JP4670236B2 - Display device and driving method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、表示装置およびその駆動方法に関し、特に表示エレメントとして自発光型の素子(以下、「自発光素子」と呼ぶ)を含む画素が行列状に配置されてなるアクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法に関する。 The present invention relates to a display device and a driving method thereof, and in particular, an active matrix display device in which pixels including self-luminous elements (hereinafter referred to as “self-luminous elements”) as display elements are arranged in a matrix, and the same The present invention relates to a driving method.
自発光素子として、例えば、有機薄膜に電界をかけると当該有機薄膜が発光する現象を利用した有機EL(electroluminescence) 素子がある。この有機EL素子を画素の表示エレメントとして用いてなる有機EL表示装置は、当該有機EL素子が10V以下の低い駆動電圧で数100nitの輝度を得ることができるため低消費電力であり、また自発光型の素子であるため液晶表示装置では必須な照明装置を必要とせず、軽量化および薄型化が容易であり、さらには有機EL素子の応答速度が数μs程度と非常に高速であるため、液晶表示装置に代表されるホールド型表示装置に比べて動画表示時に残像の問題が発生しなく、表示性能に優れている等の特長を持っている。 As a self-luminous element, there is, for example, an organic EL (electroluminescence) element that utilizes a phenomenon in which an organic thin film emits light when an electric field is applied. An organic EL display device using this organic EL element as a display element of a pixel has low power consumption because the organic EL element can obtain a luminance of several hundred nits with a driving voltage as low as 10 V or less, and is self-luminous. The liquid crystal display device does not require an illuminating device that is essential for the liquid crystal display device, can be easily reduced in weight and thickness, and the response speed of the organic EL element is as high as about several μs. Compared to a hold-type display device typified by a display device, there is a problem that an afterimage problem does not occur when displaying a moving image, and the display performance is excellent.
このように、低消費電力で、軽量化および薄型化が容易であり、動画表示時の表示性能に優れている等の特長を持つ有機EL表示装置は、近年、特に低消費電力化、軽量化および薄型化が要求される携帯電話や携帯情報端末(PDA;Personal Digital Assistants)に代表される携帯端末装置の表示装置として用いて好適なフラットパネルディスプレイとして有望視されている。この有機EL表示装置の中でも、とりわけ、画素の駆動素子として、多結晶シリコンを活性層とする薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)を用いたアクティブマトリクス型有機EL表示装置の開発が盛んである。 Thus, in recent years, organic EL display devices with features such as low power consumption, easy weight reduction and thinning, and excellent display performance when displaying moving images have been particularly reduced in power consumption and weight. In addition, it is promising as a flat panel display suitable for use as a display device of a mobile terminal device represented by a mobile phone or a personal digital assistant (PDA) that is required to be thin. Among these organic EL display devices, in particular, active matrix organic EL display devices using a thin film transistor (TFT) having polycrystalline silicon as an active layer are actively developed as pixel drive elements.
一方、モバイル機器では、一般に、抵抗薄膜を用いた接触型タッチパネルが座標検出装置として用いられ、情報入力の手段として広く使用されている(例えば、非特許文献1参照)。 On the other hand, in a mobile device, a contact-type touch panel using a resistive thin film is generally used as a coordinate detection device, and is widely used as an information input means (for example, see Non-Patent Document 1).
しかしながら、接触型タッチパネルでは、接触点における電位変化を検出する方式であるため、2点以上の接触点を検出することは不可能である。また、表示面上にタッチパネルを配置する構成を採らざるを得ないため、必然的に機器の厚さの増大および表示部の発光輝度の低下を招くという課題がある。 However, since the contact-type touch panel is a method for detecting a potential change at a contact point, it is impossible to detect two or more contact points. In addition, since a configuration in which a touch panel is disposed on the display surface is unavoidable, there is a problem that the thickness of the device is inevitably increased and the light emission luminance of the display unit is decreased.
また、近年、CCDセンサあるいはCMOSセンサを搭載し、カメラ機能を備えた携帯電話が広く普及しており、さらに個人認証用に指紋センサを内蔵する携帯電話も登場してきている。しかしながら、これらセンサは画像表示部とは一体となっていないため、機器の実装密度の増加を招くという課題がある。 In recent years, mobile phones equipped with a CCD sensor or CMOS sensor and equipped with a camera function have been widely used, and mobile phones with a built-in fingerprint sensor for personal authentication have also appeared. However, since these sensors are not integrated with the image display unit, there is a problem that the mounting density of the device is increased.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、機器の厚さを厚くしたり、表示部の発光輝度を低下させたりすることなく、画像情報の取り込みが可能な表示装置およびその駆動方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and the object of the present invention is to capture image information without increasing the thickness of the device or reducing the light emission luminance of the display unit. An object of the present invention is to provide a display device and a driving method thereof.
上記目的を達成するために、本発明では、発光回路と受光回路を含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部を有し、前記画素アレイ部の各画素の前記発光回路に対して行単位で発光制御を行うとともに、前記画素アレイ部の各画素の前記受光回路に対して行単位で受光制御を行う表示装置において、前記画素アレイ部の各画素に対して列単位で配線された受光信号線の各々を通して前記受光回路から出力される受光信号をデジタル信号に変換して出力するようにする。 In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a pixel array unit in which pixels including a light emitting circuit and a light receiving circuit are arranged in a matrix, and each pixel in the pixel array unit is connected to the light emitting circuit. In a display device that performs light emission control in units and performs light reception control in row units for the light receiving circuit of each pixel in the pixel array unit, light reception wired in columns for each pixel in the pixel array unit The light receiving signal output from the light receiving circuit through each of the signal lines is converted into a digital signal and output.
画素アレイ部の各画素は、発光回路と受光回路を含むことで、本来の発光機能(表示機能)を持つことに加えて受光機能をも持つ。そして、各画素の受光回路から受光信号線に出力される受光信号をデジタル信号に変換して外部に出力することで、表示装置外部にCCDセンサやCMOSセンサを設けなくても画素アレイ部から画像情報を取り込んでデジタルデータで出力したり、タッチパネルを設けなくても画素アレイ部から座標情報を取り込んでデジタルデータで出力したりすることができる。 Each pixel of the pixel array section includes a light emitting circuit and a light receiving circuit, and thus has a light receiving function in addition to an original light emitting function (display function). Then, the light receiving signal output from the light receiving circuit of each pixel to the light receiving signal line is converted into a digital signal and output to the outside, so that an image from the pixel array unit can be obtained without providing a CCD sensor or a CMOS sensor outside the display device. Information can be captured and output as digital data, or coordinate information can be captured from the pixel array portion and output as digital data without providing a touch panel.
