JP4599666B2 - 導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、IC、LSI等の半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ基板等に接着するのに好適な導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置を製造する際の半導体素子とリードフレーム(支持部材)の接合方法として、(1)金−シリコン共晶体等の無機材料を接着剤として用いる方法、(2)エポキシ樹脂等の有機材料に銀粉等を分散させてペースト状態とし、これを接着剤として用いる方法などがある。しかしながら、前者の方法ではコストが高く、350℃から400℃程度の高い熱処理が必要であり、また接着剤が硬く、熱応力によってチップの破壊が起こるため、最近では銀粉を含んだ銀ペーストを用いる後者の方が主流となっている。
【0003】
しかしながら、この方法では、導電性のために必要な銀粉等の導電性フィラー比重がエポキシ樹脂等の有機材料に比べ重いため、樹脂と銀粉等の導電性フィラーの分離が生じて、ペーストの吐出量が大きくバラツク問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、樹脂と導電性フィラーの分離を抑制し、吐出のバラツキが少ない導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、(A)アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、(B)ラジカル開始剤、(C)カーボンビーズ表面に銀メッキをした導電性フィラーを含有してなる導電性樹脂ペースト組成物を提供するものである。
【0006】
また、本発明は、上記の導電性樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止してなる半導体装置を提供するものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明に用いられる(A)成分のアクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物としては、1分子中に1個以上のアクリロイル基又はメタクリロイル基を含有するアクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物であれば、特に制限なく使用することができる。例えば、下記の一般式(I)〜(X)で表わされる化合物が使用できる。
【0008】
【化1】
〔式中、R1は水素又はメチル基を表し、R2は炭素数1〜100、好ましくは炭素数1〜36の2価の脂肪族又は環状構造を持つ脂肪族炭化水素基を表す〕
で示される化合物。
【0009】
一般式(I)で示される化合物としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、t−ブチルアクリレート、アミルアクリレート、イソアミルアクリレート、ヘキシルアクリレート、ヘプチルアクリレート、オクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ノニルアクリレート、デシルアクリレート、イソデシルアクリレート、ラウリルアクリレート、トリデシルアクリレート、ヘキサデシルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソステアリルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デシルアクリレート、2−(トリシクロ)[5.2.1.02,6]デカ−3−エン−8又は9−イルオキシエチルアクリレート等のアクリレート化合物、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、n−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、アミルメタクリレート、イソアミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、ヘプチルメタクリレート、オクチルメタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、ノニルメタクリレート、デシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、トリデシルメタクリレート、ヘキサデシルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、イソステアリルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、トリシクロ [5.2.1.02,6]デシルメタクリレート、2−(トリシクロ)[5.2.1.02,6]デカ−3−エン−8又は9−イルオキシエチルメタクリレート等のメタクリレート化合物がある。
(2)一般式(II)
【0010】
【化2】
〔式中、R1及びR2はそれぞれ前記のものを表す〕
で示される化合物。
【0011】
一般式(II)で示される化合物としては、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、ダイマージオールモノアクリレート等のアクリレート化合物、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ダイマージオールモノメタクリレート等のメタクリレート化合物等がある。
(3)一般式(III)
【0012】
【化3】
〔式中、R1は前記のものを表し、R3は水素、メチル基又はフェノキシメチル基を表し、R4は水素、炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基又はベンゾイル基を表し、nは1〜50の整数を表す〕
で示される化合物。
【0013】
