JP4548043B2

JP4548043B2 - 最大又は最小値出力回路

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Publication number: JP4548043B2
Application number: JP2004242472A
Authority: JP
Inventors: 文裕井上; 真佐美箱田; 匡三万城目
Original assignee: Mitsumi Electric Co Ltd
Current assignee: Mitsumi Electric Co Ltd
Priority date: 2004-08-23
Filing date: 2004-08-23
Publication date: 2010-09-22
Anticipated expiration: 2024-08-23
Also published as: TW200608706A; US20060038592A1; CN1741704A; JP2006059750A

Description

本発明は最大又は最小値出力回路に係り、特に、複数の入力信号のうち最大又は最小レベルの信号を選択的に出力する最大又は最小値出力回路に関する。

冷陰極蛍光管（ＣＣＦＬ：Cold
Cathode Fluorescent Lamp）は、例えば、液晶モニタのバックライトとして用いられている。冷陰極蛍光管を駆動するための駆動システムには、冷陰極蛍光管の異常状態を検出し、冷陰極蛍光管を保護するための保護システムが搭載されている。

従来、このような保護システムでは、冷陰極蛍光管の印加電圧や供給電流の最大値を検出し、冷陰極蛍光管の状態を検出していた。このとき、冷陰極蛍光管への印加電圧や駆動電流をピークホールドして、そのピークホールド値により直流的に最大値を出力していた（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。

特開平６−２６７６７４号公報特開２００２−１３４２９３号公報

しかるに、従来の冷陰極蛍光管の保護回路は、冷陰極蛍光管への印加電圧や駆動電流をピークホールドすることにより、印加電圧や駆動電流の最大値を検出し、コンパレータなどに供給し、基準電圧などと比較することにより、冷陰極蛍光管の状態を検出しており、コンパレータなどの前段にピークホールド回路などの付加的な回路が必要となり、構成が複雑になるなどの課題があった。

本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、付加的な回路を設けることなく、簡単な構成で最大値を出力できる最大値出力回路を提供することを目的とする。

本発明は、複数の入力信号（Ｖ12、Ｖ13；Ｖin1〜Ｖinｎ）のうち最大又は最小レベルの信号を選択的に出力する最大又は最小値出力回路であって、ベースに各々異なる入力信号が入力され、コレクタ−エミッタが並列に接続された複数の入力トランジスタ（Ｑ11、Ｑ12；Ｑ21〜Ｑ2n；Ｑ31〜Ｑ3n）と、複数の入力トランジスタ（Ｑ11、Ｑ12；Ｑ21〜Ｑ2n；Ｑ31〜Ｑ3n）に流れる電流に応じた電流を出力するカレントミラー回路（Ｍ21、Ｍ22）と、カレントミラー回路（Ｍ21、Ｍ22）の出力電流に応じた電流をコレクタ−エミッタ間に流すことにより、ベースから複数の入力トランジスタ（Ｑ11、Ｑ12；Ｑ21〜Ｑ2n；Ｑ31〜Ｑ3n）のベースに入力される入力信号（Ｖ12、Ｖ13；Ｖin1〜Ｖinｎ）のうち最大又は最小レベルの入力信号に応じた信号を出力する出力トランジスタ（Ｑ13；Ｑ41）とを有することを特徴とする。

複数の入力トランジスタ（Ｑ11、Ｑ12；Ｑ21〜Ｑ2n；Ｑ31〜Ｑ3n）、及び、出力トランジスタ（Ｑ13；Ｑ41）は、バイポーラトランジスタから構成されたことを特徴とする。

カレントミラー回路（Ｍ21、Ｍ22）は、ＭＯＳトランジスタから構成されたことを特徴とする。

複数の入力トランジスタ（Ｑ11、Ｑ12；Ｑ21〜Ｑ2n；Ｑ31〜Ｑ3n）、及び、出力トランジスタ（Ｑ13；Ｑ41）は、同じ特性のトランジスタから構成されたことを特徴とする。

なお、上記参照符号はあくまでも参考であり、これによって特許請求の範囲が限定されるものではない。

本発明によれば、複数の入力トランジスタ、カレントミラー回路、出力トランジスタを構成するトランジスタのスイッチング特性を利用して、入力信号のうち最大レベルの信号を選択的に出力することができる。

本実施例では、最大値出力回路を冷陰極蛍光管点灯システムに用いた場合について説明する。まず、冷陰極蛍光管点灯システムについて説明する。

〔システム構成〕

図１は本発明の一実施例のブロック構成図を示す。

本実施例の冷陰極蛍光管点灯システム１は、例えば、液晶モニタのバックライトなどとして用いられるシステムであり、冷陰極蛍光管部１１、共振回路部１２、駆動ＩＣ（integrated circuit）１３、保護ＩＣ（integrated circuit）１４、ピークホールド回路１５、基準電圧源１６、キャパシタＣ１、Ｃ２から構成される。