本発明によれば、CCDセンサやCMOSセンサを設けたり、タッチパネルを設けたりしなくても、画像情報を取り込むことができるとともに、取り込んだ画像情報をデジタルデータで出力することができるため、機器の厚さを厚くしたり、表示部の発光輝度を低下させたりすることなく、低コストにてシステムを構成できる。 According to the present invention, image information can be captured without providing a CCD sensor or a CMOS sensor or a touch panel, and the captured image information can be output as digital data. A system can be configured at low cost without increasing the thickness or reducing the light emission luminance of the display unit.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明の一実施形態に係る表示装置、例えば表示エレメントとして自発光素子である有機EL素子を含む画素が行列状に配置されてなるアクティブマトリクス型有機EL表示装置の構成の概略を示すブロック図である。 FIG. 1 shows an outline of the configuration of a display device according to an embodiment of the present invention, for example, an active matrix organic EL display device in which pixels including organic EL elements that are self-luminous elements as display elements are arranged in a matrix. FIG.
図1から明らかなように、本実施形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置10は、発光回路および受光回路(共に図示せず)を含む多数の画素11が行列状に配置されてなる画素アレイ部(表示エリア部)12を有するとともに、その周辺駆動回路として発光制御部13、受光制御部14およびA/D(アナログ−デジタル)変換部15を少なくとも有し、例えばA/D変換部15を含む周辺駆動回路が画素アレイ部12と同じ基板(図示せず)上に一体形成された構成となっている。
As is apparent from FIG. 1, the active matrix organic
画素アレイ部12には、m行n列の画素11の配列に対して行ごとに発光制御線群16−1〜16−mおよび発光制御線群17−1〜17−mが配線されるとともに、列ごとに映像信号線18−1〜18−nおよび受光信号線19−1〜19−nが配線されている。発光制御線群16−1〜16−mの各々は、後述するように、例えば第1,第2の発光制御線16A,16Bからなり、各一端が発光制御部13に接続されている。発光制御線群17−1〜17−mも、後述するように、例えば第1,第2の受光制御線17A,17Bからなり、各一端が受光制御部14に接続されている。
The pixel array section 12 is provided with light emission control line groups 16-1 to 16-m and light emission control line groups 17-1 to 17-m for each row with respect to the arrangement of the pixels 11 in m rows and n columns. The video signal lines 18-1 to 18-n and the light receiving signal lines 19-1 to 19-n are wired for each column. As will be described later, each of the light emission control line groups 16-1 to 16-m includes, for example, first and second light
発光制御部13は、主にシフトレジスタによって構成され、発光期間において第1の発光制御線16A−1〜16A−mを所定の走査サイクルにて順に走査しつつ駆動することにより、発光駆動すべき画素11を行単位で順次選択する。この発光制御部13によって選択された行の各画素11には、映像信号発生回路(図示せず)から映像信号線18−1〜18−nを通して映像信号が供給される。
The light
受光制御部14は、主にシフトレジスタによって構成され、撮像期間において第1の受光制御線17A−1〜17A−mを所定の走査サイクルにて順に走査しつつ駆動することにより、受光駆動すべき画素11を行単位で順次選択する。この受光制御部14によって選択された行の各画素11からは受光信号が出力される。この受光信号は、受光信号線19−1〜19−nを通して画素アレイ部12の外に出力される。
The light
A/D変換部15は、受光信号線19−1〜19−nの各一端に接続されたn個のA/D変換回路15−1〜15−nによって構成され、選択行の各画素11から受光信号線19−1〜19−nを通して供給されるアナログ受光信号をデジタル受光信号#1〜#nに変換して出力する。
The A /
(画素回路)
図2は、画素11の回路構成の一例を示す回路図である。本例に係る画素回路20は、自発光素子である有機EL素子21を含む発光回路22および受光回路23を有する構成となっている。本例に係る画素回路20では、発光素子である有機EL素子21が、逆バイアス状態では受光素子として機能することに着目し、当該有機EL素子21を受光回路23の受光素子として兼用するようにしている。
(Pixel circuit)
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a circuit configuration of the pixel 11. The
発光回路22は、有機EL素子21に加えて、駆動素子として薄膜トランジスタ221〜224、さらに保持容量225を有する構成となっている。因みに、薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と記す)は、多結晶シリコンを活性層としており、駆動能力の高さから画素ごとの素子サイズを小さく形成できるため、有機EL表示装置の高精細化に有利である。
In addition to the
有機EL素子21はカソードが例えばグランドに接続されている。TFT221は、映像信号サンプリング用トランジスタであり、例えばNチャネル型トランジスタからなり、ゲートが第1の発光制御線16A(図1の発光制御線群16−1〜16−mの各1本に相当)に、ソースが映像信号線18(図1のデータ線18−1〜18−nに相当)にそれぞれ接続されている。TFT222は、有機EL素子21の駆動用トランジスタであり、例えばPチャネル型トランジスタからなり、ゲートがTFT221のドレインに、ソースが例えば正電源VDDにそれぞれ接続されている。
The
TFT223は、モード切替用トランジスタであり、例えばNチャネル型トランジスタからなり、ゲートがモード切替制御線24に、ドレインがTFT222のドレインにそれぞれ接続されている。TFT224は、有機EL素子21の発光期間制御用トランジスタであり、例えばNチャネル型トランジスタからなり、ゲートが第2の発光制御線16B(図1の発光制御線群16−1〜16−mの各他の1本に相当)に、ドレインがTFT223のソースに、ソースが有機EL素子21のアノードにそれぞれ接続されている。保持容量225は、TFT222のゲート−ソース間に接続されている。
The
受光回路23は、例えばNチャネル型の5つのTFT231〜235を有し、受光期間では有機EL素子21を逆バイアス状態にすることによって当該有機EL素子21を受光素子として用いる構成となっている。TFT231は、有機EL素子21の受光電流制御用トランジスタであり、ゲートが第1の受光制御線17A(図1の受光制御線群17−1〜17−mの各1本に相当)に、ソースが有機EL素子21のアノードにそれぞれ接続されている。TFT232は、キャンセル用トランジスタであり、ゲートが第2の受光制御線17B(図1の受光制御線群17−1〜17−mの各他の1本に相当)に、ドレインがTFT231のドレインにそれぞれ接続され、ソースに一定のキャンセル電圧Vcanが与えられる。
The light receiving circuit 23 has, for example, five N-
TFT233は、ゲートとドレインが共通に接続されたダイオード接続の構成となっており、ゲート・ドレインがTFT231,232のドレイン共通接続点に、ソースが第1のバイアス電源Vb1にそれぞれ接続されている。TFT234は、ゲートがTFT233のゲート・ドレインに共通に接続されて当該TFT233と共にカレントミラー回路236を構成している。TFT234のソースは、第2のバイアス電源Vb2に接続されている。
The TFT 233 has a diode-connected configuration in which the gate and the drain are connected in common. The gate and the drain are connected to the common drain connection point of the
ここで、第1のバイアス電源Vb1は、受光時に有機EL素子21が逆バイアス状態になるように、即ちアノード電圧がカソード電圧よりも低くなるように設定されている。具体的には、本例ではカソード電圧Vkがグランドレベル(0[V])であることから、負の電源電圧、例えば−5[V]程度に設定される。これに対して、第2のバイアス電圧Vb2は、有機EL素子21に対して第1のバイアス電源Vb1よりも大きなバイアス電圧をかけられるように設定されている。具体的には、Vb1=−5[V]であれば、Vb2=−8[V]程度に設定される。
