JP4614626B2 - 薄肉半導体チップの製造方法 - Google Patents
薄肉半導体チップの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4614626B2 JP4614626B2 JP2003028532A JP2003028532A JP4614626B2 JP 4614626 B2 JP4614626 B2 JP 4614626B2 JP 2003028532 A JP2003028532 A JP 2003028532A JP 2003028532 A JP2003028532 A JP 2003028532A JP 4614626 B2 JP4614626 B2 JP 4614626B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- semiconductor
- adhesive sheet
- processing
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 582
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 141
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 71
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 16
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 16
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 9
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000000881 depressing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 404
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 30
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄肉半導体チップの製造方法に関し、特に、薄型の半導体ウエハを支持用基盤に貼着する薄肉半導体チップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップを有する集積回路を使用するデバイスの小型化の要求の高まりにより、半導体チップの小型化、薄肉化が要求されている。特に、半導体チップを複数層に積層した積層チップが集積回路の主流となることが見込まれるため、半導体チップの薄肉化は強く要求されている。積層チップを構成する半導体チップの厚みとしては、現在２００μｍ程度が要求され、近い将来においては１００μｍ程度が要求されると見込まれている。
【０００３】
一方、φ６インチやφ８インチの半導体ウエハの厚みはほぼ７５０μｍが主流であり、上述した薄肉化の要求に対応するために、半導体ウエハには後述する旋削加工が施される。
【０００４】
図１７は、従来の半導体ウエハから薄肉の半導体チップを製造する製造処理を示す工程図である。
【０００５】
図１７において、まず、厚みがほぼ７５０μｍの半導体ウエハを準備し（図１７（ａ））、該半導体ウエハの片面にイオン打ち込み処理による不純物導入、ＣＶＤ法による薄膜形成、及びドライエッチング処理によるパターン形成を通じて半導体素子を形成する半導体素子形成工程を行い（図１７（ｂ））、該半導体素子が形成された面（表面）を粘着シートを介して保護基板に貼着し（図１７（ｃ））、次いで、半導体ウエハにおける半導体素子が形成された面の反対面（裏面）を旋削加工によって旋削し、半導体ウエハの厚みをほぼ２００μｍに調整する（図１７（ｄ））。
【０００６】
その後、半導体ウエハを保護基板に貼着したまま、半導体ウエハを半導体チップに切り分けるダイシングを行い（図１７（ｅ））、ダイシングによって個別に切り分けられた半導体チップを集積回路の他の構成部品と接続するパッケージングを行う（図１７（ｆ））。
【０００７】
但し、上述した製造処理では、半導体ウエハを保護基板に貼着したまま、その裏面を旋削するため、旋削加工中の半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生するという問題があった。
【０００８】
そのため、上述した旋削加工を省略することを目的とし、当初から厚みがほぼ２００μｍであるφ６インチやφ８インチの半導体ウエハに半導体素子形成工程、ダイシング及びパッケージングのみを行う薄肉半導体チップ製造処理が知られている。この製造処理では半導体ウエハの低剛性に起因するハンドリング時の半導体ウエハの変形を防止するために、半導体ウエハの裏面に粘着シートを介して所定の剛性を有する支持用基盤を貼着する。
【０００９】
尚、上述した半導体ウエハの保護基板や支持用基盤への貼着に関する技術について記載した文献は存在していないため、上述した半導体ウエハの保護基板や支持用基盤への貼着に関する技術は文献公知発明に係るものではない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、当初から厚みがほぼ２００μｍである半導体ウエハを使用する薄肉半導体チップ製造処理では、半導体素子形成工程における不純物導入、薄膜形成、及びパターン形成を行う基板処理装置が異なる場合があり、このとき、半導体ウエハに対し、各処理に対応した基板処理装置に適合した支持用基盤への貼着及び剥離を行う必要がある。この貼着及び剥離は作業者の手作業によって実行され、特に、貼着の際、半導体ウエハの支持用基盤への最初の接触箇所が半導体ウエハの中央部とならないことがあるため、支持用基盤と半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生するという問題があった。
【００１１】
本発明の目的は、薄型の半導体ウエハを、エア溜まりの発生を抑制しながら適切に支持用基盤へ貼着することにより剛性を高め、高精度な加工処理を実行可能とした薄肉半導体チップの製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の薄肉半導体チップの製造方法は、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハの外縁近傍を吸着保持すると共に中央部のみを押圧して凸形状に変形させる吸着工程と、所望の処理を行う基板処理装置に適合した支持用ディスク上の粘着シートに対して、前記半導体ウエハの凸面中央部を最初に接触させてからエア溜まりが発生しないように、半導体ウエハを密着させる貼着工程と、前記支持用ディスクに貼着された状態の前記半導体ウエハに対して、前記半導体ウエハにイオン打ち込み処理による不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理及びドライエッチング処理によるパターン形成処理により半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、前記半導体素子が形成された前記半導体ウエハを前記支持用ディスクに粘着した状態で半導体チップに切り分けるダイシング工程と、を有し、さらに、前記粘着シートを温度により相変化する接着材料で構成し、前記貼着工程前に、前記粘着シートが液状化するように前記粘着シートの温度を調整する調温工程を設けたことを特徴とする。
【００１３】
請求項１記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハを用いるので、半導体ウエハを保護基板に貼着した状態で裏面を旋削して厚みを整える旋削加工を省略して、この旋削加工中に半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生する事態を無くし、製品の歩留まりを向上できるという効果がある。
また、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスク上の粘着シートに対して、半導体ウエハを密着させるように移動する際に、半導体ウエハの突出された中央部を粘着シートに最初に接触させ、中央部から外周部に向けて貼着範囲が広がるように押し当てて空気が残らないように密着させるので、エア溜まりが発生することを防止して適切に貼着できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体チップの厚みに形成された薄肉の半導体ウエハを、支持用ディスク上に貼着して、半導体素子の形成処理（不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理、パターン形成の処理等）と、ダイシングの処理を行う。このため、半導体ウエハが半導体チップの厚みに形成されているため低剛性となっていても、支持用ディスクに支持されて半導体ウエハの変形が防止されるので、ハンドリング時に半導体ウエハが変形することを防止して、高精度な加工処理を実行できるという効果がある。
加えて、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体ウエハを加工処理するための半導体素子形成装置に適合した大きさ及び形状の支持用ディスクを選択して利用できる。よって、半導体素子形成装置では、所要の加工処理を行う各処理部へ移動する際の搬送を容易にし、移動時の取り扱いを容易にして、作業性を向上できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスクと半導体ウエハとの間に配設された温度により相変化する接着材料により構成される粘着シートの温度を調整するので、互いに接着された支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生していないことが確認された後、粘着シートを凝固させることができ、もって支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生するのを確実に防止することができる。
【００１４】
上記目的を達成するために、請求項２記載の薄肉半導体チップの製造方法は、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハの外縁近傍を吸着保持すると共に中央部のみを押圧して凸形状に変形させる吸着工程と、所望の処理を行う基板処理装置に適合した支持用ディスク上の粘着シートに対して、前記半導体ウエハの凸面中央部を最初に接触させてからエア溜まりが発生しないように、半導体ウエハを密着させる貼着工程と、前記支持用ディスクに貼着された状態の前記半導体ウエハに対して、前記半導体ウエハにイオン打ち込み処理による不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理及びドライエッチング処理によるパターン形成処理により半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、前記半導体素子が形成された前記半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に、外縁近傍を吸着して凸形状に変形させることにより、前記粘着シートから前記半導体ウエハを前記半導体ウエハの周囲から徐々に剥がす剥離工程と、を有し、前記剥離工程では、前記半導体ウエハの周囲を剥がした後に、前記半導体ウエハの中央部のみを押圧していた押圧力を抜重することにより発生する前記半導体ウエハの弾性反力を利用して、前記半導体ウエハを前記支持用ディスクから剥離させることを特徴とする。
【００１５】
請求項２記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハを用いるので、半導体ウエハを保護基板に貼着した状態で裏面を旋削して厚みを整える旋削加工を省略して、この旋削加工中に半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生する事態を無くし、製品の歩留まりを向上できるという効果がある。
また、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスク上の粘着シートに対して、半導体ウエハを密着させるように移動する際に、半導体ウエハの突出された中央部を粘着シートに最初に接触させ、中央部から外周部に向けて貼着範囲が広がるように押し当てて空気が残らないように密着させるので、エア溜まりが発生することを防止して適切に貼着できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体チップの厚みに形成された薄肉の半導体ウエハを、支持用ディスク上に貼着して、半導体素子の形成処理（不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理、パターン形成処理等）を行う。このため、半導体ウエハが半導体チップの厚みに形成されているため低剛性となっていても、支持用ディスクに支持されて半導体ウエハの変形が防止されるので、ハンドリング時に半導体ウエハが変形することを防止して、高精度な加工処理を実行できるという効果がある。
加えて、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体ウエハを加工処理するための半導体素子形成装置に適合した大きさ及び形状の支持用ディスクを選択して利用できる。よって、半導体素子形成装置では、所要の加工処理を行う各処理部へ移動する際の搬送を容易にし、移動時の取り扱いを容易にして、作業性を向上できるという効果がある。
また、半導体素子が形成された半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に外縁近傍を吸着して凸形状に突出させるように変形させることにより、支持用ディスク上に貼着されている半導体ウエハを、その周囲から徐々に剥がすように構成した場合には、局所的な荷重の発生を抑制して半導体ウエハの割れや欠けの発生を抑制することができ、安定した剥離を実現することができるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体素子が形成された半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に、外縁近傍を吸着して凸形状に突出させるように変形させるので、半導体ウエハを支持用ディスクから剥離する際に、半導体ウエハの中心部を最後に剥離させることができる。よって局所的な荷重の発生を確実に防止し半導体ウエハの割れや欠けの発生を確実に防止することができる。
【００１６】
請求項３記載の薄肉半導体チップの製造方法は、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハの外縁近傍を吸着保持すると共に中央部のみを押圧して凸形状に変形させる吸着工程と、所望の処理を行う基板処理装置に適合した支持用ディスク上の粘着シートに対して、前記半導体ウエハの凸面中央部を最初に接触させてからエア溜まりが発生しないように、半導体ウエハを密着させる貼着工程と、前記支持用ディスクに貼着された状態の前記半導体ウエハに対して、前記半導体ウエハにイオン打ち込み処理による不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理及びドライエッチング処理によるパターン形成処理により半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、前記半導体素子が形成された前記半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に、外縁近傍を吸着して凸形状に変形させることにより、前記粘着シートから前記半導体ウエハを前記半導体ウエハの周囲から徐々に剥がす剥離工程と、を有し、さらに、前記粘着シートを温度により相変化する接着材料で構成し、前記貼着工程前に、前記粘着シートが液状化するように前記粘着シートの温度を調整する調温工程を設けたことを特徴とする。
【００１７】
請求項３記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハを用いるので、半導体ウエハを保護基板に貼着した状態で裏面を旋削して厚みを整える旋削加工を省略して、この旋削加工中に半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生する事態を無くし、製品の歩留まりを向上できるという効果がある。
また、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスク上の粘着シートに対して、半導体ウエハを密着させるように移動する際に、半導体ウエハの突出された中央部を粘着シートに最初に接触させ、中央部から外周部に向けて貼着範囲が広がるように押し当てて空気が残らないように密着させるので、エア溜まりが発生することを防止して適切に貼着できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体チップの厚みに形成された薄肉の半導体ウエハを、支持用ディスク上に貼着して、半導体素子の形成処理（不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理、パターン形成処理等）を行う。このため、半導体ウエハが半導体チップの厚みに形成されているため低剛性となっていても、支持用ディスクに支持されて半導体ウエハの変形が防止されるので、ハンドリング時に半導体ウエハが変形することを防止して、高精度な加工処理を実行できるという効果がある。
加えて、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体ウエハを加工処理するための半導体素子形成装置に適合した大きさ及び形状の支持用ディスクを選択して利用できる。よって、半導体素子形成装置では、所要の加工処理を行う各処理部へ移動する際の搬送を容易にし、移動時の取り扱いを容易にして、作業性を向上できるという効果がある。
