JP2003229743A - 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 - Google Patents
圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
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- H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
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- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性が高く、電気的特性に優れ、且つ温度
変化に対するフィルタ特性の安定した圧電フィルタ、通
信装置および圧電フィルタの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板表面のＳｉＯ2 薄膜２、圧電性薄膜
３、下部電極４、および上部電極５によって圧電共振子
部分を構成するが、複数の圧電共振子部分のうち、共振
周波数を相対的に低く設定する圧電共振子部分の下部電
極４を、他の圧電共振子部分の下部電極４に比べて厚く
する。例えば、共振周波数の低い圧電共振子を並列共振
子、共振周波数の高い圧電共振子を直列共振子、として
ラダー型フィルタを構成する。
変化に対するフィルタ特性の安定した圧電フィルタ、通
信装置および圧電フィルタの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板表面のＳｉＯ2 薄膜２、圧電性薄膜
３、下部電極４、および上部電極５によって圧電共振子
部分を構成するが、複数の圧電共振子部分のうち、共振
周波数を相対的に低く設定する圧電共振子部分の下部電
極４を、他の圧電共振子部分の下部電極４に比べて厚く
する。例えば、共振周波数の低い圧電共振子を並列共振
子、共振周波数の高い圧電共振子を直列共振子、として
ラダー型フィルタを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコンウェハ
などの基板上に圧電性薄膜を形成して成る圧電共振子を
用いた圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製
造方法に関するものである。
などの基板上に圧電性薄膜を形成して成る圧電共振子を
用いた圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェハなどの基板上に圧電性薄
膜を形成して圧電共振子を構成したものとして特開昭
５８−１２１８１５号および米国特許５９１０７５６
号が開示されている。
膜を形成して圧電共振子を構成したものとして特開昭
５８−１２１８１５号および米国特許５９１０７５６
号が開示されている。
【０００３】には、基板上に一対の電極を有する圧電
性薄膜を設け、基板の他方の面に圧電性薄膜と対向する
部分に凹部を設けて、その凹部内に周波数調整用薄膜を
設けることによって共振周波数を制御するようにしたも
のが示されている。
性薄膜を設け、基板の他方の面に圧電性薄膜と対向する
部分に凹部を設けて、その凹部内に周波数調整用薄膜を
設けることによって共振周波数を制御するようにしたも
のが示されている。
【０００４】には、複数の圧電共振子をラダー型に接
続してなるフィルタにおいて、圧電共振子の共振周波数
を制御するために、ＳｉＯ2 薄膜を２層形成する構造が
示されている。
続してなるフィルタにおいて、圧電共振子の共振周波数
を制御するために、ＳｉＯ2 薄膜を２層形成する構造が
示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、に示され
ている構造で、凹部内の周波数調整用薄膜をトリミング
することによって周波数調整を行う場合に、所望の圧電
共振子部分に選択的に周波数調整用薄膜を堆積する必要
があるが、共振子と薄膜形成用のマスクとの間に空間が
存在するために、本来遮蔽されるべき領域にも周波数調
整用薄膜が回り込んで堆積しやすく、その選択性を高め
難いという問題があった。また、共振素子１個毎に周波
数調整用薄膜の堆積を行うため、スループットが悪く、
生産性が高められないという問題があった。さらに、金
属の周波数調整用薄膜を形成した場合、圧電共振子の上
下の電極と周波数調整用薄膜との間に電気的な結合が生
じ、共振子の特性が悪くなるおそれもあった。
ている構造で、凹部内の周波数調整用薄膜をトリミング
することによって周波数調整を行う場合に、所望の圧電
共振子部分に選択的に周波数調整用薄膜を堆積する必要
があるが、共振子と薄膜形成用のマスクとの間に空間が
存在するために、本来遮蔽されるべき領域にも周波数調
整用薄膜が回り込んで堆積しやすく、その選択性を高め
難いという問題があった。また、共振素子１個毎に周波
数調整用薄膜の堆積を行うため、スループットが悪く、
生産性が高められないという問題があった。さらに、金
属の周波数調整用薄膜を形成した場合、圧電共振子の上
下の電極と周波数調整用薄膜との間に電気的な結合が生
じ、共振子の特性が悪くなるおそれもあった。
【０００６】一方、に示されている構造では、ＳｉＯ
2 層の膜厚に対する共振周波数の変化があまり大きくと
れないので、ラダー型フィルタを構成する場合に、並列
接続される共振子と直列接続される共振子とを所望の周
波数差にするためには、２層目のＳｉＯ2 層をある程度
厚く堆積させる必要があり、並列接続される共振子部分
と直列接続される共振子部分とで、圧電性薄膜とＳｉＯ
2 膜との膜厚の割合が大きく異なってしまう。その結
果、並列接続される共振子と直列接続される共振子と
で、共振周波数の温度特性が大きく異なることになり、
温度変化によってフィルタ特性が大きく変動するという
問題があった。
2 層の膜厚に対する共振周波数の変化があまり大きくと
れないので、ラダー型フィルタを構成する場合に、並列
接続される共振子と直列接続される共振子とを所望の周
波数差にするためには、２層目のＳｉＯ2 層をある程度
厚く堆積させる必要があり、並列接続される共振子部分
と直列接続される共振子部分とで、圧電性薄膜とＳｉＯ
2 膜との膜厚の割合が大きく異なってしまう。その結
果、並列接続される共振子と直列接続される共振子と
で、共振周波数の温度特性が大きく異なることになり、
温度変化によってフィルタ特性が大きく変動するという
問題があった。
【０００７】この発明の目的は、上述の各種問題点を解
消して、生産性が高く、電気的特性に優れ、且つ温度変
化に対するフィルタ特性が安定した圧電フィルタ、それ
を用いた通信装置および圧電フィルタの製造方法を提供
することにある。
消して、生産性が高く、電気的特性に優れ、且つ温度変
化に対するフィルタ特性が安定した圧電フィルタ、それ
を用いた通信装置および圧電フィルタの製造方法を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の圧電フィルタ
は、基板と、該基板に形成されている、少なくとも１層
以上の圧電性薄膜を有する薄膜部の上下面を上部電極お
よび下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有す
る、圧電共振子部分を複数設けた圧電フィルタにおい
て、前記複数の圧電共振子部分のうち、共振周波数を相
対的に低く設定する圧電共振子部分の下部電極を、他の
圧電共振子部分の下部電極に比べて厚くした構造とす
る。
は、基板と、該基板に形成されている、少なくとも１層
以上の圧電性薄膜を有する薄膜部の上下面を上部電極お
よび下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有す