Here, the first bias power supply Vb1 is set so that the
カレントミラー回路236は、有機EL素子21の受光信号電流を増幅して受光信号線19に出力するための電流増幅回路の一種である。したがって、当該電流増幅回路としては、カレントミラー構成のものに限られるものではない。TFT235は、受光信号制御用トランジスタであり、ゲートが第1の受光制御線17Aに、ドレインが受光信号線19に、ソースがTFT234のドレインにそれぞれ接続されている。
The
(A/D変換回路)
図3は、A/D変換部15のi列のA/D変換回路15−iの構成の一例を示す回路図である。
(A / D conversion circuit)
FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the i-column A / D conversion circuit 15-i of the A /
図3において、回路入力端子151は、画素アレイ部12のi列の受光信号線19−iの一端に接続される。抵抗Rは、回路入力端子151と所定の読出電圧Vreadの直流電源との間には接続されている。この抵抗Rに画素11の受光信号に応じた電流が流れることにより、ノードN11の電位が決定される。具体的には、ノードN11の電位は、読出電圧Vreadに対して受光信号電流による抵抗Rでの電圧降下分だけ低い電位(受光信号電圧)となる。
In FIG. 3, the
スイッチS1は、ノードN11とノードN12の間に接続されており、オン状態になることによってノードN11の電位、即ち受光信号電圧を選択的に取り込む(サンプリングする)。スイッチS3は、一端がノードN12に接続されており、オン状態になることによって基準電圧発生回路152で発生される基準電圧VrefをノードN12に選択的に与える。保持容量C1は、一端がノードN12(スイッチS1の出力端)に接続されている。反転増幅器153は、入力端がノードN13(保持容量C1の他端)に接続されている。なお、反動増幅器153に代えて、増幅度=1のインバータを用いることも可能である。スイッチS2は、ノードN13とノードN14間(反転増幅器153の入出力端間)に接続されている。
The switch S1 is connected between the node N11 and the node N12, and selectively takes in (samples) the potential of the node N11, that is, the light reception signal voltage when turned on. The switch S3 has one end connected to the node N12, and selectively supplies the reference voltage Vref generated by the reference
ここで、保持容量C1は、ノードN11の電位と反転増幅器153の動作点電圧Vopとの間の電位差を保持する働きをする。スイッチS2は、反転増幅器153の動作点電圧キャンセル時にオン状態になることによって反転増幅器153の入出力端間を短絡する。ラッチ回路154は、例えばD型フリップフロップからなり、ノードN14と回路出力端子155の間に接続され、外部から与えられるクロックCKに同期して反転増幅器153の出力をラッチする。ラッチ回路154のラッチ出力は、回路出力端子155を通して外部へ出力される。なお、スイッチS1〜S3は、例えばTFTによって構成される。
Here, the holding capacitor C1 functions to hold a potential difference between the potential of the node N11 and the operating point voltage Vop of the inverting
続いて、上記構成の本実施形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置10の動作について説明する。図4に、1フレーム期間の動作の概略を示す。同図から明らかなように、先ず映像信号を全画素分(1フレーム分)取り込んだ後、受光動作に移行する。受光動作期間は、キャンセル信号出力期間、撮像期間および受光信号出力期間の3つの期間に分けられる。
Next, the operation of the active matrix organic
先ず、映像信号取り込み期間の動作について説明する。図2に示す画素回路20において、TFT221は、図1の発光制御部13から第1の発光制御線16Aを通して書込み走査信号WSがゲートに与えられることで、映像信号線18を通して供給される映像信号Sigをサンプリングする。このサンプリングされた映像信号Sigは、保持容量224によって1フレーム期間に亘って保持される。この映像信号のサンプリング動作が発光制御部13による走査の下に、1行目からm行目に亘って順に繰り返されることで、映像信号が全画素分取り込まれる。
First, the operation during the video signal capturing period will be described. In the
なお、発光モードと受光モードの切り替えは、図2に示す画素回路20において、モード切替制御線24を通して与えられるモード切替制御信号modによって行われる。すなわち、モード切替制御信号modが略VDDレベル(以下、「“H”レベル」と記す)のときは、発光回路22内のTFT223がオン(導通)状態となることによって発光モードが設定され、モード切替制御信号modが略グランドレベル(以下、「“L”レベル」と記す)のときは、TFT223がオフ(非導通)状態となることによって受光モードが設定される。
Note that switching between the light emission mode and the light reception mode is performed by the mode switching control signal mod given through the mode
次に、受光動作期間の動作について、図5のタイミングチャートを用いて説明する。なお、図5には、1行目の画素行#1について代表して示しており、他の画素行#2〜#mの動作についても基本的に同じである。
Next, the operation in the light receiving operation period will be described with reference to the timing chart of FIG. FIG. 5 representatively shows the first
先ず、モード切替制御信号modが“L”レベルになることで、発光モードから受光モードに移行し、画素11の発光動作が停止する。そして、キャンセル信号出力期間では、受光制御部14から第1,第2の受光制御線17A,17Bを通して供給される読出し走査信号READおよびキャンセル制御信号CANCELが1水平読み取り期間だけ“H”レベルになる。すると、TFT231,232がオン状態になるため、TFT231を通して有機EL素子21の受光信号電流の読み出しが可能になるとともに、TFT232を通してキャンセル電圧Vcanがカレントミラー回路236に供給される。
First, when the mode switching control signal mod becomes “L” level, the light emission mode is shifted to the light reception mode, and the light emission operation of the pixel 11 is stopped. In the cancel signal output period, the read scanning signal READ and the cancel control signal CANCEL supplied from the light receiving
これにより、1行目の各画素11の受光回路23から、キャンセル電圧Vcanによって決定される受光信号電流が出力され、受光信号線18−1〜18−nを通して対応するA/D変換回路15−1〜15−nに入力される。このキャンセル信号出力期間での受光信号電流は、有機EL素子21に入射される光には依存せず、カレントミラー回路236の回路素子の特性バラツキを含んだ電流Icanとなる。
As a result, the light reception signal current determined by the cancel voltage Vcan is output from the light reception circuit 23 of each pixel 11 in the first row, and the corresponding A / D conversion circuit 15-is transmitted through the light reception signal lines 18-1 to 18-n. 1 to 15-n. The light reception signal current in the cancel signal output period does not depend on the light incident on the
ここで、1水平読み取り期間(キャンセル信号出力期間)における図3のA/D変換回路15−iの回路動作について、図6のタイミングチャートを用いて説明する。 Here, the circuit operation of the A / D conversion circuit 15-i in FIG. 3 in one horizontal reading period (cancellation signal output period) will be described with reference to the timing chart in FIG.
