JP4437760B2

JP4437760B2 - 光ディスク

Info

Publication number: JP4437760B2
Application number: JP2005072359A
Authority: JP
Inventors: 伸夫竹下; 昇八嶋; 雅晴小川
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2005-03-15
Filing date: 2005-03-15
Publication date: 2010-03-24
Anticipated expiration: 2025-03-15
Also published as: WO2006098118A1; US8270284B2; JP2006260615A; TW200639822A; TWI323884B; KR20070104660A; US20080159086A1

Description

本発明は、光ディスクに関し、特に、複数個の情報層を有する光ディスクに情報の記録または再生を行うための技術に関する。

従来の複数個の情報層を有する光ディスクにおいては、各情報層に対して最適な記録または再生が行えるように各情報層の厚み方向の位置を設定していた（例えば、特許文献１参照）。

特開２０００−３１１３４６号公報

しかしながら上記のような光ディスクにおいては、各情報層の厚み方向の位置は、任意に設定可能であるので、光ディスクの種類毎に変化する。従って、光ディスク装置によりアクセスを行う場合に、各情報層の位置を検知するために要する時間が長くなる。そのため、アクセスに要する時間が長くなるという問題点があった。

また、集光スポットによりアクセスを行う光ディスク装置においては、情報層の位置によっては、その情報層へのアクセスが不可能な場合があり得るが、アクセス不可能な情報層に対してもアクセスを試みることにより動作不具合を生じる場合があるという問題点があった。

本発明は以上の問題点を解決するためになされたものであり、アクセスに要する時間を低減できるとともに動作不具合を防止できる光ディスクを提供することを目的とする。

本発明に係る光ディスクは、複数個の情報層からなる情報層群を有し各情報層において情報の記録または再生を光学的に行う光ディスクであって、前記情報層群のうち前記光ディスクの表面から最も遠い位置に配置された最深情報層の管理領域に、隣接する各前記情報層間の距離を表す情報である位置情報が記録され、前記位置情報は、少なくとも、前記最深情報層に最も近い情報層の位置を前記最深情報層から最も遠い情報層の位置より長いビット長で表すことを特徴とする。
または、複数個の情報層からなる情報層群を有し各情報層において情報の記録または再生を光学的に行う光ディスクであって、前記情報層群のうち前記光ディスクの表面から最も遠い位置に配置された最深情報層の管理領域に、当該最深情報層と各前記情報層との距離によって表される前記光ディスクの厚み方向における各前記情報層の位置を示す位置情報が記録され、前記位置情報は、少なくとも、前記最深情報層に最も近い情報層の位置を前記最深情報層から最も遠い情報層の位置より短いビット長で表すことを特徴とする。

本発明に係る光ディスクは、複数個の情報層からなる情報層群を有し各情報層において情報の記録または再生を光学的に行う光ディスクであって、情報層群には、光ディスクの厚み方向における各情報層の位置を示す位置情報が記録されることを特徴とする。従って、光ディスク装置によりアクセスを行う場合に、各情報層の位置を検知するために要する時間を低減できる。よって、アクセスに要する時間を低減できるという効果を有する。

また、アクセス不可能な情報層を予め検知しておくことができるので、アクセス不可能な情報層に対してアクセスを試みることにより生じる動作不具合を防止できるという効果を有する。

＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１に係る光ディスク１００と光ディスク１００に情報の記録または再生を行うための光ディスク装置２００とを示す模式図である。

図１に示されるように、光ディスク１００には、その厚み方向に、複数個（図１では８個）の情報層１０１〜１０８（情報層群）が積層されている。これらの情報層１０１〜１０８は、それぞれ、光学的に情報の記録または再生を行うことが可能である。

図１においては、情報層１０１〜１０８のうち光ディスク１００の表面１１０から最も遠い位置に配置された情報層１０１（最深情報層）にアクセスが行われた状態が示されている。

