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JP4663075B2 - フォトレジスト用単量体とその製造方法、フォトレジスト用共重合体とその製造方法及びフォトレジスト組成物 - Google Patents

フォトレジスト用単量体とその製造方法、フォトレジスト用共重合体とその製造方法及びフォトレジスト組成物 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規のフォトレジスト用単量体、その製造方法、その重合体及びその重合体を利用したフォトレジスト組成物に関し、より詳しくは高集積半導体素子の微細回路製造時に、遠紫外線領域の光源を利用したリソグラフィー工程で外部アミンの汚染に敏感でないフォトレジスト用共重合体とその製造方法、及びその重合体を含むフォトレジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造の微細加工工程で高感度を達成するため、近来はKrF（249nm）、ArF（193nm）又はEUVのような化学増幅性の遠紫外線（DUV：Deep Ultra Violet）領域の光源を用いるリソグラフィーに適したフォトレジストが脚光を浴びており、このようなフォトレジストは光酸発生剤（photoacid generator）と酸に敏感に反応する構造のフォトレジスト用重合体を配合して製造される。
このようなフォトレジストの作用機構は、光酸発生剤が光源から紫外線を受けると酸を発生させ、このように発生した酸によりマトリックス高分子の主鎖又は側鎖が反応して分解されたり高分子の極性が大きく変化し、現像液により溶解され、無くなる。その反面、光を受けなかった部分は本来の構造をそのまま有するため現像液に溶解されず無くならない。このようにして、マスクの像を基板上に陽画像で残すことができる。このようなリソグラフィー工程で、解像度は光源の波長に依存し光源の波長が小さくなるほど微細パターンを形成することができ、これに従いこのような光源に適したフォトレジストが求められている。
【０００３】
さらに、一般にフォトレジストは優れたエッチング耐性と耐熱性及び接着性を有しなければならず、公知の現像液、例えば２．３８ｗｔ％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（TMAH）水溶液に現像可能なものが工程費用を節減できる等、幾多の面で有利である。
しかし、このような全ての性質を満足する重合体、特に遠紫外線用フォトレジストを製造することは非常に困難である。例えば、主鎖がポリアクリレート系の重合体は合成するのは容易であるが、エッチング耐性の確保及び現像工程に問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
以後、主鎖に脂肪族環単位体（alicyclic unit）が含まれたフォトレジストを用いてエッチング耐性を確保したが、脂肪族環単位体の導入が実際の半導体製造工程で重大な問題を発生させ、ArFレジストにおける大きな問題点のうちの一つである露光後遅延安定性（post exposure delay stability）は未だ解決されていないのが実情である。
即ち、半導体製造工程で露光した後、熱処理するときまでの時間が遅滞するに伴い、露光後レジスト内に発生した酸が外部汚染物質、主にアミン類の化合物と中和反応して消滅することにより、現像時に露光部位の表面が溶解せず微細パターンを得られないか或いはＴ−topが発生する問題点がある。
本発明の目的は遠紫外線領域で用いることができ、露光後熱処理遅延に関する新規のフォトレジスト用単量体とその製造方法、前記単量体を含むフォトレジスト用共重合体とその製造方法、及び前記重合体を含むフォトレジスト組成物を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
ここに本発明者等は、前述の従来技術の問題点を解決するため努力を続けていた中、アセタールが含まれた脂肪族環化合物を単量体とする重合体がエッチング耐性及び耐熱性も優れるだけでなく、露光後熱処理遅延に安定した感光剤を製造することができるという点を見出し本発明を完成した。
【０００６】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、
下記式（１ａ）及び下記式（１ｂ）で示される化合物からなる群から選択されることを特徴とするフォトレジスト用単量体である。
【化１４】
Figure 0004663075
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１記載のフォトレジスト用単量体の製造方法であって、
（ａ）下記式（２ａ）の化合物と下記式（３ａ）の化合物を反応させ、下記式（４ａ）の化合物を得る段階、
（ｂ）前記式（４ａ）の化合物を触媒存在下でアルコール（ＣＨ ３ ＯＨ又はＣＨ ３ ＣＨ ２ ＯＨ）と反応させる段階、及び
（ｃ）前記結果物をアルカリで中和させ、単量体を得る段階を含むことを特徴とする。
【化１５】
Figure 0004663075
【化１６】
Figure 0004663075
【化１７】
Figure 0004663075
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項２記載のフォトレジスト用単量体の製造方法において、前記（ｂ）段階の触媒は、トリフルオロメタンスルホン酸（trifluoromethanesulfonic acid）であることを特徴とする。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、第１単量体として下記式（１）の化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト用共重合体である。
【化１８】
Figure 0004663075
前記式で、
Ｚ1及びＺ2はＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
Ｒ1及びＲ2 は炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