読出し走査信号READが“H”レベル状態になっている最初のある期間にA/D変換回路15−iのスイッチS1,S2がオン(閉)状態になり、スイッチS3がオフ(開)状態になることで、保持容量C1のスイッチS1側の端子電位、即ちノードN12の電位は、抵抗Rと電流Icanによる電圧降下によって決定される電圧V1canとなる。これにより、反転増幅器153の入力側ノードN13の電位は、スイッチS2によって反転増幅器153の入出力端間が短絡されているため、反転増幅器152の動作点電圧Vopとなる。このときには、反転増幅器153の出力は“L”レベルとなる。
In the first certain period when the read scanning signal READ is in the “H” level state, the switches S1 and S2 of the A / D conversion circuit 15-i are turned on (closed) and the switch S3 is turned off (open). Thus, the terminal potential on the switch S1 side of the storage capacitor C1, that is, the potential of the node N12 becomes the voltage V1can determined by the voltage drop due to the resistor R and the current Ican. As a result, the potential of the input side node N13 of the inverting
続いて、スイッチS1,S2が“L”レベル状態になった後、スイッチS3がオン状態になることで、当該スイッチS3を介して保持容量C1に基準電圧Vrefが入力され、このとき同時にラッチ回路154にクロックCKが与えられる。このときのA/D変換回路15−iの作用は次の通りである。 Subsequently, after the switches S1 and S2 are in the “L” level state, the switch S3 is turned on, whereby the reference voltage Vref is input to the holding capacitor C1 via the switch S3. The clock CK is given to 154. The operation of the A / D conversion circuit 15-i at this time is as follows.
先ず、容量C1の端子間電圧Vcapは、
Vcap=V1can−Vop
である。ここで、基準電圧Vrefが入力されると、反転増幅器153の入力電圧Vuinは、保持容量C1の電位保持動作により次式で表すことができる。
Vuin=Vref−(V1can−Vop)
First, the inter-terminal voltage Vcap of the capacitor C1 is
Vcap = V1can-Vop
It is. Here, when the reference voltage Vref is input, the input voltage Vuin of the inverting
Vuin = Vref− (V1can−Vop)
基準電圧Vrefが電圧V1canよりも大きいと、反転増幅器153の入力電圧Vuinは、当該反転増幅器153の動作点電圧Vopよりも大きくなるため、反転増幅器153の出力(即ち、ラッチ回路153の入力)は反転する。そこで、図6に示すように、スイッチS3がオンになっている状態で、基準電圧発生回路152から出力される基準電圧Vrefを階段状に変化させると、基準電圧Vrefが電圧V1canよりも大きくなった時点で、反転増幅器153の出力が反転する。そして、ラッチ回路154の出力、即ちA/D変換回路15−iの出力OUTは、クロックCKに同期して反転して“L”レベルとなり、その結果、図6に示すようなパルス幅Dcの単峰パルスとなる。
When the reference voltage Vref is larger than the voltage V1can, the input voltage Vuin of the inverting
この単峰パルスのパルス幅Dcは、1行目の画素11の受光回路23におけるカレントミラー回路236の回路素子の特性バラツキに起因する電流に対応したデータ幅となる。すなわち、当該特性バラツキに起因する電流をキャンセル時のデータ幅DcとしてA/D変換することができる。そして、外部システム(図示せず)において、単峰パルスのパルス幅Dcを当該パルス期間内におけるクロックCKのクロック数として計測することにより、1行目の画素11の受光回路23におけるカレントミラー回路236の回路素子の特性バラツキに起因する電流の検出が可能になる。この動作を1水平読み取り期間ごとに各水平ライン(画素行)で行ない、各画素のキャンセル時のA/D変換データDcを外部システムのメモリ(図示せず)にストアしておく。
The pulse width Dc of the unimodal pulse is a data width corresponding to the current caused by the characteristic variation of the circuit elements of the
キャンセル信号出力期間の終了後、撮像期間に移行する。撮像期間中は、読出し走査信号READおよびキャンセル制御信号CANCELは共に“L”レベルの状態になっている。この撮像期間では、キャンセル信号出力期間に有機EL素子21の端子間容量に充電された電位が、有機EL素子21の光リーク電流で放電されることにより、受光信号データ(画像データ)を取得できる。撮像期間としては、通常、1〜2ms程度の期間を必要とする。撮像期間の終了後、受光信号出力期間に移行する。
After the cancellation signal output period, the imaging period starts. During the imaging period, the read scanning signal READ and the cancel control signal CANCEL are both at the “L” level. In this imaging period, the potential charged in the inter-terminal capacitance of the
次に、受光信号出力期間の図3のA/D変換回路15−iの回路動作について、図7のタイミングチャートを用いて説明する。 Next, the circuit operation of the A / D conversion circuit 15-i in FIG. 3 during the light reception signal output period will be described with reference to the timing chart in FIG.