る、圧電共振子部分を複数設けた圧電フィルタにおい
て、前記複数の圧電共振子部分のうち、共振周波数を相
対的に低く設定する圧電共振子部分の下部電極を、他の
圧電共振子部分の下部電極に比べて厚くした構造とす
る。
【０００９】この圧電フィルタの製造方法としては、複
数の圧電共振子部分のうち、共振周波数を相対的に低く
設定する圧電共振子部分の下部電極の成膜時間を、他の
圧電共振子部分の下部電極の成膜時間に比べて長くし
た、下部電極形成工程を含むものとする。
数の圧電共振子部分のうち、共振周波数を相対的に低く
設定する圧電共振子部分の下部電極の成膜時間を、他の
圧電共振子部分の下部電極の成膜時間に比べて長くし
た、下部電極形成工程を含むものとする。
【００１０】このように圧電共振子部分の下部電極の厚
みを相対的に厚くすることによって、共振領域の厚みが
厚くなり、また質量が増すことになって、共振周波数が
低下する。
みを相対的に厚くすることによって、共振領域の厚みが
厚くなり、また質量が増すことになって、共振周波数が
低下する。
【００１１】また、この発明の圧電フィルタは、基板
と、該基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧
電性薄膜を有する薄膜部の上下面を上部電極および下部
電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する、圧電共
振子部分を複数設けた圧電フィルタにおいて、前記複数
の圧電共振子部分のうち、共振周波数を相対的に低く設
定する圧電共振子部分の上部電極を、他の圧電共振子部
分の上部電極に比べて厚くした構造とする。
と、該基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧
電性薄膜を有する薄膜部の上下面を上部電極および下部
電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する、圧電共
振子部分を複数設けた圧電フィルタにおいて、前記複数
の圧電共振子部分のうち、共振周波数を相対的に低く設
定する圧電共振子部分の上部電極を、他の圧電共振子部
分の上部電極に比べて厚くした構造とする。
【００１２】この圧電フィルタの製造方法としては、複
数の圧電共振子部分のうち、共振周波数を相対的に低く
設定する圧電共振子部分の上部電極の成膜時間を、他の
圧電共振子部分の上部電極の成膜時間に比べて長くし
た、上部電極形成工程を含むものとする。
数の圧電共振子部分のうち、共振周波数を相対的に低く
設定する圧電共振子部分の上部電極の成膜時間を、他の
圧電共振子部分の上部電極の成膜時間に比べて長くし
た、上部電極形成工程を含むものとする。
【００１３】このように圧電共振子部分の上部電極の厚
みを相対的に厚くすることによって、共振領域の厚みを
厚くし、また質量を増すことによって、共振周波数を低
下させる。
みを相対的に厚くすることによって、共振領域の厚みを
厚くし、また質量を増すことによって、共振周波数を低
下させる。
【００１４】また、この発明の圧電フィルタは、基板
と、該基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧
電性薄膜を有する薄膜部の上下面を上部電極および下部
電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する、圧電共
振子部分を複数設けるとともに、それらをラダー型に接
続してなる圧電フィルタにおいて、複数の圧電共振子部
分の下部電極の厚みを等しくし、且つ直列接続された圧
電共振子部分の上部電極の厚みと、並列接続された圧電
共振子部分の上部電極の厚みとを異ならせた構造とす
る。さらには、この圧電フィルタは、直列接続された圧
電共振子部分の上部電極の厚みよりも、並列接続された
圧電共振子部分の上部電極の厚みを厚くした構造とす
る。
と、該基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧
電性薄膜を有する薄膜部の上下面を上部電極および下部
電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する、圧電共
振子部分を複数設けるとともに、それらをラダー型に接
続してなる圧電フィルタにおいて、複数の圧電共振子部
分の下部電極の厚みを等しくし、且つ直列接続された圧
電共振子部分の上部電極の厚みと、並列接続された圧電
共振子部分の上部電極の厚みとを異ならせた構造とす
る。さらには、この圧電フィルタは、直列接続された圧
電共振子部分の上部電極の厚みよりも、並列接続された
圧電共振子部分の上部電極の厚みを厚くした構造とす
る。
【００１５】このラダー型に接続された圧電フィルタの
製造方法としては、直列接続された圧電共振子部分の上
部電極の厚みと並列接続された圧電共振子部分の上部電
極の厚みとを異ならせて成膜する工程と、下部電極の全
面を同時に均一の厚みで成膜する工程とを含むものとす
る。前記上部電極の厚みを異ならせて成膜する工程とし
ては、直列接続された圧電共振子部分の上部電極の厚み
よりも並列接続された圧電共振子部分の上部電極の厚み
を厚く成膜する工程がある。
製造方法としては、直列接続された圧電共振子部分の上
部電極の厚みと並列接続された圧電共振子部分の上部電
極の厚みとを異ならせて成膜する工程と、下部電極の全
面を同時に均一の厚みで成膜する工程とを含むものとす
る。前記上部電極の厚みを異ならせて成膜する工程とし
ては、直列接続された圧電共振子部分の上部電極の厚み
よりも並列接続された圧電共振子部分の上部電極の厚み
を厚く成膜する工程がある。
【００１６】このように複数の圧電共振子をラダー型に
接続してなるフィルタの下部電極の厚みを均一にするこ
とによって、下部電極の形成工程を削減する。
接続してなるフィルタの下部電極の厚みを均一にするこ
とによって、下部電極の形成工程を削減する。
【００１７】また、この発明の圧電フィルタは、基板
と、該基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧
電性薄膜を有する薄膜部の上下面を上部電極および下部
電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する、圧電共
振子部分を複数設けて、ラダー型に接続してなる圧電フ
ィルタにおいて、複数の圧電共振子部分の上部電極の厚
みを等しくし、且つ直列接続された圧電共振子部分の下
部電極の厚みと並列接続された圧電共振子部分の下部電
極の厚みとを異ならせた構造とする。さらには、この圧
電共振子は、複数の圧電共振子部分の上部電極の厚みを
等しくし、且つ直列接続された圧電共振子部分の下部電
極の厚みに比べて、並列接続された前記圧電共振子部分
の下部電極の厚みを厚くした構造とする。
と、該基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧
電性薄膜を有する薄膜部の上下面を上部電極および下部
電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する、圧電共
振子部分を複数設けて、ラダー型に接続してなる圧電フ
ィルタにおいて、複数の圧電共振子部分の上部電極の厚
みを等しくし、且つ直列接続された圧電共振子部分の下
部電極の厚みと並列接続された圧電共振子部分の下部電
極の厚みとを異ならせた構造とする。さらには、この圧
電共振子は、複数の圧電共振子部分の上部電極の厚みを
等しくし、且つ直列接続された圧電共振子部分の下部電
極の厚みに比べて、並列接続された前記圧電共振子部分
の下部電極の厚みを厚くした構造とする。
【００１８】このラダー型に接続された圧電フィルタの
製造方法としては、直列接続された圧電共振子部分の下
部電極の厚みと並列接続された圧電共振子部分の下部電
