JP4658987B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、ワイヤボンディングにより実装される半導体装置に関するものである。

従来、半導体チップをパッケージに収容したＳＯＰ（Small Outline Package)、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＰＧＡ（Pin Grid Array)、ＱＦＰ（Quad Flat Package）等のパッケージ形態の半導体装置が知られている。又、実装密度を向上させるために、複数個の半導体チップを１つのパッケージに収容したマルチチップパッケージ形態の半導体装置も種々提案されている。

マルチチップパッケージ形態の半導体装置に関する文献としては、例えば、次のようなものがある。

特開２０００−３３２１９４号公報 特開２００１−７２７７号公報

図１４（Ａ）、（Ｂ）は、従来のＳＯＰ型半導体装置の概略の構成図であり、同図（Ａ）は平面図、及び同図（Ｂ）は縦断面図である。又、図１５（Ａ）、（Ｂ）は、外部引き出し用のリード位置が図１４とは異なる従来のＳＯＰ型半導体装置の概略の構成図であり、同図（Ａ）は平面図、及び同図（Ｂ）は縦断面図である。

図１４の半導体装置では、リードフレーム１０Ａを用いて半導体チップ２０Ａが実装されている。リードフレーム１０Ａは、図１４（Ａ）に示すように、平面がほぼ矩形の半導体チップ搭載用のダイパッド１１Ａを有し、このダイパッド１１Ａの上辺及び下辺から所定距離離れて縦方向に、複数本のリード１２Ａが配設されている。各リード１２Ａは、内側のインナーリード部分にボンディングパッド１３Ａが設けられ、外側のアウターリード部分が外部に引き出されている。

ダイパッド１１Ａ上には、平面が矩形状の半導体チップ２０Ａが固着されている。半導体チップ２０Ａの表面には、図１４（Ａ）に示すように、リードフレーム側のボンディングパッド１３Ａの配置位置に対応して、上辺及び下辺の近傍に複数個のボンディングパッド２１Ａが配設されている。半導体チップ側の複数個のボンディングパッド２１Ａは、複数本のワイヤ１４Ａにより、リードフレーム側の複数個のボンディングパッド１３Ａに接続されている。これらの半導体チップ２０Ａ及び複数本のワイヤ１４Ａは、樹脂部材１５Ａにより樹脂封止されている。

図１５の半導体装置では、図１４のリードフレーム１０Ａに対して、リードの引き出し方向が異なるリードフレーム１０Ｂを用いて実装しているため、図１４の半導体チップ２０Ａに対して、ボンディングパッドの配置位置の異なる半導体チップ２０Ｂを用いている。

即ち、図１５のリードフレーム１０Ｂでは、図１５（Ａ）に示すように、平面が矩形状のダイパッド１１Ｂの左辺及び右辺から所定距離離れて横方向に、複数本のリード１２Ｂが配設されている。各リード１２Ｂは、内側のインナーリード部分にボンディングパッド１３Ｂが設けられ、外側のアウターリード部分が横方向に引き出されている。

ダイパッド１１Ｂ上に固着された平面が矩形状の半導体チップ２０Ｂは、図１４の半導体チップ２０Ａと同一の機能を有するが、リードフレーム側のボンディングパッド１３Ｂの配置位置に対応させるために、表面の左辺及び右辺の近傍に複数個のボンディングパッド２１Ｂが配置されるように、図１４の半導体チップ２０Ａとは別個に新たに作成される。この半導体チップ２０Ｂの複数個のボンディングパッド２１Ｂは、複数本のワイヤ１４Ｂにより、リードフレーム側の複数個のボンディングパッド１３Ｂに接続された後、これらの半導体チップ２０Ｂ及び複数本のワイヤ１４Ｂが、樹脂部材１５Ｂにより樹脂封止される。

図１６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、従来のマルチチップパッケージ形態の半導体装置を示す概略の構成図であり、同図（Ａ）は表面から見た平面図、同図（Ｂ）は裏面から見た底面図、及び同図（Ｃ）は縦断面図であり、図１５中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。

この半導体装置では、例えば、メモリ容量を２倍にする等の目的で、図１５のようなリードフレーム１０Ｂのダイパッド１１Ｂの表裏両面に、同じ機能を持った半導体チップ２０Ｂ，２０Ｃを搭載している。

リードフレーム１０Ｂは、図１６（Ａ）に示すように、平面が矩形状のダイパッド１１Ｂを有し、この左辺及び右辺から所定距離離れて横方向に、複数本のリード１２Ｂが配設されている。複数本のリード１２Ｂは、内側のインナーリード部分にボンディングパッド１３Ｂ（左側のボンディングパッド１３Ｂ−１１，１３Ｂ−１２，・・・、右側のボンディングパッド１３Ｂ−２１，１３Ｂ−２２，・・・）が設けられ、外側のアウターリード部分が横方向に引き出されている。

ダイパッド１１Ｂの表側の半導体チップ２０Ｂの表面には、リードフレーム側のボンディングパッド１３Ｂ−１１，１３Ｂ−１２，・・・，１３Ｂ−２１，１３Ｂ−２２，・・・に対応して、左辺及び右辺の近傍に複数個のボンディングパッド２１Ｂ（左側のボンディングパッド２１Ｂ−１１，２１Ｂ−１２，・・・、右側のボンディングパッド２１Ｂ−２１，２１Ｂ−２２，・・・）が配置されている。左側のボンディングパッド２１Ｂ−１１，２１Ｂ−１２，・・・は、複数本のワイヤ１４Ｂにより、リードフレーム側の左側のボンディングパッド１３Ｂ−１１，１３Ｂ−１２，・・・に接続される。右側のボンディングパッド２１Ｂ−２１，２１Ｂ−２２，・・・は、リードフレーム側の右側のボンディングパッド１３Ｂ−２１，１３Ｂ−２２・・・に接続される。

ダイパッド１１Ｂの裏側の半導体チップ２０Ｃとして、表側の半導体チップ２０Ｂと同一の構成（即ち、ボンディングパッドの配置が同一）のチップを使用した場合、ダイパッド１１Ｂの表側から見て、ボンディングパッドの配置が左右あるいは上下に反転されるため、複数のワイヤ１４Ｃが交差してショートする。これを防止するため、裏側の半導体チップ２０Ｃは、表側の半導体チップ２０Ｂに対して、内部素子回路及びボンディングパッドの配置が回転対称となるように反転（即ち、表と裏が対向するようにミラー反転）させたミラーチップ、構造ものを使用している。

ミラーチップ構造の半導体チップ２０Ｃは、図１６（Ｂ）に示すように、リードフレーム側のボンディングパッド１３Ｂ−１１，１３Ｂ−１２，・・・，１３Ｂ−２１，１３Ｂ−２２，・・・に対応して、右辺及び左辺（裏面から見ているので左右が逆の関係になっている。）の近傍に複数個のボンディングパッド２１Ｃ（右側のボンディングパッド２１Ｃ−１１，２１Ｃ−１２，・・・、左側のボンディングパッド２１Ｃ−２１，２１Ｃ−２２，・・・）が配設されている。右側のボンディングパッド２１Ｃ−１１，２１Ｃ−１２，・・・は、複数本のワイヤ１４Ｃにより、リードフレーム側の表面から見て左側のボンディングパッド１３Ｂ−１１，１３Ｂ−１２，・・・に接続される。右側のボンディングパッド２１Ｃ−２１，２１Ｃ−２２，・・・は、リードフレーム側の表面から見て右側のボンディングパッド１３Ｃ−２１，１３Ｃ−２２，・・・に接続される。