一般式(III)で示される化合物としては、ジエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリプロピレングリコールアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、2−エトキシエチルアクリレート、2−ブトキシエチルアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、2−フェノキシエチルアクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、2−ベンゾイルオキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート等のアクリレート化合物、ジエチレングリコールメタクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート、ポリプロピレングリコールメタクリレート、2−メトキシエチルメタクリレート、2−エトキシエチルメタクリレート、2−ブトキシエチルメタクリレート、メトキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、2−フェノキシエチルメタクリレート、フェノキシジエチレングリコールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタクリレート、2−ベンゾイルオキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルメタクリレート等のメタクリレート化合物等がある。
(4)一般式(IV)
【0014】
【化4】
〔式中、R1は前記のものを表し、R5はフェニル基、ニトリル基、−Si (OR6)3(R6は炭素数1〜6のアルキル基を表す)、下記の式の基
【0015】
【化5】
(R7、R8及びR9はそれぞれ独立に水素又は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R10は水素又は炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基を表す)を表し、mは0、1、2又は3の数を表す〕
で示される化合物。
【0016】
一般式(IV)で示される化合物としては、ベンジルアクリレート、2−シアノエチルアクリレート、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチルアクリレート、1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジニルアクリレート、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルアクリレート、アクリロキシエチルホスフェート、アクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタレート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネート等のアクリレート化合物、ベンジルメタクリレート、2−シアノエチルメタクリレート、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、テトラヒドロピラニルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート、1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジニルメタクリレート、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニルメタクリレート、メタクリロキシエチルホスフェート、メタクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェート等のメタクリレート、β−メタクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタレート、β−メタクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネート等のメタクリレート化合物がある。
(5)一般式(V)
【0017】
【化6】
〔式中、R1及びR2はそれぞれ前記のものを表す〕
で示される化合物。
【0018】
一般式(V)で示される化合物としては、エチレングリコールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,9−ノナンジオールジアクリレート、1,3−ブタンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ダイマージオールジアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート等のジアクリレート化合物、エチレングリコールジメタクリレート、1,4−ブタンジオールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、1,9−ノナンジオールジメタクリレート、1,3−ブタンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、ダイマージオールジメタクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジメタクリレート等のジメタクリレート化合物がある。
(6)一般式(VI)
【0019】
【化7】
〔式中、R1、R3及びnはそれぞれ前記のものを表し、ただし、R3が水素又はメチル基であるとき、nは1ではない〕
で示される化合物。
【0020】
一般式(VI)で示される化合物としては、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート等のジアクリレート化合物、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、トリプロピレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート等のジメタクリレート化合物がある。
(7)一般式(VII)
【0021】
【化8】
〔式中、R1は前記のものを表し、R11及びR12はそれぞれ独立に水素又はメチル基を表す〕