極の厚みとを異ならせて成膜する工程と、上部電極の全
面を同時に均一の厚みで成膜する工程とを含むものとす
る。前記下部電極の厚みを異ならせて成膜する工程とし
ては、直列接続された圧電共振子部分の下部電極の厚み
よりも並列接続された圧電共振子部分の下部電極の厚み
を厚く成膜する工程がある。
製造方法としては、直列接続された圧電共振子部分の下
部電極の厚みと並列接続された圧電共振子部分の下部電
極の厚みとを異ならせて成膜する工程と、上部電極の全
面を同時に均一の厚みで成膜する工程とを含むものとす
る。前記下部電極の厚みを異ならせて成膜する工程とし
ては、直列接続された圧電共振子部分の下部電極の厚み
よりも並列接続された圧電共振子部分の下部電極の厚み
を厚く成膜する工程がある。
【００１９】このように複数の圧電共振子部分をラダー
型に接続してなるフィルタの上部電極の厚みを均一にす
ることによって、上部電極の形成工程を削減する。
型に接続してなるフィルタの上部電極の厚みを均一にす
ることによって、上部電極の形成工程を削減する。
【００２０】また、この発明の圧電フィルタは、前記基
板が、開口部または凹部を有するものとし、前記開口部
または凹部上に前記振動部が形成されている構造とす
る。
板が、開口部または凹部を有するものとし、前記開口部
または凹部上に前記振動部が形成されている構造とす
る。
【００２１】この発明の通信装置は、上記圧電フィルタ
を、例えば高周波回路部において送信信号または受信信
号の処理部分に用いることによって、環境温度変化に対
して安定した通信特性を得る。
を、例えば高周波回路部において送信信号または受信信
号の処理部分に用いることによって、環境温度変化に対
して安定した通信特性を得る。
【００２２】上記下部電極または上部電極は、従来の
で示したように凹部内に形成するものではなく、基板表
面または圧電性薄膜表面に形成するものであるため、高
精度なパターンを高い選択性の下で形成できる。
で示したように凹部内に形成するものではなく、基板表
面または圧電性薄膜表面に形成するものであるため、高
精度なパターンを高い選択性の下で形成できる。
【００２３】また、上記下部電極または上部電極は、圧
電性薄膜を挟む電極自体であるので、上述した電気的結
合による特性の悪化が生じることもない。
電性薄膜を挟む電極自体であるので、上述した電気的結
合による特性の悪化が生じることもない。
【００２４】さらに、上記下部電極または上部電極が、
圧電性薄膜に接する位置に配置することになるため、下
部電極または上部電極の膜厚に対する共振周波数の変化
を大きくとることができる。そのため、圧電性薄膜の膜
厚に対する下部電極または上部電極の膜厚の割合が大き
く変化せず、共振周波数を相対的に低く設定した圧電共
振子部分と、他の圧電共振子部分との共振周波数の温度
特性が大きく変化せずに、温度変化に対しても安定した
フィルタ特性が得られる。
圧電性薄膜に接する位置に配置することになるため、下
部電極または上部電極の膜厚に対する共振周波数の変化
を大きくとることができる。そのため、圧電性薄膜の膜
厚に対する下部電極または上部電極の膜厚の割合が大き
く変化せず、共振周波数を相対的に低く設定した圧電共
振子部分と、他の圧電共振子部分との共振周波数の温度
特性が大きく変化せずに、温度変化に対しても安定した
フィルタ特性が得られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】第１の実施形態に係る圧電フィル
タの構成を図１〜図３を参照して説明する。図１の
（Ａ）は最も単純なラダー型フィルタの回路図、（Ｂ）
はその等価回路図である。ここで直列共振子と並列共振
子にそれぞれ圧電共振子を用いる。これらの共振子は
（Ｂ）に示すように、等価的にキャパシタ、インダク
タ、抵抗の直列回路とキャパシタとの並列回路から成
り、直列に接続されているキャパシタとインダクタによ
る直列共振と、並列に接続されているキャパシタとイン
ダクタによる並列共振とがそれぞれ生じる。
タの構成を図１〜図３を参照して説明する。図１の
（Ａ）は最も単純なラダー型フィルタの回路図、（Ｂ）
はその等価回路図である。ここで直列共振子と並列共振
子にそれぞれ圧電共振子を用いる。これらの共振子は
（Ｂ）に示すように、等価的にキャパシタ、インダク
タ、抵抗の直列回路とキャパシタとの並列回路から成
り、直列に接続されているキャパシタとインダクタによ
る直列共振と、並列に接続されているキャパシタとイン
ダクタによる並列共振とがそれぞれ生じる。
【００２６】図２は、直列共振子と並列共振子における
上記２つの共振によるリアクタンス特性を重ねて表して
いる。ここで実線は並列共振子の特性、破線は直列共振
子の特性である。ｆｒ１は並列共振子の直列共振周波
数、ｆａ１はその並列共振周波数、またｆｒ２は直列共
振子の直列共振周波数、ｆａ２は直列共振子の並列共振
周波数である。ここでｆａ１とｆｒ２をほぼ等しくし、
この２つの直列共振子と並列共振子をラダー型に接続す
ることによって、ｆｒ１とｆａ２を減衰極とし、その間
を通過帯域とする帯域通過特性が得られる。したがっ
て、このような帯域通過特性を得るためには、並列共振
子の共振周波数を直列共振子の共振周波数より低く定め
る必要がある。
上記２つの共振によるリアクタンス特性を重ねて表して
いる。ここで実線は並列共振子の特性、破線は直列共振
子の特性である。ｆｒ１は並列共振子の直列共振周波
数、ｆａ１はその並列共振周波数、またｆｒ２は直列共
振子の直列共振周波数、ｆａ２は直列共振子の並列共振
周波数である。ここでｆａ１とｆｒ２をほぼ等しくし、
この２つの直列共振子と並列共振子をラダー型に接続す
ることによって、ｆｒ１とｆａ２を減衰極とし、その間
を通過帯域とする帯域通過特性が得られる。したがっ
て、このような帯域通過特性を得るためには、並列共振
子の共振周波数を直列共振子の共振周波数より低く定め
る必要がある。
【００２７】図３は上記直列共振子と並列共振子として
用いる圧電共振子の断面図であリ、（Ａ）は直列共振子
を構成する圧電共振子部分（以下、「直列共振子部分」
という。）、（Ｂ）は並列共振子を構成する圧電共振子
部分（以下「並列共振子部分」という。）について示し
ている。これらは同一の基板上に設けるが、図において
は個別に表している。
用いる圧電共振子の断面図であリ、（Ａ）は直列共振子
を構成する圧電共振子部分（以下、「直列共振子部分」
という。）、（Ｂ）は並列共振子を構成する圧電共振子
部分（以下「並列共振子部分」という。）について示し
ている。これらは同一の基板上に設けるが、図において
は個別に表している。
【００２８】図３において１は基板であり、フィルタ単
位で分断する前はシリコンウェハである。２はＳｉＯ2
による薄膜、３はＺｎＯなどによる圧電性薄膜、４はＡ
ｌなどによる下部電極、５は同じくＡｌなどによる上部
電極である。この例では、１層の圧電性薄膜３により薄
膜部を構成している。この薄膜部は複数層の圧電性薄膜
により構成してもよい。このように、圧電性の薄膜部の
上下面を上部電極５と下部電極４とによって挟み込むこ
とによって、振動部を構成している。基板１には、薄膜
２を形成した面とは反対の面に凹部を形成している。こ
の凹部により、振動部の質量を調整して、所定の共振周
波数に定めている。なお、凹部に代えて、基板の下部が
開口した開口部を設けてもよい。
位で分断する前はシリコンウェハである。２はＳｉＯ2
による薄膜、３はＺｎＯなどによる圧電性薄膜、４はＡ
ｌなどによる下部電極、５は同じくＡｌなどによる上部
電極である。この例では、１層の圧電性薄膜３により薄
膜部を構成している。この薄膜部は複数層の圧電性薄膜
により構成してもよい。このように、圧電性の薄膜部の
上下面を上部電極５と下部電極４とによって挟み込むこ
とによって、振動部を構成している。基板１には、薄膜
２を形成した面とは反対の面に凹部を形成している。こ
の凹部により、振動部の質量を調整して、所定の共振周