受光信号出力期間では、キャンセル信号出力期間とは異なり、読出し走査信号READのみが“H”レベル状態となり、キャンセル制御信号CANCELは“L”レベルの状態となる。これにより、有機EL素子21からTFT231を通して読み込まれた入射光量に応じた受光信号電流がカレントミラー回路236で電流増幅される。その結果、1行目の各画素11の受光回路23からは、撮像期間で取り込まれた画像データに対応した受光信号電流が出力される。そして、この受光信号電流をA/D変換部15でA/D変換することによって受光信号データDrが得られる。
In the light receiving signal output period, unlike the cancel signal output period, only the read scanning signal READ is in the “H” level state, and the cancel control signal CANCEL is in the “L” level state. As a result, the received light signal current corresponding to the amount of incident light read from the
ここで、キャンセル時の受光信号電流が、画像データの読み取り時の受光信号電流よりも必ず大きくなるようにキャンセル電圧Vcanが設定されているものとする。すると、キャンセル時のA/D変換データDcは画素11の受光回路23のバラツキに対応したものであり、画像データ読み取り時のA/D変換データDrは受光回路23のバラツキを含んだ画像データであるので、キャンセル時のA/D変換データDcから画像データ読み取り時のA/D変換データDrを減じた値が、最終的にA/D変換された画像データ(撮像データ)となる。したがって、外部システムのメモリにストアしてあるキャンセル時のA/D変換データDcから、画像データ読み取り時のA/D変換データDrを減じて当該メモリに再ストアすることによって撮像データが得られる。 Here, it is assumed that the cancel voltage Vcan is set so that the light reception signal current at the time of cancellation is always larger than the light reception signal current at the time of reading the image data. Then, the A / D conversion data Dc at the time of cancellation corresponds to the variation of the light receiving circuit 23 of the pixel 11, and the A / D conversion data Dr at the time of reading the image data is image data including the variation of the light receiving circuit 23. Therefore, a value obtained by subtracting the A / D conversion data Dr at the time of image data reading from the A / D conversion data Dc at the time of cancellation finally becomes image data (imaging data) subjected to A / D conversion. Therefore, the image data can be obtained by subtracting the A / D conversion data Dr at the time of reading the image data from the A / D conversion data Dc at the time of cancellation stored in the memory of the external system and restoring the data to the memory.
上記構成のA/D変換回路15−i(15−1〜15−n)では、ラッチ回路154においてA/D変換に用いるクロックCKの周期と基準電圧Vrefのステップ数を変えることで、容易に撮像階調数を変更することが可能である。
In the A / D conversion circuit 15-i (15-1 to 15-n) having the above configuration, the
なお、本例に係るA/D変換回路15−iでは、基準電圧Vrefを所定のステップ数で階段状に可変にするとともに、反転増幅器153の後段にラッチ回路154を配置して当該ラッチ回路154によって反転増幅器153の出力をクロックCKに同期してラッチすることにより、受光信号を階調データとしてA/D変換するとしたが、基準電圧Vrefを固定とし、有機EL素子21の受光信号電流に応じた電圧V1canと基準電圧Vrefとを比較することにより、受光信号電流を1ビットのデジタルデータに変換して出力する構成を採ることも可能である。かかる構成を採る場合は、A/D変換回路の回路構成を簡略化できるため、本有機EL表示装置に例えば座標検出装置としての機能を持たせる場合に有用なものとなる。
In the A / D conversion circuit 15-i according to the present example, the reference voltage Vref is made variable in a stepped manner with a predetermined number of steps, and a
受光信号出力期間、即ち受光動作期間の動作が終了したら、図2の画素回路20において、モード切替制御信号modが“H”レベルになり、TFT223がオン状態になることで、受光モードから発光モードに移行し、1フレーム期間の最初に取り込んだ映像信号に基づいて有機EL素子21を発光駆動する発光期間に入る。この発光期間では、TFT222は、保持容量225に保持されている映像信号Sigの信号レベルに応じた駆動電流をTFT223,224を介して有機EL素子21に供給し、当該有機EL素子21を映像信号Sigの信号レベルに対応した輝度で発光させる。これにより、画像の表示が行われる。
When the operation of the light receiving signal output period, that is, the light receiving operation period is completed, the mode switching control signal mod becomes “H” level and the
この画像表示において、1フレーム期間が完全に終了するまで画像を表示し続けると、動画表示を行う場合、動画の輪郭に沿った画素はフレームの切り替わる直前まで画像を表示することになり、これが人間の残像効果と相俟って、次のフレームでも輪郭部分にあたかも像が表示されているかの如く感知される。これが、動画表示時のいわゆる画像ボケとなって画質を劣化させる一因となる。 In this image display, if an image is displayed continuously until the end of one frame period, when displaying a moving image, pixels along the contour of the moving image are displayed until immediately before the frame is switched. In combination with the afterimage effect, the next frame is sensed as if an image is displayed on the contour portion. This becomes a so-called image blur at the time of moving image display and contributes to deterioration of image quality.
TFT224は、第2の発光制御線16Bを通してゲートに与えられる発光制御信号ONCNTに基づいて有機EL素子21の発光期間を制御することで、動画表示時の画像ボケをなくす作用をなす。すなわち、発光制御信号ONCNTが“H”レベルのとき、TFT224はオン状態になり、TFT222からTFT223を通して供給される駆動電流を有機EL素子21に流し続けることによって当該有機EL素子21を発光させる。そして、発光制御信号ONCNTが“L”レベルになることで、TFT224はオフ状態になり、有機EL素子21への駆動電流の供給を遮断することによって当該有機EL素子21を消灯させる。
The
以上の一連の動作により、1フレーム期間における映像信号取り込み期間、受光動作期間(キャンセル信号出力期間+撮像期間+受光信号出力期間)および発光期間の各動作が完了する。 Through the series of operations described above, the operations of the video signal capturing period, light receiving operation period (cancellation signal output period + imaging period + light receiving signal output period) and light emission period in one frame period are completed.