光ディスク装置２００において、光源２１２から出射された光束２１４は、コリメーターレンズ２１６により平行光束に変換された後に、プリズム２２０を透過し、ビームエキスパンダ２１８ａ〜２１８ｂにより発散光束や収束光束等の適切な光束に変換される。そして、光束２１４は、プリズム２２１により反射された後に、対物レンズ２２２により情報層１０１内の集光スポット１０９において集光される。これにより、情報の記録または再生が行われる。

この集光において、対物レンズ２２２を透過した光束２１４は、情報層１０２〜１０８をこの逆順に透過した後に、情報層１０１内の集光スポット１０９に焦点を結んでいる。そして、情報層１０１で反射された光束２１４は、情報層１０２〜１０８をこの順に透過した後に、対物レンズ２２２に再入射する。そして、光束２１４は、プリズム２２１により反射された後に、ビームエキスパンダ２１８ａ〜２１８ｂを通りプリズム２２０により反射されて、センサーレンズ２２４により光検知器２２６上に照射される。

光検知器２２６は、照射により受光された光束２１４を、電流に変換（光電変換）し信号処理手段２２８に入力させる。信号処理手段２２８は、入力された電流に基づき（すなわち光束２１４の発光量に基づき）、信号を生成する。生成された信号は、ビームエキスパンダ２１８ａ〜２１８ｂの制御に用いられるとともに、映像処理手段２３０に入力される。映像処理手段２３０は、入力された信号に基づき映像処理（記録または再生）を行う。これにより、光ディスク装置２００を用いて光ディスク１００の記録または再生を行うことが可能となる。

情報層１０１よりも表面１１０に近い情報層１０２〜１０８にアクセスする場合には、信号処理手段２２８から出力される制御信号を変化させることにより、ビームエキスパンダ２１８ａ〜２１８ｂを適切に制御することが可能である。従って、ビームエキスパンダ２１８ａ〜２１８ｂの位置を変化させこれらの間の距離を微調整することにより、光束２１４を発散光束や収束光束等の適切な光束に変換することができる。すなわち、ビームエキスパンダ２１８ａ〜２１８ｂの間の距離を微調整することにより、集光スポット１０９が有する球面収差を微調整し、この球面収差を含む波面収差が最適となるようにすることができる。これにより、情報層１０１のみならず情報層１０２〜１０８においても、光束２１４を集光させ、情報の記録または再生を行うことが可能となる。

図２は、図１に示される光ディスク１００において、情報層１０１〜１０８の詳細な構造を示す断面図である。

図２において、情報層１０１〜１０８は、それぞれ、光透過層１１１〜１１７で隔てられている。図２に示されるように、光透過層１１１〜１１７は、それぞれ、厚さ１２１〜１２７を有している。

また、情報層１０１は、光ディスク１００の表面１１０から、略１００μｍの深さに配置されている。

厚さ１２１〜１２７は、それぞれ、情報層１０１〜１０８に対する記録または再生性能が最適となるように設定されている。例えば一例として、厚さ１２１〜１２７は、それぞれ、１５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、８μｍ、５μｍ、８μｍ、および５μｍに設定される。上述したように、情報層１０１は、光ディスク１００の表面１１０から、１００μｍの深さに配置されている。すなわち、情報層１０８は、光ディスク１００の表面１１０から、１００−（１５＋１０＋１５＋８＋５＋８＋５）＝１００−６６＝３４μｍの深さに配置されている（図２においては、図示の都合上、光透過層１１１〜１１７等はほぼ同じ厚さで模式的に示されている）。

図３は、図１に示される光ディスク１００において、情報層１０１〜１０８に関する管理情報を有する管理情報領域１３０を示す上面図である。図３に示されるように、光ディスク１００において、管理情報領域１３０は、映像データ等からなるユーザデータが記録されるユーザデータ領域１４０の内側すなわち光ディスク１００の最内周位置で、情報層１０１内に配置される。この管理情報領域１３０の再生を行うことにより、情報層１０１〜１０８に関する特性や位置等の管理情報を得ることができる。

なお、現存する規格によれば、光ディスクは、最大８個の情報層を有し、表面から略１００μｍの深さに管理情報領域が配置される。すなわち、上述のような構成をとることにより、光ディスク１００を、表面から略１００μｍの深さに管理情報領域が配置されるような所定の規格に対応させることが可能となる。