波数に定めている。なお、凹部に代えて、基板の下部が
開口した開口部を設けてもよい。
【００２９】（Ｂ）に示す並列共振子部分の下部電極４
の膜厚は、（Ａ）に示す直列共振子部分の下部電極４の
膜厚より厚く成膜している。
の膜厚は、（Ａ）に示す直列共振子部分の下部電極４の
膜厚より厚く成膜している。
【００３０】直列共振子部分と並列共振子部分のいずれ
も、薄膜２、圧電性薄膜３、下部電極４、上部電極５の
複合体が、圧電性薄膜の圧電振動により厚み振動する。
も、薄膜２、圧電性薄膜３、下部電極４、上部電極５の
複合体が、圧電性薄膜の圧電振動により厚み振動する。
【００３１】図３に示したように、並列共振子部分の下
部電極４の膜厚を直列共振子部分の下部電極４の膜厚よ
り厚くしているため、上記複合体による共振領域全体の
厚みが増し、また下部電極４の膜厚が増した分だけ共振
領域の質量が増すため、並列共振子部分の共振周波数が
直列共振子部分の共振周波数より低下する。
部電極４の膜厚を直列共振子部分の下部電極４の膜厚よ
り厚くしているため、上記複合体による共振領域全体の
厚みが増し、また下部電極４の膜厚が増した分だけ共振
領域の質量が増すため、並列共振子部分の共振周波数が
直列共振子部分の共振周波数より低下する。
【００３２】次に、上記圧電フィルタの製造方法を、図
４および図５に示す圧電共振子部分の各工程における断
面図を基に説明する。まず、図４の（Ａ）に示すよう
に、シリコンウェハの状態で、基板１の一方の面にＳｉ
Ｏ2 の薄膜２を形成し、他方の面にＳｉＯ2 の薄膜２ま
で達する凹部を異方性エッチング処理により形成する。
４および図５に示す圧電共振子部分の各工程における断
面図を基に説明する。まず、図４の（Ａ）に示すよう
に、シリコンウェハの状態で、基板１の一方の面にＳｉ
Ｏ2 の薄膜２を形成し、他方の面にＳｉＯ2 の薄膜２ま
で達する凹部を異方性エッチング処理により形成する。
【００３３】次に、（Ｂ）に示すように、薄膜２の表面
にレジスト膜１０をパターン化する。このレジスト膜１
０は、下部電極をパターンニングするために用いる。
にレジスト膜１０をパターン化する。このレジスト膜１
０は、下部電極をパターンニングするために用いる。
【００３４】続いて（Ｃ）に示すように、直列共振子部
分（共振周波数を低下させない方の圧電共振子部分）
の、レジスト膜１０の開口部をメタルマスク等でマスキ
ングし、下部電極としてＡｌを真空蒸着またはスパッタ
リングにより、所定膜厚だけ成膜する。
分（共振周波数を低下させない方の圧電共振子部分）
の、レジスト膜１０の開口部をメタルマスク等でマスキ
ングし、下部電極としてＡｌを真空蒸着またはスパッタ
リングにより、所定膜厚だけ成膜する。
【００３５】続いて、上記メタルマスクを取り除いて、
基板の全面に、再びＡｌを真空蒸着またはスパッタリン
グにより成膜する。
基板の全面に、再びＡｌを真空蒸着またはスパッタリン
グにより成膜する。
【００３６】続いて、レジスト膜１０をアセトン等で剥
離し、そのレジスト膜１０の上部に形成されていたＡｌ
電極を除去することによって、（Ｄ）に示すように下部
電極４をパターンニングする。
離し、そのレジスト膜１０の上部に形成されていたＡｌ
電極を除去することによって、（Ｄ）に示すように下部
電極４をパターンニングする。
【００３７】これにより、並列共振子部分の下部電極４
は二回の成膜工程により形成され、直列共振子部分の下
部電極４は一回の成膜工程により形成される。このこと
により、並列共振子部分の下部電極４の全体の成膜時間
が、直列共振子部分の下部電極４の成膜時間より長くな
り、並列共振子部分の下部電極４の膜厚が、直列共振子
部分の下部電極４の膜厚より厚くなる。
は二回の成膜工程により形成され、直列共振子部分の下
部電極４は一回の成膜工程により形成される。このこと
により、並列共振子部分の下部電極４の全体の成膜時間
が、直列共振子部分の下部電極４の成膜時間より長くな
り、並列共振子部分の下部電極４の膜厚が、直列共振子
部分の下部電極４の膜厚より厚くなる。
【００３８】このように、下部電極の形成領域を定める
レジスト膜を形成した状態で、下部電極膜を成膜し、こ
の下部電極材料の膜と共にレジスト膜を除去するように
したため、膜厚の異なった２種の下部電極を高精度にパ
ターン化することができる。
レジスト膜を形成した状態で、下部電極膜を成膜し、こ
の下部電極材料の膜と共にレジスト膜を除去するように
したため、膜厚の異なった２種の下部電極を高精度にパ
ターン化することができる。
【００３９】なお、並列共振子部分の下部電極形成領
域にのみ開口部を有するようにレジスト膜をパターンニ
ングする。その上から下部電極膜を成膜する。レジ
スト膜を剥離する。並列共振子部分と、直列共振子部
分の両方の下部電極形成領域に開口部を有するようにレ
ジスト膜をパターンニングする。下部電極を成膜す
る。レジスト膜を剥離する。という手順で、膜厚の異
なった２種の下部電極を形成してもよい。
域にのみ開口部を有するようにレジスト膜をパターンニ
ングする。その上から下部電極膜を成膜する。レジ
スト膜を剥離する。並列共振子部分と、直列共振子部
分の両方の下部電極形成領域に開口部を有するようにレ
ジスト膜をパターンニングする。下部電極を成膜す
る。レジスト膜を剥離する。という手順で、膜厚の異
なった２種の下部電極を形成してもよい。
【００４０】次に、図５の（Ａ）に示すように、メタル
マスクなどでマスキングしてＺｎＯを真空蒸着またはス
パッタリングにより成膜し、圧電性薄膜３を形成する。
マスクなどでマスキングしてＺｎＯを真空蒸着またはス
パッタリングにより成膜し、圧電性薄膜３を形成する。
【００４１】続いて図５の（Ｂ）に示すように、上部電
極パターン形成用のレジスト膜１１を形成する。
極パターン形成用のレジスト膜１１を形成する。
【００４２】続いて（Ｃ）に示すように、表面の全面に
Ａｌを成膜し、レジスト膜１１をアセトンなどで剥離す
ることによって、（Ｄ）に示すように上部電極５を形成
する。
Ａｌを成膜し、レジスト膜１１をアセトンなどで剥離す
ることによって、（Ｄ）に示すように上部電極５を形成
する。
【００４３】以上の方法によって、図３に示した並列共
振子および直列共振子を含む圧電フィルタを構成する。
振子および直列共振子を含む圧電フィルタを構成する。
【００４４】次に、第２の実施形態に係る圧電フィルタ
の構造と製造方法を図６を参照して説明する。図６の
（Ａ）は直列共振子部分の断面図、（Ｂ）は並列共振子
部分の断面図である。これらは同一の基板上に設ける
が、図においては個別に表している。
の構造と製造方法を図６を参照して説明する。図６の
（Ａ）は直列共振子部分の断面図、（Ｂ）は並列共振子
部分の断面図である。これらは同一の基板上に設ける
が、図においては個別に表している。
【００４５】直列共振子部分の構造は図３の（Ａ）に示
したものと同一である。並列共振子部分は、上部電極５
の膜厚を、直列共振子部分の上部電極５の膜厚より厚く
成膜している。
したものと同一である。並列共振子部分は、上部電極５
の膜厚を、直列共振子部分の上部電極５の膜厚より厚く
成膜している。
【００４６】このような上部電極５の膜厚制御は、第１
の実施形態の場合と同様に、メタルマスクを用いた二回
に亘る真空蒸着またはスパッタリングにより行う。
の実施形態の場合と同様に、メタルマスクを用いた二回
に亘る真空蒸着またはスパッタリングにより行う。
【００４７】このような構造により、ＳｉＯ2 薄膜２、
圧電性薄膜３およびその上下の電極４，５から成る複合
体による共振領域の厚みおよび質量は、直列共振子部分
に比べて並列共振子部分の方が大きくなるため、直列共
振子部分に対して、並列共振子部分の共振周波数が低下
する。
圧電性薄膜３およびその上下の電極４，５から成る複合
体による共振領域の厚みおよび質量は、直列共振子部分
に比べて並列共振子部分の方が大きくなるため、直列共