で示される化合物。
【0022】
一般式(VII)で示される化合物としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールAD1モルとグリシジルアクリレート2モルとの反応物、ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールAD1モルとグリシジルメタクリレート2モルとの反応物等がある。
(8)一般式(VIII)
【0023】
【化9】
〔式中、R1、R11及びR12はそれぞれ前記のものを表しR13及びR14はそれぞれ独立に水素又はメチル基を表し、p及びqはそれぞれ独立に1〜20の整数を表す〕
で示される化合物。
【0024】
一般式(VIII)で示される化合物としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールADのポリエチレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールADのポリプロピレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールADのポリエチレンオキサイド付加物のジメタクリレート、ビスフェノールA、ビスフェノールF又はビスフェノールADのポリプロピレンオキサイド付加物のジメタクリレート等がある。
(9)一般式(IX)
【0025】
【化10】
〔式中、R1は前記のものを表し、R15、R16、R17及びR18はそれぞれ独立に水素又はメチル基を表し、xは1〜20の整数を表す〕
で示される化合物。
【0026】
一般式(IX)で示される化合物としては、ビス(アクリロキシプロピル)ポリジメチルシロキサン、ビス(アクリロキシプロピル)メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー、ビス(メタクリロキシプロピル)ポリジメチルシロキサン、ビス(メタクリロキシプロピル)メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー等がある。
(10)一般式(X)
【0027】
【化11】
〔式中、R1は前記のものを表し、r、s、t及びuはそれぞれ独立に繰り返し数の平均値を示す0以上の数であり、r+tは0.1以上、好ましくは0.3〜5であり、s+uは1以上、好ましくは1〜100である〕
で示される化合物。
【0028】
一般式(X)で示される化合物としては、無水マレイン酸を付加させたポリブタジエン又はその水素添加物と、2−ヒドロキシエチルアクリレート又は2−ヒドロキシエチルメタクリレートを反応させて得られる反応物及びその水素添加物があり、例えばMM−1000−80、MAC−1000−80(共に、日本石油化学(株)商品名)等がある。
【0029】
(A)成分のアクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物としては、上記の化合物を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
【0030】
本発明に用いられる(B)成分のラジカル開始剤としては特に制限はないが、ボイド等の点から過酸化物が好ましく、また導電性樹脂ペースト組成物の硬化性及び粘度安定性の点から、急速加熱試験での過酸化物の分解温度が70〜170℃のものが好ましい。
【0031】
ラジカル開始剤の具体例としては、1,1,3,3−テトラメチルパーオキシ2−エチルヘキサノエート、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロドデカン、ジ−t−ブチルパーオキシイソフタレート、t−ブチルパーベンゾエート、ジクミルパーオキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン、クメンハイドロパーオキサイド等がある。
【0032】
ラジカル開始剤の配合量は、(A)成分の総量100重量部に対して0.1〜10重量部が好ましく、0.5〜5重量部が特に好ましい。この配合割合が0.1重量部未満であると、硬化性が低下する傾向があり、10重量部を超えると、揮発分が多くなり、硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じ易くなる傾向がある。
【0033】
本発明に(C)成分として用いられる導電性フィラーは平均粒径が1〜20μmのカーボンビーズ表面に銀メッキをしたフィラーが好ましく、カーボンビーズの平均粒径は10μm以下であることがより好ましく、さらに5μm以下であることが好ましい。このようなフィラーの市販品としては、CBAG−101060(三井鉱山マテリアル(株)製、商品名)が挙げられる。
【0034】
(C)成分の導電性フィラーの配合量は、接着性、導電性、作業性の点から、導電性樹脂ペースト組成物総量100重量部に対して20〜80重量部が好ましく、30〜75重量部がより好ましい。
【0035】
本発明に用いられる可とう化材としては、例えば、各種の液状ゴムや熱可塑性樹脂が好適に用いられるが、例えばポリブタジエン、エポキシ化ポリブタジエン、マレイン化ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエンゴム、カルボキシ末端アクリロニトリルブタジエンゴム、アミノ末端アクリロニトリルブタジエンゴム、ビニル末端アクリロニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム等の液状ゴム、ウレタンアクリレート、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸メチル、ε−カプロラクトン変性ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリイミド等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
【0036】