また、半導体素子が形成された半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に外縁近傍を吸着して凸形状に突出させるように変形させることにより、支持用ディスク上に貼着されている半導体ウエハを、その周囲から徐々に剥がすように構成した場合には、局所的な荷重の発生を抑制して半導体ウエハの割れや欠けの発生を抑制することができ、安定した剥離を実現することができるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスクと半導体ウエハとの間に配設された温度により相変化する接着材料により構成される粘着シートの温度を調整するので、互いに接着された支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生していないことが確認された後、粘着シートを凝固させることができ、もって支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生するのを確実に防止することができる。
【００１８】
請求項４記載の薄肉半導体チップの製造方法は、請求項２記載の薄肉半導体チップの製造方法において、前記粘着シートを、温度により相変化する接着材料で構成し、前記剥離工程において、前記粘着シートが液状化するように前記粘着シートの温度を調整することを特徴とする。
【００１９】
請求項４記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、支持用ディスクと半導体ウエハとの間に配設された温度により相変化する接着材料からなる粘着シートの温度を、半導体ウエハを剥離する際に調整するので、互いに接着された支持用ディスクと半導体ウエハとの間で凝固している粘着シートを温度調整して液状化させた後、半導体ウエハを支持用ディスクから剥離させることができるので、剥離作業を容易にすることができる。さらに、局所的な荷重の発生を防止することができるので、半導体ウエハの割れや欠けの発生を確実に防止することができる。
【００２０】
請求項５記載の薄肉半導体チップの製造方法は、請求項２又は３に記載の薄肉半導体チップの製造方法において、前記半導体ウエハの外縁の外側から、前記支持用ディスクと前記半導体ウエハとの間に流体を吐出する吐出工程を有することを特徴とする。
【００２１】
請求項５記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハの外縁の外側から支持用ディスクと半導体ウエハとの間に流体を吐出するので、半導体ウエハの支持用ディスクからの剥離の際、半導体ウエハの外縁を最初に剥離させることができ、もって局所的な荷重の発生をより確実に防止することができる。これにより、半導体ウエハの割れや欠けの発生をより確実に防止することができる。
【００２２】
請求項６記載の薄肉半導体チップの製造方法は、請求項２，３，５のいずれか１項に記載の薄肉半導体チップの製造方法において、前記剥離工程で前記支持用ディスクから剥離された前記半導体ウエハを、他の処理を行う前記基板処理装置に適合した支持用ディスクに貼着して、前記他の処理を行う基板処理装置により処理作業を行うことを特徴とする。
【００２３】
請求項７記載の薄肉半導体チップの製造方法は、請求項１乃至３，５，６のいずれか１項に記載の薄肉半導体チップの製造方法において、前記吸着工程では、前記半導体ウエハの外縁近傍における複数箇所を吸着することを特徴とする。
【００２４】
請求項７記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハの外縁近傍における複数箇所を吸着するので、半導体ウエハの支持用ディスクへの貼着の際、半導体ウエハは凸形状を安定して呈することができ、半導体ウエハの外縁が最初に支持用ディスクに接触するのを防止することができる。また、半導体ウエハを支持用ディスクからの剥離する場合には、半導体ウエハの外縁を確実に最初に剥離させることができ、もって局所的な荷重の発生をさらに確実に防止することができる。
【００２５】
請求項８記載の薄肉半導体チップの製造方法は、請求項１乃至３及び５乃至７のいずれか１項に記載の薄肉半導体チップの製造方法において、前記吸着工程では、前記半導体ウエハを真空吸着により保持することを特徴とする。
【００２６】
請求項８記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハを真空吸着するので、半導体ウエハを安定して保持することができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置について詳述する。
【００４４】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置の概略構成を示す斜視図である。
【００４５】
図１において、半導体ウエハ脱着装置１０は、円盤状の支持用ディスク１１に液状又はゲル状の接着剤からなる粘着シート１２を介して貼着された半導体ウエハ１３に対向する輪状の本体１４と、該本体１４の半導体ウエハ１３に対向する面に配設された８個の吸着口１５と、本体１４の中心軸上に配設されたピストン１６と、支持用ディスク１１の外側に配設された４個のガスノズル１７とを備える。
【００４６】
半導体ウエハ１３は、厚みがほぼ２００μｍであって、その直径はφ６インチやφ８インチである。支持用ディスク１１の直径は、半導体ウエハ１３の直径よりも大きくてもよいが、後述する基板処理装置４１内における搬送容易性を考慮すると、特に半導体ウエハ１３の直径と同じであることが好ましい。また、半導体ウエハ脱着装置１０の本体１４は、図中上下方向に移動自在であり、本体１４が半導体ウエハ１３に接触したとき、吸着口１５は、該吸着口１５及び半導体ウエハ１３の間に真空状態を発生させることによって半導体ウエハ１３を真空吸着する。ピストン１６は、本体１４の中央部において中心軸上に沿って配設された筒状のガイド１８に内包され（図２）、且つ該ガイド１８に沿って図中上下方向に移動自在であり、吸着口１５が半導体ウエハ１３を真空吸着したとき、図中下方に突出することによって半導体ウエハ１３の中央部を押圧する。また、ピストン１６は、半導体ウエハ１３に接触する端部に緩衝剤等からなる被膜を有し、ピストン１６を構成する金属と半導体ウエハ１３が直接接触することを防止する。
【００４７】
４つのガスノズル１７は、支持用ディスク１１の中心廻りに９０°間隔で、支持用ディスク１１の周りに配設され、半導体ウエハ脱着装置１０におけるガスノズル１７の高さ位置は、粘着シート１２及び半導体ウエハ１３の境界に対応する。そして、ガスノズル１７の各々は、半導体ウエハ１３が粘着シート１２から剥離したとき等に、半導体ウエハ１３及び粘着シート１２の間にガスを吐出する。８つの吸着口１５は、本体１４の中心廻りに４５°間隔で配置され、半導体ウエハ１３の外縁近傍を真空吸着する（図３）。
【００４８】
図４は、半導体ウエハ脱着装置１０が使用される基板処理システムの概略構成を示す図である。
【００４９】
図４において、基板処理システム４０は、１つの半導体ウエハ脱着装置１０と、２つの基板処理装置４１とによって構成され、基板処理装置４１の各々は、後述するウエハカセット４６が半導体ウエハ脱着装置１０に対向するように配置される。
【００５０】
基板処理装置４１は、半導体ウエハ１３にイオン打ち込み処理による不純物導入、ＣＶＤ法による薄膜形成、及びドライエッチング処理によるパターン形成等の所望の処理を行う処理チャンバ４２と、該処理チャンバ４２に半導体ウエハ１３を受け渡しする搬送アーム４３を内蔵するロード・ロック室４４と、１ロット分に該当する２５枚の半導体ウエハ１３を格納するキャリアボックス（不図示）を収容する３つのウエハカセット４６と、半導体ウエハ１３の位置をプリアライメントするオリエンタ４７と、矩形状の共通搬送路であるトランスファチャンバ４８とを備える。
【００５１】
２つのロード・ロック室４４、３つのウエハカセット４６、及びオリエンタ４７は、トランスファチャンバ４８に接続されるが、ロード・ロック室４４の夫々は、トランスファチャンバ４８を介してウエハカセット４６の夫々と対向するように配設され、オリエンタ４７はトランスファチャンバ４８の長手方向に関する一端に配設される。
【００５２】
トランスファチャンバ４８は、接続されたロード・ロック室４４、ウエハカセット４６、及びオリエンタ４７の間において半導体ウエハ１３を搬出入する搬送アーム機構４９を内部に有し、該搬送アーム機構４９は、トランスファチャンバ４８の内部においてその長手方向に関して移動可能である。
【００５３】
基板処理装置４１において半導体ウエハ１３の処理が行われる際に、搬送アーム機構４９は、１枚の半導体ウエハ１３をウエハカセット４６から取り出してオリエンタ４７に搬入し、オリエンタ４７によってプリアライメントされた半導体ウエハ１３を把持してロード・ロック室４４内に搬入する。次いで、搬送アーム４３は、搬入された半導体ウエハ１３を受け取って処理チャンバ４２に搬入し、処理チャンバ４２は搬入された半導体ウエハ１３に所望の処理を施し、搬送アーム４３が、所望の処理が施された半導体ウエハ１３をロード・ロック室４４に搬出し、さらに当該半導体ウエハ１３を搬送アーム機構４９に受け渡す。当該半導体ウエハ１３を受け渡された搬送アーム機構４９は、その半導体ウエハ１３をウエハカセット４６に搬入する。
【００５４】
上述したように、半導体ウエハ１３は、基板処理装置４１の構成部品の間を頻繁に移動するため、移動時の取り扱いを容易にすることを目的として、半導体ウエハ１３を粘着シートを介して所定の剛性を有する支持用ディスク１１に貼着する必要がある。
【００５５】
このとき、処理チャンバ４２で行う処理の種類によって基板処理装置４１の構成部品の仕様が変わることがあり、例えば、薄膜形成を行う基板処理装置４１及びパターン形成を行う基板処理装置４１では、搬送アーム４３や搬送アーム機構４９の仕様が異なることがある。そのため、支持用ディスク１１は夫々の基板処理装置４１に適合したものを使用する必要がある。従って、半導体ウエハ１３は、一の基板処理装置４１における処理が終了した後、他の基板処理装置４１へ搬入される前に、貼着される支持用ディスク１１を半導体ウエハ脱着装置１０によって他の基板処理装置４１に適合したものに変更する必要がある。尚、基板処理装置４１及び半導体ウエハ脱着装置１０間における半導体ウエハ１３の搬送は作業者の手作業によって行われるが、自動搬送路等によって行われてもよい。
【００５６】
次に、上述した基板処理システム４０を使用して半導体ウエハ１３から半導体チップを製造する方法について図面を用いて説明する。
【００５７】
図５は、半導体ウエハ１３から半導体チップを製造する製造処理を示す工程図である。
【００５８】
図５において、まず、厚みがほぼ２００μｍの半導体ウエハ１３を準備し（図５（ａ））、該半導体ウエハ１３を後述する貼着処理によって粘着シート１２を介して支持用ディスク１１に貼着する（図５（ｂ））。その後、半導体ウエハ１３における支持用ディスク１１が貼着されていない面にイオン打ち込み処理による不純物導入、ＣＶＤ法による薄膜形成、及びドライエッチング処理によるパターン形成を通じて半導体素子を形成する半導体素子形成工程を実行して半導体素子を形成する（図５（ｃ））。
【００５９】
次いで、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１に貼着したまま、半導体ウエハ１３を半導体チップに切り分けるダイシングを行い（図５（ｄ））、ダイシングによって個別に切り分けられた半導体チップを集積回路の他の構成部品と接続するパッケージングを行う（図５（ｅ））。
【００６０】
このとき、上述したように、半導体素子形成工程において各処理に対応した基板処理装置４１に適合した支持用ディスク１１を半導体ウエハ１３に変更する必要があるため、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１への貼着及び剥離を繰り返す必要がある。
【００６１】
具体的には、図６に示すように、一の処理が施された半導体ウエハ１３を準備し（図６（ａ））、該半導体ウエハ１３を後述する貼着処理によって粘着シート１２を介して所望の処理に対応した基板処理装置４１に適合する支持用ディスク１１に貼着する（図６（ｂ））。その後、支持用ディスク１１が貼着された半導体ウエハ１３を基板処理装置４１に搬入して、処理チャンバ４２によって所望の処理、例えば、ドライエッチング処理等を半導体ウエハ１３に施し（図６（ｃ））、半導体ウエハ１３を基板処理装置４１から搬出した後、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１から後述する剥離処理によって剥離する。
【００６２】
次に、半導体ウエハ脱着装置１０における半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１に貼着する貼着処理及び半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１から剥離する剥離処理について図面を用いて説明する。
【００６３】
図７は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における貼着処理を示す工程図である。
【００６４】
まず、半導体ウエハ脱着装置１０は、吸着口１５によって半導体ウエハ１３の外縁近傍を真空吸着すると共に、ピストン１６によって半導体ウエハ１３の中央部を押圧することによって半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１に対向する凸形状に変形させる（図７（ａ））。
【００６５】
そして、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３を凸形状に変形させたまま粘着シート１２に接触させ（図７（ｂ））、次いで、ピストン１６に対して本体１４を相対的に支持用ディスク１１へ向けて移動させることによって半導体ウエハ１３を粘着シート１２に密着させる（図７（ｃ））。その後、半導体ウエハ脱着装置１０は上方に移動して半導体ウエハ１３から離脱する（図７（ｄ））。
【００６６】
図７の貼着処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３の中央部を支持用ディスク１１へ向けて押圧し、半導体ウエハ１３における外縁近傍を真空吸着するので、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１への貼着の際、半導体ウエハ１３の中央部が最初に支持用ディスク１１に接触することができ、支持用ディスク１１と半導体ウエハ１３との間にエア溜まりが発生するのを防止できる。
【００６７】
図８は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における剥離処理を示す工程図である。
【００６８】
まず、半導体ウエハ脱着装置１０は、吸着口１５によって半導体ウエハ１３の外縁近傍を真空吸着すると共に、ピストン１６によって半導体ウエハ１３の中央部を押圧し（図８（ａ））、その後、ガスノズル１７から支持用ディスク１１の中心部に向けてガスを噴出すると共に、ピストン１６に対して本体１４を相対的に上方へ移動させることによって半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１に対向する凸形状に変形させる（図８（ｂ））。
【００６９】
そして、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３を凸形状に変形させたまま粘着シート１２から剥離し（図８（ｃ））、ピストン１６を本体１４に対して相対的に上方に移動させることによって半導体ウエハ１３の中央部を押圧する荷重を抜重して半導体ウエハ１３を平板状に復元する（図８（ｄ））。
【００７０】
図８の剥離処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３の中央部を支持用ディスク１１へ向けて押圧し、半導体ウエハ１３における外縁近傍を真空吸着するので、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１からの剥離の際、半導体ウエハ１３の外縁から剥離することができると共に、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１へ向けて凸形状に変形させ、該凸形状を維持するので、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１からの剥離の際、半導体ウエハ１３の中心部を最後に剥離させることができ、もって局所的な荷重の発生を確実に防止することができる。これにより、半導体ウエハの割れや欠けの発生を確実に防止できる。
【００７１】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置について詳述する。
【００７２】
本第２の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置は、その構成、作用が上述した第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置と基本的に同じであり、半導体ウエハ１３の剥離処理のみ異なるので、当該剥離処理について説明する。
【００７３】
図９は、本第２の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における剥離処理を示す工程図である。
【００７４】
まず、半導体ウエハ脱着装置１０は、吸着口１５によって半導体ウエハ１３の外縁近傍を真空吸着すると共に、ピストン１６によって半導体ウエハ１３の中央部を押圧し（図９（ａ））、その後、ガスノズル１７から支持用ディスク１１の中央部に向けてガスを噴出すると共に、ピストン１６に対して本体１４を相対的に上方へ移動させることによって半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１に対向する凸形状に変形させる（図９（ｂ））。
【００７５】
そして、半導体ウエハ脱着装置１０は、ピストン１６を本体１４に対して相対的に上方に移動させことによって半導体ウエハ１３の中央部を押圧する荷重を抜重し（図９（ｃ））、該荷重を抜重された半導体ウエハ１３の中央部がばね力によって粘着シート１２から剥離し、半導体ウエハ１３が平板状に復元する（図９（ｄ））。
【００７６】
