[go: up one dir, main page]

JP4379295B2 - 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法 - Google Patents

半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4379295B2
JP4379295B2 JP2004311062A JP2004311062A JP4379295B2 JP 4379295 B2 JP4379295 B2 JP 4379295B2 JP 2004311062 A JP2004311062 A JP 2004311062A JP 2004311062 A JP2004311062 A JP 2004311062A JP 4379295 B2 JP4379295 B2 JP 4379295B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image sensor
signal processing
chip
image signal
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004311062A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006128196A (ja
Inventor
郁夫 吉原
昌充 山中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2004311062A priority Critical patent/JP4379295B2/ja
Priority to US11/253,255 priority patent/US7319217B2/en
Priority to TW094136353A priority patent/TWI281347B/zh
Priority to DE602005004717T priority patent/DE602005004717T2/de
Priority to EP05023182A priority patent/EP1653515B1/en
Priority to KR1020050100475A priority patent/KR101122344B1/ko
Priority to CNB2005101181594A priority patent/CN100399573C/zh
Publication of JP2006128196A publication Critical patent/JP2006128196A/ja
Priority to US11/810,438 priority patent/US7626155B2/en
Priority to US12/627,970 priority patent/US8168932B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4379295B2 publication Critical patent/JP4379295B2/ja
Priority to US13/442,414 priority patent/US8642939B2/en
Priority to US14/047,481 priority patent/US9269736B2/en
Priority to US15/008,077 priority patent/US10319772B2/en
Priority to US16/410,537 priority patent/US10930694B2/en
Priority to US17/162,456 priority patent/US20210151493A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/809—Constructional details of image sensors of hybrid image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/026—Wafer-level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/199—Back-illuminated image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/804—Containers or encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/60—Arrangements for cooling, heating, ventilating or compensating for temperature fluctuations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Description