図４は、図３に示される管理情報領域１３０のＡ−Ａ’断面図である。図４に示されるように、管理情報領域１３０内には、情報層１０１〜１０８の位置を示す位置情報領域１３２が配置される。

図５は、図４に示される位置情報領域１３２における情報フィールド１３４ａ〜１３４ｄの配置を示す模式図である。図５に示されるように、情報フィールド１３４ａ〜１３４ｄは、１バイトすなわち８ビットの情報量を有し、厚さ１２１〜１２７を１μｍの分解能で記憶している。すなわち、図５においては、情報層１０１〜１０８の位置を、それぞれ、光透過層１１１〜１１７の厚さ１２１〜１２７として記憶している。

図５において、情報フィールド１３４ａの３ビット目から７ビット目までの５ビットには、厚さ１２１が記憶される。すなわち、厚さ１２１は、０〜３１μｍの範囲で記憶される。

また、情報フィールド１３４ａの０ビット目から２ビット目までの３ビットおよび情報フィールド１３４ｂの６ビット目から７ビット目までの２ビットからなる計５ビットには、厚さ１２２が記憶される。すなわち、厚さ１２２は、０〜３１μｍの範囲で記憶される。

また、情報フィールド１３４ｂの１ビット目から５ビット目までの５ビットには、厚さ１２３が記憶される。すなわち、厚さ１２３は、０〜３１μｍの範囲で記憶される。

また、情報フィールド１３４ｃの４ビット目から７ビット目までの４ビットには、厚さ１２４が記憶される。すなわち、厚さ１２４は、０〜１５μｍの範囲で記憶される。

また、情報フィールド１３４ｃの０ビット目から３ビット目までの４ビットには、厚さ１２５が記憶される。すなわち、厚さ１２５は、０〜１５μｍの範囲で記憶される。

また、情報フィールド１３４ｄの４ビット目から７ビット目までの４ビットには、厚さ１２６が記憶される。すなわち、厚さ１２６は、０〜１５μｍの範囲で記憶される。

また、情報フィールド１３４ｄの０ビット目から３ビット目までの４ビットには、厚さ１２７が記憶される。すなわち、厚さ１２７は、０〜１５μｍの範囲で記憶される。

なお、情報フィールド１３４ｂの０ビット目には、特に情報は記憶されず、予備として確保される。

本実施の形態においては、８個の情報層１０１〜１０８を用いる場合について説明しているが、情報層が７個以下（例えば４個）と少ない場合には、情報層１０５〜１０８および光透過膜１１４〜１１７は配置されないので、厚さ１２４〜１２７は０として記憶すればよい。情報層の個数が８個より小さくなっていくと、１個の情報層の厚さは大きく設定することが可能となる。図５においては、厚さ１２１〜１２３は、厚さ１２４〜１２７に比較して、大きな値に設定可能である。例えば、情報層が４個と少ない場合には、厚さ１２１〜１２３を、段落００２０に示した値よりも大きな値にそれぞれ設定することにより、上述した１００μｍの範囲を有効に利用することができる。また、例えば、情報層が８個と多い場合には、厚さ１２４〜１２７も設定することが必要となるが、既に厚さ１２１〜１２３が所定値に設定されているので、厚さ１２４〜１２７がさほど大きな値に設定されることはない。すなわち、厚さ１２１〜１２３を比較的に広い範囲で、厚さ１２４〜１２７を比較的に狭い範囲で、それぞれ設定可能とすることにより、位置情報領域１３２を効率よく使用することが可能となる。

図６〜７は、図１に示される光ディスク装置２００の光ディスク１００へのアクセス動作を示すフローチャートである。以下では、光ディスク装置２００が、光ディスク１００において、表面１１０から６０〜１００μｍの深さにはアクセスできるが表面１１０から０〜６０μｍの深さにはアクセスできないような仕様に設計されている場合を例にとり説明する。