図９の剥離処理によれば、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１へ向けて凸形状に変形させ、押圧力を抜重するので、半導体ウエハ１３のバネ力を利用して半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１から剥離することができ、もって局所的な荷重の発生を確実に防止することができる。これにより、半導体ウエハの割れや欠けの発生を確実に防止できる。
【００７７】
また、図８の剥離処理及び図９の剥離処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３の外縁の外側から支持用ディスク１１と半導体ウエハ１３との間にガスを噴出するので、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１からの剥離の際、半導体ウエハ１３の外縁を確実に最初に剥離させることができ、これらに加え、半導体ウエハ１３に付着したパーティクル等を除去することができる。
【００７８】
また、図７の貼着処理、図８の剥離処理及び図９の剥離処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３の外縁近傍における複数箇所を真空吸着するので、半導体ウエハ１３は凸形状を安定して呈することができる。
【００７９】
さらに、図７の貼着処理、図８の剥離処理及び図９の剥離処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１０は半導体ウエハ１３を真空吸着するので、半導体ウエハ１３を安定して保持することができる。
【００８０】
上述した基板処理システム４０は、１つの半導体ウエハ脱着装置１０と、２つの基板処理装置４１とによって構成されたが、半導体ウエハ脱着装置１０及び基板処理装置４１の数はこれに限るものでなく、半導体ウエハに施す処理の種類によって適宜変更されてもよい。また、基板処理システム４０では、半導体ウエハ脱着装置１０と基板処理装置４１とが別体的に設けられたが、半導体ウエハ脱着装置１０と基板処理装置４１とが一体的に設けられてもよく、このとき、半導体ウエハ脱着装置１０は、オリエンタ４７が接続された一端と反対側の端部においてトランスファチャンバ４８と接続されるのが好ましい。これにより、基板処理システム４０の小型化が図れると共に、半導体ウエハ１３を外気に晒す時間を減らすことができるので、半導体ウエハ１３へのパーティクル等の付着を防止できる。
【００８１】
また、基板処理システム４０では上述したように半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１への貼着及び剥離を繰り返すため、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１に対する相対位置を調整する位置合わせ機構を備えることが好ましく、位置合わせ機構としては、支持用ディスク１１上における半導体ウエハ１３の相対位置のズレを画像処理装置によって測定し、その結果に基づいてズレを修正するものや、支持用ディスク１１に設けられたスロットに適合する形状のピンを有し、且つ半導体ウエハ１３を保持する治具であって、該治具を支持用ディスク１１に適合する際に、該ピンによって治具の支持用ディスク１１に対する相対位置が規制され、これにより、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１に対する相対位置を調整する治具等がより好ましい。
【００８２】
上述した半導体ウエハ脱着装置１０では、半導体ウエハ１３が粘着シート１２を介して支持用ディスク１１に貼着されたが、半導体ウエハ１３が支持用ディスク１１に直接貼着されてもよく、これにより、粘着シート１２の破れ等による半導体ウエハ１３へのダストの付着を防止できる。このとき、支持用ディスク１１における半導体ウエハ１３と接触する面は、鏡面仕上げであることが好ましく、これにより、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１に強固に貼着することができる。
【００８３】
また、半導体ウエハ脱着装置１０における吸着口１５の数は８つであり、該８つの吸着口１５は半導体ウエハ１３の外縁部を真空吸着するが、吸着口１５の数はこれに限られず、例えば、２つでもよい。このとき、２つの吸着口１５は本体１４の中心に関して対称に配設される。これにより、半導体ウエハ１３を安定して吸着することができる。
【００８４】
半導体ウエハ脱着装置１０が半導体ウエハ１３を凸形状に変形させる際の変形量は、半導体ウエハ１３の材料の弾性域内に納まる応力が発生する程度以内であるのがよく、例えば、φ６インチの半導体ウエハ１３では凸形状の突出量がほぼ１ｍｍであることが好ましい。
【００８５】
半導体ウエハ脱着装置１０における支持用ディスク１１は、円盤状に限られず、例えば、方形であってもよく、またその材料も導体、半導体、不導体のいずれを用いてもよい。
【００８６】
半導体ウエハ脱着装置１０における吸着口１５は、半導体ウエハ１３を真空吸着するが、半導体ウエハ１３の吸着のＯＮ／ＯＦＦを簡便に切り替えるものが好ましく、例えば、静電吸着を利用するものであってもよい。
【００８７】
半導体ウエハ脱着装置１０におけるガスノズル１７は、ガスを噴出するが、他の流体も用いることができ、例えば、浄水を噴出してもよい。
【００８８】
また、基板処理システム４０が処理する基板は半導体ウエハ１３に限られず、例えば、ガラス製のディスクであってもよい。
【００８９】
さらに、本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置について詳述する。
【００９０】
本第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置は、その構成、作用が上述した第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置と基本的に同じであり、異なる構成、作用ついてのみ説明する。
【００９１】
図１０は、本第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置の概略構成を示す断面図である。
【００９２】
図１０において、半導体ウエハ脱着装置１００は、電熱線から成る調温装置１０１を内部に有する基台１０２と、該基台１０２上に載置された支持用ディスク１０３と、該支持用ディスク１０３上に配設された液晶材料から成る粘着シート１０４とを備え、調温装置１０１が電源１０５に印加される電流値に基づいて支持用ディスク１０３を介して粘着シート１０４の温度を所望の値に調整する。一般に、液晶材料は鎖状炭化水素を主成分とし、高温域で液体になり、低温域で結晶になるという性質を有する。従って、粘着シート１０４の温度を調整することによって、粘着シート１０４を所望の状態へ変更することができ、これにより、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１０３への貼着及び支持用ディスク１０３からの剥離を容易に行うことができる。
【００９３】
図１１は、図１０における調温装置１０１を内部に有する基台１０２の平面図である。
【００９４】
図１１において、調温装置１０１は、基台１０２の中心部において中心から放射状に配設された複数の電熱線１１０によって構成される。これにより、調温装置１０１は、支持用ディスク１０３を介して粘着シート１０４の全面の温度を均一に調整することができる。
【００９５】
尚、半導体ウエハ脱着装置１００における上述した調温装置１０１を有する基台１０２、支持用ディスク１０３、及び粘着シート１０４以外の構成は、半導体ウエハ脱着装置１０の構成と同様であり、半導体ウエハ脱着装置１００が使用される基板処理システムの構成も基板処理システム４０の構成と同様である。
【００９６】
次に、本第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置１００における貼着処理及び剥離処理について図面を用いて説明する。
【００９７】
図１２は、本第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における貼着処理を示す工程図である。
【００９８】
まず、半導体ウエハ脱着装置１００は、吸着口１５によって半導体ウエハ１３の外縁近傍を真空吸着すると共に、ピストン１６によって半導体ウエハ１３の中央部を押圧することによって半導体ウエハ１３を支持用ディスク１０３に対向する凸形状に変形させ、さらに、調温装置１０１によって粘着シート１０４の全面を加熱して粘着シート１０４を液状化する（図１２（ａ））。
【００９９】
そして、半導体ウエハ脱着装置１００は、半導体ウエハ１３を凸形状に変形させたまま粘着シート１０４に接触させ（図１２（ｂ））、次いで、ピストン１６に対して本体１４を相対的に支持用ディスク１０３へ向けて移動させることによって半導体ウエハ１３を粘着シート１０４に密着させ、半導体ウエハ１３及び支持用ディスク１０３の間にエア溜まりが発生していないことが確認された後、調温装置１０１による粘着シート１０４への加熱を中止して粘着シート１０４を結晶化（凝固）させることによって半導体ウエハ１３を粘着シート１０４に貼着する（図１２（ｃ））。そして、半導体ウエハ脱着装置１００は上方に移動して半導体ウエハ１３から離脱する（図１２（ｄ））。
【０１００】
図１２の貼着処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１００は、調温装置１０１によって粘着シート１０４の液状化及び結晶化を調整することができるため、互いに密着された半導体ウエハ１３及び支持用ディスク１０３の間にエア溜まりが発生していないことが確認された後、粘着シート１０４を結晶化させることができ、もって支持用ディスク１０３と半導体ウエハ１３との間にエア溜まりが発生するのを確実に防止できる。
【０１０１】
また、もし半導体ウエハ１３を粘着シート１０４に密着させた際に、半導体ウエハ１３及び支持用ディスク１０３の間にエア溜まりが発生しても、粘着シート１０４が液状体であるため、容易にエア抜きを行うことができる。
【０１０２】
図１３は、本第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における剥離処理を示す工程図である。
【０１０３】
まず、半導体ウエハ脱着装置１００は、吸着口１５によって半導体ウエハ１３の外縁近傍を真空吸着すると共に、ピストン１６によって半導体ウエハ１３の中央部を押圧し（図１３（ａ））、調温装置１０１によって粘着シート１０４の全面を加熱して粘着シート１０４を液体化した後、ガスノズル１７から支持用ディスク１０３の中心部に向けてガスを噴出すると共に、ピストン１６に対して本体１４を相対的に上方へ移動させることによって半導体ウエハ１３を支持用ディスク１０３に対向する凸形状に変形させる（図１３（ｂ））。
【０１０４】
そして、半導体ウエハ脱着装置１００は、半導体ウエハ１３を凸形状に変形させたまま粘着シート１０４から剥離し（図１３（ｃ））、ピストン１６を本体１４に対して相対的に上方に移動させることによって半導体ウエハ１３の中央部を押圧する荷重を抜重して半導体ウエハ１３を平板状に復元する（図１３（ｄ））。
【０１０５】
図１３の剥離処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１００は、調温装置１０１によって粘着シート１０４の液状化及び結晶化を調整することができるため、粘着シート１０４が液状化した後、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１０３に対向する凸形状に変形させることができ、もって半導体ウエハ１３を粘着シート１０４から容易に剥離することができる。
【０１０６】
また、図１３の処理において、凸形状に変形された半導体ウエハ１３を粘着シート１０４から剥離した後、ピストン１６を本体１４に対して相対的に上方に移動させる（図１３（ｃ），（ｄ））のではなく、凸形状に変形された半導体ウエハ１３の中心部を粘着シート１０４に粘着させたまま、ピストン１６を本体１４に対して相対的に上方に移動させることによって半導体ウエハ１３の中央部を押圧する荷重を抜重して、当該中央部を半導体ウエハ１３のばね力によって粘着シート１０４から剥離させてもよい。これにより、半導体ウエハ１３の割れや欠けの発生を確実に防止できる。
【０１０７】
また、調温装置１０１の構成は上述した構成に限られず、用途に応じて他の構成を採ってもよい。
【０１０８】
図１４は、他の調温装置を内部に有する基板１０２の平面図である。
【０１０９】
図１４において、調温装置１４０は、基板１０２の中央部において中心から放射状に配設された複数の電熱線１４１と、基板１０２の外周部において中心から放射状に配設された複数の電熱線１４２とで構成してもよい。これにより、粘着シート１０４の中心部及び外周部の温度を別々に調整することができ、もって、図１１（ｂ）の工程において、先に粘着シート１０４の中心部を液状化して、凸形状に変形された半導体ウエハ１３を当該中心部に密着させた後、粘着シート１０４の外周部を液状化することによってエア溜まりの発生をより確実に防止することができると共に、図１２（ｂ）の工程において、先に粘着シート１０４の外周部を液状化して、半導体ウエハ１３を外周部から先に剥離させた後、粘着シート１０４の中心部を液状化することによって半導体ウエハ１３に局所的な加重が負荷されるのを確実に防止し、半導体ウエハ１３の割れや欠けの発生を確実に防止できる。
【０１１０】
図１５は、さらに他の調温装置を内部に有する基板１０２の平面図である。
【０１１１】
図１５において、調温装置１５０は、基板１０２の中央部において円周方向に沿って配設された複数の電熱線１５１と、基板１０２の外周部において円周方向に沿って配設された複数の電熱線１５２とを有してもよく、これにより、図１４の調温装置１４０と同様の効果を得ることができる。尚、調温装置１５０は、電熱線１５１及び電熱線１５２を１つずつ有してもよい。
【０１１２】
図１６は、さらに他の調温装置を内部に有する基板１０２の平面図である。
【０１１３】
図１６において、調温装置１６０は、基板１０２の中央部において花弁状に配設された電熱線１６１と、基板１０２の外周部において円周方向に沿って配設された電熱線１６２とを有してもよく、これにより、図１４の調温装置１４０と同様の効果を得ることができる。
【０１１４】
また、粘着シート１０４を液晶材料に代えて、ワックス（蝋）で構成してもよく、ワックスも高温域で液体になり、低温域で固体になるという性質を有するため、粘着シート１０４を液晶材料で構成した場合と同様の効果を得ることができる。
【０１１５】
さらに、粘着シート１２，１０４をシリコンラバーによって構成してもよく、シリコンラバーを構成する分子と半導体ウエハ１３を構成する分子との分子間力（ファン・デル・ワールス力）、及びシリコンラバーを構成する分子と支持用ディスク１１，１０３を構成する分子との分子間力によって半導体ウエハ１３と支持用ディスク１１，１０３とを確実に貼着させることができる。
【０１１６】
この他、粘着シート１２，１０４は、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１，１０３に密着させるものであれば如何なるものでも用いることができ、例えば、グリスのような高粘度の液体、並びにシリコンラバーに伝熱性向上材を混合して形成されたシート等が好ましい。
【０１１７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、請求項１記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハを用いるので、半導体ウエハを保護基板に貼着した状態で裏面を旋削して厚みを整える旋削加工を省略して、この旋削加工中に半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生する事態を無くし、製品の歩留まりを向上できるという効果がある。
また、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスク上の粘着シートに対して、半導体ウエハを密着させるように移動する際に、半導体ウエハの突出された中央部を粘着シートに最初に接触させ、中央部から外周部に向けて貼着範囲が広がるように押し当てて空気が残らないように密着させるので、エア溜まりが発生することを防止して適切に貼着できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体チップの厚みに形成された薄肉の半導体ウエハを、支持用ディスク上に貼着して、半導体素子の形成処理（不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理、パターン形成の処理等）と、ダイシングの処理を行う。このため、半導体ウエハが半導体チップの厚みに形成されているため低剛性となっていても、支持用ディスク１１に支持されて半導体ウエハの変形が防止されるので、ハンドリング時に半導体ウエハが変形することを防止して、高精度な加工処理を実行できるという効果がある。
加えて、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体ウエハを加工処理するための半導体素子形成装置に適合した大きさ及び形状の支持用ディスクを選択して利用できる。よって、半導体素子形成装置では、所要の加工処理を行う各処理部へ移動する際の搬送を容易にし、移動時の取り扱いを容易にして、作業性を向上できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスクと半導体ウエハとの間に配設された温度により相変化する接着材料により構成される粘着シートの温度を調整するので、互いに接着された支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生していないことが確認された後、粘着シートを凝固させることができ、もって支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生するのを確実に防止することができる。
【０１１８】
請求項２記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハを用いるので、半導体ウエハを保護基板に貼着した状態で裏面を旋削して厚みを整える旋削加工を省略して、この旋削加工中に半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生する事態を無くし、製品の歩留まりを向上できるという効果がある。
また、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスク上の粘着シートに対して、半導体ウエハを密着させるように移動する際に、半導体ウエハの突出された中央部を粘着シートに最初に接触させ、中央部から外周部に向けて貼着範囲が広がるように押し当てて空気が残らないように密着させるので、エア溜まりが発生することを防止して適切に貼着できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体チップの厚みに形成された薄肉の半導体ウエハを、支持用ディスク上に貼着して、半導体素子の形成処理（不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理、パターン形成処理等）を行う。このため、半導体ウエハが半導体チップの厚みに形成されているため低剛性となっていても、支持用ディスクに支持されて半導体ウエハの変形が防止されるので、ハンドリング時に半導体ウエハが変形することを防止して、高精度な加工処理を実行できるという効果がある。
加えて、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体ウエハを加工処理するための半導体素子形成装置に適合した大きさ及び形状の支持用ディスクを選択して利用できる。よって、半導体素子形成装置では、所要の加工処理を行う各処理部へ移動する際の搬送を容易にし、移動時の取り扱いを容易にして、作業性を向上できるという効果がある。
また、半導体素子が形成された半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に外縁近傍を吸着して凸形状に突出させるように変形させることにより、支持用ディスク上に貼着されている半導体ウエハを、その周囲から徐々に剥がすように構成した場合には、局所的な荷重の発生を抑制して半導体ウエハの割れや欠けの発生を抑制することができ、安定した剥離を実現することができるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体素子が形成された半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に、外縁近傍を吸着して凸形状に突出させるように変形させるので、半導体ウエハを支持用ディスクから剥離する際に、半導体ウエハの中心部を最後に剥離させることができる。よって局所的な荷重の発生を確実に防止し半導体ウエハの割れや欠けの発生を確実に防止することができる。
【０１１９】
請求項３記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハを用いるので、半導体ウエハを保護基板に貼着した状態で裏面を旋削して厚みを整える旋削加工を省略して、この旋削加工中に半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生する事態を無くし、製品の歩留まりを向上できるという効果がある。
また、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスク上の粘着シートに対して、半導体ウエハを密着させるように移動する際に、半導体ウエハの突出された中央部を粘着シートに最初に接触させ、中央部から外周部に向けて貼着範囲が広がるように押し当てて空気が残らないように密着させるので、エア溜まりが発生することを防止して適切に貼着できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体チップの厚みに形成された薄肉の半導体ウエハを、支持用ディスク上に貼着して、半導体素子の形成処理（不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理、パターン形成処理等）を行う。このため、半導体ウエハが半導体チップの厚みに形成されているため低剛性となっていても、支持用ディスクに支持されて半導体ウエハの変形が防止されるので、ハンドリング時に半導体ウエハが変形することを防止して、高精度な加工処理を実行できるという効果がある。
加えて、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体ウエハを加工処理するための半導体素子形成装置に適合した大きさ及び形状の支持用ディスクを選択して利用できる。よって、半導体素子形成装置では、所要の加工処理を行う各処理部へ移動する際の搬送を容易にし、移動時の取り扱いを容易にして、作業性を向上できるという効果がある。
また、半導体素子が形成された半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に外縁近傍を吸着して凸形状に突出させるように変形させることにより、支持用ディスク上に貼着されている半導体ウエハを、その周囲から徐々に剥がすように構成した場合には、局所的な荷重の発生を抑制して半導体ウエハの割れや欠けの発生を抑制することができ、安定した剥離を実現することができるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスクと半導体ウエハとの間に配設された温度により相変化する接着材料により構成される粘着シートの温度を調整するので、互いに接着された支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生していないことが確認された後、粘着シートを凝固させることができ、もって支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生するのを確実に防止することができる。
【０１２０】
請求項４記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、支持用ディスクと半導体ウエハとの間に配設された温度により相変化する接着材料からなる粘着シートの温度を、半導体ウエハを剥離する際に調整するので、互いに接着された支持用ディスクと半導体ウエハとの間で凝固している粘着シートを温度調整して液状化させた後、半導体ウエハを支持用ディスクから剥離させることができるので、剥離作業を容易にすることができる。さらに、局所的な荷重の発生を防止することができるので、半導体ウエハの割れや欠けの発生を確実に防止することができる。
【０１２１】
請求項５記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハの外縁の外側から支持用ディスクと半導体ウエハとの間に流体を吐出するので、半導体ウエハの支持用ディスクからの剥離の際、半導体ウエハの外縁を最初に剥離させることができ、もって局所的な荷重の発生をより確実に防止することができる。これにより、半導体ウエハの割れや欠けの発生をより確実に防止することができるという効果がある。
【０１２３】
請求項７記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハの外縁近傍における複数箇所を吸着するので、半導体ウエハの支持用ディスクへの貼着の際、半導体ウエハは凸形状を安定して呈することができ、半導体ウエハの外縁が最初に支持用ディスクに接触するのを防止することができる。また、半導体ウエハを支持用ディスクからの剥離する場合には、半導体ウエハの外縁を確実に最初に剥離させることができ、もって局所的な荷重の発生をさらに確実に防止することができるという効果がある。
【０１２４】
請求項８記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハを真空吸着するので、半導体ウエハを安定して保持することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１における線II−IIに沿う断面図である。
【図３】図１の半導体ウエハ脱着装置１０の概略構成を示す平面図である。
【図４】図１の半導体ウエハ脱着装置１０が使用される基板処理システム４０の概略構成を示す図である。
【図５】半導体ウエハ１３から半導体チップを製造する製造処理を示す工程図である。
【図６】半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１への貼着及び剥離の手順を示す工程図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における貼着処理を示す工程図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における剥離処理を示す工程図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における剥離処理を示す工程図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置の概略構成を示す断面図である。
【図１１】図１０における調温装置１０１を内部に有する基台１０２の平面図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における貼着処理を示す工程図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における剥離処理を示す工程図である。
【図１４】他の調温装置を内部に有する基台１０２の平面図である。
【図１５】さらに他の調温装置を内部に有する基台１０２の平面図である。
【図１６】さらに他の調温装置を内部に有する基台１０２の平面図である。
【図１７】従来の半導体ウエハから薄肉の半導体チップを製造する製造処理を示す工程図である。
【符号の説明】
１０ 半導体ウエハ脱着装置
１１，１０３ 支持用ディスク
１２，１０４ 粘着シート
１３ 半導体ウエハ
１４ 本体
１５ 吸着口
１６ ピストン
１７ ガスノズル
１８ ガイド
４０ 基板処理システム
４１ 基板処理装置
１０１ 調温装置
１０２ 基台
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄肉半導体チップの製造方法に関し、特に、薄型の半導体ウエハを支持用基盤に貼着する薄肉半導体チップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップを有する集積回路を使用するデバイスの小型化の要求の高まりにより、半導体チップの小型化、薄肉化が要求されている。特に、半導体チップを複数層に積層した積層チップが集積回路の主流となることが見込まれるため、半導体チップの薄肉化は強く要求されている。積層チップを構成する半導体チップの厚みとしては、現在２００μｍ程度が要求され、近い将来においては１００μｍ程度が要求されると見込まれている。
【０００３】
一方、φ６インチやφ８インチの半導体ウエハの厚みはほぼ７５０μｍが主流であり、上述した薄肉化の要求に対応するために、半導体ウエハには後述する旋削加工が施される。
【０００４】
図１７は、従来の半導体ウエハから薄肉の半導体チップを製造する製造処理を示す工程図である。
【０００５】
図１７において、まず、厚みがほぼ７５０μｍの半導体ウエハを準備し（図１７（ａ））、該半導体ウエハの片面にイオン打ち込み処理による不純物導入、ＣＶＤ法による薄膜形成、及びドライエッチング処理によるパターン形成を通じて半導体素子を形成する半導体素子形成工程を行い（図１７（ｂ））、該半導体素子が形成された面（表面）を粘着シートを介して保護基板に貼着し（図１７（ｃ））、次いで、半導体ウエハにおける半導体素子が形成された面の反対面（裏面）を旋削加工によって旋削し、半導体ウエハの厚みをほぼ２００μｍに調整する（図１７（ｄ））。
【０００６】
その後、半導体ウエハを保護基板に貼着したまま、半導体ウエハを半導体チップに切り分けるダイシングを行い（図１７（ｅ））、ダイシングによって個別に切り分けられた半導体チップを集積回路の他の構成部品と接続するパッケージングを行う（図１７（ｆ））。
【０００７】
但し、上述した製造処理では、半導体ウエハを保護基板に貼着したまま、その裏面を旋削するため、旋削加工中の半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生するという問題があった。
【０００８】
そのため、上述した旋削加工を省略することを目的とし、当初から厚みがほぼ２００μｍであるφ６インチやφ８インチの半導体ウエハに半導体素子形成工程、ダイシング及びパッケージングのみを行う薄肉半導体チップ製造処理が知られている。この製造処理では半導体ウエハの低剛性に起因するハンドリング時の半導体ウエハの変形を防止するために、半導体ウエハの裏面に粘着シートを介して所定の剛性を有する支持用基盤を貼着する。
【０００９】
尚、上述した半導体ウエハの保護基板や支持用基盤への貼着に関する技術について記載した文献は存在していないため、上述した半導体ウエハの保護基板や支持用基盤への貼着に関する技術は文献公知発明に係るものではない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、当初から厚みがほぼ２００μｍである半導体ウエハを使用する薄肉半導体チップ製造処理では、半導体素子形成工程における不純物導入、薄膜形成、及びパターン形成を行う基板処理装置が異なる場合があり、このとき、半導体ウエハに対し、各処理に対応した基板処理装置に適合した支持用基盤への貼着及び剥離を行う必要がある。この貼着及び剥離は作業者の手作業によって実行され、特に、貼着の際、半導体ウエハの支持用基盤への最初の接触箇所が半導体ウエハの中央部とならないことがあるため、支持用基盤と半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生するという問題があった。
【００１１】
本発明の目的は、薄型の半導体ウエハを、エア溜まりの発生を抑制しながら適切に支持用基盤へ貼着することにより剛性を高め、高精度な加工処理を実行可能とした薄肉半導体チップの製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の薄肉半導体チップの製造方法は、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハの外縁近傍を吸着保持すると共に中央部のみを押圧して凸形状に変形させる吸着工程と、所望の処理を行う基板処理装置に適合した支持用ディスク上の粘着シートに対して、前記半導体ウエハの凸面中央部を最初に接触させてからエア溜まりが発生しないように、半導体ウエハを密着させる貼着工程と、前記支持用ディスクに貼着された状態の前記半導体ウエハに対して、前記半導体ウエハにイオン打ち込み処理による不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理及びドライエッチング処理によるパターン形成処理により半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、前記半導体素子が形成された前記半導体ウエハを前記支持用ディスクに粘着した状態で半導体チップに切り分けるダイシング工程と、を有し、さらに、前記粘着シートを温度により相変化する接着材料で構成し、前記貼着工程前に、前記粘着シートが液状化するように前記粘着シートの温度を調整する調温工程を設けたことを特徴とする。
【００１３】
請求項１記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハを用いるので、半導体ウエハを保護基板に貼着した状態で裏面を旋削して厚みを整える旋削加工を省略して、この旋削加工中に半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生する事態を無くし、製品の歩留まりを向上できるという効果がある。
また、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスク上の粘着シートに対して、半導体ウエハを密着させるように移動する際に、半導体ウエハの突出された中央部を粘着シートに最初に接触させ、中央部から外周部に向けて貼着範囲が広がるように押し当てて空気が残らないように密着させるので、エア溜まりが発生することを防止して適切に貼着できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体チップの厚みに形成された薄肉の半導体ウエハを、支持用ディスク上に貼着して、半導体素子の形成処理（不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理、パターン形成の処理等）と、ダイシングの処理を行う。このため、半導体ウエハが半導体チップの厚みに形成されているため低剛性となっていても、支持用ディスクに支持されて半導体ウエハの変形が防止されるので、ハンドリング時に半導体ウエハが変形することを防止して、高精度な加工処理を実行できるという効果がある。
加えて、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体ウエハを加工処理するための半導体素子形成装置に適合した大きさ及び形状の支持用ディスクを選択して利用できる。よって、半導体素子形成装置では、所要の加工処理を行う各処理部へ移動する際の搬送を容易にし、移動時の取り扱いを容易にして、作業性を向上できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスクと半導体ウエハとの間に配設された温度により相変化する接着材料により構成される粘着シートの温度を調整するので、互いに接着された支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生していないことが確認された後、粘着シートを凝固させることができ、もって支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生するのを確実に防止することができる。
【００１４】
上記目的を達成するために、請求項２記載の薄肉半導体チップの製造方法は、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハの外縁近傍を吸着保持すると共に中央部のみを押圧して凸形状に変形させる吸着工程と、所望の処理を行う基板処理装置に適合した支持用ディスク上の粘着シートに対して、前記半導体ウエハの凸面中央部を最初に接触させてからエア溜まりが発生しないように、半導体ウエハを密着させる貼着工程と、前記支持用ディスクに貼着された状態の前記半導体ウエハに対して、前記半導体ウエハにイオン打ち込み処理による不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理及びドライエッチング処理によるパターン形成処理により半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、前記半導体素子が形成された前記半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に、外縁近傍を吸着して凸形状に変形させることにより、前記粘着シートから前記半導体ウエハを前記半導体ウエハの周囲から徐々に剥がす剥離工程と、を有し、前記剥離工程では、前記半導体ウエハの周囲を剥がした後に、前記半導体ウエハの中央部のみを押圧していた押圧力を抜重することにより発生する前記半導体ウエハの弾性反力を利用して、前記半導体ウエハを前記支持用ディスクから剥離させることを特徴とする。
【００１５】
請求項２記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハを用いるので、半導体ウエハを保護基板に貼着した状態で裏面を旋削して厚みを整える旋削加工を省略して、この旋削加工中に半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生する事態を無くし、製品の歩留まりを向上できるという効果がある。
また、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスク上の粘着シートに対して、半導体ウエハを密着させるように移動する際に、半導体ウエハの突出された中央部を粘着シートに最初に接触させ、中央部から外周部に向けて貼着範囲が広がるように押し当てて空気が残らないように密着させるので、エア溜まりが発生することを防止して適切に貼着できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体チップの厚みに形成された薄肉の半導体ウエハを、支持用ディスク上に貼着して、半導体素子の形成処理（不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理、パターン形成処理等）を行う。このため、半導体ウエハが半導体チップの厚みに形成されているため低剛性となっていても、支持用ディスクに支持されて半導体ウエハの変形が防止されるので、ハンドリング時に半導体ウエハが変形することを防止して、高精度な加工処理を実行できるという効果がある。
加えて、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体ウエハを加工処理するための半導体素子形成装置に適合した大きさ及び形状の支持用ディスクを選択して利用できる。よって、半導体素子形成装置では、所要の加工処理を行う各処理部へ移動する際の搬送を容易にし、移動時の取り扱いを容易にして、作業性を向上できるという効果がある。
また、半導体素子が形成された半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に外縁近傍を吸着して凸形状に突出させるように変形させることにより、支持用ディスク上に貼着されている半導体ウエハを、その周囲から徐々に剥がすように構成した場合には、局所的な荷重の発生を抑制して半導体ウエハの割れや欠けの発生を抑制することができ、安定した剥離を実現することができるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体素子が形成された半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に、外縁近傍を吸着して凸形状に突出させるように変形させるので、半導体ウエハを支持用ディスクから剥離する際に、半導体ウエハの中心部を最後に剥離させることができる。よって局所的な荷重の発生を確実に防止し半導体ウエハの割れや欠けの発生を確実に防止することができる。
【００１６】
請求項３記載の薄肉半導体チップの製造方法は、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハの外縁近傍を吸着保持すると共に中央部のみを押圧して凸形状に変形させる吸着工程と、所望の処理を行う基板処理装置に適合した支持用ディスク上の粘着シートに対して、前記半導体ウエハの凸面中央部を最初に接触させてからエア溜まりが発生しないように、半導体ウエハを密着させる貼着工程と、前記支持用ディスクに貼着された状態の前記半導体ウエハに対して、前記半導体ウエハにイオン打ち込み処理による不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理及びドライエッチング処理によるパターン形成処理により半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、前記半導体素子が形成された前記半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に、外縁近傍を吸着して凸形状に変形させることにより、前記粘着シートから前記半導体ウエハを前記半導体ウエハの周囲から徐々に剥がす剥離工程と、を有し、さらに、前記粘着シートを温度により相変化する接着材料で構成し、前記貼着工程前に、前記粘着シートが液状化するように前記粘着シートの温度を調整する調温工程を設けたことを特徴とする。
【００１７】
請求項３記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハを用いるので、半導体ウエハを保護基板に貼着した状態で裏面を旋削して厚みを整える旋削加工を省略して、この旋削加工中に半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生する事態を無くし、製品の歩留まりを向上できるという効果がある。
また、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスク上の粘着シートに対して、半導体ウエハを密着させるように移動する際に、半導体ウエハの突出された中央部を粘着シートに最初に接触させ、中央部から外周部に向けて貼着範囲が広がるように押し当てて空気が残らないように密着させるので、エア溜まりが発生することを防止して適切に貼着できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体チップの厚みに形成された薄肉の半導体ウエハを、支持用ディスク上に貼着して、半導体素子の形成処理（不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理、パターン形成処理等）を行う。このため、半導体ウエハが半導体チップの厚みに形成されているため低剛性となっていても、支持用ディスクに支持されて半導体ウエハの変形が防止されるので、ハンドリング時に半導体ウエハが変形することを防止して、高精度な加工処理を実行できるという効果がある。
加えて、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体ウエハを加工処理するための半導体素子形成装置に適合した大きさ及び形状の支持用ディスクを選択して利用できる。よって、半導体素子形成装置では、所要の加工処理を行う各処理部へ移動する際の搬送を容易にし、移動時の取り扱いを容易にして、作業性を向上できるという効果がある。
また、半導体素子が形成された半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に外縁近傍を吸着して凸形状に突出させるように変形させることにより、支持用ディスク上に貼着されている半導体ウエハを、その周囲から徐々に剥がすように構成した場合には、局所的な荷重の発生を抑制して半導体ウエハの割れや欠けの発生を抑制することができ、安定した剥離を実現することができるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスクと半導体ウエハとの間に配設された温度により相変化する接着材料により構成される粘着シートの温度を調整するので、互いに接着された支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生していないことが確認された後、粘着シートを凝固させることができ、もって支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生するのを確実に防止することができる。
【００１８】
請求項４記載の薄肉半導体チップの製造方法は、請求項２記載の薄肉半導体チップの製造方法において、前記粘着シートを、温度により相変化する接着材料で構成し、前記剥離工程において、前記粘着シートが液状化するように前記粘着シートの温度を調整することを特徴とする。
【００１９】
請求項４記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、支持用ディスクと半導体ウエハとの間に配設された温度により相変化する接着材料からなる粘着シートの温度を、半導体ウエハを剥離する際に調整するので、互いに接着された支持用ディスクと半導体ウエハとの間で凝固している粘着シートを温度調整して液状化させた後、半導体ウエハを支持用ディスクから剥離させることができるので、剥離作業を容易にすることができる。さらに、局所的な荷重の発生を防止することができるので、半導体ウエハの割れや欠けの発生を確実に防止することができる。
【００２０】
請求項５記載の薄肉半導体チップの製造方法は、請求項２又は３に記載の薄肉半導体チップの製造方法において、前記半導体ウエハの外縁の外側から、前記支持用ディスクと前記半導体ウエハとの間に流体を吐出する吐出工程を有することを特徴とする。
【００２１】
請求項５記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハの外縁の外側から支持用ディスクと半導体ウエハとの間に流体を吐出するので、半導体ウエハの支持用ディスクからの剥離の際、半導体ウエハの外縁を最初に剥離させることができ、もって局所的な荷重の発生をより確実に防止することができる。これにより、半導体ウエハの割れや欠けの発生をより確実に防止することができる。
【００２２】
請求項６記載の薄肉半導体チップの製造方法は、請求項２，３，５のいずれか１項に記載の薄肉半導体チップの製造方法において、前記剥離工程で前記支持用ディスクから剥離された前記半導体ウエハを、他の処理を行う前記基板処理装置に適合した支持用ディスクに貼着して、前記他の処理を行う基板処理装置により処理作業を行うことを特徴とする。
【００２３】
請求項７記載の薄肉半導体チップの製造方法は、請求項１乃至３，５，６のいずれか１項に記載の薄肉半導体チップの製造方法において、前記吸着工程では、前記半導体ウエハの外縁近傍における複数箇所を吸着することを特徴とする。
【００２４】
請求項７記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハの外縁近傍における複数箇所を吸着するので、半導体ウエハの支持用ディスクへの貼着の際、半導体ウエハは凸形状を安定して呈することができ、半導体ウエハの外縁が最初に支持用ディスクに接触するのを防止することができる。また、半導体ウエハを支持用ディスクからの剥離する場合には、半導体ウエハの外縁を確実に最初に剥離させることができ、もって局所的な荷重の発生をさらに確実に防止することができる。
【００２５】
請求項８記載の薄肉半導体チップの製造方法は、請求項１乃至３及び５乃至７のいずれか１項に記載の薄肉半導体チップの製造方法において、前記吸着工程では、前記半導体ウエハを真空吸着により保持することを特徴とする。
【００２６】
請求項８記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハを真空吸着するので、半導体ウエハを安定して保持することができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置について詳述する。
【００４４】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置の概略構成を示す斜視図である。
【００４５】
図１において、半導体ウエハ脱着装置１０は、円盤状の支持用ディスク１１に液状又はゲル状の接着剤からなる粘着シート１２を介して貼着された半導体ウエハ１３に対向する輪状の本体１４と、該本体１４の半導体ウエハ１３に対向する面に配設された８個の吸着口１５と、本体１４の中心軸上に配設されたピストン１６と、支持用ディスク１１の外側に配設された４個のガスノズル１７とを備える。
【００４６】
半導体ウエハ１３は、厚みがほぼ２００μｍであって、その直径はφ６インチやφ８インチである。支持用ディスク１１の直径は、半導体ウエハ１３の直径よりも大きくてもよいが、後述する基板処理装置４１内における搬送容易性を考慮すると、特に半導体ウエハ１３の直径と同じであることが好ましい。また、半導体ウエハ脱着装置１０の本体１４は、図中上下方向に移動自在であり、本体１４が半導体ウエハ１３に接触したとき、吸着口１５は、該吸着口１５及び半導体ウエハ１３の間に真空状態を発生させることによって半導体ウエハ１３を真空吸着する。ピストン１６は、本体１４の中央部において中心軸上に沿って配設された筒状のガイド１８に内包され（図２）、且つ該ガイド１８に沿って図中上下方向に移動自在であり、吸着口１５が半導体ウエハ１３を真空吸着したとき、図中下方に突出することによって半導体ウエハ１３の中央部を押圧する。また、ピストン１６は、半導体ウエハ１３に接触する端部に緩衝剤等からなる被膜を有し、ピストン１６を構成する金属と半導体ウエハ１３が直接接触することを防止する。
【００４７】
４つのガスノズル１７は、支持用ディスク１１の中心廻りに９０°間隔で、支持用ディスク１１の周りに配設され、半導体ウエハ脱着装置１０におけるガスノズル１７の高さ位置は、粘着シート１２及び半導体ウエハ１３の境界に対応する。そして、ガスノズル１７の各々は、半導体ウエハ１３が粘着シート１２から剥離したとき等に、半導体ウエハ１３及び粘着シート１２の間にガスを吐出する。８つの吸着口１５は、本体１４の中心廻りに４５°間隔で配置され、半導体ウエハ１３の外縁近傍を真空吸着する（図３）。
【００４８】
図４は、半導体ウエハ脱着装置１０が使用される基板処理システムの概略構成を示す図である。
【００４９】
図４において、基板処理システム４０は、１つの半導体ウエハ脱着装置１０と、２つの基板処理装置４１とによって構成され、基板処理装置４１の各々は、後述するウエハカセット４６が半導体ウエハ脱着装置１０に対向するように配置される。
【００５０】
基板処理装置４１は、半導体ウエハ１３にイオン打ち込み処理による不純物導入、ＣＶＤ法による薄膜形成、及びドライエッチング処理によるパターン形成等の所望の処理を行う処理チャンバ４２と、該処理チャンバ４２に半導体ウエハ１３を受け渡しする搬送アーム４３を内蔵するロード・ロック室４４と、１ロット分に該当する２５枚の半導体ウエハ１３を格納するキャリアボックス（不図示）を収容する３つのウエハカセット４６と、半導体ウエハ１３の位置をプリアライメントするオリエンタ４７と、矩形状の共通搬送路であるトランスファチャンバ４８とを備える。
【００５１】
２つのロード・ロック室４４、３つのウエハカセット４６、及びオリエンタ４７は、トランスファチャンバ４８に接続されるが、ロード・ロック室４４の夫々は、トランスファチャンバ４８を介してウエハカセット４６の夫々と対向するように配設され、オリエンタ４７はトランスファチャンバ４８の長手方向に関する一端に配設される。
【００５２】
トランスファチャンバ４８は、接続されたロード・ロック室４４、ウエハカセット４６、及びオリエンタ４７の間において半導体ウエハ１３を搬出入する搬送アーム機構４９を内部に有し、該搬送アーム機構４９は、トランスファチャンバ４８の内部においてその長手方向に関して移動可能である。
【００５３】
基板処理装置４１において半導体ウエハ１３の処理が行われる際に、搬送アーム機構４９は、１枚の半導体ウエハ１３をウエハカセット４６から取り出してオリエンタ４７に搬入し、オリエンタ４７によってプリアライメントされた半導体ウエハ１３を把持してロード・ロック室４４内に搬入する。次いで、搬送アーム４３は、搬入された半導体ウエハ１３を受け取って処理チャンバ４２に搬入し、処理チャンバ４２は搬入された半導体ウエハ１３に所望の処理を施し、搬送アーム４３が、所望の処理が施された半導体ウエハ１３をロード・ロック室４４に搬出し、さらに当該半導体ウエハ１３を搬送アーム機構４９に受け渡す。当該半導体ウエハ１３を受け渡された搬送アーム機構４９は、その半導体ウエハ１３をウエハカセット４６に搬入する。
【００５４】
上述したように、半導体ウエハ１３は、基板処理装置４１の構成部品の間を頻繁に移動するため、移動時の取り扱いを容易にすることを目的として、半導体ウエハ１３を粘着シートを介して所定の剛性を有する支持用ディスク１１に貼着する必要がある。
【００５５】
このとき、処理チャンバ４２で行う処理の種類によって基板処理装置４１の構成部品の仕様が変わることがあり、例えば、薄膜形成を行う基板処理装置４１及びパターン形成を行う基板処理装置４１では、搬送アーム４３や搬送アーム機構４９の仕様が異なることがある。そのため、支持用ディスク１１は夫々の基板処理装置４１に適合したものを使用する必要がある。従って、半導体ウエハ１３は、一の基板処理装置４１における処理が終了した後、他の基板処理装置４１へ搬入される前に、貼着される支持用ディスク１１を半導体ウエハ脱着装置１０によって他の基板処理装置４１に適合したものに変更する必要がある。尚、基板処理装置４１及び半導体ウエハ脱着装置１０間における半導体ウエハ１３の搬送は作業者の手作業によって行われるが、自動搬送路等によって行われてもよい。
【００５６】
次に、上述した基板処理システム４０を使用して半導体ウエハ１３から半導体チップを製造する方法について図面を用いて説明する。