本発明は、半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップを、実装する半導体イメージセンサー・モジュール技術に関する。
デジタルスチルカメラ、あるいはデジタルビデオカメラなどの撮像装置では、ＣＣＤイメージセンサーやＣＭＯＳイメージセンサーなどの半導体イメージセンサー・チップが用いられる。この撮像素子から出力される撮像信号を処理する画像信号処理チップ、及び撮影レンズなどの複数の部品が、配線基板上に実装されている。
先行技術として、図８に撮像素子と信号処理チップの間に放熱板を形成する技術を示す（特許文献１参照）。
図８に示す実装構造では、半導体イメージセンサー・チップであるＣＣＤイメージセンサー１１０と、放熱手段である薄板状の放熱板１１２と、ＣＣＤイメージセンサー１１０からの撮像信号を処理する半導体集積回路ＩＣである信号処理チップ１１６とを備える。そして、上記実装構造は、ＣＣＤイメージセンサー１１０と画像信号処理チップ１１６との間に、熱伝導性の高いアルミニウムなどの材料で成形された放熱板１１２を介在させている。
また、フリップチップボンディング法によって、半導体イメージセンサー・チップである受光素子３とＡ／Ｄ変換器アレイ７を、フリップチップボンディングのバンプ電極で接続してモジュール形成するビジョンチップが開示されている（特許文献２参照）。
特開２００３−３３２５４９号公報 特開２００３−２３５７３号公報
ところで、特許文献１の実装構造では、半導体イメージセンサー・チップのＣＣＤイメージセンサー１１０と、撮像信号を処理するＩＣである信号処理チップ１１６は、リードフレーム等のＣＣＤイメージセンサーの接続端子１１１を介して半導体イメージセンサー・チップと、撮像信号を処理するＩＣを電気的に接続するため、接続端子の抵抗や容量がつき、高速な画像処理の妨げとなる。さらに、半導体イメージセンサー・チップと、撮像信号を処理するＩＣはそれぞれがパッケージに入っているため半導体イメージセンサー・モジュールとしては大型化してしまう。そこでSIP(System in Package)技術を用いて、半導体チップを直接バンプ電極で接続する技術が注目されつつある。
しかし、上述したSIP技術及びフリップチップボンディング法をそのまま用いても、受光面と電極パッドが同一面にある半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップを組み合わせることは困難であった。また、この画像信号処理チップは、熱を発するためその放熱が半導体イメージセンサー・チップへ伝達してしまい、暗電流やホワイトノイズの原因となるため近接して両チップ同士を混載することが困難であった。さらに、画像信号処理チップは、パッケージング化されていないため、画像信号処理チップを遮光する必要があるが、しかし、表面照射型の半導体イメージセンサーの配線層から取り出す電極パッドと受光面は同一面上に形成されているため、半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップを積層して接続したとき、画像信号処理チップ自身を遮光することが困難であった。
本発明は、上述の点に鑑み、半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップを寄生抵抗と容量を最小限にして接続し、かつ画像信号処理チップの効率的な放熱と遮光を同時に実現する半導体イメージセンサー・モジュール、及びその製造方法を提供するものである。
本発明の半導体イメージセンサー・モジュールは、半導体基板の第１の主面にトランジスタ形成領域を有し、該第１の主面の反対側の第2の主面に光入射面を有する光電変換領域が形成された半導体イメージセンサー・チップと、半導体イメージセンサー・チップで形成された画像信号を信号処理する画像信号処理チップとを少なくとも具備し、前記半導体イメージセンサー・チップの第１の主面に複数のバンプ電極が形成され、前記画像信号処理チップ上に複数のバンプ電極が形成され、前記半導体イメージセンサー・チップと前記画像信号処理チップが放熱手段を介して積層されて形成され、放熱手段は、前記半導体イメージセンサー・チップと前記画素信号処理チップの積層面に対して垂直方向に前記放熱手段を貫通する複数の導電性電極を有し、前記半導体イメージセンサー・チップの複数のバンプ電極と前記画像信号処理チップ上の複数のバンプ電極の両バンプ電極間は、前記導電性電極によってそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする。
本発明の半導体イメージセンサー・モジュールでは、この構造により最小のモジュールサイズで、かつ高速信号処理が同時に可能になり、画像信号処理チップで発熱した熱も放熱手段で放熱することができ、半導体イメージセンサー・チップへの熱伝導を減少させることができる。
前記放熱手段は導電材料で形成され、前記放熱手段には前記複数のバンプ電極に対応する部分に開口部が形成され、該開口部内には絶縁材料で囲繞された導電性電極が形成され、該導電性電極を介して前記半導体イメージセンサー・チップの複数のバンプ電極と前記画像信号処理チップ上の複数のバンプ電極とが電気的に接続されることが好ましい。
上記構造では、最小のモジュールサイズでかつ高速信号処理が同時に可能になり、画像信号処理チップで発熱した熱も放熱手段で放熱することができ、半導体イメージセンサー・チップへの熱伝導を減少させることができる。
前記放熱手段は絶縁材料で形成され、前記放熱手段には前記複数のバンプ電極に対応する部分に開口部が形成され、前記開口部内には導電性電極が形成され、該導電性電極を介して前記半導体イメージセンサー・チップの複数のバンプ電極と前記画像信号処理チップ上に複数のバンプ電極とが電気的に接続されることが好ましい。
上記構造では、最小のモジュールサイズでかつ高速信号処理が同時に可能になり、画像信号処理チップで発熱した熱も放熱手段で放熱することができ、半導体イメージセンサー・チップへの熱伝導を減少させることができる。
また、前記放熱手段は断熱材と熱導伝材料の２層構造で形成され、前記放熱手段に前記複数のバンプ電極に対応する部分に開口部が形成され、前記開口部内に導電性電極が形成され、前記放熱手段の断熱材側を前記半導体イメージセンサー・チップに接触し、かつ前記熱導伝材料側を前記画像信号処理チップに接触して、該導電性電極を介して前記半導体イメージセンサー・チップの複数のバンプ電極と前記画像信号処理チップ上の複数のバンプ電極とが電気的に接続されることが好ましい。