Ｒ3及びＲ4は水素であるか、炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
Ｒ5は水素又はメチルであり、
ｐは０〜５の中から選択される整数である。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項４記載のフォトレジスト用共重合体において、第２単量体として、下記式（５）の化合物をさらに含むことを特徴とする。
【化１９】
Figure 0004663075
前記式で、
Ｙ1及びＹ2はＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
Ｒ6は水素又はメチルであり、
Ｒ8は水素であるか、炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
Ｒ10 は炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
ｑは０〜５の中から選択される整数である。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、請求項５記載のフォトレジスト用共重合体において、第３単量体として、ｔ−ブチル、テトラヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロピラン−２−イル、２−エトキシエチル及びｔ−ブトキシエチルからなる群から選択される作用基を有する化合物をさらに含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、請求項６記載のフォトレジスト用共重合体において、前記化合物は、下記式（６）の化合物であることを特徴とする。
【化２０】
Figure 0004663075
前記式で、
Ｘ1及びＸ2はＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
Ｒ7は水素又はメチルであり、
Ｒ9は水素であるか、炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
ｒは０〜５の中から選択される整数である。
【００１４】
請求項８に記載の発明は、請求項４記載のフォトレジスト用共重合体において、下記式（７）の化合物であることを特徴とする。
【化４】
Figure 0004663075
前記式で、
Ｘ1、Ｘ2、Ｙ1、Ｙ2、Ｚ1及びＺ2はそれぞれＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は互いに同じであるか異なり、水素又はメチルであり、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ10はそれぞれ炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8及びＲ9はそれぞれ水素であるか、炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ０〜５の中から選択される整数であり、
ａ：ｂ：ｃ：ｄは各単量体の重合モル比として０．５０：０．３０：０．０５：０．１５である。
【００１５】
請求項９に記載の発明は、請求項８記載のフォトレジスト用共重合体において、前記式（７）の化合物は、下記式（７ａ）又は下記式（７ｂ）の化合物であることを特徴とする。
【化５】
Figure 0004663075
【化６】
Figure 0004663075
前記式で、ａ：ｂ：ｃ：ｄは各単量体の重合モル比として０．５０：０．３０：０．０５：０．１５である。
【００１６】
請求項１０に記載の発明は、請求項４記載のフォトレジスト用共重合体において、分子量が４，０００〜１２，０００であることを特徴とする。
【００１７】
請求項１１に記載の発明は、請求項４記載のフォトレジスト用共重合体の製造方法において、
（ａ）(i)下記式（１）の化合物、(ii)下記式（５）の化合物、(iii)選択的に下記式（６）の化合物及び無水マレイン酸を有機溶媒に溶解させる段階、
（ｂ）前記（ａ）段階の結果物溶液に重合開始剤を添加する段階、及び
（ｃ）前記（ｂ）段階の溶液を窒素、又はアルゴン雰囲気下で反応させる段階を含むことを特徴とする。
【化２４】
Figure 0004663075
【化２５】
Figure 0004663075
【化２６】
Figure 0004663075
前記式で、
Ｘ1、Ｘ2、Ｙ1、Ｙ2、Ｚ1及びＺ2はそれぞれＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は互いに同じであるか異なり、水素又はメチルであり、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ10はそれぞれ炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8及びＲ9はそれぞれ水素であるか、炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ０〜５の中から選択される整数である。
【００１８】
請求項１２に記載の発明は、請求項１１記載のフォトレジスト用共重合体の製造方法において、前記有機溶媒はテトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、メチルエチルケトン及びジオキサンからなる群から選択されることを特徴とする。
【００１９】
請求項１３に記載の発明は、請求項１１記載のフォトレジスト用共重合体の製造方法において、前記重合開始剤は２,２’−アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド及びｔ−ブチルパーオキサイドからなる群から選択されることを特徴とする。
【００２０】
請求項１４に記載の発明は、請求項４〜１０のいずれか記載のフォトレジスト用共重合体と、有機溶媒と、光酸発生剤を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物である。