【００５７】
図５は、半導体ウエハ１３から半導体チップを製造する製造処理を示す工程図である。
【００５８】
図５において、まず、厚みがほぼ２００μｍの半導体ウエハ１３を準備し（図５（ａ））、該半導体ウエハ１３を後述する貼着処理によって粘着シート１２を介して支持用ディスク１１に貼着する（図５（ｂ））。その後、半導体ウエハ１３における支持用ディスク１１が貼着されていない面にイオン打ち込み処理による不純物導入、ＣＶＤ法による薄膜形成、及びドライエッチング処理によるパターン形成を通じて半導体素子を形成する半導体素子形成工程を実行して半導体素子を形成する（図５（ｃ））。
【００５９】
次いで、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１に貼着したまま、半導体ウエハ１３を半導体チップに切り分けるダイシングを行い（図５（ｄ））、ダイシングによって個別に切り分けられた半導体チップを集積回路の他の構成部品と接続するパッケージングを行う（図５（ｅ））。
【００６０】
このとき、上述したように、半導体素子形成工程において各処理に対応した基板処理装置４１に適合した支持用ディスク１１を半導体ウエハ１３に変更する必要があるため、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１への貼着及び剥離を繰り返す必要がある。
【００６１】
具体的には、図６に示すように、一の処理が施された半導体ウエハ１３を準備し（図６（ａ））、該半導体ウエハ１３を後述する貼着処理によって粘着シート１２を介して所望の処理に対応した基板処理装置４１に適合する支持用ディスク１１に貼着する（図６（ｂ））。その後、支持用ディスク１１が貼着された半導体ウエハ１３を基板処理装置４１に搬入して、処理チャンバ４２によって所望の処理、例えば、ドライエッチング処理等を半導体ウエハ１３に施し（図６（ｃ））、半導体ウエハ１３を基板処理装置４１から搬出した後、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１から後述する剥離処理によって剥離する。
【００６２】
次に、半導体ウエハ脱着装置１０における半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１に貼着する貼着処理及び半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１から剥離する剥離処理について図面を用いて説明する。
【００６３】
図７は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における貼着処理を示す工程図である。
【００６４】
まず、半導体ウエハ脱着装置１０は、吸着口１５によって半導体ウエハ１３の外縁近傍を真空吸着すると共に、ピストン１６によって半導体ウエハ１３の中央部を押圧することによって半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１に対向する凸形状に変形させる（図７（ａ））。
【００６５】
そして、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３を凸形状に変形させたまま粘着シート１２に接触させ（図７（ｂ））、次いで、ピストン１６に対して本体１４を相対的に支持用ディスク１１へ向けて移動させることによって半導体ウエハ１３を粘着シート１２に密着させる（図７（ｃ））。その後、半導体ウエハ脱着装置１０は上方に移動して半導体ウエハ１３から離脱する（図７（ｄ））。
【００６６】
図７の貼着処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３の中央部を支持用ディスク１１へ向けて押圧し、半導体ウエハ１３における外縁近傍を真空吸着するので、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１への貼着の際、半導体ウエハ１３の中央部が最初に支持用ディスク１１に接触することができ、支持用ディスク１１と半導体ウエハ１３との間にエア溜まりが発生するのを防止できる。
【００６７】
図８は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における剥離処理を示す工程図である。
【００６８】
まず、半導体ウエハ脱着装置１０は、吸着口１５によって半導体ウエハ１３の外縁近傍を真空吸着すると共に、ピストン１６によって半導体ウエハ１３の中央部を押圧し（図８（ａ））、その後、ガスノズル１７から支持用ディスク１１の中心部に向けてガスを噴出すると共に、ピストン１６に対して本体１４を相対的に上方へ移動させることによって半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１に対向する凸形状に変形させる（図８（ｂ））。
【００６９】
そして、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３を凸形状に変形させたまま粘着シート１２から剥離し（図８（ｃ））、ピストン１６を本体１４に対して相対的に上方に移動させることによって半導体ウエハ１３の中央部を押圧する荷重を抜重して半導体ウエハ１３を平板状に復元する（図８（ｄ））。
【００７０】
図８の剥離処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３の中央部を支持用ディスク１１へ向けて押圧し、半導体ウエハ１３における外縁近傍を真空吸着するので、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１からの剥離の際、半導体ウエハ１３の外縁から剥離することができると共に、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１へ向けて凸形状に変形させ、該凸形状を維持するので、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１からの剥離の際、半導体ウエハ１３の中心部を最後に剥離させることができ、もって局所的な荷重の発生を確実に防止することができる。これにより、半導体ウエハの割れや欠けの発生を確実に防止できる。
【００７１】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置について詳述する。
【００７２】
本第２の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置は、その構成、作用が上述した第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置と基本的に同じであり、半導体ウエハ１３の剥離処理のみ異なるので、当該剥離処理について説明する。
【００７３】
図９は、本第２の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における剥離処理を示す工程図である。
【００７４】
まず、半導体ウエハ脱着装置１０は、吸着口１５によって半導体ウエハ１３の外縁近傍を真空吸着すると共に、ピストン１６によって半導体ウエハ１３の中央部を押圧し（図９（ａ））、その後、ガスノズル１７から支持用ディスク１１の中央部に向けてガスを噴出すると共に、ピストン１６に対して本体１４を相対的に上方へ移動させることによって半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１に対向する凸形状に変形させる（図９（ｂ））。
【００７５】
そして、半導体ウエハ脱着装置１０は、ピストン１６を本体１４に対して相対的に上方に移動させことによって半導体ウエハ１３の中央部を押圧する荷重を抜重し（図９（ｃ））、該荷重を抜重された半導体ウエハ１３の中央部がばね力によって粘着シート１２から剥離し、半導体ウエハ１３が平板状に復元する（図９（ｄ））。
【００７６】
図９の剥離処理によれば、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１へ向けて凸形状に変形させ、押圧力を抜重するので、半導体ウエハ１３のバネ力を利用して半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１から剥離することができ、もって局所的な荷重の発生を確実に防止することができる。これにより、半導体ウエハの割れや欠けの発生を確実に防止できる。
【００７７】
また、図８の剥離処理及び図９の剥離処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３の外縁の外側から支持用ディスク１１と半導体ウエハ１３との間にガスを噴出するので、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１からの剥離の際、半導体ウエハ１３の外縁を確実に最初に剥離させることができ、これらに加え、半導体ウエハ１３に付着したパーティクル等を除去することができる。
【００７８】
また、図７の貼着処理、図８の剥離処理及び図９の剥離処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３の外縁近傍における複数箇所を真空吸着するので、半導体ウエハ１３は凸形状を安定して呈することができる。
【００７９】
さらに、図７の貼着処理、図８の剥離処理及び図９の剥離処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１０は半導体ウエハ１３を真空吸着するので、半導体ウエハ１３を安定して保持することができる。
【００８０】
上述した基板処理システム４０は、１つの半導体ウエハ脱着装置１０と、２つの基板処理装置４１とによって構成されたが、半導体ウエハ脱着装置１０及び基板処理装置４１の数はこれに限るものでなく、半導体ウエハに施す処理の種類によって適宜変更されてもよい。また、基板処理システム４０では、半導体ウエハ脱着装置１０と基板処理装置４１とが別体的に設けられたが、半導体ウエハ脱着装置１０と基板処理装置４１とが一体的に設けられてもよく、このとき、半導体ウエハ脱着装置１０は、オリエンタ４７が接続された一端と反対側の端部においてトランスファチャンバ４８と接続されるのが好ましい。これにより、基板処理システム４０の小型化が図れると共に、半導体ウエハ１３を外気に晒す時間を減らすことができるので、半導体ウエハ１３へのパーティクル等の付着を防止できる。
【００８１】
また、基板処理システム４０では上述したように半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１への貼着及び剥離を繰り返すため、半導体ウエハ脱着装置１０は、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１に対する相対位置を調整する位置合わせ機構を備えることが好ましく、位置合わせ機構としては、支持用ディスク１１上における半導体ウエハ１３の相対位置のズレを画像処理装置によって測定し、その結果に基づいてズレを修正するものや、支持用ディスク１１に設けられたスロットに適合する形状のピンを有し、且つ半導体ウエハ１３を保持する治具であって、該治具を支持用ディスク１１に適合する際に、該ピンによって治具の支持用ディスク１１に対する相対位置が規制され、これにより、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１に対する相対位置を調整する治具等がより好ましい。
【００８２】
上述した半導体ウエハ脱着装置１０では、半導体ウエハ１３が粘着シート１２を介して支持用ディスク１１に貼着されたが、半導体ウエハ１３が支持用ディスク１１に直接貼着されてもよく、これにより、粘着シート１２の破れ等による半導体ウエハ１３へのダストの付着を防止できる。このとき、支持用ディスク１１における半導体ウエハ１３と接触する面は、鏡面仕上げであることが好ましく、これにより、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１に強固に貼着することができる。
【００８３】
また、半導体ウエハ脱着装置１０における吸着口１５の数は８つであり、該８つの吸着口１５は半導体ウエハ１３の外縁部を真空吸着するが、吸着口１５の数はこれに限られず、例えば、２つでもよい。このとき、２つの吸着口１５は本体１４の中心に関して対称に配設される。これにより、半導体ウエハ１３を安定して吸着することができる。
【００８４】
半導体ウエハ脱着装置１０が半導体ウエハ１３を凸形状に変形させる際の変形量は、半導体ウエハ１３の材料の弾性域内に納まる応力が発生する程度以内であるのがよく、例えば、φ６インチの半導体ウエハ１３では凸形状の突出量がほぼ１ｍｍであることが好ましい。
【００８５】
半導体ウエハ脱着装置１０における支持用ディスク１１は、円盤状に限られず、例えば、方形であってもよく、またその材料も導体、半導体、不導体のいずれを用いてもよい。
【００８６】
半導体ウエハ脱着装置１０における吸着口１５は、半導体ウエハ１３を真空吸着するが、半導体ウエハ１３の吸着のＯＮ／ＯＦＦを簡便に切り替えるものが好ましく、例えば、静電吸着を利用するものであってもよい。
【００８７】
半導体ウエハ脱着装置１０におけるガスノズル１７は、ガスを噴出するが、他の流体も用いることができ、例えば、浄水を噴出してもよい。
【００８８】
また、基板処理システム４０が処理する基板は半導体ウエハ１３に限られず、例えば、ガラス製のディスクであってもよい。
【００８９】
さらに、本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置について詳述する。
【００９０】
本第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置は、その構成、作用が上述した第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置と基本的に同じであり、異なる構成、作用ついてのみ説明する。
【００９１】
図１０は、本第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置の概略構成を示す断面図である。
【００９２】
図１０において、半導体ウエハ脱着装置１００は、電熱線から成る調温装置１０１を内部に有する基台１０２と、該基台１０２上に載置された支持用ディスク１０３と、該支持用ディスク１０３上に配設された液晶材料から成る粘着シート１０４とを備え、調温装置１０１が電源１０５に印加される電流値に基づいて支持用ディスク１０３を介して粘着シート１０４の温度を所望の値に調整する。一般に、液晶材料は鎖状炭化水素を主成分とし、高温域で液体になり、低温域で結晶になるという性質を有する。従って、粘着シート１０４の温度を調整することによって、粘着シート１０４を所望の状態へ変更することができ、これにより、半導体ウエハ１３の支持用ディスク１０３への貼着及び支持用ディスク１０３からの剥離を容易に行うことができる。
【００９３】
図１１は、図１０における調温装置１０１を内部に有する基台１０２の平面図である。
【００９４】
図１１において、調温装置１０１は、基台１０２の中心部において中心から放射状に配設された複数の電熱線１１０によって構成される。これにより、調温装置１０１は、支持用ディスク１０３を介して粘着シート１０４の全面の温度を均一に調整することができる。
【００９５】
尚、半導体ウエハ脱着装置１００における上述した調温装置１０１を有する基台１０２、支持用ディスク１０３、及び粘着シート１０４以外の構成は、半導体ウエハ脱着装置１０の構成と同様であり、半導体ウエハ脱着装置１００が使用される基板処理システムの構成も基板処理システム４０の構成と同様である。
【００９６】
次に、本第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置１００における貼着処理及び剥離処理について図面を用いて説明する。
【００９７】
図１２は、本第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における貼着処理を示す工程図である。
【００９８】
まず、半導体ウエハ脱着装置１００は、吸着口１５によって半導体ウエハ１３の外縁近傍を真空吸着すると共に、ピストン１６によって半導体ウエハ１３の中央部を押圧することによって半導体ウエハ１３を支持用ディスク１０３に対向する凸形状に変形させ、さらに、調温装置１０１によって粘着シート１０４の全面を加熱して粘着シート１０４を液状化する（図１２（ａ））。
【００９９】
そして、半導体ウエハ脱着装置１００は、半導体ウエハ１３を凸形状に変形させたまま粘着シート１０４に接触させ（図１２（ｂ））、次いで、ピストン１６に対して本体１４を相対的に支持用ディスク１０３へ向けて移動させることによって半導体ウエハ１３を粘着シート１０４に密着させ、半導体ウエハ１３及び支持用ディスク１０３の間にエア溜まりが発生していないことが確認された後、調温装置１０１による粘着シート１０４への加熱を中止して粘着シート１０４を結晶化（凝固）させることによって半導体ウエハ１３を粘着シート１０４に貼着する（図１２（ｃ））。そして、半導体ウエハ脱着装置１００は上方に移動して半導体ウエハ１３から離脱する（図１２（ｄ））。
【０１００】
図１２の貼着処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１００は、調温装置１０１によって粘着シート１０４の液状化及び結晶化を調整することができるため、互いに密着された半導体ウエハ１３及び支持用ディスク１０３の間にエア溜まりが発生していないことが確認された後、粘着シート１０４を結晶化させることができ、もって支持用ディスク１０３と半導体ウエハ１３との間にエア溜まりが発生するのを確実に防止できる。
【０１０１】
また、もし半導体ウエハ１３を粘着シート１０４に密着させた際に、半導体ウエハ１３及び支持用ディスク１０３の間にエア溜まりが発生しても、粘着シート１０４が液状体であるため、容易にエア抜きを行うことができる。
【０１０２】
図１３は、本第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における剥離処理を示す工程図である。
【０１０３】
