８で被覆する。このとき、絶縁カバー９８の先端側は対物レンズ枠４４に配置され、基端側は信号ケーブル８０の絶縁チューブ表面に配置される。

このように、電子部品を実装した複数の基板をプリズムの基端側に積層して配設することによって、高密度実装を実現して、撮像装置の硬質長の短縮を図ることができる。加えて、各基板の基端面を揃えることによって、硬質長が長くなることを防止することができる。さらに、実装基板の先端面をプリズムの斜面に沿わせて配設することにより、上方に積層される実装基板の実装面積を大きくして実装密度の向上を図ることができる。

また、積層実装される回路基板に発熱する電子部品を搭載することによって、イメージセンサと発熱する電子部品を搭載した回路基板とを離間させて、イメージセンサの過度の温度上昇を抑制することができる。

さらに、プリズムの背面と積層された基板の先端面とを一体的に接着固定することによって、機械的強度を強固に安定させることができる。

また、信号ケーブルの信号線が接続される接続面を、実装面積が一番大きく、かつイメージセンサから最も離間した最上層の基板にしている。このことにより、半田作業性の向上を図ることができるとともに、半田接合の際の熱がイメージセンサに伝達されることをより確実に防止して、撮像装置の信頼性の向上を図ることができる。

なお、撮像装置は電子内視鏡に配設されるものに限定されるものではなく、該撮像装置を例えば光学式の内視鏡の接眼部に接続されるカメラ等に設けるようにしてもよい。

図４を参照して撮像装置の他の構成例を説明する。
図に示すように本実施形態の撮像装置４０Ａは、図示しない前記対物光学部４１と、プリズム４２と、ＣＣＤ４３Ａと、ＣＣＤ固定基板４７と、複数の実装基板６３、６４と、複数の信号線８５、８６、８７、…を有する信号ケーブル８０Ａとで主に構成されている。なお、符号４３ｃは撮像面であり、符号４６Ａはカバーガラスである。カバーガラス４６Ａは、撮像面４３ｃを完全に覆うように例えばＵＶ硬化型接着剤で固定される。

ＣＣＤ固定基板４７はセラミック製で略逆Ｌ字形状に形成され、薄板状のセンサ固定部４７ａと角柱状の実装基板接続部４７ｂとを備える。実装基板接続部４７ｂは、センサ固定部４７ａの表面より所定量、突出して構成されている。実装基板接続部４７ｂの表面とはセンサ固定部４７ａの表面とは略平行である。

ＣＣＤ４３ＡはＣＣＤ固定基板４７を構成するセンサ固定部４７ａの表面側所定位置に載置される。そして、ＣＣＤ４３Ａに設けられている電極（不図示）は、ボンディングワイヤ４８を介してセンサ固定部４７ａの表面に設けられている電極（不図示）と電気的に接続される。また、ボンディングワイヤ４８周りは、封止樹脂４９ａによって封止固定される。

ＣＣＤ４３Ａの撮像面４３ｃを覆うカバーガラス４６Ａ上にはプリズム４２の出射面４２ｂが芯出しされた状態でＵＶ硬化型接着剤によって接着固定される。このことによって、実装基板接続部４７ｂがプリズム４２の基端側に位置する状態になる。

第１の実装基板６３、第２の実装基板６４には電子部品５５、５６がそれぞれ実装されている。実装基板接続部４７ｂの長手軸方向の長さ寸法、第１の実装基板６３の長さ寸法、第２の実装基板６４の長さ寸法は、実装基板接続部４７ｂ、第１の実装基板６３、第２の実装基板６４の順で長く設定されている。

実装基板接続部４７ｂの表面側には例えばバンプ５０を介して第１実装基板６３が実装される。また、この第１実装基板６３の表面側にはバンプ５０を介して第２実装基板６４が実装される。そして、バンプ５０による接続部分には封止樹脂４９ｂが充填される。

実装基板接続部４７ｂ上に積層実装される第１の実装基板６３の基端面の位置と第２の実装基板６４の基端面の位置とは一致している。また、これらの基板６３、６４の基端面は実装基板接続部４７ｂの基端面に一致している。したがって、第１の実装基板６３の先端面と、第２の実装基板６４の先端面とがプリズム４２の斜面に略沿って配設される。

第１の実装基板６３に搭載される電子部品５５は例えば、裏面であってプリズム４２の斜面と実装基板接続部４７ｂの先端側面との間に配置されている。これに対して、第２の実装基板６４に搭載される電子部品５６は例えば、表面側のプリズム４２側に配置させている。また、第２の実装基板６４の表面側の基端部に信号線接続パッド（不図示）を設けている。そして、信号ケーブル８０Ａの信号線８５、８６、８７は、第２の実装基板６４の表面側基端部に半田付け固定される。

なお、本実施形態においても、プリズム４２の基端側に位置する斜面４２ｃと、第１の実装基板６３の先端面、第２の実装基板６４の先端面、及び実装基板接続部４７ｂの先端側面との間に接着剤８５を流し込んで、プリズム４２と、第１の実装基板６３、第２の実装基板６４、及び実装基板接続部４７ｂとを一体固定している。また、実装基板６３、６４には図示しない配線パターン、或いは接続パッド部等が設けられている。

