JP4650471B2 - 液晶表示装置、その製造方法及び電子機器 - Google Patents
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Description
本発明は、フリンジフィールドスイッチング（Fringe Field Switching：以下、「ＦＦ
Ｓ」という。）モード等の横電界方式の表示装置、その製造方法及び電子機器に関する。
本発明は、特に共通配線とソース配線の交差部において、ソース配線の断線故障が抑制さ
れると共にソース配線と共通配線との間の短絡故障が少なく、信頼性が高い横電界方式の
液晶表示装置、その製造方法及び電子機器に関する。
Ｓ」という。）モード等の横電界方式の表示装置、その製造方法及び電子機器に関する。
本発明は、特に共通配線とソース配線の交差部において、ソース配線の断線故障が抑制さ
れると共にソース配線と共通配線との間の短絡故障が少なく、信頼性が高い横電界方式の
液晶表示装置、その製造方法及び電子機器に関する。
近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置が多く利用され
ている。従来から多く用いられている液晶表示装置は、表面に電極等が形成された一対の
ガラス等からなる基板と、この一対の基板間に形成された液晶層と、からなり、両基板上
の電極に電圧が印加されることにより、液晶を再配列させて光の透過率を変えることによ
り種々の映像を表示する、言わば縦方向電界モードともいうべきものである。このような
縦方向電界モードの液晶表示装置は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical
Alignment）モードのものが存在するが、視野角が狭いという問題点が存在するため、Ｍ
ＶＡ（Multidomain Vertical Alignment）モード等種々の改良された縦方向電界モードの
液晶表示装置が開発されている。
ている。従来から多く用いられている液晶表示装置は、表面に電極等が形成された一対の
ガラス等からなる基板と、この一対の基板間に形成された液晶層と、からなり、両基板上
の電極に電圧が印加されることにより、液晶を再配列させて光の透過率を変えることによ
り種々の映像を表示する、言わば縦方向電界モードともいうべきものである。このような
縦方向電界モードの液晶表示装置は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical
Alignment）モードのものが存在するが、視野角が狭いという問題点が存在するため、Ｍ
ＶＡ（Multidomain Vertical Alignment）モード等種々の改良された縦方向電界モードの
液晶表示装置が開発されている。
一方、上述の縦方向電界方式の液晶表示装置とは異なり、一方の基板にのみ画素電極及
び共通電極からなる一対の電極を備えたＩＰＳ（In-Plane Switching）モードないしＦＦ
Ｓモード等の横方向電界モードの液晶表示装置も知られている。
び共通電極からなる一対の電極を備えたＩＰＳ（In-Plane Switching）モードないしＦＦ
Ｓモード等の横方向電界モードの液晶表示装置も知られている。
このうちＩＰＳモードの液晶表示装置は、一対の電極を同一層に配置し、液晶に印加す
る電界の方向を基板にほぼ平行な方向として液晶分子を基板に平行な方向に再配列するも
のである。そのため、このＩＰＳモードの液晶表示装置は、前述の縦方向電界方式の液晶
表示装置と比すると非常に広視野角であるという利点を有している。しかしながら、ＩＰ
Ｓモードの液晶表示装置は、液晶に電界を印加するため一対の電極が同一層に設けられて
いるため、画素電極の上側に位置する液晶分子は十分に駆動されず、透過率等の低下を招
いてしまうといった問題点が存在している。
る電界の方向を基板にほぼ平行な方向として液晶分子を基板に平行な方向に再配列するも
のである。そのため、このＩＰＳモードの液晶表示装置は、前述の縦方向電界方式の液晶
表示装置と比すると非常に広視野角であるという利点を有している。しかしながら、ＩＰ
Ｓモードの液晶表示装置は、液晶に電界を印加するため一対の電極が同一層に設けられて
いるため、画素電極の上側に位置する液晶分子は十分に駆動されず、透過率等の低下を招
いてしまうといった問題点が存在している。
このようなＩＰＳモードの液晶表示装置の問題点を解決するために、ＦＦＳモードの液
晶表示装置が開発されている（下記特許文献１及び２参照）。このＦＦＳモードの液晶表
示装置は液晶層に電界を印加するための画素電極と共通電極をそれぞれ絶縁膜を介して異
なる層に配置したものである。
晶表示装置が開発されている（下記特許文献１及び２参照）。このＦＦＳモードの液晶表
示装置は液晶層に電界を印加するための画素電極と共通電極をそれぞれ絶縁膜を介して異
なる層に配置したものである。
このＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＩＰＳモードの液晶表示装置よりも広視野角かつ
高コントラストであり、更に低電圧駆動ができると共により高透過率であるため明るい表
示が可能となるという特徴を備えている。加えて、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＩＰ
Ｓモードの液晶表示装置よりも平面視で画素電極と共通電極との重複面積が大きいために
、より大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量線を設ける必要がなくなるという長
所も存在している。
特開２００１−２３５７６３号公報
特開２００２−１８２２３０号公報
高コントラストであり、更に低電圧駆動ができると共により高透過率であるため明るい表
示が可能となるという特徴を備えている。加えて、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＩＰ
Ｓモードの液晶表示装置よりも平面視で画素電極と共通電極との重複面積が大きいために
、より大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量線を設ける必要がなくなるという長
所も存在している。
従来のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板は、透明基板上にそれぞれの画素毎に
形成された透明導電性材料からなる共通電極（下電極ともいう）と、この共通電極の表面
に形成された窒化珪素等からなる絶縁膜と、この共通電極に対応する位置の絶縁膜の表面
に形成された複数の互いに平行に形成されたスリットを有する透明導電性材料からなる画
素電極（上電極ともいう）と、を備えている。このうち、透明導電性材料からなる共通電
極及び画素電極は、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zink Oxide）から作
成されている。このような従来例のＦＦＳモードの液晶表示装置は、ソース配線が共通配
線ないしゲート配線と交差する位置で、断線故障ないし短絡故障が時折り見受けられた。
この断線故障ないし短絡故障は、ソース配線とゲート配線の交差部よりも、ソース配線と
共通配線との交差部の方が多く見受けられている。
形成された透明導電性材料からなる共通電極（下電極ともいう）と、この共通電極の表面
に形成された窒化珪素等からなる絶縁膜と、この共通電極に対応する位置の絶縁膜の表面
に形成された複数の互いに平行に形成されたスリットを有する透明導電性材料からなる画
素電極（上電極ともいう）と、を備えている。このうち、透明導電性材料からなる共通電
極及び画素電極は、ＩＴＯ（Indium Thin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zink Oxide）から作
成されている。このような従来例のＦＦＳモードの液晶表示装置は、ソース配線が共通配
線ないしゲート配線と交差する位置で、断線故障ないし短絡故障が時折り見受けられた。
この断線故障ないし短絡故障は、ソース配線とゲート配線の交差部よりも、ソース配線と
共通配線との交差部の方が多く見受けられている。
発明者等はこの原因を調べるべく種々検討を重ねた結果、
