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JP4667666B2 - チップアレイモジュール - Google Patents

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    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、複数の半導体チップと、これらの半導体チップが動作する際に発生する熱を放出する金属製の放熱板とが封止体により封止されているチップアレイモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、たとえばプリンタヘッドの駆動制御などに用いられるチップアレイモジュール(以下、単に「モジュール」という)では、半導体チップとしてトランジスタなどが使用されており、その動作の際には、半導体チップからジュール熱が発生する。この熱は、モジュールのパワーロスの要因となるため、このようなモジュールには、この熱を外部に放出するための放熱板が備えられているのが一般的である。このようなモジュールの一例を図7に示す。
【0003】
このモジュール100は、6個の半導体チップ1と、各半導体チップをそれぞれマウントした6個のダイパッド部105と、各半導体チップ1に対してそれぞれワイヤWを介して接続された2つのリード部107と、金属製の放熱板102とを備えており、ダイパッド部105およびリード部107の一部と、各半導体チップ1と、放熱板102とは、封止体103により封止されている。
【0004】
上記各半導体チップ1は、平面視矩形状を呈したトランジスタであって、エミッタ、コレクタおよびベースの3つの電極が設けられている。この従来例では、各半導体装置1は、その上面に2つの電極が形成されており、その裏面が残り1つの電極とされている。
【0005】
上記各ダイパッド部105および各リード部107は、それぞれの一部が上記封止体103の外部に配置されるアウターリード部108aおよびアウターリード部108bとされている。すなわち、上記各ダイパッド部105および各リード部107は、このモジュール100における回路の配線および端子部として形成されている。このようなダイパッド部105およびリード部107は、金属製の薄板を打ち抜くなどして形成されたリードフレームの一部として形成される。
【0006】
このようなリードフレーム180は、図8にその一例を示すように、所定の間隔を空けて互いに平行に伸びる一対のサイドフレーム180b1,180b2と、これら一対のサイドフレーム180b1,180b2間を掛け渡すように形成された縦フレーム180cとを有している。各ダイパッド部105および各リード部107は、サイドフレーム180b2からサイドフレーム180b1に向かって延びるように形成されており、それぞれ、アウターリード部108aおよびアウターリード部108bがサイドフレーム180b2に支持されている。これにより、各ダイパッド部105および各リード部107を所定の位置に配置することができる。
【0007】
上記放熱板102は、図7に示すように、各ダイパッド部105の裏面に取り付けられており、各半導体チップ1で発生した熱は、各ダイパッド部105を介して放熱板102に伝導し、放熱板102の表面から外部に放射される。
【0008】
上記封止体103は、たとえばエポキシ系樹脂などの絶縁体により形成されている。このような封止体103をリードフレーム180に対して形成する場合には、一般的に、トランスファーモールド法が採用される。この方法では、封止体103を形成するためのキャビティを有する一対の金型が用いられる。封止体103は、この一対の金型間に、放熱板102が取り付けられたリードフレーム180を挟み込んで、キャビティ内に樹脂を充填することにより得られる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構成を有するモジュール100においては、上記各ダイパッド部105および各リード部107は、上述したように、モジュール100における回路の配線および端子部として形成されており、かつ、サイドフレーム180b2に支持されることにより所定の位置に配置されているので、その形状が限定されてしまう。これに伴って、放熱板102の形状もまた限定されることとなる。したがって、モジュールのパワーロスに対応した放射熱量を任意に設定することができない。
【0010】
また、上記封止体103は、上述したように、金型を用いて形成されているため、たとえば半導体チップ1の個数が異なるモジュールを製造するような場合など、封止体の形状が異なるモジュールを形成する際には、新たな金型を作成しなければならない。したがって、汎用性が乏しいという欠点を有している。
【0011】
本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、放射熱量を任意に設定することができるチップアレイモジュールを提供することをその課題とする。
【0012】
【発明の開示】
上記課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【0013】
