JP4566005B2 - Icタイル・パターン形成方法、形成したic、及び分析方法 - Google Patents
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- 第2のワイヤ・セグメント(16)に対して非直角に角度付けされた第1のワイヤ・セグメント(10、12、14)を有する少なくとも1つの層を含む集積回路(6)(IC)であって、
前記第1のワイヤ・セグメントにほぼ平行に配向された第1のタイル・パターン(32)と、
前記第2のワイヤ・セグメントにほぼ平行に配向された第2のタイル・パターン(34)と、を備え、
前記第1のタイル・パターン(32)が前記第2のワイヤ・セグメントに対するフリンジ容量を与える配向タイル領域(26)内に、前記第2のタイル・パターン(34)が充填されることを特徴とする集積回路。 - 前記第1のワイヤ・セグメント(10、12、14)が、前記集積回路の上辺(18)に対して平行または直角に設けられ、前記第2のワイヤ・セグメント(16)が前記集積回路の上辺に対して非直角に設けられた、請求項1に記載の集積回路。
- 前記第1及び第2のタイル・パターン(32、34)が、前記第1及び第2のワイヤ・セグメント(10、12、14、16)と組み合わされて、前記集積回路のそれぞれの層にわたってほぼ均一な密度を与える、請求項1に記載の集積回路。
- 各々のタイル・パターン(32、34)の寸法及び配向が、それぞれのタイル領域内で一定である、請求項2に記載の集積回路。
- 前記非直角の角度が鋭角であり、前記第1のワイヤ・セグメント及び前記第2のワイヤ・セグメントが配線パターンである、請求項1に記載の集積回路。
- 前記第1のワイヤ・セグメント及び前記第2のワイヤ・セグメントが電気的に影響を受けやすい集積回路部品であり、前記第1及び第2のタイル・パターンが、導電性形状であり、前記集積回路のそれぞれの層にわたってほぼ均一な導体密度を与える、請求項1に記載の集積回路。
- 第2のワイヤ・セグメント(16)に対して非直角に角度付けされた第1のワイヤ・セグメント(10、12、14)を含む集積回路(6)(IC)の層にほぼ均一なタイル密度を与える方法であって、前記方法が、
前記第1のワイヤ・セグメントにほぼ平行に配向された第1のタイルが、前記第2のワイヤ・セグメントに対するフリンジ容量を与える配向タイル領域(26)を決定するステップと、
前記配向タイル領域を、前記第2のワイヤ・セグメントにほぼ平行に配向された第2のタイル(34)で充填するステップと、
を含む、方法。 - 前記決定するステップが、
その外側では、前記第1のタイル(34)の存在が隣接する前記第2のワイヤ・セグメント(16)に対する前記フリンジ容量を最小にする有効電気シールド距離(EESD)を計算するステップと、
タイル配置を必要とする少なくとも1つの空き区域(20)を見つけ出すステップと、
前記EESDと前記第2のワイヤ・セグメントからのタイル後退距離(TSD)との間に、前記第2のワイヤ・セグメントに隣接する少なくとも1つの配向領域(24)を定義するステップと、
前記配向領域が前記少なくとも1つの空き区域と重なる場所を決定することによって、前記配向タイル領域を決定するステップと、
を含む、請求項7に記載の方法。 - 前記第1のワイヤ・セグメント(10、12、14)にほぼ平行に配向された第1のタイル・パターン(32)を収容する少なくとも1つのデフォルト・タイル領域(28)を決定し、前記少なくとも1つのデフォルト・タイル領域を、前記第1のワイヤ・セグメントにほぼ平行に配向された第1のタイル・パターンで充填するステップをさらに含む、請求項7に記載の方法。
- 別のタイル・パターンに隣接し、隣接するワイヤ・セグメントの鋭角(40)内にあるタイル・パターン(32、34)の少なくとも1つのタイルを選択的に省略するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
- 前記第1のワイヤ・セグメント及び前記第2のワイヤ・セグメントが電気的に影響を受けやすい集積回路部品であり、前記第1及び第2のタイルが、導電性形状であり、前記集積回路のそれぞれの層にわたってほぼ均一な導体密度を与える、請求項7に記載の方法。
- 第2のワイヤ・セグメント(16)に対して非直角に角度付けされた第1のワイヤ・セグメント(10、12、14)を含む層を有する集積回路(6)(IC)の電気的分析方法であって、
前記第1のワイヤ・セグメントにほぼ平行に配向された第1のタイル・パターン(32)が前記第1のワイヤ・セグメントに与えるフリンジ容量を決定するステップと、
前記第2のワイヤ・セグメントにほぼ平行に配向された第2のタイル・パターン(34)が第2のワイヤ・セグメントに与えるフリンジ容量を決定するステップと、
前記決定されたフリンジ容量に基づいて電気的分析を行うステップと、
を含み、
前記第1のタイル・パターン(32)が前記第2のワイヤ・セグメントに対するフリンジ容量を与える配向タイル領域(26)内に、前記第2のタイル・パターン(34)が充填されることを特徴とする方法。 - 請求項7乃至請求項10のいずれか1項に記載のステップをコンピュータに実行させるためのコンピュータ・プログラム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2002/041188 WO2004059732A1 (en) | 2002-12-20 | 2002-12-20 | Ic tiling pattern method, ic so formed and analysis method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006511094A JP2006511094A (ja) | 2006-03-30 |