液状ゴムとしては、数平均分子量が500〜10000のものが好ましく、800〜3000のものがより好ましい。分子量が小さすぎるとチップ反りの低減効果に劣る傾向があり、分子量が大きすぎると導電性樹脂ペースト組成物の粘度が上昇し作業性に劣る傾向がある。数平均分子量は、蒸気圧浸透法で測定した値又はゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより標準ポリスチレンの検量線を利用して測定(以下、GPC法という)した値である。熱可塑性樹脂としては、数平均分子量が500〜10000のものが好ましく、800〜3000のものがより好ましい。分子量が小さすぎるとチップ反りの低減効果に劣る傾向があり、分子量が大きすぎると導電性樹脂ペースト組成物の粘度が上昇し作業性に劣る傾向がある。
【0037】
また可とう化材の配合量としては、(A)成分100重量部に対して10〜100重量部使用することが好ましく、30〜80重量部使用することがより好ましい。この配合量が10重量部未満である可とう化効果に劣り、100重量部を超えると、粘度が増大し、導電性樹脂ペースト組成物の作業性が低下する傾向がある。
【0038】
本発明に用いられるカップリング剤としては特に制限はなく、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコネート系カップリング剤、ジルコアルミネート系カップリング剤等の各種のものが用いられる。
【0039】
カップリング剤の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニル−トリス(2−メトキシエトキシ)シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、メチルトリ(メタクリロキシエトキシ)シラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−(4,5−ジヒドロイミダゾリル)プロピルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジイソプロペノキシシラン、メチルトリグリシドキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、エトキシシラントリイソシアネート等のシランカップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチル−1−ブチル)ビス(ジ−トリデシル)ホスファイトチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリロイルイソステアロイルチタネート、イソプロピル(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリ(N−アミノエチル・アミノエチル)チタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート等のチタネート系カップリング剤、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピオネート等のアルミニウム系カップリング剤、テトラプロピルジルコネート、テトラブチルジルコネート、テトラ(トリエタノールアミン)ジルコネート、テトライソプロピルジルコネート、ジルコニウムアセチルアセトネートアセチルアセトンジルコニウムブチレート、ステアリン酸ジルコニウムブチレート等のジルコネート系カップリング剤等がある。
【0040】
カップリング剤の配合量は、(A)成分の総量100重量部に対して0.1〜10重量部が好ましく、0.5〜5重量部が特に好ましい。この配合割合が0.1重量部未満であると、接着強度の向上効果に劣る傾向があり、10重量部を超えると、揮発分が多くなり、硬化物中にボイドが生じ易くなる傾向がある。
【0041】
本発明になる導電性樹脂ペースト組成物には、さらに必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸湿剤、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、高級脂肪酸等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ剤等、粘度調整のための溶剤を単独又は数種類を組み合わせて、適宜添加することができる。
【0042】
本発明になる導電性樹脂ペースト組成物を製造するには、(A)アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、(B)ラジカル開始剤及び(C)カーボンビーズ表面に銀メッキをした導電性フィラーを、必要に応じて用いられる可とう化材、カップリング剤及び上記各種添加剤と共に、一括又は分割して撹拌器、らいかい器、3本ロール、プラネタリーミキサー等の分散・溶解装置を適宜組み合わせ、必要に応じて加熱して混合、溶解、解粒混練又は分散して均一なペースト状とすれば良い。
【0043】
本発明においては、さらに上記のようにして製造した導電性樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止することにより半導体装置とすることができる。
【0044】
支持部材としては、例えば、42アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、ガラスエポキシ基板(ガラス繊維強化エポキシ樹脂からなる基板)、BT基板(シアネートモノマー及びそのオリゴマーとビスマレイミドからなるBTレジン使用基板)等の有機基板が挙げられる。
【0045】
本発明の導電性樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子をリードフレーム等の支持部材に接着させるには、まず支持部材上に導電性樹脂ペースト組成物をディスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等により塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オーブン又はヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化することにより行うことができる。さらに、必要に応じ、ワイヤボンド工程を経た後、通常の方法により封止することにより完成された半導体装置とすることができる。
