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JP4434082B2 - 圧電共振子の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は圧電基板の両面に振動電極が対向して形成され、これら振動電極間で圧電振動が閉じ込められる圧電共振子の製造方法、特に周波数の調整方法に関するものである。
近年、発振子やフィルタ等の圧電共振子の分野において、周波数の高精度化の要求が高まっている。従来では周波数調整インクを電極上に塗布し、その質量負荷により周波数を調整していた。しかしながら、上記のような方法ではインクの塗布量のバラツキが大きいため、周波数の集中度が低く、高精度化に対応できなかった。
このような問題を解決するため、特許文献1には、圧電基板上の両面に振動電極を形成しておき、この振動電極上に所定厚みの金属膜、例えば金属薄膜を乾式法により形成する周波数調整方法が提案されている。
すなわち、圧電基板上に最終形状である振動電極を形成しておき、圧電基板の振動電極を除いた全面にエッチングレジストインクを塗布し、金属材料を振動電極上に蒸着またはスパッタにより付着させ、エッチングレジストインクを除去するものである。また、エッチングレジストインクを用いる方法以外に、圧電基板の振動電極を除く領域をメタルマスクでマスキングし、金属材料を蒸着またはスパッタする方法も開示されている。
特許文献2には、圧電基板の両面に金属膜を形成し、分極して、周波数を測定した後、所要の周波数になるまで蒸着膜を形成し、その後、電極形状にパターニングする技術が開示されている。
特許文献1のように乾式法で振動電極上に金属薄膜を形成する方法では、膜厚を正確にコントロールできるので、共振周波数を±0.1%程度の微小単位で精度よく調整できる利点がある。
上記方法では、振動電極上にのみ金属薄膜を重ねて形成する必要がある。しかしながら、エッチングレジストインクを用いる方法あるいはメタルマスクでマスキングする方法のいずれの場合も、エッチングレジストインクあるいはメタルマスクを振動電極に対して正確に位置合わせすることが困難であり、正確な周波数調整が難しいという問題がある。特に近年、圧電共振子の小型化が進み、振動電極も微細構造となる傾向にあるが、この場合にはエッチングレジストインクあるいはメタルマスクの僅かなずれでも、調整精度に大きな影響を及ぼす。
図4は上記従来の方法により振動電極上に金属薄膜を形成した状態を示す。図4の(a)は振動電極60の上に金属薄膜61が正確に形成された場合、(b)は振動電極60と金属薄膜61との間にずれδがある場合である。なお、62は圧電基板である。
(a)のように振動電極60の上に金属薄膜61が正確に形成された場合には、最終的な振動電極の厚みは均一であるが、(b)のように金属薄膜61が振動電極60に対してずれδがあると、最終的な振動電極に厚みの厚い部分と薄い部分とが発生し、周波数が目標値に対してずれてしまう。
特許文献2のような調整方法では、1回目の電極の成膜が圧電基板のほぼ全面に対して行われるため、次のような問題がある。
第1に、周波数測定時の圧電振動の閉じ込めが不十分になりやすく、スプリアスが発生し、正確な周波数の測定がしにくい。
第2に、成膜面積が大きいため、スパッタ等を用いて成膜する場合には圧電基板の温度が高くなりやすく、デポールが発生しやすい。
特開平5−29864号公報 特開平6−224677号公報
そこで、本発明の目的は、微細寸法の振動電極を有する圧電共振子であっても、周波数を高精度に調整でき、かつ面倒な位置合わせ作業を必要としない圧電共振子の製造方法を提供することにある。
他の目的は、周波数測定時のスプリアスの発生を抑制し、周波数測定の精度を上げるとともに、圧電基板のデポールの発生を抑制できる圧電共振子の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、圧電基板の両面に振動電極とこの振動電極に接続された引出電極とが形成され、上記振動電極が圧電基板を間にして対向しており、上記振動電極間で厚みすべり振動モード又は厚み縦振動モードの閉じ込め振動が励振される圧電共振子の製造方法において、上記圧電基板の両面に、上記振動電極および引出電極を含む領域に第1電極を形成する工程であって、これら第1電極の対向部分間で上記圧電共振子と同じ振動モードの閉じ込め振動が励振されるように第1電極を部分電極形状とする工程と、上記第1電極を形成した共振子に測定器を接続し、圧電基板の両面に形成された第1電極の対向部分間で閉じ込め振動を励振させ、その周波数を測定する工程と、上記測定した周波数と最終的な圧電共振子の周波数との差を基にして周波数調整に必要な金属膜の厚みを決定する工程と、上記決定した厚みの金属膜よりなる第2電極を、上記圧電基板の片面もしくは両面の上記振動電極を含む領域に上記第1電極の上に重ねて形成する工程と、上記圧電基板の両面の上記第1電極および第2電極を部分的に除去して最終的な振動電極および引出電極にパターン形成する工程と、を備えたことを特徴とする圧電共振子の製造方法を提供する。