（１）ソース配線及びゲート配線は、２度もエッチング液に触れるために過剰にエッチン
グされ、表面状態ないし断面形状が設計形状から変化していること、
（２）共通電極はそれぞれの画素ごとに形成されているが、隣接する画素間の共通電極は
剥き出しのゲート配線よりも細い共通配線を介して電気的に接続されているだけであるの
で、この細い共通配線に電荷が集中し易くなり、共通配線とソース配線との間にスパーク
が生じ易くなっていること、
が主原因であることを見出した。
（１）ソース配線及びゲート配線は、２度もエッチング液に触れるために過剰にエッチン
グされ、表面状態ないし断面形状が設計形状から変化していること、
（２）共通電極はそれぞれの画素ごとに形成されているが、隣接する画素間の共通電極は
剥き出しのゲート配線よりも細い共通配線を介して電気的に接続されているだけであるの
で、この細い共通配線に電荷が集中し易くなり、共通配線とソース配線との間にスパーク
が生じ易くなっていること、
が主原因であることを見出した。
なお、共通配線及びゲート配線が２度もエッチング液に触れる理由は次のとおりである
。すなわち、共通電極は、最初に透明基板上に複数の共通配線及びゲート配線を互いに平
行となるように形成した後、表面全体に亘って透明導電性材料からなる膜を形成し、フォ
トリソグラフィー法及びエッチング法によって所定のパターンに形成される。ところが、
共通配線及びゲート配線は、通常は表面がＭｏで被覆されたＡｌ又はＡｌ合金から形成さ
れ、所定のパターンに形成するためには湿式エッチング法が採用されている。また、透明
導電性材料からなる膜のエッチングにも同じく湿式エッチング法が採用されている。
。すなわち、共通電極は、最初に透明基板上に複数の共通配線及びゲート配線を互いに平
行となるように形成した後、表面全体に亘って透明導電性材料からなる膜を形成し、フォ
トリソグラフィー法及びエッチング法によって所定のパターンに形成される。ところが、
共通配線及びゲート配線は、通常は表面がＭｏで被覆されたＡｌ又はＡｌ合金から形成さ
れ、所定のパターンに形成するためには湿式エッチング法が採用されている。また、透明
導電性材料からなる膜のエッチングにも同じく湿式エッチング法が採用されている。
そうすると、一旦湿式エッチング法によって所定のパターンに形成された共通配線及び
ゲート配線は透明導電性材料のエッチングが進むに従って再度エッチング液に露出される
ことになる。そのため、ゲート配線及び各画素間の共通配線は２度もエッチング液に接触
することになるので、共通配線及びゲート配線は過剰にエッチングされてその表面状態な
いし断面形状が設計形状から変化してしまうこととなるわけである。その結果、ソース配
線が共通配線やゲート配線との交差部において断線故障ないし短絡故障を起こし易くなっ
ているものと推定される。
ゲート配線は透明導電性材料のエッチングが進むに従って再度エッチング液に露出される
ことになる。そのため、ゲート配線及び各画素間の共通配線は２度もエッチング液に接触
することになるので、共通配線及びゲート配線は過剰にエッチングされてその表面状態な
いし断面形状が設計形状から変化してしまうこととなるわけである。その結果、ソース配
線が共通配線やゲート配線との交差部において断線故障ないし短絡故障を起こし易くなっ
ているものと推定される。
このようなソース配線の断線故障ないし短絡故障は、共通電極の形成時にソース配線と
の交差部の共通配線及びゲート配線がエッチング液に触れることがない構成とすれば、抑
制することが可能である。そこで、発明者等は、共通電極の形成時に少なくともソース配
線との交差部の共通配線がエッチング液に触れることがない構成について、種々検討を重
ねた。その結果、発明者等は、共通電極のエッチング時にソース配線と共通配線の交差部
、更には必要に応じてソース配線とゲート配線との交差部にも、導電性材料層を形成して
おくと、解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
の交差部の共通配線及びゲート配線がエッチング液に触れることがない構成とすれば、抑
制することが可能である。そこで、発明者等は、共通電極の形成時に少なくともソース配
線との交差部の共通配線がエッチング液に触れることがない構成について、種々検討を重
ねた。その結果、発明者等は、共通電極のエッチング時にソース配線と共通配線の交差部
、更には必要に応じてソース配線とゲート配線との交差部にも、導電性材料層を形成して
おくと、解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
すなわち、本発明は、共通電極の形成時に共通配線やゲート配線のソース配線との交差
部がエッチング液に触れない構成とし、ソース配線の断線故及びソース配線と共通配線や
ゲート配線との間の短絡故障が抑制された、信頼性が高い横方向電界方式の表示装置及び
その製造方法を提供することを目的とする。
部がエッチング液に触れない構成とし、ソース配線の断線故及びソース配線と共通配線や
ゲート配線との間の短絡故障が抑制された、信頼性が高い横方向電界方式の表示装置及び
その製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持した一対の基板のう
ち、一方の基板上には平行に設けられた複数のゲート配線及び共通配線と、前記ゲート配
線及び共通配線と交差する方向に設けられた複数のソース配線と、前記ゲート配線及びソ
ース配線の交差部近傍に設けられた薄膜トランジスタと、複数の前記ゲート配線及びソー
ス配線で区画された領域毎に形成されているとともに前記共通配線に接続された透明導電
性材料からなる下電極と、前記下電極の表面に絶縁膜を介して形成された互いに平行に設
けられた複数のスリットを有する上電極と、を備え、前記下電極と上電極との間に生じる
電界によって前記液晶層を駆動する液晶表示装置において、
前記ソース配線と交差する位置の共通配線の表面には導電性材料層が形成されているこ
とを特徴とする。
ち、一方の基板上には平行に設けられた複数のゲート配線及び共通配線と、前記ゲート配
線及び共通配線と交差する方向に設けられた複数のソース配線と、前記ゲート配線及びソ
ース配線の交差部近傍に設けられた薄膜トランジスタと、複数の前記ゲート配線及びソー
ス配線で区画された領域毎に形成されているとともに前記共通配線に接続された透明導電
性材料からなる下電極と、前記下電極の表面に絶縁膜を介して形成された互いに平行に設
けられた複数のスリットを有する上電極と、を備え、前記下電極と上電極との間に生じる
電界によって前記液晶層を駆動する液晶表示装置において、
前記ソース配線と交差する位置の共通配線の表面には導電性材料層が形成されているこ
とを特徴とする。
本発明の液晶表示装置によれば、ソース配線と交差する位置の共通配線の表面には導電
性材料層が形成されているため、ソース配線と交差する位置の共通配線の表面は本来の共
通配線形成材料からなる層と導電性材料層との複層構造となっている。そのため、下電極
形成時に、ソース配線と交差する位置の共通配線の表面が露出することがないから、ソー
ス配線と交差する位置の共通配線が過剰にエッチングされてその表面状態ないし断面形状
が設計形状から変化してしまうことがない。そのため、この共通配線上に絶縁膜を介して
交差するようにソース配線を形成しても、ソース配線の断線故障が少なくなると共に、ソ
ース配線と共通配線間の静電気による短絡故障も少なくなる。
性材料層が形成されているため、ソース配線と交差する位置の共通配線の表面は本来の共
通配線形成材料からなる層と導電性材料層との複層構造となっている。そのため、下電極
形成時に、ソース配線と交差する位置の共通配線の表面が露出することがないから、ソー
ス配線と交差する位置の共通配線が過剰にエッチングされてその表面状態ないし断面形状
が設計形状から変化してしまうことがない。そのため、この共通配線上に絶縁膜を介して
交差するようにソース配線を形成しても、ソース配線の断線故障が少なくなると共に、ソ
ース配線と共通配線間の静電気による短絡故障も少なくなる。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記導電性材料層は、前記ソース配線の幅及
び共通配線の幅よりも広く形成されていることが好ましい。
び共通配線の幅よりも広く形成されていることが好ましい。
