JP4497205B2 - 中間転写体、中間転写体の製造方法及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子複写機、レーザビームプリンタ、ファクシミリ等の電子写真装置や静電記録装置において、カラー画像のための各色毎のトナー画像を合成して転写するための中間転写体、中間転写体の製造方法及び中間転写体を備えた画像形成装置に関するものである。

従来、電子写真感光体（以下、単に感光体とも云う）上のトナー像を記録材に転写する方式として、中間転写体を用いた画像形成方式が知られており、この方式は電子写真感光体から記録材にトナー像を転写する工程内に、もう一つの転写工程を入れ、電子写真感光体から中間転写体に一次転写した後、中間転写体の一次転写像を記録材に二次転写することで最終画像を得る。この方式は、色分解された原稿画像をブラック、シアン、マゼンタ、イエロー等のトナーによる減色混合を用いて再現する、いわゆるフルカラー画像形成装置における各色トナー像の多重転写方式として採用されることが多い。

しかし、この中間転写体を用いた多重転写方式では、一次転写及び二次転写の二度の転写が入ることと、四色のトナーを転写体上で重ね合わせるため、トナー画像の転写不良に伴う画像不良が発生しやすい。

一般にトナーの転写不良に対しては、トナー表面をシリカ等の外添剤で表面処理することにより転写効率を向上させられることが知られている。しかし、現像装置内でのトナーの攪拌部材から受けるストレスや、現像ローラ上にトナー層を形成するための規制ブレードから受けるストレス、感光体と現像ローラとの間で受けるストレス等で、トナー表面からシリカが離脱したり、トナー内部に埋没したりするため、十分な転写効率を得られないという問題がある。

このような問題に対し、中間転写体の表面に酸化ケイ素や酸化アルミニウム等を被覆させることによりトナー画像の剥離性を向上させ記録紙等への転写効率向上を図るものが提案されている（例えば、特許文献１、２参照。）。
特開平９−２１２００４号公報 特開２００１−３４７５９３号公報

しかし、中間転写体を有する画像形成装置は２次転写時にトナー画像を１００％転写することは現時点では不可能に近く、例えば中間転写体に残留したトナーを中間転写体からブレードで掻き落とすクリーニング装置を必要としている。

特許文献１、２に記載された中間転写体は耐久性が不十分であり、寿命が短いといった問題点がある。さらに、膜付きや膜強度も不足しているため、外乱により容易に薄膜に傷が付いてしまったり、紙づまりなどが原因で薄膜が傷付き画像欠陥が発生しやすいという問題点もある。また、酸化ケイ素や酸化アルミニウム等を真空蒸着やスパッタリングにより形成するため真空装置等の大がかりな設備が必要となるため生産性にも問題点があった。

本発明の目的は上述した問題点に鑑み、転写性がより高く、クリーニング性及び耐久性がより高い中間転写体と、真空装置等の大がかりな設備を必要としない中間転写体の製造装置と、該中間転写体を有する画像形成装置を提供することを目的とする。

発明者は、鋭意研究を重ねたところ、以下の記載の何れかの構成により、前記課題を解決することができた。

請求の範囲第１項に係る中間転写体は、基材上にセラミック膜を設けてなる中間転写体において、前記セラミック膜は下記式を満たす密度（ρｆ）を有することを特徴とするものである。

０．８＜ρｆ／ρｂ≦１
但し、ρｂは、母体材料を熱酸化または熱窒化することにより、前記セラミック膜と同じ組成比を有するセラミック膜を形成したときの、そのセラミック膜の密度である。

請求の範囲第２項に係る中間転写体は、請求の範囲第１項に記載の中間転写体において、前記密度（ρｆ）を有するセラミック膜の残留応力が圧縮応力で０．０１ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以下であることを特徴とするものである。

請求の範囲第３項に係る中間転写体は、請求の範囲第１項又は第２項に記載の中間転写体において、前記密度（ρｆ）を有するセラミック膜を構成する物質が、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化窒化チタン、窒化チタンまたは酸化アルミニウムの何れかであるか、またはそれらの混合されたものであることを特徴とするものである。

請求の範囲第４項に係る中間転写体は、請求の範囲第１項乃至第３項の何れか１項に記載の中間転写体において、前記密度（ρｆ）を有するセラミック膜の厚さが、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とするものである。

請求の範囲第５項に係る中間転写体の製造方法は、請求の範囲第１項乃至第４項の何れか１項の中間転写体の製造方法において、大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、前記放電空間に高周波電界を印加することにより前記ガスを励起し、基材を励起した前記ガスに晒すことにより前記基材の表面にセラミック膜を形成することを特徴とするものである。

請求の範囲第６項に係る画像形成装置は、像担持体の表面を現像してトナー画像を形成し、該トナー画像を中間転写体に転写した後、転写紙に更に転写する画像形成装置において、前記中間転写体が請求の範囲第１項乃至第４項の何れか１項に記載の中間転写体であることを特徴とするものである。

本発明によれば次のような効果を得ることが出来る。すなわち、中間転写体の基材上にセラミック膜を設け、該セラミック膜の密度をρｆとし、また、該セラミック膜と同組成比となるセラミック膜を、母体材料の熱酸化或いは熱窒化により形成したときの密度をρｂとしたとき、０．８＜ρｆ／ρｂ≦１の関係式を満たすことにより、基材と密着性がよく、割れ等が少ない緻密なセラミック膜を有する、トナーの離型性に優れ、クリーニング性、耐久性の高い中間転写体を得ることができる。また、前記中間転写体の中間転写体製造方法、及び該中間転写体を用いた画像形成装置を得ることが出来る。

カラー画像形成装置の１例を示す断面構成図である。 中間転写体の層構成を示す概念断面図である。 真空蒸着法により形成した酸化珪素膜の残留応力と真空度との関係を示す図である。 中間転写体を製造する第１の製造装置の説明図である。 中間転写体を製造する第２の製造装置の説明図である。 プラズマにより中間転写体を製造する第１のプラズマ成膜装置の説明図である。