本発明では、圧電基板上に最終形状となる振動電極を予め形成しておくのではなく、最終的な振動電極より広い領域の第1電極を圧電基板上に形成しておく。第1電極は、振動を閉じ込めることができる部分電極形状とされている。
次に、第1電極が形成された共振子の周波数、例えば共振周波数、反共振周波数または位相を測定する。測定した周波数を基にして周波数調整に必要な金属膜の厚みを決定し、この決定した厚みの金属膜よりなる第2電極を圧電基板の振動電極を含む領域に形成する。つまり、第1電極上に第2電極を重ねて形成する。このとき、第1電極と第2電極とは同一形状である必要がなく、また正確に位置合わせして形成する必要もない。少なくとも最終的な振動電極より広い領域に形成されておればよい。
その後、第1電極および第2電極のうち不要な部分を除去することにより、振動電極及び引出電極にパターン形成する。第1電極、第2電極の形成後にパターニングされた振動電極は、全体に振動電極の外周部端縁まで第1電極,第2電極が積層された構造となっており、振動電極は一定の厚みを有する。しかも、図4のように第1電極と第2電極との間にずれが発生することもない。パターン形成の方法は任意であり、例えばエッチングなど公知の方法を用いればよい。振動電極のパターン形成に際し、従来のように予め形成された振動電極の上に金属膜を正確に位置合わせして形成するのではなく、広い面積に形成された第1電極と第2電極の不要部を除去してパターン形成するだけであるから、高精度な振動電極を簡単に形成できる。また、重ねて形成された第1電極と第2電極の不要部を除去するので、振動電極には厚みの厚い部分と薄い部分とが発生せず、厚みが一定しており、周波数が目標値に対してずれることがない。
なお、第2電極は圧電基板の両面に形成する必要はなく、片面のみに形成されていてもよい。第2電極を圧電基板の片面のみに形成した場合には、圧電基板の片面の振動電極は第1電極と第2電極との積層構造であり、他面の振動電極は第1電極のみで構成される。
表裏両方の第1電極が全面電極の場合には、スプリアスが発生するため、正確な周波数測定がしにくくなる。これに対し、本発明では第1電極を圧電振動が閉じ込められる部分電極形状としてあるため、スプリアスの抑えられた周波数測定ができ、正確な周波数測定が可能になる。また、圧電基板に形成される第1電極を全面ではなく、部分電極形状に形成しているので、例えばスパッタによって形成する場合に、スパッタ時の圧電基板の温度上昇を低く抑えることができ、デポールによる特性劣化が起こりにくい。
本発明では、最終的な振動電極とは形状の異なる第1電極を形成した共振子について周波数を測定し、その周波数から調整すべき金属膜の厚みを決定している。そのためには、第1電極を形成した共振子の周波数と最終的な振動電極を形成した共振子の周波数との間に高い相関関係が成立することが必要である。第1電極を形成した共振子の周波数を測定する振動モードと最終的な振動電極を形成した共振子に利用する振動モードとを同一とすることで、両共振子の周波数の相関を高くでき、正確な周波数調整が行える。なお、振動モードとしては、例えば厚みすべり振動モード、厚み縦振動モードなど種々の振動モードを用いることができる。
第1電極は、圧電基板上に形成された下層と、下層の上に積層された上層とで構成され、下層は上層より圧電基板との密着強度の優れた金属層よりなり、上層は下層より導電性に優れた金属層よりなるものがよい。第1電極の下層が圧電基板との密着強度が高いので、第2電極の形成時やパターン形成時に第1電極が圧電基板から剥離するのを防止できる。このような金属層としては、例えばNi−Cu合金層などが用いられる。一方、第1電極の上層には、導電性に優れた金属層を形成することで、端子電極として用いる場合に、外部の回路と良好な接続を行うことができる。このような金属層としては、例えばAgを用いることができる。また、はんだを用いて外部と接続する場合には、第1電極の上層としてはんだ濡れ性のよい金属層を用いるのがよい。
第2電極を、第1電極の上層と同種金属で構成してもよい。すなわち、第1電極の上層には導電性に優れた金属層が用いられ、その上に同様に導電性に優れた金属層を用いることで、第1電極と第2電極との密着性がよくなり、強度の高い電極構造を得ることができる。