これらの半導体チップ２０Ｂ，２０Ｃ及び複数本のワイヤ１４Ｂ，１４Ｃは、樹脂部材１５Ｂにより樹脂封止される。

しかしながら、従来の図１４、図１５と従来の図１６の半導体装置では、次の（１）、（２）のような課題があった。

（１） 従来の図１４、図１５の課題
例えば、図１４の半導体チップ２０Ａを図１５のパッケージに搭載する場合、両者のボンディングパッドの配置位置が異なり、ワイヤの交差によるショート等が生じるので、ワイヤ１４Ａで接続することができない。そのため、半導体チップ２０Ａと同一の機能を持ち、ボンディングパッドの位置を移動させた図１５の半導体チップ２０Ｂを新たに作成する必要がある。

このように、図１４及び図１５のような半導体装置では、パッケージ形状が変わる毎にそのパッケージ用に半導体チップを設計し作成する必要があり、更に、作成した半導体チップに対し、プロービング等によって良否を検証（動作確認テスト）する必要があるため、多大な費用と開発期間が必要になる。又、図１５のパッケージに合わせた半導体チップ２０Ｂのボンディングパッド配置にすることによってチップサイズが大きくなったり、あるいはそれぞれの半導体チップに関する在庫を持つ必要が生じる。

このような不都合を解消するために、例えば、文献１に記載されたパッド位置変換用の金属配線フィルムを、図１４の半導体チップ２０Ａ上に設け、その金属配線フィルムを介して、図１４の半導体チップ側のボンディングパッド２１Ａと図１５のリードフレーム側のボンディングパッド１３Ｂとをワイヤで接続することも考えられる。あるいは、文献２に記載された配線パターンを有する信号位置変換部を、図１５のダイパッド１１Ｂに固定し、この上に図１４の半導体チップ２０Ａを搭載し、その信号位置変換部を介して、図１４の半導体チップ側のボンディングパッド２１Ａと図１５のリードフレーム側のボンディングパッド１３Ｂとをワイヤで接続することも考えられる。

しかし、文献１のような金属配線フィルム、あるいは文献２のような信号位置変換部を設けてボンディングパッド間をワイヤボンディングする構成あるいは方法では、中継のための配線構造等が確立されていないので、半導体チップ側及びリードフレーム側のボンディングパッドの位置の変更に伴い、中継のための配線構造等が変更されるので、例えば、動作確認の検証のためにプロービング等を行うときに、新たな周辺機器が必要となり、大幅にコストが増加する虞があった。

（２） 従来の図１６の課題
表側の半導体チップ２０Ｂと、これのミラーチップである裏側の半導体チップ２０Ｃとの２種類の半導体チップを用意する必要があるので、パッケージ形状が変わる毎にそのパッケージ用に２種類の半導体チップを設計し作成する必要があり、更に、作成した２種類の半導体チップに対し、プロービング等によって良否を検証（動作確認テスト）する必要があるため、コスト高になったり、チップサイズが大きくなったり、あるいはそれぞれの半導体チップに関して在庫を持つ必要が生じる。

このような不都合を解消するために、例えば、文献１に記載されたパッド位置変換用の金属配線フィルムや、文献２に記載された配線パターンを有する信号位置変換部を用いることも考えられるが、前記（１）と同様に、例えば、動作確認の検証のためにプロービング等を行うときに、新たな周辺機器が必要となり、大幅にコストが増加する虞があった。

本発明は、前記従来技術が持っていた課題を解決し、ボンディングパッドの配置変換が簡易的確に行える半導体装置を提供することを目的とする。

前記課題を解決するために、本発明の半導体装置では、複数の電極が配置された半導体チップ搭載用の基板と、前記基板上に搭載され、第１のボンディングパッドが複数配置されたシリコン基板を用いてなる半導体チップと、前記半導体チップの表面の外縁の内側に収まり、且つ前記半導体チップ上に前記第１のボンディングパッドを露出するように搭載され、第２のボンディングパッドと第３のボンディングパッドと該第２のボンディングパッドと該第３のボンディングパッドとを電気的に接続する配線とが複数配置されたシリコン基板を用いてなる中継チップと、前記半導体チップと前記中継チップとの間に設けられた衝撃緩衝材と、前記第１のボンディングパッドと前記第２のボンディングパッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第１のワイヤと、前記電極と前記第３のボンディングパッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第２のワイヤとを有し、前記中継チップは、シリコン基板上に前記配線が層間絶縁膜を介して積層された多層配線構造を備えることを特徴とする。

本発明によれば、半導体チップ上に中継チップを積層し、この中継チップを用いてパッド配置を変換しているので、基板側電極の配置形態に対応させるために、半導体チップ側のパッド配置を変更する必要がなく、種々の配置形態の基板側電極にワイヤボンディングできる。特に、中継チップの配線パターンが多層配線構造になっているので、配線間をショートさせることなく、複雑な配線パターンを容易に形成できる。更に、半導体チップの表面の外縁の内側に収まるように、中継チップを固着しているので、この中継チップを所定位置に強固に固定できると共に、衝撃緩衝材によって半導体チップが受ける衝撃力を小さくでき、半導体チップの故障率を減少できる。

半導体装置は、複数の電極が配置された半導体チップ搭載用の基板と、前記基板上に搭載され、第１のボンディングパッドが複数配置されたシリコン基板を用いてなる半導体チップと、前記半導体チップの表面の外縁の内側に収まり、且つ前記半導体チップ上に前記第１のボンディングパッドを露出するように搭載され、第２のボンディングパッドと第３のボンディングパッドと該第２のボンディングパッドと該第３のボンディングパッドとを電気的に接続する配線とが複数配置されたシリコン基板を用いてなる中継チップと、前記半導体チップと前記中継チップとの間に設けられた衝撃緩衝材と、前記第１のボンディングパッドと前記第２のボンディングパッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第１のワイヤと、前記電極と前記第３のボンディングパッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第２のワイヤとを有している。そして、前記中継チップは、シリコン基板上に前記配線が層間絶縁膜を介して積層された多層配線構造を備えている。

（構成）
図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の実施例１を示すＳＯＰ型半導体装置の概略の構成図であり、同図（Ａ）は一部を省略した平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）を横方向に切断した断面図、及び同図（Ｃ）は同図（Ａ）を縦方向に切断した断面図である。

このＳＯＰ型半導体装置は、半導体チップ搭載用の基板として、例えば、リードフレーム３０を用いている。リードフレーム３０は、図１（Ａ）に示すように、平面がほぼ矩形の半導体チップ搭載用のダイパッド３１を有し、このダイパッド３１の左辺及び右辺から所定距離離れて横方向に、複数本のリード３２が配設されている。複数本のリード３２は、内側のインナーリード部分に第１のボンディングパッド３３（左側のボンディングパッド３３−１１，３３−１２，・・・、右側のボンディングパッド３３−２１，３３−２２，・・・）が設けられ、外側のアウターリード部分が横方向に引き出されている。

ダイパッド３１の表面には、平面がほぼ矩形の半導体チップ４０が固着されている。半導体チップ４０は、シリコン等の基板に半導体メモリ、半導体集積回路（以下「ＩＣ」という。）等が形成され、この表面の上辺及び下辺の近傍に複数個の第２のボンディングパッド４１（上側のボンディングパッド４１−１１，４１−１２，・・・、下側のボンディングパッド４１−２１，４１−２２，・・・）が配設されている。

