JP4635972B2 - Load lock device, method using the same, and wafer bonding system - Google Patents
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Description
本発明は、複数のウェハを重ね合わせ、半導体集積回路を製造するウェハ接合装置用のロードロック装置、及びウェハ接合システムに関する。特に、複数のウェハ接合装置に、接合処理を効率的に実施させることができる、ロードロック装置、及びウェハ接合システムに関する。 The present invention relates to a load lock apparatus for a wafer bonding apparatus and a wafer bonding system for manufacturing a semiconductor integrated circuit by superimposing a plurality of wafers. In particular, the present invention relates to a load lock device and a wafer bonding system capable of efficiently performing bonding processing on a plurality of wafer bonding apparatuses.
半導体集積回路を使用するノートパソコンや携帯電話などは、近年、ますます高度の機能を備えるようになっている。この結果、半導体集積回路の高密度化、高機能化の要求が高まっている。 In recent years, notebook computers and mobile phones that use semiconductor integrated circuits have become increasingly sophisticated. As a result, there is an increasing demand for higher density and higher functionality of semiconductor integrated circuits.
半導体集積回路の高密度化、高機能化のための一つの方法は、ウェハを積層することである。ウェハの積層を行うには、回路形成が終わったウェハ表面に接合電極を形成し、2枚のウェハあるいは既に積層されたウェハとさらに積層するつぎのウェハの電極同士を接触させ、接合することが必要である。ウェハの電極同士を接合する場合に重要な点は、電極同士を均一に接触させることと電極接合面を活性化させることである。電極同士を均一に接触させるには、接合面の平面度を上げることが必要である。また、電極接合面を活性化させるには、たとえば、加熱を行う。 One method for increasing the density and functionality of semiconductor integrated circuits is to stack wafers. In order to stack the wafers, a bonding electrode is formed on the surface of the wafer on which the circuit has been formed, and the electrodes of two wafers or an already stacked wafer and another wafer to be stacked are brought into contact with each other and bonded. is necessary. When bonding the electrodes of the wafer, the important points are to bring the electrodes into uniform contact and to activate the electrode bonding surface. In order to bring the electrodes into uniform contact, it is necessary to increase the flatness of the joint surface. Moreover, in order to activate the electrode bonding surface, for example, heating is performed.
このようにウェハを接合するため、加圧および加熱を行いながらウェハの接合を行う装置が開発されている(たとえば、特許文献1)。 In order to bond the wafer in this way, an apparatus for bonding the wafer while applying pressure and heating has been developed (for example, Patent Document 1).
ウェハの加圧および加熱は、真空中で実施するのが好ましいので、ウェハ接合装置は、真空チャンバ内に設置される。そこで、接合処理前のウェハを大気雰囲気から真空チャンバ内へ移動させ、また、接合処理済のウェハを真空チャンバ内から大気雰囲気へ移動させるために、ロードロック装置が使用される。ロードロック装置は、ウェハなどの対象物を密閉した内部に収納して、内部を大気雰囲気から真空雰囲気に、または真空雰囲気から大気雰囲気に切り替えることのできる装置である。 Since the pressurization and heating of the wafer are preferably performed in a vacuum, the wafer bonding apparatus is installed in a vacuum chamber. Therefore, a load lock device is used to move the wafer before the bonding process from the atmospheric atmosphere to the vacuum chamber, and to move the bonded wafer from the vacuum chamber to the atmospheric atmosphere. The load lock device is a device that can store an object such as a wafer in a sealed interior and switch the interior from an air atmosphere to a vacuum atmosphere or from a vacuum atmosphere to an air atmosphere.
ウェハの接合を効率的に行うには、ウェハ接合装置によってウェハの接合を連続的に行う必要がある。ウェハ接合装置によってウェハの接合を連続的に行うには、ロードロック装置が、接合処理済のウェハを真空チャンバ内のウェハ接合装置から大気雰囲気へ取り出すと共に、接合処理前のウェハを大気雰囲気から真空チャンバ内のウェハ接合装置へ供給する必要がある。さらに、ロードロック装置によって、複数のウェハ接合装置がウェハの接合処理を連続的に実施することができるようにすれば、さらに効率的である。 In order to efficiently bond the wafers, it is necessary to continuously bond the wafers using a wafer bonding apparatus. In order to continuously bond the wafers by the wafer bonding apparatus, the load lock apparatus takes out the bonded wafer from the wafer bonding apparatus in the vacuum chamber to the atmosphere, and vacuums the wafer before the bonding process from the atmosphere. It is necessary to supply the wafer bonding apparatus in the chamber. Further, it is more efficient if a plurality of wafer bonding apparatuses can continuously perform the wafer bonding process by the load lock device.
しかし、複数のウェハ接合装置に、接合処理を効率的に実施させることができる、ロードロック装置は開発されていなかった。 However, a load lock device that can efficiently perform a bonding process on a plurality of wafer bonding apparatuses has not been developed.
複数のウェハ接合装置に、接合処理を効率的に実施させることができる、ロードロック装置、及びウェハ接合システムに対するニーズがある。 There is a need for a load lock device and a wafer bonding system that can efficiently perform bonding processing on a plurality of wafer bonding apparatuses.
本発明によるロードロック装置は、複数のウェハ接合装置から、接合処理済のウェハを受け取ると共に、前記複数のウェハ接合装置へ接合処理前のウェハを供給する。本発明によるロードロック装置は、少なくとも一部の側面に前記複数のウェハ接合装置とのゲートおよび大気雰囲気とのゲートを備える。本発明によるロードロック装置は、少なくとも一対の格納室を備え、一対の格納室の一方が、所定のウェハ接合装置へ供給する接合処理前のウェハを格納する場合に、他方が、所定のウェハ接合装置から受け取った接合処理済のウェハを格納する。一対の格納室は互いに鉛直方向に配置され、一方および他方の格納室は、鉛直方向にゲート位置まで移動し、所定のウェハ接合装置または大気雰囲気との間で、ゲートを通してウェハを水平方向に受け渡しできるように構成されたことを特徴とする。 The load lock device according to the present invention receives wafers that have been bonded from a plurality of wafer bonding apparatuses and supplies the wafers before bonding to the plurality of wafer bonding apparatuses. The load lock device according to the present invention includes a gate with the plurality of wafer bonding devices and a gate with an atmospheric atmosphere on at least a part of side surfaces. The load lock device according to the present invention includes at least a pair of storage chambers, and when one of the pair of storage chambers stores a wafer before bonding processing to be supplied to a predetermined wafer bonding apparatus, the other is a predetermined wafer bonding The bonded wafer received from the apparatus is stored. A pair of storage chambers are arranged vertically, and one and the other storage chamber move vertically to the gate position, and transfer wafers horizontally between the predetermined wafer bonding apparatus or the atmosphere through the gate. It is configured to be able to do so.
本発明のロードロック装置によれば、一対の格納室の一方を、ウェハ接合装置とのゲートまで移動させて、ウェハ接合装置から接合処理済のウェハを受け取り格納する動作、および、接合処理前のウェハを格納した、一対の格納室の他方を当該ウェハ接合装置とのゲートまで移動させて、格納したウェハを接合装置へ供給する動作を効率的に行うことができる。 According to the load lock device of the present invention, one of the pair of storage chambers is moved to the gate with the wafer bonding apparatus, and the wafer subjected to the bonding process is received from the wafer bonding apparatus and stored, and before the bonding process The operation of supplying the stored wafer to the bonding apparatus by moving the other of the pair of storage chambers storing the wafer to the gate of the wafer bonding apparatus can be efficiently performed.
また、ロードロック装置は、少なくとも一部の側面に複数のウェハ接合装置とのゲートおよび大気雰囲気とのゲートを備え、一対の格納室は、互いに鉛直方向に配置するので、ロードロック装置および複数のウェハ接合装置をコンパクトに配置することができる。 In addition, the load lock device includes a gate with a plurality of wafer bonding devices and a gate with an atmospheric atmosphere on at least a part of the side surfaces, and the pair of storage chambers are arranged in a vertical direction with each other. The wafer bonding apparatus can be arranged in a compact manner.
本発明の一実施形態によれば、ロードロック装置は、外形が直方体であり、直方体の3個の側面に3個のウェハ接合装置とのゲートが配置され、他の側面に大気雰囲気とのゲートが配置されている。 According to one embodiment of the present invention, the load lock device has a rectangular parallelepiped shape, the gates to the three wafer bonding devices are arranged on the three side surfaces of the rectangular parallelepiped, and the gate with the air atmosphere on the other side surfaces. Is arranged.
したがって、ロードロック装置および3台の複数のウェハ接合装置をコンパクトに配置することができる
本発明の他の実施形態によれば、一対の格納室の少なくとも一つが、接合処理済のウェハを冷却するための装置を備えている。
Accordingly, the load lock device and the three wafer bonding apparatuses can be arranged in a compact manner. According to another embodiment of the present invention, at least one of the pair of storage chambers cools the bonded wafer. Equipment for.
ロードロック装置において、真空雰囲気から大気雰囲気への切替え中に、格納室に格納された処理後のウェハを冷却することにより、ウェハ接合装置による冷却時間を短縮し、ウェハ接合装置のスループットを向上させることができる。 In the load lock device, by cooling the processed wafer stored in the storage chamber while switching from the vacuum atmosphere to the air atmosphere, the cooling time by the wafer bonding apparatus is shortened and the throughput of the wafer bonding apparatus is improved. be able to.
本発明の他の実施形態によれば、一対の格納室の少なくとも一つが、接合処理前のウェハを加熱するための装置を備えている。 According to another embodiment of the present invention, at least one of the pair of storage chambers includes an apparatus for heating the wafer before the bonding process.
ロードロック装置において、大気雰囲気から真空雰囲気への切替え中に、格納された処理前のウェハを加熱することにより、ウェハ接合装置による加熱時間を短縮し、ウェハ接合装置のスループットを向上させることができる。 In the load lock device, by heating the stored unprocessed wafer during switching from the air atmosphere to the vacuum atmosphere, the heating time by the wafer bonding device can be shortened and the throughput of the wafer bonding device can be improved. .
本発明によるウェハ接合システムは、本発明によるロードロック装置と、複数のウェハ接合装置をと有することを特徴とする。 A wafer bonding system according to the present invention includes the load lock device according to the present invention and a plurality of wafer bonding apparatuses.
本発明によれば、複数のウェハ接合装置に、接合処理を効率的に実施させることができる、ロードロック装置が得られる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the load lock apparatus which can make a several wafer bonding apparatus implement efficiently a joining process is obtained.
図1は、本発明の一実施形態による、ロードロック装置全体、及びウェハ接合システムの構成を示す平面図である。本実施形態において、ロードロック装置101は、外形が直方体であり、ロードロック装置101の水平断面は矩形である。直方体の3個の側面には、3個の真空チャンバ201、203および205が隣接して配置されている。真空チャンバ内のウェハ接合装置は、加熱・加圧工程によってウェハの接合処理を行う。このため、真空チャンバを加熱加圧チャンバとも呼称する。上記3個の側面は、ロードロック装置101とウェハ接合装置の3個の真空チャンバ201、203および205とをそれぞれ接続する、3個のゲートを備える。直方体の他の1個の側面は、大気雰囲気に接している。上記他の1個の側面は、ロードロック装置101と大気雰囲気とを接続するゲートを備える。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an entire load lock device and a wafer bonding system according to an embodiment of the present invention. In the present embodiment, the
本実施形態において、ロードロック装置の水平断面は矩形であるが、一般的に隣接する加熱加圧チャンバの数に応じて多角形であってよい。 In the present embodiment, the horizontal cross section of the load lock device is rectangular, but generally it may be polygonal depending on the number of adjacent heating and pressurizing chambers.
図2は、本発明の一実施形態による、ロードロック装置全体の構成を示す側面図である。本実施形態において、ロードロック装置101は、ウェハを格納する、第1の格納室103および第2の格納室105を備える。
FIG. 2 is a side view showing the configuration of the entire load lock device according to one embodiment of the present invention. In the present embodiment, the
本実施形態において、ロードロック装置の格納室の数は2個であるが、一般的に3個以上であってもよい。加熱加圧チャンバのウェハ接合装置を連続的に稼働させるには、加熱加圧チャンバのウェハ接合装置からウェハを受け取るための格納室、および加熱加圧チャンバのウェハ接合装置へウェハを供給するための格納室の、一対の格納室が必要であるので、偶数個の格納室を備えるのが好ましい。 In the present embodiment, the number of storage chambers of the load lock device is two, but may generally be three or more. In order to continuously operate the wafer bonding apparatus in the heating and pressurizing chamber, a storage chamber for receiving the wafer from the wafer bonding apparatus in the heating and pressurizing chamber, and a wafer for supplying the wafer to the wafer bonding apparatus in the heating and pressurizing chamber. Since a pair of storage chambers are required, it is preferable to provide an even number of storage chambers.