第1電極および第2電極を同一形状とすれば、第1電極および第2電極のスパッタ用マスクを共通化することができ、製造コストを低減できる。
第2電極を圧電基板の両面に対して第1電極を反転させた形状に形成するのがよい。この場合も、スパッタ用マスクを共通化できる。また、第1電極を圧電基板表面に部分的に形成すること(周波数測定時の振動の閉じ込め、スパッタによる温度上昇の抑制)と、第2電極を形成することによって圧電基板表面の広い面積に電極を形成すること(電極配置の高い自由度)とを両立できる。つまり、振動電極以外の電極を圧電基板上の任意の場所に配置できる。
本発明によれば、圧電振動が閉じ込められるとともに最終的な振動電極より広い領域の第1電極を圧電基板上に形成しておき、この共振子の周波数を基にして周波数調整に必要な金属膜の厚みを決定し、この決定した厚みの金属膜よりなる第2電極を圧電基板の少なくとも振動電極を含む領域に形成した後、第1電極および第2電極のうち不要な部分を除去して最終的な振動電極をパターン形成するようにしたので、周波数調整のための金属膜を振動電極上にのみ選択的に形成する必要がなく、微細形状の振動電極であっても、振動電極の全領域にわたって電極厚みが正確にコントロールされた電極を形成することができる。その結果、周波数調整の精度向上を実現できる。
また、周波数測定を行う際に、少なくとも一方の第1電極を圧電振動が閉じ込められる部分電極としてあるため、スプリアスの抑えられた周波数測定ができ、正確な周波数測定が可能になる。さらに、第1電極のスパッタ時の圧電基板の温度上昇を低く抑えることができ、デポールによる特性劣化が起こりにくい。
以下に、本発明の実施の形態を、実施例を参照して説明する。
図1A〜図1Dは本発明にかかる圧電共振子の第1実施例の製造工程図である。この実施例の圧電共振子は、2端子構造の共振子である。
図1Aの(a),(b)は第1段階における共振子Aを示す。この共振子Aは、矩形板状の圧電基板1を備え、この圧電基板1の表裏面には第1電極2,3が形成されている。この実施例の共振子Aはエネルギー閉じ込め型の厚みすべり振動モード共振子であり、圧電基板1にはその表裏面に平行な方向の分極が施されている。表面の第1電極2と裏面の第1電極3の一端部は、圧電基板1の中央部で対向しており、他端部は圧電基板1のそれぞれ異なる端部へ引き出されている。第1電極2,3の対向部分D1は、最終的に振動電極となる部分より広い領域を有する。第1電極2,3の対向部分D1で、厚みすべり振動モードの閉じ込め振動が励振される。この実施例の第1電極2,3はそれぞれ下層2a,3aと上層2b,3bの2層構造よりなり、下層2a,3aは例えばNi−Cu合金層のような圧電基板1との密着強度の優れた金属層よりなり、上層2b,3bは例えばAgのような導電性およびはんだ濡れ性の良好な金属層よりなる。これら金属層は、スパッタや蒸着などの乾式法や、メッキなどの湿式法で形成される。
この実施例では、第1電極2,3は帯状の部分電極で形成されているが、最終的に振動電極を含む領域に形成されておればよく、一方は全面電極であってもよい。
図1Bは第1段階の共振子Aの表裏の第1電極2,3に測定器4を接続して、共振子Aの共振周波数fr1 を測定する工程を示す。
なお、共振周波数frに限らず、反共振周波数faや位相などの共振特性を測定してもよい。
図1Cの(a),(b)は第2段階における共振子Bを示す。この共振子Bは、第1段階における共振子Aの第1電極2,3の上であって、かつ最終的に振動電極となる部分より広い領域D2に金属薄膜よりなる第2電極5,6が形成されている。第2電極5,6は、スパッタや蒸着などの乾式法で形成される。特に、スパッタは膜厚のコントロールが容易であるため、望ましい。第2電極5,6の厚みは、図1Bで測定した共振周波数fr1 を基にして決定される。一例として、次のような関係式を用いて第2電極5,6の厚みを決定できる。
〔共振子Aの共振周波数〕−〔共振子Cの共振周波数〕
=α×〔第2電極の厚み〕+β
ここで、α,β:圧電材料、電極形状等による異なる定数
なお、図1Cでは、第2電極5,6の形成領域D2が第1電極2,3の対向部分D1と対応している例について図示したが、最終的な振動電極より広い領域であれば、第2電極5,6の形成領域D2が対向部分D1より広い範囲であってもよいし、狭い範囲であってもよい。さらに、第2電極5,6と第1電極2,3とが同一形状であってもよく、この場合には、同じスパッタマスクを両方の電極形成に共通使用できる。
この実施例では、第2電極5,6は1層構造であり、第1電極2,3の上層2b,3bと同種金属(例えばAg)とするのがよい。