半導体チップ４０の表面の外縁の内側に収まるように、平面がほぼ方形の中継チップ５０が絶縁性の接着材４５により固着されている。中継チップ５０は、シリコン、ガラスエポキシ樹脂等の薄型基板を有し、この基板表面の４辺の近傍に複数個の第３のボンディングパッド５１（上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・、下側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・、左側のボンディングパッド５１−３１，５１−３２，・・・、右側のボンディングパッド５１−４１，５１−４２，・・・）が配設されている。

中継チップ５０の基板に、導電膜等からなる配線パターン５２が形成され、この配線パターン５２によって複数個のボンディングパッド５１が相互に接続されている。例えば、上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・の左半分は、左側のボンディングパッド５１−３１，５１−３２，・・・の上半分と相互に接続され、上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・の右半分は、右側のボンディングパッド５１−４１，５１−４２，・・・の上半分と相互に接続され、下側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・の左半分は、左側のボンディングパッド５１−３１，５１−３２，・・・の下半分と相互に接続され、下側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・の右半分は、右側のボンディングパッド５１−４１，５１−４２，・・・の下半分と相互に接続されている。

半導体チップ側の複数個のボンディングパッド４１は、複数本のワイヤ６１によって中継チップ側の複数個のボンディングパッド５１に接続され、この複数個のボンディングパッド５１に配線パターン５２を介して接続された他の複数個のボンディングパッド５１が、複数本のワイヤ６２によってリードフレーム側の複数個のボンディングパッド３３に接続されている。

例えば、半導体チップ４０の上側のボンディングパッド４１−１１，４１−１２，・・・の左半分は、ワイヤ６１及び中継チップ５０を介して、リードフレーム３０の左側のボンディングパッド３３−１１，３３−１２，・・・の上半分に接続され、半導体チップ４０の上側のボンディングパッド４１−１１，４１−１２，・・・の右半分は、ワイヤ６１及び中継チップ５０を介して、リードフレーム３０の右側のボンディングパッド３３−２１，３３−２２，・・・の上半分に接続されている。同様に、半導体チップ４０の下側のボンディングパッド４１−２１，４１−２２，・・・の左半分は、リードフレーム３０の左側のボンディングパッド３３−１１，３３−１２，・・・の下半分に接続され、半導体チップ４０の下側のボンディングパッド４１−２１，４１−２２，・・・の右半分は、リードフレーム３０の右側のボンディングパッド３３−２１，３３−２２，・・・の下半分に接続されている。

これらのダイパッド３１、半導体チップ４０、中継チップ５０、ワイヤ６１，６２、及びリードフレーム３２のボンディングパッド３３部分は、樹脂部材７０により樹脂封止されている。リード３２のアウターリード部分は、樹脂部材７０から突出し、下方向へほぼＬ字形に折り曲げられている。

（製造方法）
図２は、図１の半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
図１の半導体装置は、例えば、（１）チップボンディング工程、（２）マウント工程、（３）ワイヤボンディング工程、及び（４）封止工程等によって製造される。以下、各製造工程を説明する。

（１） チップボンディング工程
ダイスボンダにより半導体チップ４０を把持し、リードフレーム３０のダイパッド３１の表面に、半導体チップ４０の裏面を、銀ペースト等の接着材等によって固着する。

（２） マウント工程
絶縁性の接着材４５を、半導体チップ４０の表面のほぼ中央部分、あるいは中継チップ５０の裏面に形成しておく。接着材４５としては、例えば、エポキシ樹脂等を用いた低応力のペースト材や、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等のフィルム材等を使用すればよい。

ダイスボンダにより中継チップ５０を把持し、半導体チップ４０の表面の外縁の内側に収まるように、中継チップ５０の裏面を接着材４５により固着する。

この固着時においては、ダイスボンダの接触圧力や移動速度等を調整して、半導体チップ４０が受ける衝撃力を小さくすることが望ましい。又、衝撃力を緩衝するために、接着材４５として衝撃緩衝機能を有するものを使用したり、あるいは別途、衝撃緩衝パッド等を半導体チップ４０と中継チップ５０との間に設けても良い。

（３） ワイヤボンディング工程
ワイヤボンダを用いて、半導体チップ４０のボンディングパッド４１と中継チップ５０のボンディングパッド５１とを、ワイヤ６１で接続すると共に、中継チップ５０のボンディングパッド５１とリードフレーム３０のボンディングパッド３３とを、ワイヤ６２で接続する。

（４） 封止工程等
半導体チップ４０及び中継チップ５０が搭載されたリードフレーム３０を、例えば、金型成型機にセットし、エポキシ樹脂等の樹脂部材７０によるモールド成形により、半導体チップ４０、中継チップ５０及びワイヤ６１，６２等を樹脂封止する。

リードフレーム３０の余分な樹脂、ばり、不要部分等を除去すると共に、このリード３２のアウターリード部分を所望の形状に折り曲げる等すれば、図１の半導体装置の製造が終了する。その後、必要に応じて、テスタで良否の検証を行う。

（動作）
図１の半導体装置では、リード３２のアウターリード部分と半導体チップ４０とが、中継チップ５０及びワイヤ６１，６２を介して電気的に接続されているので、そのアウターリード部分に対して信号の入出力を行えば、所定の電気的動作が行われる。

（効果等）
この実施例１では、次の（ａ）〜（ｇ）のような効果等がある。

（ａ） 半導体チップ４０上に中継チップ５０を積層し、この中継チップ５０を用いてリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続できるようにパッド配置をほぼ直角方向に変換している。そのため、例えば、従来の図１５のような半導体チップ２０Ｂを作成しなくても、この図１５のようなパッケージに搭載することが可能になる。

（ｂ） 中継チップ５０は、ボンディングパッド５１と配線パターン５２のみで構成できるため、従来の図１５のような半導体チップ２０Ｂを作成する場合よりも、再設計や動作の検証に必要な費用、あるいは開発費用等を減らすことが可能である。

（ｃ） 従来の図１５のような半導体チップ２０Ｂに合わせたパッド配置にすることによってチップサイズが大きくなることもなく、中継チップ５０を半導体チップ４０上に積層しているので、この中継チップ５０を配置するのに必要な面積は増加しない。

（ｄ） 半導体チップ４０の表面の外縁の内側に収まるように、中継チップ５０を固着しているので、この中継チップ５０を所定位置に強固に固定できる。そのため、中継チップ搭載時やワイヤボンディング時に加わる力により、中継チップ５０が所定の搭載位置からずれることがなく、中継チップ搭載及びワイヤボンディングを簡単かつ的確に行うことができる。

（ｅ） 例えば、接着材４５として衝撃緩衝機能を有するものを使用したり、あるいは別途、衝撃緩衝パッド等を半導体チップ４０と中継チップ５０との間に設けると、中継チップ５０の固着時において、半導体チップ４０が受ける衝撃力を小さくでき、これによって半導体チップ４０の故障率を減少できる。

（ｆ） 中継チップ５０の配線パターン５２は、パッド配置の変換方向等に対応して種々の形態に変更できる。この際、配線状態が複雑になって配線相互間でショートする等の不都合が生じる場合には、配線パターン５２を、例えば、図３のような多層配線構造にすれば良い。