符号の説明

１ カラー画像形成装置
２ 中間転写体の製造装置
３ 大気圧プラズマＣＶＤ装置
４ 大気圧プラズマ装置
１７ 中間転写体ユニット
２０ ロール電極
２１ 固定電極
２３ 放電空間
２４ 混合ガス供給装置
２５ 第１の電源
２６ 第２の電源
４１ 薄膜形成領域
１１７ ２次転写ローラ
１７０ 中間転写ベルト
１７５ 基材
１７６ セラミック膜
２０１ 従動ローラ

以下に本発明の実施の形態を説明するが、本欄の記載は請求の範囲の技術的範囲や用語の意義を限定するものではない。

本発明の中間転写体は、電子写真方式の複写機、プリンタ、ファクシミリ等の画像形成装置に好適に用いられ、感光体の表面に担持されたトナー画像をその表面に１次転写して、転写されたトナー画像を保持し、保持したトナー画像を記録紙等の被転写物の表面に２次転写するものであれば良く、ベルト状の転写体でも、ドラム状の転写体でも良い。

先ず、本発明の中間転写体を有する画像形成装置について、タンデム型フルカラー複写機を例に取り説明する。

図１は、カラー画像形成装置の１例を示す断面構成図である。

このカラー画像形成装置１は、タンデム型フルカラー複写機と称せられるもので、自動原稿送り装置１３と、原稿画像読み取り装置１４と、複数の露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋと、複数組の画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋと、中間転写体ユニット１７と、給紙手段１５及び定着手段１２４とから成る。

画像形成装置の本体１２の上部には、自動原稿送り装置１３と原稿画像読み取り装置１４が配置されており、自動原稿送り装置１３により搬送される原稿ｄの画像が原稿画像読み取り装置１４の光学系により反射・結像され、ラインイメージセンサＣＣＤにより読み込まれる。

ラインイメージセンサＣＣＤにより読み取られた原稿画像を光電変換されたアナログ信号は、図示しない画像処理部において、アナログ処理、Ａ／Ｄ変換、シェーディング補正、画像圧縮処理等を行った後、露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋに各色毎のデジタル画像データとして送られ、露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋにより対応する第１の像担持体としてのドラム状の感光体（以下感光体とも記す）１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋに各色の画像データの潜像を形成する。

画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、垂直方向に縦列配置されており、感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋの図示左側方にローラ１７１、１７２、１７３、１７４を巻回して回動可能に張架された半導電性でエンドレスベルト状の第２の像担持体である本発明の中間転写体（以下中間転写ベルトと記す）１７０が配置されている。

そして、本発明の中間転写ベルト１７０は図示しない駆動装置により回転駆動されるローラ１７１を介し矢印方向に駆動されている。

イエロー色の画像を形成する画像形成部１０Ｙは、感光体１１Ｙの周囲に配置された帯電手段１２Ｙ、露光手段１３Ｙ、現像手段１４Ｙ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｙ、クリーニング手段１６Ｙを有する。

マゼンタ色の画像を形成する画像形成部１０Ｍは、感光体１１Ｍ、帯電手段１２Ｍ、露光手段１３Ｍ、現像手段１４Ｍ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｍ、クリーニング手段１６Ｍを有する。

シアン色の画像を形成する画像形成部１０Ｃは、感光体１１Ｃ、帯電手段１２Ｃ、露光手段１３Ｃ、現像手段１４Ｃ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｃ、クリーニング手段１６Ｃを有する。

黒色画像を形成する画像形成部１０Ｋは、感光体１１Ｋ、帯電手段１２Ｋ、露光手段１３Ｋ、現像手段１４Ｋ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｋ、クリーニング手段１６Ｋを有する。

トナー補給手段１４１Ｙ、１４１Ｍ、１４１Ｃ、１４１Ｋは、現像装置１４Ｙ、１４Ｍ、１４Ｃ、１４Ｋにそれぞれ新規トナーを補給する。

ここで、１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋは、図示しない制御手段により画像の種類に応じて選択的に作動され、それぞれ対応する感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋに中間転写ベルト１７０を押圧し、感光体上の画像を転写する。

このようにして、画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋにより感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋ上に形成された各色の画像は、１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋにより、回動する中間転写ベルト１７０上に逐次転写されて、合成されたカラー画像が形成される。

即ち、中間転写ベルトは感光体の表面に担持されたトナー画像をその表面に１次転写され、転写されたトナー画像を保持する。

また、給紙カセット１５１内に収容された記録媒体としての記録紙Ｐは、給紙手段１５により給紙され、次いで複数の中間ローラ１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、１２２Ｄ、レジストローラ１２３を経て、２次転写手段としての２次転写ローラ１１７まで搬送され、２次転写ローラ１１７により中間転写体上の合成されたトナー画像が記録紙Ｐ上に一括転写される。

即ち、中間転写体上に保持したトナー画像を被転写物の表面に２次転写する。

ここで、２次転写手段６は、ここを記録紙Ｐが通過して２次転写を行なう時にのみ、記録紙Ｐを中間転写ベルト１７０に圧接させる。

カラー画像が転写された記録紙Ｐは、定着装置１２４により定着処理され、排紙ローラ１２５に挟持されて機外の排紙トレイ１２６上に載置される。

一方、２次転写ローラ１１７により記録紙Ｐにカラー画像を転写した後、記録紙Ｐを曲率分離した中間転写ベルト１７０は、クリーニング手段８により残留トナーが除去される。

ここで、中間転写体は前述したような回転するドラム状の中間転写ドラムに置き換えても良い。

次に、中間転写ベルト１７０に接する１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋ、と、２次転写ローラ１１７の構成について説明する。

一次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋは、例えば外径８ｍｍのステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴム材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりして、体積抵抗が１０⁵〜１０⁹Ω・ｃｍ程度のソリッド状態または発泡スポンジ状態で、厚さが５ｍｍ、ゴム硬度が２０〜７０°程度（アスカー硬度Ｃ）の半導電弾性ゴムを被覆して形成される。