上述したように、発光回路22と受光回路23を含む画素11が行列状に配置されてなる有機EL表示装置10において、各画素11の受光回路23から受光信号線19−1〜19−nに出力される受光信号をA/D変換回路15−1〜15−nでデジタル受光信号に変換して出力するようにしたことにより、CCDセンサやCMOSセンサ、さらにはタッチパネルを設けなくても、画像情報を取り込むことができるとともに、取り込んだ画像情報をデジタルデータで外部に出力することができるため、機器の厚さを厚くしたり、表示部の発光輝度を低下させたりすることなく、低コストにてシステムを構成できる。
As described above, in the organic
特に、発光素子である有機EL素子21を逆バイアス状態にすることによって当該有機EL素子を受光素子として用いるようにしたことにより、画素回路20を構成する素子数を削減できるため、画素回路20の構成を簡略化でき、画素11の微細化を図る上で有利である。
In particular, since the
また、受光回路23が、受光時に有機EL素子21に流れる電流、即ち受光信号電流を増幅して受光信号線19−1〜19−nに出力する電流増幅回路、例えばカレントミラー回路236を有する構成となっていることにより、有機EL素子21に流れる受光信号電流が微弱な電流であっても、当該受光信号電流を画素情報として確実に取り出して出力することができる。
The light receiving circuit 23 includes a current amplifying circuit, for example, a
しかも、受光回路23では、受光信号電流とは別に一定のキャンセル電圧Vcanに応じた電流を、カレントミラー回路236を通して流すようにしていることにより、当該電流にも受光信号電流に乗るカレントミラー回路236の回路素子の特性バラツキ分と同じ特性バラツキ分が乗ることになるため、外部システムでは一定のキャンセル電圧Vcanに応じた電流のA/D変換データと受光信号電流のA/D変換データの差分をとる演算処理を行うことによって当該特性バラツキ分をキャンセルすることができる。その結果、画素11間で回路素子に起因する特性バラツキに差があったとしても、画素個々のバラツキに影響されない非常に高画質な撮像データを得ることができる。
In addition, in the light receiving circuit 23, a current corresponding to a certain cancel voltage Vcan is made to flow through the
また、A/D変換回路15−1〜15−nが、基本的に、3つのスイッチS1〜S3、保持容量C1、基準電圧発生回路152、反転増幅器153およびラッチ回路154からなる比較回路構成の簡単な構成となっていることにより、画素アレイ部12の画素列ごとにA/D変換回路15−1〜15−nを配置することができるため、これらA/D変換回路15−1〜15−nを画素アレイ部12と同じ基板上に一体形成してパネル化することができる。また、A/D変換回路15−1〜15−nをパネル内に組み込むことにより、外部システムの簡略化を図ることができる。しかも、A/D変換に用いるクロックCKの周期と基準電圧Vrefのステップ数が可変であることで、撮像階調数を容易に変更することができる。
The A / D conversion circuits 15-1 to 15-n basically have a comparison circuit configuration including three switches S1 to S3, a holding capacitor C1, a reference
なお、上記実施形態では、有機EL素子21を受光回路23の受光素子として兼用する構成を例に挙げて説明したが、受光回路23に専用の受光素子を設けた構成を採ることも可能である。受光素子としては、非晶質シリコンあるいは多結晶シリコンTFTのドレインとゲートを接続した所謂ダイオード接続構成のフォトダイオードや、PIN(positive intrinsic negative)ダイオードなどを用いることができる。このように、受光回路23に専用の受光素子を設けた構成を採ることにより、発光動作と受光動作とを順番に行う必要がなく、両動作を非同期に行うことができる。
In the above embodiment, the configuration in which the
また、上記実施形態では、行単位で各画素11の発光回路22および受光回路23の各動作を実行する1フレーム期間において、先ず映像信号を取り込み、次いで受光動作期間の各動作を実行し、しかる後発光期間に移行する場合を例に挙げて説明したが、その動作の順番は一例に過ぎず、これに限られるものではない。すなわち、映像信号を取り込んだら直ちに発光期間の動作に入り、しかる後に受光動作期間に移行するようにしたり、あるいは最初に受光動作期間の各動作を実行し、しかる後に映像信号を取り込んで発光期間に移行するようにしたりすることも可能である。 Further, in the above embodiment, in one frame period in which each operation of the light emitting circuit 22 and the light receiving circuit 23 of each pixel 11 is executed in units of rows, first, a video signal is captured, and then each operation in the light receiving operation period is executed. Although the case of shifting to the later light emission period has been described as an example, the order of the operations is merely an example, and the present invention is not limited to this. That is, immediately after the video signal is captured, the operation of the light emission period is started, and thereafter, the operation proceeds to the light reception operation period, or each operation of the light reception operation period is executed first, and then the video signal is captured and the light emission period is started. It is also possible to make a transition.
さらに、上記実施形態では、A/D変換回路15−1〜15−nとして、受光信号電流に応じた電圧V1canを基準電圧Vrefと比較する比較回路構成のものを用いた場合を例に挙げて説明したが、これに限られるものではなく、画素アレイ部12の画素列ごとに配置可能な回路構成のものであれば、どのような回路方式のものであっても良い。 Furthermore, in the above-described embodiment, the A / D conversion circuits 15-1 to 15-n are exemplified by a case where a circuit having a comparison circuit configuration that compares the voltage V1can corresponding to the light reception signal current with the reference voltage Vref is used. Although described above, the present invention is not limited to this, and any circuit system may be used as long as the circuit configuration can be arranged for each pixel column of the pixel array unit 12.
本発明に係る表示装置は、画素アレイ部を画面表示部としてのみならず、座標検出装置として用いたり、撮像装置として用いることができるため、モバイル機器に画面表示部兼座標検出装置として搭載したり、カメラ機能を備えた携帯電話等の形態端末装置に画面表示部兼撮像デバイスとして搭載したりすることができる。 Since the display device according to the present invention can be used not only as a screen display unit but also as a coordinate detection device or an imaging device, it can be mounted on a mobile device as a screen display unit and coordinate detection device. In addition, it can be mounted as a screen display unit and an imaging device in a terminal device such as a mobile phone having a camera function.