すなわち、本願発明により提供されるチップアレイモジュールは、第1面およびその反対側の第2面を有する長手状のプリント配線基板と、このプリント配線基板の第1面上にその長手方向に沿って列状に実装された複数の半導体チップと、上記プリント配線基板の第1面における長手方向に延びる一側縁に沿って並ぶように各基端が接続され、対応する上記半導体チップごとにそれらと電気的に連携する複数の接続端子と、上記プリント配線基板の第1面上における上記複数の半導体チップを挟んで上記複数の接続端子と反対側において実装され、上記複数の半導体チップが動作する際に発生する熱を放出する金属製の放熱板とを有し、上記プリント配線基板、上記複数の半導体チップ、上記放熱板、および、上記複数の接続端子の各基端が封止体により封止されているチップアレイモジュールであって、上記各半導体チップは、上記プリント配線基板の第1面に形成された導体パターン上に実装されており、上記放熱板は、上記プリント配線基板の第1面において形成された上記導体パターンの延長部に半田付けされていることを特徴としている。
【0015】
好ましい実施の形態においては、上記放熱板が上記各半導体チップのそれぞれに対応するように複数設けられている構成とすることができる。
【0016】
好ましい実施の形態においてはさらに、上記複数の半導体チップには、トランジスタが含まれている構成とすることができる。
【0017】
本願発明においては、上記チップアレイモジュールを製造する際には、プリント配線基板が用いられており、プリント配線基板では、放熱板を実装するための導体パターンを、その表面に予め形成した導体被膜をエッチングすることによって得ることができる。したがって、上記導体パターンは、従来のモジュールにおける、リードフレームに形成されたダイパッド部やリード部とは異なり、任意の形態に形成され、その形状や大きさあるいは配置が限定されない。これにより、上記導体パターンを上記放熱板に対応させて形成することができる。換言すれば、各放熱板を所望の形態で形成することができる。したがって、放熱板が放射する熱量を任意に設定することができる。
【0021】
ましい実施の形態においては、上記放熱板をCuまたはNiにより形成した構成とすることができる。CuまたはNiは、一般に、半田付けに適した金属とされているので、上記放熱板を上記プリント配線基板に対して良好に半田付けすることができる。
【0022】
本願発明のその他の特徴および利点については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかになるであろう。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【0024】
図1は、本願発明に係るチップアレイモジュールの一例を示す概略斜視図、図2は、図1のII−II線に沿う断面図である。なお、これらの図において、従来例を示す図7および図8に表された部材、部分等と同等のものにはそれぞれ同一の符号を付してある。
【0025】
図1に表れているように、チップアレイモジュール(以下、単に「モジュール」という)Aは、半導体チップ1としてトランジスタが使用されており、その動作の際には、半導体チップ1からジュール熱が発生する。そのため、このモジュールAには、この熱を外部に放出するための金属製の放熱板2が備えられている。
【0026】
このモジュールAは、6個の半導体チップ1と、各半導体チップ1のそれぞれに対応する複数の放熱板2Aとを備えており、これらは、プリント配線基板4Aに実装されている。また、各半導体チップ1、各放熱板2A、およびプリント配線基板4Aは、封止体3により封止されている。
【0027】
上記各半導体チップ1は、本実施形態では、平面視矩形状のトランジスタであって、その上面には、エミッタ、コレクタおよびベースの3つの電極(図示略)が形成されている。各半導体チップ1は、図1に示すように、上記プリント配線基板4Aの上面40aに形成された導体パターン5上にマウントされている。また、各半導体チップ1は、プリント配線基板4Aの上面40aに形成された配線パターン7に対してワイヤWを介して接続されている。すなわち、導体パターン5および配線パターン7は、それぞれ、上記従来のモジュール100におけるダイパッド部105およびリード部107のうちの、上記封止体103で封止されている部分に相当する。なお、このモジュールAにおいて、従来のモジュール100のアウターリード部108a,108bに相当する部材は、上記プリント配線基板4Aに半田付けされた接続端子片8として備えられている。
【0028】
上記プリント配線基板4Aは、本実施形態では、たとえばガラスエポキシ樹脂などにより形成された基板40に上記導体パターン5や配線パターン7などを形成したものである。導体パターン5および配線パターン7は、基板40の上面全域に形成された導体被膜をエッチングすることによって形成される。導体被膜のエッチングには、たとえばフォトリソグラフィー法などが採用される。この方法によれば、まず、この導体被膜上にホトレジスト塗布し、このホトレジストに対して、上記導体パターン5および配線パターン7に対応する露光パターンが形成された露光用マスクを用いて露光する。次いで、露光されたホトレジストを現像することによって、上記導体被膜のうち、導体パターン5および配線パターン7となる部分のみがホトレジストによって覆われるようにする。次いで、上記導体被膜の露出部分、すなわち導体被膜の不必要部分を、溶融させるなどして除去する。そして、導体パターン5および配線パターン7となる部分からホトレジストを剥離する。