振子部分に対して、並列共振子部分の共振周波数が低下
する。
【００４８】なお、第１・第２の実施形態では、下部電
極４または上部電極５を形成する際、Ａｌ薄膜を直接成
膜する例を示したが、電極材料であるＡｌの付着性を高
めるために、下地としてＴｉ膜を真空蒸着またはスパッ
タリングにより成膜し、続いてその上にＡｌ薄膜を真空
蒸着またはスパッタリングにより成膜してもよい。
極４または上部電極５を形成する際、Ａｌ薄膜を直接成
膜する例を示したが、電極材料であるＡｌの付着性を高
めるために、下地としてＴｉ膜を真空蒸着またはスパッ
タリングにより成膜し、続いてその上にＡｌ薄膜を真空
蒸着またはスパッタリングにより成膜してもよい。
【００４９】また、電極材料としては、Ａｌ以外に、Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｔａ，Ａｕ，Ｐｔを用いてもよい。
ｏ，Ｗ，Ｔａ，Ａｕ，Ｐｔを用いてもよい。
【００５０】以上の各実施形態で示した製造方法によれ
ば、共振周波数制御を兼ねる金属薄膜を高い寸法精度で
形成することができるため、圧電共振子の共振周波数を
容易に所定値に設定できるようになり、所望のフィルタ
特性を容易に得ることができる。
ば、共振周波数制御を兼ねる金属薄膜を高い寸法精度で
形成することができるため、圧電共振子の共振周波数を
容易に所定値に設定できるようになり、所望のフィルタ
特性を容易に得ることができる。
【００５１】次に、第３の実施形態に係るラダー型圧電
フィルタの構成を図７を参照して説明する。図７の
（Ａ）は直列共振子を２個、並列共振子を３個用いて構
成されたラダー型圧電フィルタの回路図、（Ｂ）はその
上部電極および下部電極のパターンを示した図である。
図７の（Ｂ）において、上部電極は実線で、下部電極は
破線でそれぞれ示されている。ここで、直列共振子と並
列共振子とにそれぞれ圧電共振子を用いる。これらの共
振子により、第１の実施形態に示したように、直列共振
と並列共振とが生じ、これらの共振周波数を調整するこ
とで、フィルタとして機能する。
フィルタの構成を図７を参照して説明する。図７の
（Ａ）は直列共振子を２個、並列共振子を３個用いて構
成されたラダー型圧電フィルタの回路図、（Ｂ）はその
上部電極および下部電極のパターンを示した図である。
図７の（Ｂ）において、上部電極は実線で、下部電極は
破線でそれぞれ示されている。ここで、直列共振子と並
列共振子とにそれぞれ圧電共振子を用いる。これらの共
振子により、第１の実施形態に示したように、直列共振
と並列共振とが生じ、これらの共振周波数を調整するこ
とで、フィルタとして機能する。
【００５２】このラダー型圧電フィルタは、図７に示す
ように、直列共振子１０２と並列共振子１０１の上部電
極である電極２０１と、直列共振子１０４と並列共振子
１０５の上部電極である電極２０２とを前述の方法で同
じ厚みに形成する。また、並列共振子１０３の上部電極
である電極２０３を、電極２０１，２０２よりも厚く形
成する。ここで、電極２０３は、電極２０１，２０２と
同時に同じ厚みで電極形成したのち、電極２０３のみ再
度所定の厚みで電極形成するまたは、電極２０１，２０
２と電極２０３とをそれぞれに別の工程で所定の厚みに
形成する。このようにして、並列共振子の上部電極の厚
みを直列共振子の上部電極の厚みより厚く形成する。
ように、直列共振子１０２と並列共振子１０１の上部電
極である電極２０１と、直列共振子１０４と並列共振子
１０５の上部電極である電極２０２とを前述の方法で同
じ厚みに形成する。また、並列共振子１０３の上部電極
である電極２０３を、電極２０１，２０２よりも厚く形
成する。ここで、電極２０３は、電極２０１，２０２と
同時に同じ厚みで電極形成したのち、電極２０３のみ再
度所定の厚みで電極形成するまたは、電極２０１，２０
２と電極２０３とをそれぞれに別の工程で所定の厚みに
形成する。このようにして、並列共振子の上部電極の厚
みを直列共振子の上部電極の厚みより厚く形成する。
【００５３】一方、並列共振子１０１の下部電極である
電極３０１と、並列共振子１０５の下部電極である電極
３０２についても、前述の方法を用いて直列共振子１０
２，１０４と並列共振子１０３の下部電極となる電極３
０３よりも厚く形成する。
電極３０１と、並列共振子１０５の下部電極である電極
３０２についても、前述の方法を用いて直列共振子１０
２，１０４と並列共振子１０３の下部電極となる電極３
０３よりも厚く形成する。
【００５４】このように電極を形成することで、並列共
振子の上部電極、下部電極のいずれかを、直列共振子の
上部電極および下部電極よりも厚く形成することができ
る。これにより、並列共振子の共振周波数を直列共振子
に共振周波数よりも低くすることができ、所定の帯域通
過特性を有するラダー型圧電フィルタを構成することが
できる。
振子の上部電極、下部電極のいずれかを、直列共振子の
上部電極および下部電極よりも厚く形成することができ
る。これにより、並列共振子の共振周波数を直列共振子
に共振周波数よりも低くすることができ、所定の帯域通
過特性を有するラダー型圧電フィルタを構成することが
できる。
【００５５】次に、第４の実施形態に係るラダー型圧電
フィルタの構成を図８を参照して説明する。図８の
（Ａ）は直列共振子を２個、並列共振子を３個用いて構
成されたラダー型圧電フィルタの回路図、（Ｂ）はその
上部電極および下部電極のパターンを示した図である。
図８の（Ｂ）において、上部電極は実線で、下部電極は
破線でそれぞれ示されている。ここで、直列共振子と並
列共振子とにそれぞれ圧電共振子を用いる。
フィルタの構成を図８を参照して説明する。図８の
（Ａ）は直列共振子を２個、並列共振子を３個用いて構
成されたラダー型圧電フィルタの回路図、（Ｂ）はその
上部電極および下部電極のパターンを示した図である。
図８の（Ｂ）において、上部電極は実線で、下部電極は
破線でそれぞれ示されている。ここで、直列共振子と並
列共振子とにそれぞれ圧電共振子を用いる。
【００５６】このラダー型圧電フィルタは、各圧電共振
子１０１〜１０５のそれぞれの下部電極である電極３０
４，３０５，３０６を同じ厚みで形成する。一方、直列
共振子１０２，１０４の上部電極である電極２０４ａ，
２０５ａは同じ厚さを形成し、並列共振子１０１，１０
５の上部電極である電極２０４ｂ，２０５ｂと並列共振
子１０３の上部電極である電極２０６とは電極２０４
ａ，２０５ａよりも厚く形成する。ここで、電極２０４
ａと２０４ｂとが導通しており、電極２０５ａと２０５
ｂとが導通し、それぞれに単体の電極を形成している。
子１０１〜１０５のそれぞれの下部電極である電極３０
４，３０５，３０６を同じ厚みで形成する。一方、直列
共振子１０２，１０４の上部電極である電極２０４ａ，
２０５ａは同じ厚さを形成し、並列共振子１０１，１０
５の上部電極である電極２０４ｂ，２０５ｂと並列共振
子１０３の上部電極である電極２０６とは電極２０４
ａ，２０５ａよりも厚く形成する。ここで、電極２０４
ａと２０４ｂとが導通しており、電極２０５ａと２０５
ｂとが導通し、それぞれに単体の電極を形成している。
【００５７】電極２０４ｂ，２０５ｂ，２０６は、一旦
電極２０４ａ，２０５ａとともに電極を形成したのち
に、前述のように電極２０４ａ，２０５ａ部にマスクを
行い、電極２０４ｂ，２０５ｂ，電極２０６のみ再度電
極を形成して、厚みを厚くする。
電極２０４ａ，２０５ａとともに電極を形成したのち
に、前述のように電極２０４ａ，２０５ａ部にマスクを
行い、電極２０４ｂ，２０５ｂ，電極２０６のみ再度電
極を形成して、厚みを厚くする。
【００５８】このように電極を形成することで、下部電
極の形成工程が１工程で済むため、電極形成工程を削減
することができる。これにより、製造コストを低減する
ことができる。
極の形成工程が１工程で済むため、電極形成工程を削減
することができる。これにより、製造コストを低減する