10…アクティブマトリクス型有機EL表示装置、11…画素、12…画素アレイ部、13…発光制御部、14…受光制御部、15…A/D変換部、15−1〜15−n…A/D変換回路、16−1〜16−m…発光制御線群、17−1〜17−n…受光制御線群、18−1〜18−n…映像信号線、19−1〜19−n…受光信号線、20…画素回路、21…有機EL素子、22…発光回路、23…受光回路
DESCRIPTION OF
Claims (8)
を備え、
1フレーム期間において、前記発光回路および前記受光回路をそれぞれ動作させる
表示装置であって、
1フレーム期間は、映像信号取り込み期間、キャンセル信号出力期間、撮像期間、受光信号出力期間、及び、発光期間をその順番で含み、
前記発光回路は、
カソードが基準電源に接続された発光素子、
ソースが正電源に接続され、前記発光素子に駆動電流を供給する駆動用トランジスタ、
前記駆動用トランジスタのゲート−ソース間に接続された保持容量、
ソースが映像信号線に接続され、ゲートが発光制御線に接続されたサンプリング用トランジスタ、
及び、
前記発光素子のアノードと前記駆動用トランジスタのドレインとの間に接続され、発光モードと受光モードの切り替えを行うモード切替用トランジスタを含み、
前記映像信号取り込み期間において、前記映像信号線から供給される映像信号を前記サンプリング用トランジスタによりサンプリングして前記保持容量に保持し、
前記発光期間において、前記モード切替用トランジスタにより発光モードに切り替え、前記保持容量に保持された映像信号に基づいて前記駆動用トランジスタにより前記発光素子に流す電流を制御して当該発光素子を発光させ、
前記受光回路は、
電流増幅回路、
ソースが前記発光素子のアノードに接続され、ドレインが前記電流増幅回路の入力端に接続され、ゲートが第1の受光制御線に接続された第1のトランジスタ、
及び、
ドレインが前記第1のトランジスタのドレインに接続され、ゲートが第2の受光制御線に接続され、ソースに所定の固定電圧が与えられる第2のトランジスタを含み、
前記キャンセル信号出力期間、前記撮像期間、及び、前記受光信号出力期間を含む受光動作期間において、前記モード切替用トランジスタにより受光モードに切り替え、
前記キャンセル信号出力期間において、前記第2のトランジスタ及び前記第1のトランジスタをオン状態にして前記固定電圧を前記電流増幅回路及び前記発光素子に供給することにより、前記電流増幅回路から当該電流増幅回路の回路素子の特性バラツキを含んだ電流を出力させ、
前記撮像期間において、前記第2のトランジスタ及び前記第1のトランジスタをオフ状態にすることによって逆バイアスが印加された前記発光素子により撮像を行い、
前記受光信号出力期間において、前記第1のトランジスタをオン状態にすることにより前記発光素子で受光した光量に対応する電流を前記電流増幅回路から出力させる
表示装置。 A pixel array unit in which pixels including a light emitting circuit that emits a light emitting element in response to a video signal and a light receiving circuit that outputs a light receiving signal are arranged in a matrix;
In one frame period, the display device operates the light emitting circuit and the light receiving circuit, respectively.
One frame period includes a video signal capture period, a cancel signal output period, an imaging period, a light reception signal output period, and a light emission period in that order,
The light emitting circuit includes:
A light emitting device having a cathode connected to a reference power source;
A driving transistor having a source connected to a positive power source and supplying a driving current to the light emitting element;
A storage capacitor connected between the gate and source of the driving transistor;
A sampling transistor whose source is connected to the video signal line and whose gate is connected to the light emission control line;
as well as,
A mode switching transistor that is connected between an anode of the light emitting element and a drain of the driving transistor and that switches between a light emitting mode and a light receiving mode;
In the video signal capturing period, the video signal supplied from the video signal line is sampled by the sampling transistor and held in the holding capacitor,
In the light emission period, the mode switching transistor switches to the light emission mode, and based on the video signal held in the storage capacitor, the current to be supplied to the light emitting element is controlled by the driving transistor to cause the light emitting element to emit light,
The light receiving circuit is
Current amplification circuit,
A first transistor having a source connected to the anode of the light emitting element, a drain connected to an input terminal of the current amplifier circuit, and a gate connected to a first light receiving control line ;
as well as,
A second transistor having a drain connected to the drain of the first transistor, a gate connected to a second light receiving control line , and a predetermined fixed voltage applied to the source;
In the light receiving operation period including the cancel signal output period, the imaging period, and the light receiving signal output period, the mode switching transistor switches to the light receiving mode.
In the cancel signal output period, the second transistor and the first transistor are turned on and the fixed voltage is supplied to the current amplifier circuit and the light emitting element, so that the current amplifier circuit supplies the fixed voltage to the current amplifier circuit. Output current including the characteristic variation of the circuit elements
In the imaging period, imaging is performed by the light emitting element to which a reverse bias is applied by turning off the second transistor and the first transistor,
A display device that outputs a current corresponding to the amount of light received by the light emitting element from the current amplification circuit by turning on the first transistor during the light reception signal output period.
外部システムと
を備え、
前記外部システムは、
前記キャンセル信号出力期間において前記アナログ−デジタル変換部から出力される、前記固定電圧に応じた電流に基づく変換データと、前記受光信号出力期間における前記アナログ−デジタル変換部から出力される、前記発光素子の受光量に応じた電流に基づく変換データとの差分をとる
請求項1に記載の表示装置。 An analog-to-digital converter that converts a current output from the current amplification circuit during the cancellation signal output period and a current output from the current amplification circuit during the light reception signal output period into a digital signal;
With an external system,
The external system is:
Conversion data based on a current corresponding to the fixed voltage output from the analog-digital conversion unit in the cancel signal output period, and the light emitting element output from the analog-digital conversion unit in the light reception signal output period The display device according to claim 1, wherein a difference from conversion data based on a current corresponding to the amount of received light is taken.
請求項1または請求項2に記載の表示装置。 3. The display device according to claim 1, wherein an anode voltage of the light emitting element is set to be lower than a cathode voltage during the cancel signal output period and the light reception signal output period.
前記受光回路の受光素子に流れる電流により生じる当該受光素子の電圧を取り込む第1のスイッチ手段と、
前記第1のスイッチの出力端に一端が接続された保持容量と、
前記保持容量の他端に入力端が接続された反転増幅器と、
前記反転増幅器の入出力端間を選択的に短絡する第2のスイッチ手段と、
前記保持容量の一端に可変の基準電圧を与える第3のスイッチ手段とを有し、
前記第1のスイッチ手段と、前記第2のスイッチ手段とがオン状態となり、前記第3のスイッチ手段がオフ状態となることで、前記保持容量の両端の電圧を設定し、
次いで、前記第1のスイッチ手段と、前記第2のスイッチ手段とがオフ状態となり、前記第3のスイッチ手段がオン状態となることで、前記保持容量の一端に前記基準電圧が供給される
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の表示装置。 The analog-digital converter is
First switch means for taking in the voltage of the light receiving element generated by the current flowing in the light receiving element of the light receiving circuit;
A holding capacitor having one end connected to the output end of the first switch;
An inverting amplifier having an input terminal connected to the other end of the storage capacitor;
Second switch means for selectively short-circuiting the input / output terminals of the inverting amplifier;
Third switch means for applying a variable reference voltage to one end of the holding capacitor;
When the first switch means and the second switch means are turned on, and the third switch means is turned off, the voltage across the holding capacitor is set,
Next, when the first switch means and the second switch means are turned off and the third switch means is turned on, the reference voltage is supplied to one end of the storage capacitor. The display device according to any one of claims 1 to 3.