【0046】
上記加熱硬化は、低温での長時間硬化の場合や、高温での速硬化の場合により異なるが、通常、温度100〜300℃、好ましくは130〜220℃で、5秒〜3時間、好ましくは15秒〜1時間行うことが好ましい。
【0047】
【実施例】
以下、本発明の実施例及びその比較例によって本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0048】
なお、以下の実施例及び比較例で用いた材料は、下記の方法で作製したもの、あるいは入手したものである。
【0049】
(1)アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物
R−551(日本化薬社製ジアクリレートの商品名、ビスフェノールAポリエチレングリコールジアクリレート、一般式(VIII)、R1=H、R11=CH3、R12=CH3、R13=H、R14=H、p= 1〜20、q=1〜20)、
ラウリルアクリレート(一般式(I)、R1=H、R2=−C12H24−)
(2)可とう化材
E−1000−6.5(日本石油化学社製エポキシ化ポリブタジエンの商品名、エポキシ当量=246、数平均分子量=約1000)
(3)ラジカル開始剤
ジクミルパーオキサイド
(4)カップリング剤
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
(5)充填材
TCG−1(徳力化学研究所社製の銀粉の商品名、平均粒径=2μm)
カーボンビーズ表面に銀メッキをしたフィラー(平均粒径5μm、三井鉱山マテリアル株式会社製CBAG−101060)
実施例1〜3及び比較例1〜2
表1に示す配合割合で各成分を混合し、3本ロールを用いて混練した後、1333.224Pa(10トル(Torr))以下で10分間脱泡処理を行い、導電性樹脂ペースト組成物を得た。
【0050】
この導電性樹脂ペースト組成物の特性(粘度、接着強度、ピール強度及びフィラー沈降性)を下記の方法で測定し、結果を表1に示す。
▲1▼粘度
EHD型回転粘度計(東京計器株式会社製)を用いて25℃における粘度(Pa・s)を測定した。
▲2▼接着強度
導電性樹脂ペースト組成物をAgめっき付き銅リードフレーム上に約80μg塗布し、この上に2mm×2mmのSiチップ(厚さ約0.4mm)を圧着し、更に200℃に設定したヒートブロック上に載せ、60秒加熱した。この試料について自動接着力試験装置(Dage社製、マイクロテスター)を用いて室温における剪断接着強度(N/チップ)を測定した。
▲3▼ピール強度
導電性樹脂ペースト組成物を42アロイ上に約1.0mg塗布し、この上に8mm×8mmのSiチップ(厚さ約0.4mm)を圧着し、更に200℃に設定したヒートブロック上に載せ、60秒加熱した。この試料について自動接着力試験装置(日立化成工業(株)製)を用いて240℃における引き剥し強さ(N/チップ)を測定した。
▲4▼フィラー沈降性
上記実施例及び比較例により得た導電性樹脂ペースト組成物を10ccシリンジ中に5cc充填し、シリンジ下部より導電性樹脂ペースト組成物を2gるつぼに採取し、電気炉内で600℃で2時間加熱し、残存物の重量(A)を測定した。同様に、各導電性樹脂ペースト組成物を10ccシリンジ中に5cc充填し、24時間放置した後、シリンジ下部より導電性樹脂ペースト組成物を2gるつぼに採取し、電気炉内で600℃で2時間加熱し、残存物の重量(B)を測定した。式、[(B−A)/A]×100、によりフィラーの沈降率(%)を算出した。
【0051】
表1に示した結果から、銀粉を用いた比較例1、2ではフィラー沈降性が大きく、ペースト吐出性の低下を招く。それに対して実施例1、2及び3に示した本発明のCBAG−101060を用いた本発明の導電性樹脂ペーストを用いた場合は、フィラー沈降性が低減され、ペースト吐出性が高いことが確認された。
【0052】
【表1】
【0053】
【発明の効果】
本発明によれば、樹脂と導電性フィラーの分離を抑制し、吐出のバラツキが少ない導電性樹脂ペースト組成物が得られる。また、本発明により耐ハンダリフロー性の向上した半導体装置が得られる。
Claims (9)
- (A)アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、(B)ラジカル開始剤、(C)カーボンビーズ表面に銀メッキをした導電性フィラーを含有してなる導電性樹脂ペースト組成物。
- (C)の導電性フィラーを、導電性樹脂ペースト組成物総量100重量部中に20〜80重量部含有する請求項1に記載の導電性樹脂ペースト組成物。
- (B)成分のラジカル開始剤を、(A)成分のアクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物の総量100重量部に対して0.1〜10重量部含有する請求項1又は2に記載の導電性樹脂ペースト組成物。
- さらに可とう化材を添加してなる請求項1、2又は3に記載の導電性樹脂ペースト組成物。
- 可とう化材が液状ゴム又は熱可塑性樹脂である請求項4に記載の導電性樹脂ペースト組成物。
- 可とう化材を、(A)成分のアクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物の総量100重量部に対して10〜100重量部含有する請求項4又は5に記載の導電性樹脂ペースト組成物。
- さらにカップリング剤を添加してなる請求項1〜6のいずれかに記載の導電性樹脂ペースト組成物。
- カップリング剤を、(A)成分のアクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物の総量100重量部に対して0.1〜10重量部含有する請求項7に記載の導電性樹脂ペースト組成物。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の導電性樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止してなる半導体装置。
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