冷陰極蛍光管部１１は、冷陰極蛍光管対２１、２２を並列に配置した構成とされている。冷陰極蛍光管対２１は２本の冷陰極蛍光管３１、３２を並列に配置した構成とされ、冷陰極蛍光管対２２は２本の冷陰極蛍光管４１、４２を並列に配置した構成とされている。

冷陰極蛍光管３１、３２、４１、４２の一端には共振回路１２が接続されている。また、冷陰極蛍光管３１、３２の他端は検出用抵抗Ｒs1、Ｒs2を介して接地され、冷陰極蛍光管４１、４２の他端は検出用抵抗Ｒs3、Ｒs4を介して接地されている。

冷陰極蛍光管３１、３２、４１、４２は共振回路１２とともに、共振回路を構成している。冷陰極蛍光管３１、３２、４１、４２は、その両端に所定の周波数、例えば、５０ｋＨｚの電圧が印加されると、冷陰極蛍光管３１、３２、４１、４２に駆動電流が流れ、冷陰極蛍光管３１、３２、４１、４２が点灯され、それより低い周波数或いは高い周波数、例えば、１００ｋＨｚの電圧が印加されると、冷陰極蛍光管３１、３２、４１、４２に駆動電流が流れなくなり、冷陰極蛍光管３１、３２、４１、４２は消灯する。

共振回路１２には、駆動ＩＣ１３から所定の周波数の駆動信号が供給されている。共振回路１２は、抵抗、キャパシタ、トランスなどから構成され、それらのキャパシタンス、インダクタンスなどにより、共振回路を構成しており、駆動ＩＣ１３から供給される駆動信号に共振して、冷陰極蛍光管部１１に駆動電力を供給する。

〔駆動ＩＣ１３〕

図２は駆動ＩＣ１３のブロック構成図を示す。

駆動ＩＣ１３は、電圧制御発振回路５１、起動回路５２、誤差アンプ５３、電圧制御回路５４から構成される。

電圧制御発振回路５１は制御端子Ｔcnt及び発振出力端子Ｔoscを有する。電圧制御発振回路５１の制御端子Ｔcntには、起動回路５２、及び、誤差アンプ５３、電圧制御回路５４、並びに、端子Ｔ４が接続されている。電圧制御発振回路５１は、制御端子Ｔcntの印加電圧に応じた周波数の発振出力を出力端子Ｔoscから出力する。

電圧制御発振回路５１の出力端子Ｔoscは、駆動ＩＣ１３の出力端子Ｔ1に接続されており、電圧制御発振回路５１の発振出力は、出力端子Ｔ1から共振回路１２に向けて出力される。

起動回路５２は、電源投入時などに冷陰極蛍光管３１、３２、４１、４２の点灯を速くするように電圧制御発振回路５１の制御電圧を制御する。

誤差アンプ５３の反転入力端子には、端子Ｔ２が接続され、非反転入力端子には端子Ｔ３が接続されている。端子Ｔ２には保護ＩＣ１４から平均値信号が供給され、端子Ｔ３には、基準電圧源から基準電圧が供給されている。誤差アンプ５３は、平均値信号と基準電圧との差に応じた電圧を出力する。誤差アンプ５３の出力は、電圧制御発振回路５１の制御端子Ｔcntに供給されるとともに、端子Ｔ４に供給される。

電圧制御回路５４には、端子Ｔ５が接続されている。端子Ｔ５は、保護ＩＣ１４の端子Ｔ14と接続されており、保護ＩＣ１４から停止信号が供給される。電圧制御回路５４は、保護ＩＣ１４からの停止信号により電圧制御発振回路５１の制御端子Ｔcntをハイレベルに固定する。このとき、電圧制御回路５４は、その出力をハイレベルに固定すると、電源切断などによりリセットがかかるまで出力をハイレベルに維持する。

端子Ｔ４は、保護ＩＣ１４の端子Ｔ15に接続されている。端子Ｔ４と端子Ｔ15との接続点と接地との間にはキャパシタＣ１が接続されている。電圧制御発振回路５１は、キャパシタＣ１の充電電圧により制御端子Ｔcntに印加される制御電圧が制御され、発振周波数が制御される。

〔保護ＩＣ１４〕

保護ＩＣ１４は、図１に示すようにＰＷＭ（pulse width modulation）制御部６１、及び、保護回路部６２から構成されている。ＰＷＭ制御部６１は、駆動ＩＣ１３に含まれる電圧制御発振回路５１の発振状態をＰＷＭ制御するための回路である。