二次転写ローラ１１７は、例えば外径８ｍｍのステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴム材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりして、体積抵抗が１０⁵〜１０⁹Ω・ｃｍ程度のソリッド状態または発泡スポンジ状態で、厚さが５ｍｍ、ゴム硬度が２０〜７０°程度（アスカー硬度Ｃ）の半導電弾性ゴムを被覆して形成される。

そして、二次転写ローラ１１７は、一次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋと異なり、記録紙Ｐが無い状態ではトナーが接する可能性があるため、二次転写ローラ６の表面に半導電性のフッ素樹脂やウレタン樹脂等の離型性の良いものを被覆すると良く、ステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴムや樹脂材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりした半導電性材料を、厚さが０．０５〜０．５ｍｍ程度被覆して形成される。

以下に、上述した中間転写ベルト１７０を例に取り本発明の中間転写体について説明する。

図２は、中間転写体の層構成を示す概念断面図である。

中間転写ベルト１７０は基材１７５と、基材１７５の表面にセラミック膜１７６を形成している。セラミック膜１７６は少なくとも１層以上のセラミック膜からなる。該セラミック膜の密度をρｆとし、また、該セラミック膜と同組成比となる前記セラミック膜を構成するセラミックの母体材料の熱酸化或いは熱窒化により形成されたセラミック膜の密度をρｂとしたとき、その密度比Ｙ（＝ρｆ／ρｂ）が１≧Ｙ＞０．８であるように形成したセラミック膜を有する樹脂フィルムである。

このセラミック膜としては、残留（内部）応力が圧縮応力で０．０１ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以下であることが好ましい。これにより、トナーの転写効率が高く、クリーニング性、耐久性の高い中間転写体が得られる。

以下、本発明に係る中間転写ベルト１７０の構成要件について、説明する。
（基材）
本発明における中間転写ベルト１７０の基材１７５としては、樹脂材料に導電剤を分散させてなるベルトを用いることができる。ベルトに用いる樹脂としては、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフッ化ビニリデン、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体、ポリアミド及びポリフェニレンサルファイド等、いわゆるエンジニアリングプラスチック材料を用いることができる。また、導電剤としては、カーボンブラックを使用することができる。カーボンブラックとしては、中性または酸性カーボンブラックを使用することができる。導電性フィラーの使用量は、使用する導電性フィラーの種類によっても異なるが中間転写ベルト１７０の体積抵抗値および表面抵抗値が所定の範囲になるように添加すれば良く、通常、樹脂材料１００質量部に対して１０〜２０質量部、好ましくは１０〜１６質量部である。本発明に用いられる基材１７５は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押し出し機により溶融し、環状ダイやＴダイにより押しだして急冷することにより製造することができる。

基材１７５の厚みは、樹脂材料の場合５０〜２００μｍ程度、ゴム材料の場合は３００〜７００μｍ程度に設定されている。
（セラミック膜）
次に、この基材１７５の上に本発明におけるセラミック膜１７６を形成する。

本発明において、基材１７５上に形成されるセラミック膜１７６は、その密度をρｆとしたとき、該セラミック膜と同組成比となるように、母体材料を熱酸化或いは熱窒化して形成したセラミック膜の密度をρｂとしたとき、その密度比Ｙ（＝ρｆ／ρｂ）が１≧Ｙ＞０．８であるように形成されるべきである。

本発明において、基材１７５上に形成されるセラミック膜１７６の密度は、公知の分析手段を用いて求めることができるが、本発明においては、Ｘ線反射率法により求めた値を用いる。

これは、表面が平坦な物質に非常に浅い角度でＸ線を入射させ測定を行う方法で、Ｘ線反射率法の概要は、Ｘ線回折ハンドブック １５１ページ（理学電機株式会社編 ２０００年 国際文献印刷社）や化学工業１９９９年１月Ｎｏ．２２を参照して行うことができる。

本発明に有用な測定方法の具体例を以下に示す。

測定装置としては、マックサイエンス社製ＭＸＰ２１を用いて行う。Ｘ線源のターゲットには銅を用い、４２ｋＶ、５００ｍＡで作動させる。インシデントモノクロメータには多層膜パラボラミラーを用いる。入射スリットは０．０５ｍｍ×５ｍｍ、受光スリットは０．０３ｍｍ×２０ｍｍを用いる。２θ／θスキャン方式で０から５°をステップ幅０．００５°、１ステップ１０秒のＦＴ法にて測定を行う。得られた反射率曲線に対し、マックサイエンス社製Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ Ａｎａｌｙｓｉｓ Ｐｒｏｇｒａｍ Ｖｅｒ．１を用いてカーブフィティングを行い、実測値とフッティングカーブの残差平方和が最小になるように各パラメータを求める。各パラメータから積層膜の厚さ及び密度を求めることができる。本発明における積層膜の各膜厚評価も上記Ｘ線反射率測定より求めることができる。

この方法を用いて、例えば、後述する大気圧プラズマ法、又蒸着法等により形成された酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等のセラミック膜について、その密度（ρｆ）の測定を行うことができる。

これらのセラミック膜は、緻密な膜であることが必要であり、同組成となるバルクのセラミック（形成されるセラミック膜が酸化珪素膜である場合にはバルクの酸化珪素）の密度（ρｂ）との比率である密度比（Ｙ＝ρｆ／ρｂ）で前記の範囲にあることが好ましい。バルクに近い程緻密であり好ましい。この様な膜を安定して製造出来る方法が好ましい。

この上記バルクの膜としては、例えば、蒸着や、プラズマＣＶＤ等により基材１７５上に形成されたセラミック膜１７６と同組成比となるように形成された、前記セラミック膜１７６の母体材料を熱酸化或いは熱窒化して形成されたセラミック膜の密度を用いる。母体材料としては酸化珪素の場合には母体金属、即ちシリコン基板がこれに相当する。