まず、ステップＳ１において、光ディスク１００は、光ディスク装置２００に挿入される。

次に、ステップＳ２に進み、光ディスク１００は、光ディスク装置によりアクセスされ、情報層１０１の再生が開始される。これらの動作は、ステップＳ１における光ディスク１００の挿入動作に応答して自動的に開始される。

次に、ステップＳ３に進み、管理情報領域１３０において、位置情報領域１３２の情報フィールド１３４ａ〜１３４ｄが読み取られる。これにより、位置情報が取得される。

次に、ステップＳ４に進み、ステップＳ３において取得された位置情報を用いて加算等の演算処理を行うことにより、情報層１０１〜１０８それぞれについて表面１１０からの深さ情報を得る。例えば、情報層１０５の深さ情報は、厚さ１１１〜１１３を加算しその和を１００μｍから差し引くことにより得ることができる。

次に、ステップＳ５に進み、ステップＳ４において得られた深さ情報に基づき、情報層１０１〜１０８それぞれへのアクセスが可能であるかどうかを示すアクセス可否情報を生成し、光ディスク装置２００が内蔵する記憶手段（図示しない）に記憶させる。以下では、情報層１０１〜１０４が６０〜１００μｍの深さ情報を有し（アクセス可）、情報層１０５〜１０８が０〜６０μｍの深さ情報を有する（アクセス不可）場合を例により説明する。

次に、ステップＳ６に進み、情報層１０２へのアクセス指示が行われる。

次に、ステップＳ７に進み、ステップＳ５で記憶されたアクセス可否情報を用いて、情報層１０２へのアクセスが可能であるかどうかを判定する。そして、アクセス可である場合にはステップＳ８に進み、アクセス不可である場合には途中終了する（上述したように、情報層１０１〜１０４へはアクセス可であるので、ここではステップＳ８に進む）。

次に、ステップＳ８において、情報層１０２への情報の記録または再生が行われる。このとき、上述したように、ビームエキスパンダ２１８ａ〜２１８ｂの位置を変化させこれらの間の距離を微調整することにより、光束２１４を発散光束や収束光束等の適切な光束に変換することができる。すなわち、ビームエキスパンダ２１８ａ〜２１８ｂの間の距離を微調整することにより、集光スポット１１０が有する球面収差を微調整し、この球面収差を含む波面収差が最適となるようにすることができる。

以下、ステップＳ６〜８と同様の動作を、ステップＳ９〜１１およびステップＳ１２〜１４についても、それぞれ行うことにより、情報層１０３〜１０４への情報の記録および再生が行われる。また、上述したように、情報層１０５〜１０８へはアクセス不可であるので、ステップＳ１５における情報層１０５へのアクセス指示に対しては、ステップＳ１６においてアクセス不可と判定され、途中終了する。従って、この場合においては、図７に示されるステップＳ１７〜Ｓ２６は行われないので、情報層１０５〜１０８への情報の記録／再生は行われない。

なお、情報層１０５へのアクセスが可能である場合にはステップＳ１７〜Ｓ１９が、情報層１０６へのアクセスが可能である場合にはステップＳ２０〜Ｓ２２が、情報層１０７へのアクセスが可能である場合にはステップＳ２３〜Ｓ２５が、ステップＳ８〜Ｓ１０と同様に行われる。さらに、情報層１０８へのアクセスが可能である場合にはステップＳ２６が行われ、正常終了する。

次に、本実施の形態に係る光ディスク装置の構成および動作について、より詳細に説明する。

図８は、光ディスク装置２００の詳細な構成を示すブロック図である。

図８において、光ディスク１００は、光ヘッド２５０により信号が読み出される。図８においては示されていないが、この光ヘッド２５０は、図１に示される光源２１２、対物レンズ２２２、および光検知器２２６等を内蔵している。光ヘッド２５０により読み出された信号は、ＲＦ信号処理部２５２において増幅され、再生ＲＦ信号、トラッキングエラー信号、およびフォーカスエラー信号が生成される。