〔ＰＷＭ制御部６１〕

図３はＰＷＭ制御部６１のブロック構成図を示す。

ＰＷＭ制御部６１は、三角波生成回路７１、コンパレータ７２、ゲート回路７３、アナログスイッチ７４、放電用スイッチ７５、コンパレータ７６、抵抗Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、キャパシタＣ11から構成されている。

端子Ｔ17には外部から輝度を決定するための設定輝度信号が供給されている。端子Ｔ17に供給された設定輝度信号は、コンパレータ７２の反転入力端子に供給される。コンパレータ７２の非反転入力端子には、三角波生成回路７１から三角波が供給されている。コンパレータ７２は、輝度信号と三角波とを比較して、三角波が輝度信号より大きいときにその出力をハイレベルとし、三角波が輝度信号より小さいときにその出力をローレベルとする。コンパレータ７２により、三角波の周波数に応じており、かつ、輝度信号のレベルに応じたパルス幅のパルスが生成される。

コンパレータ７２の出力パルスは、抵抗Ｒ11、キャパシタＣ11から構成される遅延回路を介してスイッチ７５に供給されるとともに、ゲート回路７３に供給されている。スイッチ７５は、端子Ｔ15と接地との間に接続されており、コンパレータ７２の出力パルスを抵抗Ｒ11、キャパシタＣ11により決定される時間だけ遅延したパルスによりスイッチングされる。スイッチ７５は、パルスがローレベルのときにオフし、端子Ｔ15を接地から切断して、キャパシタＣ１を充電可能とし、ハイレベルのときにオンし、端子Ｔ15を接地に短絡して、キャパシタＣ1を放電させる。

ゲート回路７３は、コンパレータ７２の出力パルスを反転して入力する。また、ゲート回路７３には、コンパレータ７６の出力が供給されている。ゲート回路７３は、コンパレータ７２の出力を反転した反転出力とコンパレータ７６の出力とのＡＮＤ論理を出力する。ゲート回路７３の出力は、アナログスイッチ７４に供給される。

アナログスイッチ７４は、端子Ｔ15と端子Ｔ16との間に接続されており、ゲート回路７３の出力に応じてスイッチングされ、端子Ｔ15と端子Ｔ16との接続又は切断する。アナログスイッチ７４は、ゲート回路７３の出力がハイレベルのときにオンし、端子Ｔ15と端子Ｔ16とを短絡し、ゲート回路７３の出力がローレベルのときにオフし、端子Ｔ15と端子Ｔ16とを開放する。

コンパレータ７６の反転入力端子には、端子Ｔ16が接続され、非反転入力端子には、抵抗Ｒ12と抵抗Ｒ13との接続点が接続されている。抵抗Ｒ12は、一端がコンパレータ７６の非反転入力端子に接続され、他端が端子Ｔ15に接続されている。抵抗Ｒ13は、一端がコンパレータ７６の非反転入力端子と抵抗Ｒ12の一端との接続点に接続され、他端には電源電圧Ｖddが印加されている。

コンパレータ７６は、抵抗Ｒ12と抵抗Ｒ13との接続点の電位と端子Ｔ16の電位とを比較し、抵抗Ｒ12と抵抗Ｒ13との接続点の電位が端子Ｔ16の電位より大きければ、出力をハイレベルとし、抵抗Ｒ12と抵抗Ｒ13との接続点の電位が端子Ｔ16の電位より小さければ、出力をローレベルとする。

次に、ＰＷＭ制御部６１の動作を説明する。

まず、コンパレータ７２の出力パルスがハイレベルになると、スイッチ７４はオフし、端子Ｔ15と端子Ｔ16とは開放される。これによって、キャパシタＣ１とキャパシタＣ２とが切断された状態となる。

次にスイッチ７５は、抵抗Ｒ11、キャパシタＣ11により遅延されてハイレベルとなる。これによって、スイッチ７５がコンパレータ７２の出力がハイレベルになってから僅かに遅延してからオンする。スイッチ７５がオンすることにより端子Ｔ15に接続されたキャパシタＣ１が放電される。

キャパシタＣ１が放電されると、端子Ｔ15の電位が低下する。次に、三角波生成回路７１から出力される三角波が低下し、コンパレータ７２の出力がローレベルになると、抵抗Ｒ11及びＣ11により僅かに遅延して、スイッチ７５がオフする。スイッチ７５がオフすることにより、キャパシタＣ１が駆動ＩＣ１３の端子Ｔ４の電位により充電される。

