JP4634718B2

JP4634718B2 - エッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物

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Publication number: JP4634718B2
Application number: JP2003587913A
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Inventors: ヴィンセント・ジー・リオン; ミシェル・エルダーキン; ロレンス・フェレイラ
Original assignee: Fujifilm Electronic Materials USA Inc
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Priority date: 2002-04-25
Filing date: 2003-04-24
Publication date: 2011-02-16
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Description

本発明は、マイクロエレクトロニクス製品製造において使用するための新規な洗浄組成物に関する。より詳細には、本発明は、基板上に付着された金属層または誘電材料層のプラズマエッチング後にウェーハ基板上に形成されるプラズマエッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物に関する。

マイクロサーキットの製造において、フォトレジストは、レチクルの元のマスクパターンを、一連のフォトリソグラフィー工程およびプラズマエッチング工程によりウェーハ基板上に移すための中間マスクとして使用される。マイクロサーキット製造プロセスの最終工程のうちの１つは、パターン形成されたフォトレジストフィルムを基板から除去することである。一般に、この工程は、２つの方法のうちの１つにより影響を受ける。

１つの方法は、ウェットストリッピング工程を含み、この工程において、フォトレジストで覆われた基板が、主に有機溶媒およびアミンからなるフォトレジストストリップ溶液と接触させられる。しかし、ストリップ溶液は、特にフォトレジストフィルムが製造の間にＵＶ線放射およびプラズマ処理に曝された場合には、フォトレジストフィルムを完全かつ確実に除去することができない。いくつかのフォトレジストフィルムは、このような処理によって高度に架橋され、ストリップ溶液にさらに溶解しにくくなる。さらに、これらの従来のウェットストリッピング方法において使用される化学薬品は、時には、ハロゲン含有ガスを用いる金属または酸化物層のプラズマエッチングの間に形成される無機または有機金属の残留物質の除去に対して効果がない。

フォトレジストフィルムを除去する別方法は、プラズマアッシングとして公知のプロセスにおいて基板表面からレジストフィルムを燃焼させるために、フォトレジストで被覆したウェーハを酸素ベースのプラズマに曝すことを含む。しかし、プラズマアッシングはまた、上述のプラズマエッチング副生成物を除去する際に完全に有効ではない。その代わり、これらのプラズマエッチング副生成物の除去は、処理した金属および誘電体の薄膜を続いて特定の洗浄溶液に曝すことにより達成されなければならない。

典型的なプロセスにおいて、ＤＵＶ３０（登録商標）（ＢｒｅｗｅｒＳｃｉｅｎｃｅ）のような反射防止コーティングは、ダマシン薄膜スタック上にスピンコーティングされ、次いで焼成される。次いでフォトレジストフィルムは、反射防止コーティングの上にスピンコーティングにより塗布され、次いで露光前焼成される。フォトレジストは、紫外放射線を使用してパターン様に（ｐａｔｔｅｒｎ−ｗｉｓｅ）露光され、露光後焼成され、次いで希アルカリ水性現像液中で現像され、続いて脱イオン水でリンスされて回転脱水される。現像されたパターンは、次いで反応性イオンエッチングにより基板のフィルムスタックのより下方の層に写される。フォトレジストおよび残った反射防止コーティングは、プラズマアッシング技術により除去される。望ましくない残留物は、プラズマアッシングプロセスの結果として基板上に残る。

金属基板は、一般的に腐食を受けやすい。例えば、アルミニウム、銅、アルミニウム−銅合金、窒化タングステン、およびその他の金属および金属窒化物のような基板は、従来の洗浄化学薬品を使用することにより容易に腐食する。このことは、従来の洗浄溶液の高いアルカリ性に起因する。

従って、プラズマエッチング残留物を基板から除去するための新しい型の洗浄組成物の必要性が残されている。加えて、基板に有害な影響を及ぼさないような洗浄組成物の必要性が残されている。さらに、水性ベースであって無害でありそして環境を損なわないような洗浄組成物の必要性が残されている、これらの関心事の全てが、本発明の洗浄組成物により取り組まれる。本発明の洗浄組成物は、非腐食性であるだけでなく、基板から新鮮な残留物および古くなった残留物を効果的に除去することができる。

本発明は、水性ベースであって無害であり、そして環境を損なわず、新鮮なプラズマエッチング残留物および古くなったプラズマエッチング残留物の両方を基板から除去することに関して主に有用である。この組成物は、（ａ）水；ならびに（ｂ）トリカルボン酸およびカルボン酸の相乗的組み合わせを含む。場合により、ヒドロキシルアンモニウム化合物は、この組成物に含まれ得る。

本発明はまた、基板からエッチング残留物を除去する方法に関する。この方法は、（ａ）エッチング残留物を有する基板を用意する工程；ならびに（ｂ）水；ならびにトリカルボン酸およびカルボン酸の相乗的組み合わせを含む洗浄組成物に基板を接触させる工程を含む。

本明細書中のｐＫａ値の参照は、ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，Ｉｎｃ．により出版されたＬａｎｇｅ’ｓＨａｎｄｂｏｏｋｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙ、第１５版、１９９９のような化学文献に見出され得る。