（ｇ） 図３は、多層配線構造の一例を示す概略の拡大断面図である。
中継チップ５０は、シリコン、ガラスエポキシ樹脂等の薄型基板５０ａを有している。基板５０ａ上には、配線パターン５２を形成する導電膜５０ｂと、層間絶縁膜５０ｃとが、積層状態に交互に配置形成されている。導電膜５０ｂは、コンタクトホール５０ｄ等によってボンディングパッド５１と接続されている。このような積層構造を用いれば、配線間をショートさせることなく、複雑な配線パターン５２を容易に形成できる。
〔参考例１〕

（構成等）
図４は、本発明の参考例１を示すＳＯＰ型半導体装置の一部を省略した概略の平面図であり、実施例１を示す図１〜図３中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。

このＳＯＰ型半導体装置では、図１の中継チップ５０に代えて、これを複数個（例えば、縦横２分割した４個）のほぼ矩形の中継チップ５０Ａ−１，５０Ａ−２，５０Ａ−３，５０Ａ−４を用い、この中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４を、図１と同様の半導体チップ４０の表面の外縁の内側に収まるように固着している。

各中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４は、同一の構成であり、隣接する２辺の近傍に複数個のボンディングパッド５１が配設され、これらの各辺の複数個のボンディングパッド５１が、配線パターン５２によって相互に接続されている。これらの中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４は、ボンディングパッド用のワイヤ６１，６２の長さを短くするために、ボンディングパッド３３，４１と対向するようにボンディングパッド５１の位置を回転させて、半導体チップ４０の表面の四隅近くに配置し、図１とほぼ同様に、ワイヤ６１，６２によって半導体チップ４０のボンディングパッド４１及びリードフレーム３０のボンディングパッド３３に接続している。
その他の構成と、動作は、図１とほぼ同様である。

（製造方法）
中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４は、例えば、図１の中継チップ５０を縦横に２分割するように切断すれば、製造できる。

図２の製造方法とほぼ同様に、チップボンディング工程において、ダイパッド３１上に半導体チップ４０を固着する。マウント工程において、各中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４におけるボンディングパッド５１の位置合わせを行うために、各中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４を回転させて、接着材４５で半導体チップ４０上に固着する。次に、ワイヤボンディング工程において、各中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４と、半導体チップ４０のボンディングパッド４１及びリードフレーム３０のボンディングパッド３３とを、ワイヤ６１，６２により接続する。

その後、封止工程において、半導体チップ４０、中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４、及びワイヤ６１，６２等を樹脂部材７０で樹脂封止し、その他、図２とほぼ同様の処理を行えば、図４の半導体装置の製造が終了する。

（効果等）
この参考例１では、実施例１の１個の中継チップ５０に代えて、複数個の中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４を用い、パッド配置をほぼ直角方向に変換しているので、実施例１の（ａ）〜（ｇ）の効果等とほぼ同様の効果等がある。更に、次の（ｈ）〜（ｊ）のような効果等もある。

（ｈ） 各中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４を半導体チップ４０の表面の四隅近くに配置しているので、実施例１に比べ、ワイヤ６１，６２の長さを短くすることが可能である。

（ｉ） 各中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４は、実施例１の中継チップ５０に比べ、チップサイズが小さいので、製造時における配線パターン５２の断線等を少なくしてチップの歩留まりを上げることができ、これにより、中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４のコストを下げることが可能である。

（ｊ） ４個の中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４を用いているが、ボンディングパッド３３，４１の配置形態等に対応して、中継チップを他の個数（例えば、２個、３個、５個等）にしても良い。

（構成等）
図５（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実施例２を示すＳＯＰ型半導体装置の概略の構成図であり、同図（Ａ）は一部を省略した平面図、及び同図（Ｂ）は同図（Ａ）中の中継チップの配線パターンの拡大図である。これらの図面において、実施例１及び参考例１を示す図１〜図４中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。

このＳＯＰ型半導体装置では、図４の４個の中継チップ５０Ａ−１，５０Ａ−２，５０Ａ−３，５０Ａ−４に代えて、４個のほぼ矩形の中継チップ５０Ｂ−１，５０Ｂ−２，５０Ｂ−３，５０Ｂ−４が、半導体チップ４０の表面の複数個のボンディングパッド４１の内側に収まるように、四隅近くに接着材４５で固着されている。各中継チップ５０Ｂ−１〜５０Ｂ−４は、同一の構成であり、この中継チップ５０Ｂ−１の概略の平面図が図５（Ｂ）に示されている。

中継チップ５０Ｂ−１は、例えば、図３に示すような多層配線構造をしており、薄型の基板５０ａ上に、導電膜５０ｂ及び層間絶縁膜５０ｃからなる多層配線構造の配線パターン５２Ｂが形成され、更にこの上に、複数個の第３のボンディングパッド５１が形成されている。各ボンディングパッド５１は、コンタクトホール５０ｄを介して配線パターン５２Ｂに接続されている。

複数個のボンディングパッド５１は、中継チップ５０Ｂ−１の表面の４辺の近傍に配置されている（上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・、下側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・、左側のボンディングパッド５１−３１，５１−３２，・・・、右側のボンディングパッド５１−４１，５１−４２，・・・）。ある辺にあるボンディングパッド（例えば、左側のボンディングパッド５１−３１）は、他の３辺にあるボンディングパッド（例えば、上側のボンディングパッド５１−１１、下側のボンディングパッド５１−２１、及び右側のボンディングパッド５１−４１）に、配線パターン５２Ｂの導電膜５０ｂによって接続されている。

そのため、図５（Ａ）の４個の中継チップ５０Ｂ−１〜５０Ｂ−４が同じ方向を向いていても、図４の中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４と同じ機能を持つことが可能である。これらの中継チップ５０Ｂ−１〜５０Ｂ−４は、図１と同様に、ワイヤ６１，６２によって半導体チップ４０のボンディングパッド４１及びリードフレーム３０のボンディングパッド３３に接続されている。
その他の構成と、動作は、図１及び図４とほぼ同様である。

（製造方法）
４個の中継チップ５０Ｂ−１〜５０Ｂ−４を用いて、参考例１と同様に製造される。

（効果等）
この実施例２では、複数個の中継チップ５０Ｂ−１〜５０Ｂ−４を用い、パッド配置をほぼ直角方向に変換しているので、実施例１及び参考例１の（ａ）〜（ｊ）の効果等とほぼ同様の効果等がある。更に、次の（ｋ）、（ｌ）のような効果等もある。

（ｋ） 参考例１の図４では、中継チップ５０Ａ−１〜５０Ａ−４を回転して実装する必要があったのに対し、本実施例の図５では、各中継チップ５０Ｂ−１〜５０Ｂ−４を回転する必要がない。これにより、マウント工程が簡単になる。

（ｌ） パッド配置の変換方向が３６０°可能になるので、ワイヤボンディング方向の自由度がより大きくなり、種々のパッド配置のパッケージに対応可能になる。

（構成等）
図６（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の実施例３を示すマルチチップパッケージ形態の半導体装置の概略の構成図であり、同図（Ａ）は表面から見て一部を省略した平面図、同図（Ｂ）は裏面から見て一部を省略した底面図、及び同図（Ｃ）は一部を省略した縦断面図である。又、図７は、図６（Ｂ）の拡大平面図である。これらの図面において、実施例１、及び実施例２を示す図１〜図５中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。

このマルチチップパッケージ形態の半導体装置では、図１のリードフレーム３０を用い、このダイパッド３１の表面と裏面に、平面がほぼ矩形の同一構成の半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２をそれぞれ固着すると共に、その半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２のいずれか一方（例えば、裏側の半導体チップ４０Ａ−２）の表面の外縁の内側に収まるように、接着材４５によって、平面がほぼ矩形の中継チップ５０Ｃを固着している。