JP4566005B2 true JP4566005B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=32679944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004563151A Expired - Fee Related JP4566005B2 (ja) | 2002-12-20 | 2002-12-20 | Icタイル・パターン形成方法、形成したic、及び分析方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7669159B2 (ja) |
EP (1) | EP1573808A4 (ja) |
JP (1) | JP4566005B2 (ja) |
CN (1) | CN1714446B (ja) |
AU (1) | AU2002364218A1 (ja) |
WO (1) | WO2004059732A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7197738B1 (en) * | 2002-08-09 | 2007-03-27 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for routing |
US7096445B1 (en) * | 2003-01-14 | 2006-08-22 | Cadence Design Systems, Inc. | Non-orthogonal structures and space tiles for layout, placement, and routing of an integrated circuit |
US7174529B1 (en) * | 2004-02-14 | 2007-02-06 | Cadence Design Systems, Inc. | Acute angle avoidance during routing |
US7571408B1 (en) | 2005-03-09 | 2009-08-04 | Cadence Design Systems, Inc. | Methods and apparatus for diagonal route shielding |
US7472366B1 (en) * | 2005-08-01 | 2008-12-30 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for performing a path search |
US7694258B1 (en) | 2005-08-01 | 2010-04-06 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for inserting metal fill in an integrated circuit (“IC”) layout |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US36145A (en) * | 1862-08-12 | Improved circular wash-board | ||
US4254445A (en) * | 1979-05-07 | 1981-03-03 | International Business Machines Corporation | Discretionary fly wire chip interconnection |
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US6948146B2 (en) * | 2003-01-09 | 2005-09-20 | International Business Machines Corporation | Simplified tiling pattern method |
-
2002
- 2002-12-20 JP JP2004563151A patent/JP4566005B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-20 AU AU2002364218A patent/AU2002364218A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-20 EP EP02799293A patent/EP1573808A4/en not_active Withdrawn
- 2002-12-20 WO PCT/US2002/041188 patent/WO2004059732A1/en active Application Filing
- 2002-12-20 CN CN028300416A patent/CN1714446B/zh not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-06-20 US US11/160,339 patent/US7669159B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2002364218A1 (en) | 2004-07-22 |
WO2004059732A1 (en) | 2004-07-15 |
US20050273744A1 (en) | 2005-12-08 |
CN1714446B (zh) | 2010-04-28 |
US7669159B2 (en) | 2010-02-23 |
CN1714446A (zh) | 2005-12-28 |
JP2006511094A (ja) | 2006-03-30 |
EP1573808A4 (en) | 2009-12-09 |
EP1573808A1 (en) | 2005-09-14 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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