図1Cでは、第1電極2,3と第2電極5,6の端縁がずれていない例を示したが、実際には図4のようにずれるのが一般的である。一方、図1Aのように、第1電極2,3を複数層で形成する場合には、1回のマスキングで形成されるので、一般的にずれは発生しない。
図1Dの(a),(b)は第3段階つまり最終段階における共振子Cを示す。この共振子Cは、第2段階における共振子Bの第1電極2,3および第2電極5,6の不要部分を、エッチングなどの公知の方法で除去することにより、最終的な振動電極7,8をパターン形成したものである。このとき、振動電極7,8全体が第1電極、第2電極で積層されたパターンとなる。振動電極7,8を形成すると同時に、振動電極7,8と細幅の引出電極9,10を介して接続された端子電極11,12を圧電基板1の両端部の表裏面に形成してある。振動電極7,8の形成領域D3は第1段階および第2段階における領域D1,D2に含まれる。
共振子Cの振動電極7,8の厚みは、共振子Bの第1電極2,3と第2電極5,6が積層された部分の電極厚みと同じである。第2段階で形成した第2電極5,6の追加厚みにより、共振子Cの共振周波数fr2 は、目標値に近い値に調整されている。
上記のように、振動電極7,8のパターン形成に際し、従来のように予め形成された振動電極の上に金属薄膜を正確に位置合わせして形成するのではなく、広い面積に形成された第1電極2,3と第2電極5,6の不要部を除去してパターン形成するだけであるから、高精度な振動電極7,8を簡単に形成できる。また、振動電極7,8には厚みの厚い部分と薄い部分とが発生せず、周波数を目標値に対して高精度に調整できる。
図2A〜図2Dは本発明にかかる圧電共振子の第2実施例の製造工程図である。この実施例の圧電共振子は、3端子構造のフィルタである。
図2A,図2Bは図1A,図1Bと同様であるため、同一符号を付して重複説明を省略する。
図2Cの(a),(b)は第2段階における共振子B1を示す。この共振子B1の表面側については、第1段階における共振子Aの対向部分D1から第1電極2が形成されていない圧電基板1の端部まで延びる第2電極20が形成され、共振子B1の裏面側については、第1段階における共振子Aの対向部分D1から第1電極3が形成されていない圧電基板1の端部まで延びる第2電極21が形成されている。つまり、共振子B1の表面および裏面は第1,第2電極によってほぼ全面が覆われている。これら第2電極20,21も金属薄膜よりなり、スパッタや蒸着などの乾式法で形成される。この実施例の第2電極20,21は、第1電極2,3と同様にNi−Cu合金層のような下層20a,21aとAgのような上層20b,21bとの2層構造で形成されている。
第2電極20,21の厚みは、図2Bで測定した共振周波数fr1 を基にして決定される。この実施例では、第2電極20,21は第1電極2,3に対して表裏反転した形状となっている。つまり、同一寸法のスパッタマスクを第1電極2,3と第2電極20,21の形成時に反転して使用することができる。
図2Cでは、第2電極20,21と第1電極2,3との重なり部分D4が、第1電極2,3の対向部分D1と対応している例について図示したが、最終的な振動電極の領域D5より広い領域であれば、第2電極20,21と第1電極2,3との重なり部分D4が対向部分D1より広い範囲であってもよいし、狭い範囲であってもよい。
図2Dの(a)〜(c)は第3段階つまり最終段階における共振子C1を示す。この共振子C1は、第2段階における共振子B1の第1電極2,3および第2電極20,21の不要部分を、エッチングなどの公知の方法で除去することにより、最終的な振動電極22〜24をパターン形成したものである。圧電基板1の表面の振動電極22,23は微小な隙間をあけて形成された幅狭な電極よりなり、裏面の振動電極24は表面の振動電極22,23と対向する幅広な電極で形成されている。振動電極22〜24の形成領域D5は第1段階および第2段階における領域D1,D4に比べて小さい。振動電極22〜24を形成すると同時に、振動電極22〜24と細幅の引出電極25〜27を介して接続された端子電極28〜30を圧電基板1の表裏面に形成してある。
端子電極28,29を入出力端子とし、端子電極30を接地端子とすれば、共振子C1をフィルタとして使用できる。
共振子C1の振動電極22〜24の厚みは、共振子B1の第1電極2,3と第2電極20,21が積層された部分の電極厚みと同じである。第2段階で形成した第2電極20,21の追加厚みにより、共振子C1の共振周波数fr3 は、目標値に近い値に調整されている。