各半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２の表面の左辺及び右辺の近傍には、複数個の第２のボンディングパッド４１（表面から見て、左側のボンディングパッド４１−１１，４１−１２，・・・、右側のボンディングパッド４１−２１，４１−２２，・・・、裏面側は上下左右が反転している。）が配設されている。

裏面側の半導体チップ４０Ａ−２のほぼ中央に固着された中継チップ５０Ｃは、例えば、図３に示すような多層配線構造をしており、この表面の左辺及び右辺の近傍に、複数個の第３のボンディングパッド５１（左側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・，５１−１Ｊ，・・・、右側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・，５１−２ｉ）が配設されている。左側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・，５１−１Ｊ，・・・と、右側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・，５１−２ｉとは、多層配線構造の配線パターン５２Ｃにより、配線状態が上下左右反転するように相互に接続されている。

これらの複数個のボンディングパッド５１は、複数本のワイヤ６１により、半導体チップ４０Ａ−２の複数個のボンディングパッド４１に接続されると共に、複数本のワイヤ６２−１，６２−２により、リードフレーム３０側の複数個のボンディングパッド３３に接続されている。

例えば、リードフレーム３０側のボンディングパッド３３−１１は、ワイヤ６２−１によって表面側の半導体チップ４０Ａ−１のボンディングパッド４１−１１に接続されると共に、ワイヤ６２−２によって裏面側の中継チップ５０Ｃのボンディングパッド５１−２ｉに接続されている。ボンディングパッド５１−２ｉは、配線パターン５２Ｃによって対向するボンディングパッド５１−１ｊに接続され、このボンディングパッド５１−１ｊが、ワイヤ６１によって裏面側の半導体チップ４０Ａ−２１のボインディングパット４１−１１に接続されている。これにより、リードフレーム３０側のボンディングパッド３３−１１は、表面側の半導体チップ４０Ａ−１のボンディングパッド４１−１１に接続されると共に、裏面側の半導体チップ４０Ａ−２１のボンディングパッド４１−１１に接続されることになる。

これらの半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２、中継チップ５０Ｃ、及びワイヤ６１，６２−１，６２−２等は、図１と同様に、樹脂部材７０により樹脂封止されている。その他の構成と、動作は、図１とほぼ同様である。

（製造方法）
図１の製造方法とほぼ同様に、チップボンディング工程において、ダイパッド３１の表面に半導体チップ４０Ａ−１を固着すると共に、これと同一構成の半導体チップ４０Ａ−２をダイパッド３１の裏面に固着する。マウント工程において、中継チップ５０Ｃを接着材４５で、半導体チップ４０Ａ−２の表面の外縁の内側に収まるように固着する。次に、ワイヤボンディング工程において、表面側の半導体チップ４０Ａ−１のボンディングパッド４１を、ワイヤ６２−１によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続する。

更に、中継チップ５０Ｃのボンディングパッド５１を、ワイヤ６１によって裏面側の半導体チップ４０Ａ−２のボンディングパッド５１に接続すると共に、ワイヤ６２−２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続する。その後、封止工程において、半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２、中継チップ５０Ｃ、及びワイヤ６１，６２−１，６２−２等を樹脂部材７０で樹脂封止し、その他、図１とほぼ同様の処理を行えば、図６の半導体装置の製造が終了する。

（効果等）
この実施例３では、実施例１の（ｂ）〜（ｅ）の効果等とほぼ同様の効果等がある上に、更に、次の（１）〜（３）のような効果等もある。

（１） 同一構成の２個の半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２を用い、中継チップ５０Ｃにより、一方の半導体チップ４０Ａ−２のパッド配置の方向を、他方の半導体チップ４０Ａ−１のパッド配置の方向に変換しているので、従来必要であったミラーチップを用いなくても、マルチチップパッケージ形態の半導体装置を容易に製造できる。このため、従来必要であった、ミラーチップの開発期間や作成期間を削減でき、又、従来のように余分なミラーチップの在庫をもつ必要もない。

（２） 中継チップ５０Ｃは、裏面側に代えて、表面側の半導体チップ４０Ａ−１上に固着しても、実施例と同様の作用、効果が得られる。

（３） 中継チップ５０Ｃの配線パターン５２Ｃは、パッド配置の変換方向等に対応して種々の形態に変更できる。

（構成等）
図８（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の実施例４を示すマルチチップパッケージ形態の半導体装置の概略の構成図であり、同図（Ａ）は表面から見て一部を省略した平面図、同図（Ｂ）は裏面から見て一部を省略した底面図、及び同図（Ｃ）は一部を省略した縦断面図である。又、図９は（Ａ）、（Ｂ）は、図８（Ａ）、（Ｂ）の拡大平面図である。これらの図面おいて、実施例１及び実施例３を示す図１及び図６中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。

このマルチチップパッケージ形態の半導体装置では、図１のリードフレーム３０を用い、このダイパッド３１の表面と裏面に、図１の半導体チップ４０と同一構成の半導体チップ４０−１，４１−２をそれぞれ固着し、更に、表面側半導体チップ４０−１の表面の外縁の内側に収まるように、図１と同一の接着材４５−１によって、図１と同一の中継チップ５０を固着すると共に、裏面側半導体チップ４０−２の表面の外縁の内側に収まるように、図１と同一の接着材４５−２によって、図１の中継チップ５０と異なる多層配線構造の中継チップ５０Ｃを固着している。

裏面側の半導体チップ４０−２の表面に固着された中継チップ５０Ｄは、例えば、図３に示すような多層配線構造をしており、表面側の半導体チップ４０−１と同様に、この表面の４辺の近傍に複数個の第３のボンディングパッド５１（上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・、下側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・、左側のボンディングパッド５１−３１，５１−３２，・・・、右側のボンディングパッド５１−４１，５１−４２，・・・）が配設されている。これらの複数個のボンディングパッド５１は、多層配線構造の配線パターン５２Ｄにより、配線状態が表面側の半導体チップ４０−１の配線パターン５２に対して上下左右が反転するように相互に接続されている。

即ち、裏面側の中継チップ５０Ｄにおいて、上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・の左半分が、右半分側に接続され、下側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・の左半分が、右半分側に接続され、左側のボンディングパッド５１−３１，５１−３２，・・・が、右側のボンディングパッド５１−４１，５１−４２，・・・に接続されている。

そして、表面側の中継チップ５０の複数個のボンディングパッド５１において、上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・が、複数本のワイヤ６１−１によって半導体チップ４０−１の上側のボンディングパッド４１−１１，４１−１２，・・・に接続され、下側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・が、複数本のワイヤ６１−１によって半導体チップ４０−１の下側のボンディングパッド４１−２１，４１−２２，・・・に接続されている。更に、左側のボンディングパッド５１−３１，５１−１２，・・・が、複数本のワイヤ６２−１によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３−１１，３３−１２，・・・に接続され、右側のボンディングパッド５１−４１，５１−１２，・・・が、複数本のワイヤ６２−１によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３−２１，３３−２２，・・・に接続されている。