用語「新鮮な（ｆｒｅｓｈ）基板」は、本明細書中で使用される場合、プラズマアッシングプロセス後２週間以内の間周囲温度で保存されていた基板を指す。

用語「古くなった（ａｇｅｄ）基板」は、本明細書中で使用される場合、プラズマアッシングプロセス後２週間より長く、典型的には約３０〜４５日間周囲温度で保存されていた基板を指す。このような「古くなった」プラズマ灰残留物を除去することが特に困難であることは当業者が十分理解するところであろう。

本発明は、弱酸性の配合によって金属基板の腐食を促進することなく、新鮮な金属基板および古くなった金属基板の両方を効率的に洗浄する洗浄組成物を提供する。

本発明の洗浄組成物は、水溶液であり、以下の式（Ｉ）を有する少なくとも１つのトリカルボン酸および式（II）を有する３〜６の範囲のｐＫａ値の少なくとも１つのカルボン酸の相乗的組成物を含む。

式中、ｎ、ｍ、およびｐは、それぞれ独立して１〜６の範囲の整数であり；ｑは、０〜６の範囲の整数であり；Ｒ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、およびＲ⁸は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル、メルカプト、１〜６個の炭素原子を有する脂環式または環状のチオエーテル、１〜４個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、１〜４個の炭素
原子を有する低級の分枝鎖または直鎖アルキル基、３〜６個の炭素原子を有する環状アルキル基、フェニル、アリール、ニトロおよびハロゲンからなる群より選ばれ；そしてＲ⁹は、水素、カルボン酸、ヒドロキシル、メルカプト、１〜６個の炭素原子を有する脂環式または環状のチオエーテル、１〜４個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、１〜４個の炭素原子を有する低級の分枝鎖または直鎖のアルキル基、３〜６個の炭素原子を有する環状アルキル基、フェニル、アリール、ニトロおよびハロゲンからなる群より選ばれる。

式（Ｉ）を有する適切なトリカルボン酸としては、例えば、トリカルボアリル酸（ｔｒｉｃａｒｂａｌｌｙｌｉｃａｃｉｄ）、β−メチルトリカルボアリル酸、クエン酸、ニトロメタントリスプロピオン酸、および２−（カルボキシルメチルチオ）琥珀酸が挙げられる。好ましいトリカルボン酸としては、例えば、クエン酸、（カルボキシルメチルチオ）琥珀酸、おいよびトリカルボアリル酸が挙げられる。

トリカルボン酸は、本発明の洗浄組成物中に、組成物の総重量に基づいて約０.０１重量％〜約１０.０重量％の量で存在する。好ましくは、トリカルボン酸は、約０.０５重量％〜約３.０重量％、より好ましくは約０.１重量％〜約２.０重量％の量で存在する。

本発明の洗浄組成物中における約３〜約６の間のｐＫａを有する少なくとも１つのカルボン酸の使用は、金属基板上の腐食を効果的かつ有意に減少しそして／または排除することが見出されている。

式（II）を有する適切なカルボン酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、トリメチル酢酸、イソ吉草酸、琥珀酸、メチル琥珀酸、グルタル酸、スベリン酸、グリコール酸、乳酸、２−ヒドロキシイソ酪酸、３−ヒドロキシ酪酸、リンゴ酸、シトラマル酸、酒石酸、エトキシ酢酸、テトラヒドロ−３−フロ酸、ジグリコール酸、メルカプト琥珀酸、チオ乳酸、シクロヘキシル酢酸、ジシクロヘキシル酢酸、および１、１−シクロヘキサン二酢酸が挙げられる。式（II）を有する好ましいカルボン酸としては、例えば、酢酸、グリコール酸、乳酸、琥珀酸、リンゴ酸、酒石酸、およびグルコン酸が挙げられる。

カルボン酸は、本発明の洗浄組成物中に、組成物の総重量に基づいて約０.０１重量％〜約１０.０重量％の量で存在する。好ましくは、カルボン酸は、約０.０５重量％〜約３.０重量％、より好ましくは約０.１重量％〜約２.０重量％の量で存在する。

本発明の洗浄組成物中の式（Ｉ）のトリカルボン酸および式（II）のカルボン酸の組み合わせが、トリカルボン酸のみかまたはカルボン酸を単独で有する組成物と比較して組成物に増強された洗浄特性が生じる相乗効果を提供することが予期せず見出された。

好ましくは、組成物中に存在するトリカルボン酸対カルボン酸の比は、約１：５〜約５：１である。より好ましくは、この比は、約１：３〜約３：１である。最も好ましくは、この比は約１：１である。

従って、本発明の洗浄組成物は、金属基板から新鮮な残留物を効果的に除去することができるだけでなく、金属基板を腐食することなく、金属基板から古くなった残留物を除去する際にも有効である。これらの増強された特性は、以下の表３および表４に例証されそして要約される。

水は、本発明の組成物中に約８０重量％〜約９９.９８重量％の量で存在するものとする。好ましくは、水は、約９０〜約９９.９８重量％の量で存在する。より好ましくは、水は、約９４重量％〜約９９.９８重量％の量で存在し、最も好ましくは９６重量％〜約
９９.９８重量％の量で存在する。