この実施例では、第1段階の共振子Aと最終段階の共振子C1との間に形状の共通性はないが、共にエネルギー閉じ込め型厚みすべり振動モードを利用した共振子であり、両者の共振周波数間に高い相関が成立するので、共振子Aの共振周波数fr1 を基にして第2電極20,21の厚みを決定することができる。第1段階の共振子Aに対して、金属薄膜よりなる第2電極20,21を厚みをコントロールしながら形成することで、目標とする共振周波数へ高精度に調整できる。
図3A〜図3Dは本発明にかかる圧電共振子の第3実施例の製造工程図である。この実施例の圧電共振子は、2個の3端子フィルタを1枚の圧電基板上に形成し、2段の二重モードフィルタを構成したものである。
図3Aの(a),(b)は第1段階における共振子A2を示す。この共振子A2は、長方形状の圧電基板31を備え、圧電基板31にはその表裏面に平行な方向の分極が施されている。圧電基板31の表裏面には第1電極32,33,34が形成されている。表面の第1電極32は圧電基板1の中央部に形成され、裏面の第1電極33,34は圧電基板1の両端部に形成され、表面の第1電極32と裏面の第1電極32,33とは圧電基板31の2箇所で対向している。第1電極32と33、32と34の対向部分D6は、最終的に振動電極となる部分より広い領域を有し、これら対向部分D6で厚みすべり振動モードの閉じ込め振動が励振される。この実施例の第1電極32〜34も第1,第2実施例と同様に2層構造よりなり、スパッタや蒸着などの乾式法で形成される。
図3Bは第1段階の共振子A2の第1電極33,34の間に測定器4を接続して、共振子A2の共振周波数を測定する工程を示す。
図3Cは第2段階における共振子B2を示す。この共振子B2では、第1段階における共振子A2の表裏面に、第1電極32〜34に対して表裏反転した形状の第2電極35〜37が形成されている。そのため、共振子B2の表裏面は第1,第2電極によってほぼ全面が覆われている。第2電極35〜37も第1電極32〜34と同様にスパッタや蒸着などの乾式法で形成される。この実施例の第2電極35〜37も2層構造よりなるが、1層構造であってもよい。
第2電極35〜37の厚みは、図3Bで測定した共振周波数を基にして決定される。第2電極35〜37は第1電極32〜34に対して表裏反転した形状であるため、同一寸法のスパッタマスクを第1電極32〜34と第2電極35〜37の形成時に反転して使用することができる。
図3Cでは、第2電極35〜37と第1電極32〜34との重なり部分D7が、第1電極32〜34の対向部分D6と一致している例を示したが、最終的な振動電極の領域D8より広い領域であれば、重なり部分D7が対向部分D6より広い範囲であってもよいし、狭い範囲であってもよい。
図3Dの(a)〜(c)は第3段階(最終段階)における共振子C2を示す。この共振子C2は、第2段階における共振子B2の第1電極32〜34および第2電極35〜37の不要部分を、エッチングなどの公知の方法で除去することにより、最終的な振動電極38〜40、41〜43をパターン形成したものである。圧電基板31の表面の振動電極38,39および41,42は微小な隙間をあけて形成された幅狭な電極よりなり、裏面の振動電極40,43は表面の振動電極38,39および41,42と対向する幅広な電極で形成されている。振動電極38〜40の形成領域D8は第1段階および第2段階における領域D6,D7に比べて小さい。同様に、振動電極41〜43の形成領域D8は第1段階および第2段階における領域D6,D7に比べて小さい。振動電極38〜40、41〜43の形成と同時に、振動電極38,42と細幅の引出電極44,45を介して接続された端子電極46,47が圧電基板31の表面の両端部に形成され、振動電極39,41を相互に接続する細幅の接続電極48が圧電基板31の表面の中央部に形成される。さらに、振動電極40,43と引出電極49,50を介して接続された端子電極51が圧電基板31の裏面の中央部に形成される。端子電極46,47を入出力端子とし、端子電極51を接地端子とすれば、共振子C2を2段の二重モードフィルタとして使用できる。
共振子C2の振動電極38〜40、41〜43の厚みは、共振子B2の第1電極32〜34と第2電極35〜37が積層された部分の電極厚みと同じである。第2段階で形成した第2電極35〜37の追加厚みにより、共振子C2の共振周波数は目標値に近い値に調整される。
上記説明では、圧電共振子単体としての製造方法について説明したが、実際の製造工程では、圧電基板が複数個連結されたマザー基板状態で第1電極が形成され、fr測定、第2電極の形成、パターン形成などが実施され、その後で個々の素子に分離カットされる。分離カットされた個々の素子は、さらにfr測定などが実施されてもよい。