【００２１】
請求項１５に記載の発明は、請求項１４記載のフォトレジスト組成物において、前記光酸発生剤は、硫化塩系又はオニウム塩系であることを特徴とする。
【００２２】
請求項１６に記載の発明は、請求項１４記載のフォトレジスト組成物において、前記光酸発生剤は、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロアルセネート、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルトリフレート、ジフェニルパラトルエニルトリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウムトリフレートからなる群から選択されるものを一つ又は二つ以上含むことを特徴とする。
【００２３】
請求項１７に記載の発明は、請求項１４記載のフォトレジスト組成物において、前記光酸発生剤はフォトレジスト用樹脂（フォトレジスト用共重合体）に対し、０．１〜１０重量％の比率で用いられることを特徴とする。
【００２４】
請求項１８に記載の発明は、請求項１４記載のフォトレジスト組成物において、前記有機溶媒はメチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン及び２−へプタノンからなる群から選択されることを特徴とする。
【００２５】
請求項１９に記載の発明は、請求項１４記載のフォトレジスト組成物において、前記有機溶媒は前記フォトレジスト用樹脂（フォトレジスト用共重合体）に対し、２００〜８００重量％の比率で用いられることを特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】
前記目的を達成するため本発明では、アセタールが含まれた脂肪族環化合物であるフォトレジスト用単量体及びその製造方法、前記単量体を含むフォトレジスト用共重合体及びその製造方法、前記共重合体を含むフォトレジスト組成物、及び前記フォトレジスト組成物を利用するフォトレジストパターン形成方法、この方法により製造された半導体素子を提供する。
【００３３】
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明ではまず、フォトレジスト単量体に用いられる下記式（１）の化合物を提供する。
【化３１】
Figure 0004663075
前記式で、
Ｚ1及びＺ2はＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
Ｒ1及びＲ2は置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
Ｒ3及びＲ4は水素であるか、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
Ｒ5は水素又はメチルであり、
ｐは０〜５の中から選択される整数である。
【００３４】
前記式（１）の化合物は、下記式（１ａ）〜下記式（１ｄ）の化合物からなる群から選択されるのが好ましい。
【化３２】
Figure 0004663075
【化３３】
Figure 0004663075
前記式（１）の化合物は多様な方法で製造することができるが、具体的な例としてｐが０である場合の式（１）の化合物は下記の段階を含む方法により製造される。
（ａ）下記式（２）の化合物と式（３）の化合物を反応させ式（４）の化合物を得る段階、
（ｂ）式（４）の化合物を触媒存在下でアルコール（Ｒ1ＯＨ又はＲ2ＯＨ）と反応させる段階、及び
（ｃ）前記結果物をアルカリで中和させ式（１）の化合物を得る段階。
【化３４】
Figure 0004663075
【化３５】
Figure 0004663075
【化３６】
Figure 0004663075
前記式で、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は前述の通りであり、
Ｚは前記Ｚ2と同一である。
【００３５】
前記製造方法中、（ａ）段階では式（２）の化合物を有機溶媒とともに−１５〜−２５℃まで冷却・攪拌した後、これに式（３）の化合物を一滴ずつ滴下して８〜１２時間の間攪拌し、未反応物及び溶媒を除去した後減圧蒸留して式（４）の化合物を得る。
次の（ｂ）及び（ｃ）段階では、前記式（４）の化合物とアルコール（Ｒ1ＯＨ又はＲ2ＯＨ）を触媒存在下で還流しながら反応させ、還流終了後アルカリで中和した後減圧蒸留して目的の式（１）の化合物を得る。このとき（ｂ）段階の触媒はトリフルオロメタンスルホン酸（trifluoromethanesulfonic acid）を用いるのが好ましい。
【００３６】
本発明ではさらに、第１単量体として前記式（１）の化合物を含むフォトレジスト用共重合体を提供する。
【００３７】
前記本発明の共重合体は、第２単量体として下記式（５）の化合物をさらに含むことができる。
【化３７】
Figure 0004663075
前記式で、
Ｙ1及びＹ2はＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
Ｒ6は水素又はメチルであり、
Ｒ8は水素であるか、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
Ｒ10は置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
ｑは０〜５の中から選択される整数である。
【００３８】
本発明の共重合体はさらに、第３単量体として酸に敏感な保護基（acid labile protecting group）を有する化合物をさらに含むことができる。酸に敏感な保護基はｔ−ブチル、テトラヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロピラン−２−イル、２−エトキシエチル及びｔ−ブトキシエチルからなる群から選択されたものが好ましい。なお、酸に敏感な保護基を有する化合物は下記式（６）の化合物であるのが好ましい。
【化３８】
Figure 0004663075
前記式で、
Ｘ1及びＸ2はＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
