[go: up one dir, main page]

JP4625997B2 - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード Download PDF

Info

Publication number
JP4625997B2
JP4625997B2 JP20764499A JP20764499A JP4625997B2 JP 4625997 B2 JP4625997 B2 JP 4625997B2 JP 20764499 A JP20764499 A JP 20764499A JP 20764499 A JP20764499 A JP 20764499A JP 4625997 B2 JP4625997 B2 JP 4625997B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
sealing portion
emitting diode
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP20764499A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001036147A (ja
Inventor
広昭 為本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP20764499A priority Critical patent/JP4625997B2/ja
Publication of JP2001036147A publication Critical patent/JP2001036147A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4625997B2 publication Critical patent/JP4625997B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/853Encapsulations characterised by their shape

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は発光ダイオード、特に表面実装型の発光ダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の表面実装型の発光ダイオードは、例えば、図5に示すように正の電極板202aと負の電極板202bとが一体成形されたパッケージ201の凹部3内に発光素子4が透光性封止部80によって封止されて構成されている。この図5に示す発光ダイオード(以下、第1の従来例という。)は、薄型化を目的とした表面実装型の発光ダイオードであるために、透光性封止部80の表面が平坦でかつその平坦面がパッケージ201の凹部203の上面とほぼ一致するように透光性封止部80が充填されている。
【0003】
また、図6は第2の従来例の発光ダイオードの構成を示す断面図であって、この第2の従来例の発光ダイオードは、透光性封止部80の表面を球面の凸形状としてパッケージ201の上面から突出させている点が第1の従来例とは異なり、他の部分は第1の従来例と同様に構成される。この第2の従来例において、透光性封止部80の球面の外表面は、その焦点が発光素子4の発光点と一致又は発光点の上方に位置するようにその曲率が設定される。また、その球面は、樹脂で透光性封止部を形成する場合、キャスティングケース(型)を用いて所定の球面が形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、第1の従来例の発光ダイオードは、薄型化が可能であるが、透光性樹脂の表面で発光素子で発光された光が反射される等により発生した光を効率よく外部に放出することができないという問題点があった。
また、第1の従来例の発光ダイオードは、透光性樹脂の表面を平坦にしているので、集光性が悪いという問題点もあった。
また、第2の従来例の発光ダイオードは、透光性封止部80の表面を凸形状として外部への出力効率を向上させることは可能であるが、薄型にできないという問題点があった。
このように従来の発光ダイオードにおいて、薄型化と高出力化とは相反するものであったために、その双方を満足させることができる発光ダイオードはなかった。
【0005】
そこで、本発明は薄型化が可能でかつ集光性がよくしかも発光した光を外部に効率よく出力できる発光ダイオードを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成するために、本発明に係る発光ダイオードは、凹部を有するパッケージと、該凹部の底面に設けられた発光素子と、該発光素子を覆いかつ表面が球状の凸面になるように形成された透光性封止部とを備えた発光ダイオードであって、上記発光素子を、上記透光性封止部の球状の凸面の焦点と上記透光性封止部の表面との間に設けて上記球状の凸面の外周端部が上記発光素子の発光面より低くなるようにし、記凹部の側面を上記透光性封止部を介して出射される光が前方に反射されるように傾斜させ、かつ