この構成によれば、実装基板接続部の突出高さ寸法を適宜設定することにより、該実装基板接続部上に積層実装される実装基板の配置位置をセンサ固定部の表面から所定距離離間させることができる。このことによって、実装基板の実装面積が大きくなるように突出高さを設定することによって、少ない実装基板の組み合わせで撮像装置を構成することができる。その他の作用、及び効果は上述した実施形態と同様である。

図５を参照して撮像装置の別の構成例を説明する。
図に示すように本実施形態の撮像装置４０Ｂは図示しない前記対物光学部４１と、プリズム４２と、ＣＣＤ４３Ｂと、ハイブリット基板９０と、ケーブル接続基板９３と、複数の信号線８５、８６、８７、…を有する信号ケーブル８０Ａとで主に構成されている。なお、符号４３ｄは撮像面であり、符号４６Ｂはカバーガラスである。

ハイブリット基板９０は、フレキシブル基板９１と硬質基板９２とで構成されている。硬質基板９２はセラミック製であり、断面形状が略Ｌ字形状で凸部９２ａを有する角柱形状で形成されている。

フレキシブル基板９１の先端側には開口部９１ａが形成されている。フレキシブル基板９１はＣＣＤ４３Ｂと電気的に接続される。その接続状態において、開口部９１ａは撮像面４３ｄ上に配置される。このことによって、撮像面４３ｄがフレキシブル基板９１によって塞がれることなく露出状態になる。

カバーガラス４６Ｂは、開口部９１ａを完全に覆うようにフレキシブル基板９１の表面側に接着固定される。すると、撮像面４３ｄがカバーガラス４６Ｂで完全に覆われた状態になる。ＣＣＤ４３Ｂの撮像面４３ｃを覆うようにフレキシブル基板９１に固定されたカバーガラス４６Ｂ上にはプリズム４２の出射面４２ｂが芯出しされた状態で接着固定される。このことによって、硬質基板９２がプリズム４２の基端側に位置する状態になるとともに、硬質基板９２の凸部９２ａの先端面が斜面４２ｃ近傍に配置された状態になる。

ケーブル接続基板９３は、硬質基板９２の上面にバンプ５０を介して積層実装される。そして、バンプ５０による接続部分には封止樹脂９４が充填される。ケーブル接続基板９３の基端面と、硬質基板９２の基端側面とは一致している。ケーブル接続基板９３の先端面はプリズム４２の斜面４２ｃ近傍に配置されている。そして、本実施形態においても、プリズム４２の基端側に位置する斜面４２ｃと、ケーブル接続基板９３の先端面、硬質基板９２の凸部９２ａの先端側面、及び硬質基板９２の先端側面との間に接着剤８５を流し込んで、プリズム４２と、ケーブル接続基板９３、及び硬質基板９２とを一体的に固定して、フレキシブル基板９２を長手方向軸と略平行に配置させている。なお、フレキシブル基板９１、又は硬質基板９２には電子部品が実装されている。また、硬質基板９２には図示しない配線パターンが設けられている。
この構成によれば、上述した実施形態と同様の作用、及び効果を得ることができる。

尚、本発明は、以上述べた実施形態のみに限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能である。

内視鏡の先端部に配設された撮像装置の構成を説明する図 中継基板の構成を説明する斜視図 実装基板の構成を説明する斜視図 撮像装置の他の構成例を説明する図 撮像装置の別の構成例を説明する図

符号の説明

１…内視鏡 ２…挿入部 １０…先端部 ４０…撮像装置 ４１…対物光学部 ４２…プリズム ４３…ＣＭＯＳ ４３ａ…イメージエリア部 ４３ｂ…回路部 ４４…レンズ枠 ４５…光学レンズ ４６…カバーガラス ５１…第１の中継基板５２…第２の中継基板 ５３…第３の中継基板 ５５…電子部品 ５６…電子部品 ６１…第１の実装基板 ６２…第２の実装基板 ７１…ケーブル接続基板
８０…信号ケーブル

Claims (5)

1. 入射面側に配置された対物光学系の光軸を、出射面側に配置されたイメージセンサの受光部に導くように光路変化するプリズムと、
   このプリズムより基端側に積層実装され、前記イメージセンサと電気的に接続される、大きさが異なる複数の基板であって、積層実装される前記複数の基板において、上層側に配置される基板の長さ寸法を、下層側に配置される基板の長さ寸法より長く設定するとともに、積層実装される前記複数の基板のプリズム側端面を、前記プリズムの斜面に沿わせて配置した複数の基板と、
   これら複数の基板のうちいずれかの回路基板に接続される信号ケーブルと、
   前記プリズムの斜面と前記複数の基板とを固定する接着固定部と、
   を具備することを特徴とする撮像装置。
2. 前記イメージセンサは、１つのシリコンチップ上に前記受光部であるイメージエリア部と回路部とを備え、この回路部に対して前記複数の基板を積層実装することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
3. 前記イメージセンサと、積層実装される前記複数の基板とを、別の基板を介して接続することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
4. 積層実装される前記複数の基板のそれぞれの基端側端面を、一致させて積層実装することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置。
5. 積層実装される前記複数の基板において、最上層に配置される回路基板に前記信号ケーブルを接続することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の撮像装置。

Images