例えば、シリコン基板の熱酸化による酸化珪素膜の形成は公知であり、シリコン基板を用い、その表面に、例えば８００℃で熱酸化膜を形成させる。シリコン酸化膜（酸化珪素膜）の特性は、半導体分野で研究されよく知られており、シリコン酸化膜は、シリコン基板境界に近いところにはバルクの酸化珪素と構造と異なる構造を有する１ｎｍ程度の遷移層があることが知られているが、この部分の影響を受けないように充分な厚みのある（例えば１０ｎｍ〜３００ｎｍ）バルクの酸化珪素膜を形成させるものとする。又、酸化珪素膜の場合には例えば、オゾン等を用いてより低温で遷移層が小さい酸化膜が形成されるため、これらの方法によってもよい。

これらの事情は酸窒化膜、窒化膜等においても同様であり、ガスの種類、流量、温度、時間等の条件を調整することにより、同組成のセラミック膜を形成させる母体材料、例えば金属基板から、その熱酸窒化、窒化により当該セラミック膜を形成して、前記のＸ線反射率法によりそのバルクの密度（ρｂ）を測定する。

また、これらの基材１７５上に形成したセラミック膜１７６の残留応力は圧縮応力で、０．０１ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以下であることが好ましい。

例えば、蒸着法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法等により形成したセラミック膜を有する基材フィルムは、一定条件に放置したとき、プラスカール、マイナスカールをその基材フィルムとセラミック膜の膜質との関係で生じる。このカールは、前記セラミック膜中に発生する応力によって、生じるもので、カールの大きいもの（プラスカール）ほど、圧縮応力が大きいということが出来る。

セラミック膜中の内部応力の測定は、以下の方法により測定する。即ち、測定膜と同じ組成、厚みのセラミック膜を、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚み０．１ｍｍの石英基板上に同じ方法により厚み１μｍとなるよう製膜し、作製したサンプルに生じるカールをサンプルの凹部を上に向けて、ＮＥＣ三栄社製、薄膜物性評価装置ＭＨ４０００にて測定して得ることができる。一般に圧縮応力により基材に対し膜側が縮むプラスカールの場合プラスの応力とし、逆に、引っ張り応力によりマイナスカールを生じる場合マイナスの応力と表現する。

本発明において、この応力値としてはプラスの領域で２００ＭＰａ以下にあることが好ましく、特に、０．０１ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以下の範囲であることが好ましい。

酸化珪素膜を形成した中間転写体の残留応力は、例えば真空蒸着法により酸化珪素膜を作製するときに、真空度を調整することで調整できる。図３は幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚み０．１ｍｍの石英基板上に、真空蒸着法により酸化珪素膜を１μｍ形成したときのチャンバーの真空度と、形成される酸化珪素膜の前記の方法により測定した残留（内部）応力との関係を示す。図において０よりも大きく、１００ＭＰａ程度までの残留応力をもつセラミック膜が好ましいが、微調整が難しく、特に細かな制御が困難であり、この範囲内に調整出来ないことも多い。残留応力が小さすぎるときには、部分的に引っ張り応力となっている場合があり、膜にひびや亀裂が入りやすく耐久性のない膜となり、大きすぎる場合には割れ易く、容易に剥離してしまう膜となる。

本発明におけるセラミック膜１７６の膜厚は、２００ｎｍ〜１０００ｎｍが良く、好ましくは２００ｎｍ〜６００ｎｍ、さらに好ましくは２２０ｎｍ〜５００ｎｍである。

セラミック膜１７６の膜厚が２００ｎｍ未満である場合には耐久性や表面強度が不足するため、厚紙への転写などにより擦り傷が発生し、最終的には薄膜が不均一に摩耗しトナー転写率の低下や転写ムラが発生してしまう。１０００ｎｍ越えである場合、密着性や屈曲耐性が不足するため繰り返し使用において、割れや剥離が生じ易くなる上、成膜に必要な時間も増加するため生産上の観点からも好ましくない。

本発明におけるセラミック膜１７６は、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化窒化チタン、窒化チタンまたは酸化アルミニウムの何れかが好ましく、またはそれらの混合物からなる無機化合物もまた好ましい。

本発明におけるセラミック膜１７６は、１層以上あれば良い。

本発明におけるセラミック膜１７６を基材１７５の上に形成する前にコロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、グロー放電処理、粗面化処理、薬品処理などの表面処理を基材に行っても良い。

更に、本発明におけるセラミック膜１７６と基材１７５との間には、密着性の向上を目的として、アンカーコート剤層を形成しても良い。このアンカーコート剤層に用いられるアンカーコート剤としては、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコン樹脂、およびアルキルチタネート等を、１または２種以上併せて使用することができる。これらのアンカーコート剤には、従来公知の添加剤を加えることもできる。そして、上記のアンカーコート剤は、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により基材上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することやＵＶ硬化させることによりアンカーコーティングすることができる。上記のアンカーコート剤の塗布量としては、０．１〜５ｇ／ｍ²（乾燥状態）程度が好ましい。

次に本発明に係る中間転写体のセラミック膜を大気圧プラズマＣＶＤにより形成する場合の装置及び方法、また使用するガスについて説明する。

図４は、中間転写体を製造する第１の製造装置の説明図である。

中間転写体の製造装置２（放電空間と薄膜堆積領域が略同一なダイレクト方式）は基材１７５上にセラミック膜１７６を形成するもので、エンドレスベルト状の中間転写体１７０の基材１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０と従動ローラ２０１、及び、基材１７５表面にセラミック膜１７６を形成する成膜装置である大気圧プラズマＣＶＤ装置３より構成されている。

大気圧プラズマＣＶＤ装置３は、ロール電極２０の外周に沿って配列された少なくとも１式の固定電極２１と、固定電極２１とロール電極２０との対向領域で且つ放電が行われる放電空間２３と、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３に混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４と、放電空間２３等に空気の流入することを軽減する放電容器２９と、ロール電極２０に接続された第１の電源２５と、固定電極２１に接続された第２の電源２６と、使用済みの排ガスＧ’を排気する排気部２８とを有している。