場合により、少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物が、本発明の組成物中に含まれる。ヒドロキシルアンモニウム化合物は、例えば、式（III）：
ｒ(ＮＲ¹⁰Ｒ¹¹Ｒ¹²ＯＨ)⁺(Ｘ^-r）（III）
［式中、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、およびＲ¹²は、水素、１〜４個の炭素原子を有する低級アルキル基、１〜４個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、ヒドロキシおよび１〜４個の炭素原子を有するヒドロキシル置換低級アルキル基から独立して選ばれ、但し、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、およびＲ¹²のうち少なくとも２つは、水素、低級アルキル基または低級アルコキシ基のいずれかであり、そして式中、Ｘは、ヒドロキシルアンモニウムカチオンまたは第四級アンモニウムカチオンと水溶性塩を形成するアニオン性部分であり、そしてｒは、Ｘの原子価であり１〜３である］
を有するヒドロキシルアンモニウム塩であり得る。

本発明の洗浄組成物に含まれ得る適切なヒドロキシルアンモニウム化合物としては、例えば、硝酸ヒドロキシルアンモニウム（ＨＡＮとも呼ばれる）、硫酸ヒドロキシルアンモニウム（ＨＡＳとも呼ばれる）、リン酸ヒドロキシルアンモニウム、塩化ヒドロキシルアンモニウム、蓚酸ヒドロキシルアンモニウム、クエン酸ヒドロキシルアンモニウム、フッ化ヒドロキシルアンモニウム、硫酸Ｎ、Ｎ−ジエチルヒドロキシルアンモニウム、硝酸Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアンモニウムおよびその任意の組み合わせのようなヒドロキシルアンモニウム塩が挙げられる。

本発明の組成物において使用される場合、ヒドロキシルアンモニウム化合物は、組成物の総重量に基づいて約０.００１重量％〜約１０重量％の間の量で存在する。好ましくは、ヒドロキシルアンモニウム化合物は、約０.１重量％〜約０.５重量％の量で存在し、最も好ましくは約０.１重量％〜約０.２５重量％の量で存在する。

本発明は場合により少なくとも１つの塩基化合物を含み得る。塩基化合物は、例えば、アミンまたは第四級アンモニウム水酸化物であり得る。本発明の洗浄組成物の塩基化合物として使用され得るアミンとしては、ヒドロキシルアミン、およびモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレン−グリコールアミン、Ｎ−ヒドロキシルエチルピペラジンなどのようなアルカノールアミンが挙げられる。本発明の洗浄組成物の塩基成分として使用され得る第四級アンモニウム水酸化物としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヒドロキシエチル、およびその組み合わせを有する水酸化テトラアルキルアンモニウム（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（以下ＴＭＡＨと呼ぶ）、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム、水酸化メチルトリ（ヒドロキシエチル）アンモニウム、水酸化テトラ（ヒドロキシエチル）アンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウムなど）が挙げられる。さらに、水酸化アンモニウムと１つ以上の第四級アンモニウム水酸化物との組み合わせもまた使用され得る。

本発明の組成物において使用される場合、塩基化合物は、組成物の総重量に基づいて約０.００１重量％〜約１重量％の間の量で存在する。好ましくは、塩基化合物は、約０.００２重量％〜約０.５重量％の量で存在する。

本発明の洗浄組成物は、場合により、１つ以上の溶媒を含み得る。適切な溶媒としては、例えばポリオール化合物またはグリコールエーテルが挙げられる。本発明において有用な適切なポリオール化合物としては、水と混和性の任意のものが挙げられる。用語「ポリオール化合物」により、２つ以上のヒドロキシル基を有する化合物を意味する。例として、適切なポリオール化合物としては、（Ｃ₂〜Ｃ₂₀）アルカンジオール、置換（Ｃ₂〜Ｃ₂₀）アルカンジオール、（Ｃ₂〜Ｃ₂₀）アルカントリオール、置換（Ｃ₂〜Ｃ₂₀）アルカントリオール、およびその任意の組み合わせのような脂肪族ポリオール化合物が挙げられる。適切な脂肪族ポリオール化合物としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、２−メチル-１，３−プロパンジオール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、グリセロール、およびその任意の組み合わせが挙げられる。

本発明の組成物において使用される場合、溶媒は、組成物の総重量に基づいて約０.１重量％〜約３０重量％の量で存在する。好ましくは、溶媒は、約０.５重量％〜約１０重量％の量で存在する。

本発明はさらに、１つ以上の添加剤を含み得る。適切な添加剤としては、例えば、ウェーハ表面から粒子および／または金属汚染物質を除去する際の本発明の組成物の有効性を増強し得るキレート化合物または界面活性剤が挙げられる。例えば、非イオン性界面活性剤、およびＣＳ−１（登録商標）として公知の特にキレート基が結合したポリオキシエチレン型の界面活性剤（ＢＡＳＦから市販されている）のような添加剤が、本発明において使用され得る。

本発明の組成物において使用される場合、１つ以上の添加剤は、組成物の総重量に基づいて約０.００１重量％〜約１０重量％の間の量で存在する。好ましくは、１つ以上の添加剤は、約０.００５重量％〜約１重量％の量で存在する。

本発明の洗浄組成物は、約１〜約５のｐＨを有する。好ましくは、組成物のｐＨは、約１.５〜約４である。より好ましくは、ｐＨは、約１.５〜約３であり、最も好ましくは約１.８〜約２.５である。

本発明の好ましい実施形態において、基板上に形成されたプラズマエッチング残留物を除去するための本発明の組成物は、（ａ）約９０重量％〜約９８重量％の水；（ｂ）約０.４重量％〜約１.５重量％の乳酸；（ｃ）約０.５重量％〜約１.６重量％のクエン酸；および（ｄ）約０重量％〜約０.２５重量％の硫酸ヒドロキシルアンモニウムを含む。