Ｒ7は水素又はメチルであり、
Ｒ9は水素であるか、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
ｒは０〜５の中から選択される整数である。
【００３９】
前記共重合体は下記式（７）の化合物であるのが好ましい。
【化３９】
Figure 0004663075
前記式で、
Ｘ1、Ｘ2、Ｙ1、Ｙ2、Ｚ1及びＺ2はそれぞれＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は互いに同じであるか異なり、水素又はメチルであり、
Ｒ1、Ｒ2及びＲ10はそれぞれ置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8及びＲ9はそれぞれ水素であるか、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ０〜５の中から選択される整数であり、
ａ：ｂ：ｃ：ｄは各単量体の重合モル比として０．５０：０．１２５〜０．４０：０．０２５〜０．１０：０．０５〜０．３５である。
【００４０】
前記式（７）は重合体の各単量体単位（unit）の総使用量を比較するための構造式であるだけで、各単量体単位の特定の順位を規定するものではない。例えば、“ａ”はポリマー全体に亘って分散されていることもあり、特定位置に集中していることもある無水マレイン酸の総使用量を示すものである。
【００４１】
フォトレジストの露光後遅延安定性を向上させるための方法の一つとして、レジスト溶液中のポリマーの形を変化させる方法を考慮することができるが、このような概念のレジストにはずり減粘レジスト（shear thinning resist）がある。このようなずり減粘レジストを製造するためには、i)レジスト溶媒としてずり減粘溶媒（shear thinning solvent）の非ニュートン系溶媒を用いる方法、ii)ポリマーの構造を変形させる方法、及びiii)レジスト溶液を半導体基板に塗布するときの温度を調節する方法等がある。
本発明の場合、前記方法等のうち第二の方法に該当し、ポリマーの構造を変形させることによりずり減粘レジストを製造しようとするものである。即ち、前記本発明のポリマーは既存のフォトレジスト用ポリマーとは別に、溶媒内でずり減粘流体（shear thinning fluid）のように存在し、ポリマーが溶媒内で剛性棒型（rigid rod）又は楕円型（ellipsoidal）構造を有することによりレジスト内に生成された酸の蒸発を防ぎ、外部アミンにより中和され消滅することを防止することができ、したがって露光後遅延安定性を有することになる。
【００４２】
前記式（７）の化合物は、分子量が４，０００〜１２，０００である下記式（７ａ）又は式（７ｂ）の化合物であるのが好ましい。
【化４０】
Figure 0004663075
【化４１】
Figure 0004663075
前記式で、ａ：ｂ：ｃ：ｄは各単量体の重合モル比として０．５０：０．１２５〜０．４０：０．０２５〜０．１０：０．０５〜０．３５である。
【００４３】
前記本発明の共重合体は、単量体等を通常のラジカル重合開始剤でラジカル重合して製造することができるが、その過程は下記の段階を含む。
（ａ）前記（i）式（１）の化合物、（ii）式（５）の化合物、選択的に(optionally)（iii）式（６）の化合物、及び（iv）無水マレイン酸を有機溶媒に溶解させる段階、
（ｂ）前記（ａ）段階の結果物溶液に重合開始剤を添加する段階、及び
（ｃ）前記（ｂ）段階の溶液を窒素又はアルゴン雰囲気下で反応させる段階。
【００４４】
重合溶媒の前記有機溶媒はテトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、メチルエチルケトン及びジオキサンからなる群から選択され、重合開始剤は２,２’−アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド及びｔ−ブチルパーオキサイドからなる群から選択されるのが好ましい。
【００４５】
本発明ではさらに、本発明のフォトレジスト用樹脂と、有機溶媒と、光酸発生剤を含むフォトレジスト組成物を提供する。
前記光酸発生剤には、硫化塩系又はオニウム塩系化合物を用いることができ、具体的にジフェニル沃素塩ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロアルセネート、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルトリフレート、ジフェニルパラトルエニルトリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルトリフレート、ジフェニルパラ−ｔ−ブチルフェニルトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウムトリフレート中から選択される化合物を用いるのが好ましい。
【００４６】
さらに、光酸発生剤は前記共重合体に対し０．１〜１０重量％の比率で用いられるのが好ましいが、光酸発生剤が０．１重量％未満の場合はフォトレジストの光に対する敏感度が弱くなり、１０重量％を超過する場合は光酸発生剤が遠紫外線を多量に吸収し断面が不良のパターンを得ることになる。
【００４７】
さらに、前記有機溶媒はメチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、及び２−へプタノンからなる群から選択され、前記樹脂に対し２００〜８００重量％の比率で用いられるのが好ましい。この比率は望む厚さのフォトレジストを得るための量である。
【００４８】
本発明のフォトレジスト組成物はエッチング耐性、耐熱性及び接着性が優れるだけでなく、露光後遅延安定性が画期的に向上され、特にArF感光膜に有効に用いることができる。
【００４９】
本発明ではさらに、下記の段階を含むフォトレジストパターン形成方法を提供する。
（ａ）本発明のフォトレジスト組成物を被食刻層上部に塗布してフォトレジスト膜を形成する段階、
（ｂ）前記フォトレジスト膜を露光する段階、及び