上記球状の凸面の端が上記凹部の傾斜した側面と上記凹部の底面との境界に一致するように上記透光性封止部を形成したことを特徴とする。
このように構成することにより、本発明の発光ダイオードは、上記発光素子で発光した光を、上記透光性封止部の球状の凹面を介して反射させることなく外部に出射することができ、かつ上記凹部の側面に入射した光を該表面で反射させて外部に出射することができる。
また、上記発光素子を、上記透光性封止部によって構成される凸レンズの焦点と上記透光性封止部の表面との間に設けるようにしているので、薄型にできる。
【0007】
また、本発明に係る発光ダイオードは、上記球状の凸面の端が上記凹部の傾斜した側面と上記凹部の底面との境界に略一致するように上記透光性封止部を形成することが好ましい。このようにすると、上記発光素子から水平方向より下方に出射された光を傾斜面で反射させて外部に出射することができ、さらに外部出力効率を向上させることができる。
【0008】
さらに、本発明に係る発光ダイオードは、上記透光性封止部の凸面の頂点が上記パッケージの上面より下に位置するように上記透光性封止部が形成されていることが好ましく、これによってさらに薄型化が可能となる。
【0009】
また、本発明に係る発光ダイオードでは、上記パッケージを液晶ポリマー樹脂、PBT(ポリブチレンテレフタレート)樹脂及びセラミックスからなる群から選択される1つを用いて構成することができる。
【0010】
さらに、本発明に係る発光ダイオードでは、上記発光素子がフリップチップ実装されていることが好ましい。
【0011】
またさらに、本発明に係る発光ダイオードでは、上記発光素子に対する応力を緩和するために、上記透光性封止部をシリコン樹脂で形成することができる。
【0012】
また、本発明に係る発光ダイオードでは、上記発光素子として窒化物半導体を含んで成る発光ダイオードを用いることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係る実施の形態の発光ダイオードについて説明する。
本実施の形態の発光ダイオードは、図2に示すように、パッケージ1に形成された凹部3に設けられた発光素子4を透光性封止部8によって封止してなる発光ダイオードであって、以下のような各特徴を有する。
(1)透光性封止部8を、その表面が焦点を有する球面の凸形状となるように、かつその凸形状の表面の頂点がパッケージ1の上面より低くなるように形成した。
(2)発光素子4を、上記透光性封止部によって構成される凸レンズの焦点と上記透光性封止部の表面との間に位置するように設けた。
(3)凹部3の側面3aを透光性樹脂を介して出射される光が前方に反射されるように傾斜させて形成した。
【0014】
すなわち、本実施の形態の発光ダイオードは、(1)透光性封止部8を、その表面を凸形状としその凸形状の表面の頂点がパッケージ1の上面より低くなるように、かつ(2)発光素子4を、透光性封止部8の焦点と透光性封止部8の表面の間に位置するようにかつ透光性封止部8が凹部3内に収まるように設けることにより薄型化を実現し、(3)凹部3の側面3aを傾斜させることにより透光性封止部8を介して出射される光をその傾斜した側面3cで反射させて外部に取り出せるようにし、薄型化及び光の取り出し効率の双方を満足させたものである。
【0015】
以下、図1〜図3を用いて本実施の形態の発光素子について詳細に説明する。
尚、図1は本実施の形態の発光ダイオードを上方から見た平面図であり、図2は図1のA−A’線についての断面図であり、図3は図1のB−B’線についての断面図である。
パッケージ1.
パッケージ1は、液晶ポリマー、PBT(ポリブチレンテレフタレート)樹脂、セラミックス等の絶縁性部材よりなりその一部に凹部3が形成されている。このパッケージに使用される上記例示した絶縁性部材において、液晶ポリマーとPBT樹脂とを比較すると、耐熱性は液晶ポリマーが優れており、光反射性はPBT樹脂が優れている。また、これらの樹脂とセラミックスを比べると放熱性はセラミックスが優れているが、形状加工の自由度、コストは樹脂の方が優れている。本実施の形態では、発光ダイオードの使用環境等に応じて、各絶縁性部材の中から適したものを選択して用いることができる。
【0016】
また、パッケージ1に形成された凹部3の側面の一部は図1及び図2に示すように、凹部が発光ダイオードの上方に向かって広がるようにされかつ白色あるいは銀白色に着色されて発光素子から出射された光に対する反射率を高くしている。
さらに、本実施の形態では、凹部を各々外部接続電極が設けられた方向に長くその一方向に直交する他の方向については短くなるように形成している。また、その一方向両側の面を傾斜させて傾斜面を形成している。
これによって、外部接続電極2a,2b間には十分なギャップを確保しつつ、その直交方向は幅を狭くでき、発光ダイオード素子をより小型化できる。