【0029】
このように、導体パターン5および配線パターン7は、プリント配線基板4A(基板40)上に形成された導体被膜をエッチングすることにより形成されるので、上記従来のモジュール100におけるダイパッド部105およびリード部107とは異なり、その形状や大きさあるいは配置が限定されない。すなわち、導体パターン5および配線パターン7を任意に形成することができる。
【0030】
上記各放熱板2Aは、半田付けに適したCuまたはNiなどにより形成されており、上記導体パターン5の延長部51に半田付けされている。これにより、各半導体チップ1で発生した熱は、導体パターン5を介して放熱板2Aに伝導し、放熱板2Aの表面から外部に放射される。
【0031】
上記したように、導体パターン5および配線パターン7は、その形状や大きさあるいは配置が任意とされるので、導体パターン5および配線パターン7を放熱板2Aに対応させて形成することができる。これにより、各放熱板2Aを所望の形状や大きさに形成することができ、かつ、放熱板2Aをプリント回路基板4の所望の箇所に搭載することができる。換言すれば、このモジュールAでは、放熱板2Aの形状や大きさあるいは配置を任意に設定するために、プリント配線基板4Aを用いているのである。したがって、このモジュールAにおいては、放熱板2Aが放射する熱量を任意に設定することができるので、各半導体チップ1の発熱に起因するモジュールのパワーロスを抑制することができる。
【0032】
なお、このモジュールAでは、図1に示すように、各半導体装置1のそれぞれに対して3個の放熱板2Aが備えられているが、たとえば、図3に示すように、各半導体装置1のそれぞれに対して1個の放熱板2Bとしてもよく、また、従来のモジュール100のように、1つのモジュールA全体に対して1個の放熱板102としてもよい。
【0033】
また、図2に示すように、上記プリント配線基板4Aの裏面には、CuまたはNiなどにより形成された第2放熱板20Aが半田付けされている。この第2放熱板20Aは、プリント配線基板4Aに形成した貫通孔49の内部に充填された半田9などを介して放熱板2Aあるいは上記導体パターン5に接続されている。したがって、このモジュール2Aは、プリント配線基板4Aの両面から熱を放出することができるので、プリント配線基板4Aあるいは放熱板2Aの面積を大としなくても、放熱効果を向上させることができる。その結果、モジュールAを小型化することができる。また、この第2放熱板20Aについても、上記放熱板2Aと同様に、その形状や大きさあるいは配置を任意とすることができる。
【0034】
なお、上記放熱板2Aおよび第2放熱板20Aをプリント配線基板4Aに半田付けする際には、上記放熱板2Aおよび第2放熱板20Aの実装面が、その一部で半田付けされるようにする(すなわち、全域で半田付けされない)ことが好ましい。この場合、上記放熱板2Aおよび第2放熱板20Aの温度が高温となり熱膨張した際に、モジュールAが歪んだりするのを抑制することができる。
【0035】
上記封止体3は、たとえばエポキシ系樹脂などの絶縁体により形成されている。このモジュールAは、従来のモジュール100とは異なり、プリント回路基板4Aを用いて製造されるので、上記封止体3を形成する際には、これを、いわゆる粉体塗装などとしてプリント配線基板4Aに形成することができる。より詳細には、封止体3は、たとえば、粉末塗料を加熱溶融させたり溶剤に溶融させたりして流動状とし、これを収容した流動槽内に、上記プリント配線基板4Aを浸漬させてから引き上げることによって、プリント配線基板4Aに付着形成される。このように、このモジュールAは、金型を用いなくとも封止体3を形成することができる。したがって、たとえば半導体チップ1の個数が異なるモジュールを製造するような場合など、封止体の形状が異なるモジュールを形成する際には、従来のモジュール100のように、新たな金型を作成する必要がない。その結果、モジュールAの汎用性を向上させることができる。
【0036】
図3は、本願発明に係るチップアレイモジュールの参考例を示す概略斜視図、図4は、図3のIV−IV線に沿う断面図である。なお、これらの図においては、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一符号を付している。
【0037】
このチップアレイモジュールBは、図3に示すように、各半導体チップ1を各放熱板4Bの表面にマウントしたことを特徴としており、この点が先のモジュールAとはその構成が相違している。
【0038】
上記構成を有するモジュールBによれば、各半導体チップ1が放熱板2Bの表面にマウントされているので、プリント配線基板4Bに対して放熱板2Bが占有する割合を比較的大とすることができる。換言すれば、プリント配線基板4Bの平面視における面積を比較的小とすることができる。したがって、モジュールを平面視において小型化することができる。
【0039】
なお、このモジュールBにもまた、図4に示すように、モジュールAと同様に、上記第2放熱板20Aに相当する第2放熱板20Bがプリント配線基板4Bの裏面に備えられており、放熱効果が向上されている。この第2放熱板20Bについてもまた、上記第2放熱板20Aと同様に、その形状や大きさあるいは配置を任意とすることができる。
【0040】