上記説明では、厚みすべり振動モードの共振子について説明したが、厚み縦振動モードの共振子にも同様に適用できる。
上記実施例では、第1電極として上下2層構造の電極について説明したが、1層構造あるいは3層以上の構造であってもよいことは勿論である。
同様に、第2電極も2層に限らず、1層あるいは3層以上であってもよい。
上記第1〜第3実施例では、圧電基板の両面の第1電極の上にそれぞれ第2電極を形成したが、第2電極を圧電基板の片面の第1電極の上だけに形成してもよい。この場合、片面の振動電極は第1電極、第2電極で積層されたパターンとなるが、他面の振動電極は第1電極のみで構成されたパターンとなる。
本発明の第1実施例における第1段階の共振子の平面図および側面図である。 図1Aに示す共振子の共振周波数を測定する方法を示す図である。 図1Aの共振子に対して第2電極を形成した第2段階の共振子の平面図および側面図である。 図1Cの共振子に対してパターン形成した第3段階の共振子の平面図および側面図である。 本発明の第2実施例における第1段階の共振子の平面図および側面図である。 図2Aに示す共振子の共振周波数を測定する方法を示す図である。 図2Aの共振子に対して第2電極を形成した第2段階の共振子の平面図および側面図である。 図2Cの共振子に対してパターン形成した第3段階の共振子の平面図および側面図である。 本発明の第3実施例における第1段階の共振子の平面図および側面図である。 図3Aに示す共振子の共振周波数を測定する方法を示す図である。 図3Aの共振子に対して第2電極を形成した第2段階の共振子の側面図である。 図3Cの共振子に対してパターン形成した第3段階の共振子の平面図、底面図および側面図である。 従来の方法により振動電極上に金属薄膜を形成した状態を示す断面図である。
符号の説明
A 第1段階における共振子
B 第2段階における共振子
C 第3段階(最終段階)における共振子
1,31 圧電基板
2,3,32〜34 第1電極
4 測定器
5,6,35〜37 第2電極
7,8,22〜24,38〜40、41〜43 振動電極

Claims (5)

  1. 圧電基板の両面に振動電極とこの振動電極に接続された引出電極とが形成され、上記振動電極が圧電基板を間にして対向しており、上記振動電極間で厚みすべり振動モード又は厚み縦振動モードの閉じ込め振動が励振される圧電共振子の製造方法において、
    上記圧電基板の両面に、上記振動電極および引出電極を含む領域に第1電極を形成する工程であって、これら第1電極の対向部分間で上記圧電共振子と同じ振動モードの閉じ込め振動が励振されるように第1電極を部分電極形状とする工程と、
    上記第1電極を形成した共振子に測定器を接続し、圧電基板の両面に形成された第1電極の対向部分間で閉じ込め振動を励振させ、その周波数を測定する工程と、
    上記測定した周波数と最終的な圧電共振子の周波数との差を基にして周波数調整に必要な金属膜の厚みを決定する工程と、
    上記決定した厚みの金属膜よりなる第2電極を、上記圧電基板の片面もしくは両面の上記振動電極を含む領域に上記第1電極の上に重ねて形成する工程と、
    上記圧電基板の両面の上記第1電極および第2電極を部分的に除去して最終的な振動電極および引出電極にパターン形成する工程と、
    を備えたことを特徴とする圧電共振子の製造方法。
  2. 上記第1電極は、圧電基板上に形成された下層と、下層の上に積層された上層とで構成され、上記下層は上層より圧電基板との密着強度の優れた金属層よりなり、上記上層は下層より導電性に優れた金属層よりなることを特徴とする請求項に記載の圧電共振子の製造方法。
  3. 上記第2電極は、上記第1電極の上層と同種金属で構成されていることを特徴とする請求項に記載の圧電共振子の製造方法。
  4. 上記第1電極および第2電極が同一形状であることを特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載の圧電共振子の製造方法。
  5. 上記第2電極が圧電基板の両面に対して第1電極を反転させた形状に形成されていることを特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載の圧電共振子の製造方法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4838093B2 (ja) * 2006-10-25 2011-12-14 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器およびフィルタ