（ｃ）前記結果物を現像し望むパターンを得る段階。
前記過程で、（ｂ）段階のi)露光前及び露光後、又はii)露光前又は露光後にそれぞれベーク工程を行なう段階をさらに含むことができ、このようなベーク工程は７０〜２００℃で行われる。
さらに、前記露光工程は光源としてArF、KrＦ及びEUVを含む遠紫外線（DUV、Deep Ultra Violet）、Ｅ−ビーム、Ｘ線又はイオンビームを利用し、１〜１００mJ/cm2の露光エネルギーで行われるのが好ましい。
【００５０】
具体的に前記フォトレジストパターン形成方法の例を挙げると、本発明のフォトレジスト組成物をシリコンウェーハにスピン塗布して薄膜を製造した後、８０〜１７０℃のオーブン又は熱板で１〜５分間ソフトベークし、遠紫外線露光装置又はエキシマレーザ露光装置を利用して露光した後、１００〜２００℃で露光後ベークする。このように露光したウェーハを２．３８ｗｔ％ TMAH水溶液で１分３０秒間沈漬することにより、超微細レジスト画像を得ることができるようになる。
【００５１】
さらに、本発明では前記本発明のフォトレジスト組成物を利用して前記パターン形成方法により製造された半導体素子を提供する。
【００５２】
【実施例】
以下本発明を実施例に基づき詳しく説明する。但し、実施例は発明を例示するのみであり、本発明が下記実施例により限定されるものではない。
【００５３】
I．単量体の製造
実施例１
式（１ａ）の単量体の合成
下記式（２ａ）のシクロペンタジエン１モルとTHF１００ｇを１０００ｍｌラウンドフラスコに入れ、零下２０℃まで冷却・攪拌した。ここに下記式（３ａ）のアクロレイン１．２モルを一滴ずつ滴下し１０時間の間攪拌した後、減圧蒸留器で未反応物及び溶媒を除去し４０℃で減圧蒸留して下記式（４ａ）の単量体を得た（収率：８０％、１０６ｇ）。下記式（４ａ）の単量体１０６ｇをメタノール４００ｇとともに１０００ｍｌラウンドフラスコに入れ、ここにトリフルオロメタンスルホン酸０．１ｍｌを添加した後８５℃で１０時間の間還流させた。還流終了後ここに水酸化カリウム（ＫＯＨ）を投入しpH７になるよう中和してから、５０℃で減圧蒸留して前記式（１ａ）の単量体を得た（収率：７０％、７４ｇ）。
【化４２】
Figure 0004663075
【化４３】
Figure 0004663075
【化４４】
Figure 0004663075
実施例２
式（１ｂ）の単量体合成
実施例１でメタノールの代りにエタノールを用いることを除いては、実施例１と同一の方法で反応を行い前記式（１ｂ）の単量体を得た。
【００５４】
II．重合体の製造
実施例３
式（７ａ）の重合体合成
無水マレイン酸０．１モルと下記式（６ａ）の単量体０．０６モル、下記式（５ａ）の単量体０．０１モル、前記実施例１で製造した式（１ａ）の単量体０．０３モル、重合開始剤のＡＩＢＮ０．５ｇにテトラヒドロフラン２０ｇを２５０ｃｃフラスコに入れ、窒素或いはアルゴン状態で６５℃の温度で１０時間反応させた。高分子反応完了後、エチルエーテル溶媒で高分子沈澱させ前記式（７ａ）の重合体を得た（収率：３０％、８．５ｇ）。
【化４５】
Figure 0004663075
【化４６】
Figure 0004663075
実施例４
式（７ｂ）の重合体合成
実施例３で式（１ａ）の単量体を用いる代りに実施例２で製造した式（１ｂ）の単量体を用いることを除いては、実施例３と同一の方法で反応を行い前記式（７ｂ）の重合体を得た。
【００５５】
III．フォトレジスト組成物の製造及びパターン形成
実施例５
実施例３で製造した式（７ａ）の重合体２０ｇにトリフェニルスルホニウムトリフレート０．２４ｇをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート溶媒１６０ｇに溶解してフォトレジスト組成物を製造した。
この組成物をシリコンウェーハに塗布して１５０℃で９０秒間ベークした後ArF露光装備で露光し、次いで１４０℃で９０秒間再びベークしてから２．３８ｗｔ％ TMAH現像液で現像して０．１３μｍＬ／Ｓの超微細パターンを得た。
【００５６】
実施例６
実施例５で式（７ａ）の重合体の代りに実施例４で製造した式（７ｂ）の重合体を用いることを除いては、実施例５と同一の方法でフォトレジスト組成物を製造してパターンを形成した。
【００５７】
実施例７
露光後遅延安定性実験
前記実施例５及び実施例６で製造したフォトレジスト組成物を利用してパターンを形成する過程で、３０ｐｐｂ以上のアミン存在下でそれぞれ露光後０分、３０分、６０分及び１２０分間遅延した後現像し、パターンの大きさの変化を測定した結果を図１〜図４で示し、時間の遅延に伴うＣＤ（線幅、Critical Dimension）の変化を表１に示した。
【００５８】
【表１】
Figure 0004663075
図１〜図４、及び表１で見られるように本発明のフォトレジスト組成物を用いる場合、他の感光剤を用いた場合より外部アミン汚染に敏感に反応せず時間遅延にも拘らず微細パターンを形成することができた。
【００５９】
【発明の効果】
以上で検討したように、本発明のフォトレジスト組成物は他の感光剤より外部アミン汚染に敏感に反応しない露光後遅延安定性が非常に優れた感光剤であるため、超微細パターン、特にArF（193nm）光源のような極短波長領域の光源を採用するフォトリソグラフィーに適する。また、本発明のフォトレジスト組成物は、優れたエッチング耐性及び耐熱性を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフォトレジスト組成物を利用して露光後遅延なく得られたパターンを示す写真である。
【図２】本発明のフォトレジスト組成物を利用して露光後３０分間遅延させた場合のパターンを示す写真である。
【図３】本発明のフォトレジスト組成物を利用して露光後６０分間遅延させた場合のパターンを示す写真である。
【図４】本発明のフォトレジスト組成物を利用して露光後１２０分間遅延させた場合のパターンを示す写真である。

Claims (19)

  1. 下記式（１ａ）及び下記式（１ｂ）で示される化合物からなる群から選択されることを特徴とするフォトレジスト用単量体。
    Figure 0004663075