【0017】
また、パッケージ1は、凹部3の底面で露出と外表面にその一部が露出するように設けられた電極2a,2bを備え、その凹部3の底面に露出した電極2a,2bにそれぞれ発光素子の正負の電極が接続される。
この電極2a,2bは樹脂を用いたパッケージでは、りん青銅等の金属板からなる電極板を例えば一体成形により形成することができ、セラミックを用いたパッケージではWやNi等のメタライズ層として形成することができる。
【0018】
発光素子4.
本実施の形態において、発光素子4は一方の主面に正電極5aと負電極5bとがいずれも形成されている発光素子であって、発光素子4はその正電極5a及び負電極5bをそれぞれパッケージ1の底面に露出させた電極2a,2bに対向させてハンダ等の導電性接着剤により接続することによりパッケージ1に固定される。
【0019】
透光性封止部8.
透光性封止部8はシリコーン、エポキシ、変性アクリル、不飽和ポリエステル等の透光性樹脂、あるいはガラス等の無機材料で形成され、発光素子4を保護する機能と、発光素子4から出射される光を集光するレンズの機能とを併せ持つ封止部であり以下のように形成される。
すなわち、透光性封止部8はその外表面(上表面)が1点で焦点を結ぶ球面の凸形状となるように、かつその凸形状の外表面の頂点がパッケージ1の上面より低くなるように形成する。また、その外表面により形成される焦点が発光素子4より下に形成されるように、透光性封止部8の外表面の曲率を比較的大きく設定する。これによって、発光素子4を透光性封止部8の球面の表面により形成される凸レンズの焦点と上記透光性封止部8の外表面との間に位置させるようにできる。
【0020】
さらに、透光性封止部8の外表面の外周端部は、凹部3の底面の外周とほぼ一致するように透光性封止部8を形成している。
またさらに、透光性封止部8はその外表面の中心軸上に発光素子4の発光部中心が位置するように形成する。
上述のような形状の透光性封止部8は、樹脂を用いる場合は以下のようにして容易に作製できる。
【0021】
まず、パッケージ1の凹部3の側面3aに、フッ素あるいはシリコーン等の封止樹脂をはじく樹脂薄膜を、塗布あるいは蒸着により形成する。
次に、該凹部3に粘度を所定の値に設定した封止樹脂を、所定量だけ滴下する。
このような方法を用い、封止樹脂をはじく樹脂薄膜の厚さ、成分を封止樹脂の濡れ性に応じて適切に選択して封止樹脂を滴下すると、封止樹脂の表面張力により、封止樹脂が凹部3の底面をほぼ覆いかつ側壁に這い上がらないようにでき、所望の凸形状の外表面を有する透光性封止部8を形成することができる。
【0022】
このように、本実施の形態では、透光性封止部8の外表面の曲率半径が比較的大きくかつ薄いので、透光性封止部8は、透光性樹脂を用いてポッティング(単に樹脂を滴下させること)により寸法精度よく形成することができる。すなわち、本実施の形態では樹脂の表面張力を利用して滴下する樹脂量を所定の量とすることにより透光性封止部8の外表面を所望の曲率半径の球面とすることができる。従って、第2の従来例のキャスティングケースを用いて所定の球面としていた方法に比較すると、本工程の製造コストを安価にできる。
もちろん本発明では、一般的な封止法であるキャスティングケースの雌型を使って透光性封止部8の表面形状が所定の形状になるように形成してもよい。
尚、透光性封止部8を形成するための樹脂等の材料は、等方性の屈折率を有するものが望ましいが、本発明は特にこれに限定されるものではない。
【0023】
以上のように構成された実施の形態の発光ダイオードにおいて、透光性封止部8の表面を球面の凸面としているので、発光素子4から出射された光は、透光性封止部8の表面に比較的小さな入射角で入射し、全反射されることなく発光ダイオードの外部に出射される。従って、透光性封止部の表面を平坦にした第1の従来例に比較して、透光性封止部の表面における臨界角反射で再び透光性封止部内に戻される光の割合を少なくでき、外部に出射される光量を多くできる。
【0024】
また、本実施の形態の発光ダイオードにおいては、透光性封止部8の外表面の外周端部を凹部3の底面の外周とほぼ一致するように透光性封止部8を形成し、発光素子4の発光出力面である上面より、透光性封止部8の外表面の外周端部が低くなるようにしている。これによって、本実施の形態では、発光素子4から下方に向けて出射された光も有効に上方に取り出すことができる。
【0025】
すなわち、図4に示すように、例えば、発光素子4の端部から出射された光L1は、透光性封止部8の外表面上の点101にその点101における法線105に対して入射角θ1で入射する。点101に入射した光L1は透過光L2として法線105に対してθ2の角度で透光性封止部8の外部に出射され、パッケージ1の凹部3の側面3aで反射されて、出射光Lとして発光ダイオードの上方に出射される。
【0026】
ここで、出射角θ2は透光性封止部8の屈折率をn1、外部(空間)の屈折率n2とすると、次の(1)式で表される。