上記構造では、最小のモジュールサイズでかつ高速信号処理が同時に可能になる。
画像信号処理チップで発熱した熱を放熱し、かつ、半導体イメージセンサー・チップへの熱の伝導を抑制することができる。
前記半導体イメージセンサー・チップの複数のバンプ電極と前記画像信号処理チップ上の複数のバンプ電極とが両面にバンプ電極を形成した接続用中間部材により電気的に接続され、前記接続用中間部材にて囲繞され前記放熱手段が形成されることが好ましい。
上記構造では、接続用中間部材の導電性電極を介して両チップ同士を接続でき、かつ放熱手段を用いて画像信号処理チップから発生する熱を放熱できるので、半導体イメージセンサー・チップへの熱伝導を減少させることができる。
前記放熱手段が前記画像信号処理チップに対する遮光板を兼ねることが好ましい。
上記構造では、放熱手段を挟んで両側に半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップを配置するため、半導体イメージセンサー・チップの受光中であっても、画像処理チップ自身を遮光することが可能になる。
本発明の半導体イメージセンサー・モジュールの製造方法は、半導体基板の第１の主面にトランジスタ形成領域を有し、この第１の主面の反対側の第２の主面に光入射面を有する光電変換領域が形成された半導体イメージセンサー・チップの第１の主面に、複数のバンプ電極を形成する工程と、半導体イメージセンサー・チップで形成された画像信号を信号処理する画像信号処理チップ上に複数のバンプ電極を形成する工程と、前記半導体イメージセンサー・チップと前記画像信号処理チップとの間に積層される放熱手段に、積層面に対して垂直方向に前記放熱手段を貫通する複数の貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性電極を形成する工程と、半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップを、放熱手段を介して積層する工程と、半導体イメージセンサー・チップの複数のバンプ電極と画像信号処理チップ上の複数のバンプ電極とを前記放熱手段に形成された前記導電性電極を介して電気的に接続する工程とを有することを特徴とする。
本発明の半導体イメージセンサー・モジュールの製造方法では、放熱手段を挟んで半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップとを積層して電気的に接続するので、画像信号処理チップで発生した熱が半導体イメージセンサー・チップに伝達せず、かつ画像信号処理チップが遮光された半導体イメージセンサー・モジュールを製造することができる。バンプ電極同士で直接的に接続するで、寄生抵抗、寄生容量を最小限にして半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップを接続することができる。
本発明の半導体イメージセンサー・モジュールによれば、上述した構成により最小のモジュールサイズで、かつ高速信号処理が同時に可能になり、画像信号処理チップで発熱した熱も放熱手段によって放熱することができるので、半導体イメージセンサー・チップへの暗電流、ホワイトノイズの発生を抑えることができる。半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップがバンプ電極を介して直接接続されるので寄生抵抗と寄生容量を最小限にして両チップ間を接続することができる。また、画像信号処理チップは、裏面照射型の半導体イメージセンサー・チップの受光面側と放熱手段を挟んで配置されるため遮光することができる。
本発明の半導体イメージセンサー・モジュールの製造方法によれば、
寄生抵抗、寄生容量を最小限とし、かつ画像信号処理チップの効率的な放熱と遮光を同時に実現した信頼性に高い半導体イメージセンサー・モジュールを製造することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
先ず、本発明に係る半導体イメージセンサー・モジュールに用いる裏面照射型の半導体イメージセンサーを説明する。図７は、本発明に係る半導体イメージセンサー・モジュールに用いる裏面照射型半導体イメージセンサーの一実施の形態を示す概略構成図である。特に、フォトセンサである受光部の周辺の要部を示す。
この裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置（いわゆる半導体イメージセンサー）５１は、図７に示すように、例えばｎ型のシリコン基板６１に受光部となるフォトダイオード５３が形成されると共に、ｐ型の画素分離領域６２に連続するｐ型ウェル領域６３の基板表面側に転送トランジスタ５４、それ以外のトランジスタ（リセットトランジスタ、アドレストランジスタ、増幅トランジスタ）５５等の複数のＭＯＳトランジスタが形成され、さらに、その複数のＭＯＳトランジスタ上に層間絶縁膜７２を介して多層の配線層７３が形成される。フォトダイオード５３は、ｎ型半導体領域（基板）６１、高不純物濃度のｎ型電荷蓄積領域６１Ｂ、アキュミュレーション層となるｐ＋半導体領域６４、６８で形成される。転送トランジスタ５４のゲート下には、チャネル領域６５が形成される。さらに、図示していないが基板裏面側にカラーフィルタ及びオンチップレンズ等が形成される。この裏面照射型半導体イメージセンサー５１は、配線層７３がない裏面７０側より光Ｌを受光することにより、受光面積を大きく取ることができる。また、配線層７３は、従来の表面側に配置するため、従来の表面側から受光することによる配線層での光の蹴られがなくなり、さらに、配線層７３と同じ面に、受光信号の取り出し電極であるバンプ電極（図示せず）が配置される。ここで各ｎ＋領域５７，５８，５９は、ソース・ドレイン領域となり、各電極６６，６７は、各ＭＯＳトランジスタ５４，５５のゲート電極となる。
次に、上述したような裏面照射型半導体イメージセンサーを用いてなる、本発明に係る半導体イメージセンサー・モジュールの実施の形態について説明する。
図１は、本発明に係る裏面照射型の半導体イメージセンサー・モジュールの一実施の形態を示す概略構成図である。なお、図１Ａは分解斜視図、図１Ｂは組み立て後の斜視図、図１Ｃは組み立て後の側面図である。