ソース配線と交差する位置の共通配線の表面に形成された導電性材料層は、ソース配線
ないし共通配線と同じ幅であっても良いが、特にソース配線の幅及び共通配線の幅よりも
広く形成すると、段差が滑らかになること及び電荷の集中がより減少するため、上記本発
明の効果が顕著に表れる。なお。前記導電性材料層の形状は、方形状、円形状、楕円形状
ないし多角形状であってもよい。
ないし共通配線と同じ幅であっても良いが、特にソース配線の幅及び共通配線の幅よりも
広く形成すると、段差が滑らかになること及び電荷の集中がより減少するため、上記本発
明の効果が顕著に表れる。なお。前記導電性材料層の形状は、方形状、円形状、楕円形状
ないし多角形状であってもよい。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記導電性材料層は前記下電極と同じ材料で
形成されていることが好ましい。
形成されていることが好ましい。
係る態様の液晶表示装置によれば、導電性材料層を下電極と同じ材料、すなわち透明導
電性材料で形成したため、下電極の形成時に同時に共通配線上に導電性材料層を形成する
ことができ、特に共通配線上に導電性材料層を形成するために工数を増やす必要がなくな
る。
電性材料で形成したため、下電極の形成時に同時に共通配線上に導電性材料層を形成する
ことができ、特に共通配線上に導電性材料層を形成するために工数を増やす必要がなくな
る。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記導電性材料層は前記下電極と一体に接続
されていることが好ましい。
されていることが好ましい。
係る態様の液晶表示装置によれば、導電性材料層は下電極と同じ材料で下電極と一体に
形成されていることになるため、共通配線の表面全体が透明導電性材料層で被覆された状
態となる。したがって、共通配線の抵抗は大きく低下するから、それぞれ共通電極として
作用する下電極の電位が安定化するので、それぞれの画素毎に表示画質のバラツキが少な
くなり、良好な表示画質の液晶表示装置が得られる。
形成されていることになるため、共通配線の表面全体が透明導電性材料層で被覆された状
態となる。したがって、共通配線の抵抗は大きく低下するから、それぞれ共通電極として
作用する下電極の電位が安定化するので、それぞれの画素毎に表示画質のバラツキが少な
くなり、良好な表示画質の液晶表示装置が得られる。
また、本発明の液晶表示装置においては、前記導電性材料層は前記ソース配線と交差す
る位置のゲート配線の表面にも形成されており、前記ゲート配線の表面に形成された導電
性材料層は前記ソース配線と交差する位置の共通配線の表面に形成された導電性材料層と
は電気的に分離されていることが好ましい。
る位置のゲート配線の表面にも形成されており、前記ゲート配線の表面に形成された導電
性材料層は前記ソース配線と交差する位置の共通配線の表面に形成された導電性材料層と
は電気的に分離されていることが好ましい。
ゲート配線は共通配線よりも太いため、共通配線とソース配線との交差部と比すると、
ソース配線の断線故障及びソース配線とゲート配線間の短絡故障は少ない。しかしながら
、ソース配線と交差する位置のゲート配線の表面にも導電性材料層を形成すれば、よりソ
ース配線の断線故障及びソース配線とゲート配線間の短絡故障は少なくなる。なお、この
ソース配線と交差する位置のゲート配線の表面に形成した導電性材料層は、ゲート配線と
共通配線との間の短絡を防止するため、ソース配線と交差する位置の共通配線の表面に形
成された導電性材料層とは電気的に分離する必要がある。
ソース配線の断線故障及びソース配線とゲート配線間の短絡故障は少ない。しかしながら
、ソース配線と交差する位置のゲート配線の表面にも導電性材料層を形成すれば、よりソ
ース配線の断線故障及びソース配線とゲート配線間の短絡故障は少なくなる。なお、この
ソース配線と交差する位置のゲート配線の表面に形成した導電性材料層は、ゲート配線と
共通配線との間の短絡を防止するため、ソース配線と交差する位置の共通配線の表面に形
成された導電性材料層とは電気的に分離する必要がある。
更に本発明の液晶表示装置の製造方法は、以下の（１）〜（９）の工程を含むことを特
徴とする。
（１）透明な基板の表面全体に亘って導電性層を被覆し、エッチングすることによりゲー
ト電極部分を有する複数のゲート配線及び複数の共通配線を互いに平行に形成する工程、
（２）前記（１）の工程で得られた基板の表面全体に亘って透明導電性層を被覆し、エッ
チングすることにより各画素に対応する位置に前記共通配線と電気的に接続された下電極
と、少なくとも前記下電極間の共通配線の表面に前記透明導電性材料層を形成する工程、
（３）前記（２）の工程で得られた基板の表面全体に亘って第１の絶縁膜を被覆する工程
、
（４）前記第１の絶縁膜の表面全体に亘って半導体層を被覆し、エッチングすることによ
りゲート電極部分に対応する位置に半導体層を形成する工程、
（５）前記（４）の工程で得られた基板表面全体に亘って導電性層を被覆し、エッチング
することにより、前記ゲート配線及び共通配線と交差する方向にソース配線を設けるとと
もに、それぞれの画素毎にドレイン電極と前記ソース配線に電気的に接続されたソース電
極とを形成する工程、
（６）前記（５）の工程で得られた基板の表面全体に亘って第２の絶縁膜を被覆する工程
、
（７）前記それぞれの画素のドレイン電極上に位置する前記第２の絶縁膜にコンタクトホ
ールを形成する工程、
（８）前記（７）の工程で得られた基板の表面全体に亘って導電性層を被覆し、エッチン
グすることにより各画素に複数のスリットを有する上電極を形成するともに、前記上電極
とドレイン電極とを電気的に導通させる工程、
（９）前記（８）の工程で得られた基板とカラーフィルタ基板とを対向させ、両基板間に
液晶を封入する工程。
徴とする。
（１）透明な基板の表面全体に亘って導電性層を被覆し、エッチングすることによりゲー
ト電極部分を有する複数のゲート配線及び複数の共通配線を互いに平行に形成する工程、
（２）前記（１）の工程で得られた基板の表面全体に亘って透明導電性層を被覆し、エッ
チングすることにより各画素に対応する位置に前記共通配線と電気的に接続された下電極
と、少なくとも前記下電極間の共通配線の表面に前記透明導電性材料層を形成する工程、
（３）前記（２）の工程で得られた基板の表面全体に亘って第１の絶縁膜を被覆する工程
、
（４）前記第１の絶縁膜の表面全体に亘って半導体層を被覆し、エッチングすることによ
りゲート電極部分に対応する位置に半導体層を形成する工程、
（５）前記（４）の工程で得られた基板表面全体に亘って導電性層を被覆し、エッチング
することにより、前記ゲート配線及び共通配線と交差する方向にソース配線を設けるとと
もに、それぞれの画素毎にドレイン電極と前記ソース配線に電気的に接続されたソース電
極とを形成する工程、
（６）前記（５）の工程で得られた基板の表面全体に亘って第２の絶縁膜を被覆する工程
、
（７）前記それぞれの画素のドレイン電極上に位置する前記第２の絶縁膜にコンタクトホ
ールを形成する工程、
（８）前記（７）の工程で得られた基板の表面全体に亘って導電性層を被覆し、エッチン
グすることにより各画素に複数のスリットを有する上電極を形成するともに、前記上電極
とドレイン電極とを電気的に導通させる工程、
（９）前記（８）の工程で得られた基板とカラーフィルタ基板とを対向させ、両基板間に
液晶を封入する工程。
また、本発明の液晶表示装置の製造方法においては、前記（２）の工程において、前記
ソース配線と交差する位置のゲート配線の表面にも、前記ソース配線と交差する位置の共
通配線の表面に形成された透明導電性材料層とは電気的に分離された状態で、透明導電性
材料層を形成することが好ましい。
ソース配線と交差する位置のゲート配線の表面にも、前記ソース配線と交差する位置の共
通配線の表面に形成された透明導電性材料層とは電気的に分離された状態で、透明導電性
材料層を形成することが好ましい。
係る態様の液晶表示装置の製造方法によれば、容易に上記効果を奏する液晶表示装置を
製造することができるようになる。
製造することができるようになる。
更に、本発明の電子機器は前記いずれかに記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とす
る。
る。