KR100824221B1 (ko) * 2007-03-22 2008-04-24 주식회사 윈 자동식 소화노즐
KR101352177B1 (ko) * 2008-04-24 2014-01-15 콘트리아 산 리미티드 라이어빌리티 컴퍼니 Baw 공진기 및 baw 공진기 형성 방법
US7795781B2 (en) * 2008-04-24 2010-09-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator with reduced energy loss
US9279739B2 (en) 2012-04-20 2016-03-08 The Regents Of The University Of Michigan, University Of Michigan Office Of Technology Transfer Virtual noncontact excitation
KR102207928B1 (ko) 2014-08-13 2021-01-26 삼성전자주식회사 음향 센싱 소자 및 주파수 정보 획득 방법
JP6855227B2 (ja) * 2016-12-12 2021-04-07 日本電波工業株式会社 圧電振動片及び圧電デバイス
JP6842682B2 (ja) * 2017-09-13 2021-03-17 株式会社村田製作所 水晶振動素子およびその製造方法
WO2023054200A1 (ja) * 2021-09-30 2023-04-06 株式会社大真空 圧電振動デバイスの周波数調整方法および圧電振動デバイス

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3650562T2 (de) * 1985-04-11 1997-03-20 Toyo Communication Equip Piezoelektrischer resonator zur erzeugung von oberschwingungen
JPH0616561A (ja) * 1991-07-09 1994-01-25 Tsumura & Co 抗レトロウイルス剤
JPH0529864A (ja) 1991-07-25 1993-02-05 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振素子の周波数調整方法
US5382930A (en) * 1992-12-21 1995-01-17 Trw Inc. Monolithic multipole filters made of thin film stacked crystal filters
JPH06224677A (ja) 1993-01-22 1994-08-12 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子の周波数調整方法
JP3266031B2 (ja) * 1996-04-18 2002-03-18 株式会社村田製作所 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
JP3282789B2 (ja) * 1996-11-08 2002-05-20 日本電信電話株式会社 訳語対抽出装置
JP3277849B2 (ja) * 1997-07-07 2002-04-22 株式会社村田製作所 ラダー形フィルタ
JP3319378B2 (ja) * 1998-03-10 2002-08-26 株式会社村田製作所 圧電共振子の製造方法
JP3613140B2 (ja) * 1999-08-26 2005-01-26 株式会社村田製作所 圧電磁器組成物およびそれを用いた圧電セラミック素子
JP2001196883A (ja) * 1999-11-01 2001-07-19 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振素子の周波数調整方法
EP1170862B1 (en) * 2000-06-23 2012-10-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric resonator and piezoelectric filter using the same
KR100486627B1 (ko) * 2003-02-21 2005-05-03 엘지전자 주식회사 반도체 패키지

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