本実施の形態に係る裏面照射型の半導体イメージセンサー・モジュール１は、上述した配線層側に複数のバンプ電極１５ａを配置した裏面照射型半導体イメージセンサー５１を備える半導体イメージセンサー・チップ２と、半導体イメージセンサー・チップ２からの画像信号処理する画像信号処理手段が形成され、表面に複数のバンプ電極１５ｂを配置した画像信号処理チップ３とを有し、半導体イメージセンサー・チップ２と画像信号処理チップ３とがその間に放熱手段である放熱板４を介して積層されて成る。この放熱板４には、両バンプ電極１５ａ、１５ｂに対応する位置に貫通する貫通孔１２が形成され、その貫通孔１２に導電性電極１３が形成され、この放熱板４の導電性電極１３を介して両チップ２及び３のバンプ電極１５ａ及び１５ｂが電気的に接続される。また、積層された半導体イメージセンサー・チップ２、放熱板４及び画像信号処理チップの相互の接合面、すなわちバンプ電極１５ａ、１５ｂ以外の接合面は、接着剤１６（図２参照）を介して機械的に接続される。
本発明に係る裏面照射型の半導体イメージセンサー・モジュール１によれば、半導体イメージセンサー・チップ２と画像信号処理チップ３とを放熱板４を介して電気的に接続した構成であるので、画像信号処理チップ３で発生する熱を放熱板４で放熱して低減することができ、半導体イメージセンサー・チップ２への熱の伝達を断つことができる。よって、半導体イメージセンサー・モジュールの暗電流やホワイトノイズを低減することができる。半導体イメージセンサー・チップ２と画像信号処理チップ３の間に放熱板４を挟む構造であるため、半導体イメージセンサー・チップ２の受光中であっても、放熱板４によって画像信号処理チップ３は遮光される。
図２は、本発明に係る半導体イメージセンサー・モジュールの他の実施の形態を示す断面図である。すなわち、図２は、図１の両チップ２，３と放熱板４にメモリチップを混載した要部の模式的断面図である。
本実施の形態に係る半導体イメージセンサー・モジュール１１は、放熱板４の一方の面に裏面照射型の半導体イメージセンサー・チップ２がバンプ電極１５ａを介して配置され、さらに放熱板４の他方の面に画像信号処理チップ３とメモリチップ７がそれぞれのバンプ電極１５ｂ及び１５ｃを介して配置される。各チップ２，３及び７のバンプ電極１５ａ，１５ｂ及び１５ｃは、放熱板４の貫通孔１２に形成される導電性電極１３と電気的に接続され、さらに、接着剤１６を用いて機械的にも強固に接着される。
画像信号処理チップ３は、信号処理部１８とそれに接続する配線層１９及びバンプ電極１５ｂが形成される。この信号処理部１８は、半導体イメージセンサー・チップ２から出力信号を演算処理する。また、メモリチップ７には、メモリ部２８とそれに接続する配線層２９及びバンプ電極１５ｃが形成される。メモリチップ７には、例えば不揮発性メモリ、ＤＲＡＭ等のメモリが用いられる。例えば、メモリチップの用途として、一般的には画像信号の圧縮/解凍に使われ、そのシーケンスは、イメージセンサー→画像信号処理チップ→メモリ→画像信号処理チップ→出力 となります。また、解凍において、動画の場合のベクトル検出（動き検出）の場合は、イメージセンサー→画像信号処理チップ→メモリ→画像信号処理チップ→間引きする情報の決定（動いている画像情報のみ信号化 背景は以前に出力した画像を使う）のような画像処理シーケンスになります。さらにメモリはノイズの補正に使われるケースもあります。ノイズを記憶してノイズを補間したりキャンセルする処理です。イメージセンサー→画像信号処理チップ→メモリ→画像信号処理チップ（イメージセンサーの画像信号を補間/ノイズキャンセル）→出力 というシーケンスになります。
半導体イメージセンサー・チップ２としては、例えば図７に示した半導体基板にフォトダイオード５３及び複数のＭＯＳトランジスタからなる複数の画素をマトリックス状に形成し、基板表面側に層間絶縁膜７２を介して多層の配線層７３を形成してなる裏面照射型半導体イメージセンサー５１と、さらに配線層７３側に接合した補強用の例えばシリコン基板等による支持基板７４とにより構成することができる。この場合、バンプ電極１５ａは支持基板７４を貫通する導電層に接続して支持基板７４の面上に形成される。
裏面照射型半導体イメージセンサー５１は、裏面７０からフォトダイオード５３に受光され、光電変換された電荷を表面の配線層７３を通じてバンプ電極１５ａに信号出力される。半導体イメージセンサー・チップ２からの出力信号は、バンプ電極１５ａと接続する放熱板４に形成された導電性電極１３を介して、画像信号処理チップ３に信号入力される。
また、メモリチップ７は、メモリチップ７のバンプ電極１５ｃと放熱板４の導電性電極１３を介して信号の入出力が行われる。
本実施の形態に係る半導体イメージセンサー・モジュール１１によれば、半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップ３及びメモリチップ７とを放熱板４を介して電気的に接続した構成であるので、画像信号処理チップ３で発生する熱を放熱板４で放熱して低減することができ、半導体イメージセンサー・チップ２への熱の伝達を断つことができる。よって、半導体イメージセンサー・モジュールの暗電流やホワイトノイズを低減することができる。半導体イメージセンサー・チップ２と画像信号処理チップ３及びメモリチップ７の間に放熱板４を挟む構造であるため、半導体イメージセンサー・チップ２の受光中であっても、画像信号処理チップ３及びメモリチップ７は遮光される。
図３〜図５は、先に説明した放熱手段の各例を示す断面図である。
図３に示す放熱手段である放熱板４は、材料としてアルミニウム板や銅板などの金属製の導電材料４ａを使用した例である。この場合、導電材料４ａに貫通孔１２が形成され、この貫通孔１２間に例えばガラス等の絶縁性材料１４で囲繞した、導電性電極１３が形成される。
図４に示す放熱手段である放熱板４は、材料に絶縁材料４ｂ例えばセラミック基板などを使用する例である。この場合は、絶縁材料４ｂに貫通孔１２を形成し、この貫通孔内に導電性電極１３が形成される。
さらに図５に示す放熱手段は、放熱板４と断熱板５を積層した積層板６により構成する。この積層板６のうち放熱板４を画像信号処理チップ３側に接触させ、さらに断熱板５側を半導体イメージセンサー・チップ２側に接触するように配置する。ここで積層板６の材料のうちは、先ず放熱板４の材料として例えば、セラミック等の絶縁材料が使用され、絶縁材料の場合、貫通孔１３内に導電性電極１３が形成される。また、放熱板４の材料として、例えばＡｌや銅等の導電材料を使用する場合は、貫通孔１２を形成し、その貫通孔１２の内壁を例えばガラス等の絶縁性材料で囲繞して、貫通孔１２内に導電性電極１３が形成される。断熱板５の材料としては、例えば樹脂等を使用することができる。
この積層板６を用いる場合、もっとも効率的に画像信号処理チップ３で発生した熱を放熱板４で放熱しつつ、半導体イメージセンサー・チップ２に伝わる熱を断熱板５で阻止することができる。
図６は、本発明に係る半導体イメージセンサー・モジュールの他の実施の形態を示す概略構成図である。なお、図６Ａは分解斜視図、図６Ｂは組み立て後の斜視図、図６Ｃは組み立て後の側面図である。
本実施の形態に係る半導体イメージセンサー・モジュール２１は、半導体イメージセンサー・チップ３と画像信号処理チップ３との間に、放熱板４とこの放熱板４を囲繞すて両チップ２及び３間を電気的に接続する接続用中間部材８とを介挿して構成される。すなわち、放熱板４は、半導体イメージセンサー・チップ２及び画像信号処理チップ３の各バンプ電極１５ａ、１５ｂとは電気的に接触せず、各バンプ電極１５ａ、１５ｂは、接続用中間部材８の導電性電極２３によって電気的な接続が行われる。この接続用中間部材８には、例えば、コ字形状に形成され、裏面照射型の半導体イメージセンサー・チップ２のバンプ電極１５ａと画像信号処理チップ３のバンプ電極１５ｂとを電気的に接続するための機能を有している。コ字形状の接続用中間部材８に放熱板４が差し込まれる構成となり、この放熱板４は、半導体イメージセンサー・チップ２と画像信号処理チップ３とを電気的に絶縁されるように接着される。
コ字形状の接続用中間部材８は、両チップ２，３のバンプ電極１５ａ，１５ｂを電気的に接続するために、例えば絶縁板に貫通孔２２を形成し、この貫通孔２２内に導電性電極２３を形成して構成することができる。その他、接続用中間部材８としては、例えばシリコンインターポーザと呼ばれるものを使用することができる。
放熱板４には、先に説明した例えば導電材料であるＡｌや銅など、また絶縁材料であるセラミックス等を使用できる。さらに、上述した放熱板と断熱板を積層した積層板６を用いてもよい。放熱板４は、特に画像信号処理チップ３による放熱を発散させることができる。放熱板４に貫通孔を使わなくてもよい一例である。
本発明の他の実施の形態としては、例えば、半導体イメージセンサー・チップ２にアナログ／デジタル変換回路（ＡＤＣ）を搭載して、放熱板４を介し画像信号処理チップ３やメモリチップ７を配置して電気的に接続して半導体イメージセンサー・モジュールとすることも可能である。
本実施の形態に係る半導体イメージセンサー・モジュールによれば、画像信号処理チップが発する熱を放熱板で軽減することができるので、半導体イメージセンサー・チップへの暗電流やホワイトのノイズの発生を抑えることができる。また、放熱板を挟むように半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップを積層するため、平面に配置するよりレイアウト面積を小さくすることができ、携帯電話などの小型化を要求される機器に半導体イメージセンサー・モジュールとして搭載することができる。さらに、チップ同士をバンプ電極を通して電気的に接続するため、画像信号処理チップでの高速信号処理が可能なため、モジュールとして高い性能を得ることができる。半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップがバンプ電極を介して直接接続されるので寄生抵抗と寄生容量を最小限にして両チップ間を接続することができる。従来のパッケージ化されたＣＣＤイメージセンサーと放熱板では、パッケージ全体が熱によって熱せられ放熱板で逃がしていたが、本発明は高速信号処理をする画像信号処理チップ等の部分的な発熱部分を放熱板により効率的に逃がすことができる。また、従来のＳＩＰ技術を用いて半導体イメージセンサー・チップと画像信号処理チップを接続した構成において、放熱板を要していない構造では、部分的に高温になった画像信号処理チップが直接部分的に積層した半導体イメージセンサー・チップに悪影響を与えていた。しかし、上述した本発明の構成であれば、このような悪影響を抑制することができる。すなわち、高速信号処理として、画素ごと、またはカラムごと（信号線ごと）または４画素等の複数画素の並列出力による並列処理による高速化が可能となり、もしくは従来技術に記載されている通り、ワイヤーボンディングに対して寄生容量、寄生抵抗を低減したことによる高速化を可能にする。
Ａ 本発明に係る裏面照射型半導体イメージセンサー・モジュールの一実施の形態を示す分解斜視図である。 Ｂ 図１Ａの組み立て後の斜視図である。 Ｃ 図１Ｂの側面図である。 本発明に係る裏面照射型半導体イメージセンサー・モジュールの他の実施の形態を示す概略構成図である。 放熱板の一例を示す断面図である（その１）。 放熱板の一例を示す断面図である。（その２） 放熱板の一例を示す断面図である。（その３） Ａ本発明に係る裏面照射型半導体イメージセンサー・モジュールの他の実施の形態を示す分解斜視図である。 Ｂ 図６Ａの組み立て後の斜視図である。 Ｃ 図６Ｂの側面図である。 裏面照射型半導体イメージセンサーの一例を示す構成図である。 従来例に係る実装構造の概略的な構成を示す
符号の説明
１，１１，２１・・半導体イメージセンサー・モジュール、２・・裏面照射型半導体イメージセンサー・チップ、３・・画像信号処理チップ、４［４ａ、４ｂ］・・放熱板、５・・断熱板、６・・積層板、７・・メモリチップ、８・・接続用中間部材、１２、２２・・貫通孔、１３、２３・・導電性電極、１４・・絶縁性材料、１５［１５ａ、１５ｂ］・・バンプ電極、１６・・接着剤、１８・・信号処理部、１９，２９・・配線層、２８・・メモリ部、５１・・裏面照射型半導体イメージセンサー、５３・・フォトダイオード、５４・・転送トランジスタ、５５・・ＭＯＳトランジスタ、５７，５８，５９・・ｎ＋領域、６１・・シリコン基板、６２・・画素分離領域、６４、６８・・ｐ＋半導体領域、６５・・チャネル領域、６６，６７・・電極、７０・・裏面、７１・・表面、７２・・絶縁層、７３・・配線層、１１０・・ＣＣＤイメージセンサー、１１１・・接続端子、１１２・・放熱板、１１６・・画像信号処理チップ

Claims (7)

  1. 半導体基板の第１の主面にトランジスタ形成領域を有し、該第１の主面の反対側の第２の主面に光入射面を有する光電変換領域が形成された半導体イメージセンサー・チップと、 前記半導体イメージセンサー・チップで形成された画像信号を信号処理する画像信号処理チップとを少なくとも具備し、
    前記半導体イメージセンサー・チップの第１の主面に複数のバンプ電極が形成され、
    前記画像信号処理チップ上に複数のバンプ電極が形成され、
    前記半導体イメージセンサー・チップと前記画像信号処理チップが、放熱手段を介して積層されて形成され、
    前記放熱手段は、前記半導体イメージセンサー・チップと前記画素信号処理チップの積層面に対して垂直方向に前記放熱手段を貫通する複数の導電性電極を有し、
    前記半導体イメージセンサー・チップの複数のバンプ電極と前記画像信号処理チップ上の複数のバンプ電極の両バンプ電極間は、前記導電性電極によってそれぞれ電気的に接続される
    ことを特徴とする半導体イメージセンサー・モジュール。
  2. 前記放熱手段は導電材料で形成され、
    前記放熱手段には前記複数のバンプ電極に対応する部分に開口部が形成され、該開口部内には絶縁材料で囲繞された前記導電性電極が形成され、
    該導電性電極を介して前記半導体イメージセンサー・チップの複数のバンプ電極と前記画像信号処理チップ上の複数のバンプ電極とが電気的に接続される
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体イメージセンサー・モジュール。
  3. 前記放熱手段は絶縁材料で形成され、
    前記放熱手段には前記複数のバンプ電極に対応する部分に開口部が形成され、前記開口部内には前記導電性電極が形成され、
    該導電性電極を介して前記半導体イメージセンサー・チップの複数のバンプ電極と前記画像信号処理チップ上の複数のバンプ電極とが電気的に接続される
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体イメージセンサー・モジュール。
  4. 半導体基板の第１の主面にトランジスタ形成領域を有し、該第１の主面の反対側の第２の主面に光入射面を有する光電変換領域が形成された半導体イメージセンサー・チップと、 前記半導体イメージセンサー・チップで形成された画像信号を信号処理する画像信号処理チップとを少なくとも具備し、
    前記半導体イメージセンサー・チップの第１の主面に複数のバンプ電極が形成され、
    前記画像信号処理チップ上に複数のバンプ電極が形成され、
    前記半導体イメージセンサー・チップと前記画像信号処理チップが、放熱手段を介して積層されて形成され、
    前記放熱手段は断熱材と熱導伝材料の２層構造で形成され、
    前記放熱手段に前記複数のバンプ電極に対応する部分に開口部が形成され、前記開口部内に導電性電極が形成され、
    前記放熱手段の断熱材側を前記半導体イメージセンサー・チップに接触し、かつ前記熱導伝材料側を前記画像信号処理チップに接触して、該導電性電極を介して前記半導体イメージセンサー・チップの複数のバンプ電極と前記画像信号処理チップ上に複数のバンプ電極とが電気的に接続される
    ことを特徴とする半導体イメージセンサー・モジュール。
  5. 半導体基板の第１の主面にトランジスタ形成領域を有し、該第１の主面の反対側の第２の主面に光入射面を有する光電変換領域が形成された半導体イメージセンサー・チップと、前記半導体イメージセンサー・チップで形成された画像信号を信号処理する画像信号処理チップとを少なくとも具備し、
    前記半導体イメージセンサー・チップの第１の主面に複数のバンプ電極が形成され、
    前記画像信号処理チップ上に複数のバンプ電極が形成され、
    前記半導体イメージセンサー・チップと前記画像信号処理チップが、放熱手段を介して積層されて形成され、
    前記放熱手段が、複数の導電性電極が形成された接続用中間部材にて囲繞されるように形成され、
    前記半導体イメージセンサー・チップの複数のバンプ電極と前記画像信号処理チップ上の複数のバンプ電極とが、接続用中間部材に形成された導電性電極により電気的に接続される
    ことを特徴とする半導体イメージセンサー・モジュール。
  6. 前記放熱手段が前記画像信号処理チップに対する遮光板を兼ねる
    ことを特徴とする請求項１〜５いずれかに記載の半導体イメージセンサー・モジュール。
  7. 半導体基板の第１の主面にトランジスタ形成領域を有し、該第１の主面の反対側の第２の主面に光入射面を有する光電変換領域が形成された半導体イメージセンサー・チップの第１の主面に、複数のバンプ電極を形成する工程と、
    前記半導体イメージセンサー・チップで形成された画像信号を信号処理する画像信号処理チップ上に複数のバンプ電極を形成する工程と、
    前記半導体イメージセンサー・チップと前記画像信号処理チップとの間に積層される放熱手段に、積層面に対して垂直方向に前記放熱手段を貫通する複数の貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性電極を形成する工程、
    前記半導体イメージセンサー・チップと前記画像信号処理チップを、放熱手段を介して積層し、前記半導体イメージセンサー・チップの複数のバンプ電極と前記画像信号処理チップ上の複数のバンプ電極とを前記放熱手段に形成された前記導電性電極を介して電気的に接続する工程とを有する
    ことを特徴とする半導体イメージセンサー・モジュールの製造方法。
JP2004311062A 2004-10-26 2004-10-26 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4379295B2 (ja)

Priority Applications (14)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004311062A JP4379295B2 (ja) 2004-10-26 2004-10-26 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法
US11/253,255 US7319217B2 (en) 2004-10-26 2005-10-18 Semiconductor image sensor module, method for manufacturing the same as well as camera and method for manufacturing the same
TW094136353A TWI281347B (en) 2004-10-26 2005-10-18 Semiconductor image sensor module, manufacturing method of semiconductor image sensor module, camera and manufacturing method of camera
DE602005004717T DE602005004717T2 (de) 2004-10-26 2005-10-24 Halbleiterbildsensormodul, Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbildsensormoduls, Kamera und Verfahren zum Herstellen einer Kamera
EP05023182A EP1653515B1 (en) 2004-10-26 2005-10-24 Semiconductor image sensor module, method for manufacturing the same as well as camera and method for manufacturing the same
KR1020050100475A KR101122344B1 (ko) 2004-10-26 2005-10-25 반도체 이미지 센서 모듈, 반도체 이미지 센서 모듈의 제조방법, 카메라 및 카메라의 제조 방법
CNB2005101181594A CN100399573C (zh) 2004-10-26 2005-10-26 半导体图像传感器模块及制备方法、相机及其制备方法
US11/810,438 US7626155B2 (en) 2004-10-26 2007-06-05 Semiconductor image sensor module, method for manufacturing the same as well as camera and method for manufacturing the same
US12/627,970 US8168932B2 (en) 2004-10-26 2009-11-30 Semiconductor image sensor module, method for manufacturing the same as well as camera and method for manufacturing the same
US13/442,414 US8642939B2 (en) 2004-10-26 2012-04-09 Semiconductor image sensor module, method for manufacturing the same as well as camera and method for manufacturing the same
US14/047,481 US9269736B2 (en) 2004-10-26 2013-10-07 Semiconductor image sensor module, method for manufacturing the same as well as camera and method for manufacturing the same
US15/008,077 US10319772B2 (en) 2004-10-26 2016-01-27 Semiconductor image sensor module, method for manufacturing the same as well as camera and method for manufacturing the same
US16/410,537 US10930694B2 (en) 2004-10-26 2019-05-13 Semiconductor image sensor module, method for manufacturing the same as well as camera and method for manufacturing the same
US17/162,456 US20210151493A1 (en) 2004-10-26 2021-01-29 Semiconductor image sensor module, method for manufacturing the same as well as camera and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004311062A JP4379295B2 (ja) 2004-10-26 2004-10-26 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006128196A JP2006128196A (ja) 2006-05-18
JP4379295B2 true JP4379295B2 (ja) 2009-12-09