  2. 請求項１記載のフォトレジスト用単量体の製造方法であって、
    （ａ）下記式（２ａ）の化合物と下記式（３ａ）の化合物を反応させ、下記式（４ａ）の化合物を得る段階、
    （ｂ）前記式（４ａ）の化合物を触媒存在下でアルコール（ＣＨ ３ ＯＨ又はＣＨ ３ ＣＨ ２ ＯＨ）と反応させる段階、及び
    （ｃ）前記結果物をアルカリで中和させ、単量体を得る段階を含むことを特徴とするフォトレジスト用単量体の製造方法。
    Figure 0004663075
    Figure 0004663075
    Figure 0004663075
  3. 前記（ｂ）段階の触媒は、トリフルオロメタンスルホン酸（trifluoromethanesulfonic acid）であることを特徴とする請求項２記載のフォトレジスト用単量体の製造方法。
  4. 第１単量体として下記式（１）の化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト用共重合体。
    Figure 0004663075
    前記式で、
    Ｚ1及びＺ2はＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
    Ｒ1及びＲ2 は炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
    Ｒ3及びＲ4は水素であるか、炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
    Ｒ5は水素又はメチルであり、
    ｐは０〜５の中から選択される整数である。
  5. 第２単量体として、下記式（５）の化合物をさらに含むことを特徴とする請求項４記載のフォトレジスト用共重合体。
    Figure 0004663075
    前記式で、
    Ｙ1及びＹ2はＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
    Ｒ6は水素又はメチルであり、
    Ｒ8は水素であるか、炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
    Ｒ10 は炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
    ｑは０〜５の中から選択される整数である。
  6. 第３単量体として、ｔ−ブチル、テトラヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロピラン−２−イル、２−エトキシエチル及びｔ−ブトキシエチルからなる群から選択される作用基を有する化合物をさらに含むことを特徴とする請求項５記載のフォトレジスト用共重合体。
  7. 前記化合物は、下記式（６）の化合物であることを特徴とする請求項６記載のフォトレジスト用共重合体。
    Figure 0004663075
    前記式で、
    Ｘ1及びＸ2はＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
    Ｒ7は水素又はメチルであり、
    Ｒ9は水素であるか、炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
    ｒは０〜５の中から選択される整数である。
  8. 下記式（７）の化合物であることを特徴とする請求項４記載のフォトレジスト用共重合体。
    Figure 0004663075
    前記式で、
    Ｘ1、Ｘ2、Ｙ1、Ｙ2、Ｚ1及びＺ2はそれぞれＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
    Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は互いに同じであるか異なり、水素又はメチルであり、
    Ｒ1、Ｒ2及びＲ10はそれぞれ炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
    Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8及びＲ9はそれぞれ水素であるか、炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
    ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ０〜５の中から選択される整数であり、
    ａ：ｂ：ｃ：ｄは各単量体の重合モル比として０．５０：０．３０：０．０５：０．１５である。
  9. 前記式（７）の化合物は、下記式（７ａ）又は下記式（７ｂ）の化合物であることを特徴とする請求項８記載のフォトレジスト用共重合体。
    Figure 0004663075
    Figure 0004663075
    前記式で、ａ：ｂ：ｃ：ｄは各単量体の重合モル比として０．５０：０．３０：０．０５：０．１５である。
  10. 分子量が４，０００〜１２，０００であることを特徴とする請求項４記載のフォトレジスト用共重合体。
  11. 請求項４記載のフォトレジスト用共重合体の製造方法であって、
    （ａ）(i)下記式（１）の化合物、(ii)下記式（５）の化合物、(iii)選択的に下記式（６）の化合物、及び無水マレイン酸を有機溶媒に溶解させる段階、
    （ｂ）前記（ａ）段階の結果物溶液に重合開始剤を添加する段階、及び
    （ｃ）前記（ｂ）段階の溶液を窒素、又はアルゴン雰囲気下で反応させる段階を含むことを特徴とするフォトレジスト用共重合体の製造方法。
    Figure 0004663075
    Figure 0004663075
    Figure 0004663075
    前記式で、
    Ｘ1、Ｘ2、Ｙ1、Ｙ2、Ｚ1及びＺ2はそれぞれＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、Ｏ又はＳであり、
    Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は互いに同じであるか異なり、水素又はメチルであり、
    Ｒ1、Ｒ2及びＲ10はそれぞれ炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
    Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8及びＲ9はそれぞれ水素であるか、炭素数Ｃ1〜Ｃ5の主鎖又は側鎖アルキルであり、
    ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ０〜５の中から選択される整数である。
  12. 前記有機溶媒はテトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、メチルエチルケトン及びジオキサンからなる群から選択されることを特徴とする請求項１１記載のフォトレジスト用共重合体の製造方法。
  13. 前記重合開始剤は２,２’−アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド及びｔ−ブチルパーオキサイドからなる群から選択されることを特徴とする請求項１１記載のフォトレジスト用共重合体の製造方法。
  14. 請求項４〜１０のいずれか記載のフォトレジスト用共重合体と、有機溶媒と、光酸発生剤を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。
  15. 前記光酸発生剤は、硫化塩系又はオニウム塩系であることを特徴とする請求項１４記載のフォトレジスト組成物。
  16. 前記光酸発生剤は、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロアルセネート、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルトリフレート、ジフェニルパラトルエニルトリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウムトリフレートからなる群から選択されるものを一つ又は二つ以上含むことを特徴とする請求項１４記載のフォトレジスト組成物。
  17. 前記光酸発生剤はフォトレジスト用樹脂に対し、０．１〜１０重量％の比率で用いられることを特徴とする請求項１４記載のフォトレジスト組成物。
  18. 前記有機溶媒はメチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン及び２−へプタノンからなる群から選択されることを特徴とする請求項１４記載のフォトレジスト組成物。
  19. 前記有機溶媒は前記フォトレジスト用樹脂に対し、２００〜８００重量％の比率で用いられることを特徴とする請求項１４記載のフォトレジスト組成物。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7070914B2 (en) 2002-01-09 2006-07-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6517066B2 (ja) * 2014-03-31 2019-05-22 三井化学株式会社 樹脂組成物およびその用途
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP7515411B2 (ja) 2018-06-27 2024-07-12 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
TW202043922A (zh) * 2019-02-22 2020-12-01 美商蘭姆研究公司 用於製作極紫外光可圖案化硬遮罩的光阻
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
KR102667792B1 (ko) 2020-02-03 2024-05-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 또는 인듐 층을 포함하는 구조체를 형성하는 방법
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
TW202200505A (zh) 2020-04-24 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於穩定釩化合物之方法及設備
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI862836B (zh) 2020-05-21 2024-11-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包括多個碳層的結構以及形成和使用其的方法
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210148914A (ko) 2020-05-29 2021-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
CN113871296A (zh) 2020-06-30 2021-12-31 Asm Ip私人控股有限公司 衬底处理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011093A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 몰리브덴층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202218049A (zh) 2020-09-25 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
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USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02500750A (ja) * 1986-10-14 1990-03-15 ロクタイト．コーポレーション 複環状エン化合物に基づくチオールエン組成物