ＲＦ信号処理部２５２から出力された再生ＲＦ信号は、２値化部２５４へ入力される。

また、ＲＦ信号処理部２５２から出力されたトラッキングエラー信号およびフォーカスエラー信号は、サーボプロセッサ２５６へ入力される。サーボプロセッサ２５６は、入力されたトラッキングエラー信号およびフォーカスエラー信号それぞれに基づき、フォーカスドライブ信号およびトラッキングドライブ信号を生成し、２軸ドライバ２５８へ入力させる。２軸ドライバ２５８は、入力されたフォーカスドライブ信号およびトラッキングドライブ信号に応じて、光ヘッド２５０に内蔵されるフォーカスコイルおよびトラッキングコイル（図８においては示されていない）をそれぞれ駆動する。これにより、対物レンズ２２２が駆動され、フォーカス制御およびトラッキング制御が行われる。

まず、所望のアドレスへのアクセス（シーク）を行う動作について説明する。

サーボプロセッサ２５６は、ＲＦ信号処理部２５２から入力されたトラッキングエラー信号の低域成分から得られるスレッドエラー信号およびシステムコントローラ２６０からのアクセス実行制御信号等に基づき、スレッド制御信号を生成し、スレッドドライバ２７０へ入力させる。スレッドドライバ２７０は、入力されたスレッド制御信号に応じて、スレッド２７２を駆動する。これにより、光ヘッド２５０のスライド移動が行われる。

次に、光ディスク１００上に記録された情報を再生する動作について説明する。

スピンドルモータ２７４は、スピンドルモータドライバ（ＳＰＭドライバ）２７６からの制御信号に応じて、光ディスク１００を所定速度（または所定角速度）で回転させるように駆動される。このとき、自動レーザパワー制御部（ＡＬＰＣ）２７８は、システムコントローラ２６０からのレーザ制御信号に応じて、所定の再生レーザパワーで光ヘッド２５０から光ディスク１００の読み出しを行う。

また、ＲＦ信号処理部２５２から２値化部２５４へ入力された再生ＲＦ信号は、２値化部２５４においてディジタル化され、変調信号が生成される。２値化部２５４から出力された変調信号は、エンコード／デコード部２８０へ入力される。このエンコード／デコード部２８０は、再生時のデコーダとしての機能部位と、記録時のエンコーダとしての機能部位とを有する。再生時においては、エンコード／デコード部２８０は、入力された変調信号を、バッファメモリ２９０を介してエラー訂正処理およびデインターリーブ処理等を施した後に、デコードする。これによりデコード信号が生成される。エンコード／デコード部２８０において生成されたデコード信号は、ＡＴＡＰＩ方式等を用いるインタフェース（Ｉ／Ｆ）２９２を介して、パーソナルコンピュータ（パソコン）等からなるホスト３００へ入力される。

なお、システムコントローラ２６０は、サーボプロセッサ２５６、エンコード／デコード部２８０、ホスト３００に対して、コマンドや各種情報の送受信を行っている。ホスト３００は、本発明に係る制御装置として機能する。図８においては、制御装置（ホスト３００）が光ディスク装置２００の外部に配置されたパソコン等である場合が示されているているが、これに限らず、制御装置は、光ディスク装置２００と一体に（光ディスク装置２００内部に）配置されてもよい。

次に、光ディスク１００における初期動作について説明する。

光ディスク装置２００は、光ディスク１００が挿入され電源が入れられると、光ディスク１００を最内周から外側へ向かってアクセスしていく。そして、図３に示される管理情報領域１３０に対応する所定アドレスまでのアクセスが行われると、エンコード／デコード部２８０は、バッファメモリ２９０に対するデータのバッファリングを開始する。すなわち、上述したようなエラー訂正処理およびデインターリーブ処理等が開始される。

エンコード／デコード部２８０は、エラー訂正処理において正常に再生できた管理情報領域１３０内の情報から、位置情報抽出手段２８２を用いて、位置情報領域１３２内の位置情報を抽出し、システムコントローラ２６０へ入力させる。システムコントローラ２６０は、入力された位置情報から、位置情報演算手段２６２を用いて、情報層１０１〜１０８それぞれの深さ情報を得る。そして、システムコントローラ２６０は、得られた深さ情報から、位置情報解析手段２６４を用いて、情報層１０１〜１０８それぞれが光ディスク装置２００によりアクセス可能であるかどうかを解析し判定する。