混合ガス供給装置２４は無機酸化物層、無機窒化物層から選ばれる少なくとも１つの層の膜を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間２３に供給する。また、酸化還元反応による反応促進のための酸素ガスまたは水素ガスを混合することがより好ましい。

また、従動ローラ２０１は張力付与手段２０２により矢印方向に牽引され、基材１７５に所定の張力を掛けている。張力付与手段２０２は基材１７５の掛け替え時等は張力の付与を解除し、容易に基材１７５の掛け替え等を可能としている。

第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化して混合ガスＧに含まれる原料ガスに応じた膜（セラミック膜１７６）が基材１７５の表面に堆積される。

なお、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向下流側に位置する複数の固定電極と混合ガス供給装置でセラミック膜１７６を積み重ねるように堆積し、セラミック膜１７６の厚さを調整するようにしても良い。

また、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向最下流側に位置する固定電極と混合
ガス供給装置でセラミック膜１７６を堆積し、より上流に位置する他の固定電極と混合ガス供給装置で、例えばセラミック膜１７６と基材１７５との接着性を向上させる接着層等、他の層を形成しても良い。

また、セラミック膜１７６と基材１７５との接着性を向上させるために、セラミック膜１７６を形成する固定電極と混合ガス供給装置の上流に、アルゴンや酸素などのガスを供給するガス供給装置と固定電極を設けてプラズマ処理を行い、基材１７５の表面を活性化させるようにしても良い。

以上説明したように、エンドレスベルトである中間転写ベルトを１対のローラに張架し、１対のローラの内一方を１対の電極の一方の電極とし、一方の電極としたローラの外周面の外側に沿って他方の電極である少なくとも１の固定電極を設け、これら１対の電極間に大気圧または大気圧近傍下で電界を発生させプラズマ放電を行わせ、中間転写体表面に薄膜を堆積・形成する構成を取ることにより、転写性が高く、クリーニング性及び耐久性が高い中間転写体を製造することを可能としている。

図５は、中間転写体を製造する第２の製造装置の説明図である。

中間転写体の第２の製造装置２ｂは複数の基材上に同時にセラミック膜を形成するもので、主として基材表面にセラミック膜を形成する複数の成膜装置２ｂ１及び２ｂ２より構成されている。

第２の製造装置２ｂ（ダイレクト方式の変形で、対向したロール電極間で放電と薄膜堆積を行う方式）は、第１の成膜装置２ｂ１と所定の間隙を隔てて略鏡像関係に配置された第２の成膜装置２ｂ２と、第１の成膜装置２ｂ１と第２の成膜装置２ｂ２との間に配置された少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３ｂに混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４ｂとを有している。

第１の成膜装置２ｂ１はエンドレスベルト状の中間転写体の基材１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０ａと従動ローラ２０１と矢印方向に従動ローラ２０１を牽引する張力付与手段２０２とロール電極２０ａに接続された第１の電源２５とを有し、第２の成膜装置２ｂ２はエンドレスベルト状の中間転写体の基材１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０ｂと従動ローラ２０１と矢印方向に従動ローラ２０１を牽引する張力付与手段２０２とロール電極２０ｂに接続された第２の電源２６とを有している。

また、第３の製造装置２ｂはロール電極２０ａとロール電極２０ｂとの対向領域に放電が行われる放電空間２３ｂを有している。

混合ガス供給装置２４ｂは無機酸化物層、無機窒化物層から選ばれる少なくとも１つの層の膜を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間２３ｂに供給する。また、酸化還元反応による反応促進のための酸素ガスまたは水素ガスを混合することがより好ましい。

第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３ｂに周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化（励起）し、プラズマ化（励起）した混合ガスを第１の成膜装置２ｂ１の基材１７５及び第２の成膜装置２ｂ２の基材１７５の表面に晒し、プラズマ化（励起）した混合ガスに含まれる原料ガスに応じた膜（セラミック膜）が第１の成膜装置２ｂ１の基材１７５及び第２の成膜装置２ｂ２の基材１７５の表面に同時に堆積・形成される。

ここで、対向するロール電極２０ａとロール電極２０ｂとは所定の間隙を隔てて配置されている。

以下に基材１７５上にセラミック膜１７６を形成する大気圧プラズマＣＶＤ装置の形態について詳細に説明する。

なお、下記の図６は図４の主として破線部を抜き出したものである。

図６は、プラズマにより中間転写体を製造する第１のプラズマ成膜装置の説明図である。

図６を参照して、セラミック膜１７６の形成に好適に用いられる大気圧プラズマＣＶＤ装置の１例を説明する。

大気圧プラズマＣＶＤ装置３は、基材を着脱可能に巻架して回転駆動させる少なくとも１対のローラと、プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極とを有し、前記１対の電極の内、一方の電極は前記１対のローラの内の一方のローラで、他方の電極は前記一方のローラに前記基材を介して対向する固定電極であり、前記一方のローラと前記固定電極との対向領域において発生するプラズマに、前記基材が晒されて前記セラミック膜を堆積・形成される中間転写体の製造装置である。

大気圧プラズマＣＶＤ装置３は前述したように混合ガス供給装置２４、固定電極２１、第１の電源２５、第１のフィルタ２５ａ、ロール電極２０、ロール電極を矢印方向に駆動回転させる駆動手段２０ａ、第２の電源２６、第２のフィルタ２６ａとを有しており、放電空間２３でプラズマ放電を行わせて原料ガスと放電ガスを混合した混合ガスＧを励起させ、励起した混合ガスＧ１を基材表面１７５ａに晒し、その表面にセラミック膜１７６を堆積・形成するものである。

そして、固定電極２１に第１の電源２５から周波数ω₁の第１の高周波電圧が印加され、ロール電極２０に第２の電源２６から周波数ω₂の高周波電圧が印加されるようになっており、それにより、固定電極２１とロール電極２０との間に電界強度Ｖ１で周波数ω₁と電界強度Ｖ₂で周波数ω₂とが重畳された電界が発生し、固定電極２１に電流Ｉ１が流れ、ロール電極２０に電流Ｉ₂が流れ、電極間にプラズマが発生する。