ことができる。
【００５９】なお、本実施形態では、下部電極の厚みを
統一したラダー型圧電フィルタを示したが、図９に示す
ように、各圧電共振子の上部電極である電極２０７，２
０８，２０９を同じ厚みで形成し、それぞれ並列共振子
１０１，１０５，１０３の下部電極である電極３０７，
３０８，３０９ｂを直列共振子１０２，１０４の下部電
極である電極３０９ａより厚く形成してもよい。
統一したラダー型圧電フィルタを示したが、図９に示す
ように、各圧電共振子の上部電極である電極２０７，２
０８，２０９を同じ厚みで形成し、それぞれ並列共振子
１０１，１０５，１０３の下部電極である電極３０７，
３０８，３０９ｂを直列共振子１０２，１０４の下部電
極である電極３０９ａより厚く形成してもよい。
【００６０】また、前述の実施形態では、図３に示した
ように、基板１に設けた凹部と反対の面に圧電性薄膜
３、下部電極４および上部電極５を形成しているが、図
１０に示すように、基板１の凹部を設けた側の面に圧電
性薄膜３、下部電極４および上部電極５を形成してもよ
い。
ように、基板１に設けた凹部と反対の面に圧電性薄膜
３、下部電極４および上部電極５を形成しているが、図
１０に示すように、基板１の凹部を設けた側の面に圧電
性薄膜３、下部電極４および上部電極５を形成してもよ
い。
【００６１】このような構造の圧電共振子は次に示す方
法で製造される。まず、基板１に凹部を設けた後、アッ
シングにより除去される樹脂等を凹部に充填する。次
に、この樹脂を充填した凹部を含む基板面に下部電極
４、圧電薄膜３および上部電極を形成する。その後、ア
ッシングを行い下部電極４の基板側に凹部を形成する。
法で製造される。まず、基板１に凹部を設けた後、アッ
シングにより除去される樹脂等を凹部に充填する。次
に、この樹脂を充填した凹部を含む基板面に下部電極
４、圧電薄膜３および上部電極を形成する。その後、ア
ッシングを行い下部電極４の基板側に凹部を形成する。
【００６２】また、前述の実施形態では、直列共振子が
１個、並列共振子が１個の圧電フィルタ、および直列共
振子が２個、並列共振子が３個のラダー型圧電フィルタ
を示したが、図１１の（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、直
列共振子および並列共振子をそれぞれ複数を用いてラダ
ー型圧電共振子を構成してもよい。このように構成する
ことで、所望の特性を容易に得ることができる。
１個、並列共振子が１個の圧電フィルタ、および直列共
振子が２個、並列共振子が３個のラダー型圧電フィルタ
を示したが、図１１の（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、直
列共振子および並列共振子をそれぞれ複数を用いてラダ
ー型圧電共振子を構成してもよい。このように構成する
ことで、所望の特性を容易に得ることができる。
【００６３】また、以上に示した圧電フィルタを２個用
いて、各圧電フィルタの一方の入出力端子を導通して、
共通端子とする。そして、一方の圧電フィルタを送信側
フィルタ、他方の圧電フィルタを受信側フィルタとする
ことで、図１２に示すデュプレクサを構成することがで
きる。このデュプレクサでは、送信側、受信側それぞれ
のフィルタにおいて、上部電極および下部電極の厚みを
異ならせることで、それぞれに異なる帯域通過特性を実
現することができる。
いて、各圧電フィルタの一方の入出力端子を導通して、
共通端子とする。そして、一方の圧電フィルタを送信側
フィルタ、他方の圧電フィルタを受信側フィルタとする
ことで、図１２に示すデュプレクサを構成することがで
きる。このデュプレクサでは、送信側、受信側それぞれ
のフィルタにおいて、上部電極および下部電極の厚みを
異ならせることで、それぞれに異なる帯域通過特性を実
現することができる。
【００６４】また、前述の実施形態に示した圧電フィル
タは、直列接続された圧電共振子部分の上部電極の厚み
よりも並列接続された圧電共振子部分の上部電極の厚み
を厚くするか、直列接続された圧電共振子部分の下部電
極の厚みよりも並列接続された圧電共振子部分の下部電
極の厚みを厚くした例を示している。しかし、直列接続
された圧電共振子部分の上部電極の厚みよりも並列接続
された圧電共振子部分の上部電極の厚みを薄くするか、
直列接続された圧電共振子部分の下部電極の厚みよりも
並列接続された圧電共振子部分の下部電極の厚みを薄く
した構造であってもよい。この場合、同じ回路構成で圧
電フィルタを構成することで、並列共振子部分の共振周
波数が直列共振子部分の共振周波数より高くなり、ノッ
チフィルタとして機能する。
タは、直列接続された圧電共振子部分の上部電極の厚み
よりも並列接続された圧電共振子部分の上部電極の厚み
を厚くするか、直列接続された圧電共振子部分の下部電
極の厚みよりも並列接続された圧電共振子部分の下部電
極の厚みを厚くした例を示している。しかし、直列接続
された圧電共振子部分の上部電極の厚みよりも並列接続
された圧電共振子部分の上部電極の厚みを薄くするか、
直列接続された圧電共振子部分の下部電極の厚みよりも
並列接続された圧電共振子部分の下部電極の厚みを薄く
した構造であってもよい。この場合、同じ回路構成で圧
電フィルタを構成することで、並列共振子部分の共振周
波数が直列共振子部分の共振周波数より高くなり、ノッ
チフィルタとして機能する。
【００６５】以上に示した圧電フィルタは帯域通過特性
を示すので、これを用いて通信装置を構成する際に、電
子同調回路、復調回路、その他の妨害波除去回路等に用
いて、通信装置の高周波回路部を構成することができ
る。
を示すので、これを用いて通信装置を構成する際に、電
子同調回路、復調回路、その他の妨害波除去回路等に用
いて、通信装置の高周波回路部を構成することができ
る。
【００６６】
【発明の効果】この発明によれば、共振周波数制御を兼
ねる下部電極または上部電極を高いパターン精度で形成
できる。
ねる下部電極または上部電極を高いパターン精度で形成
できる。
【００６７】また、圧電共振子から離間した従来の周波
数調整用薄膜を設ける必要がないため、その周波数調整
用薄膜と圧電共振子との電気的結合による特性の悪化な
ども生じない。
数調整用薄膜を設ける必要がないため、その周波数調整
用薄膜と圧電共振子との電気的結合による特性の悪化な
ども生じない。
【００６８】さらに、下部電極または上部電極の膜厚に
対する共振周波数の変化を大きくとることができるた
め、圧電性薄膜の膜厚に対する下部電極または上部電極
の膜厚の割合が大きく変化せず、共振周波数を相対的に
低く設定した圧電共振子部分と、他の圧電共振子部分と
の共振周波数の温度特性が大きく変化せずに、温度変化
に対しても安定したフィルタ特性が得られる。
対する共振周波数の変化を大きくとることができるた
め、圧電性薄膜の膜厚に対する下部電極または上部電極
の膜厚の割合が大きく変化せず、共振周波数を相対的に
低く設定した圧電共振子部分と、他の圧電共振子部分と
の共振周波数の温度特性が大きく変化せずに、温度変化
に対しても安定したフィルタ特性が得られる。
【００６９】また、基板が、開口部または凹部を有する
ものとし、開口部または凹部上に振動部を形成すること
により、振動部の質量を適切に調整して、所定の共振周
波数に定めることができる。
ものとし、開口部または凹部上に振動部を形成すること
により、振動部の質量を適切に調整して、所定の共振周
波数に定めることができる。
【００７０】また、複数の直列共振子と並列共振子をラ
ダー型に接続してなる圧電フィルタを構成する際に、上
部電極または下部電極の厚みを統一することによって、
電極形成工程を削減することができ、製造コストを低減
することができる。
ダー型に接続してなる圧電フィルタを構成する際に、上
部電極または下部電極の厚みを統一することによって、
電極形成工程を削減することができ、製造コストを低減