キャパシタＣ１が充電されることにより端子Ｔ15の電位が上昇する。端子Ｔ15の電位が上昇することによりコンパレータ７６の非反転入力端子の電位が上昇する。

コンパレータ７６の非反転入力端子の電位が上昇し、端子Ｔ16の電位、すなわち、キャパシタＣ２の充電電圧より上昇すると、コンパレータ７６の出力がハイレベルになる。コンパレータ７６の出力がハイレベルになると、ゲート回路７３の出力がハイレベルになり、アナログスイッチ７４がオンする。アナログスイッチ７４がオンすることにより、キャパシタＣ１とキャパシタＣ２とが端子Ｔ４に接続された状態となる。

このように、キャパシタＣ１の充電電圧がキャパシタＣ２の充電電圧に対して所望の電圧に達したときに、アナログスイッチ７４がオンし、キャパシタＣ１とキャパシタＣ２とが端子Ｔ４に接続された状態となることにより、キャパシタＣ１の充電時のオーバーシュートを防止できる。

次に、三角波生成回路７１の三角波が設定輝度信号より大きくなり、コンパレータ７２の出力がハイレベルとなると、ゲート回路７３の出力がローレベルとなり、アナログスイッチ７４がオフする。アナログスイッチ７４がオフすることにより、キャパシタＣ２には、駆動ＩＣ１３の端子Ｔ４の電位が保持される。なお、アナログスイッチ７４がオフした後、僅かに経過した後、スイッチ７５がオンし、キャパシタＣ１が放電される。このとき、アナログスイッチ７４がオフした後であるので、キャパシタＣ２には端子Ｔ４の電位が保持されたままになる。

以上により、コンパレータ７２の出力パルスに応じて駆動ＩＣ１３の端子Ｔ４の電位をパルス状に制御できる。

駆動ＩＣ１３は、端子Ｔ４の電位がパルス状に駆動されることにより、電圧制御発振回路５１の発振周波数を略５０ｋＨｚと略１００ｋＨｚの間で間欠的に変化させることが可能となる。電圧制御発振回路５１の出力発振周波数が５０ｋＨｚになると、共振回路１２が共振して冷陰極蛍光管３１、３２、４１、４２が点灯する。また、電圧制御発振回路５１の出力発振周波数が１００ｋＨｚになると、共振回路１２から冷陰極蛍光管３１、３２、４１、４２への電力の供給が停止され、冷陰極蛍光管３１、３２、４１、４２は消灯する。

以上により、冷陰極蛍光管３１、３２、４１、４２に間欠的に電力が供給されて、輝度が一定に保持される。

このとき、キャパシタＣ１の充電時にアナログスイッチ７４をスイッチングし、キャパシタＣ１、Ｃ２との接続を制御し、容量を変化させることにより、端子Ｔ４の電位にオーバーシュートが発生することを抑制できる。したがって、端子Ｔ４の電位により発振周波数が制御される電圧制御発振回路５１の発振出力を安定化させることができる。

〔保護回路部６２〕

次に保護回路部６２について説明する。

保護回路部６２は、冷陰極蛍光管部１１の印加電圧や供給電流の最大値を検出し、冷陰極蛍光管部１１の異常を検知するための回路である。

図４は保護回路部６２のブロック構成図を示す。

保護回路部６２は、最大値出力回路９１、コンパレータ９２、基準電圧源９３、係数乗算回路９４、コンパレータ９５、９６、９７、基準電圧源９８、ＡＮＤゲート９９、出力回路１００、ダイオードＤ1、Ｄ2から構成される。

最大値出力回路９１には、端子Ｔ12、Ｔ13から検出電圧が入力される。端子Ｔ12には、接地との間にダイオードＤ1が逆方向に接続されている。また、端子Ｔ13には、接地との間にダイオードＤ2が逆方向に接続されている。

ダイオードＤ1、Ｄ2は、保護ＩＣ１３の保護素子として作用している。ダイオードＤ1、Ｄ2により端子Ｔ12、Ｔ13から検出電圧が半波整流される。端子Ｔ12、Ｔ13に供給され、ダイオードＤ1、Ｄ2により半波整流された信号が最大値出力回路９１に供給される。

最大値出力回路９１は、端子Ｔ12から供給される検出電圧又は端子Ｔ13から供給される検出電圧のうち大きい方の検出電圧を選択的に出力する。

最大値出力回路９１から出力された最大値信号は、コンパレータ９２の非反転入力端子及び係数乗算回路９４に供給される。コンパレータ９２の反転入力端子には基準電圧源９３から基準電圧が印加されている。基準電圧源９３で発生される基準電圧は、最大値信号の下限値に設定されている。

コンパレータ９２は最大値出力回路９１からの最大値信号が基準電圧源９３で発生される基準電圧より大きければ、出力をハイレベルとし、最大値出力回路９１からの最大値信号が基準電圧源９３で発生される基準電圧より小さければ、出力をローレベルとする。コンパレータ９２の出力は、ＡＮＤゲート９９に供給される。