θ2=sin-1(n2/n1・sinθ1)…(1)
また、法線105と水平方向の成す角度θ3と角度θ2とが次の(2)式で表される関係があるときは、透光性封止部8から外部に出力される光は必ず水平より下の方向を向くことになる。
θ2≧θ3…(2)
従って、(1)式を(2)式に代入することにより得られる次の(3)式を満足するように発光素子から出射される光は、必ず水平より下の方向を向くことになり、傾斜した反射側面が存在しないと前方に出射されることはない。
sin-1(n2/n1・sinθ1)≧θ3…(3)
【0027】
しかしながら、本実施の形態では、透光性封止部8の外表面の外周端部は、凹部3の底面の外周とほぼ一致するように透光性封止部8を形成し発光素子4の発光出力面である上面より、透光性封止部8の外表面の外周端部が低くなるようにしているので、本実施の形態では、発光素子4から下方に向けて出射された光も有効に上方に取り出すことができる。これによって、本実施の形態の発光ダイオードは、第2の従来例に比較してさらに効率的に発光素子で発光した光を外部に出射することができる。
尚、図4において、103の符号を付して示す点は焦点であり、104の符号を付して示す1点鎖線は、焦点と透光性封止部の外表面の頂点とを結ぶ透光性封止部の軸である。
【0028】
また、以上のように構成された実施の形態の発光ダイオードは、上述のように、発光素子4で発光した光を効率良く出射することができる以外に以下のような優れた特徴を有する。
まず第1に、パッケージ1の凹部3から突出しないように、透光性封止部8を形成しているので、第2の従来例に比較して薄型にできる。
また第2に、透光性封止部8の凸面である外表面をパッケージ1の上面より低くなるように形成しているので、本実施の形態の発光ダイオードをマウンター等で実装する時にノズルで吸着しても、封止樹脂にノズルが直接接触することがない。従って、硬化後の封止樹脂の表面の硬度を高くする必要はなく、封止樹脂として柔軟なシリコン樹脂等を採用することができる。このような柔軟な封止樹脂を用いると、その内部応力を極めて小さくでき、封止樹脂による応力が発光部電極とパッケージ電極の接合部に作用して断線させるという不良も防止することができる。
【0029】
また、本実施の形態では、発光素子4の電極面を下、すなわちパッケージ1の電極2a,2bと対向させて搭載し、ワイヤを使用せずに接続する、いわゆるフリップチップ接続で実装した例を示した。このように本発明の構成と該フリップチップ接続を組み合わせれば、接続用のワイヤを無くすことができ、パッケージ1の凹部3の深さを小さくすることができ、さらに発光ダイオードを薄型にできる。尚、本発明は実施の形態として示したフリップチップボンディングの発光ダイオードに限られるものではなく、ワイヤを用いた接続を用いた場合でも、ワイャ接続を用いた従来例と比べると、高出力/薄型発光素子が得られることは言うまでもない。
またさらに、実施の形態では1つの発光素子を用いたものを例として示したが、本発明は複数の発光素子を凹部に収納したものにも適用することができ、このようにしても、実施の形態と同様の作用効果が得られる。
また、凹部に複数の発光ダイオードチップを搭載することによりにすることでフルカラーの表面実装型多色発光ダイオードを実現することもできる。
【0030】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明に係る発光ダイオードは、パッケージの凹部に設けられた発光素子と、該凹部を覆いかつ表面が球状の凸面になるように形成された透光性封止部とを備え、上記発光素子を、上記透光性封止部によって構成される凸レンズの焦点と上記透光性封止部の表面との間に設け、かつ上記凹部の側面を上記透光性封止部を介して出射される光を前方に反射させるように傾斜させているので、上記発光素子で発光した光を、上記透光性封止部の球状の凹面を介してに反射させることなく外部に出射することができ、かつ上記凹部の側面に入射した光を該表面で反射させて外部に出射することができる。また、上記発光素子を、上記透光性封止部によって構成される凸レンズの焦点と上記透光性封止部の表面との間に設けるようにしているので、薄型にできる。
従って、本発明によれば、薄型化が可能でかつ集光性がよくしかも発光した光を外部に効率よく出力できる発光ダイオードを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る実施の形態の発光ダイオードの平面図である。
【図2】 図1のA−A’線についての断面図である。
【図3】 図1のB−B’線についての断面図である。
【図4】 実施の形態の発光ダイオードにおいて、発光素子から出力された光の経路を説明するための模式図である。
【図5】 第1の従来例の発光ダイオードの断面図である。
【図6】 第2の従来例の発光ダイオードの断面図である。
【符号の説明】
1…パッケージ、
2a,2b…電極、
3…凹部、
3a…凹部の側面、
4…発光素子、
5a…正電極、
5b…負電極、
8…透光性封止部。

Claims (6)

  1. 凹部を有するパッケージと、該凹部の底面に設けられた発光素子と、該発光素子を覆いかつ表面が球状の凸面になるように形成された透光性封止部とを備えた発光ダイオードであって、
    上記発光素子を、上記透光性封止部の球状の凸面の焦点と上記透光性封止部の表面との間に設けて上記球状の凸面の外周端部が上記発光素子の発光面より低くなるようにし、
    記凹部の側面を上記透光性封止部を介して出射される光が前方に反射されるように傾斜させ、かつ
    上記球状の凸面の端が上記凹部の傾斜した側面と上記凹部の底面との境界に一致するように上記透光性封止部を形成したことを特徴とする発光ダイオード。
  2. 上記透光性封止部の凸面の頂点が上記パッケージの上面より下に位置するように上記透光性封止部が形成されている請求項1記載の発光ダイオード。
  3. 上記パッケージが液晶ポリマー樹脂、PBT(ポリブチレンテレフタレート)樹脂及びセラミックスからなる群から選択される1つからなる請求項1又は2記載の発光ダイオード。
  4. 上記発光素子がフリップチップ実装されている請求項1〜のうちのいずれか1つに記載の発光ダイオード。
  5. 上記透光性封止部はシリコン樹脂からなる請求項1〜のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオード。
  6. 上記発光素子は窒化物半導体を含んで成る請求項1〜のうちのいずれか1項に記載の発光ダイオード。
JP20764499A 1999-07-22 1999-07-22 発光ダイオード Expired - Lifetime JP4625997B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20764499A JP4625997B2 (ja) 1999-07-22 1999-07-22 発光ダイオード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20764499A JP4625997B2 (ja) 1999-07-22 1999-07-22 発光ダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001036147A JP2001036147A (ja) 2001-02-09
JP4625997B2 true JP4625997B2 (ja) 2011-02-02