まず、半導体ウエハ脱着装置１００は、吸着口１５によって半導体ウエハ１３の外縁近傍を真空吸着すると共に、ピストン１６によって半導体ウエハ１３の中央部を押圧し（図１３（ａ））、調温装置１０１によって粘着シート１０４の全面を加熱して粘着シート１０４を液体化した後、ガスノズル１７から支持用ディスク１０３の中心部に向けてガスを噴出すると共に、ピストン１６に対して本体１４を相対的に上方へ移動させることによって半導体ウエハ１３を支持用ディスク１０３に対向する凸形状に変形させる（図１３（ｂ））。
【０１０４】
そして、半導体ウエハ脱着装置１００は、半導体ウエハ１３を凸形状に変形させたまま粘着シート１０４から剥離し（図１３（ｃ））、ピストン１６を本体１４に対して相対的に上方に移動させることによって半導体ウエハ１３の中央部を押圧する荷重を抜重して半導体ウエハ１３を平板状に復元する（図１３（ｄ））。
【０１０５】
図１３の剥離処理によれば、半導体ウエハ脱着装置１００は、調温装置１０１によって粘着シート１０４の液状化及び結晶化を調整することができるため、粘着シート１０４が液状化した後、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１０３に対向する凸形状に変形させることができ、もって半導体ウエハ１３を粘着シート１０４から容易に剥離することができる。
【０１０６】
また、図１３の処理において、凸形状に変形された半導体ウエハ１３を粘着シート１０４から剥離した後、ピストン１６を本体１４に対して相対的に上方に移動させる（図１３（ｃ），（ｄ））のではなく、凸形状に変形された半導体ウエハ１３の中心部を粘着シート１０４に粘着させたまま、ピストン１６を本体１４に対して相対的に上方に移動させることによって半導体ウエハ１３の中央部を押圧する荷重を抜重して、当該中央部を半導体ウエハ１３のばね力によって粘着シート１０４から剥離させてもよい。これにより、半導体ウエハ１３の割れや欠けの発生を確実に防止できる。
【０１０７】
また、調温装置１０１の構成は上述した構成に限られず、用途に応じて他の構成を採ってもよい。
【０１０８】
図１４は、他の調温装置を内部に有する基板１０２の平面図である。
【０１０９】
図１４において、調温装置１４０は、基板１０２の中央部において中心から放射状に配設された複数の電熱線１４１と、基板１０２の外周部において中心から放射状に配設された複数の電熱線１４２とで構成してもよい。これにより、粘着シート１０４の中心部及び外周部の温度を別々に調整することができ、もって、図１１（ｂ）の工程において、先に粘着シート１０４の中心部を液状化して、凸形状に変形された半導体ウエハ１３を当該中心部に密着させた後、粘着シート１０４の外周部を液状化することによってエア溜まりの発生をより確実に防止することができると共に、図１２（ｂ）の工程において、先に粘着シート１０４の外周部を液状化して、半導体ウエハ１３を外周部から先に剥離させた後、粘着シート１０４の中心部を液状化することによって半導体ウエハ１３に局所的な加重が負荷されるのを確実に防止し、半導体ウエハ１３の割れや欠けの発生を確実に防止できる。
【０１１０】
図１５は、さらに他の調温装置を内部に有する基板１０２の平面図である。
【０１１１】
図１５において、調温装置１５０は、基板１０２の中央部において円周方向に沿って配設された複数の電熱線１５１と、基板１０２の外周部において円周方向に沿って配設された複数の電熱線１５２とを有してもよく、これにより、図１４の調温装置１４０と同様の効果を得ることができる。尚、調温装置１５０は、電熱線１５１及び電熱線１５２を１つずつ有してもよい。
【０１１２】
図１６は、さらに他の調温装置を内部に有する基板１０２の平面図である。
【０１１３】
図１６において、調温装置１６０は、基板１０２の中央部において花弁状に配設された電熱線１６１と、基板１０２の外周部において円周方向に沿って配設された電熱線１６２とを有してもよく、これにより、図１４の調温装置１４０と同様の効果を得ることができる。
【０１１４】
また、粘着シート１０４を液晶材料に代えて、ワックス（蝋）で構成してもよく、ワックスも高温域で液体になり、低温域で固体になるという性質を有するため、粘着シート１０４を液晶材料で構成した場合と同様の効果を得ることができる。
【０１１５】
さらに、粘着シート１２，１０４をシリコンラバーによって構成してもよく、シリコンラバーを構成する分子と半導体ウエハ１３を構成する分子との分子間力（ファン・デル・ワールス力）、及びシリコンラバーを構成する分子と支持用ディスク１１，１０３を構成する分子との分子間力によって半導体ウエハ１３と支持用ディスク１１，１０３とを確実に貼着させることができる。
【０１１６】
この他、粘着シート１２，１０４は、半導体ウエハ１３を支持用ディスク１１，１０３に密着させるものであれば如何なるものでも用いることができ、例えば、グリスのような高粘度の液体、並びにシリコンラバーに伝熱性向上材を混合して形成されたシート等が好ましい。
【０１１７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、請求項１記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハを用いるので、半導体ウエハを保護基板に貼着した状態で裏面を旋削して厚みを整える旋削加工を省略して、この旋削加工中に半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生する事態を無くし、製品の歩留まりを向上できるという効果がある。
また、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスク上の粘着シートに対して、半導体ウエハを密着させるように移動する際に、半導体ウエハの突出された中央部を粘着シートに最初に接触させ、中央部から外周部に向けて貼着範囲が広がるように押し当てて空気が残らないように密着させるので、エア溜まりが発生することを防止して適切に貼着できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体チップの厚みに形成された薄肉の半導体ウエハを、支持用ディスク上に貼着して、半導体素子の形成処理（不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理、パターン形成の処理等）と、ダイシングの処理を行う。このため、半導体ウエハが半導体チップの厚みに形成されているため低剛性となっていても、支持用ディスク１１に支持されて半導体ウエハの変形が防止されるので、ハンドリング時に半導体ウエハが変形することを防止して、高精度な加工処理を実行できるという効果がある。
加えて、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体ウエハを加工処理するための半導体素子形成装置に適合した大きさ及び形状の支持用ディスクを選択して利用できる。よって、半導体素子形成装置では、所要の加工処理を行う各処理部へ移動する際の搬送を容易にし、移動時の取り扱いを容易にして、作業性を向上できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスクと半導体ウエハとの間に配設された温度により相変化する接着材料により構成される粘着シートの温度を調整するので、互いに接着された支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生していないことが確認された後、粘着シートを凝固させることができ、もって支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生するのを確実に防止することができる。
【０１１８】
請求項２記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハを用いるので、半導体ウエハを保護基板に貼着した状態で裏面を旋削して厚みを整える旋削加工を省略して、この旋削加工中に半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生する事態を無くし、製品の歩留まりを向上できるという効果がある。
また、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスク上の粘着シートに対して、半導体ウエハを密着させるように移動する際に、半導体ウエハの突出された中央部を粘着シートに最初に接触させ、中央部から外周部に向けて貼着範囲が広がるように押し当てて空気が残らないように密着させるので、エア溜まりが発生することを防止して適切に貼着できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体チップの厚みに形成された薄肉の半導体ウエハを、支持用ディスク上に貼着して、半導体素子の形成処理（不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理、パターン形成処理等）を行う。このため、半導体ウエハが半導体チップの厚みに形成されているため低剛性となっていても、支持用ディスクに支持されて半導体ウエハの変形が防止されるので、ハンドリング時に半導体ウエハが変形することを防止して、高精度な加工処理を実行できるという効果がある。
加えて、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体ウエハを加工処理するための半導体素子形成装置に適合した大きさ及び形状の支持用ディスクを選択して利用できる。よって、半導体素子形成装置では、所要の加工処理を行う各処理部へ移動する際の搬送を容易にし、移動時の取り扱いを容易にして、作業性を向上できるという効果がある。
また、半導体素子が形成された半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に外縁近傍を吸着して凸形状に突出させるように変形させることにより、支持用ディスク上に貼着されている半導体ウエハを、その周囲から徐々に剥がすように構成した場合には、局所的な荷重の発生を抑制して半導体ウエハの割れや欠けの発生を抑制することができ、安定した剥離を実現することができるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体素子が形成された半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に、外縁近傍を吸着して凸形状に突出させるように変形させるので、半導体ウエハを支持用ディスクから剥離する際に、半導体ウエハの中心部を最後に剥離させることができる。よって局所的な荷重の発生を確実に防止し半導体ウエハの割れや欠けの発生を確実に防止することができる。
【０１１９】
請求項３記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハを用いるので、半導体ウエハを保護基板に貼着した状態で裏面を旋削して厚みを整える旋削加工を省略して、この旋削加工中に半導体ウエハの位置ズレ等に起因する割れや欠けが発生する事態を無くし、製品の歩留まりを向上できるという効果がある。
また、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスク上の粘着シートに対して、半導体ウエハを密着させるように移動する際に、半導体ウエハの突出された中央部を粘着シートに最初に接触させ、中央部から外周部に向けて貼着範囲が広がるように押し当てて空気が残らないように密着させるので、エア溜まりが発生することを防止して適切に貼着できるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体チップの厚みに形成された薄肉の半導体ウエハを、支持用ディスク上に貼着して、半導体素子の形成処理（不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理、パターン形成処理等）を行う。このため、半導体ウエハが半導体チップの厚みに形成されているため低剛性となっていても、支持用ディスクに支持されて半導体ウエハの変形が防止されるので、ハンドリング時に半導体ウエハが変形することを防止して、高精度な加工処理を実行できるという効果がある。
加えて、この薄肉半導体チップの製造方法では、半導体ウエハを加工処理するための半導体素子形成装置に適合した大きさ及び形状の支持用ディスクを選択して利用できる。よって、半導体素子形成装置では、所要の加工処理を行う各処理部へ移動する際の搬送を容易にし、移動時の取り扱いを容易にして、作業性を向上できるという効果がある。
また、半導体素子が形成された半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に外縁近傍を吸着して凸形状に突出させるように変形させることにより、支持用ディスク上に貼着されている半導体ウエハを、その周囲から徐々に剥がすように構成した場合には、局所的な荷重の発生を抑制して半導体ウエハの割れや欠けの発生を抑制することができ、安定した剥離を実現することができるという効果がある。
さらに、この薄肉半導体チップの製造方法では、支持用ディスクと半導体ウエハとの間に配設された温度により相変化する接着材料により構成される粘着シートの温度を調整するので、互いに接着された支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生していないことが確認された後、粘着シートを凝固させることができ、もって支持用ディスクと半導体ウエハとの間にエア溜まりが発生するのを確実に防止することができる。
【０１２０】
請求項４記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、支持用ディスクと半導体ウエハとの間に配設された温度により相変化する接着材料からなる粘着シートの温度を、半導体ウエハを剥離する際に調整するので、互いに接着された支持用ディスクと半導体ウエハとの間で凝固している粘着シートを温度調整して液状化させた後、半導体ウエハを支持用ディスクから剥離させることができるので、剥離作業を容易にすることができる。さらに、局所的な荷重の発生を防止することができるので、半導体ウエハの割れや欠けの発生を確実に防止することができる。
【０１２１】
請求項５記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハの外縁の外側から支持用ディスクと半導体ウエハとの間に流体を吐出するので、半導体ウエハの支持用ディスクからの剥離の際、半導体ウエハの外縁を最初に剥離させることができ、もって局所的な荷重の発生をより確実に防止することができる。これにより、半導体ウエハの割れや欠けの発生をより確実に防止することができるという効果がある。
【０１２３】
請求項７記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハの外縁近傍における複数箇所を吸着するので、半導体ウエハの支持用ディスクへの貼着の際、半導体ウエハは凸形状を安定して呈することができ、半導体ウエハの外縁が最初に支持用ディスクに接触するのを防止することができる。また、半導体ウエハを支持用ディスクからの剥離する場合には、半導体ウエハの外縁を確実に最初に剥離させることができ、もって局所的な荷重の発生をさらに確実に防止することができるという効果がある。
【０１２４】
請求項８記載の薄肉半導体チップの製造方法によれば、半導体ウエハを真空吸着するので、半導体ウエハを安定して保持することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１における線II−IIに沿う断面図である。
【図３】図１の半導体ウエハ脱着装置１０の概略構成を示す平面図である。
【図４】図１の半導体ウエハ脱着装置１０が使用される基板処理システム４０の概略構成を示す図である。
【図５】半導体ウエハ１３から半導体チップを製造する製造処理を示す工程図である。
【図６】半導体ウエハ１３の支持用ディスク１１への貼着及び剥離の手順を示す工程図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における貼着処理を示す工程図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における剥離処理を示す工程図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における剥離処理を示す工程図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置の概略構成を示す断面図である。
【図１１】図１０における調温装置１０１を内部に有する基台１０２の平面図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における貼着処理を示す工程図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る半導体ウエハ脱着装置における剥離処理を示す工程図である。
【図１４】他の調温装置を内部に有する基台１０２の平面図である。
【図１５】さらに他の調温装置を内部に有する基台１０２の平面図である。
【図１６】さらに他の調温装置を内部に有する基台１０２の平面図である。
【図１７】従来の半導体ウエハから薄肉の半導体チップを製造する製造処理を示す工程図である。
【符号の説明】
１０ 半導体ウエハ脱着装置
１１，１０３ 支持用ディスク
１２，１０４ 粘着シート
１３ 半導体ウエハ
１４ 本体
１５ 吸着口
１６ ピストン
１７ ガスノズル
１８ ガイド
４０ 基板処理システム
４１ 基板処理装置
１０１ 調温装置
１０２ 基台
Claims (8)
- 半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハの外縁近傍を吸着保持すると共に中央部のみを押圧して凸形状に変形させる吸着工程と、
所望の処理を行う基板処理装置に適合した支持用ディスク上の粘着シートに対して、前記半導体ウエハの凸面中央部を最初に接触させてからエア溜まりが発生しないように、半導体ウエハを密着させる貼着工程と、
前記支持用ディスクに貼着された状態の前記半導体ウエハに対して、前記半導体ウエハにイオン打ち込み処理による不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理及びドライエッチング処理によるパターン形成処理により半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、