図９は、光ディスク１００において、表面１１０と最も深い情報層１０１との間の領域におけるアクセス可否を模式的に示す断面図である。

範囲４０１〜４０３は、それぞれ、光ディスク装置２００がアクセス可能な深さの範囲（例えば６０〜１００μｍ等）を示している。

光ディスク装置２００は、アクセス可能な範囲が範囲４０１であるような仕様に設定されている場合には、情報層１０１〜１０８全てにアクセス可能である。従って、位置情報解析手段２６４により、情報層１０１〜１０８全てにアクセス可能であると判定される。

また、光ディスク装置２００が、アクセス可能な範囲が範囲４０２であるような仕様に設定されている場合には、位置情報解析手段２６４により、情報層１０１〜１０４にはアクセス可能であるが情報層１０５〜１０８にはアクセス不可能であると判定される。

また、光ディスク装置２００が、アクセス可能な範囲が範囲４０３であるような仕様に設定されている場合には、位置情報解析手段２６４により、情報層１０１〜１０２にはアクセス可能であるが情報層１０３〜１０８にはアクセス不可能であると判定される。

位置情報解析手段２６４によりアクセス可能と判定された情報層には、ホスト３００から記録コマンドまたは再生コマンドが発行されると、記録動作または再生動作が行われる。

位置情報解析手段２６４によりアクセス不可能と判定された情報層には、ホスト３００から記録コマンドまたは再生コマンドが発行されても、記録動作または再生動作が行われず、ホスト３００には、アクセスが不可能である旨の情報が伝達される。

図１０は、ホスト３００からのコマンドに基づく光ディスク装置２００の記録／再生動作を示すフローチャートである。図１０は、図６に示されるフローチャートにおいて、ステップＳ１〜Ｓ５に代えて、ステップＳ３１〜３３を行うものである。すなわち、図１０においては、光ディスク１００が光ディスク装置２００に既に挿入済みであり従ってアクセス可否情報が既に生成済み（記憶済み）である場合を想定している。

まず、ステップＳ３１において、ホスト３００において発行された記憶／再生コマンドは、光ディスク装置２００に送信される。

次に、ステップＳ３２に進み、情報層１０１へのアクセス指示が行われる。

次に、ステップＳ３３に進み、情報層１０１への情報の記録または再生が行われる。

次に、ステップＳ６に進み、図６に示されるステップＳ６〜１４および図７に示されるステップＳ１５〜Ｓ２６の動作が行われる。

このように、本実施の形態に係る光ディスク１００においては、情報層１０１に、情報層１０１〜１０８それぞれの厚み方向における位置を示す位置情報領域１３２が配置されている。従って、光ディスク装置２００によりアクセスを行う場合に、各情報層の位置を検知するために要する時間を低減できる。よって、アクセスに要する時間を低減できるという効果を有する。

また、表面１１０から最も遠い位置に配置された情報層１０１に位置情報を配置させることにより、他の情報層へのアクセスができないような仕様に光ディスク装置２００が設計されている場合においても、位置情報を取得することが可能となる。

また、各位置情報（本実施の形態においては厚さ１２１〜１２７のそれぞれ）を４〜５ビット長で表し、位置情報の全体（本実施の形態においては情報フィールド１３４ａ〜１３４ｄの全体）を４バイト長で表すことにより、位置情報領域１３２をより効率よく使用することが可能となる。

なお、上述の説明においては、図６および図１０のフローチャートにおいては、情報層１０２〜１０８へのアクセスがこの順に行われる場合について説明したが、これに限らず、情報層１０２〜１０８へのアクセス順は任意に定めてよい。

＜実施の形態２＞
実施の形態１においては、ホスト３００は、記録コマンドまたは再生コマンドを、アクセスが不可能な情報層についても発行する。そのため、処理効率が低下してしまう場合がある。

図１１は本実施に形態に係るホストおよび光ディスク装置の動作を示すフローチャートである。

まず、図１１（ａ）を用いて、ホスト３００が各情報層のアクセス可否を検知する動作について説明する。

まず、ステップＳ４１において、光ディスク装置２００は、ホスト３００からアクセス状態確認コマンドを受信する。

次に、ステップＳ４２に進み、光ディスク装置２００は、予め記憶されたアクセス可否情報を、ホスト３００に送信する。これにより、ホスト３００は、各情報層のアクセス可否を検知することができる。

次に、図１１（ｂ）を用いて、ホスト３００の記録／再生指示動作について説明する。

ます、ステップＳ５１において、ホスト３００は、図１１（ａ）のステップＳ４２において光ディスク装置２００から受信したアクセス可否情報を参照することにより、アクセスが可能な情報層はどれかを認識する。

次に、ステップＳ５２において、ホスト３００は、ステップＳ５１でアクセスが可能と認識された情報層へのアクセス指示を光ディスク装置２００に送信する。

次に、ステップＳ５３において、光ディスク装置２００により、アクセス可能な情報層への記録または再生が行われる。

このように、本実施の形態に係るホスト３００は、アクセス可能な情報層に対してのみアクセス指示を行う。従って、実施の形態１の効果に加えて、不要なコマンドの発行を防止することができ処理効率を高めることができるという効果を有する。

＜実施の形態３＞
実施の形態１においては、情報層１０１〜１０８の位置を、光透過層１１１〜１１７の厚さ１２１〜１２７をそれぞれ用いて記憶している。しかし、上述したように、厚さ１２１〜１２７を用いる場合には、深さ情報を得るために加算等の演算処理が必要となる。また、この演算処理においては、小数点以下の誤差が積算されるので、誤差が大きくなる場合がある。

図１２は、本実施の形態に係る情報フィールド１３６ａ〜１３６ｄの配置を示す模式図である。図１２に示されるように、情報フィールド１３６ａ〜１３６ｄは、図５に示される情報フィールド１３４ａ〜１３４ｄと同様に、１バイトすなわち８ビットの情報量を有する。情報フィールド１３６ａ〜１３６ｄは、情報層１０２〜１０８の位置を、厚さ１２１〜１２７に代えて、情報層１０２〜１０８それぞれと情報層１０１との相対距離である距離１４２〜１４８として記憶している。但し、この距離１４２〜１４８の記憶は、４μｍの分解能で行われるとする。

図１２において、情報フィールド１３６ａの４ビット目から７ビット目までの４ビットには、距離１４２が記憶される。すなわち、距離１４２は、０〜６０μｍの範囲で記憶される。

また、情報フィールド１３６ａの０ビット目から３ビット目までの４ビットには、距離１４３が記憶される。すなわち、距離１４３は、０〜６０μｍの範囲で記憶される。

また、情報フィールド１３６ｂの４ビット目から７ビット目までの４ビットには、距離１４４が記憶される。すなわち、距離１４４は、０〜６０μｍの範囲で記憶される。

また、情報フィールド１３６ｂの０ビット目から３ビット目までの４ビットには、距離１４５が記憶される。すなわち、距離１４５は、０〜６０μｍの範囲で記憶される。

また、情報フィールド１３６ｃの３ビット目から７ビット目までの５ビットには、距離１４６が記憶される。すなわち、距離１４６は、０〜１２４μｍの範囲で記憶される。

また、情報フィールド１３６ｃの０ビット目から２ビット目までの３ビットおよび情報フィールド１３６ｄの６ビット目から７ビット目までの２ビットからなる計５ビットには、距離１４７が記憶される。すなわち、距離１４７は、０〜１２４μｍの範囲で記憶される。

また、情報フィールド１３６ｄの１ビット目から５ビット目までの５ビットには、距離１４８が記憶される。すなわち、距離１４８は、０〜１２４μｍの範囲で記憶される。

なお、情報フィールド１３６ｄの０ビット目には、特に情報は記憶されず、予備として確保される。

情報層１０１からの距離は、情報層１０２〜１０８において、この順に大きくなるので、距離１４６〜１４８は、距離１４２〜１４５に比較して、大きな値に設定可能としている。例えば、距離１４２〜１４８が、それぞれ、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、５０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、および９０μｍである場合には、距離１４２〜１４５は６０μｍ以下であるが、距離１４６〜１４８は６０μｍより大きい。すなわち、距離１４６〜１４８を比較的に広い範囲で、距離１４２〜１４５を比較的に狭い範囲で、それぞれ設定可能とすることにより、位置情報領域１３２を効率よく使用することが可能となる。

このように、本実施の形態に係る光ディスクにおいては、各情報層の位置情報として、各光透過層の厚さに代えて、最深情報層と各情報層との相対距離を用いる。従って、実施の形態１の効果に加えて、深さ情報を得るための加算等の演算処理が不要となり演算処理に伴う誤差を低減できるという効果を有する。

実施の形態１に係る光ディスクと光ディスクに情報の記録または再生を行うための光ディスク装置を示す模式図である。実施の形態１に係る光ディスクにおいて、情報層の詳細な構造を示す断面図である。実施の形態１に係る光ディスクにおいて、情報層に関する管理情報を有する管理情報領域を示す上面図である。実施の形態１に係る管理情報領域の断面図である。実施の形態１に係る位置情報領域における情報フィールドの配置を示す模式図である。実施の形態１に係る光ディスク装置の光ディスクへのアクセス動作を示すフローチャートである。実施の形態１に係る光ディスク装置の光ディスクへのアクセス動作を示すフローチャートである。実施の形態１に係る光ディスク装置の詳細な構成を示すブロック図である。実施の形態１に係る光ディスクにおいて、表面と最も深い情報層との間の領域におけるアクセス可否を模式的に示す断面図である。実施の形態１に係る光ディスク装置の記憶／再生動作を示すフローチャートである。実施の形態２に係るホストおよび光ディスク装置の動作を示すフローチャートである。実施の形態３に係る情報フィールドの配置を示す模式図である。

符号の説明

１００光ディスク、１０１〜１０８情報層、１０９集光スポット、１１０表面、１１１〜１１７光透過層、１２１〜１２７厚さ、１３０管理情報領域、１３２位置情報領域、１３４，１３６情報フィールド、１４０ユーザデータ領域、１４１〜１４７距離、２００光ディスク装置、２１２光源、２１４光束、２１６コリメーターレンズ、２１８ビームエキスパンダ、２２０〜２２１プリズム、２２２対物レンズ、２２４センサーレンズ、２２６光検知器、２２８信号処理手段、２３０映像処理手段、２５０光ヘッド、２５２ＲＦ信号処理部、２５４２値化部、２５６サーボプロセッサ、２５８２軸ドライバ、２６０システムコントローラ、２６２位置情報演算手段、２６４位置情報解析手段、２７０スレッドドライバ、２７２スレッド、２７４スピンドルモータ、２７６スピンドルモータドライバ、２７８自動レーザパワー制御部、２８０エンコード／デコード部、２８２位置情報抽出手段、２９０バッファメモリ、２９２インタフェース、３００ホスト、４０１〜４０３範囲。

Claims

複数個の情報層からなる情報層群を有し各前記情報層において情報の記録または再生を光学的に行う光ディスクであって、
前記情報層群のうち前記光ディスクの表面から最も遠い位置に配置された最深情報層の管理領域に、隣接する各前記情報層間の距離を表す情報である位置情報が記録され、
前記位置情報は、
少なくとも、前記最深情報層に最も近い情報層の位置を前記最深情報層から最も遠い情報層の位置より長いビット長で表す、
ことを特徴とする光ディスク。
複数個の情報層からなる情報層群を有し各前記情報層において情報の記録または再生を光学的に行う光ディスクであって、
前記情報層群のうち前記光ディスクの表面から最も遠い位置に配置された最深情報層の管理領域に、当該最深情報層と各前記情報層との距離によって表される前記光ディスクの厚み方向における各前記情報層の位置を示す位置情報が記録され、
前記位置情報は、少なくとも、前記最深情報層に最も近い情報層の位置を前記最深情報層から最も遠い情報層の位置より短いビット長で表す、
ことを特徴とする光ディスク。