本発明の電子機器によれば、ソース配線の断線故障が少なくなると共に、ソース配線と
共通配線間の静電気による短絡故障も少なく、信頼性が向上した液晶表示装置を備えた電
子機器が得られる。
共通配線間の静電気による短絡故障も少なく、信頼性が向上した液晶表示装置を備えた電
子機器が得られる。
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置としてＦＦＳモードの液晶表示装
置を例示するものであって、本発明をこのＦＦＳモードの液晶表示装置に特定することを
意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものにも等しく適
応し得るものである。なお、この明細書における説明のために用いられた各図面において
は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺
を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものではない
。
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置としてＦＦＳモードの液晶表示装
置を例示するものであって、本発明をこのＦＦＳモードの液晶表示装置に特定することを
意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものにも等しく適
応し得るものである。なお、この明細書における説明のために用いられた各図面において
は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺
を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものではない
。
なお、図１は実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板側の２画素分の概略平
面図である。図２は図１のII−II線に沿った概略断面図である。図３は図１のIII−III線
に沿った概略断面図である。図４Ａ〜図４Ｇは実施例の１画素分の製造工程を順を追って
示す図１のII−II線に対応する部分の断面図である。図５は図１のソース配線と共通配線
及びゲート配線との交差部近傍における上電極及び絶縁膜を透視して表した平面図である
。図６は図１のVI−VI線に沿った断面図である。図７は実施例の第１の変形例の図６に対
応する平面図である。図８は実施例の第２の変形例の図６に対応する平面図である。図９
は比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板側の２画素分の概略平面図である。
図１０は図９のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。図１１Ａは本発明の液晶表示装置を備え
たパーソナルコンピュータを示す図であり、図１１Ｂは本発明の液晶表示装置を備えた携
帯電話機を示す図である。
面図である。図２は図１のII−II線に沿った概略断面図である。図３は図１のIII−III線
に沿った概略断面図である。図４Ａ〜図４Ｇは実施例の１画素分の製造工程を順を追って
示す図１のII−II線に対応する部分の断面図である。図５は図１のソース配線と共通配線
及びゲート配線との交差部近傍における上電極及び絶縁膜を透視して表した平面図である
。図６は図１のVI−VI線に沿った断面図である。図７は実施例の第１の変形例の図６に対
応する平面図である。図８は実施例の第２の変形例の図６に対応する平面図である。図９
は比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置のアレイ基板側の２画素分の概略平面図である。
図１０は図９のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。図１１Ａは本発明の液晶表示装置を備え
たパーソナルコンピュータを示す図であり、図１１Ｂは本発明の液晶表示装置を備えた携
帯電話機を示す図である。
実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａを図１〜図６を参照して製造工程順に説明
する。この実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａのアレイ基板ＡＲは、ガラス基板
等の透明基板１１の表面全体に亘って下部がＡｌ金属からなり、表面がＭｏ金属からなる
２層膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及び湿式エッチング法によって、Ｍｏ／Ａ
ｌの２層配線からなる複数のゲート配線１２及び複数の共通配線１３を互いに平行になる
ように形成する（図４Ａ参照）。なお、ここでは共通配線１３を隣接する画素のゲート配
線１２側に沿って設けた例を示したが、自画素のゲート配線１２側に設ける場合も、或い
は隣り合うゲート配線１２のほぼ中間に設ける場合もある。
する。この実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａのアレイ基板ＡＲは、ガラス基板
等の透明基板１１の表面全体に亘って下部がＡｌ金属からなり、表面がＭｏ金属からなる
２層膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及び湿式エッチング法によって、Ｍｏ／Ａ
ｌの２層配線からなる複数のゲート配線１２及び複数の共通配線１３を互いに平行になる
ように形成する（図４Ａ参照）。なお、ここでは共通配線１３を隣接する画素のゲート配
線１２側に沿って設けた例を示したが、自画素のゲート配線１２側に設ける場合も、或い
は隣り合うゲート配線１２のほぼ中間に設ける場合もある。
次いで、ゲート配線１２及び共通配線１３を形成した透明基板１１の表面全体に亘って
例えばＩＴＯからなる透明導電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及び湿式エ
ッチング法によって下電極１４を形成する（図４Ｂ参照）。このとき、隣接する画素間の
共通配線１３上であって、ソース配線と交差する予定の位置に、共通配線１３よりも幅広
でかつソース配線よりも幅広の透明導電性材料層１４ａをアイランド状、例えば矩形状に
形成する（図１、図５及び図６参照）。この下電極１４は、ゲート配線１２ないしゲート
電極Ｇとは接続されておらず、共通配線１３と電気的に接続されて共通電極として機能す
る。なお、アイランド状の透明導電性材料層１４ａは共通配線１３と電気的に接続されて
いるが、ここでは下電極１４とは直接接続されていない。また、アイランド状の透明導電
性材料層１４ａをソース配線及び共通配線よりも幅広としたのは後工程で設けられるソー
ス配線の段差が滑らかになるようにすること及び静電気による電荷が集中しないようにす
るためである。
例えばＩＴＯからなる透明導電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及び湿式エ
ッチング法によって下電極１４を形成する（図４Ｂ参照）。このとき、隣接する画素間の
共通配線１３上であって、ソース配線と交差する予定の位置に、共通配線１３よりも幅広
でかつソース配線よりも幅広の透明導電性材料層１４ａをアイランド状、例えば矩形状に
形成する（図１、図５及び図６参照）。この下電極１４は、ゲート配線１２ないしゲート
電極Ｇとは接続されておらず、共通配線１３と電気的に接続されて共通電極として機能す
る。なお、アイランド状の透明導電性材料層１４ａは共通配線１３と電気的に接続されて
いるが、ここでは下電極１４とは直接接続されていない。また、アイランド状の透明導電
性材料層１４ａをソース配線及び共通配線よりも幅広としたのは後工程で設けられるソー
ス配線の段差が滑らかになるようにすること及び静電気による電荷が集中しないようにす
るためである。
なお、この湿式エッチング時には、隣接する画素間の共通配線１３上のソース配線と交
差する予定の位置に、共通配線１３よりも幅広でかつソース配線よりも幅広の透明導電性
材料層１４ａをアイランド状に残すようにしたので、ソース配線と交差予定位置の共通配
線１３は、エッチング液に触れることがない。そのため、ソース配線と交差予定位置の共