図5は、本願発明に係るチップアレイモジュールの他の参考例を示す概略斜視図、図6は、図5のVI−VI線に沿う断面図である。なお、これらの図においては、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一符号を付している。
【0041】
このチップアレイモジュールCにおいて、プリント配線基板4Cは、図5に示すように、上記基板40に貫通形成された孔部41を有しており、放熱板2Cは、図6に示すように、このプリント配線基板4Cの裏面側から孔部41を塞ぐように半田付けされている。そして、各半導体チップ1は、孔部41の内部に収容されるようにして、放熱板2Cの表面にマウントされている。このモジュールCは、これらの点が先のモジュールAとはその構成が相違している。
【0042】
上記構成を有するモジュールCは、各半導体チップ1が孔部41の内部に収容されているので、各半導体チップ1(ワイヤWを含む)におけるプリント配線基板4Cの上面からの高さ寸法を低くすることができる。したがって、モジュールをその厚み方向において小型化することができる。
【0043】
なお、上記放熱板2Cは、上記放熱板2Aと同様に、その形状や大きさあるいは配置を任意とすることができる。
【0044】
また、このモジュールCには、図5に示すように、上記第2放熱板20A,20Bに相当する第2放熱板20Cがプリント配線基板4Cの上面に備えられており、放熱効果が向上されている。この第2放熱板20Cについてもまた、上記第2放熱板20A,20Bと同様に、その形状や大きさあるいは配置を任意とすることができる。
【0045】
もちろん、この発明の範囲は上述した実施の形態に限定されるものではない。たとえば、上記モジュールAにおいて、各半導体チップ1は、上面側に3つの電極が形成されているが、下面を1つの電極とし、かつ上面に2つの電極を形成したタイプのものでもよい。このように、下面が電極とされている半導体チップを用いる場合、プリント配線基板4Aにおける半導体チップを実装する部位(上記導体パターン5あるいは放熱板2Aの一部)にAuメッキなどを形成しておき、導体パターン5を上記接続端子片8と導通するように形成しておけば、半導体チップ1の電気的な接続を達成することができる。
【0046】
また、たとえば、上記モジュールAにおいて、各半導体チップ1は、トランジスタとされているがこれに限らず、これを他の半導体チップとすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本願発明に係るチップアレイモジュールの一例を示す概略斜視図である。
【図2】 図1のII−II線に沿う断面図である。
【図3】 本願発明に係るチップアレイモジュールの参考例を示す概略斜視図である。
【図4】 図3のIV−IV線に沿う断面図である。
【図5】 本願発明に係るチップアレイモジュールの他の参考例を示す概略斜視図である。
【図6】 図5のVI−VI線に沿う断面図である。
【図7】 従来のチップアレイモジュールの一例を示す概略斜視図である。
【図8】 図7のチップアレイモジュールを製造するためのリードフレームを示す平面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ
2A,2B,2C 放熱板
3 封止体
4A,4B,4C プリント配線基板
5 導体パターン
41 孔部
A,B,C チップアレイモジュール

Claims (5)

  1. 第1面およびその反対側の第2面を有する長手状のプリント配線基板と、このプリント配線基板の第1面上にその長手方向に沿って列状に実装された複数の半導体チップと、上記プリント配線基板の第1面における長手方向に延びる一側縁に沿って並ぶように各基端が接続され、対応する上記半導体チップごとにそれらと電気的に連携する複数の接続端子と、上記プリント配線基板の第1面上における上記複数の半導体チップを挟んで上記複数の接続端子と反対側において実装され、上記複数の半導体チップが動作する際に発生する熱を放出する金属製の放熱板とを有し、上記プリント配線基板、上記複数の半導体チップ、上記放熱板、および、上記複数の接続端子の各基端が封止体により封止されているチップアレイモジュールであって、
    上記各半導体チップは、上記プリント配線基板の第1面に形成された導体パターン上に実装されており、上記放熱板は、上記プリント配線基板の第1面において形成された上記導体パターンの延長部に半田付けされていることを特徴とする、チップアレイモジュール。
  2. 上記プリント配線基板の第2面には、金属製の追加の放熱板が実装されているとともに、当該追加の放熱板は、上記プリント配線基板をその厚み方向に貫通する導体を介して上記第1面に実装された放熱板と接続されており、上記封止体は、上記追加の放熱板をも封止している、請求項1に記載のチップアレイモジュール。
  3. 上記放熱板は、CuまたはNiにより形成されている、請求項1または2に記載のチップアレイモジュール。
  4. 上記放熱板は、上記各半導体チップのそれぞれに対応するように複数設けられている、請求項1ないしのいずれかに記載のチップアレイモジュール。
  5. 上記複数の半導体チップには、トランジスタが含まれている、請求項1ないしのいずれかに記載のチップアレイモジュール。
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