前記反転増幅器の出力をクロックに同期してラッチするラッチ回路をさらに有し、
前記基準電圧が所定のステップ数で階段状に可変である
請求項4に記載の表示装置。 The analog-digital conversion means includes
A latch circuit that latches the output of the inverting amplifier in synchronization with a clock;
The display device according to claim 4, wherein the reference voltage is variable stepwise with a predetermined number of steps.
請求項5に記載の表示装置。 The display device according to claim 5, wherein a cycle of the clock and a step number of the reference voltage are variable.
1フレーム期間において、前記発光回路および前記受光回路をそれぞれ動作させ、
1フレーム期間は、映像信号取り込み期間、キャンセル信号出力期間、撮像期間、受光信号出力期間、及び、発光期間をその順番で含み、
前記発光回路は、
カソードが基準電源に接続された発光素子、
ソースが正電源に接続され、前記発光素子に駆動電流を供給する駆動用トランジスタ、
前記駆動用トランジスタのゲート−ソース間に接続された保持容量、
ソースが映像信号線に接続され、ゲートが発光制御線に接続されたサンプリング用トランジスタ、
及び、
前記発光素子のアノードと前記駆動用トランジスタのドレインとの間に接続され、発光モードと受光モードの切り替えを行うモード切替用トランジスタを含み、
前記受光回路は、
電流増幅回路、
ソースが前記発光素子のアノードに接続され、ドレインが前記電流増幅回路の入力端に接続され、ゲートが第1の受光制御線に接続された第1のトランジスタ、
及び、
ドレインが前記第1のトランジスタのドレインに接続され、ゲートが第2の受光制御線に接続され、ソースに所定の固定電圧が与えられる第2のトランジスタを含む
表示装置の駆動方法であって、
前記発光回路は、
前記映像信号取り込み期間において、前記映像信号線から供給される映像信号を前記サンプリング用トランジスタによりサンプリングして前記保持容量に保持し、
前記発光期間において、前記モード切替用トランジスタにより発光モードに切り替え、前記保持容量に保持された映像信号に基づいて前記駆動用トランジスタにより前記発光素子に流す電流を制御して当該発光素子を発光させ、
前記受光回路は、
前記キャンセル信号出力期間、前記撮像期間、及び、前記受光信号出力期間を含む受光動作期間において、前記モード切替用トランジスタにより受光モードに切り替え、
前記キャンセル信号出力期間において、前記第2のトランジスタ及び前記第1のトランジスタをオン状態にして前記固定電圧を前記電流増幅回路及び前記発光素子に供給することにより、前記電流増幅回路から当該電流増幅回路の回路素子の特性バラツキを含んだ電流を出力させ、
前記撮像期間において、前記第2のトランジスタ及び前記第1のトランジスタをオフ状態にすることによって逆バイアスが印加された前記発光素子により撮像を行い、
前記受光信号出力期間において、前記第1のトランジスタをオン状態にすることにより前記発光素子で受光した光量に対応する電流を前記電流増幅回路から出力させる
表示装置の駆動方法。 A pixel array unit in which pixels including a light emitting circuit that emits light from a light emitting element according to a video signal and a light receiving circuit that outputs a light receiving signal are arranged in a matrix;
In one frame period, each of the light emitting circuit and the light receiving circuit is operated,
One frame period includes a video signal capture period, a cancel signal output period, an imaging period, a light reception signal output period, and a light emission period in that order,
The light emitting circuit includes:
A light emitting device having a cathode connected to a reference power source;
A driving transistor having a source connected to a positive power source and supplying a driving current to the light emitting element;
A storage capacitor connected between the gate and source of the driving transistor;
A sampling transistor whose source is connected to the video signal line and whose gate is connected to the light emission control line;
as well as,
A mode switching transistor that is connected between an anode of the light emitting element and a drain of the driving transistor and that switches between a light emitting mode and a light receiving mode;
The light receiving circuit is
Current amplification circuit,
A first transistor having a source connected to the anode of the light emitting element, a drain connected to an input terminal of the current amplifier circuit, and a gate connected to a first light receiving control line ;
as well as,
A driving method of a display device including a second transistor having a drain connected to a drain of the first transistor, a gate connected to a second light receiving control line , and a predetermined fixed voltage applied to the source,
The light emitting circuit includes:
In the video signal capturing period, the video signal supplied from the video signal line is sampled by the sampling transistor and held in the holding capacitor,
In the light emission period, the mode switching transistor switches to the light emission mode, and based on the video signal held in the storage capacitor, the driving transistor controls the current passed through the light emitting element to cause the light emitting element to emit light,
The light receiving circuit is
In the light receiving operation period including the cancel signal output period, the imaging period, and the light receiving signal output period, the mode switching transistor switches to the light receiving mode.
In the cancel signal output period, the second transistor and the first transistor are turned on and the fixed voltage is supplied to the current amplifier circuit and the light emitting element, so that the current amplifier circuit is connected to the current amplifier circuit. Output current including the characteristic variation of the circuit elements
In the imaging period, imaging is performed by the light emitting element to which a reverse bias is applied by turning off the second transistor and the first transistor,
A method for driving a display device, wherein a current corresponding to an amount of light received by the light emitting element is output from the current amplification circuit by turning on the first transistor in the light reception signal output period.
外部システムと
を備え、
前記外部システムは、
前記キャンセル信号出力期間において前記アナログ−デジタル変換部から出力される、前記固定電圧に応じた電流に基づく変換データと、前記受光信号出力期間における前記アナログ−デジタル変換部から出力される、前記発光素子の受光量に応じた電流に基づく変換データとの差分をとる
請求項7に記載の表示装置の駆動方法。 An analog-to-digital converter that converts a current output from the current amplification circuit during the cancellation signal output period and a current output from the current amplification circuit during the light reception signal output period into a digital signal;
With an external system,
The external system is:
Conversion data based on a current corresponding to the fixed voltage output from the analog-digital conversion unit in the cancel signal output period, and the light emitting element output from the analog-digital conversion unit in the light reception signal output period The display device driving method according to claim 7, wherein a difference from conversion data based on a current corresponding to the amount of received light is calculated.
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