また、係数乗算回路９４は、最大値出力回路９１から出力された最大値信号を０．８倍する。すなわち、最大値の８０％の信号を出力する。係数乗算回路９４で０．８倍された信号は、コンパレータ９５、９６の反転入力端子に供給される。

コンパレータ９５の非反転入力端子には、端子Ｔ12に供給される検出信号Ｖ12が供給されている。コンパレータ９５は検出信号Ｖ12が係数乗算回路９４からの最大値の８０％の信号より大きければ、出力をハイレベルとし、検出信号Ｖ12が係数乗算回路９４からの最大値の８０％の信号より小さければ、出力をローレベルとする。

コンパレータ９６の非反転入力端子には、端子Ｔ13に供給される検出信号Ｖ13が供給されている。コンパレータ９６は検出信号Ｖ13が係数乗算回路９４からの最大値の８０％の信号より大きければ、出力をハイレベルとし、検出信号Ｖ13が係数乗算回路９４からの最大値の８０％の信号より小さければ、出力をローレベルとする。コンパレータ９５、９６の出力は、ＡＮＤゲート９９に供給される。

コンパレータ９７の反転入力端子には、端子Ｔ11からホールド回路１５の出力が供給されている。ホールド回路１５は、検出抵抗Ｒs1と検出抵抗Ｒs2との接続点の電圧及び検出抵抗Ｒs3と検出抵抗Ｒs4との接続点の最大電圧をホールドしている。また、コンパレータ９７の反転入力端子には、基準電圧源９８から基準電圧が印加されている。基準電圧源９８で発生される基準電圧は、最大駆動電圧に応じた電圧に設定されている。

コンパレータ９７はホールド回路１５の出力電圧が基準電圧９８からの基準電圧より大きければ、出力をローレベルとし、ホールド回路１５の出力電圧が基準電圧９８からの基準電圧より小さければ、出力をハイレベルとする。コンパレータ９７の出力は、ＡＮＤゲート９９に供給される。

ＡＮＤゲート９９には、コンパレータ９２、９５、９６、９７の出力が供給される。ＡＮＤゲート９９は、コンパレータ９２、９５、９６、９７の出力のＡＮＤ論理を出力する。ＡＮＤゲート９９は、コンパレータ９２、９５、９６、９７の出力がすべてハイレベルのときに出力がハイレベルとなり、コンパレータ９２、９５、９６、９７の出力のうちいずれか一つでもローレベルとなると出力がローレベルとなる。ＡＮＤゲート９９の出力は、出力回路１００に供給される。

出力回路１００は、電流源１１１、コンパレータ１１２、基準電圧源１１３、キャパシタＣ21、トランジスタＭ11、Ｍ12から構成されている。

ＡＮＤゲート９９の出力は、トランジスタＭ11のゲートに供給される。トランジスタＭ11はｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタから構成されており、ソースが接地され、ドレイン−ソースに並列にキャパシタＣ21が接続された構成とされている。また、トランジスタＭ11のドレインとキャパシタＣ21との接続点には、電流源１１１から充電電流が供給されている。

トランジスタＭ11は、ＡＮＤゲート９９の出力がハイレベルのときにオンし、ＡＮＤゲート９９の出力がローレベルのときにオフする。トランジスタＭ11がオフの状態で電流源１１１からキャパシタＣ21に充電電流が供給され、キャパシタＣ21が充電される。また、トランジスタＭ12がオンすると、キャパシタＣ21に充電された電荷がトランジスタＭ11を通して接地に放電される。このようにキャパシタＣ21は、トランジスタＭ11のオン／オフに応じて充放電される。

キャパシタＣ21の充電電圧は、コンパレータ１１２の反転入力端子に印加されている。コンパレータ１１２の非反転入力端子には、基準電圧源１１３から基準電圧が供給されている。コンパレータ１１２は、キャパシタＣ21の充電電圧が基準電圧源１１３からの基準電圧より大きければ、出力をローレベルとし、キャパシタＣ21の充電電圧が基準電圧源１１３からの基準電圧より小さければ、出力をハイレベルとする。コンパレータ１１２の出力は、トランジスタＭ12のゲートに供給されている。

トランジスタＭ12は、ｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタから構成されており、ソースが接地され、ドレインが出力端子Ｔ14に接続されている。トランジスタＭ12は、コンパレータ１１２の出力がハイレベルのときにオンし、ローレベルのときオフする。