Family

ID=16543203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20764499A Expired - Lifetime JP4625997B2 (ja) 1999-07-22 1999-07-22 発光ダイオード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4625997B2 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3768864B2 (ja) * 2001-11-26 2006-04-19 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP3877642B2 (ja) 2002-05-21 2007-02-07 ローム株式会社 半導体チップを使用した半導体装置
JP4012766B2 (ja) * 2002-05-29 2007-11-21 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板及び発光装置
JP2006313943A (ja) * 2003-02-18 2006-11-16 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP3878579B2 (ja) * 2003-06-11 2007-02-07 ローム株式会社 光半導体装置
JP4773048B2 (ja) * 2003-09-30 2011-09-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP2007019153A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Citizen Electronics Co Ltd 光リンクデバイス
JP2007109915A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP4943005B2 (ja) * 2006-01-04 2012-05-30 ローム株式会社 薄型発光ダイオードランプとその製造方法
KR101019765B1 (ko) 2006-01-04 2011-03-04 로무 가부시키가이샤 박형 발광 다이오드 램프와 그 제조 방법
US8710737B2 (en) 2006-03-28 2014-04-29 Kyocera Corporation Light-emitting device
TWI472595B (zh) 2006-08-22 2015-02-11 Mitsubishi Chem Corp Semiconductor component components and semiconductor light emitting components
JP2007329502A (ja) * 2007-08-16 2007-12-20 Toshiba Corp 発光装置
JP5475954B2 (ja) * 2008-01-28 2014-04-16 パナソニック株式会社 発光装置
KR101101135B1 (ko) * 2008-10-01 2012-01-05 삼성엘이디 주식회사 액정고분자를 이용한 발광다이오드 패키지
US9169979B2 (en) 2008-10-20 2015-10-27 Omron Corporation Light projector and sensor
JP4403199B2 (ja) * 2008-11-17 2010-01-20 株式会社東芝 発光装置
TWI416767B (zh) * 2009-06-03 2013-11-21 Kwo Ger Metal Technology Inc LED luminous module process method
JP2012023184A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Sharp Corp 発光装置
JP5846182B2 (ja) * 2013-11-11 2016-01-20 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07263754A (ja) * 1994-03-24 1995-10-13 Nichia Chem Ind Ltd Led素子とその製造方法
JPH1187780A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Sharp Corp 発光装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5991764U (ja) * 1982-12-10 1984-06-21 ロ−ム株式会社 発光ダイオ−ドランプ
JPS59128753U (ja) * 1983-02-17 1984-08-30 オムロン株式会社 面発光装置
JP2574388B2 (ja) * 1988-05-10 1997-01-22 松下電器産業株式会社 発光ダイオードおよびその電極の形成方法
JPH0832118A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Rohm Co Ltd 発光ダイオード
DE19727633C2 (de) * 1997-06-28 2001-12-20 Vishay Semiconductor Gmbh Bauteil zur gerichteten, bidirektionalen, optischen Datenübertragung
JP3900606B2 (ja) * 1997-07-17 2007-04-04 シチズン電子株式会社 赤外線データ通信モジュール

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07263754A (ja) * 1994-03-24 1995-10-13 Nichia Chem Ind Ltd Led素子とその製造方法
JPH1187780A (ja) * 1997-09-04 1999-03-30 Sharp Corp 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001036147A (ja) 2001-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4625997B2 (ja) 発光ダイオード
US7939842B2 (en) Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods
US7775685B2 (en) Power surface mount light emitting die package
US8283693B2 (en) Light emitting device with a lens of silicone
JP4182783B2 (ja) Ledパッケージ
TWI712181B (zh) 發光裝置、整合式發光裝置、及發光模組
US7833811B2 (en) Side-emitting LED package and method of manufacturing the same
US7264378B2 (en) Power surface mount light emitting die package
US8188488B2 (en) Power surface mount light emitting die package
JP5418592B2 (ja) 発光装置
JP2005223112A (ja) 表面実装型発光ダイオード
JP5750040B2 (ja) オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント
RU2010126475A (ru) Светоизлучающее устройство и способ его изготовления
KR20060132298A (ko) 발광소자 패키지
WO2001045180A1 (en) Light-emitting chip device with case
KR20050041990A (ko) 발광다이오드칩
US11649947B2 (en) Light emitting device and integrated light emitting device
US20090121248A1 (en) Semiconductor light emitting device and planar light source
JP2004235337A (ja) 発光ダイオード
JPH11204840A (ja) 発光素子
JP7012510B2 (ja) 光学部材および発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050817

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20050817

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20051013

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060630

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070314

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090403

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090407

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090604

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090901

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091027

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100223

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20100914

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101012

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101025

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4625997

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term