又、裏面側の中継チップ５０Ｄの複数個のボンディングパッド５１において、上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・が、複数本のワイヤ６１−２によって半導体チップ４０−２の上側のボンディングパッド・・・，４１−２２，４１−２１に接続され、下側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・が、複数本のワイヤ６１−２によって半導体チップ４０−２の下側のボンディングパッド・・・，４１−１２，４１−１１に接続されている。更に、左側のボンディングパッド５１−３１，５３−１２，・・・が、複数本のワイヤ６２−２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド・・・３３−２２，３３−２１に接続され、右側のボンディングパッド５１−４１，５４−４２，・・・が、複数本のワイヤ６２−２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド・・・，３３−１２，３３−１１に接続されている。

そのため、例えば、リードフレーム３０側のボンディングパッド３３−１１は、表面側の半導体チップ４０−１のボンディングパッド４１−１１に接続されると共に、裏面側の半導体チップ４０−２のボンディングパッド４１−１１に接続されることになる。

これらの半導体チップ４０−１，４０−２、中継チップ５０，５０Ｄ、及びワイヤ６１−１，６１−２，６２−１，６２−２等は、図１と同様に、樹脂部材７０により樹脂封止されている。その他の構成と、動作は、図１とほぼ同様である。

（製造方法）
図６の製造方法とほぼ同様に、チップボンディング工程において、ダイパッド３１の表面に半導体チップ４０−１を固着すると共に、これと同一構成の半導体チップ４０−２をダイパッド３１の裏面に固着する。マウント工程において、中継チップ５０を接着材４５−１で、半導体チップ４０−１の表面の外縁の内側に収まるように固着すると共に、中継チップ５０Ｄを接着材４５−２で、半導体チップ４０−２の表面の外縁の内側に収まるように固着する。次に、ワイヤボンディング工程において、表面側の半導体チップ４０−１のボンディングパッド４１を、ワイヤ６１−１によって中継チップ５０のボンディングパッド５１に接続し、このボンディングパッド５１を、ワイヤ６２−１によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続する。

更に、裏面側の半導体チップ４０−２のボンディングパッド４１を、ワイヤ６１−２によって中継チップ５０Ｄのボンディングパッド５１に接続し、このボンディングパッド５１を、ワイヤ６２−２によってリードフレーム３０側のボンディグパッド３３に接続する。

その後、封止工程において、半導体チップ４０−１，４０−２、中継チップ５０，５０Ｄ、及びワイヤ６１−１，６１−２，６２−１，６２−２等を樹脂部材７０で樹脂封止し、その他、図６とほぼ同様の処理を行えば、図８の半導体装置の製造が終了する。

（効果等）
この実施例４では、実施例１の（ａ）〜（ｅ）の効果等とほぼ同様に、従来の図１５のような半導体チップ２０Ｂを作成する必要がない等の効果等がある。更に、実施例３の（１）、（３）の効果等とほぼ同様に、ミラーチップを作成する必要がない等の効果等がある。

（構成等）
図１０（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の実施例５を示すマルチチップパッケージ形態の半導体装置の概略の構成図であり、同図（Ａ）は表面から見て一部を省略した平面図、同図（Ｂ）は裏面から見て一部を省略した底面図、及び同図（Ｃ）は一部を省略した縦断面図である。又、図１１（Ａ）、（Ｂ）は、図１０（Ａ）、（Ｂ）の拡大平面図である。これらの図面において、実施例１及び実施例４を示す図１及び図８中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。

このマルチチップパッケージ形態の半導体装置では、図１のリードフレーム３０のダイパッド３１の表面と裏面に、図８と同様に同一構成の半導体チップ４０−１，４０−２をそれぞれ固着し、更に、表面側と裏面側の半導体チップ４０−１，４０−２のそれぞれの表面の外縁の内側に収まるように、図８と同様の接着材４５−１，４５−２によって、図８と異なる同一構成のほぼ矩形の中継チップ５０Ｅ−１，５０Ｅ−２をそれぞれ固着している。

表面側と裏面側の各中継チップ５０Ｅ−１，５０Ｅ−２は、例えば、図３に示すような多層配線構造をしており、この表面の４辺の近傍に複数個の第３のボンディングパッド５１（上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・、下側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・、左側のボンディングパッド５１−３１，５１−３２，・・・、右側のボンディングパッド５１−４１，５１−４２，・・・）が配設されている。これらの各複数個のボンディングパッド５１は、多層配線構造の表面側と裏面側の各配線パターン５２Ｅ−１，５２Ｅ−２により、それぞれ相互に接続されている。

即ち、各中継チップ５０Ｅ−１，５０Ｅ−２において、上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・の左半分中の複数個は、右半分中の複数個、及び左側のボンディングパッド５１−３１，５１−３２，・・・の上半分中の複数個にそれぞれ接続されている。上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・の右半分中の複数個は、左半分中の複数個、左側のボンディングパッド５１−３１，５１−３２，・・・の上半分中の複数個、及び右側のボンディングパッド５１−４１，５１−４２，・・・の上半分中の複数個にそれぞれ接続されている。

下側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・の左半分中の複数個は、右半分中の複数個、及び左側のボンディングパッド５１−３１，５１−３２，・・・の下半分中の複数個にそれぞれ接続されている。下側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・の右半分中の複数個は、左半分中の複数個、左側のボンディングパッド５１−３１，５１−３２，・・・の下半分中の複数個、及び右側のボンディングパッド５１−４１，５１−４２，・・・の下半分中の複数個にそれぞれ接続されている。

そして、表面側の中継チップ５０Ｅ−１の複数個のボンディングパッド５１において、上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・が、複数本のワイヤ６１−１によって半導体チップ４０−１の上側のボンディングパッド４１−１１，４１−１２，・・・に接続され、下側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・が、複数本のワイヤ６１−１によって半導体チップ４０−１の下側のボンディングパッド４１−２１，４１−２２，・・・に接続されている。更に、左側のボンディングパッド５１−３１，５３−１２，・・・が複数本のワイヤ６２−１によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３−１１，３３−１２，・・・に接続され、右側のボンディングパッド５１−４１，５４−４２，・・・が、複数本のワイヤ６２−１によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３−２１，３３−２２，・・・に接続されている。

又、裏面側の中継チップ５０Ｅ−２の複数個のボンディングパッド５１において、上側のボンディングパッド５１−１１，５１−１２，・・・が、複数本のワイヤ６１−２によって半導体チップ４０−２の上側のボンディングパッド・・・，４１−２２，４１−２１に接続され、下側のボンディングパッド５１−２１，５１−２２，・・・が、複数本のワイヤ６１−２によって半導体チップ４０−２の下側のボンディングパッド・・・，４１−１２，４１−１１に接続されている。更に、左側のボンディングパッド５１−３１，５１−１２，・・・が、複数本のワイヤ６２−２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド・・・，３３−２２，３３−２１に接続され、右側のボンディングパッド５１−４１，５４−１２，・・・が、複数本のワイヤ６２−２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド・・・，３３−１２，３３−１１に接続されている。

そのため、例えば、リードフレーム３０側のボンディングパッド３３−１１は、表面側の半導体チップ４０−１のボンディングパッド４１−１１に接続されると共に、裏面側の半導体チップ４０−２のボンディングパッド４１−１１に接続されることになる。

これらの半導体チップ４０−１，４０−２、中継チップ５０Ｅ−１，５０Ｅ−２、及びワイヤ６１−１，６１−２，６２−１，６２−２等は、図１及び図８と同様に、樹脂部材７０により樹脂封止されている。その他の構成と、動作は、図１及び図８とほぼ同様である。

（製造方法）
図８の製造方法とほぼ同様に、チップボンディング工程において、ダイパッド３１の表面に半導体チップ４０−１を固着すると共に、これと同一構成の半導体チップ４０−２をダイパッド３１の裏面に固着する。マウント工程において、中継チップ５０Ｅ−１を接着材４５−１で、半導体チップ４０−１の表面の外縁の内側に収まるように固着すると共に、その中継チップ５０Ｅ−１と同一構成の中継チップ５０Ｅ−２を接着材４５−２で、半導体チップ４０−２の表面の外縁の内側に収まるように固着する。次に、ワイヤボンディング工程において、表面側の半導体チップ４０−１のボンディングパッド４１の複数個を、ワイヤ６１−１によって中継チップ５０Ｅ−１のボンディングパッド５１の複数個に接続し、このボンディングパッド５１の他の複数個を、ワイヤ６２−１によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続する。

更に、裏面側の半導体チップ４０−２のボンディングパッド４１の複数個を、ワイヤ６１−２によって中継チップ５０Ｅ−２のボンディングパッド５１の複数個に接続し、このボンディングパッド５１の他の複数個を、ワイヤ６２−２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続する。

その後、封止工程において、半導体チップ４０−１，４０−２、中継チップ５０Ｅ−１，５０Ｅ−２、及びワイヤ６１−１，６１−２，６２−１，６２−２等を樹脂部材で樹脂封止し、その他、図８とほぼ同様の処理を行えば、図１０の半導体装置製造が終了する。

（効果等）
この実施例５では、次の（Ａ）〜（Ｄ）のような効果等がある。

（Ａ） 実施例１の（ａ）〜（ｅ）の効果等とほぼ同様に、従来の図１５のような半導体チップ２０Ｂを作成する必要がない等の効果等がある。

（Ｂ） 実施例３の（１）、（３）の効果等とほぼ同様に、ミラーチップを作成する必要がない等の効果等がある。

（Ｃ） １種類の中継チップ５０Ｅ−１，５０Ｅ−２でマルチチップパッケージ形態の半導体装置の製造が可能になる。しかも、従来の半導体装置の主要部分をそのまま使用することができるので、検証のためのプロービング等を行うときに、新たな周辺機器が必要でなく、コストを大幅に削減できる。

（Ｄ） リードフレーム３０用ボンディングパッド３３と、ワイヤ６２−１，６２−２で繋げる中継チップ５０Ｅ−１，５０Ｅ−２用のボンディングパッド５１とを、使い分けることによって表裏を区別しているが、これは半導体チップ４０−１，４０−２用のボンディングパッド４０と、ワイヤ６１−１，６１−２で繋げる中継チップ５０Ｅ−１，５０Ｅ−２用のボンディングパッド５１とを、使い分けることによって表裏を区別するようにしても良い。

（構成等）
図１２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施例６を示すマルチチップパッケージ形態の半導体装置の概略の構成図であり、同図（Ａ）は表面から見て一部を省略した平面図、及び同図（Ｂ）は一部を省略した縦断面図であり、実施例１を示す図１中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。

このマルチチップパッケージ形態の半導体装置では、図１のようなリードフレーム３０のダイパッド３１の表面に、平面がほぼ矩形の複数個（例えば、２個）の半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２が固着され、更に、この半導体チップ４０Ａ−１及び４０Ａ−２によって形成される１つの領域の外縁の内側に収まるように、図１と同様の接着材４５によって、平面がほぼ矩形の１個の中継チップ５０Ｆが固着されている。

各半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２には、この表面の対向する２辺の近傍に、複数個のボンディングパッド４１がそれぞれ配設されている。中継チップ５０Ｆは、半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２の複数個のボンディングパッド４１に対応して、表面の対向する２辺の近傍に、複数個のボンディングパッド５１が配設されている。複数個のボンディングパッド５１は、図３に示すような多層配線構造の配線パターン５２Ｆによって相互に接続されている。

中継チップ５０Ｆ側のボンディングパッド５１の複数個は、複数本のワイヤ６１によって半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２側の複数個のボンディングパッド４１に接続され、更に、ボンディングパッド５１の他の複数個が、複数本のワイヤ６２によってリードフレーム３０側の複数個のボンディングパッド３３（３３−１，３３−２，・・・）に接続されている。

これらの半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２、中継チップ５０Ｆ、及びワイヤ６１，６２等は、図１と同様に、樹脂部材７０により樹脂封止されている。その他の構成と、動作は、図１とほぼ同様である。

（製造方法）
図１の製造方法とほぼ同様に、チップボンディング工程において、ダイパッド３１の表面に半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２の裏面を固着する。マウント工程において、中継チップ５０Ｆを接着材４５で、半導体チップ４０Ａ−１及び４０Ａ−２によって形成される１つの領域の外縁の内側に収まるように固着する。次に、ワイヤボンディング工程において、半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２側のボンディングパッド４１の複数個を、ワイヤ６１によって中継チップ５０Ｆ側のボンディングパッド５１の複数個に接続し、このボンディングパッド５１の他の複数個を、ワイヤ６２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３（３３−１，３３−２，・・・）に接続する。

その後、封止工程において、半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２、中継チップ５０Ｆ、及びワイヤ６１，６２等を樹脂部材７０で樹脂封止し、その他、図１とほぼ同様の処理を行えば、図１２の半導体装置の製造が終了する。

（効果等）
この実施例６では、次の（Ｉ）〜（Ｖ）のような効果等がある。

（Ｉ） 半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２上に中継チップ５０Ｆを積層し、この中継チップ５０Ｆを用いてリードフレーム３０側のボンディングパッド３３に接続できるようにパッド配置の方向を変換している。そのため、パッド配置に制約されずに、マルチチップパッケージ形態の半導体装置を製造できる。

（II） 中継チップ５０Ｆは、ボンディングパッド５１と多層配線構造の配線パターン５２Ｆのみで構成されるため、パッド配置を変更した半導体チップを作成する場合よりも、再設計や動作の検証に必要な費用、あるいは開発費用等を減らすことが可能である。

（III） 半導体チップ４０Ａ−１及び４０Ａ−２によって形成される１つの領域の外縁の内側に収まるように、中継チップ５０Ｆを固着しているので、この中継チップ５０Ｆを所定位置に強固に固定できる。このため、中継チップ搭載時やワイヤボンディング時に加わる力により、中継チップ５０Ｆが所定の搭載位置からずれることがなく、中継チップ搭載及びワイヤボンディングを簡単かつ的確に行うことができる。

（IV） 例えば、接着材４５として衝撃緩衝機能を有するものを使用したり、あるいは別途、衝撃緩衝パッド等を半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２と中継チップ５０Ｆとの間に設けると、中継チップ５０Ｆの固着時において、半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２が受ける衝撃力を小さくでき、これによって半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２の故障率を減少できる。

（Ｖ） 半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２は、３個以上設けても良い。又、中継チップ５０Ｆの配線パターン５２Ｆは、パッド配置の変換方向等に対応して種々の形態に変更できる。

（構成等）
図１３（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施例７を示すマルチチップパッケージ形態の半導体装置の概略の構成であり、同図（Ａ）は表面から見て一部を省略した平面図、及び同図（Ｂ）は一部を省略した縦断面図であり、実施例１及び実施例６を示す図１、図１２中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。

このマルチチップパッケージ形態の半導体装置では、図１のようなリードフレーム３０のダイパッド３１の表面に、図１２と同様の複数個（例えば、２個）の半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２が固着され、更に、この半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２の表面の外縁の内側に収まるように、図１と同様の接着材４５によって、平面のほぼ矩形の中継チップ５０Ｇ−１，５０Ｇ−２がそれぞれ固着されている。

各半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２上に固着された各中継チップ５０Ｇ−１，５０Ｇ−２は、その半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２の複数個のボンディングパッド４１に対応して、表面の対向する２辺の近傍に、複数個のボンディングパッド５１が配設されている。又、各中継チップ５１Ｇ−１，５１Ｇ−２の他の１辺の近傍にも、必要に応じて複数個のボンディングパッド５１が配設されている。複数個のボンディングパッド５１は、図３に示すような多層配線構造の各配線パターン５２Ｇ−１，５２Ｇ−２によって相互に接続されている。

中継チップ５０Ｇ−１，５０Ｇ−２側のボンディングパッド５１の複数個は、複数本のワイヤ６１によって半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２側の複数個のボンディングパッド４１に接続され、更に、ボンディングパッド５１の他の複数個が、複数本のワイヤ６２によってリードフレーム３０側の複数個のボンディングパッド３３（３３−１，３３−２，・・・）に接続されている。又、中継チップ５０Ｇ−１と中継チップ５０Ｇ−２との接続が必要な場合には、中継チップ５０Ｇ−１側のボンディングパッド５１と、中継チップ５０Ｇ−２側のボンディングパッド５１とを、ワイヤ６３で接続すれば良い。

これらの半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２、中継チップ５０Ｇ−１，５０Ｇ−２、及びワイヤ６１，６２，６３等は、図１、図１２と同様に、樹脂部材７０により樹脂封止されている。その他の構成と、動作は、図１、図１２とほぼ同様である。

（製造方法）
図１、図１２の製造方法とほぼ同様に、チップボンディング工程において、ダイパッド３１の表面に半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２の裏面を固着する。マウント工程において、各中継チップ５０Ｇ−１，５０Ｇ−２を接着材４５で、各半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２の表面の外縁の内側に収まるように固着する。

次に、ワイヤボンディング工程において、半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２側のボンディングパッド４１の複数個を、ワイヤ６１によって中継チップ５０Ｇ−１，５０Ｇ−２，側のボンディングパッド５１の複数個に接続し、このボンディングパッド５１の他の複数個を、ワイヤ６２によってリードフレーム３０側のボンディングパッド３３（３３−１，３３−２，・・・）に接続する。中継チップ５０Ｇ−１と中継チップ５０Ｇ−２との接続が必要な場合には、中継チップ５０Ｇ−１側のボンディングパッド５１と、中継チップ５０Ｇ−２側のボンディングパッド５１とを、ワイヤ６３で接続する。

その後、封止工程において、半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２、中継チップ５０Ｇ−１，５０Ｇ−２、及びワイヤ６１，６２，６３等を樹脂部材７０で樹脂封止し、その他、図１、図１２とほぼ同様の処理を行えば、図１３の半導体装置の製造が終了する。

（効果等）
この実施例７では、実施例６の（Ｉ）〜（Ｖ）のような効果等がある上に、次の（VI）のような効果等もある。

（VI） 実施例６と比べ、図１２の中継チップ５０Ｆを中継チップ５０Ｇ−１と中継チップ５０Ｇ−２に分割して中継チップサイズを小さくしているので、断線等が少なくなって歩留まりが向上し、コストダウンが可能である。

本発明は、上記実施例や上記参考例に限定されず、種々の変形や利用形態が可能である。この変形や利用形態としては、例えば、次の（i）〜（iii）のようなものがある。

（i） 実施例や参考例では、ＳＯＰ型のパッケージについて説明したが、リードフレーム３０のアウターリード部分の引き出し形状を変えることにより、ＱＦＰ等の他のパッケージ形状にすることも可能である。又、樹脂封止型パッケージ以外に、中空パッケージ等の他のパッケージを用いても良い。

（ii） 半導体チップ搭載用の基板として、リードフレーム３０のダイパッド３１を用いた例を説明したが、配線基板、半導体基板、ガラスエポキシ基板等の他の基板を用いても良い。

（iii） 図示のパッド配置や中継チップの配線パターンは一例であって、パッド配置の変換方向等に対応して種々の形態に変更できる。又、製造方法や製造材料は、任意に変更可能である。

本発明の実施例１を示す半導体装置の概略の構成図である。 図１の製造方法の一例を示す図である。 多層配線構造の一例を示す概略の拡大断面図である。 本発明の参考例１を示す半導体装置の一部を省略した概略の平面図である。 本発明の実施例２を示す半導体装置の概略の構成図である。 本発明の実施例３を示す半導体装置の概略の構成図である。 図６（Ｂ）の拡大平面図である。 本発明の実施例４を示す半導体装置の概略の構成図である。 図８（Ａ）、（Ｂ）の拡大平面図である。 本発明の実施例５を示す半導体装置の概略の構成図である。 図１０（Ａ）、（Ｂ）の拡大平面図である。 本発明の実施例６を示す半導体装置の概略の構成図である。 本発明の実施例７を示す半導体装置の概略の構成図である。 従来の半導体装置の概略の構成図である。 従来の半導体装置の概略の構成図である。 従来の半導体装置の概略の構成図である。

３０ リードフレーム
３１ ダイパッド
３２ リード
３３，４１，５１ ボンディングパッド
４０，４０−１，４０−２，４０Ａ−１〜４０Ａ−４ 半導体チップ
４５，４５−１，４５−２ 接着材
５０，５０Ａ−１〜５０Ａ−４，５０Ｂ−１〜５０Ｂ−４，５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅ−１，５０Ｅ−２，５０Ｆ，５０Ｇ−１，５０Ｇ−２ 中継チップ
５２，５２Ｂ，５２Ｃ，５２Ｄ，５２Ｅ−１，５２Ｅ−２，５２Ｆ，５２Ｇ−１，５２Ｇ−２ 配線パターン
６１，６１−１，６１−２，６２，６２−１，６２−２ ワイヤ

Claims (7)

1. 複数の電極が配置された半導体チップ搭載用の基板と、
   前記基板上に搭載され、第１のボンディングパッドが複数配置されたシリコン基板を用いてなる半導体チップと、
   前記半導体チップの表面の外縁の内側に収まり、且つ前記半導体チップ上に前記第１のボンディングパッドを露出するように搭載され、第２のボンディングパッドと第３のボンディングパッドと該第２のボンディングパッドと該第３のボンディングパッドとを電気的に接続する配線とが複数配置されたシリコン基板を用いてなる中継チップと、
   前記半導体チップと前記中継チップとの間に設けられた衝撃緩衝材と、
   前記第１のボンディングパッドと前記第２のボンディングパッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第１のワイヤと、
   前記電極と前記第３のボンディングパッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第２のワイヤとを有し、
   前記中継チップは、シリコン基板上に前記配線が層間絶縁膜を介して積層された多層配線構造を備えることを特徴とする半導体装置。
2. 前記中継チップの前記配線は、屈曲部を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記中継チップの前記多層配線構造を構成する各層の前記配線は、互いに交差していることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
4. 隣り合って配置された前記第２のボンディングパッドの間隔は、隣り合って配置された前記第１のボンディングパッドの間隔よりも狭いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 隣り合って配置された前記第３のボンディングパッドの間隔は、隣り合って配置された前記電極の間隔よりも狭いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
6. 前記中継チップは複数個設けられることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
7. 前記半導体チップ、前記中継チップ、及び前記第１、第２のワイヤは樹脂封止されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。

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