〔保護回路部６２の動作〕

通常動作状態においては、コンパレータ９２、９５、９６、９７の出力すべてハイレベルとなり、ＡＮＤゲート９９の出力はハイレベルとなる。ＡＮＤゲート９９の出力がハイレベルのときには、トランジスタＭ11がオンする。トランジスタＭ11がオンすることにより、キャパシタＣ21が放電され、キャパシタＣ21の充電電圧はローレベルとなる。キャパシタの充電電圧がローレベルとなることにより、コンパレータ１１２の出力がハイレベルとなる。コンパレータ１１２の出力がハイレベルになると、トランジスタＭ12がオンし、端子Ｔ14はローレベルとなる。

また、冷陰極蛍光管部１１の接続状態、点灯状態に異常があり、最大出力回路９１の出力が基準電圧、すなわち、最大値信号の下限値より小さくなると、コンパレータ９２の出力がローレベルになる。

コンパレータ９２の出力がローレベルになると、ＡＮＤゲート９９の出力はローレベルとなる。ＡＮＤゲート９９の出力がローレベルのときには、トランジスタＭ11がオフする。トランジスタＭ11がオフすることにより、キャパシタＣ21が電流源１１１により充電される。キャパシタＣ21が充電され、その充電電圧が基準電圧１１３より大きくなると、コンパレータ１１２の出力がローレベルとなる。コンパレータ１１２の出力がローレベルになると、トランジスタＭ12がオフし、端子Ｔ14はハイレベルとなる。端子Ｔ14がハイレベルになることにより、冷陰極蛍光管部１１の異常状態を検知できる。

さらに、冷陰極蛍光管部１１の接続状態、消灯などの異常により、端子Ｔ12又は端子Ｔ13の電圧が係数乗算回路９４の出力、最大値信号の８０％より小さくなると、コンパレータ９５又は９６の出力がローレベルになる。

また、冷陰極蛍光管部１１が過電圧状態となり、端子Ｔ11の電圧が基準電圧源９８で生成される基準電圧より大きくなると、コンパレータ９７の出力がローレベルになる。コンパレータ９７の出力がローレベルになると、ＡＮＤゲート９９の出力はローレベルとなる。ＡＮＤゲート９９の出力がローレベルのときには、トランジスタＭ11がオフする。トランジスタＭ11がオフすることにより、キャパシタＣ21が電流源１１１により充電される。キャパシタＣ21が充電され、その充電電圧が基準電圧１１３より大きくなると、コンパレータ１１２の出力がローレベルとなる。コンパレータ１１２の出力がローレベルになると、トランジスタＭ12がオフし、端子Ｔ14はハイレベルとなる。端子Ｔ14がハイレベルになることにより、冷陰極蛍光管部１１の異常状態を検知できる。端子Ｔ14は、駆動ＩＣ１３の端子Ｔ５に接続されている。

また、平均値回路１０１には、端子Ｔ12、端子Ｔ13から検出信号Ｖ12、Ｖ13が供給されている。平均値回路１０１は、検出信号Ｖ12、Ｖ13の平均値に応じた信号を生成し、端子Ｔ18から出力する。端子Ｔ18は、駆動ＩＣ１３の端子Ｔ２に接続されている。

〔最大値出力回路９１〕

ここで、本発明の特徴となる最大値出力回路９１について説明する。

図５は最大値出力回路９１のブロック構成図を示す。

最大値出力回路９１は、端子Ｔ12又は端子Ｔ13に供給される検出信号のうち最大レベルの信号を選択的に出力する回路であり、バイポーラトランジスタＱ11、Ｑ12、Ｑ13、ＭＯＳ型電界効果トランジスタＭ21、Ｍ22、電流源１２１から構成される。

バイポーラトランジスタＱ11、Ｑ12、Ｑ13はＮＰＮトランジスタから構成されている。また、トランジスタＱ11、Ｑ12は、例えば、略同等の特性に設定されたトランジスタから構成されている。

トランジスタＱ11は、入力トランジスタを構成しており、ベースが端子Ｔ12に接続され、コレクタがトランジスタＭ21のドレイン及びゲートとトランジスタＭ22のゲートとに接続され、エミッタが電流源１２１を介して接地されている。トランジスタＱ11は、端子Ｔ12に供給される検出信号に応じた電流をコレクタから引き込む。

また、トランジスタＱ12は、入力トランジスタを構成しており、ベースが端子Ｔ13に接続され、コレクタがトランジスタＭ21のドレイン及びゲートとトランジスタＭ22のゲートとに接続されている。トランジスタＱ12は、端子Ｔ13に供給される検出信号に応じた電流をコレクタから引き込む。

さらに、トランジスタＱ13は、出力トランジスタを構成しており、コレクタがトランジスタＭ22のドレインに接続され、エミッタが電流源１２１を介して接地されている。トランジスタＱ13は、トランジスタＱ11又はトランジスタＱ12に流れる電流に応じた電流が流れる。

トランジスタＭ21、Ｍ22は、ｐチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタから構成されている。トランジスタＭ21は、ソースに電源電圧Ｖddが印加され、ゲートがドレイン及びトランジスタＭ22のゲートに接続されている。また、トランジスタＭ22はソースに電源電圧Ｖddが印加されており、ゲートがトランジスタＭ21のゲート及びドレインに接続されている。トランジスタＭ21、Ｍ22は、カレントミラー回路を構成しており、トランジスタＱ11又はトランジスタＱ12のコレクタから引き込まれる電流に応じた電流をトランジスタＭ22のドレインから出力する。トランジスタＭ22のドレインは、出力トランジスタＱ13のコレクタ及びベースに接続されている。

トランジスタＱ13のエミッタは、電流源１２１を介して接地されている。トランジスタＭ22のドレイン並びにトランジスタＱ13のコレクタ及びベースの接続点が最大値出力とされる。最大値出力回路９１の出力はコンパレータ９２及び係数乗算回路９４に供給される。

図６は最大値出力回路９１の動作説明図を示す。図６（Ａ）は入力信号、図６（Ｂ）は出力信号を示す。

図６（Ａ）の期間Ｐ11に示すように端子Ｔ12に入力された検出信号Ｖ12が端子Ｔ13に入力された検出信号Ｖ13より大きいときには、バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧に対するコレクタ電流の特性からトランジスタＱ11のコレクタ電流がトランジスタＱ12のコレクタ電流に比べて十分に大きくなる特性を示す。すなわち、トランジスタＱ11の電流出力能力がトランジスタＱ12の電流出力能力に比べて十分に大きくなる。

このとき、トランジスタＱ11、Ｑ12のエミッタからは同じ電流源１２１から電流が引き込まれており、トランジスタＱ11の電流出力能力がトランジスタＱ12の電流出力能力に比べて十分に大きいので、電流はほとんどトランジスタＱ11のエミッタから電流源１２１に引き込まれることになる。

トランジスタＱ11のコレクタ電流は、トランジスタＭ11、Ｍ12から構成されるカレントミラー回路によりトランジスタＱ13のコレクタにもトランジスタＱ11と同じ電流が流れる。これによって、図６（Ｂ）に示すようにトランジスタＱ13のベースにトランジスタＱ11のベースと同じ信号が出現する。

また、図６（Ｂ）の期間Ｐ12に示すように端子Ｔ13に入力された検出信号Ｖ13が端子Ｔ12に入力された検出信号Ｖ12より大きいときには、バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧に対するコレクタ電流の特性からトランジスタＱ12のコレクタ電流がトランジスタＱ11のコレクタ電流に比べて十分に大きくなる特性を示す。すなわち、トランジスタＱ12の電流出力能力がトランジスタＱ11の電流出力能力に比べて十分に大きくなる。

このとき、トランジスタＱ11、Ｑ12のエミッタからは同じ電流源１２１から電流が引き込まれており、トランジスタＱ12の電流出力能力がトランジスタＱ11の電流出力能力に比べて十分に大きいので、電流はほとんどトランジスタＱ12のエミッタから電流源１２１に引き込まれることになる。

トランジスタＱ12のコレクタ電流は、トランジスタＭ11、Ｍ12から構成されるカレントミラー回路によりトランジスタＱ13のコレクタにもトランジスタＱ12と同じ電流が流れる。これによって、図６（Ｂ）に示すようにトランジスタＱ13のベースにトランジスタＱ12のベースと同じ信号が出現する。

以上により、入力信号Ｖ12、Ｖ13のうち大きい方の信号を出力することが可能となる。また、本実施例のように入出力用トランジスタＱ11、Ｑ12、Ｑ13にバイポーラトランジスタを用いることによって、トランジスタＱ11とトランジスタＱ12との検出信号Ｖ12、Ｖ13に応じた電流供給能力の差が大きくなり、正確に最大値を出力可能となる。

なお、本実施例の最大値出力回路９１は、２入力の検出信号のうち大きいほうの信号を出力する回路について説明したが、これに限定されるものではなく、ｎ入力の信号から最大信号を出力する回路に適用することも可能である。

図７は最大値出力回路９１の変形例のブロック構成図を示す。同図中、図５と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。

本変形例の最大値出力回路１９１は、ｎ個の入力トランジスタとなるバイポーラトランジスタＱ21〜Ｑ2ｎを、電流源１２１とトランジスタＭ11のドレイン及びゲート、並びに、トランジスタＭ12のゲートとの接続点との並列に接続した構成とされている。トランジスタＱ21〜Ｑ2ｎのベースには、端子Ｔin1〜Ｔinｎから検出信号Ｖin1〜Ｖinｎが供給されている。

また、本変形例では、端子Ｔin1〜Ｔinｎに供給される信号のうち最大レベルの信号を出力端子Ｔoutから出力したが、端子Ｔin1〜Ｔinｎに供給される信号のうち最小レベルの信号を出力端子Ｔoutから出力するようにすることもできる。

図８は最小値出力回路のブロック構成図を示す。

最小値出力回路２９１は、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ31〜Ｑ3n、Ｑ41、ｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタＭ31、Ｍ32、電流源２２１から構成されている。

トランジスタＱ31〜Ｑ3n、Ｑ41は、エミッタが電流源２２１を介して電源電圧Ｖddに接続され、コレクタがトランジスタＭ31、Ｍ32から構成されるカレントミラー回路を介して接地に接続されている。トランジスタＱ31〜Ｑ3nのベースには、端子Ｔin1〜Ｔinｎから信号Ｖin1〜Ｖinｎが供給されている。

トランジスタＭ31、Ｍ32は、カレントミラー回路を構成しており、トランジスタＭ31、Ｍ32から構成されるカレントミラー回路はトランジスタＭ31〜Ｍ3nのコレクタ電流に応じた電流をトランジスタＱ41のコレクタ及びベースから引き込む。これによって、トランジスタＱ41には、トランジスタＱ31〜Ｑ3nに流れる電流のうち最小電流に応じた電流が流れ、これによって、トランジスタＱ41のベースには、端子Ｔin1〜ＴinｎからトランジスタＱ31〜3nのベースに供給される信号Ｖin1〜Ｖinｎのうち最小レベルの信号に応じた信号Ｖminが発生する。トランジスタＱ41のベースに発生した最小信号Ｖminは、出力端子Ｔoutから出力される。

なお、本実施例では、最大値出力回路９１を冷陰極蛍光管点灯システム１に適用した例について説明したが、最大値出力回路９１、１９１、最小値出力回路２９１の適用分野は、冷陰極蛍光管点灯システム１だけに限定されるものではなく、複数の入力信号のうち最大又は最小レベルの信号を選択的に出力する回路一般に適用できることは言うまでもない。

本発明の一実施例のブロック構成図である。駆動ＩＣ１３のブロック構成図である。ＰＷＭ制御部６１のブロック構成図である。保護回路部６２のブロック構成図である。最大値出力回路９１のブロック構成図である。最大値出力回路９１の動作説明図である。最大値出力回路９１の変形例のブロック構成図である。最小値出力回路のブロック構成図である。

符号の説明

１冷陰極蛍光管点灯システム
１１冷陰極蛍光管部、１２共振回路、１３駆動ＩＣ、１４保護ＩＣ
１５ホールド回路、１６基準電圧源
２１、２２冷陰極蛍光管対、３１、３２、４１、４２冷陰極蛍光管
６１ＰＷＭ制御部、６２保護回路部
Ｃ１、Ｃ２キャパシタ
９１最大値出力回路、９２、９５〜９７、１１２コンパレータ
９４係数乗算回路、９８基準電圧源、９９ＡＮＤゲート、１００出力回路
１０１平均化回路、Ｄ1、Ｄ2 ダイオード
１２１、２２１電流源
Ｑ11、Ｑ12、Ｑ13、Ｑ21〜Ｑ2n ＮＰＮバイポーラトランジスタ
Ｑ31〜Ｑ3n ＰＮＰバイポーラトランジスタ、
Ｍ21、Ｍ22 ｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタ
Ｍ31、Ｍ32 ｐチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタ

Claims

複数の入力信号のうち最大又は最小レベルの信号を選択的に出力する最大又は最小値出力回路であって、
ベースに各々異なる入力信号が入力されており、コレクタ−エミッタが並列に接続された複数の入力トランジスタと、
前記複数の入力トランジスタに流れる電流に応じた電流を出力するカレントミラー回路と、
前記カレントミラー回路の出力電流に応じた電流をコレクタ−エミッタ間に流すことにより、ベースから前記複数の入力トランジスタのベースに入力される前記入力信号のうち最大又は最小レベルの入力信号に応じた信号を出力する出力トランジスタとを有することを特徴とする最大又は最小値出力回路。
前記複数の入力トランジスタ、及び、前記出力トランジスタは、バイポーラトランジスタから構成されたことを特徴とする請求項１記載の最大又は最小値出力回路。
前記カレントミラー回路は、ＭＯＳトランジスタから構成されたことを特徴とする請求項１又は２記載の最大又は最小値出力回路。
前記複数の入力トランジスタ、及び、前記出力トランジスタは、同じ特性のトランジスタから構成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の最大又は最小値出力回路。