通配線１３の表面状態ないし断面形状は設計形状のとおりに形成することができる。
差する予定の位置に、共通配線１３よりも幅広でかつソース配線よりも幅広の透明導電性
材料層１４ａをアイランド状に残すようにしたので、ソース配線と交差予定位置の共通配
線１３は、エッチング液に触れることがない。そのため、ソース配線と交差予定位置の共
通配線１３の表面状態ないし断面形状は設計形状のとおりに形成することができる。
このようにして下電極１４及びアイランド状の透明導電性材料層１４ａを形成した後、
この表面全体に窒化硅素層からなる第１の絶縁膜１５を被覆する（図４Ｃ参照）。次いで
、例えばａ−Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層を第１の絶縁膜１５の表面全体に亘って被覆した
後に、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、ＴＦＴ形成領域にａ−
Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層からなるアイランド状の半導体層１６を形成する（図４Ｄ参照
）。この半導体層１６が形成されている位置のゲート配線１２の領域がＴＦＴのゲート電
極Ｇを形成する。
この表面全体に窒化硅素層からなる第１の絶縁膜１５を被覆する（図４Ｃ参照）。次いで
、例えばａ−Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層を第１の絶縁膜１５の表面全体に亘って被覆した
後に、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、ＴＦＴ形成領域にａ−
Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層からなるアイランド状の半導体層１６を形成する（図４Ｄ参照
）。この半導体層１６が形成されている位置のゲート配線１２の領域がＴＦＴのゲート電
極Ｇを形成する。
次いで、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の導電性層を半導体層１６を形成した透明
基板１１の表面全体に亘って被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法に
よって、ソース配線１７及びドレイン電極Ｄを形成する（図４Ｅ参照）。このソース配線
１７のソース電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄ部分は、いずれも半導体層１６の表面に部分
的に重なっている。
基板１１の表面全体に亘って被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法に
よって、ソース配線１７及びドレイン電極Ｄを形成する（図４Ｅ参照）。このソース配線
１７のソース電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄ部分は、いずれも半導体層１６の表面に部分
的に重なっている。
更に、この基板の表面全体に窒化硅素層からなる絶縁膜１８を被覆した後、ドレイン電
極Ｄに対応する位置の絶縁膜１８にコンタクトホール１９を形成してドレイン電極Ｄの一
部を露出させる（図４Ｆ参照）。次いで、この表面全体に亘って例えばＩＴＯからなる透
明導電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、図１に
示したパターンとなるように、ゲート配線１２及び信号線１７で囲まれた領域の絶縁膜１
８上に、互いに平行にフリンジフィールド効果を発生させるための複数のスリット２０を
有する上電極２１を形成する（図４Ｇ参照）。この上電極２１はコンタクトホール１９を
介してドレイン電極Ｄと電気的に接続されているため、画素電極として機能する。
極Ｄに対応する位置の絶縁膜１８にコンタクトホール１９を形成してドレイン電極Ｄの一
部を露出させる（図４Ｆ参照）。次いで、この表面全体に亘って例えばＩＴＯからなる透
明導電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、図１に
示したパターンとなるように、ゲート配線１２及び信号線１７で囲まれた領域の絶縁膜１
８上に、互いに平行にフリンジフィールド効果を発生させるための複数のスリット２０を
有する上電極２１を形成する（図４Ｇ参照）。この上電極２１はコンタクトホール１９を
介してドレイン電極Ｄと電気的に接続されているため、画素電極として機能する。
更に、この表面全体に亘り所定の配向膜（図示せず）を形成することによりアレイ基板
ＡＲが完成される。そして、このようにして製造されたアレイ基板ＡＲと別途製造された
カラーフィルタ基板とを対向させ、周囲をシール材でシールして両基板間に液晶を注入す
ることにより実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａが得られる。なお、カラー
フィルタ基板は、図示省略したが、ガラス基板等の透明基板の表面に順次カラーフィルタ
層、オーバーコート層及び配向膜が設けられており、共通電極が設けられていない外は従
来のＴＮ（Twisted Nematic）方式の液晶表示装置用のものと実質的に同一の構成を備え
ている。
ＡＲが完成される。そして、このようにして製造されたアレイ基板ＡＲと別途製造された
カラーフィルタ基板とを対向させ、周囲をシール材でシールして両基板間に液晶を注入す
ることにより実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａが得られる。なお、カラー
フィルタ基板は、図示省略したが、ガラス基板等の透明基板の表面に順次カラーフィルタ
層、オーバーコート層及び配向膜が設けられており、共通電極が設けられていない外は従
来のＴＮ（Twisted Nematic）方式の液晶表示装置用のものと実質的に同一の構成を備え
ている。
このようにして作製された実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａによれば、ソー
ス配線１７と共通配線１３の交差部にアイランド状の透明導電性材料層１４ａが形成され
得いるため、下電極１４の形成時にソース配線１７との交差部の共通配線１３はエッチン
グ液に触れることがない。そのため、ソース配線１７との交差部の共通配線１３の表面状
態及び断面形状が設計形状どおりとなっているので、ソース配線１７が共通配線１３と交
差する部分において断線故障が生じ難くなっている。加えて、共通配線１３に静電気が誘
導されても、この静電気はアイランド状の透明導電性材料層１４ａの存在によって電荷が
分散されるため、共通配線１３とソース配線との間に静電破壊が生じ難くなる。
ス配線１７と共通配線１３の交差部にアイランド状の透明導電性材料層１４ａが形成され
得いるため、下電極１４の形成時にソース配線１７との交差部の共通配線１３はエッチン
グ液に触れることがない。そのため、ソース配線１７との交差部の共通配線１３の表面状
態及び断面形状が設計形状どおりとなっているので、ソース配線１７が共通配線１３と交
差する部分において断線故障が生じ難くなっている。加えて、共通配線１３に静電気が誘
導されても、この静電気はアイランド状の透明導電性材料層１４ａの存在によって電荷が
分散されるため、共通配線１３とソース配線との間に静電破壊が生じ難くなる。
なお、上記実施例では、ソース配線１７と共通配線１３と交差する部分において共通配
線上に下電極１４と同材料からなるアイランド状の透明導電性材料層１４ａを形成した例
を示したが、他の導電性材料を用いても上述のような効果を奏させることができる。しか
しながら、他の金属製の導電性材料を用いる場合は、別途この導電性材料からなる層を形
成するための工程が必要となるので、特にこのような他の導電性材料を用いることの利点
はない。また、上記実施例では、アイランド状の透明導電性材料層１４ａを矩形状に形成
した例を示したが、アイランド状の透明導電性材料層１４ａは円形状、楕円形状ないし多
角形状であっても良い。また、上記実施例では、下電極１４及び上電極２１としてＩＴＯ
を用いた例を示したが、ＩＺＯを用いても同様の作用・効果を奏する。更に、上記実施例
では、ゲート配線材料やソース配線材料としてＭｏ／Ａｌの２層構造ないしＭｏ／Ａｌ／
Ｍｏの３層構造のものを用いたが、Ａｌに変えて例えばＮｄ−Ａｌ合金等も使用し得る。
線上に下電極１４と同材料からなるアイランド状の透明導電性材料層１４ａを形成した例
を示したが、他の導電性材料を用いても上述のような効果を奏させることができる。しか
しながら、他の金属製の導電性材料を用いる場合は、別途この導電性材料からなる層を形
成するための工程が必要となるので、特にこのような他の導電性材料を用いることの利点
はない。また、上記実施例では、アイランド状の透明導電性材料層１４ａを矩形状に形成
した例を示したが、アイランド状の透明導電性材料層１４ａは円形状、楕円形状ないし多
角形状であっても良い。また、上記実施例では、下電極１４及び上電極２１としてＩＴＯ
を用いた例を示したが、ＩＺＯを用いても同様の作用・効果を奏する。更に、上記実施例
では、ゲート配線材料やソース配線材料としてＭｏ／Ａｌの２層構造ないしＭｏ／Ａｌ／
Ｍｏの３層構造のものを用いたが、Ａｌに変えて例えばＮｄ−Ａｌ合金等も使用し得る。
また、上記実施例ではソース配線１７と共通配線１３と交差する部分において共通配線
１３上に下電極１４と同材料からなるアイランド状の透明導電性材料層１４ａを形成した
例を示した。しかしながら、この透明導電性材料層１４ａは、少なくともソース配線１７
と共通配線１３とが交差する部分において共通配線１３上に形成されていれば、その他の
構成を採用しても同様の作用・効果を奏させることができる。
１３上に下電極１４と同材料からなるアイランド状の透明導電性材料層１４ａを形成した
例を示した。しかしながら、この透明導電性材料層１４ａは、少なくともソース配線１７
と共通配線１３とが交差する部分において共通配線１３上に形成されていれば、その他の
構成を採用しても同様の作用・効果を奏させることができる。
そこで、本発明の液晶表示装置で使用し得る変形例について図７及び図８を用いて説明
する。なお、図７及び図８においては、図５に示した構成と同一の構成部分には同一の参
照符号を付与してその詳細な説明は省略する。図７に示した第１の変形例の液晶表示装置
１０Ｂにおいては、実施例ではアイランド状に形成されていた透明導電性材料層１４ａを
共通配線１３の表面全体を覆うようにしたものである。すなわち、第１の変形例の液晶表
示装置１０Ｂでは、隣接する下電極１４間は、共通配線１３だけでなく共通配線１３上の
透明導電性材料層１４ａによっても電気的に接続された状態となる。従って、この第１の
変形例の液晶表示装置１０Ｂでは、実質的に共通配線１３の抵抗は低下するから、それぞ
れ共通電極として作用する下電極１４の電位が安定化するので、それぞれの画素毎に表示
画質のバラツキが少なくなり、良好な表示画質の液晶表示装置１０Ｂが得られる。
する。なお、図７及び図８においては、図５に示した構成と同一の構成部分には同一の参
照符号を付与してその詳細な説明は省略する。図７に示した第１の変形例の液晶表示装置
１０Ｂにおいては、実施例ではアイランド状に形成されていた透明導電性材料層１４ａを
共通配線１３の表面全体を覆うようにしたものである。すなわち、第１の変形例の液晶表
示装置１０Ｂでは、隣接する下電極１４間は、共通配線１３だけでなく共通配線１３上の
透明導電性材料層１４ａによっても電気的に接続された状態となる。従って、この第１の
変形例の液晶表示装置１０Ｂでは、実質的に共通配線１３の抵抗は低下するから、それぞ
れ共通電極として作用する下電極１４の電位が安定化するので、それぞれの画素毎に表示
画質のバラツキが少なくなり、良好な表示画質の液晶表示装置１０Ｂが得られる。
また、図８に示した第２の変形例の液晶表示装置１０Ｃにおいては、第１の変形例の液
晶表示装置１０Ｂの構成に加えて、更にソース配線１７と交差する部分のゲート配線１２
の表面にも別途アイランド状の透明導電性材料層１４ｂを形成したものである。ゲート配
線１２は通常共通配線１３よりも幅広に形成されているので、本来ゲート配線と交差する
部分でのソース配線の断線故障やソース配線及びゲート配線間の静電気による短絡故障は
少ない。しかしながら、ソース配線１７と交差する部分のゲート配線１２の表面にも別途
アイランド状の透明導電性材料層１４ｂを形成すると、第１の変形例の液晶表示装置１０
Ｂと同様の作用効果を奏しながらも、更にゲート配線と交差する部分でのソース配線の断
線故障やソース配線及びゲート配線間の静電気による短絡故障を抑制することができるよ
うになる。
晶表示装置１０Ｂの構成に加えて、更にソース配線１７と交差する部分のゲート配線１２
の表面にも別途アイランド状の透明導電性材料層１４ｂを形成したものである。ゲート配
線１２は通常共通配線１３よりも幅広に形成されているので、本来ゲート配線と交差する
部分でのソース配線の断線故障やソース配線及びゲート配線間の静電気による短絡故障は
少ない。しかしながら、ソース配線１７と交差する部分のゲート配線１２の表面にも別途
アイランド状の透明導電性材料層１４ｂを形成すると、第１の変形例の液晶表示装置１０
Ｂと同様の作用効果を奏しながらも、更にゲート配線と交差する部分でのソース配線の断
線故障やソース配線及びゲート配線間の静電気による短絡故障を抑制することができるよ
うになる。
［比較例］
比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｄを図９及び図１０を参照して製造工程順に
説明する。なお、比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｄは、実施例のＦＦＳモード
の液晶表示装置１０Ａにおいて、ソース配線１７と共通配線１３と交差する部分の共通配
線１３上にアイランド状の透明導電性材料層１４ａが形成されていない点のみである。そ
のため、以下においては、比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｄを、実施例のＦＦ
Ｓモードの液晶表示装置１０Ａと同一の構成部分については同一の参照符号を用いて、適
宜図１〜図４を援用して説明することとする。
比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｄを図９及び図１０を参照して製造工程順に
説明する。なお、比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｄは、実施例のＦＦＳモード
の液晶表示装置１０Ａにおいて、ソース配線１７と共通配線１３と交差する部分の共通配
線１３上にアイランド状の透明導電性材料層１４ａが形成されていない点のみである。そ
のため、以下においては、比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｄを、実施例のＦＦ
Ｓモードの液晶表示装置１０Ａと同一の構成部分については同一の参照符号を用いて、適
宜図１〜図４を援用して説明することとする。
この比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｄのアレイ基板ＡＲは、ガラス基板等の
透明基板１１の表面全体に亘って下部がＡｌ金属からなり、表面がＭｏ金属からなる２層
膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及び湿式エッチング法によって、Ｍｏ／Ａｌの
２層配線からなる複数のゲート配線１２及び複数の共通配線１３を互いに平行になるよう
に形成する。ここで、ゲート配線及び共通配線１３は１回目のエッチング液と接触する工
程を経る。次いで、ゲート配線１２及び共通配線１３を形成した透明基板１１の表面全体
に亘って例えばＩＴＯからなる透明導電性層を被覆する。ここまでは実施例の液晶表示装
置１０Ａの製造工程と同一である。
透明基板１１の表面全体に亘って下部がＡｌ金属からなり、表面がＭｏ金属からなる２層
膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及び湿式エッチング法によって、Ｍｏ／Ａｌの
２層配線からなる複数のゲート配線１２及び複数の共通配線１３を互いに平行になるよう
に形成する。ここで、ゲート配線及び共通配線１３は１回目のエッチング液と接触する工
程を経る。次いで、ゲート配線１２及び共通配線１３を形成した透明基板１１の表面全体
に亘って例えばＩＴＯからなる透明導電性層を被覆する。ここまでは実施例の液晶表示装
置１０Ａの製造工程と同一である。
次いで、フォトリソグラフィー法及び湿式エッチング法によって、共通配線１３とは電
気的に接続されているが、ゲート配線１２ないしゲート電極Ｇとは接続されていないよう
に、下電極１４を形成する。ここでこの湿式エッチング開始前はゲート配線１２及び共通
配線１３ともに透明導電性層によって被覆されているが、エッチングが進行して所定部分
の透明導電性層が全て除かれると、ゲート配線１２及び共通配線１３の一部が露出してエ
ッチング液に触れるようになる。すなわち、ゲート配線１２及び共通配線１３はここで２
回目のエッチング液と接触する工程を経ることになる。透明導電性層の厚さは、均一であ
ることが望ましいが、ゲート配線１２及び共通配線１３の形状には凹凸があることもあり
、ある程度のバラツキが存在している。加えて、湿式エッチング時の撹拌状態も全体的に
均一になるわけではないから、透明導電性層のエッチング速度にも場所によってバラツキ
が生じる。そのため、ゲート配線１２及び共通配線１３上の透明導電性層がエッチングさ
れて除去される時間には場所によってバラツキが存在する。
気的に接続されているが、ゲート配線１２ないしゲート電極Ｇとは接続されていないよう
に、下電極１４を形成する。ここでこの湿式エッチング開始前はゲート配線１２及び共通
配線１３ともに透明導電性層によって被覆されているが、エッチングが進行して所定部分
の透明導電性層が全て除かれると、ゲート配線１２及び共通配線１３の一部が露出してエ
ッチング液に触れるようになる。すなわち、ゲート配線１２及び共通配線１３はここで２
回目のエッチング液と接触する工程を経ることになる。透明導電性層の厚さは、均一であ
ることが望ましいが、ゲート配線１２及び共通配線１３の形状には凹凸があることもあり
、ある程度のバラツキが存在している。加えて、湿式エッチング時の撹拌状態も全体的に
均一になるわけではないから、透明導電性層のエッチング速度にも場所によってバラツキ
が生じる。そのため、ゲート配線１２及び共通配線１３上の透明導電性層がエッチングさ
れて除去される時間には場所によってバラツキが存在する。
従って、ゲート配線１２及び共通配線１３上の透明導電性層が早くエッチングされて除
去された部分は、他の部分の透明導電性層がエッチングされて除去されるまでエッチング
液と接触している状態となる。この透明導電性層のエッチング液には酸性エッチング液が
使用されるが、この酸性エッチング液はＭｏ、ＡｌないしＡｌ合金も溶解してしまうので
、ゲート配線１２及び共通配線１３の上の透明導電性層が早くエッチングされて除去され
た部分は透明導電性層用のエッチング液によって更にエッチングが進行してしまう。その
ため、比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０のアレイ基板ＡＲにおいては、ゲート配
線１２及び共通配線１３の断面形状が設計形状から変化してしまったり、幅が細くなった
りすることが生じる。
去された部分は、他の部分の透明導電性層がエッチングされて除去されるまでエッチング
液と接触している状態となる。この透明導電性層のエッチング液には酸性エッチング液が
使用されるが、この酸性エッチング液はＭｏ、ＡｌないしＡｌ合金も溶解してしまうので
、ゲート配線１２及び共通配線１３の上の透明導電性層が早くエッチングされて除去され
た部分は透明導電性層用のエッチング液によって更にエッチングが進行してしまう。その
ため、比較例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０のアレイ基板ＡＲにおいては、ゲート配
線１２及び共通配線１３の断面形状が設計形状から変化してしまったり、幅が細くなった
りすることが生じる。
このようにして下電極１４を形成した後の液晶表示装置１０Ｄ完成までの製造工程は、
上述の実施例の液晶表示装置１０Ａの場合と同様であるので、その詳細な説明は省略する
。このようにして製造された比較例の液晶表示装置１０Ｄでは、ゲート配線及び各画素間
の共通配線は２度もエッチング液に接触することになるので、共通配線及びゲート配線は
過剰にエッチングされてその表面状態ないし断面形状が設計形状から変化してしまうこと
となるわけである。その結果、比較例の液晶表示装置１０Ｄでは、ソース配線の共通配線
やゲート配線との交差部において断線故障や短絡故障が多くなってしまう。
上述の実施例の液晶表示装置１０Ａの場合と同様であるので、その詳細な説明は省略する
。このようにして製造された比較例の液晶表示装置１０Ｄでは、ゲート配線及び各画素間
の共通配線は２度もエッチング液に接触することになるので、共通配線及びゲート配線は
過剰にエッチングされてその表面状態ないし断面形状が設計形状から変化してしまうこと
となるわけである。その結果、比較例の液晶表示装置１０Ｄでは、ソース配線の共通配線
やゲート配線との交差部において断線故障や短絡故障が多くなってしまう。
以上、本発明の実施例及び変形例の液晶表示装置の例を説明した。このような本発明の
液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末などの電子機器に
使用することができる。このうち、液晶表示装置４１をパーソナルコンピュータ４０に使
用した例を図１１Ａに、同じく半透過型のＦＦＳ型の液晶表示パネル４６を携帯電話機４
５に使用した例を図１１Ｂに示す。ただし、これらのパーソナルコンピュータ４０及び携
帯電話機４５の基本的構成は当業者に周知であるので、詳細な説明は省略する
液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末などの電子機器に
使用することができる。このうち、液晶表示装置４１をパーソナルコンピュータ４０に使
用した例を図１１Ａに、同じく半透過型のＦＦＳ型の液晶表示パネル４６を携帯電話機４
５に使用した例を図１１Ｂに示す。ただし、これらのパーソナルコンピュータ４０及び携
帯電話機４５の基本的構成は当業者に周知であるので、詳細な説明は省略する
１０Ａ〜１０Ｄ：液晶表示装置 １１：透明基板 １２：ゲート配線 １３：共通配線
１４：下電極 １４ａ：透明導電性材料層 １５：第１の絶縁膜 １６：半導体層 １７
：ソース配線 １８：絶縁膜 １９：コンタクトホール ２０：スリット ２１：上電極
１４：下電極 １４ａ：透明導電性材料層 １５：第１の絶縁膜 １６：半導体層 １７
：ソース配線 １８：絶縁膜 １９：コンタクトホール ２０：スリット ２１：上電極
Claims (7)
- 液晶層を挟持した一対の基板のうち、一方の基板上には平行に設けられた複数のゲート配線及び共通配線と、前記ゲート配線及び共通配線と交差する方向に設けられた複数のソース配線と、前記ゲート配線及びソース配線の交差部近傍に設けられた薄膜トランジスタと、複数の前記ゲート配線及びソース配線で区画された領域毎に形成されているとともに
前記共通配線に接続された透明導電性材料からなる下電極と、前記下電極の表面に絶縁膜を介して形成された互いに平行に設けられた複数のスリットを有する上電極と、を備え、
前記下電極と上電極との間に生じる電界によって前記液晶層を駆動する液晶表示装置において、
前記ソース配線と交差する位置の共通配線の表面には導電性材料層が形成されているとともに、前記導電性材料層は、前記ソース配線の幅及び共通配線の幅よりも広く形成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記導電性材料層は前記下電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
- 前記導電性材料層は前記下電極と一体に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
- 前記導電性材料層は前記ソース配線と交差する位置のゲート配線の表面にも形成されており、前記ゲート配線の表面に形成された導電性材料層は前記ソース配線と交差する位置の共通配線の表面に形成された導電性材料層とは電気的に分離されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 以下の（１）〜（９）の工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
（１）透明な基板の表面全体に亘って導電性層を被覆し、エッチングすることによりゲート電極部分を有する複数のゲート配線及び複数の共通配線を互いに平行に形成する工程、（２）前記（１）の工程で得られた基板の表面全体に亘って透明導電性層を被覆し、エッ
チングすることにより各画素に対応する位置に前記共通配線と電気的に接続された下電極と、少なくとも前記下電極間の共通配線の表面における、ソース配線と交差する位置に、前記透明導電性材料層を形成する工程、
（３）前記（２）の工程で得られた基板の表面全体に亘って第１の絶縁膜を被覆する工程、
（４）前記第１の絶縁膜の表面全体に亘って半導体層を被覆し、エッチングすることによりゲート電極部分に対応する位置に半導体層を形成する工程、
（５）前記（４）の工程で得られた基板表面全体に亘って導電性層を被覆し、エッチングすることにより、前記ゲート配線及び共通配線と交差する方向にソース配線を設けるとともに、それぞれの画素毎にドレイン電極と前記ソース配線に電気的に接続されたソース電極とを形成する工程、
（６）前記（５）の工程で得られた基板の表面全体に亘って第２の絶縁膜を被覆する工程、
（７）前記それぞれの画素のドレイン電極上に位置する前記第２の絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、
（８）前記（７）の工程で得られた基板の表面全体に亘って透明導電性層を被覆し、エッチングすることにより各画素に複数のスリットを有する上電極を形成するともに、前記上電極とドレイン電極とを電気的に導通させる工程、
（９）前記（８）の工程で得られた基板とカラーフィルタ基板とを対向させ、両基板間に液晶を封入する工程。 - 前記（２）の工程において、前記ソース配線と交差する位置のゲート配線の表面にも、前記ソース配線と交差する位置の共通配線の表面に形成された透明導電性材料層とは電気的に分離された状態で、透明導電性材料層を形成したことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007253582A JP4650471B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | 液晶表示装置、その製造方法及び電子機器 |
| US12/179,168 US8243242B2 (en) | 2007-09-28 | 2008-07-24 | Liquid crystal display device, method for producing same, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007253582A JP4650471B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | 液晶表示装置、その製造方法及び電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009086114A JP2009086114A (ja) | 2009-04-23 |
| JP4650471B2 true JP4650471B2 (ja) | 2011-03-16 |
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ID=40507844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007253582A Active JP4650471B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | 液晶表示装置、その製造方法及び電子機器 |
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| JP (1) | JP4650471B2 (ja) |
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| JP4911793B2 (ja) | 2009-11-09 | 2012-04-04 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置 |
| RU2516578C1 (ru) * | 2010-05-24 | 2014-05-20 | Шарп Кабусики Кайся | Подложка активной матрицы и жидкокристаллическое устройство отображения |
| US20130083279A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device |
| CN106597764A (zh) * | 2017-02-23 | 2017-04-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶面板以及液晶显示装置 |
| CN113611699A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-11-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
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| JP2001235763A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-08-31 | Hynix Semiconductor Inc | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法 |
| JP2002182230A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-06-26 | Hyundai Display Technology Inc | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置 |
| JP2006308686A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Nec Kagoshima Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1100279C (zh) * | 1996-10-29 | 2003-01-29 | 日本电气株式会社 | 有源矩阵液晶显示屏 |
| KR100493869B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2005-06-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2003295207A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Nec Lcd Technologies Ltd | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP4357413B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2009-11-04 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | Ｅｌ表示装置 |
-
2007
- 2007-09-28 JP JP2007253582A patent/JP4650471B2/ja active Active
-
2008
- 2008-07-24 US US12/179,168 patent/US8243242B2/en active Active
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| JP2001142092A (ja) * | 1999-11-10 | 2001-05-25 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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