ここで、周波数ω₁と周波数ω₂の関係、及び、電界強度Ｖ₁と電界強度Ｖ₂および放電ガスの放電を開始する電界強強度ＩＶとの関係が、ω₁＜ω₂で、Ｖ₁≧ＩＶ＞Ｖ₂、または、Ｖ₁＞ＩＶ≧Ｖ₂を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ²以上となっている。

窒素ガスの放電を開始する電界強強度ＩＶは３．７ｋＶ／ｍｍの為、少なくとも第１の電源２５から印可する電界強度Ｖ₁は３．７ｋＶ／ｍｍ、またはそれ以上とし、第２の高周波電源６０から印可する電界強度Ｖ₂は３．７ｋＶ／ｍｍ、またはそれ未満とすることが好ましい。

また、第１の大気圧プラズマＣＶＤ装置３に利用可能な第１の電源２５（高周波電源）としては、
印加電源記号 メーカー 周波数 製品名
Ａ１ 神鋼電機 ３ｋＨｚ ＳＰＧ３−４５００
Ａ２ 神鋼電機 ５ｋＨｚ ＳＰＧ５−４５００
Ａ３ 春日電機 １５ｋＨｚ ＡＧＩ−０２３
Ａ４ 神鋼電機 ５０ｋＨｚ ＳＰＧ５０−４５００
Ａ５ ハイデン研究所 １００ｋＨｚ＊ ＰＨＦ−６ｋ
Ａ６ パール工業 ２００ｋＨｚ ＣＦ−２０００−２００ｋ
Ａ７ パール工業 ４００ｋＨｚ ＣＦ−２０００−４００ｋ
Ａ８ ＳＥＲＥＮ ＩＰＳ １００〜４６０ｋＨｚ Ｌ３００１
等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。

また、第２の電源２６（高周波電源）としては、
印加電源記号 メーカー 周波数 製品名
Ｂ１ パール工業 ８００ｋＨｚ ＣＦ−２０００−８００ｋ
Ｂ２ パール工業 ２ＭＨｚ ＣＦ−２０００−２Ｍ
Ｂ３ パール工業 １３．５６ＭＨｚ ＣＦ−５０００−１３Ｍ
Ｂ４ パール工業 ２７ＭＨｚ ＣＦ−２０００−２７Ｍ
Ｂ５ パール工業 １５０ＭＨｚ ＣＦ−２０００−１５０Ｍ
Ｂ６ パール工業 ２０〜９９．９ＭＨｚ ＲＰ−２０００−２０／１００Ｍ等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。

なお、上記電源のうち、＊印はハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）である。それ以外は連続サイン波のみ印加可能な高周波電源である。

本発明において、第１及び第２の電源から対向する電極間に供給する電力は、固定電極２１に１Ｗ／ｃｍ²以上の電力（出力密度）を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、薄膜を形成する。固定電極２１に供給する電力の上限値としては、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ²、より好ましくは２０Ｗ／ｃｍ²である。下限値は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ²である。なお、放電面積（ｃｍ²）は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。

また、ロール電極２０にも、１Ｗ／ｃｍ²以上の電力（出力密度）を供給することにより、高周波電界の均一性を維持したまま、出力密度を向上させることが出来る。これにより、更なる均一高密度プラズマを生成出来、更なる製膜速度の向上と膜質の向上が両立出来る。好ましくは５Ｗ／ｃｍ²以上である。ロール電極２０に供給する電力の上限値は、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ²である。

ここで高周波電界の波形としては、特に限定されない。連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モード等があり、そのどちらを採用してもよいが、少なくともロール電極２０に供給する高周波は連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。

また、固定電極２１と第１の電源２５との間には、第１フィルタ２５ａが設置されており、第１の電源２５から固定電極２１への電流を通過しやすくし、第２の電源２６からの電流をアースして、第２の電源２６から第１の電源２５への電流が通過しにくくなるようになっており、ロール電極２０と第２の電源２６との間には、第２フィルター２６ａが設置されており、第２の電源２６からロール電極２０への電流を通過しやすくし、第１の電源２１からの電流をアースして、第１の電源２５から第２の電源２６への電流を通過しにくくするようになっている。

電極には前述したような強い電界を印加して、均一で安定な放電状態を保つことが出来る電極を採用することが好ましく、固定電極２１とロール電極２０には強い電界による放電に耐えるため少なくとも一方の電極表面には下記の誘電体が被覆されている。

以上の説明において、電極と電源の関係は、固定電極２１に第２の電源２６を接続して、ロール電極２０に第１の電源２５を接続しても良い。

ロール電極２０の構成について説明すると、ロール電極２０は、金属等の導電性母材（以下、「電極母材」ともいう。）に対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体（以下、単に「誘電体」ともいう。）を被覆した組み合わせで構成されている。また、溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化ケイ素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられる。

また、金属等の導電性母材にライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体を被覆した組み合わせでロール電極を構成してもよい。ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好ましく用いられる。

金属等の導電性母材としては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、チタニウム、チタン合金、鉄等の金属等が挙げられるが、加工やコストの観点からステンレスが好ましい。

尚、本実施の形態においては、ロール電極の母材は、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材を使用している（不図示）。

固定電極２１及び２１ａ、２１ｂは上記記載のロール電極２０と同様に、金属等の導電性母材に対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体を被覆した組み合わせで構成されている。また、金属等の導電性母材へライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体を被覆した組み合わせで構成してもよい。

以下に、中間転写体の製造方法の工程の内、基材１７５上にセラミック膜１７６を堆積・形成する成膜工程の例を、図４、６を参照して説明する。

図４及び６において、ロール電極２０及び従動ローラ２０１に基材１７５を張架後、張力付与手段２０２の作動により基材１７５に所定の張力を掛け、次いでロール電極２０を所定の回転数で回転駆動する。

混合ガス供給装置２４から混合ガスＧを生成し、放電空間２３に放出する。

第１の電源２５から周波数ω１の電圧を出力して固定電極２１に印加し、第２の電源２６から周波数ω２の電圧を出力してロール電極２０に印加し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生させる。

電界Ｖにより放電空間２３に放出された混合ガスＧを励起しプラズマ状態にする。そして、基材表面にプラズマ状態の混合ガスＧを晒し混合ガスＧ中の原料ガスにより無機酸化物層、無機窒化物層から選ばれる少なくとも１つの層の膜、即ちセラミック膜１７６を基材１７５上に形成する。

この様にして形成されるセラミック膜は、複数設け、複数層からなるセラミック膜としても良いが、当該複数層の内、最低１層は、ＸＰＳ測定による炭素原子の含有量測定で、炭素原子０．１〜２０原子％含むことが好ましく、さらに当該炭素原子含有層は基材により近い層であることがより好ましい。

例えば、上記の大気圧プラズマＣＶＤ装置３においては、一対の電極間（ロール電極２０と固定電極２１）で混合ガス（放電ガス）をプラズマ励起させ、このプラズマ中に存在する炭素原子を有する原料ガスをラジカル化して基材１７５の表面に晒すものである。そして、この基材１７５の表面に晒された炭素含有分子や炭素含有ラジカルが、セラミック膜の中に含有される。

放電ガスとは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等及びそれらの混合物などがあげられる。これらの中でも窒素、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられ、特に窒素がコストも安く好ましい。

また、セラミック膜を形成するための原料ガスとしては、常温で気体または液体の有機金属化合物、特にアルキル金属化合物や金属アルコキシド化合物、有機金属錯体化合物が用いられる。これら原料における相状態は常温常圧において必ずしも気相である必要はなく、混合ガス供給装置２４で加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能である。

原料ガスとしては、放電空間でプラズマ状態となり、薄膜を形成する成分を含有するものであり、有機金属化合物、有機化合物、無機化合物等である。

例えば、ケイ素化合物として、シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ−ブトキシシラン、テトラｔ−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミド、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラキスジメチルアミノシラン、テトライソシアナートシラン、テトラメチルジシラザン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、トリエトキシフルオロシラン、アリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン、ベンジルトリメチルシラン、ビス（トリメチルシリル）アセチレン、１，４−ビストリメチルシリル−１，３−ブタジイン、ジ−ｔ−ブチルシラン、１，３−ジシラブタン、ビス（トリメチルシリル）メタン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン、プロパルギルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、１−（トリメチルシリル）−１−プロピン、トリス（トリメチルシリル）メタン、トリス（トリメチルシリル）シラン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン、Ｍシリケート５１などが挙げられるがこれらに限定されない。

チタン化合物としては、テトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどが挙げられるがこれらに限定されない。

アルミニウム化合物としては、アルミニウムｎ−ブトキシド、アルミニウムｓ−ブトキシド、アルミニウムｔ−ブトキシド、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセトアセテート、アルミニウムエトキシド、アルミニウムヘキサフルオロペンタンジオネート、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムIII２，４−ペンタンジオネート、ジメチルアルミニウムクロライドなどが挙げられるがこれらに限定されない。

また、これらの原料は、単独で用いても良いが、２種以上の成分を混合して使用するようにしても良い。

また、前記のようにセラミック膜の硬度は、成膜速度や添加ガス量比などによって調整することができる。

上記のような方法によってセラミック膜１７６を基材１７５表面に形成することにより、転写性が高く、クリーニング性及び耐久性が高い中間転写体を提供することができる。

以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明の実施形態はこれに限定されるものではない。
１．試料の作製
（実施例）
基材を以下のようにして作成した。

ポリフェニレンサルファイド樹脂（Ｅ２１８０、東レ社製） １００質量部
導電フィラー（ファーネス＃３０３０Ｂ、三菱化学社製） １６質量部
グラフト共重合体（モディパーＡ４４００、日本油脂社製） １質量部
滑材（モンタン酸カルシウム） ０．２質量部
上記材料を単軸押出機に投入し、溶融混練させて樹脂混合物とした。単軸押出機の先端にはスリット状でシームレスベルト形状の吐出口を有する環状ダイスが取り付けてあり、混練された上記樹脂混合物を、シームレスベルト形状に押し出した。押し出されたシームレスベルト形状の樹脂混合物を、吐出先に設けた円筒状の冷却筒に外挿させて冷却し、固化することによりシームレス円筒状の中間転写ベルトを得た。得られた基材の厚さは、１２０μｍであった。

次にこの基材の上に図４のプラズマ放電処理装置を用いて、セラミック膜として１層の無機化合物層３５０ｎｍを形成した。セラミック膜としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウムを用いた。この時のプラズマ放電処理装置の各電極を被覆する誘電体は対向する両電極共に、セラミック溶射加工により片肉で１ｍｍ厚のアルミナを被覆したものを使用した。被覆後の電極間隙は、０．５ｍｍに設定した。また誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施した。

セラミック膜の成膜条件を下記のように変えることで、表１に示す実施例および比較例の試料を作成した。各原料ガスは、加熱することで蒸気を生成し、あらかじめ原料が凝集しないように余熱をおこなった放電ガスおよび反応ガスと混合・希釈した後、放電空間への供給をおこなった。

（酸化ケイ素層）
放電ガス：Ｎ₂ガス
反応ガス：Ｏ₂ガスを全ガスに対し２１体積％
原料ガス：テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を全ガスに対し０．１体積％
低周波側電源電力（神鋼電機製高周波電源（５０ｋＨｚ））：１０Ｗ／ｃｍ²
高周波側電源電力（パール工業製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ））：１〜１０Ｗ／ｃｍ²で変化
（酸化チタン層）
放電ガス：Ｎ₂ガス
反応ガス：Ｏ₂ガスを全ガスに対し２１体積％
原料ガス：テトライソプロポキシチタン（ＴＴＩＰ）を全ガスに対し０．１体積％
低周波側電源電力（ＳＥＲＥＮ ＩＰＳ製高周波電源（１１０ｋＨｚ））：１０Ｗ／ｃｍ²
高周波側電源電力（パール工業製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ））：１〜１０Ｗ／ｃｍ²で変化
（酸化アルミニウム層）
放電ガス：Ｎ₂ガス
反応ガス：Ｈ₂ガスを全ガスに対し４．０体積％
原料ガス：アルミニウムトリｓ−ブトキシドを全ガスに対し０．０５体積％
低周波側電源電力（ハイデン研究所製インパルス高周波電源（１００ｋＨｚ））：１０Ｗ／ｃｍ²
高周波側電源電力（パール工業製広帯域高周波電源（４０．０ＭＨｚ））：１〜１０Ｗ／ｃｍ²で変化
（比較例１）
実施例と同様の基材上に製膜を行ない、評価を実施した。

（酸化ケイ素層）
放電ガス：Ｎ２ガス
反応ガス：Ｏ_２ガスを全ガスに対し２１体積％
原料ガス：テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を全ガスに対し０．１体積％
低周波側電源電力（神鋼電機製高周波電源（５０ｋＨｚ））：３Ｗ／ｃｍ²
高周波側電源電力（パール工業製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ））：０．５Ｗ／ｃｍ²
基材保持温度：２０℃
（比較例２）
サムコ社製プラズマＣＶＤ装置Ｍｏｄｅｌ ＰＤ−２７０ＳＴＰを用いて、実施例と同様の基材上に製膜を行ない、評価を実施した。製膜装置の都合からベルトの一部分にのみ製膜をおこない、成膜された部分のみを評価するようにした。

（酸化ケイ素層）
放電ガス：Ｏ₂ガス０．０８ｔｏｒｒ
反応ガス：テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）５ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）
電力：１３．５６ＭＨｚで１００Ｗ
基材保持温度：６０℃
２．評価方法
（１）トナー２次転写率の評価方法
２次転写率は、中間転写体上に形成されたトナー像のトナー質量に対する記録紙上に転写されたトナー像のトナー質量の割合のことであり、以下のように評価を行った。

プリンタ（コニカミノルタ社製ｍａｇｉｃｏｌｏｒ５４４０ＤＬ）に平均粒径６．５μｍの重合トナーをセットし、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラック各色を最大トナー濃度でコニカミノルタＣＦペーパーへテストプリントを行った。テストプリント紙上へ転写されたトナー付着量およびベルト上の残留トナー量を光学（反射）濃度測定し、測定結果をトナー量へと換算し、トナー転写率を求めた。
転写率（％）＝（テストプリント紙上へ転写されたトナー量／（テストプリント紙上へ転写されたトナー量＋ベルト上の残留トナー量））×１００
○：転写率が９５％以上であった。
△：転写率が９５％未満９０％以上であった。
×：転写率が９０％未満であった。
（２）クリーニング性
前記プリンタを用い、中間転写体表面をクリーニングブレードでクリーニングした後の中間転写体の表面状態を目視観察し、トナーの付着状態を確認した。そして、トナー残留の無いものを○、僅かにあるが実用上問題のないものを△、実用上問題があるものを×とした。
（３）耐久性試験
上記プリンタを用い、コニカミノルタＣＦペーパー（Ａ４）に各トナー色とも５％イメージ率のテストパターンにて１６万枚プリントを行った。その後、トナー２次転写率の評価およびプリント品質を目視観察にて初期と比較を行い、１６万枚プリント後でも変化が認められないものを○（ＯＫ）、僅かに変化が認められるが実用上問題のないものを△、明らかに変化が認められ実用上問題があるものを×（ＮＧ）と評価した。

以上の実施例１〜３と比較例１、２の測定結果及び評価結果を表１に示す。

表１の結果から、基材上にセラミック膜を少なくとも１層以上有する中間転写体に於いて、該セラミック膜の密度をρｆとし、また、該セラミック膜と同組成比となるセラミック膜を、母体材料の熱酸化或いは熱窒化により形成したときの密度をρｂとしたとき、その密度比Ｙ（＝ρｆ／ρｂ）が１≧Ｙ＞０．８であることを特徴とする中間転写体を用いることにより、転写効率が良く、クリーニング性と耐久性に優れた中間転写体とその中間転写体の製造方法及びその中間転写体を備えた画像形成装置を提供することができる。

Claims (5)

1. 大気圧もしくはその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、前記放電空間に２つの周波数が重畳された電界を発生させることにより前記ガスを励起し、基材を励起した前記ガスに晒すことにより、前記基材の表面に下記式を満たす密度（ρｆ）を有するセラミック膜を形成することを特徴とする中間転写体の製造方法。
   ０．８＜ρｆ／ρｂ≦１
   但し、ρｂは、前記セラミック膜材料を８００℃で熱酸化、熱窒化または熱酸窒化することにより、前記セラミック膜と同じ組成比を有するセラミック膜を形成したときの、そのセラミック膜の密度である。
2. 前記密度（ρｆ）を有するセラミック膜の残留応力が圧縮応力で０．０１ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の中間転写体の製造方法。
3. 前記密度（ρｆ）を有するセラミック膜を構成する物質が、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化窒化チタン、窒化チタンまたは酸化アルミニウムの何れかであるか、またはそれらの混合されたものであることを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載の中間転写体の製造方法。
4. 前記密度（ρｆ）を有するセラミック膜の厚さが、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第３項の何れか１項に記載の中間転写体の製造方法。
5. 像担持体の表面を現像してトナー画像を形成し、該トナー画像を中間転写体に転写した後、転写紙に更に転写する画像形成装置において、前記中間転写体が請求の範囲第１項乃至第４項の何れか１項に記載の中間転写体の製造方法により製造された中間転写体であることを特徴とする画像形成装置。