前記半導体素子が形成された前記半導体ウエハを前記支持用ディスクに粘着した状態で半導体チップに切り分けるダイシング工程と、を有し、
さらに、前記粘着シートを温度により相変化する接着材料で構成し、前記貼着工程前に、前記粘着シートが液状化するように前記粘着シートの温度を調整する調温工程を設けたことを特徴とする薄肉半導体チップの製造方法。 - 半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハの外縁近傍を吸着保持すると共に中央部のみを押圧して凸形状に変形させる吸着工程と、
所望の処理を行う基板処理装置に適合した支持用ディスク上の粘着シートに対して、前記半導体ウエハの凸面中央部を最初に接触させてからエア溜まりが発生しないように、半導体ウエハを密着させる貼着工程と、
前記支持用ディスクに貼着された状態の前記半導体ウエハに対して、前記半導体ウエハにイオン打ち込み処理による不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理及びドライエッチング処理によるパターン形成処理により半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、
前記半導体素子が形成された前記半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に、外縁近傍を吸着して凸形状に変形させることにより、前記粘着シートから前記半導体ウエハを前記半導体ウエハの周囲から徐々に剥がす剥離工程と、を有し、
前記剥離工程では、前記半導体ウエハの周囲を剥がした後に、前記半導体ウエハの中央部のみを押圧していた押圧力を抜重することにより発生する前記半導体ウエハの弾性反力を利用して、前記半導体ウエハを前記支持用ディスクから剥離させることを特徴とする薄肉半導体チップの製造方法。 - 半導体チップの厚みに形成された半導体ウエハの外縁近傍を吸着保持すると共に中央部のみを押圧して凸形状に変形させる吸着工程と、
所望の処理を行う基板処理装置に適合した支持用ディスク上の粘着シートに対して、前記半導体ウエハの凸面中央部を最初に接触させてからエア溜まりが発生しないように、半導体ウエハを密着させる貼着工程と、
前記支持用ディスクに貼着された状態の前記半導体ウエハに対して、前記半導体ウエハにイオン打ち込み処理による不純物導入処理、ＣＶＤ法による薄膜形成処理及びドライエッチング処理によるパターン形成処理により半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、
前記半導体素子が形成された前記半導体ウエハの中央部のみを押圧すると共に、外縁近傍を吸着して凸形状に変形させることにより、前記粘着シートから前記半導体ウエハを前記半導体ウエハの周囲から徐々に剥がす剥離工程と、を有し、
さらに、前記粘着シートを温度により相変化する接着材料で構成し、前記貼着工程前に、前記粘着シートが液状化するように前記粘着シートの温度を調整する調温工程を設けたことを特徴とする薄肉半導体チップの製造方法。 - 前記粘着シートを、温度により相変化する接着材料で構成し、
前記剥離工程において、前記粘着シートが液状化するように前記粘着シートの温度を調整することを特徴とする請求項２記載の薄肉半導体チップの製造方法。 - 前記半導体ウエハの外縁の外側から、前記支持用ディスクと前記半導体ウエハとの間に流体を吐出する吐出工程を有することを特徴とする請求項２又は３に記載の薄肉半導体チップの製造方法。
- 前記剥離工程で前記支持用ディスクから剥離された前記半導体ウエハを、他の処理を行う前記基板処理装置に適合した支持用ディスクに貼着して、前記他の処理を行う基板処理装置により処理作業を行うことを特徴とする請求項２，３，５のいずれか１項に記載の薄肉半導体チップの製造方法。
- 前記吸着工程では、前記半導体ウエハの外縁近傍における複数箇所を吸着することを特徴とする請求項１乃至３，５，６のいずれか１項に記載の薄肉半導体チップの製造方法。
- 前記吸着工程では、前記半導体ウエハを真空吸着により保持することを特徴とする請求項１乃至３及び５乃至７のいずれか１項に記載の薄肉半導体チップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003028532A JP4614626B2 (ja) | 2003-02-05 | 2003-02-05 | 薄肉半導体チップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003028532A JP4614626B2 (ja) | 2003-02-05 | 2003-02-05 | 薄肉半導体チップの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004241568A JP2004241568A (ja) | 2004-08-26 |
| JP4614626B2 true JP4614626B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=32955980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003028532A Expired - Fee Related JP4614626B2 (ja) | 2003-02-05 | 2003-02-05 | 薄肉半導体チップの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4614626B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117441A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Creative Technology:Kk | ワーク保持装置 |
| JP2010118588A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護テープの剥離方法 |
| US8366873B2 (en) * | 2010-04-15 | 2013-02-05 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers |
| EP2706562A3 (de) * | 2009-09-01 | 2014-09-03 | EV Group GmbH | Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Trägersubstrat mittels Kippens eines Filmrahmens |
| JP5489808B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-05-14 | 株式会社ディスコ | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP5548535B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2014-07-16 | 株式会社ディスコ | 紫外線照射装置 |
| JP6025759B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離システム |
| JP5411177B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2014-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2013062431A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 接合装置、接合方法、接合システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| US8945344B2 (en) * | 2012-07-20 | 2015-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Systems and methods of separating bonded wafers |
| DE102012111246A1 (de) * | 2012-11-21 | 2014-05-22 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Bonden |
| JP6196123B2 (ja) | 2013-10-18 | 2017-09-13 | 東芝メモリ株式会社 | チャッククリーナ及びクリーニング方法 |
| KR101502239B1 (ko) * | 2013-11-29 | 2015-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 기판분리장치 |
| JP6289922B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2018-03-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2020136048A1 (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | Asml Holding N.V. | Apparatus and method for cleaning a support structure in a lithographic system |
| US11094575B2 (en) * | 2019-06-03 | 2021-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Simultaneous bonding approach for high quality wafer stacking applications |
| JP7465552B2 (ja) * | 2021-02-10 | 2024-04-11 | Ａｉメカテック株式会社 | 基板貼り付け装置及び基板貼り付け方法 |
| CN114334776A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-12 | 深圳鼎晶科技有限公司 | 一种可调温的吸附装置及晶圆转移设备 |
| JP7240479B1 (ja) | 2021-12-27 | 2023-03-15 | Ｔｏｗａ株式会社 | テープ貼付装置、樹脂成形システム、テープ貼付方法、および樹脂成形品の製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05259276A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェーハへのテープ添着方法とその装置 |
| JPH06268051A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ剥し装置 |
| JP2001144037A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
| JP2001179578A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ研磨方法及びウェーハ研磨装置 |
| JP2001345381A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2002059363A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-02-26 | Chemitoronics Co Ltd | ウエーハ支持体 |
| JP2002217198A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
2003
- 2003-02-05 JP JP2003028532A patent/JP4614626B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05259276A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェーハへのテープ添着方法とその装置 |
| JPH06268051A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ剥し装置 |
| JP2001144037A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
| JP2001179578A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ研磨方法及びウェーハ研磨装置 |
| JP2001345381A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2002059363A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-02-26 | Chemitoronics Co Ltd | ウエーハ支持体 |
| JP2002217198A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004241568A (ja) | 2004-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4614626B2 (ja) | 薄肉半導体チップの製造方法 | |
| TW529095B (en) | Method of dividing wafer and manufacture of semiconductor device | |
| US7846288B2 (en) | Methods and systems for removing protective films from microfeature workpieces | |
| TWI278943B (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| TWI398916B (zh) | 用以剝離電子組件的方法及設備 | |
| US9484236B2 (en) | Joining method and joining system | |
| US20120216959A1 (en) | Combination of a substrate and a wafer | |
| JP2004153159A (ja) | 半導体ウェハの保護部材貼着方法及びその装置 | |
| KR20190012112A (ko) | 반도체 칩의 픽업 장치, 반도체 칩의 실장 장치 및 실장 방법 | |
| JP2004063645A (ja) | 半導体ウェハの保護部材剥離装置 | |
| US10804131B2 (en) | Carrier plate removing method | |
| US20070099550A1 (en) | Wafer grinding and tape attaching apparatus and method | |
| US9463612B2 (en) | Joining method and joining system | |
| JP4416108B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP5528405B2 (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム | |
| JP2013172122A (ja) | ダイボンダ | |
| KR20180015192A (ko) | 전자 부품의 제조 방법 및 처리 시스템 | |
| JP2006237492A (ja) | ウエハ処理装置 | |
| CN113795911B (zh) | 用于晶片的衬底处置装置 | |
| JP5717502B2 (ja) | 半導体チップ用保持具及びその使用方法 | |
| TWI812550B (zh) | 鍵合基板的分離方法 | |
| TW561542B (en) | Process and apparatus for grinding a wafer backside | |
| EP4492435A1 (en) | Chip bonding apparatus, chip processing system, and chip processing method | |
| WO2019031374A1 (ja) | 基板処理方法 | |
| JP2019192776A (ja) | 粘着テープ搬送方法および粘着テープ搬送装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060124 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060124 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080814 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081030 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090820 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100209 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100406 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101013 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101019 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |