JP4397748B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、接着ペーストを用いて半導体チップを配線基板などに接着するダイボンディング工程を有する半導体装置の製造に適用して有効な技術に関するものである。

接着ペースト（以下、単にペーストという）を用いて半導体チップを配線基板などに接着するダイボンディング工程では、ディスペンサと呼ばれるペースト塗布装置を使って、配線基板のチップ搭載領域にペーストを塗布している。

ディスペンサは、ペーストを充填する容器であるシリンジとその下端部に取り付けられたノズルとを備えており、シリンジ内に充填されたペーストを空気圧などによってノズルの開口部から吐出する構造になっている。

ダイボンディング工程で使用するディスペンサのノズルには、シングルノズル、マルチノズル、幅広ノズルなど、形状の異なる種々のものが知られている。シングルノズルは、ペーストを吐出する開口部が一つだけのものであり、「×」、「＋」、「−」といった単純で幅の狭いパターンを組み合わせてペーストを線引き（描画）する。マルチノズルは、上記シングルノズルを複数個束ねたものであり、複数のノズルの開口部から同時にペーストを吐出するので、ペーストを広い面積に短時間で塗布することができる。幅広ノズルは、開口部が細長いスリット状になっているのでペーストを帯状に吐出することができる。従って、マルチノズルと同様、ペーストを広い面積に短時間で塗布することができる。

例えば特開平５−１２９３５０号公報（特許文献１）は、金属製のダイパッドの表面に銀ペーストを塗布するダイボンディング塗布装置を開示している。この文献に開示された塗布装置は、丸い開口形状を有するノズルの複数個を一列に並列配置したマルチノズルを備えており、幅広ノズルのように銀ペーストを帯状に吐出できるようになっている。

また、ダイボンディング工程では、ペーストを被塗布面に塗布した後、ペーストの吐出を停止しても塗布ノズルから少量のペーストが吐出される、いわゆる糸引き現象が発生し、これが塗布効率を阻害することが知られている。特開２００１−２３９２０８号公報（特許文献２）は、塗布ノズルを上昇させる際、塗布ノズルからペーストを吐出方向と逆方向に吸引する逆吸引動作を行うことによって、ペーストの糸引き現象を防止する方法を開示している。
特開平５−１２９３５０号公報 特開２００１−２３９２０８号公報

近年、ダイボンディング装置の高性能化に伴ってダイボンディング工程が高速化しつつあることから、ダイボンディング工程の一部であるペースト塗付工程においてもその高速化が要求されている。

ところが、ペーストを用いて半導体チップを配線基板に接着するＢＯＣ(Board On Chip)型パッケージのように、配線基板の表面のペースト塗布領域が半導体チップ１個当たり複数個所あるようなパッケージの製造工程では、特にペーストの塗布に時間がかかるので、ペースト塗付工程がダイボンディング工程の高速化を妨げるボトルネックになってしまう。

ペーストの塗布時間を短縮するには、マルチノズルや幅広ノズルを使用して単位時間当たりの塗布量を増やすことが有効である。ところが、複数のシングルノズルを束ねたマルチノズルは、各ノズルの開口部同士が互いに離れているので、被塗布面に塗布されたペーストは、小面積のペーストが所定の間隔を置いて密集した多点パターンになる。そのため、このペーストの表面に半導体チップを接着すると、隣り合ったペースト同士の隙間にボイドが発生し、半導体チップの接着力が低下するという問題が生じる。

また、上記したＢＯＣ型パッケージのように、半導体チップが薄い樹脂基板一枚で外部から遮蔽されているパッケージの場合、金属などに比べて水分を透過し易い樹脂基板を通じてパッケージ内に水分が浸入し易い。そのため、半導体チップと樹脂基板との間に介在する接着層の内部に上記のようなボイドが存在すると、ボイドの中に水分が浸入する。その結果、半導体チップの発熱によってボイド中の水分が気化し、急激な体積膨張を引き起こすので、半導体チップと配線基板との接着部が破壊する不良が発生する。

また、ディスペンサを使ったペースト塗付工程では、前述したペーストの糸引き現象を防止する対策も必要となるが、シングルノズルのようにペーストを吐出する開口部が一つだけのものは、ペーストの糸引きも一箇所でしか発生しないので、糸を引いたペーストの倒れる方向を比較的容易に制御することができる。ところが、複数のノズルから同時にペーストを吐出するマルチノズルの場合は、ペーストの糸引きがノズルの数だけ発生するので、糸を引いたペーストの倒れる方向を予測し、かつ制御することが困難で、ペーストの一部がペースト塗布領域の外側にはみ出す不具合が発生し易い。

一方、幅広ノズルを使用した場合、被塗布面に塗布されたペーストは、一本の幅広い帯状のパターンとなる。ところが、従来の幅広ノズルは、開口部の形状に起因してペーストの膜厚が不均一になり易いので、被塗布面に塗布された帯状のペーストの表面に凹凸が発生する。そのため、このペーストの表面に半導体チップを接着すると、ペーストの表面が凹んでいる箇所でボイド(気泡)が発生する。その結果、半導体チップと配線基板との接着面積が減少し、両者の接着力が低下する。また、半導体チップの温度サイクルによってボイドが膨張、収縮を繰り返すので、半導体チップと配線基板との接着部が破壊するなどの不良が発生する。

さらに、幅広ノズルはシングルノズルに比べて開口部の面積が大きいので、開口部内の複数箇所でペーストの糸引きが発生する。そのため、マルチノズルと同様、糸を引いたペーストの倒れる方向を予測することが困難で、ペーストの一部がペースト塗布領域の外側にはみ出す不具合が発生し易い。

本発明の目的は、ダイボンディング用ペーストの塗付作業を高速化することのできる技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、ダイボンディング用ペーストと半導体チップとの界面にボイドが発生する不具合を防止することのできる技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、ダイボンディング用ペーストの塗付作業時に生じる糸引き現象による塗布効率の低下を防止することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本発明は、ペーストを吐出するノズルを移動させながら前記ペーストを被塗布面に塗布する工程と、前記ペーストが塗布された前記被塗布面に半導体チップを接着する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記ノズルは、幅方向の径がこれと直交する方向の径（Ｗ）よりも大きい開口部を有し、前記開口部は、その中途部で前記径（Ｗ）が最大であり、かつ前記中途部から前記幅方向の両端部に向かって前記径（Ｗ）が一様に小さくなっている第１の構成、または、前記開口部は、その中途部で前記径（Ｗ）が最大であり、かつ前記中途部以外の領域で前記径（Ｗ）が同一である第２の構成のいずれかを備えており、前記ノズルを移動させながら前記ペーストを前記被塗布面に塗布する工程は、（ａ）前記ノズルを前記被塗布面のペースト塗布領域の一端部に移動させ、前記ペーストの吐出を開始する工程、（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記ペーストを吐出しながら、前記ノズルを前記ペースト塗布領域の他端部まで移動させる工程、（ｃ）前記ペースト塗布領域の他端部で前記ペーストの吐出を停止する工程を含み、前記工程（ｂ）は、前記ペースト塗布領域の中央部付近で前記ノズルの移動を一旦停止または減速する工程をさらに含んでいるものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

ダイボンディング用ペーストの塗付作業を高速化できると共に、ダイボンディング用ペーストと半導体チップとの界面にボイドが発生する不具合を防止することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

本実施の形態は、ＢＯＣ(Board On Chip)型パッケージに適用したものであり、図１〜図２０を用いてその製造方法を工程順に説明する。

図１は、ＢＯＣ型パッケージの製造に用いる配線基板１の全体平面図である。この配線基板１は、エポキシ樹脂などからなる長方形の薄い樹脂基板（または樹脂フィルム）の片面にボンディングパッド２、電極パッド３およびそれらを接続する配線４を形成したものである。ボンディングパッド２、電極パッド３および配線４は、樹脂基板の片面に貼り付けた銅箔をエッチングすることによって形成される。

配線基板１のチップ搭載領域（図の２点鎖線で囲んだ長方形の領域）には、細長いスリット５が形成されており、ボンディングパッド２、電極パッド３および配線４は、このスリット５を挟んでその両側に配置されている。配線基板１には、このようなチップ搭載領域がマトリクス状に複数箇所（例えば３２箇所）設けられている。すなわち、この配線基板１には３２個の半導体チップが搭載されるようになっている。

後述するように、半導体チップは、配線基板１の裏面にペーストを介して接着される。このとき、スリット５の内側に半導体チップのボンディングパッドが露出するので、このボンディングパッドと配線基板１のボンディングパッド２をワイヤで結線することができる。また、後述するように、電極パッド３の表面には、ＢＯＣ型パッケージの外部接続端子を構成する半田バンプが接続される。配線基板１の表面（ボンディングパッド２、電極パッド３および配線４が形成されている面）は、ワイヤが接続されるボンディングパッド２の表面と半田バンプが接続される電極パッド３の表面とを除き、ソルダレジストのような薄い保護膜（図示せず）で覆われている。

上記配線基板１に半導体チップを接着するには、まず、図２に示すように、配線基板１の裏面の各チップ搭載領域にペースト１０を塗布する。ペースト１０は、半導体チップの接着に用いられている周知のエポキシ樹脂系ペースト、アクリル樹脂系ペースト、ビスマレイミド−トリアジン樹脂系ペーストなどが使用される。図に示すように、ペースト１０は、各チップ搭載領域の中央に形成されたスリット５を挟んでその両側に一箇所ずつ、長方形の平面パターンで塗布される。次に、このペースト１０を塗布する方法について詳細に説明する。

図３は、ペースト１０の塗布に用いるディスペンサ２０の主要部を示す側面図である。図４は、図３に示すディスペンサ２０を９０度回転した側面図である。図に示すように、ディスペンサ２０は、ペースト１０を充填する容器であるシリンジ２１とその下端部に取り付けられた幅の広いノズル２２Ａとを備えている。ディスペンサ２０は、シリンジ２１内に充填されたペースト１０を空気圧などによってノズル２２Ａの開口部から吐出する構造になっている。また、このディスペンサ２０は、図示しない駆動機構によって、上下方向（Ｚ方向）および水平方向（ＸＹ方向）に移動が可能である。

図５は、上記ノズル２２Ａの開口形状を示す拡大平面図である。図に示すように、ノズル２２Ａの開口部は、幅方向（図の横方向）の径がこれと直交する方向（図の縦方向）の径（Ｗ）よりも大きい扁平な形状を有している。また、このノズル２２Ａの開口部は、その中途部（この例では中央部）において径（Ｗ）が最大（Ｗmax）になっており、そこから幅方向の両端部に向かって幅（Ｗ）の減少量（ΔＷ）が一様になっている（ΔＷ＞０）という特徴がある。

図６に示すノズル２２Ｂの開口形状は、図５に示すノズル２２Ａと同様、幅方向の中途部（この例では中心部）で幅（Ｗ）が最大（Ｗmax）になっているが、図５に示すノズル２２Ａとは異なり、その他の部分では幅（Ｗ）が同じであるという特徴がある。

上記図５に示すノズル２２Ａまたは図６に示すノズル２２Ｂを取り付けたディスペンサ２０を使用した場合は、図７に示すように、ディスペンサ２０を一方向に一回移動させるだけで配線基板１上にペースト１０を幅広く塗布することができる。これにより、配線基板１の各チップ搭載領域に短時間でペースト１０を塗布することができる。また、配線基板１上に塗布されたペースト１０を幅方向の側面から見ると、中央部の膜厚が最も厚く、両側部に向かうに従って膜厚が次第に薄くなるような側面形状となる。すなわち、上記ノズル２２Ａ（またはノズル２２Ｂ）を取り付けたディスペンサ２０を使用することにより、長方形の平面パターンで塗布されたペースト１０の表面に局所的な凹部が生じることがない。

図８は、ディスペンサ２０を使ってペースト１０を塗布するタイミング（ディスペンサ２０のＺ方向動作、描画速度、吐出量）の好ましい一例を示したものである。ここでは、図５に示すノズル２２Ａを取り付けたディスペンサ２０を使用した場合について説明するが、図６に示すノズル２２Ｂでも同様の方法で行うことにより、同様の効果を得ることができる。

ペースト１０の塗布は、次のようなタイミング（ａ）〜（ｇ）に従って行う。
（ａ）ディスペンサ２０を配線基板１の表面近傍まで下降させる。
（ｂ）ディスペンサ２０を加速しながら、ペースト塗布領域の一端部まで水平移動する。
（ｃ）ディスペンサ２０がペースト塗布領域の一端部に到達したら、ペースト１０をノズル２２Ａから吐出し、配線基板１の表面にペースト１０を供給する。
（ｄ）ディスペンサ２０をペースト塗布領域の他端部方向に等速で水平移動しながら、一定の吐出量でペースト１０を配線基板１の表面に供給する。
（ｅ）ディスペンサ２０がペースト塗布領域の他端部に到達したら、ペースト１０の吐出を停止する。
（ｆ）ディスペンサ２０を減速しながら、同一方向にさらに水平移動し、ペースト塗布領域から離間させる。
（ｇ）ディスペンサ２０がペースト塗布領域から一定の距離だけ離れたらディスペンサ２０を上昇させる。

次に、図９に示すように、ディスペンサ２０をスリット５の反対側にあるもう一つのペースト塗布領域に移動させ、上記したタイミング（ａ）〜（ｇ）に従ってペースト１０を塗布する。以後、図８および図９に示した動作を繰り返すことにより、配線基板１の全てのチップ搭載領域にペースト１０を塗布する（図２）。

上記したタイミング（ａ）〜（ｇ）では、ペースト塗布領域の一端部から他端部方向に沿って同じ膜厚でペースト１０を塗布したが、例えばペースト塗布領域の中央部の膜厚を両端部よりも厚くしたい場合は、図１０に示すように、ペースト塗布領域の中央部でディスペンサ２０を一旦減速または停止するだけでよい。この場合も、ノズル２２Ａ（またはノズル２２Ｂ）を取り付けたディスペンサ２０を使用すれば、配線基板１上に塗布されたペースト１０の表面に局所的な凹部が生じることはない。

上記のタイミングでは、ペースト塗布領域の一端部でペースト１０の吐出を開始し、他端部で吐出を停止したが、図１１に示すように、ペースト塗布領域の中央部付近からペースト１０の吐出を開始してもよい。この場合のタイミングは、次のようになる。
（ｊ）ディスペンサ２０をペースト塗布領域の中央部まで下降させる。
（ｋ）ディスペンサ２０をペースト塗布領域の他端部に等速で水平移動すると同時に、ペースト１０をノズル２２Ａから吐出し、配線基板１の表面にペースト１０を供給する。
（ｌ）ディスペンサ２０がペースト塗布領域の一端部に到達したら、ディスペンサ２０の移動方向を折り返す。
（ｍ）ディスペンサ２０を逆方向に水平移動し、ペースト塗布領域の一端部近傍に達したらディスペンサ２０の移動方向を折り返す。
（ｎ）ディスペンサ２０をペースト塗布領域の他端部に等速で水平移動すると同時に、ペースト１０をノズル２２Ａから吐出し、配線基板１の表面にペースト１０を供給する。
（ｏ）ディスペンサ２０がペースト塗布領域の中央部に達したらペースト１０の吐出を停止し、ディスペンサ２０を上昇させる。

この場合は、ペースト塗布領域の中央部でペースト１０の吐出を開始し、かつ中央部でペースト１０の吐出を終了するので、ペースト塗布領域の中央部付近はそれ以外の領域に比べてノズル２２Ａの滞在時間が長くなり、その分、ペースト１０の吐出量も多くなる。従って、前記図１０に示すタイミングでペースト１０を塗布した場合と同様、ペースト塗布領域の中央部付近でペースト１０の膜厚が最大となる。また、配線基板１上に塗布されたペースト１０の幅方向の側面は、中央部の膜厚が最も厚く、両端部に向かうに従って膜厚が次第に薄くなった凸型の形状となる。従って、この場合も、配線基板１上に塗布されたペースト１０の表面に局所的な凹部が生じることはない。

なお、ペースト１０が曳糸性の高い樹脂で構成されている場合や、ペースト１０の粘度が高い場合は、図１２に示すように、ペースト１０の吐出を停止してディスペンサ２０を上昇させた際、配線基板１上に塗布されたペースト１０とノズル２２Ａ内のペースト１０とが分離せずに繋がる糸引き(misting)現象が発生する。

このような糸引き現象が発生すると、ディスペンサ２０をさらに上昇させた際に糸が途中で切れ、図１３に示すように、ペースト塗布領域の外側に倒れる不具合が発生することがある。これを防止するには、前記図８に示したタイミング（ｅ）でディスペンサ２０がペースト塗布領域の端部に到達し、ペースト１０の吐出が停止した後、ディスペンサ２０をペースト塗布領域の中央部側に僅かに水平移動させてから上昇させればよい。このようにすると、図１４に示すように、糸状のペースト１０はペースト塗布領域の内側に倒れるので、上記のような不具合を防止することができる。特に、本実施の形態で使用するディスペンサ２０のノズル２２Ａ（およびノズル２２Ｂ）は、開口部の中央部の径（Ｗ）が他の部分の径（Ｗ）より大きいので、糸引き現象は、開口部の中央部でのみ発生する。従って、糸状に延びたペースト１０を簡単な操作で確実にペースト塗布領域内に倒すことができる。

また、シリンジ２１内のペースト１０を空気圧によってノズル２２Ａの開口部から吐出するディスペンサ２０の場合、シリンジ２１内のペースト１０の残量が少なくなると、シリンジ２１内の空気圧を一定にしても単位時間当たりの吐出量が減少することがある。この場合は、例えば配線基板１上に塗布したペースト１０の外観検査を行うことによって、シリンジ２１内のペースト１０の残量と単位時間当たりの吐出量との関係を算出し、シリンジ２１内のペースト１０の残量に応じて空気圧を増減させたり、ディスペンサ２０の水平移動速度を増減させたりする補正を行うことによって、配線基板１上に塗布するペースト１０の膜厚を制御することができる。

図１５は、配線基板１に実装する半導体チップ６の平面図である。半導体チップ６は、単結晶シリコンからなり、その主面にはＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memory)などのメモリＬＳＩが形成されている。このメモリＬＳＩは、半導体チップ６の中央部にボンディングパッド１１を一列に配置するセンターパッド方式を採用している。

次に、図１６（ａ）、図１７、図１８に示すように、ペースト１０が塗布された配線基板１の各チップ搭載領域に半導体チップ６を搭載し、配線基板１と半導体チップ６とをペースト１０で接着する。前述した本実施の形態のペースト塗布方法によれば、配線基板１上に塗布されたペースト１０は、線引き方向も、これと直交する方向も、中央部の膜厚が最も大きく、中央部から両端部に向かうに従って膜厚が次第に薄くなるので、その断面形状は、凸型になる。すなわち、このペースト１０の表面には局所的な凹部が存在しない。従って、このペースト１０の表面に半導体チップ６を重ねても両者の界面にボイドが生じることはない。

次に、図１６（ｂ）、図１９に示すように、配線基板１のボンディングパッド７と半導体チップ６のボンディングパッド１１をＡｕワイヤ８で結線した後、図１６（ｃ）、図２０に示すように、半導体チップ６をモールド樹脂９で封止し、さらにボンディングパッド７、１１とＡｕワイヤ８との接続部をポッティング樹脂１２で封止する。その後、図１６（ｄ）に示すように、配線基板１の電極パッド３に半田バンプ１３を接着した後、図１６（ｅ）、図２１に示すように、配線基板１を各チップ搭載領域毎に切断することにより、本実施の形態のＢＯＣ型パッケージが完成する。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

前記ＢＯＣ型パッケージの製造に用いる配線基板１のように、各チップ搭載領域内にペースト塗布領域が２箇所ある場合は、図２２に示すノズル２３Ａ、または図２３に示すノズル２３Ｂのように、ペースト１０が吐出される開口部を２箇所設けてもよい。図２２に示すノズル２３Ａは、前記図５に示したノズル２２Ａを２個接続したものであり、図２３に示すノズル２３Ｂは、前記図６に示したノズル２２Ｂを２個接続したものである。ノズル２３Ａに設けられた２つの開口部のそれぞれは、長手方向の中途部で幅（Ｗ）が最大（Ｗmax）になっており、かつ幅（Ｗ）が最大になっている部分から長手方向の両端部に向かう幅（Ｗ）の減少量（ΔＷ）が一様になっている（ΔＷ＞０）。また、ノズル２３Ｂに設けられた２つの開口部のそれぞれは、長手方向の中途部で径（Ｗ）が最大（Ｗmax）になっており、その他の部分は幅（Ｗ）が同じである。

上記のような開口部を２箇所設けたノズル２３Ａ（またはノズル２３Ｂ）を使用することにより、図２４に示すように、ディスペンサ２０を一方向に一回移動させるだけでチップ搭載領域内に２箇所あるペースト塗布領域に同時にペースト１０を塗布することができるので、ペースト１０の塗布時間をさらに短縮することができる。

前記実施の形態では、ＢＯＣ型パッケージの製造に適用した場合について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、ペーストを用いて半導体チップを配線基板などに実装する各種パッケージの製造に広く適用することができる。本発明は、ペースト塗布領域の面積が広いパッケージや、ペースト塗布領域が半導体チップ１個当たり複数個所あるようなパッケージの製造に適用して特に有効であり、ペースト塗布時間を短縮できると共に、半導体チップとペーストとの間にボイドが生じないので、パッケージの信頼性および製造歩留まりを向上させることができる。

本発明は、ペーストを用いて半導体チップを配線基板などに実装する各種パッケージの製造に適用することができる。

本発明の一実施の形態である半導体装置の製造に用いる配線基板の全体平面図である。 本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法を示す配線基板の全体平面図である。 本発明の一実施の形態である半導体装置の製造に用いるディスペンサの主要部を示す側面図である。 図３に示すディスペンサを９０度回転した側面図である。 図３に示すディスペンサに取り付けられたノズルの開口形状の一例を示す拡大平面図である。 図３に示すディスペンサに取り付けられたノズルの開口形状の他の例を示す拡大平面図である。 図３に示すディスペンサを用いたペーストの塗布工程を示す斜視図である。 図３に示すディスペンサを使ってペーストを塗布するタイミングの一例を示す図である。 図３に示すディスペンサを用いたペーストの塗布工程を示す斜視図である。 図３に示すディスペンサを使ってペーストを塗布するタイミングの他の例を示す図である。 図３に示すディスペンサを使ってペーストを塗布するタイミングのさらに他の例を示す図である。 ペーストの塗布工程で発生する糸引き現象を説明する斜視図である。 ペーストの塗布工程で発生する糸引き現象を説明する斜視図である。 ペーストの塗布工程で発生する糸引き現象を説明する斜視図である。 本発明の一実施の形態である半導体装置の製造に用いる半導体チップの全体平面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法を示す要部断面図である。 半導体チップを配線基板に接合した状態を示す配線基板の全体平面図である。 半導体チップを配線基板に接合した状態を示す斜視図である。 半導体チップのボンディングパッドと配線基板のボンディングパッドをワイヤで結線した状態を示す斜視図である。 半導体チップをモールド樹脂で封止し、ボンディングパッドとワイヤとの接続部をポッティング樹脂で封止した状態を示す斜視図である。 半導体装置の完成状態を示す斜視図である。 ペーストの塗布に用いるノズルの開口形状の他の例を示す拡大平面図である。 ペーストの塗布に用いるノズルの開口形状の他の例を示す拡大平面図である。 図２２に示すディスペンサを用いたペーストの塗布工程を示す斜視図である。

符号の説明

１ 配線基板
２ ボンディングパッド
３ 電極パッド
４ 配線
５ スリット
６ 半導体チップ
７ ボンディングパッド
８ Ａｕワイヤ
９ モールド樹脂
１０ ペースト
１１ ボンディングパッド
１２ ポッティング樹脂
１３ 半田バンプ
２０ ディスペンサ
２１ シリンジ
２２Ａ、２２Ｂ、２３Ａ、２３Ｂ ノズル

Claims (1)

1. ペーストを吐出するノズルを移動させながら前記ペーストを被塗布面に塗布する工程と、前記ペーストが塗布された前記被塗布面に半導体チップを接着する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
   前記ノズルは、幅方向の径がこれと直交する方向の径（Ｗ）よりも大きい開口部を有し、
   前記開口部は、その中途部で前記径（Ｗ）が最大であり、かつ前記中途部から前記幅方向の両端部に向かって前記径（Ｗ）が一様に小さくなっている第１の構成、または、前記開口部は、その中途部で前記径（Ｗ）が最大であり、かつ前記中途部以外の領域で前記径（Ｗ）が同一である第２の構成のいずれかを備えており、
   前記ノズルを移動させながら前記ペーストを前記被塗布面に塗布する工程は、
   （ａ）前記ノズルを前記被塗布面のペースト塗布領域の一端部に移動させ、前記ペーストの吐出を開始する工程、
   （ｂ）前記工程（ａ）の後、前記ペーストを吐出しながら、前記ノズルを前記ペースト塗布領域の他端部まで移動させる工程、
   （ｃ）前記ペースト塗布領域の他端部で前記ペーストの吐出を停止する工程、
   を含み、
   前記工程（ｂ）は、前記ペースト塗布領域の中央部付近で前記ノズルの移動を一旦停止または減速する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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