本発明の洗浄組成物は、限定されないが約８０℃まで、好ましくは約２０℃〜約６０℃、より好ましくは約２２℃〜約４５℃、最も好ましくは約２３℃〜約３５℃のような広範囲の温度で効果的に使用され得る。本発明の洗浄組成物の利点は、周囲温度で効果的に使用され得ることである。

同様に、洗浄時間は、使用される特定の洗浄方法に依存して広範囲にわたって変化し得る。浸漬バッチ型プロセスにおける洗浄の場合、適切な範囲は、例えば約４５分までである。バッチ型プロセスに好ましい範囲は、約１分〜約３０分である。バッチ型プロセスにより好ましい範囲は、約３分〜約２０分である。バッチ型洗浄プロセスに最も好ましい範囲は、約５分〜約１５分である。枚葉式プロセス（single wafer process）についての洗浄時間は、約１０秒〜約５分の範囲であり得る。枚葉式プロセスに好ましい洗浄時間は、約１５秒〜約２分の範囲であり得る。枚葉式プロセスにより好ましい洗浄時間は、約１５秒〜約１分の範囲であり得る。枚葉式プロセスに最も好ましい洗浄時間は、約３０〜約４５秒の範囲であり得る。

本発明はまた、銅またはアルミニウムのような基板から新鮮な残留物および古くなった残留物の両方を除去するための方法に関する。この方法は、（ａ）残留物を有する基板を用意する工程；および（ｂ）基板を洗浄組成物と接触させる工程を含み、この洗浄組成物
は、水；ならびに式（Ｉ）を有するトリカルボン酸および式（II）を有するカルボン酸の相乗的組み合わせを含む。場合により、式（III）を有する少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物が組成物中に含まれ得る。

基板は、洗浄組成物をタンクに入れて基板を洗浄組成物中に浸漬することおよび／もしくは沈めること、基板上を組成物でスプレーリンスすること、基板上で組成物を流動させること、またはその任意の組み合わせのような任意の適切な方法により洗浄組成物と接触され得る。好ましくは、基板は洗浄組成物を用いてスプレーリンスされる。

本発明はまた、その後のフォトレジストストリッピングプロセスと組み合わせて使用される洗浄方法を含み、このフォトレジストストリッピングプロセスは典型的に本発明の洗浄方法の前に行われる。任意の適切なドライストリッピングプロセスが使用され得、Ｏ₂プラズマアッシング、オゾン気相処理、フッ素プラズマ処理、熱Ｈ₂ガス処理（本明細書中に参照によって加入される米国特許第５,６９１,１１７号に記載される）などが挙げられる。好ましいストリッピングプロセスは、Ｏ₂プラズマアッシングである。

さらに、洗浄方法はまた、有機ウェットストリッピング方法と組み合わせて使用され得る。任意の従来の有機ウェットストリッピング溶液が使用され得、当業者は、適切な有機ウェットストリップ剤を選択することができる。好ましいウェットストリッピングプロセスは、本発明の洗浄組成物と組み合わせてオゾン水を用いる処理である。従って、本発明の洗浄方法は、有機溶媒ベースのストリッピング後リンスの代わりに使用され得る。

洗浄組成物は環境を害さない非腐食性の弱酸性水溶液であるので、このことは好ましい。さらに、本発明の洗浄方法において使用される洗浄組成物は、水性化学廃棄物のための通常の廃液システムで処理され得る。

本発明を例示するために以下の実施例が提供される。本発明は、記載される実施例に限定されないことが理解されるべきである。

５.６８グラム（０.０５５５モル）の８８重量％乳酸水溶液、１５グラム（０.７８１モル）のクエン酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７１.４９グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

１１.３６グラム（０.１１１モル）の８８重量％乳酸水溶液、１０グラム（０.０５２１モル）のクエン酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７０.８１グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

１７.０５グラム（０.１６６５モル）の８８重量％乳酸水溶液、５グラム（０.０２６モル）のクエン酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７０.１２グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

１１.３６グラム（０.１１１モル）の８８重量％乳酸水溶液、１０グラム（０.０５２１モル）のクエン酸を、９７８.６４グラムの脱イオン水に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

６.６７グラム（０.１１１モル）の氷酢酸、１０グラム（０.０５２１モル）のクエン
酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７５.５グラムの脱イオン水の混合物に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

８.４４グラム（０.１１１モル）のグリコール酸、１０グラム（０.０５２１モル）のクエン酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７３.７３グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

１４.８８グラム（０.１１１モル）のリンゴ酸、１０グラム（０.０５２１モル）クエン酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９６７.２９グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

１３.１１グラム（０.１１１モル）の琥珀酸、１０グラム（０.０５２１モル）のクエン酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９６９.０６グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例１］
２０グラム（０.２６３モル）のグリコール酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７２.１７グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例２］
２０.０６グラム（０.１５モル）のＤＬリンゴ酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７２.１７グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例３］
２０.０３グラム（０.１３４モル）のＬ−酒石酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７２.１７グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例４］
３１.３１グラム（０.０７６モル）４５〜５０重量％のＤ−グルコン酸水溶液を、５.８２グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０３５モル）および７０６.４３グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより７４３.６グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例５］
２０.０２グラム（０.１７モル）の琥珀酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７２.１７グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例６］
２０.０３グラム（０.３３モル）の氷酢酸を、７.８グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７２.３グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例７］
２２.７２グラム（０.２２２モル）の８８重量％乳酸水溶液を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９６９.４４グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例８］
１０.０グラム（０.１１１モル）の蓚酸、１０.０グラム（０.０５２モル）のクエン酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７２.１７グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例９］
２０.０グラム（０.２２２モル）の蓚酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７２.１７グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例１０］
２０.０３グラム（０.０９５モル）のクエン酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７２.１７グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例１１］
１０.０グラム（０.１１１モル）の蓚酸、１０グラム（０.０８４７モル）の琥珀酸を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７２.１７グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例１２］
１０.０グラム（０.１１１モル）の蓚酸、１１.３６グラム（０.１１１モル）の８８重量％乳酸水溶液を、７.８３グラムの３０重量％硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）および９７０.８１グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。この溶液はそのままでその後の試験において使用した。

［比較例１３］
２０.００グラム（０.０９５モル）のクエン酸を、７.８３グラムの３０重量％の硫酸ヒドロキシルアンモニウム水溶液（１００％として０.０１４３モル）、０.０９４グラムの２５重量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液および９７２.０７２グラムの脱イオン水の混合物中に溶解することにより１０００グラムの洗浄溶液を調製した。

洗浄溶液と銅およびアルミニウム金属基板との適合性の決定のための重量減少法
これらの試験において使用する基板は、ＷａｆｅｒＮｅｔ，Ｉｎｃ．から入手した。これらの試験において使用する基板は、約５０５６オングストロームの銅または４９１５オングストロームのアルミニウムでブランケットコーティングされた４インチのシリコンウェーハであった。

約８００ｍＬの洗浄溶液を１０００ｍＬのガラスビーカーに入れた。長さ３.７ｃｍの磁気撹拌子をこのビーカーに導入した。洗浄溶液および磁気撹拌子を含むビーカーを、ＲＥＴＣｏｎｔｒｏｌ−ＶｉｓｃＳ１（登録商標）モデル定温／低速ホットプレート／スターラー（ＩＫＡ（登録商標）Ｗｏｒｋｓ，Ｉｎｃ．）に置いた。洗浄溶液の温度を２３℃に調整し維持した。撹拌速度を２００ｒｐｍに維持した。

試験基板を５分間アセトン浴中で超音波により予備洗浄した。予備洗浄したウェーハを多量の脱イオン水ですすぎ、次いで窒素気流中で乾燥した。予備洗浄したウェーハの重量を±０.０１ｍｇまで測定した（「Ｗ_i」）。ウェーハを洗浄溶液に１５分間浸漬した（２３℃／２００ｒｐｍ）。次いでウェーハを取り出し、そして５分間新鮮な脱イオン水流中でリンスした。この水でリンスしたウェーハを窒素気流中で乾燥させた。乾燥した処理ウェーハの重量をもう一度±０.０１ｍｇまで測定した（「Ｗ_f」）。次いで金属基板のエッチングを以下の等式を使用して計算した：
銅エッチング速度（オングストローム／分）＝（１３７６６２.１９８３）×（Ｗ_i−Ｗ_f）／１５分
アルミニウムエッチング速度（オングストローム／分）＝（４５７０２０.７４０３）×（Ｗ_i−Ｗ_f）／１５分

酸の１モルあたりのエッチング速度は次のように測定したが、これを表１にまとめた：アルミニウム（または銅）エッチング速度／（１０００ｇの洗浄溶液あたりの酸のモル数）。

表３に含まれるデータは、３.０未満のｐＫａ値を有する酸は銅基板に対して非常に腐食性であり、本発明における使用には許容できないということを示している。

アッシング後残留物洗浄効率方法１
パターニングされそしてエッチングされたＳｅｍａｔｅｃｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌから入手したデュアルダマシン銅およびｌｏｗｋウェーハをこれらの試験のために使用した。ダマシン薄膜スタックは表２に記載される。

フォトレジスト、プロセス材料および化学薬品を表３に記載する。

エッチングしたビア寸法は、直径約０.２５マイクロメートルであり、エッチングトレンチ寸法は、約１.５マイクロメートルである。

約８００ｍＬの洗浄溶液を１０００ｍＬのガラスビーカーに入れた。長さ３.７ｃｍの磁気撹拌子をビーカーに導入した。洗浄溶液および磁気撹拌子を含むビーカーをＲＥＴＣｏｎｔｒｏｌ−ＶｉｓｃＳ１（登録商標）モデル定温／定速ホットプレート／スターラー（ＩＫＡ（登録商標）Ｗｏｒｋｓ，Ｉｎｃ．）上に置いた。洗浄溶液の温度を２３℃に調整し維持した。撹拌速度を２００ｒｐｍに維持した。

アッシング後の試験基板を小片に切断した。試験基板の個々の小片を直径６.７ｃｍのプロピレンバスケットに入れた。次いで、試験基板の小片を含むバスケットを洗浄溶液に１５分間浸漬した（２３℃／２００ｒｐｍ）。次いで、バスケットを外してカスケード脱イオン水浴中で５分間リンスした。試験基板の水でリンスした小片を窒素気流中で乾燥した。金の薄層を試験基板の乾燥した小片上にスパッタリングした。アッシング後残留物の除去の相対程度を、日立の走査電子顕微鏡を使用して３０,０００倍〜１００,０００倍で試験基板の金被覆小片を試験することにより評価した。結果を表４にまとめる。

表４に含まれるデータは、要求の厳しい基板（すなわち、「古くなった」基板）のためには、約３〜約６の範囲のｐＫａ値を有するカルボン酸とトリカルボン酸とのブレンドが、洗浄効率においてトリカルボン酸のみを含む配合よりも優れていることを示す。さらに、実施例２について得られた結果と比較例７および比較例１０についての結果との比較は、単一の酸成分を含む組成物と比較して本発明のトリカルボン酸と約３〜約６の範囲のｐＫａ値を有するカルボン酸とのブレンドにより実現される優れた性能を明確に実証する。

要求があまり厳しくない基板（すなわち、「新鮮な」基板）のためには、約３〜約６のｐＫａ値を有するカルボン酸とトリカルボン酸とのブレンドは、ヒドロキシルアンモニウム化合物を使用する必要がないほど十分効率的である。

実施例２の配合もまた、以下の方法２および３を使用してアッシング後残留物洗浄効率
について試験した。結果を表５に報告する。

アッシング後残留物洗浄効率方法２
方法２は、以下を除いて上記の方法１と同一である。洗浄溶液の温度は表５に記載されるとおりに変えた。ウェーハ小片をプラスチックピンセットの先にはさみ、洗浄溶液中に表５に示される特定の時間の間浸漬した。洗浄は、以下の様式で高速振動を伴って行った。ウェーハ部分を１分当たり６０回〜１００回のおよその回数で前後運動で動かし、次いで上下に手首運動させた。ウェーハ小片の面を運動面に対して９０°の角度で置いた。この方法は、枚葉式プロセスにおいて見出される高速振動をビーカー中で模倣するために採用された。

アッシング後残留物洗浄効率方法３
この方法では、枚葉式ツールのＳｅｍｉＴｏｏｌＥｑｕｉｎｏｘＭｉｌｌｅｎｎｉｕｍを方法１で記載したような８インチウェーハに用いた。このプロセスは２１℃の温度で行われた。洗浄溶液をウェーハ上に２５０ミリリットル／分の流速で３０秒間流した。続いて、洗浄溶液をウェーハから１５秒間の間に回収した。次に脱イオン水リンスを５５秒間行い、次いでウェーハを４５秒間１８００ｒｐｍで回転脱水した。ウェーハを小片に切断し、金の薄層をスパッタリングし、そして方法１に記載されるように日立走査電子顕微鏡で検査した。結果は表５に示される。

表５のデータは、先行技術の洗浄剤（比較例１３）が２分間の間に完全には洗浄しないことを例証する。カルボン酸とトリカルボン酸の組み合わせを用いる本発明の洗浄組成物は、３０秒でアッシング後残留物を完全に洗浄する。枚葉式ツールで使用される洗浄剤は、商業的に実現可能であるためには短い（２分未満）洗浄時間が必要とされ、そして本発明の組成物はこの厳しい要求を満たす。

前述の記載は本発明を単に例示するものであることが理解されるべきである。種々の代替および改変が本発明から逸脱することなく当業者によりなされ得る。従って、本発明は、このような代替、改変および変動の全てを包含すると解釈される。