JPH10254139A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2000159717A (ja) * 1998-10-28 2000-06-13 Hyundai Electronics Ind Co Ltd フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト重合体の製造方法、及びフォトレジストパタ―ンの形成方法
JP2000508080A (ja) * 1996-03-07 2000-06-27 ザ ビー．エフ．グッドリッチ カンパニー 酸不安定ペンダント基を持つ多環式ポリマーからなるフォトレジスト組成物

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4576742A (en) * 1982-03-02 1986-03-18 International Flavors & Fragrances Inc. Perfume uses of reactive product containing mono-oxomethyl substituted polyhydrodimethanonaphthalene derivatives
JPH02146045A (ja) * 1988-02-17 1990-06-05 Tosoh Corp フォトレジスト組成物
JP2638887B2 (ja) * 1988-02-26 1997-08-06 東ソー株式会社 感光性組成物
US5705503A (en) * 1995-05-25 1998-01-06 Goodall; Brian Leslie Addition polymers of polycycloolefins containing functional substituents
US6103845A (en) * 1996-10-11 2000-08-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemically amplified resist polymers
KR100228771B1 (ko) * 1996-12-20 1999-11-01 김영환 원자외선용 감광막 공중합체 및 그 제조방법
KR100195583B1 (ko) * 1997-04-08 1999-06-15 박찬구 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
JPH11102065A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Hitachi Ltd 感光性樹脂組成物、その組成物を用いたパターン形成方法、および、電子装置の製造方法
KR100321080B1 (ko) * 1997-12-29 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트
WO1999040132A1 (fr) * 1998-02-09 1999-08-12 Maruzen Petrochemical Co., Ltd. Procede de production d'un polymere de p-vinylphenol faiblement colore
KR19990081722A (ko) * 1998-04-30 1999-11-15 김영환 카르복실기 함유 지환족 유도체 및 그의 제조방법
KR100281902B1 (ko) * 1998-08-18 2001-03-02 윤종용 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
US6235447B1 (en) * 1998-10-17 2001-05-22 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same
KR100557608B1 (ko) * 1999-02-10 2006-03-10 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트 가교제 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
TWI274230B (en) * 1999-07-30 2007-02-21 Hyundai Electronics Ind Novel photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing it
KR100647380B1 (ko) * 1999-07-30 2006-11-17 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02500750A (ja) * 1986-10-14 1990-03-15 ロクタイト．コーポレーション 複環状エン化合物に基づくチオールエン組成物
JP2000508080A (ja) * 1996-03-07 2000-06-27 ザ ビー．エフ．グッドリッチ カンパニー 酸不安定ペンダント基を持つ多環式ポリマーからなるフォトレジスト組成物
JPH10254139A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2000159717A (ja) * 1998-10-28 2000-06-13 Hyundai Electronics Ind Co Ltd フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト重合体の製造方法、及びフォトレジストパタ―ンの形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
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