することができる。
【００７１】また、上記の圧電フィルタを、例えば高周
波回路部において送信信号または受信信号の処理部分に
用いることによって、環境温度の変化に対しても安定し
た通信特性が得られる。
波回路部において送信信号または受信信号の処理部分に
用いることによって、環境温度の変化に対しても安定し
た通信特性が得られる。
【図１】第１の実施形態に係る圧電フィルタの基本回路
およびその等価回路図
およびその等価回路図
【図２】同圧電フィルタの特性図
【図３】同圧電フィルタの直列共振子部分および並列共
振子部分の断面図
振子部分の断面図
【図４】同圧電フィルタの各製造工程における断面図
【図５】同圧電フィルタの各製造工程における断面図
【図６】第２の実施形態に係る圧電フィルタの直列共振
子部分および並列共振子部分の断面図
子部分および並列共振子部分の断面図
【図７】第３の実施形態に係るラダー型圧電フィルタの
回路図および、上部、下部電極のパターン概要図
回路図および、上部、下部電極のパターン概要図
【図８】第４の実施形態に係るラダー型圧電フィルタの
回路図および、上部、下部電極のパターン概要図
回路図および、上部、下部電極のパターン概要図
【図９】他の構成のラダー型圧電フィルタの上部、下部
電極のパターン概要図
電極のパターン概要図
【図１０】他の構成の圧電フィルタの直列共振子部分お
よび並列共振子部分の断面図
よび並列共振子部分の断面図
【図１１】複数の圧電共振子で構成されたラダー型圧電
フィルタ構成例を示す回路図
フィルタ構成例を示す回路図
【図１２】圧電フィルタを用いたデュプレクサの概要ブ
ロック図
ロック図
１−基板（Ｓｉ）
２−薄膜（ＳｉＯ2 ）
３−圧電性薄膜（ＺｎＯ）
４，３０１〜３０８，３０９ａ，３０９ｂ−下部電極
（Ａｌ） ５，２０１〜２０３，２０４ａ，２０４ｂ，２０５ａ，
２０５ｂ，２０６〜２０９−上部電極（Ａｌ） １０，１１−レジスト膜 １０１，１０３，１０５−並列共振子 １０２，１０４−直列共振子
（Ａｌ） ５，２０１〜２０３，２０４ａ，２０４ｂ，２０５ａ，
２０５ｂ，２０６〜２０９−上部電極（Ａｌ） １０，１１−レジスト膜 １０１，１０３，１０５−並列共振子 １０２，１０４−直列共振子
─────────────────────────────────────────────────────
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０３Ｈ 3/02 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｕ
9/02 41/22 Ｚ
41/08 Ｄ
9/17 41/18 １０１Ｚ
Claims (14)
- 【請求項１】 基板と、該基板に形成されている、少な
くとも１層以上の圧電性薄膜を有する薄膜部の上下面を
上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部
とを有する、圧電共振子部分を複数設けた圧電フィルタ
において、 前記複数の圧電共振子部分のうち、共振周波数を相対的
に低く設定する圧電共振子部分の下部電極を、他の圧電
共振子部分の下部電極に比べて厚くした圧電フィルタ。 - 【請求項２】 基板と、該基板に形成されている、少な
くとも１層以上の圧電性薄膜を有する薄膜部の上下面を
上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部
とを有する、圧電共振子部分を複数設けた圧電フィルタ
において、 前記複数の圧電共振子部分のうち、共振周波数を相対的
に低く設定する圧電共振子部分の上部電極を、他の圧電
共振子部分の上部電極に比べて厚くした圧電フィルタ。 - 【請求項３】 基板と、該基板に形成されている、少な
くとも１層以上の圧電性薄膜を有する薄膜部の上下面を
上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部
とを有する、圧電共振子部分を複数設けるとともに、そ
れらをラダー型に接続してなる圧電フィルタにおいて、 前記複数の圧電共振子部分のそれぞれの前記下部電極の
膜厚が等しく、且つ並列接続された前記圧電共振子部分
と直列接続された前記圧電共振子部分とで、前記上部電
極の膜厚が異なっていることを特徴とする圧電フィル
タ。 - 【請求項４】 前記並列接続された圧電共振子部分の上
部電極の膜厚が、前記直列接続された圧電共振子部分の
上部電極の膜厚より厚くなっていることを特徴とする請
求項３に記載の圧電フィルタ。 - 【請求項５】 基板と、該基板に形成されている、少な
くとも１層以上の圧電性薄膜を有する薄膜部の上下面を
上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部
とを有する、圧電共振子部分を複数設けるとともに、そ
れらをラダー型に接続してなる圧電フィルタにおいて、 前記複数の圧電共振子部分のそれぞれの前記上部電極の
膜厚が等しく、且つ並列接続された前記圧電共振子部分
と直列接続された前記圧電共振子部分とで、前記下部電
極の膜厚が異なっていることを特徴とする圧電フィル
タ。 - 【請求項６】 前記並列接続された圧電共振子部分の下
部電極の膜厚が、前記直列接続された圧電共振子部分の
下部電極の膜厚より厚くなっていることを特徴とする請
求項５に記載の圧電フィルタ。 - 【請求項７】 前記基板は、開口部または凹部を有し、
前記開口部または凹部上に前記振動部が形成されている
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の圧電
フィルタ。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載の圧電フ
ィルタを設けて成る通信装置。 - 【請求項９】 基板と、該基板に形成されている、少な
くとも１層以上の圧電性薄膜を有する薄膜部の上下面を
上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部
とを有する、圧電共振子部分を複数設けた圧電フィルタ
の製造方法であって、 前記複数の圧電共振子部分のうち、共振周波数を相対的
に低く設定する圧電共振子部分の下部電極の成膜時間
を、他の圧電共振子部分の下部電極の成膜時間に比べて
長くした、下部電極形成工程を含む圧電フィルタの製造
方法。 - 【請求項１０】 基板と、該基板に形成されている、少
なくとも１層以上の圧電性薄膜を有する薄膜部の上下面
を上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動
部とを有する、圧電共振子部分を複数設けた圧電フィル
タの製造方法であって、 前記複数の圧電共振子部分のうち、共振周波数を相対的
に低く設定する圧電共振子部分の上部電極の成膜時間
を、他の圧電共振子部分の上部電極の成膜時間に比べて
長くした、上部電極形成工程を含む圧電フィルタの製造
方法。 - 【請求項１１】 基板と、該基板に形成されている、少
なくとも１層以上の圧電性薄膜を有する薄膜部の上下面
を上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動
部とを有する、圧電共振子部分を複数設けるとともに、
それらをラダー型に接続してなる圧電フィルタの製造方
法であって、 前記複数の圧電共振子部分のうち並列接続された圧電共
振子部分の下部電極と直列接続された圧電共振子部分の
下部電極とを異なる膜厚で成膜する工程と、 前記並列接続された圧電共振子部分の上部電極と前記直
列接続された圧電共振子部分の上部電極とを同時に成膜
する工程とを含む圧電フィルタの製造方法。 - 【請求項１２】 基板と、該基板に形成されている、少
なくとも１層以上の圧電性薄膜を有する薄膜部の上下面
を上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動