Claims

基板からプラズマエッチング残留物を除去する、非腐食性洗浄組成物であって、
（ａ）水と、
（ｂ）少なくとも１つのトリカルボン酸および少なくとも１つのカルボン酸との組み合わせからなり、
前記少なくとも１つのトリカルボン酸が、クエン酸であり、
前記少なくとも１つのカルボン酸が、３〜６のｐＫａを有し、
該少なくとも１つのトリカルボン酸および少なくとも１つのカルボン酸の組み合わせが、該組成物中に１：５〜５：１の重量比で存在するが、
但し、前記カルボン酸がジカルボン酸である場合、ヒドロキシルアンモニウム化合物と、キレート化合物、界面活性剤、水以外の溶媒およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される１つの成分の少なくとも１つが存在する、
ことを特徴とする上記組成物。
さらに少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物を含む、請求項１に記載の組成物。
さらにキレート化合物、界面活性剤、水以外の溶媒およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの成分を含む、請求項１または２に記載の組成物。
少なくとも１つのトリカルボン酸が、組成物中に０.０１重量％〜１０重量％の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
少なくとも１つのトリカルボン酸が、組成物中に０.０５重量％〜３重量％の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
少なくとも１つのトリカルボン酸が、組成物中に０.１重量％〜２重量％の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
少なくとも１つのカルボン酸が、式：
Ｒ⁹−(ＣＲ⁷Ｒ⁸)_qＣＯ₂Ｈ
［式中、ｑは、０〜６の範囲の整数であり；Ｒ⁷、およびＲ⁸は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル、メルカプト、１〜６個の炭素原子を有する脂環式または環状のチオエーテル、１〜４個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、１〜４個の炭素原子を有する低級の分枝鎖または直鎖のアルキル基、３〜６個の炭素原子を有する環状アルキル基、フェニル、アリール、ニトロおよびハロゲンからなる群より選択され；そしてＲ⁹は、水素、カルボン酸、ヒドロキシル、メルカプト、１〜６個の炭素原子を有する脂環式または環状のチオエーテル、１〜４個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、１〜４個の炭素原子を有する低級の分枝鎖または直鎖のアルキル基、３〜６個の炭素原子を有する環状アルキル基、フェニル、アリール、ニトロおよびハロゲンからなる群より選択される］
を有する、請求項１に記載の組成物。
少なくとも１つのカルボン酸が、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、トリメチル酢酸、イソ吉草酸、琥珀酸、メチル琥珀酸、グルタル酸、スベリン酸、グリコール酸、乳酸、２−ヒドロキシイソ酪酸、３−ヒドロキシ酪酸、リンゴ酸、シトラマル酸、酒石酸、エトキシ酢酸、テトラヒドロ−３−フロ酸、ジグリコール酸、メルカプト琥珀酸、チオ乳酸、シクロヘキシル酢酸、ジシクロヘキシル酢酸、および１，１−シクロヘキサン二酢酸からなる群より選択される、請求項７に記載の組成物。
少なくとも１つのカルボン酸が、組成物中に０.０１重量％〜１０重量％の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
少なくとも１つのカルボン酸が、組成物中に０.０５重量％〜３重量％の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
少なくとも１つのカルボン酸が、組成物中に０.１重量％〜２重量％の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
少なくとも１つのトリカルボン酸および少なくとも１つのカルボン酸の組み合わせが、組成物中に１：３〜３：１の重量比で存在する、請求項１に記載の組成物。
少なくとも１つのトリカルボン酸および少なくとも１つのカルボン酸の組み合わせが、組成物中に１：１の重量比で存在する、請求項１に記載の組成物。
少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物が、
式：
ｒ(ＮＲ¹⁰Ｒ¹¹Ｒ¹²ＯＨ)⁺(Ｘ^-r）
［式中、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、およびＲ¹²は、水素、１〜４個の炭素原子を有する低級アルキル基、１〜４個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、ヒドロキシルおよび１〜４個の炭素原子を有するヒドロキシル置換低級アルキル基から独立して選択され、但し、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、およびＲ¹²のうち少なくとも２つは、水素、低級アルキル基または低級アルコキシ基のいずれかであり、そして式中、Ｘは、ヒドロキシルアンモニウムカチオンまたは第四級アンモニウムカチオンと水溶性塩を形成するアニオン性部分であり、そしてｒは、Ｘの原子価であり１〜３である］
を有する、請求項２に記載の組成物。
少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物が、ヒドロキシルアンモニウム塩、硝酸ヒドロキシルアンモニウム、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、リン酸ヒドロキシルアンモニウム、塩化ヒドロキシルアンモニウム、蓚酸ヒドロキシルアンモニウム、クエン酸ヒドロキシルアンモニウム、フッ化ヒドロキシルアンモニウム、硫酸Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアンモニウム、および硝酸Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアンモニウムからなる群から選ばれる少なくとも１つである、請求項１４に記載の組成物。
少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物は、０.００１重量％〜１０重量％の量で存在する、請求項２に記載の組成物。
溶媒が、ポリオール化合物、グリコールエーテル、およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つである、請求項３に記載の組成物。
溶媒が、組成物中に０.１重量％〜３０重量％の量で存在する、請求項３に記載の組成物。
少なくとも１つの成分がキレート化合物、界面活性剤、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの添加剤である、請求項３に記載の組成物。
少なくとも１つの成分が、組成物中に０.００１重量％〜１０重量％の量で存在する、請求項１９に記載の組成物。
基板上のプラズマエッチング残留物を除去するための、非腐食性洗浄組成物であって、
（ａ）水と、
（ｂ）クエン酸および乳酸との組み合わせからなり、
前記クエン酸および乳酸の組み合わせが、該組成物中に３：１〜１：３の重量比で存在する、上記組成物。
さらに少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物を含む、請求項２１に記載の組成物。
さらにキレート化合物、界面活性剤、水以外の溶媒およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの成分を含む、請求２１または２２に記載の組成物。
水が、組成物中に９０重量％〜９９.９８重量％の量で存在する、請求項２１に記載の組成物。
クエン酸および乳酸の組み合わせが、組成物中に１：１の重量比で存在する、請求項２１に記載の組成物。
乳酸が、組成物中に０.４重量％〜１.５重量％の量で存在する、請求項２１に記載の組成物。
クエン酸が、組成物中に０.５重量％〜１.６重量％の量で存在する、請求項２１に記載の組成物。
少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物が、組成物中に０.００１重量％〜１０重量％の量で存在する、請求項２２に記載の組成物。
少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物が、硫酸ヒドロキシルアンモニウムである、請求項２２に記載の組成物。
非腐食性洗浄組成物と基板とを接触させる工程を含む基板からのプラズマエッチング残留物を除去するための方法であって、
前記非腐食性洗浄組成物は、
（ａ）水と、
（ｂ）少なくとも１つのトリカルボン酸および少なくとも１つのカルボン酸との組み合わせからなり、
前記少なくとも１つのトリカルボン酸が、クエン酸であり、
前記少なくとも１つのカルボン酸が、３〜６のｐＫａを有し、
該少なくとも１つのトリカルボン酸および少なくとも１つのカルボン酸の組み合わせが、該組成物中に１：５〜５：１の重量比で存在するが、
但し、前記カルボン酸がジカルボン酸である場合、ヒドロキシルアンモニウム化合物と、キレート化合物、界面活性剤、水以外の溶媒およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される１つの成分の少なくとも１つが、前記組成物に存在する、
ことを特徴とする上記方法。
基板が、新しい基板または古い基板である、請求項３０に記載の方法。
洗浄組成物が、２０℃〜６０℃の温度を有する、請求項３０に記載の方法。
１０秒〜３０分の洗浄時間を有する、請求項３０に記載の方法。
浸漬、スプレーリンス、流動、およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される手段により洗浄組成物と基板とを接触させる、請求項３０に記載の方法。
ドライストリッピング、Ｏ₂プラズマアッシング、オゾン気相処理、フッ素プラズマ処理、熱Ｈ₂ガス処理、およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つのフォトレジストストリッピングプロセスと組み合わせて実施される、請求項３０に記載の方法。
少なくとも１つの有機ウェットストリッピングプロセスと組み合わせて実施される、請求項３０に記載の方法。
少なくとも１つの有機ウェットストリッピングプロセスが、オゾン水を用いる処理である、請求項３６に記載の方法。
組成物が、さらに少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物を含む、請求項３０に記載の方法。
組成物が、さらにキレート化合物、界面活性剤、水以外の溶媒およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの成分を含む、請求項３０または３８に記載の方法。
少なくとも１つのトリカルボン酸が、組成物中に０.０１重量％〜１０重量％の量で存在する、請求項３０に記載の方法。
少なくとも１つのトリカルボン酸が、組成物中に０.０５重量％〜３重量％の量で存在する、請求項３０に記載の方法。
少なくとも１つのトリカルボン酸が、組成物中に０.１重量％〜２重量％の量で存在する、請求項３０に記載の方法。
少なくとも１つのカルボン酸が、式：
Ｒ⁹−(ＣＲ⁷Ｒ⁸)_qＣＯ₂Ｈ
［式中、ｑは、０〜６の範囲の整数であり；Ｒ⁷、およびＲ⁸は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル、メルカプト、１〜６個の炭素原子を有する脂環式または環状のチオエーテル、１〜４個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、１〜４個の炭素原子を有する低級の分枝鎖または直鎖のアルキル基、３〜６個の炭素原子を有する環状アルキル基、フェニル、アリール、ニトロおよびハロゲンからなる群より選択され；そしてＲ⁹は、水素、カルボン酸、ヒドロキシル、メルカプト、１〜６個の炭素原子を有する脂環式または環状のチオエーテル、１〜４個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、１〜４個の炭素原子を有する低級の分枝鎖または直鎖のアルキル基、３〜６個の炭素原子を有する環状アルキル基、フェニル、アリール、ニトロおよびハロゲンからなる群より選択される］
を有する、請求項３０に記載の方法。
少なくとも１つのカルボン酸が、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、トリメチル酢酸、イソ吉草酸、琥珀酸、メチル琥珀酸、グルタル酸、スベリン酸、グリコール酸、乳酸、２−ヒドロキシイソ酪酸、３−ヒドロキシ酪酸、リンゴ酸、シトラマル酸、酒石酸、エトキシ酢酸、テトラヒドロ−３−フロ酸、ジグリコール酸、メルカプト琥珀酸、チオ乳酸、シクロヘキシル酢酸、ジシクロヘキシル酢酸、および１，１−シクロヘキサン二酢酸からなる群より選択される、請求項４３に記載の方法。
少なくとも１つのカルボン酸が、組成物中に０.０１重量％〜１０重量％の量で存在する、請求項３０に記載の方法。
少なくとも１つのカルボン酸が、組成物中に０.０５重量％〜３重量％の量で存在する、請求項３０に記載の方法。
少なくとも１つのカルボン酸が、組成物中に０.１重量％〜２重量％の量で存在する、請求項３０に記載の方法。
少なくとも１つのトリカルボン酸および少なくとも１つのカルボン酸の組み合わせが、組成物中に１：３〜３：１の重量比で存在する、請求項３０に記載の方法。
少なくとも１つのトリカルボン酸および少なくとも１つのカルボン酸の組み合わせが、組成物中に１：１の重量比で存在する、請求項３０に記載の方法。
少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物が、
式：
ｒ(ＮＲ¹⁰Ｒ¹¹Ｒ¹²ＯＨ)⁺(Ｘ^-r）
［式中、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、およびＲ¹²は、水素、１〜４個の炭素原子を有する低級アルキル基、１〜４個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、ヒドロキシルおよび１〜４個の炭素原子を有するヒドロキシル置換低級アルキル基から独立して選択され、但し、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、およびＲ¹²のうち少なくとも２つは、水素、低級アルキル基または低級アルコキシ基のいずれかであり、そして式中、Ｘは、アニオン性部分であり、該アニオン性部分が、ヒドロキシルアンモニウムカチオンまたは第四級アンモニウムカチオンと水溶性塩を形成し、そしてｒは、Ｘの原子価であり１〜３である］
を有する、請求項３８に記載の方法。
少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物が、ヒドロキシルアンモニウム塩、硝酸ヒドロキシルアンモニウム、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、リン酸ヒドロキシルアンモニウム、塩化ヒドロキシルアンモニウム、蓚酸ヒドロキシルアンモニウム、クエン酸ヒドロキシルアンモニウム、フッ化ヒドロキシルアンモニウム、硫酸Ｎ,Ｎ−ジエチルヒドロキシルアンモニウム、および硝酸Ｎ,Ｎ−ジエチルヒドロキシルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも１つである、請求項５０に記載の方法。
少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物が、０.００１重量％〜１０重量％の量で組成物中に存在する、請求項３８に記載の方法。