本実施形態において、ロードロック装置101は、所定の高さにおいて、ゲート111を備える。図2において、簡単のため、ロードロック装置101の1個の側面のゲートのみを示す。実際には、ロードロック装置101の4個の側面に4個のゲートが設けられている。4個のゲートは、3個の真空チャンバ201、203および205ならびに大気雰囲気との間で、ウェハを水平方向に移動させることができるように配置される。本実施形態において、4個のゲートは同じ高さに配置される。
In the present embodiment, the
本実施形態において、ゲートを通してウェハを水平方向に移動させるためのアームなどは、ウェハ接合装置および大気雰囲気側に備える。 In the present embodiment, an arm for moving the wafer in the horizontal direction through the gate is provided on the wafer bonding apparatus and the atmosphere side.
第1の格納室103および第2の格納室105は、互いに鉛直方向に配置され、駆動装置107によって鉛直方向に移動することができるように構成される。駆動装置107は、空気圧駆動のシリンダであってもよい。
The
一般的に、ウェハを受け取るためおよびウェハを供給するための一対の格納室は、互いに鉛直方向に配置するのが好ましい。さらに、複数対の格納室を互いに鉛直方向に配置しても、互いに水平方向に配置してもよい。 In general, a pair of storage chambers for receiving a wafer and for supplying a wafer are preferably arranged vertically with respect to each other. Furthermore, a plurality of pairs of storage chambers may be arranged in the vertical direction with respect to each other or in the horizontal direction with respect to each other.
本実施形態において、接合されるウェハは、ウェハホルダWHに保持され、アライメントされたものであってもよい。本明細書および特許請求の範囲において、ウェハホルダに保持されたウェハを単にウェハとも呼称する。 In the present embodiment, the wafer to be bonded may be held and aligned by the wafer holder WH. In the present specification and claims, the wafer held by the wafer holder is also simply referred to as a wafer.
図2の(A)において、第1の格納室103が、ゲート111の位置となるように駆動装置107が制御されている。第1の格納室は、ゲート111を通してウェハホルダWHを受け取り格納する。
In FIG. 2A, the driving
図2の(B)において、第1の格納室103および第2の格納室105にそれぞれウェハホルダWHが格納されている。
In FIG. 2B, wafer holders WH are stored in
図2の(C)において、第2の格納室105が、ゲート111の位置となるように駆動装置107が制御されている。
In FIG. 2C, the driving
このように、ロードロック装置101は、第1の格納室103が、ゲート111の位置となる状態(上昇状態)と第2の格納室105が、ゲート111の位置となる状態(下降状態)とを有する。
Thus, in the
第1の格納室103および第2の格納室105は、格納したウェハを加熱するための装置または冷却するための装置のいずれかまたは両方を備えてもよい。加熱するための装置は、電熱ヒータで、熱電対または測温抵抗体などのセンサを設置してセンサからの計測値に基づいて温度制御できるようにしてもよい。冷却するための装置は、水冷チラー、気体パージあるいはその組合せであってもよい。
The
図3は、本実施形態によるロードロック装置101の動作(工程)を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating an operation (process) of the
図3において、冷却バッファは第1の格納室103を表わす。後で説明するように、第1の格納室103は、接合処理済のウェハを受け取り、冷却するからである。加熱バッファは第2の格納室105を表わす。第2の格納室105は、後で説明するように、接合処理前のウェハを受け取り予備加熱するからである。GVは、ゲートを表わす。Yアームは、ウェハを移送するアームを表わす。
In FIG. 3, the cooling buffer represents the
初期状態として、加熱加圧チャンバ201(No.1)、203(No.2)および205(No.3)のウェハ接合装置において、ウェハW1、W2およびW3の接合処理が実施されている。 As an initial state, the wafers W1, W2, and W3 are bonded in the wafer bonding apparatuses of the heating and pressurizing chambers 201 (No. 1), 203 (No. 2), and 205 (No. 3).
ロードロック装置101の工程1において、ロードロック装置101は、加熱加圧チャンバNo.1から、接合処理済のウェハW1を受け取り、加熱加圧チャンバNo.1へ接合処理前のウェハW4を供給する。
In
図4乃至7は、ロードロック装置101の状態を示す図である。
4 to 7 are diagrams showing the state of the
図4(A)は、ロードロック装置101の初期状態を示す図である。ロードロック装置101は上昇状態であり、第1の格納室103がゲートの高さにある。第1の格納室103は空であり、第2の格納室105が接合処理前のウェハW4を格納している。
FIG. 4A is a diagram illustrating an initial state of the
図8は、ロードロック装置101の、工程1にける動作を示す流れ図である。
FIG. 8 is a flowchart showing the operation in the
図8のステップS8010において、ロードロック装置101の第1の格納室103が、加熱加圧チャンバNo.1から接合処理済のウェハW1を受け取る。
In step S8010 of FIG. 8, the
図4(B)は、ロードロック装置101の第1の格納室103が、加熱加圧チャンバNo.1から接合処理済のウェハW1を受け取っている状態を示す図である。
4B shows that the
図4(C)は、ロードロック装置101が上昇状態で、第1の格納室103が接合処理済のウェハW1を格納し、第2の格納室105が接合処理前のウェハW4を格納している状態を示す図である。
In FIG. 4C, the
図8のステップS8020において、ロードロック装置101は、第2の格納室105から加熱加圧チャンバNo.1へ接合処理前のウェハW4を供給することができるように、上昇状態から下降状態へ移行する。
In step S8020 in FIG. 8, the
図5(A)は、ロードロック装置101が下降状態で、第1の格納室103が接合処理済のウェハW1を格納し、第2の格納室105が接合処理前のウェハW4を格納している状態を示す図である。
In FIG. 5A, the
図8のステップS8030において、ロードロック装置101の第2の格納室105が、加熱加圧チャンバNo.1へ接合処理前のウェハW4を供給する。
In step S8030 of FIG. 8, the
図5(B)は、ロードロック装置101の第2の格納室105が、加熱加圧チャンバNo.1へ接合処理前のウェハW4を供給した状態を示す図である。
FIG. 5B shows that the
図8のステップS8040において、ロードロック装置101は、第1格納室103が、つぎに接合処理済のウェハW1を大気雰囲気へ渡すことができるように、下降状態から上昇状態へ移行する。
In step S8040 of FIG. 8, the
ロードロック装置101の工程2において、全てのゲートが閉じた状態で、ロードロック装置内の圧力が大気雰囲気に近づけられる。本工程において、第1の格納室103に格納された接合処理済のウェハW1が冷却されるのが好ましい。
In
ロードロック装置101の工程3において、ロードロック装置内の圧力が十分に大気雰囲気に近づいた状態で窒素パージを行う。
In
ロードロック装置101の工程4および工程5において、ロードロック装置101は、大気雰囲気へ接合処理済のウェハ1を渡すと共に、大気雰囲気から接合処理前のウェハW5を受け取る。
In
図6(A)は、ロードロック装置101が上昇状態で、第1の格納室103が接合処理済のウェハW1を保持している状態を示す図である。
FIG. 6A is a diagram showing a state in which the
図9は、ロードロック装置101の、工程4および5にける動作を示す流れ図である。
FIG. 9 is a flowchart showing the operation of the
図9のステップS9010において、ロードロック装置101の第1の格納室103が、大気雰囲気へ接合処理済のウェハW1を渡す。
In step S9010 of FIG. 9, the
図6(B)は、ロードロック装置101の第1の格納室103が、大気雰囲気へ接合処理済のウェハW1を渡した状態を示す図である。
FIG. 6B is a diagram illustrating a state in which the
図9のステップS9020において、ロードロック装置101は、第2の格納室105が大気雰囲気から接合処理前のウェハW5を受け取ることができるように、上昇状態から下降状態へ移行する。
In step S9020 of FIG. 9, the
図9のステップS9030において、第2の格納室105が、大気雰囲気から接合処理前のウェハW5を受け取る。
In step S9030 of FIG. 9, the
図7(A)は、ロードロック装置101が下降状態で、第2の格納室105が、大気雰囲気から接合処理前のウェハW5を受け取っている状態を示す図である。
FIG. 7A is a diagram showing a state in which the
図7(B)は、ロードロック装置101の第2の格納室105が、接合処理前のウェハW5を格納した状態を示す図である。
FIG. 7B is a diagram showing a state in which the
図9のステップS9040において、ロードロック装置101は、第1格納室103が、つぎに接合処理済のウェハを受け取ることができるように、下降状態から上昇状態へ移行する。
In step S9040 of FIG. 9, the
図7(C)は、ロードロック装置101が上昇状態で、第2の格納室105が接合処理前のウェハW5を格納している状態を示す図である。
FIG. 7C is a diagram showing a state in which the
図9の流れ図に示した動作は、第1の格納室103が接合処理済のウェハを格納し、第2の格納室105が接合処理前のウェハを格納するようにした場合の動作である。第1の格納室103が接合処理済のウェハW1を大気雰囲気に渡した後に、第1の格納室103が接合処理前のウェハW5を大気雰囲気から受け取るようにしてもよい。その場合には、第1の格納室103が接合処理済のウェハW1を大気雰囲気に渡し、第1の格納室103が接合処理前のウェハW5を大気雰囲気から受け取る間、ロードロック装置101は上昇状態のままでよい。第1の格納室103が接合処理前のウェハW5を大気雰囲気から受け取った後、第2の格納室105が処理済のウェハを受け取ることができるように、ロードロック装置101を下降状態とする。
The operation shown in the flowchart of FIG. 9 is an operation in the case where the
ロードロック装置101の工程6において、全てのゲートが閉じた状態で、ロードロック装置内の圧力が真空に近づけられる。本工程において、第2の格納室105に格納されている接合処理前のウェハW5が加熱されるのが好ましい。
In
ロードロック装置101の工程7において、ロードロック装置101は、加熱加圧チャンバNo.2から、接合処理済のウェハW2を受け取り、加熱加圧チャンバNo.2へ接合処理前のウェハW5を供給する。工程7の動作は、工程1の動作と同じである。これ以降、3台の加熱加圧チャンバに対して、工程1から6と同様の動作を繰り返す。
In
図10は、加熱加圧チャンバのウェハ接合装置の動作を示す流れ図である。 FIG. 10 is a flowchart showing the operation of the wafer bonding apparatus in the heating and pressurizing chamber.
図10のステップS1010において、ウェハ接合装置は、ロードロック装置(L/L)から接合処理前のウェハを受け取る。本ステップは、加熱加圧チャンバNo.1、加熱加圧チャンバNo.2および加熱加圧チャンバNo.3の工程1に対応する。また、本ステップは、ロードロック装置101の工程1、7、12および17に対応する。
In step S1010 of FIG. 10, the wafer bonding apparatus receives a wafer before bonding processing from the load lock apparatus (L / L). In this step, the heating and pressurizing chamber No. 1. Heating and pressurizing chamber No. 1 2 and heating and pressurizing chamber no. This corresponds to step 1 of 3. This step corresponds to
図10のステップS1020において、ウェハ接合装置は、受け取ったウェハを所定の温度まで加熱する。本ステップは、加熱加圧チャンバNo.1、加熱加圧チャンバNo.2および加熱加圧チャンバNo.3の工程2乃至6に対応する。
In step S1020 of FIG. 10, the wafer bonding apparatus heats the received wafer to a predetermined temperature. In this step, the heating and pressurizing chamber No. 1. Heating and pressurizing chamber No. 1 2 and heating and pressurizing chamber no. This corresponds to
図10のステップS1030において、ウェハ接合装置は、ウェハを加圧し、加熱・加圧した状態で保持する。本ステップは、加熱加圧チャンバNo.1、加熱加圧チャンバNo.2および加熱加圧チャンバNo.3の工程7乃至11に対応する。
In step S1030 of FIG. 10, the wafer bonding apparatus pressurizes the wafer and holds it in a heated and pressurized state. In this step, the heating and pressurizing chamber No. 1. Heating and pressurizing chamber No. 1 2 and heating and pressurizing chamber no. This corresponds to
図10のステップS1040において、ウェハ接合装置は、ウェハの加圧を中止する。 In step S1040 of FIG. 10, the wafer bonding apparatus stops pressurizing the wafer.
図10のステップS1050において、ウェハ接合装置は、ウェハを冷却する。本ステップは、加熱加圧チャンバNo.1、加熱加圧チャンバNo.2および加熱加圧チャンバNo.3の工程12乃至16に対応する。
In step S1050 of FIG. 10, the wafer bonding apparatus cools the wafer. In this step, the heating and pressurizing chamber No. 1. Heating and pressurizing chamber No. 1 2 and heating and pressurizing chamber no. This corresponds to
図10のステップS1060において、ウェハ接合装置は、接合処理済のウェハをロードロック装置101へ渡す。本ステップは、加熱加圧チャンバNo.1、加熱加圧チャンバNo.2および加熱加圧チャンバNo.3の工程1に対応する。また、本ステップは、ロードロック装置101の工程4および5、9および10ならびに14および15に対応する。
In step S <b> 1060 of FIG. 10, the wafer bonding apparatus transfers the bonded wafer to the
本実施形態によれば、1台のロードロック装置が、3台のウェハ接合装置に、接合処理を効率的に実施させることができる。さらに、ロードロック装置において、接合処理前のウェハを加熱し、接合処理済のウェハを冷却することにより、ウェハ接合装置の加熱・冷却時間を短縮し、スループットを向上させることができる。 According to the present embodiment, one load lock device can cause the three wafer bonding apparatuses to efficiently perform the bonding process. Further, by heating the wafer before the bonding process and cooling the bonded wafer in the load lock apparatus, the heating / cooling time of the wafer bonding apparatus can be shortened and the throughput can be improved.
101…ロードロック装置、103…第1の格納室、105…第2の格納室、107…駆動装置
DESCRIPTION OF
Claims (9)
大気雰囲気とのゲートを通してウェハを受け取り、前記一対の格納室のいずれかの格納室に格納するステップと、
前記いずれかの格納室のウェハを、ゲートを通して前記所定のウェハ接合装置へ供給するステップと、を含む、ウェハ接合装置にウェハを供給する方法。 A method for supplying a wafer to a wafer bonding apparatus by the load lock device according to any one of claims 1 to 4,
Receiving a wafer through a gate with an atmospheric atmosphere and storing the wafer in one of the pair of storage chambers;
Supplying the wafer in any one of the storage chambers to the predetermined wafer bonding apparatus through a gate.
ゲートを通して、前記所定のウェハ接合装置から接合処理済のウェハを受け取り、前記一対の格納室のいずれかの格納室に格納するステップと、
前記いずれかの格納室のウェハを、当該大気雰囲気とのゲートを通して取り出すステップと、を含むウェハ接合装置からウェハを取り出す方法。 A method for taking out a wafer from a wafer bonding apparatus by the load lock device according to any one of claims 1 to 4,
Receiving a bonded wafer from the predetermined wafer bonding apparatus through a gate and storing the wafer in one of the pair of storage chambers;
And taking out the wafer in any one of the storage chambers through a gate with the air atmosphere.
前記複数のウェハ接合装置とを有することを特徴とするウェハ接合システム。
The load lock device according to any one of claims 1 to 4,
A wafer bonding system comprising the plurality of wafer bonding apparatuses.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006180290A JP4635972B2 (en) | 2006-06-29 | 2006-06-29 | Load lock device, method using the same, and wafer bonding system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006180290A JP4635972B2 (en) | 2006-06-29 | 2006-06-29 | Load lock device, method using the same, and wafer bonding system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008010670A JP2008010670A (en) | 2008-01-17 |
JP4635972B2 true JP4635972B2 (en) | 2011-02-23 |
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ID=39068607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006180290A Expired - Fee Related JP4635972B2 (en) | 2006-06-29 | 2006-06-29 | Load lock device, method using the same, and wafer bonding system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4635972B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220086578A (en) * | 2019-09-22 | 2022-06-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Multi-wafer volume single transfer chamber facets |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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