部とを有する、圧電共振子部分を複数設けるとともに、
それらをラダー型に接続してなる圧電フィルタの製造方
法であって、 前記複数の圧電共振子部分のうち並列接続された圧電共
振子部分の下部電極を、直列接続された圧電共振子部分
の下部電極より厚く成膜する工程と、 前記並列接続された圧電共振子部分の上部電極と前記直
列接続された圧電共振子部分の上部電極とを同時に成膜
する工程とを含む圧電共振フィルタの製造方法。 - 【請求項１３】 基板と、該基板に形成されている、少
なくとも１層以上の圧電性薄膜を有する薄膜部の上下面
を上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動
部とを有する、圧電共振子部分を複数設けるとともに、
それらをラダー型に接続してなる圧電フィルタの製造方
法であって、 前記複数の圧電共振子部分のうち、並列接続された圧電
共振子部分の上部電極と直列接続された圧電共振子部分
の上部電極とを異なる膜厚で成膜する工程と、 前記並列接続された圧電共振子部分の下部電極と前記直
列接続された圧電共振子部分の下部電極とを同時に成膜
する工程とを含む圧電共振フィルタの製造方法。 - 【請求項１４】 基板と、該基板に形成されている、少
なくとも１層以上の圧電性薄膜を有する薄膜部の上下面
を上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動
部とを有する、圧電共振子部分を複数設けるとともに、
それらをラダー型に接続してなる圧電フィルタの製造方
法であって、 前記複数の圧電共振子部分のうち、並列接続された圧電
共振子部分と直列接続された圧電共振子部分の下部電極
を同時に成膜する工程と、 前記並列接続された圧電共振子部分の上部電極を、前記
直列接続された圧電共振子部分の上部電極より厚く成膜
する工程とを含む圧電共振フィルタの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154255A JP2003229743A (ja) | 2001-11-29 | 2002-05-28 | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
| US10/290,499 US6867667B2 (en) | 2001-11-29 | 2002-11-08 | Piezoelectric filter, communication device, and method for manufacturing communication device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-365218 | 2001-11-29 | ||
| JP2001365218 | 2001-11-29 | ||
| JP2002154255A JP2003229743A (ja) | 2001-11-29 | 2002-05-28 | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003229743A true JP2003229743A (ja) | 2003-08-15 |
Family
ID=26624774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002154255A Pending JP2003229743A (ja) | 2001-11-29 | 2002-05-28 | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6867667B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003229743A (ja) |
Cited By (4)
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| JP2019068295A (ja) * | 2017-10-02 | 2019-04-25 | 株式会社村田製作所 | フィルタ |
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| US8291559B2 (en) * | 2009-02-24 | 2012-10-23 | Epcos Ag | Process for adapting resonance frequency of a BAW resonator |
| JP4944145B2 (ja) | 2009-03-19 | 2012-05-30 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、通信装置 |
| JP2016195305A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ、分波器、およびモジュール |
| CN112913141B (zh) * | 2018-10-23 | 2024-01-16 | 华为技术有限公司 | 单片集成baw谐振器制作方法 |
| US20220345112A1 (en) * | 2019-09-27 | 2022-10-27 | Kyocera Corporation | Acoustic wave filter and communication apparatus |
| CN111313862B (zh) * | 2020-02-26 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 调整滤波器电路的方法和滤波器、多工器、通讯设备 |
| CN111384922A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-07 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种小型化梯型晶体滤波器 |
| CN111917392A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-11-10 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 压电滤波器及其带外抑制改善方法、多工器、通信设备 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0629774A (ja) | 1992-07-07 | 1994-02-04 | Tdk Corp | 圧電セラミックフィルタ回路及び圧電セラミックフィルタ |
| US5910756A (en) * | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
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-
2002
- 2002-05-28 JP JP2002154255A patent/JP2003229743A/ja active Pending
- 2002-11-08 US US10/290,499 patent/US6867667B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030098761A1 (en) | 2003-05-29 |
| US6867667B2 (en) | 2005-03-15 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050628 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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