Family

ID=35840481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004311062A Expired - Fee Related JP4379295B2 (ja) 2004-10-26 2004-10-26 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (8) US7319217B2 (ja)
EP (1) EP1653515B1 (ja)
JP (1) JP4379295B2 (ja)
KR (1) KR101122344B1 (ja)
CN (1) CN100399573C (ja)
DE (1) DE602005004717T2 (ja)
TW (1) TWI281347B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9136304B2 (en) 2010-10-27 2015-09-15 Sony Corporation Solid-state imaging device, semiconductor device, manufacturing methods thereof, and electronic apparatus

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100539234B1 (ko) * 2003-06-11 2005-12-27 삼성전자주식회사 투명 고분자 소재를 적용한 씨모스형 이미지 센서 모듈 및그 제조방법
JP4349232B2 (ja) * 2004-07-30 2009-10-21 ソニー株式会社 半導体モジュール及びｍｏｓ型固体撮像装置
JP4379295B2 (ja) * 2004-10-26 2009-12-09 ソニー株式会社 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法
AU2006239738B2 (en) * 2005-04-28 2011-02-17 Scantech International Pty Ltd Detector apparatus
TW201101476A (en) 2005-06-02 2011-01-01 Sony Corp Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same
FR2904143A1 (fr) * 2006-07-24 2008-01-25 St Microelectronics Sa Capteur d'images eclaire par la face arriere a temperature de substrat uniforme
JP4908150B2 (ja) 2006-10-18 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 撮像装置の保持構造及び撮像装置
US20080113647A1 (en) * 2006-11-14 2008-05-15 Robert Czajkowski Method and apparatus for low cost telephone
JP4659783B2 (ja) * 2007-06-14 2011-03-30 富士フイルム株式会社 裏面照射型撮像素子の製造方法
KR100902579B1 (ko) 2007-10-11 2009-06-11 주식회사 동부하이텍 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법
US9350976B2 (en) * 2007-11-26 2016-05-24 First Sensor Mobility Gmbh Imaging unit of a camera for recording the surroundings with optics uncoupled from a circuit board
JP2009206356A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Toshiba Corp 固体撮像装置およびその製造方法
EP2133918B1 (en) * 2008-06-09 2015-01-28 Sony Corporation Solid-state imaging device, drive method thereof and electronic apparatus
DE102008044986A1 (de) * 2008-08-29 2010-03-04 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Ein 3-D-integriertes Schaltungsbauelement mit einer internen Wärmeverteilungsfunktion
CN102077577B (zh) * 2008-10-28 2013-05-15 松下电器产业株式会社 摄像组件
JP5985136B2 (ja) * 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
JP5572979B2 (ja) * 2009-03-30 2014-08-20 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP5450633B2 (ja) * 2009-09-09 2014-03-26 株式会社東芝 固体撮像装置およびその製造方法
JP5685898B2 (ja) 2010-01-08 2015-03-18 ソニー株式会社 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム
JP5904259B2 (ja) * 2010-01-08 2016-04-13 ソニー株式会社 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム
JP5585232B2 (ja) * 2010-06-18 2014-09-10 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器
JP2012009547A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Sony Corp 固体撮像装置、電子機器
JP2012042562A (ja) * 2010-08-16 2012-03-01 Canon Inc 撮像装置
JP2012227328A (ja) * 2011-04-19 2012-11-15 Sony Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置及び電子機器
JP5794002B2 (ja) * 2011-07-07 2015-10-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器
JP5917883B2 (ja) * 2011-11-02 2016-05-18 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
JP5919789B2 (ja) * 2011-12-13 2016-05-18 富士通株式会社 赤外線撮像装置
JP6214132B2 (ja) * 2012-02-29 2017-10-18 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システムおよび光電変換装置の製造方法
US9350928B2 (en) * 2012-05-02 2016-05-24 Semiconductor Components Industries, Llc Image data compression using stacked-chip image sensors
US10039440B2 (en) * 2012-06-11 2018-08-07 Intuitive Surgical Operations, Inc. Systems and methods for cleaning a minimally invasive instrument
KR101883707B1 (ko) * 2012-06-28 2018-08-01 삼성전자주식회사 무선 충전 장치 및 이를 구비한 휴대용 단말기
US8816494B2 (en) * 2012-07-12 2014-08-26 Micron Technology, Inc. Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages
US9136293B2 (en) * 2012-09-07 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for sensor module
JP6346417B2 (ja) * 2013-06-28 2018-06-20 キヤノン株式会社 撮像装置、その制御方法および制御プログラム
JP2014179778A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Nikon Corp 信号処理装置、撮像素子、撮像装置および電子機器
US9159852B2 (en) * 2013-03-15 2015-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor device and method
JP6032212B2 (ja) * 2013-03-19 2016-11-24 株式会社村田製作所 積層電子部品およびその実装構造体
US8921901B1 (en) * 2013-06-10 2014-12-30 United Microelectronics Corp. Stacked CMOS image sensor and signal processor wafer structure
JP2014241376A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 住友電気工業株式会社 イメージセンサ
JP5711323B2 (ja) * 2013-08-29 2015-04-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
JP6314477B2 (ja) * 2013-12-26 2018-04-25 ソニー株式会社 電子デバイス
WO2015116130A1 (en) * 2014-01-31 2015-08-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Interposer
JP6343163B2 (ja) * 2014-04-07 2018-06-13 キヤノン株式会社 集積回路装置
TWI676280B (zh) * 2014-04-18 2019-11-01 日商新力股份有限公司 固體攝像裝置及具備其之電子機器
JP2016151523A (ja) * 2015-02-18 2016-08-22 浜松ホトニクス株式会社 赤外線検出装置
TWI692859B (zh) * 2015-05-15 2020-05-01 日商新力股份有限公司 固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器
KR101702504B1 (ko) * 2015-06-09 2017-02-06 국민대학교산학협력단 일체형 디지털 엑스선 이미지 센서의 제조방법 및 이를 이용한 일체형 디지털 엑스선 이미지 센서
JP6666027B2 (ja) * 2015-10-27 2020-03-13 キヤノン株式会社 半導体装置および撮像装置
KR102544782B1 (ko) 2016-08-04 2023-06-20 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US10490588B2 (en) * 2016-09-16 2019-11-26 Semiconductor Components Industries, Llc Methods and apparatus for a thermal equalizer in an image sensor
EP3563415B1 (en) * 2016-12-29 2021-12-01 Raytheon Company Hybrid sensor chip assembly and method for reducing radiative transfer between a detector and read-out integrated circuit
KR102561987B1 (ko) * 2017-01-11 2023-07-31 삼성전기주식회사 반도체 패키지와 그 제조 방법
JP2018011304A (ja) * 2017-07-31 2018-01-18 株式会社ニコン 撮像素子
KR102477352B1 (ko) * 2017-09-29 2022-12-15 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이미지 센서
TW202315106A (zh) 2017-10-30 2023-04-01 日商索尼半導體解決方案公司 固體攝像裝置及電子機器
WO2019144540A1 (zh) * 2018-01-29 2019-08-01 安徽云塔电子科技有限公司 智能传感器系统架构及其实现方法、装置
CN110839122B (zh) * 2018-08-15 2025-04-08 杭州海康机器人股份有限公司 一种相机
CN110047808A (zh) * 2019-04-30 2019-07-23 德淮半导体有限公司 堆叠型背照式图像传感器及其制造方法
CN110061024A (zh) * 2019-04-30 2019-07-26 德淮半导体有限公司 堆叠型背照式图像传感器及其制造方法
CN110753854B (zh) * 2019-05-30 2023-04-18 深圳市速腾聚创科技有限公司 激光雷达及智能感应设备
JP7358300B2 (ja) * 2019-08-15 2023-10-10 株式会社ニコン 撮像素子
JP7384213B2 (ja) * 2019-09-30 2023-11-21 株式会社ニコン 撮像素子及び撮像装置
CN111244123A (zh) * 2020-02-03 2020-06-05 长江存储科技有限责任公司 半导体结构及其制备方法
CN111987076B (zh) * 2020-08-31 2023-06-16 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法
KR20220156131A (ko) * 2021-05-17 2022-11-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4543486A (en) * 1983-05-20 1985-09-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method and apparatus for using a photoacoustic effect for controlling various processes utilizing laser and ion beams, and the like
US5043582A (en) * 1985-12-11 1991-08-27 General Imagining Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
US5015858A (en) 1990-03-27 1991-05-14 Hughes Aircraft Company Thermally isolated focal plane readout
JP3077034B2 (ja) * 1990-07-25 2000-08-14 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体イメージセンサ装置
US5436503A (en) * 1992-11-18 1995-07-25 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
US5359208A (en) 1993-02-26 1994-10-25 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Chip package with microlens array
JP3957803B2 (ja) * 1996-02-22 2007-08-15 キヤノン株式会社 光電変換装置
US6528857B1 (en) * 2000-11-13 2003-03-04 Amkor Technology, Inc. Chip size image sensor bumped package
JP2002261262A (ja) * 2001-03-01 2002-09-13 Mitsubishi Heavy Ind Ltd イメージセンサ及びその製造方法
US6627980B2 (en) 2001-04-12 2003-09-30 Formfactor, Inc. Stacked semiconductor device assembly with microelectronic spring contacts
JP2002334983A (ja) * 2001-05-07 2002-11-22 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 積層型固体撮像装置及びそれを用いたカメラ
JP2003023573A (ja) 2001-07-11 2003-01-24 Asahi Kasei Corp ビジョンチップ
JP4237966B2 (ja) * 2002-03-08 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 検出器
JP4191954B2 (ja) * 2002-05-17 2008-12-03 富士フイルム株式会社 撮像素子実装構造および撮像装置
JP4364514B2 (ja) * 2003-01-08 2009-11-18 浜松ホトニクス株式会社 配線基板、及びそれを用いた放射線検出器
JP4133429B2 (ja) * 2003-02-24 2008-08-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置
JP4138529B2 (ja) * 2003-02-24 2008-08-27 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置、及びそれを用いた放射線検出器
JP4365108B2 (ja) * 2003-01-08 2009-11-18 浜松ホトニクス株式会社 配線基板、及びそれを用いた放射線検出器
JP2004219318A (ja) * 2003-01-16 2004-08-05 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出器
JP2004226872A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Sanyo Electric Co Ltd カメラモジュール及びその製造方法
KR100561004B1 (ko) * 2003-12-30 2006-03-16 동부아남반도체 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법
WO2005065333A2 (en) * 2003-12-30 2005-07-21 Dxray, Inc. Pixelated cadmium zinc telluride based photon counting mode detector
JP4379295B2 (ja) * 2004-10-26 2009-12-09 ソニー株式会社 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9136304B2 (en) 2010-10-27 2015-09-15 Sony Corporation Solid-state imaging device, semiconductor device, manufacturing methods thereof, and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US7626155B2 (en) 2009-12-01
US20120261554A1 (en) 2012-10-18
TWI281347B (en) 2007-05-11
US10930694B2 (en) 2021-02-23
US8168932B2 (en) 2012-05-01
DE602005004717T2 (de) 2009-02-12
CN1767600A (zh) 2006-05-03
KR20060049316A (ko) 2006-05-18
JP2006128196A (ja) 2006-05-18
EP1653515B1 (en) 2008-02-13
KR101122344B1 (ko) 2012-03-27
US20190333956A1 (en) 2019-10-31
US7319217B2 (en) 2008-01-15
US9269736B2 (en) 2016-02-23
US20160141324A1 (en) 2016-05-19
US20100141815A1 (en) 2010-06-10
US20060091290A1 (en) 2006-05-04
CN100399573C (zh) 2008-07-02
US20210151493A1 (en) 2021-05-20
EP1653515A1 (en) 2006-05-03
US20070235828A1 (en) 2007-10-11
DE602005004717D1 (de) 2008-03-27
TW200633508A (en) 2006-09-16
US10319772B2 (en) 2019-06-11
US8642939B2 (en) 2014-02-04
US20140035088A1 (en) 2014-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4379295B2 (ja) 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法
US11600608B2 (en) Semiconductor package
CN107086225B (zh) 固态图像传感装置和电子设备
US10750112B2 (en) Substrate structures for image sensor modules and image sensor modules including the same
CN114679913A (zh) 传感器装置
CN114730780A (zh) 传感器装置
JP6666027B2 (ja) 半導体装置および撮像装置
US12035060B2 (en) Stacked image sensor
JP3511463B2 (ja) 固体撮像装置および大面積固体撮像装置
JP2010098376A (ja) 固体撮像装置
CN118743024A (zh) 光检测装置和电子设备
JP2011109225A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090224

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090424

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090825

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090907

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4379295

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131002

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees