JP4365576B2 - 磁気メモリデバイスおよび書込電流駆動回路、並びに書込電流駆動方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、強磁性体を含む磁気抵抗効果素子を用いて構成され、この強磁性体の磁化方向を制御することにより情報を書き込み、記憶する磁気メモリデバイス、および磁気メモリデバイスに適用される書込電流駆動回路、並びに書込電流駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、コンピュータやモバイル通信機器などの情報処理装置に用いられる汎用メモリとして、ＤＲＡＭやＳＲＡＭなどの揮発性メモリが使用されている。揮発性メモリは、常に電流を供給しておかなければ全ての情報が失われる。そのため、情報の記憶には不揮発性メモリを別途設ける必要があり、フラッシュＥＥＰＲＯＭやハードディスク装置などが用いられている。これら不揮発性メモリについては、情報処理の高速化に伴い、高速化が重要な課題となっている。また、近年のいわゆるユピキタスコンピューティングを目指した情報機器開発という別の側面からも、そのキーデバイスとして高速な不揮発性メモリの開発が強く求められている。
【０００３】
不揮発性メモリの高速化に有効な技術としては、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory ）が知られている。ＭＲＡＭは、マトリクス状に配列された個々の記憶セルが磁気素子で構成されている。現在実用化されているＭＲＡＭは、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ：Giant Magneto-Resistive ）を利用したものである。ＧＭＲとは、互いの磁化容易軸を揃えて配設された２つの強磁性層が積層された積層体において、積層体の抵抗値が、各強磁性層の磁化方向が磁化容易軸に沿って平行な場合に最小、反平行の場合に最大となる現象である。各記憶セルは、この２状態を「０」，「１」の２値情報に対応させて情報を記憶し、情報に対応させた抵抗の違いを電流または電圧の変化として検出することによって情報を読み出す仕組みになっている。実際のＧＭＲ素子では、２つの強磁性層は非磁性層を介して積層され、磁化方向が固定されている固定層と、外部磁界により磁化方向が変化可能な自由層（感磁層）とからなる。
【０００４】
また、強磁性トンネル効果（ＴＭＲ：Tunneling Magneto-Resistive ）を利用した磁気素子では、ＧＭＲ素子に比べて抵抗変化率を格段に大きくすることができる。ＴＭＲとは、極薄の絶縁層を挟んで積層された２つの強磁性層（磁化方向が固定された固定層と、磁化方向が変化可能な感磁層すなわち自由層）において、互いの磁化方向の相対角度により絶縁層を流れるトンネル電流値が変化する現象である。すなわち、磁化方向が平行である場合にトンネル電流は最大（素子の抵抗値は最小）となり、反平行の場合、トンネル電流は最小（素子の抵抗値は最大）となる。ＴＭＲ素子の具体例としては、ＣｏＦｅ／Ａｌoxide ／ＣｏＦｅの積層構造が知られるが、その抵抗変化率は４０％以上にも及ぶ。また、ＴＭＲ素子は抵抗が高く、ＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor ）などの半導体デバイスとのマッチングが取り易いとされている。こうした利点から、ＴＭＲ−ＭＲＡＭは、ＧＭＲ−ＭＲＡＭと比較して高出力化が容易であり、記憶容量やアクセス速度の向上が期待されている。
【０００５】
ＧＭＲ−ＭＲＡＭもＴＭＲ−ＭＲＡＭも、情報の書き込みは同様の方式で行われる。すなわち、導線に電流を流して磁界を誘導し、この電流磁界によって自由層の磁化方向を変化させる。これにより、強磁性層間の相対的な磁化方向が平行または反平行となり、対応する２値情報が記憶される。
【０００６】
例えば、従来のＴＭＲ−ＭＲＡＭは、以下のような構成となっている。図２６に示したように、書込用ワード線２０２（および読出用ワード線２０３）と、書き込み／読み出し共用のビット線２０１とは互いに直交するように配設されている。ここでは、これら書き込み用の配線を総称して書込線と呼ぶ。また、図示はしないが、その交差領域の各々には、両者に挟まれるようにＴＭＲ素子２０７が配設され、個々の記憶セルを構成している。図２７は、ＴＭＲ素子の一般的な構成を表している。このように、ＴＭＲ素子２０７は、固定層である第１磁性層２０４、トンネルバリア層２０５、および自由層である第２磁性層２０６からなる積層体で構成されている。また、この積層体の一方の面側にビット線２０１が設けられ、他方の面側に読出ワード線２０３，書込ワード線２０２が設けられている。
【０００７】
このような構成のＭＲＡＭでは、ある記憶セルに情報を記憶することは、その第２磁性層２０６の磁化方向を情報に応じた方向に制御することに他ならない。これは、書き込み対象の記憶セルを挟むように配置されたビット線２０１，書込ワード線２０２に電流を流すことで行われる。書込線に流れる電流各々には磁界が誘導され、その合成磁界によって、第２磁性層２０６の磁化方向が変化する。
【０００８】
その際、書込線には、書込電流駆動回路（カレントドライブ）から書き込み電流が供給される。図２８は、従来のＭＲＡＭに適用されるカレントドライブの構成例を示している（非特許文献１を参照）。この回路は、必要な書き込み電流値等より形状を規定したパルスを生成する部分と、書き込むべき書込線を選択し、生成パルスを送出する部分からなる。ここでは、前者には基準信号発生部２１１，正側増幅器２１３Ａ，負側増幅器２１３Ｂ，電流方向選択部２１４，タイミングブロック２１６およびパルス幅制御部２１７が対応している。また、後者には書込線選択部２１９が対応している。なお、タイミングブロック２１６は、書き込み信号入力線２１５に入力されるタイミング信号をきっかけとして、時間スイッチであるパルス幅制御部２１７のタイミング制御を行うものである。書込線選択部２１９は、アドレスデコード線２１８に入力されるデコード信号に応じて、パルス供給先となる書込線を選択するものであり、一般には各書込線に対応した多数のスイッチング素子で構成される。この書込線選択部２１９には、書込線の一端が接続され、書込線のもう一端は接地されている。
【０００９】
この回路では、データ信号線２１２（Ｄin）は分岐されており、それぞれの分岐先において正側増幅器２１３Ａ，負側増幅器２１３Ｂにより正負双方の増幅信号が生成され、その一方が電流方向選択部２１４により選択されるようになっている。また、正側増幅器２１３Ａ，負側増幅器２１３Ｂには、基準信号発生部２１１より基準信号が入力されるようになっており、入力信号の大きさを基準値に調整するようになっている。データ信号は、書き込むデータを表す“Ｈｉｇｈ”，“Ｌｏｗ”のデジタル信号であり、この回路部分では、例えば“Ｈｉｇｈ”は正側増幅器２１３Ａで単純に増幅するが、“Ｌｏｗ”は負側増幅器２１３Ｂで負電位のパルスに反転増幅する（増幅された方を選びとる）ようにし、結果として、ともに大きさは基準値である正負のパルスのいずれかを、データ信号に応じて生成するようになっている。このパルスは、パルス幅制御部２１７において、必要な電流量に応じた所定のパルス幅に調整され、書込用パルスとなる。書込用パルスは、書込線選択部２１９を介し、デコード信号に応じた書込線に供給される。このとき、書込線に正の書込用パルスを印加すると、書込線を接地側に向かう電流が流れ、負の書込用パルスを印加すると、逆に接地側からパルス供給端側へ向かう電流が流れる。
【００１０】
このように、従来では、まずパルス形状とその符号を調整することによって、書込線の所定方向に所望の電流量を供給するような書込用パルスを生成しておき、これを書込線に供給するようになっていた。図２９（Ａ）は、こうした従来のカレントドライブを機能的に表現している。定電流制御部３００とは、基準信号発生部２１１を始めとする、上記カレントドライブにおいて書き込み電流量を一定値に制御する機能を有する回路要素を代表したものである（通常、基準信号発生部２１１だけでは、パルスの高さを精度よく制御することはできないので、その他に、パルス電圧値を微調整する回路が付加されている）。
【００１１】
【非特許文献１】
ISSCC 2000 Digest paper TA7.2
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、実際のＭＲＡＭでは、書込線自体の抵抗値にばらつきが生じている。抵抗ばらつきは、それぞれの書込線の位置に応じて配線長が異なる場合や形状が異なる場合に、また製造誤差等によって生じる。これに対し、従来のカレントドライブは、一旦書込線に供給した書き込み電流について何ら制御するようになってはいないため、実際に流れる電流量が、その抵抗値に応じて書込線ごとに異なってしまうという問題があった。すなわち、従来のカレントドライブは、書込用パルスをいかに高精度に制御できたとしても、書込線ごとの抵抗値に応じて供給電流量を調整する機能が備わっていないことから、抵抗ばらつきの影響を除去することができず、書込線に安定して定電流を供給することが難しかったのである。
【００１３】
ＭＲＡＭでは、書き込みのための磁界を、書き込み電流に誘導される電流磁界としていることから、素子における書き込み状態（磁化状態）は、磁界の強さ、すなわち書き込み電流の大きさによって決まってくる。そのため、このように書き込み電流の値が一定していない場合には、情報を安定した状態で記憶させたり、確実に読み出したりすることができず、動作安定性に支障をきたすことが考えられる。
【００１４】
なお、書込線の抵抗値に応じて供給電流量を制御する手法としては、例えば、書き込み電流の下流にて電流値を一定とする制御を行い、書込線全体に流れる電流量を一定とすることが考えられる。つまり、図２９（Ｂ）のように定電流制御部３００を、書込線の接地側に設ける場合である。ところが、通常の定電流回路は、トランジスタやダイオードなどから構成されるバンドギャップリファレンスを使用した回路であるから、この場合には電流方向が一方向に限定されることになり、一本の書込線に対し双方向に電流を流すことができなくなってしまう。この書き込み回路系で双方向に電流を流そうとするならば、図２９（Ｃ）のように２本の書込線を束ね、回路系を対称に配置しなければならないが、回路構造も制御も複雑になるために、現実的ではない。書き込み電流を双方向制御することはＭＲＡＭのカレントドライブにおいては必須の条件といってよく、書き込み電流を一定値に制御するという課題も、この条件を満たしたうえで解決するものでなければならない。しかし、いまみたように、これらを両立する回路を実現することは容易ではなく、有効な解決手法は未だ提案されていなかった。
【００１５】
また、従来のカレントドライブは、通常、ＣＭＯＳ（Complementary ＭＯＳ）で組まれている。ＣＭＯＳの特徴はデジタル的なスイッチング動作にあり、電流方向選択部２１４などのロジック部、書込線選択部２１９などのスイッチ類にはよく適合するが、定電流制御部３００に相当する回路部分はアナログ回路であるため、ＣＭＯＳで構築するのは難しかった。そもそもＭＯＳＦＥＴは、本質的に電圧制御素子である。よって、ＣＭＯＳ回路である従来のカレントドライブでも、直接の制御対象は電圧であり、電流値の制御は、入力パルスの電圧値と幅を制御することで間接的に制御するほかなく、本来的な意味での電流制御がなされてはいなかった。また、ＭＯＳ素子は、ゲート酸化膜の膜厚等の製造ばらつきに起因する特性ばらつきが比較的大きなことで知られている。そのため、特性ばらつきの影響により、書込線ごとにパルス形状がばらつくおそれがあった。
【００１６】
さらに、ＣＭＯＳが多用されることで、カレントドライブの回路規模が大きくなるという問題があった。そのうえ、定電流制御部３００に相当する部分には、バンドギャップリファレンスを用いた回路、例えばカレントミラー回路などが組み込まれており、従来のカレントドライブは、メモリチップ上におけるその面積が無視できないほど大きかった。また、こうした回路構成自体も複雑であるために、簡素化する手法が求められていた。
【００１７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、書込線に、電流量一定の書き込み電流を、流す方向を双方向に切り換えて供給することを可能とする磁気メモリデバイスおよび書込電流駆動回路、並びに書込電流駆動方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気メモリデバイスは、外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含んで構成された磁気抵抗効果素子と、感磁層に外部磁界を印加するために書き込み電流が供給される書込線と、書込線における書き込み電流の方向を制御するための差動スイッチ対を有する電流方向制御部、および、書込線における書き込み電流の量を一定値に制御する電流量制御部を含んで構成され、書込線の両端に接続された書込電流駆動回路とを備えたものである。
【００１９】
この磁気メモリデバイスでは、書込電流駆動回路が、書込線に書き込み電流を供給する。その際、書込線における書き込み電流の方向が、電流方向制御部の差動スイッチ対によって制御され、なおかつ、書込線における書き込み電流の大きさが、電流量制御部によって常に一定となるよう制御される。なお、本発明においていう「書き込み電流の量を一定値に制御する」とは、書込線に流入する前、または流入端における書き込み電流量を制御対象としたものではなく、書き込み電流の大きさを、書込線の一端に流入してから他端から流出するまで、書込線全体にわたって一定値とするような定電流制御を意味している。
【００２０】
電流方向制御部は、電流供給対象である書込線の両端のうち、いずれか一方を書き込み電流の流入側、他方を流出側として選択することにより書き込み電流の方向を制御することが好ましい。この電流方向制御部では、電流方向を常にどちらかの一方向に制御することも可能だが、電流の流入口，流出口を書込線の両端で切り換えることにより双方向に電流を流すこともできる。
【００２１】
さらに、電流方向制御部は、入力された書き込み用のデータ信号に応じて書き込み電流の方向を双方向に制御することが好ましい。すなわち、書き込み電流の方向は、データ信号に応じて双方向に切り換えられ、こうした書き込み電流を用いて、感磁層の磁化をデータ信号に応じた方向に反転させることにより、データ信号に対応した情報の書き込みが行われる。なお、ここでいう「情報」とは、一般に磁気メモリデバイスへの入出力信号において「０」，「１」あるいは電流値や電圧値による「Ｈｉｇｈ」，「Ｌｏｗ」等で表される２値情報をいい、情報に対応した電流値または電圧値そのものをデータ信号という。
【００２２】
また、書込線は、書込電流駆動回路に両端が接続されていることが好ましい。電流方向制御部による、書込線の両端のうちの一方を電流流入端、他方を流出側に選択する制御は、書込電流駆動回路に実際に接続された書込線の両端に対して具現化される。その場合、書込線自体がＵ字状となっていれば、両端が近接して配置される。なお、本発明の磁気メモリデバイスにおいて「接続され」とは、少なくとも電気的に接続された状態を指し、物理的に直接に接続されていることを必ずしも条件としない。
【００２３】
本発明の磁気メモリデバイスにおいて、電流方向制御部は、具体的には、差動スイッチ対として、書込線の両端に対応してそれぞれ設けられ、互いに反対の開閉状態となるように動作する第１および第２の電流スイッチ、を含んで構成される第１の差動スイッチ対と、それぞれが第１および第２の電流スイッチに対応して設けられ、互いに反対の開閉状態となるように動作する第３および第４の電流スイッチ、を含んで構成される第２の差動スイッチ対とを有している。この第１の差動スイッチ対は、書込線の両端のいずれか一方を書き込み電流の流入側として選択する機能を有するものであり、第２の差動スイッチ対は、書込線の両端のうち他方を書き込み電流の流出側として選択する機能を有するものである。なお、一般的なスイッチング素子における開閉状態（オン／オフ状態）とは、導通状態（あるいは流れる電流量が閾値以上の状態）としてのオン状態に対し、ほとんど電流を流さない実質的な遮断状態（あるいは流れる電流量が閾値以下の状態）をオフ状態とする場合を想定している。この場合のオン状態とオフ状態は、それぞれ定常的に規定されたものであり、各々の状態をディジタル的に判別可能である。本発明における電流スイッチの「開閉状態（オン／オフ状態）」は、このような２状態を含むが、それだけにはとどまらず、差動スイッチ対として対をなす電流スイッチにて差動動作時に生じる相対的な２状態、より多くの電流を流す方をオン状態、より少ない電流しか流せない方をオフ状態とする場合をも含んだ概念である。
【００２４】
この電流方向制御部では、第１の差動スイッチ対の第１の電流スイッチと第２の電流スイッチは、互いに反対の開閉状態（オン／オフ状態）となる。書込線の両端のうち、対応する電流スイッチがオン状態の側は導通し、電流が流れることが許容されるが、対応する電流スイッチがオフ状態の側は遮断され、電流が流れないようになる。こうして、書込線の両端のうち、第１の差動スイッチ対のオン状態の電流スイッチに制御される側が、書き込み電流流入側として選ばれる。また、第２の差動スイッチ対では、第３の電流スイッチが、第１の電流スイッチ同様、書込線の一端に対応して設けられ、第４の電流スイッチが、第２の電流スイッチ同様、書込線の他端に対応して設けられている。第３の電流スイッチと第４の電流スイッチは、互いに反対の動作状態となり、第２の差動スイッチ対は第１の差動スイッチ対と同様に作用する。これにより、書込線の両端のうち、第２の差動スイッチ対のオン状態の電流スイッチに制御される側が、書き込み電流流出側として選ばれる。
【００２５】
電流方向制御部がこのような構成をとる場合に、第１の電流スイッチと第４の電流スイッチは、同じ開閉状態となるように動作し、第２の電流スイッチと第３の電流スイッチは、第１および第４の電流スイッチとは反対の開閉状態となるように動作することが望ましい。これにより、第１の差動スイッチ対と第２の差動スイッチ対はそれぞれ、書込線の両端のうち互いに異なる側を流入側と流出側に選択することになり、書込線に対して書き込み電流が流れる向きが決定される。なお、本発明において意味するところの「同じ開閉状態」とは、電流方向制御部等が十分に機能するようにスイッチの主動作としての開閉が一致している状態であり、スイッチ、またはスイッチに接続された素子の呼応時間等に起因した開閉のタイミング等が多少ずれている関係も含むものである。
【００２６】
また、第１または第２の差動スイッチ対の少なくとも一方は、入力されたデータ信号に応じて開閉動作を行うことが望ましい。この構成により、書き込み電流の向きがデータ信号値により直接制御される。さらに、書込線の両端は、それぞれ、第１の差動スイッチ対と第２の差動スイッチ対との間の１対の連結点に接続されていることが好ましい。この場合の電流方向制御部は、書込線の一端および他端が第１および第２の差動スイッチ対の双方に、両者間の１対の連結点で接続されるという具体的構成を有するものとなる。なお、一対の連結点は、例えば、第１の電流スイッチと第３の電流スイッチとの間の連結点、および、第２の電流スイッチと第４の電流スイッチとの間の連結点である。
【００２７】
本発明の磁気メモリデバイスにおいて、電流方向制御部は、より具体的にはさらに、差動スイッチ対として、第１の電流スイッチと第４の電流スイッチが同じ開閉状態となり、第２の電流スイッチと第３の電流スイッチが第１および第４の電流スイッチとは反対の開閉状態となるように制御を行う第３の差動スイッチ対を有している。この電流方向制御部では、第３の差動スイッチ対により各電流スイッチが動作制御され、第１および第２の差動スイッチ対が適正に駆動される。
【００２８】
第３の差動スイッチ対は、第１または第２の差動スイッチ対のうち一方の差動スイッチ対の開閉状態を検出し、この検出結果に基づいて他方の差動スイッチ対の開閉動作を制御することが望ましい。このとき、一方の差動スイッチ対の動作状態に応じて他方の差動スイッチ対が動作制御され、第１および第２の差動スイッチ対が、互いに関連づけられて駆動される。
【００２９】
本発明の磁気メモリデバイスでは、このような第３の差動スイッチ対を、互いに反対の開閉状態となるように動作する第５および第６の電流スイッチからなるものとすることで、最も簡素な構成で機能を発揮している。より具体的には、第５の電流スイッチが、第３の電流スイッチの開閉状態を検出し、第３の電流スイッチと同じ開閉状態となるように第２の電流スイッチを動作させ、第６の電流スイッチが、第４の電流スイッチの開閉状態を検出し、第４の電流スイッチと同じ開閉状態となるように第１の電流スイッチを動作させることが好ましい。第１の差動スイッチ対と第２の差動スイッチ対の間には、常に同じ開閉状態となる電流スイッチが２組存在する。すなわち、（第２の電流スイッチ，第３の電流スイッチ）の組と、（第１の電流スイッチ，第４の電流スイッチ）の組である。これら２組は、第５，第６の電流スイッチにより各組ごとに動作制御され、互いに反対の開閉状態となる。
【００３０】
さらに、電流方向制御部の具体的構成としては、第１および第２の差動スイッチ対の第１ないし第４の電流スイッチが、それぞれ、第１ないし第４のトランジスタで構成されていることが好ましい。トランジスタには、バイポーラトランジスタやＭＯＳＦＥＴ等があるが、そのいずれであっても構わない。
【００３１】
この場合に、各電流スイッチと書込線との対応関係は、書込線の一端が第１のトランジスタのエミッタ端子と第３のトランジスタのコレクタ端子とに接続され、他端が第２のトランジスタのエミッタ端子と第４のトランジスタのコレクタ端子とに接続されることによって具体化される。また、このような電流方向制御部は、各トランジスタによって、さらに次のように構成することが好ましい。例えば、第１および第２のトランジスタのコレクタ端子が電源に接続されていてもよい。電源と書込線とが、第１および第２のトランジスタを介して接続されることになり、電源電流は、第１および第２のトランジスタのスイッチングに応じ、導通側から書込線に供給される。ここでいう「電源」とは、回路動作に必要な電流ないし電圧の供給源であり、磁気メモリデバイスの内部電源ラインを意味する。また、第２の差動スイッチ対の第３または第４のトランジスタの一方は、ベース端子に書き込み用のデータ信号が入力され、他方は、ベース端子にデータ信号の反転信号が入力されるようにしてもよい。ここでいう「反転信号」とは、データ信号とは反対の論理値をとる信号である。この場合には、第３および第４のトランジスタは、データ信号に基づいて駆動され、書き込む情報に対応した方向の電流を流すための電流流出端を協働して選択する。
【００３２】
さらに、電流方向制御部が、第１ないし第４のトランジスタで構成されており、第５および第６の電流スイッチからなる第３の差動スイッチ対を含んでいる場合には、これら第５および第６の電流スイッチが、それぞれ、第５および第６のトランジスタで構成されていることが好ましい。
【００３３】
そのうえで、第５および第６のトランジスタは、それぞれ、ベース端子が第３および第４のトランジスタのコレクタ端子に接続され、コレクタ端子に第２および第１のトランジスタのベース端子が接続されていることが好ましい。第５のトランジスタは、第３のトランジスタのコレクタ端子における電位がベース入力され、この電位に応じた動作をする。この第５のトランジスタのコレクタ端子における電位は第２のトランジスタにベース入力され、第２のトランジスタが、この電位に応じた動作をする。同様に、第６のトランジスタは、第４のトランジスタのコレクタ端子における電位がベース入力され、この電位に応じた動作をする。この第６のトランジスタのコレクタ端子における電位は第１のトランジスタにベース入力され、第１のトランジスタが、この電位に応じた動作をする。
【００３４】
なお、第５および第６のトランジスタは、具体的には次のように接続されることが好ましい。まず、書込電流駆動回路が、この書込電流駆動回路を動作させるためのスイッチとして機能する第７のトランジスタと、第１の電流制限用抵抗器とを含み、第７のトランジスタは、コレクタ端子に第５および第６のトランジスタのエミッタ端子が共通に接続され、エミッタ端子は第１の電流制限用抵抗器を介して接地に導かれているようにしてもよい。また、第５のトランジスタのコレクタ端子と第２のトランジスタのベース端子との接続点と電源との間、および第６のトランジスタのコレクタ端子と第１のトランジスタのベース端子との接続点と電源との間には、それぞれ第１および第２のバイアス抵抗器が設けられているようにしてもよい。こうした構成をとることにより、第５および第６のトランジスタ（第３の差動スイッチ対）からなる回路部分は、第１ないし第４のトランジスタ（第１および第２の差動スイッチ対）に対し独立した電流経路を有する差動増幅回路として構成される。
【００３５】
書込電流駆動回路が、以上の第１ないし第６のトランジスタ、第１および第２のバイアス抵抗器を備えた場合に、第１のトランジスタと第２のトランジスタ、第３のトランジスタと第４のトランジスタ、第５のトランジスタと第６のトランジスタ、および、第１のバイアス抵抗器と第２のバイアス抵抗器は、それぞれ、特性が揃っていることが望ましい。ここで、「特性が揃っている」とは、対をなす素子ごとに、電気的特性が略等しいことを意味している。これら対をなす素子同士の特性が揃っていると、書込電流駆動回路では、全体として適正な差動動作が行われる。
【００３６】
また、本発明の磁気メモリデバイスでは、書込電流駆動回路の電流量制御部は、書込線より流出した書き込み電流の経路上に設けられていることが好ましい。これにより、書込線に流れる時点での書き込み電流が、必ず定電流制御を受けるようになる。
【００３７】
この電流量制御部は、少なくとも第８のトランジスタと第２の電流制限用抵抗器とを含み、第８のトランジスタは、コレクタ端子が第３および第４のトランジスタのエミッタ端子に共通接続され、エミッタ端子が第２の電流制限用抵抗器を介して接地に導かれ、ベース端子は一定電圧が選択的に入力されるように構成することで具現化することができる。これにより、電流量制御部は、書込線の両端で共用され、この１つの回路で、書込線の両端のいずれが電流流出側となっても流出電流の大きさを接地側から規定するように働く。なお、第８のトランジスタは、電流規定機能に加えて、書込電流駆動回路を動作させるためのスイッチとしても機能するものとして用いることができる。すなわち、第８のトランジスタのベース端子には、書込電流駆動回路に対するアクティブ信号が一定電圧で入力される。
【００３８】
なお、本発明の磁気メモリデバイスにおいては、書込電流駆動回路を構成する第１ないし第８のトランジスタ、第１および第２のバイアス抵抗器、第１および第２の電流制限用抵抗器が、同一の領域内に集積配置されていることが望ましい。これらの素子の各々は、近接して配置されることで、駆動中の温度変化がほぼ等しくなり、予め電気的特性を略等しく揃えられた素子同士では、互いの特性値にずれが生じることが防止される。すなわち、特性上対をなす素子同士は、同様の特性で動作し、さらに差動対である素子同士では、適正な差動出力が得られるようになる。
【００３９】
本発明の磁気メモリデバイスにおける磁気抵抗効果素子は、例えば、感磁層を含み、積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、積層体の一方の面側に、積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に、書込線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを備えたものである。このときの「外部磁界」は、書込線に流れる電流によって生ずる磁界のほか、環状磁性層に生ずる還流磁界を意味している。また、「環状磁性層」の「環状」とは、少なくとも内部を貫通する書込線からみたときに、それぞれの周囲を磁気的かつ電気的に連続して完全に取り囲み、書込線を横切る方向の断面が閉じている状態を示している。よって、環状磁性層は、磁気的かつ電気的に連続である限りにおいて絶縁体が含有されることを許容し、製造過程において発生する程度の酸化膜を含んでいてもよい。「軸方向」とは、この環状磁性層単体に注目したときの開口方向、すなわち内部を貫通する書込線の延在方向を指す。さらに、「積層体の一方の面側に、…配設され」とは、環状磁性層が積層体の一方の面の側に積層体とは別体として配設される場合のほか、環状磁性層が積層体の一部を含むように配設される場合をも含む、という趣旨である。このような磁気抵抗効果素子は、書込線に電流を流すことによって環状磁性層に閉磁路を形成する。これにより、感磁層の磁化反転が効率よく行われる。
【００４０】
磁気抵抗効果素子がこのような構成の場合には、書込線を、複数の第１の書込線および複数の第１の書込線の各々と交差するように延びる複数の第２の書込線からなるものとし、第１および第２の書込線が、環状磁性層を貫く領域において互いに平行に延びているように配設することが好ましい。磁気抵抗効果素子は、第１および第２の書込線の平行部分、すなわち環状磁性層の領域において同方向に電流が流れるときに選択され、情報が書き込まれる。その際、第１および第２の書込線によって生じる誘導磁界も、同方向に強め合うように生じる。
【００４１】
また、本発明の磁気メモリデバイスは、１つの記憶セルが、一対の磁気抵抗効果素子を含んで構成されていてもよい。単独で１単位情報を記憶することが可能な磁気抵抗効果素子を２つ用いて、１つの単位情報が記憶される。
【００４２】
この磁気メモリデバイスは、さらに、第１および第２の書込線の双方を流れる電流に誘導される磁界によって、一対の磁気抵抗効果素子における各感磁層の磁化方向が互いに反平行となるように変化し、記憶セルに情報が記憶されるものであることが好ましい。本発明における「磁化方向が互いに反平行」とは、互いの磁化方向、すなわち、磁性層内の平均磁化の方向のなす角度が厳密に１８０度である場合のほか、製造上生ずる誤差や完全に単軸化されなかったが故に生じる程度の誤差等に起因して互いの磁化方向のなす角度が１８０度から所定角度だけ外れている場合も含む。この磁気メモリデバイスでは、一対の磁気抵抗効果素子における双方の感磁層の磁化は、互いに向き合うか、反対向きかの２状態のいずれかをとり、それに２値情報が対応する。
【００４３】
本発明の書込電流駆動回路は、外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含んで構成された磁気抵抗効果素子と、感磁層に外部磁界を印加するために書き込み電流が供給される書込線とを備えた磁気メモリデバイスに適用される書込電流駆動回路であって、書込線の両端がそれぞれ接続される一対の接続端と、書込線における書き込み電流の方向を制御するための差動スイッチ対を有する電流方向制御部と、書込線に流される書き込み電流の量を一定値に制御する電流量制御部とを備えたものである。この書込電流駆動回路は、本発明の磁気メモリデバイスが備えたものと同様の構成となっている。
【００４４】
この書込電流駆動回路は、電流方向制御部が、具体的には、差動スイッチ対として、書込線の両端に対応してそれぞれ設けられ、互いに反対の開閉状態となるように動作する第１および第２の電流スイッチ、からなる第１の差動スイッチ対と、第１および第２の電流スイッチに対応してそれぞれ設けられ、互いに反対の開閉状態となるように動作する第３および第４の電流スイッチ、からなる第２の差動スイッチ対と、互いに反対の開閉状態となるように動作する第５および第６の電流スイッチからなり、第１の電流スイッチと第４の電流スイッチが同じ開閉状態となり、第２の電流スイッチと第３の電流スイッチが、第１および第４の電流スイッチとは反対の開閉状態となるように制御を行う第３の差動スイッチ対とを有している。
【００４５】
このような構成の電流方向制御部では、第３の差動スイッチ対により、第１および第２の差動スイッチ対の各電流スイッチは、互いに書込線の両端に関する対応関係が異なるものと同じ動作をするよう制御される。その結果、書込線の一端は、第１の差動スイッチ対の電流スイッチにより選択され、他端は、第２の差動スイッチ対の電流スイッチにより選択され、電流を流す向きが一方向に決まる。
【００４６】
例えば、第１ないし第４の電流スイッチは、それぞれ、第１ないし第４のトランジスタで構成される。この場合の書込電流駆動回路と書込線との具体的な接続関係は、書込線の一端が第１のトランジスタのエミッタ端子と第３のトランジスタのコレクタ端子とに接続されると共に、書込線の他端が第２のトランジスタのエミッタ端子と第４のトランジスタのコレクタ端子とに接続されているものとすることができる。
【００４７】
さらに、本発明の書込電流駆動回路においては、電流量制御部の具体的構成を、ベース端子に一定電圧が入力されるトランジスタと電流制限用抵抗器とを含んで構成され、書込線より流出した書き込み電流の経路上に設けられているものとすることができる。
【００４８】
本発明の書込電流駆動方法は、外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含んで構成された磁気抵抗効果素子と、感磁層に外部磁界を印加するために書き込み電流が供給される書込線とを備えた磁気メモリデバイスに適用される書込電流駆動方法であって、書込線における書き込み電流の方向を制御するための差動スイッチ対を設け、電流供給対象である書込線の両端のうち、いずれか一方を書き込み電流の流入側、他方を流出側として選択することにより、書き込み電流の方向を差動スイッチ対により制御し、書込線に対し、この書込線上を一定の電流値で流れるように制御しつつ、書き込み電流を供給するものである。本発明の書込電流駆動方法では、書き込み電流は、書込線上での大きさと方向とが共に制御され、書込線に供給される。
【００４９】
より具体的には、差動スイッチ対として、書込線の両端に対応してそれぞれ設けられ、互いに反対の開閉状態となるように動作する第１および第２の電流スイッチとしての第１および第２のトランジスタ、で構成されている第１の差動スイッチ対と、第１および第２のトランジスタに対応してそれぞれ設けられ、互いに反対の開閉状態となるように動作する第３および第４の電流スイッチとしての第３および第４のトランジスタ、で構成されている第２の差動スイッチ対と、互いに反対の開閉状態となるように動作する第５および第６の電流スイッチからなり、第１のトランジスタと第４のトランジスタが同じ開閉状態となり、第２のトランジスタと第３のトランジスタが、第１および第４のトランジスタとは反対の開閉状態となるように制御を行う第３の差動スイッチ対とを設ける。さらに、書込線の一端を第１のトランジスタのエミッタ端子と第３のトランジスタのコレクタ端子に接続すると共に、書込線の他端を第２のトランジスタのエミッタ端子と第４のトランジスタのコレクタ端子とに接続し、書込線に流す書き込み電流の方向を双方向に切り換えると共に、書込線より流出した書き込み電流の経路上に、ベース端子に一定電圧が入力されるトランジスタと電流制限用抵抗器とを含んで構成された電流量制御部を設け、書込線における書き込み電流の量を一定値に制御する。
【００５０】
この書込電流駆動方法では、書込線の両端が接続され、第１ないし第４のトランジスタで構成された第１および第２の差動スイッチ対と、その動作制御を行う第３の差動スイッチ対によって、書込線における書き込み電流の方向が双方向に切り換えられる。また、書込線より流出した書き込み電流の経路上に定電流回路として構成された電流量制御部によって、書き込み電流の大きさが一定値に制御される。
【００５１】
さらに具体的には、書込線に書き込み電流を流す方向に応じて、第３および第４のトランジスタを開閉動作させることにより、第２の差動スイッチ対が、書込線の一端を書き込み電流の流出側として選択し、第３の差動スイッチ対が、第２の差動スイッチ対の各トランジスタにおける開閉状態を検出し、第３のトランジスタと同じ開閉状態となるよう第２のトランジスタを動作制御すると共に、第４のトランジスタと同じ開閉状態となるよう第１のトランジスタを動作制御し、第１および第２のトランジスタが開閉動作することにより、第１の差動スイッチ対が書込線の他端を書き込み電流の流入側として選択することが好ましい。このとき、書き込み電流は、書込線上を、流入側として選択された一端から、流出側として選択された他端へと流れる。
【００５２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００５３】
図１は、本発明の一実施の形態に係る磁気メモリデバイスの全体の構成を示した図である。この磁気メモリデバイスは、いわゆる半導体メモリチップとして具現化されるＭＲＡＭであり、アドレスバッファ１０１，データバッファ１０２，制御ロジック部１０３，記憶セル群１０４，Ｙ方向駆動回路部１０６、およびＸ方向駆動回路部１０８を主要な構成要素としている。
【００５４】
記憶セル群１０４は、全体としてマトリクスを構成するよう、多数の記憶セル１２がワード線方向（Ｘ方向），ビット線方向（Ｙ方向）に配列したものである。個々の記憶セル１２は、データを記憶する最小単位であり、「１」，「０」のビットデータが記憶されるようになっている。なお、ここでは、記憶セル群１０４における記憶セル１２の各列をワード列Ｘn 、各行をビット列Ｙn と呼ぶ。
【００５５】
Ｙ方向駆動回路部１０６は、Ｙ方向アドレスデコーダ１０６Ａ，読み出しのためのセンスアンプ１０６Ｂ，書き込みのためのＹ方向カレントドライブ１０６Ｃから構成され、各々が記憶セル群１０４に対し、記憶セル１２のビット列Ｙn （Ｙ1 ，Ｙ2 ，…）ごとに接続されている。
【００５６】
Ｘ方向駆動回路部１０８は、Ｘ方向アドレスデコーダ１０８Ａ，読み出しのための定電流回路１０８Ｂ，書き込みのためのＸ方向カレントドライブ１０８Ｃから構成され、各々が記憶セル群１０４に対し、記憶セル１２のワード列Ｘn （Ｘ1 ，Ｘ2 ，…）ごとに接続されている。したがって、例えば、ある一つの記憶セル１２は、図示したように、Ｘ方向アドレスデコーダ１０８Ａ，Ｙ方向アドレスデコーダ１０６Ａから入力されるワード方向およびビット方向のアドレス（Ｘn ，Ｙn ）によって一意に選択される。
【００５７】
アドレスバッファ１０１は、外部アドレス入力端子Ａ0 〜Ａ20を備えると共に、アドレス線１０５，１０７を介してＹ方向アドレスデコーダ１０６Ａ，Ｘ方向アドレスデコーダ１０８Ａに接続されている。このアドレスバッファ１０１は、外部アドレス入力端子Ａ0 〜Ａ20から記憶セル１２を選択するための選択信号を取り込み、内部バッファ増幅器においてアドレスデコーダ１０６Ａ，１０８Ａで必要な電圧レベルまで増幅する機能を有している。また、増幅した選択信号を、記憶セル１２のワード列方向（Ｘ方向），ビット列方向（Ｙ方向）の２つの選択信号に分け、アドレスデコーダ１０６Ａ，１０８Ａのそれぞれに入力するようになっている。なお、磁気メモリデバイスが記憶セル群１０４を複数有している場合、アドレスバッファ１０１には、複数の記憶セル群１０４から１つの記憶セル群１０４を選択するためのアドレス信号もまた入力されるようになっている。
【００５８】
データバッファ１０２は、外部とディジタルデータ信号のやり取りを行うための外部データ端子Ｄ0 〜Ｄ7 を備えると共に、制御ロジック部１０３と制御信号線１１３により接続されている。データバッファ１０２は、入力バッファ１０２Ａおよび出力バッファ１０２Ｂからなり、それぞれ、制御ロジック部１０３からの制御信号によって動作するようになっている。入力バッファ１０２は、書き込み用データバス１１０，１１１を介してそれぞれＹ方向カレントドライブ１０６Ｃ，Ｘ方向カレントドライブ１０８Ｃに接続されており、メモリ書き込み時に外部データ端子Ｄ0 〜Ｄ7 からデータ信号を取り込み、このデータ信号を内部バッファ増幅器で必要とされる電圧レベルまで増幅し、カレントドライブ１０６Ｃ，１０８Ｃそれぞれに出力する機能を有している。出力バッファ１０２Ｂは、読み出し用データバス１１２を介してセンスアンプ１０６Ｂに接続されており、内部バッファ増幅器を用いることにより、メモリ読み出し時にセンスアンプ１０６Ｂより入力される読み出しデータ信号を、低インピーダンスで外部データ端子Ｄ0 〜Ｄ7 に出力する機能を有している。
【００５９】
制御ロジック部１０３は、入力端子ＣＳ，入力端子ＷＥを備え、データバッファ１０２に制御信号線１１３で接続されている。制御ロジック部１０３は、記憶セル群１０４に対する動作制御を行うものであり、入力端子ＣＳからは、磁気メモリデバイスの書き込み／読み出し動作をアクティブにするか否かの信号（チップセレクト；ＣＳ）が入力される。また、入力端子ＷＥからは、書き込み／読み出しを切り替えるための書き込み許可信号（ライトイネーブル；ＷＥ）が入力される。この制御ロジック部１０３は、入力端子ＣＳ，入力端子ＷＥより取り込んだ信号電圧を、内部バッファ増幅器により駆動回路部１０６，１０８にて必要な電圧レベルまで増幅する機能を有すると共に、増幅後の信号を駆動回路部１０６，１０８のそれぞれに送出するようになっている。
【００６０】
なお、この磁気メモリデバイスの要部の具体的配置は、例えば、図２のようなものである。同図の最外枠はダイ切り出し線を示している。シリコンチップ中央の広い領域には記憶セル群１０４が配設され、その周囲のわずかな領域に、駆動回路部１０６，１０８等の記憶セル群１０４を駆動するための回路が実装されている。これらの回路は、ボンディングパッド１２１を介してデバイス全体の制御部または外部に接続されている。また、ここでは、Ｘ方向駆動回路部１０８は、記憶セル群１０４の左辺側に、Ｙ方向駆動回路部１０６は、記憶セル群１０４の上辺側に配設されている。
【００６１】
〔書き込み回路の構成〕
図３は、カレントドライブおよび記憶セルの書込線に対する位置関係を表している。記憶セル１２の各々は、Ｙ方向に延在する複数の書込用ビット線６Ｙ（６Ｙ1 ，…，６Ｙn ，…）と、この書込用ビット線６Ｙとそれぞれ交差するようにＸ方向に延在する複数の書込用ワード線６Ｘ（６Ｘ1 ，…，６Ｘn ，…）のそれぞれによってＸ方向カレントドライブ１０８Ｃ，Ｙ方向カレントドライブ１０６Ｃの双方から電流供給を受けて、情報を書き込むようになっている。
【００６２】
書込用ワード線６Ｘと書込用ビット線６Ｙは、共にＵ字状のループを描くようにして配設されている。また、書込用ワード線６Ｘは、往路・復路の一方が書込用ビット線６Ｙと交差する度に曲折され、書込用ビット線６Ｙに対し平行となる部分を有している。ここでは、この平行部分の形成領域ごとに磁気抵抗効果素子が配設され、１つの記憶セル１２は、書込用ワード線６Ｘと書込用ビット線６Ｙの各１本が形成する一対の平行部分のそれぞれに配設された一対の磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂ（図６参照）によって構成されている。なお、以降の説明においては、書込用ワード線６Ｘ，書込用ビット線６Ｙを略称するときには、書込線６Ｘ，６Ｙとし、Ｘ方向，Ｙ方向の区別なく総称するときには、単に書込線６と呼ぶことにする。
【００６３】
Ｘ方向カレントドライブ１０８Ｃ，Ｙ方向カレントドライブ１０６Ｃは、記憶セル１２への書き込みの際に、それぞれ、書込用ワード線６Ｘ，書込用ビット線６Ｙに対し所定値の電流を供給するための定電流源回路である。ここでは、個々の書込用ワード線６Ｘの両端は、Ｘ方向カレントドライブ１０８Ｃの１つに接続され、書込用ビット線６Ｙの両端は、Ｙ方向カレントドライブ１０６Ｃの１つに接続されている。すなわち、書込用ワード線６Ｘ（６Ｘ1 ，…，６Ｘn ，…）とＸ方向カレントドライブ１０８Ｃの配列は、記憶セル１２のワード列Ｘn に１対１に対応している。同様に、書込用ビット線６Ｙ（６Ｙ1 ，…，６Ｙn ，…）とＹ方向カレントドライブ１０６Ｃの配列は、記憶セル１２のビット列Ｙn に１対１に対応している。
【００６４】
（カレントドライブの構成）
これらのカレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃは、（１）書込線６Ｘ，６Ｙに流す電流の向きを制御するスイッチとしての機能と、（２）その電流量を一定値に固定する機能とを備えたものとなっている。図４は、これら（１）書込線の電流方向を制御するスイッチング機能、および（２）書込線における定電流制御能に着目した、本実施の形態のカレントドライブの概念的な構成図である。
【００６５】
（１）電流方向の制御機能は、第１および第２の差動スイッチ対５１，５２、および、差動制御手段５３から構成される電流方向制御部５４により達成される（図４参照）。第１の差動スイッチ対５１は、スイッチＱ１，Ｑ２からなり、スイッチＱ１，Ｑ２のそれぞれは、電源Ｖccと書込線６の端部Ａ，Ｂとの間に設けられ、いずれか一方がオン状態，他方がオフ状態をとることで、端部Ａ，Ｂの一方のみに電源Ｖccが接続され、電流が流入するように構成されている。第２の差動スイッチ対５２は、スイッチＱ３，Ｑ４からなり、スイッチＱ３，Ｑ４のそれぞれは書込線６の端部Ａ，Ｂと接地との間に設けられ、いずれか一方がオン状態，他方がオフ状態をとることで、端部Ａ，Ｂの一方のみが接地まで導かれ、電流が流出するように構成されている。
【００６６】
したがって、スイッチＱ１とスイッチＱ４が閉じ、スイッチＱ２とスイッチＱ３が開いている間は、書込線６に点線方向の電流が流れる。また、スイッチＱ１とスイッチＱ４が開き、スイッチＱ２とスイッチＱ３が閉じている間は、書込線６には実線方向の電流が流れる。すなわち、この場合に書込線６における電流を双方向制御するには、スイッチＱ１とスイッチＱ４とが同じ動作状態をとり、それとは反対の動作状態をスイッチＱ２とスイッチＱ３がとることが必要である。このように、第１および第２の差動スイッチ対５１，５２は、互いに相補的なスイッチング動作を行うことで、電流方向制御を可能とする。
【００６７】
ここでは、こうした第１および第２の差動スイッチ対５１，５２の動作制御を、差動制御手段５３が行うようになっている。差動制御手段５３は、第１および第２の差動スイッチ対５１，５２のうち一方の動作状態を差動センシングし、そのセンシング結果に基づいて他方の動作を制御する方法（例えば、スイッチＱ３，Ｑ４のオン／オフ状態に応じてスイッチＱ１，Ｑ２のオン／オフを制御する）で、これら２つの差動スイッチ対５１，５２を協働させる。
【００６８】
なお、差動制御手段５３は、一対のスイッチング素子からなる場合が最も簡易に構成することができる。またここでは基本的な動作を説明するため、差動制御手段５３をスイッチＱ５，Ｑ６からなるものとし、これを第３の差動スイッチ対と呼ぶことにしている。具体的には、スイッチＱ５，Ｑ６は、スイッチＱ３，Ｑ４を差動センシングし、さらにその結果に基づいて、スイッチＱ１，Ｑ２を、スイッチＱ２がスイッチＱ３と同じオン／オフ状態、スイッチＱ１がスイッチＱ４と同じオン／オフ状態となるように制御するようになっている。
【００６９】
次に、図５に基づいて、本実施の形態のカレントドライブの機能構成を図４と対比しながら説明する。ここで、図５は、本実施の形態におけるカレントドライブの具体的構成を示したものである。Ｘ方向カレントドライブ１０８Ｃ，Ｙ方向カレントドライブ１０６Ｃは、共に図示のように構成されており、トランジスタＱ１〜Ｑ６は、それぞれ、図４のスイッチＱ１〜Ｑ６に対応している。また、Ｘ方向カレントドライブ１０８ＣのドライブポイントＡ，ドライブポイントＢの間に、書込用ビット線６Ｘの両端が接続され、Ｙ方向カレントドライブ１０６ＣのドライブポイントＡ，ドライブポイントＢの間には書込用ビット線６Ｙの両端が接続されている。
【００７０】
先に説明した各差動スイッチ対５１〜５３の動作は、この具体的な回路上では、トランジスタＱ３，Ｑ５，Ｑ２の系と、トランジスタＱ４，Ｑ６，Ｑ１の系とで相補的に行われ、トランジスタＱ５，Ｑ６の差動センシングによって（トランジスタＱ３，Ｑ２）の組と（トランジスタＱ４，Ｑ１）の組のいずれか一方がオン状態、他方がオフ状態をとるようになっている。またさらに、トランジスタＱ３，Ｑ４は、ベース端子にデータ信号線１４（Ｄin），リファレンス信号線１５（Ｒef）が接続されており、書き込むべきデータに基づいてスイッチングするようになっている。すなわち、これらトランジスタＱ５，Ｑ６が、データ信号入力をきっかけに動作するトランジスタＱ３，Ｑ４のオン／オフ状態を差動センシングし、その結果に基づいて、トランジスタＱ１がトランジスタＱ４と、またトランジスタＱ２がトランジスタＱ３と同じ動作状態となるように、トランジスタＱ１，Ｑ２の動作制御を行うように構成されている。
【００７１】
一方、本実施の形態におけるカレントドライブの（２）書込線における定電流制御は、書込線６の接地側に設けられる電流量制御部５５によって行われる（図４参照）。電流量制御部５５は、書込線６よりもさらに接地側に設けられ、そこで書込線６から流れ出てくる電流の量を固定するようになっている。これすなわち書込線６における電流量であるから、書込線６では、その抵抗値によらず常に一定量の電流が流れることになる。なお、図４には、電流量制御部５５を、スイッチＱ３，Ｑ４と接地の間それぞれに設けられた定電流回路として表している。これは、機能を説明するための等価回路的な表現であり、実際の回路構成では、図５に示したようにトランジスタＱ３とトランジスタＱ４とに共通配線されている１つの定電流回路であってよい。
【００７２】
図５において、電流量制御部５５に対応する定電流回路は、トランジスタＱ８，抵抗器Ｒ４、および、ワードデコード線１６Ｘ（ビットデコード線１６Ｙ）に入力されるデコード信号電圧によって実現されている。すなわち、本実施の形態においては、カレントドライブ１０８Ｃ（１０６Ｃ）の前段で、ワードデコード線１６Ｘ（ビットデコード線１６Ｙ）に入力されるデコード信号が一定電圧、例えば１．５Ｖとなるように設計されていることから、トランジスタＱ８，抵抗器Ｒ４を流れる電流量は一定となる。このように、通常の定電流回路においてはバンドギャップリファレンス素子やカレントミラー回路が担う定電圧作用を、他の構成回路に移管することもでき、その分だけ１つの領域に構成する回路が簡素化される。なお、本実施の形態では、トランジスタＱ７，抵抗器Ｒ３もまた定電流回路の構成をとり、トランジスタＱ５，Ｑ６の総電流を規定するようになっている。また、抵抗器Ｒ３，抵抗器Ｒ４は、それぞれ、本発明の「第１の電流制限用抵抗器」，「第２の電流制限用抵抗器」に対応している。
【００７３】
このように、図４，図５に示した構成によって、カレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃは、書き込み電流に対する（１）方向制御機能、（２）定電流制御機能を兼ね備えることができ、書込線の抵抗ばらつきの影響を排除し、書込線に安定して定電流を供給することができる。従来のカレントドライブでは、前述のように、電流量制御は書込線に供給する前段で行うほかなく、これほど完全な制御はできなかった。なお、本実施の形態のカレントドライブの構成は、従来の変形例として示した２重の回路系（図２９（Ｃ））と同等とみなすことができる。その対称な機能構成を、対称な差動スイッチ対からなる１つの回路系により、一本の書込線について実現したものということができる。
【００７４】
以下、図５に示したカレントドライブの要素配置およびそれらの接続関係について説明する。
【００７５】
トランジスタＱ３，Ｑ４の各コレクタ端子と電源Ｖccとの間にはそれぞれ、電源Ｖcc側より、後段増幅用差動対として機能するトランジスタＱ１，Ｑ２のコレクタ−エミッタ間、トランジスタＱ５，Ｑ６のベース端子が接続され、さらに、書込用ワード線６Ｘ（または書込用ビット線６Ｙ）の両端が引き込まれるドライブポイントＡ，Ｂが設けられている。なお、トランジスタＱ１のベース端子はトランジスタＱ６の、トランジスタＱ２のベース端子はトランジスタＱ５のコレクタ側に、たすき掛け様に接続されている。
【００７６】
トランジスタＱ３，Ｑ４のエミッタ端子は、共に、直列に接続されたトランジスタＱ８のコレクタ−エミッタ間、抵抗器Ｒ４を介して接地されている。トランジスタＱ８は、デコード用半導体スイッチとして機能し、抵抗器Ｒ４は電流制限機能を有している。
【００７７】
トランジスタＱ３のベース端子には、書き込むべきデータに基づくデータ信号が入力されるデータ信号線１４（Ｄin）が接続されている。一方、トランジスタＱ４のベース端子には、データ信号を反転させたリファレンス信号が入力されるリファレンス信号線１５（Ｒef）が接続されている。なお、ここでは、各信号の入力により信号線１４，１５に流れる電流はそれぞれ、トランジスタＱ３，Ｑ４のベース−エミッタ間にすべて流れ込むようになっており、トランジスタＱ３，Ｑ４とトランジスタＱ８とからなる回路部分が差動増幅器として動作するようになっている。さらに、このトランジスタＱ３，Ｑ４を初めとするトランジスタ対を適正に差動動作させるため、データ信号およびリファレンス信号の電圧振幅は、トランジスタＱ３，Ｑ４の共通となったエミッタの電位に対して、一方はφ（Ｖ）だけ高く、他方は同電位以下、または高くともエミッタ電位を０．２Ｖ以下の範囲内で超える程度の値とする。
【００７８】
トランジスタＱ５，Ｑ６それぞれのコレクタ端子は、バイアス抵抗として機能する抵抗器Ｒ１，Ｒ２（第１，第２のバイアス抵抗器）を介して電源Ｖccに接続されている。また、エミッタ端子は、共に、トランジスタＱ７のコレクタ−エミッタ間、抵抗器Ｒ３に直列に接続され、さらに接地へと導かれている。このトランジスタＱ７もまた、デコード用半導体スイッチとして機能し、抵抗器Ｒ３は電流制限機能を有している。
【００７９】
さらに、トランジスタＱ７，Ｑ８のベース端子には、書き込み対象の記憶セル１２のアドレスデコード値が入力されるようになっている。すなわち、Ｘ方向カレントドライブ１０８Ｃの各々においては、トランジスタＱ７，Ｑ８のベース端子にワードデコード線１６Ｘ（１６Ｘ1 ，…，１６Ｘn ，…）が接続されている。ワードデコード線１６Ｘには、Ｘ方向アドレスデコーダ１０８Ａより、記憶セル１２のワード列Ｘn を選択するためのデコード値が入力される。Ｙ方向カレントドライブ１０６Ｃの各々においては、トランジスタＱ８，Ｑ７のベース端子にビットデコード線１６Ｙ（１６Ｙ1 ，…，１６Ｙn ，…）が接続されている。ビットデコード線１６Ｙには、Ｙ方向アドレスデコーダ１０６Ａより、記憶セル１２のビット列Ｙn を選択するためのデコード値が入力される。
【００８０】
（記憶セルの構成）
図６は、本実施の形態に係る記憶セルの構成を示す断面図である。各記憶セル１２の磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂは、ＧＭＲまたはＴＭＲを利用した磁気抵抗効果素子である。ここでは、一具体例として、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２ＢがＴＭＲ素子である場合について説明する。
【００８１】
記憶セル１２は、基板１０の上に左右１対の磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂが搭載されてなる。これらの磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂは、共に、第１の磁性層１，非磁性層２，第２の磁性層３が積層した積層体と、この積層体の一方の面側に積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に、書込線６Ｘ，６Ｙ（第１，第２の書込線）によって貫かれるように構成された環状磁性層５とを含んで構成されている。第２の磁性層３と環状磁性層５は、非磁性導電層４を介して接合され、電気的に接続されている。また、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂには、積層体の上面（環状磁性層５とは反対側の面）に読出センシング用導線１１が設けられ、積層体に対し、積層面に垂直方向の電流を基板１０に向かって流すことができるように構成されている。
【００８２】
第１の磁性層１は、磁化方向の固定された強磁性層であり、第２の磁性層３は、外部磁界によって磁化方向が変化する強磁性層（感磁層）である。これらは、数ｎｍ（数１０Å）と非常に薄い非磁性層２を挟んで積層されている。この積層体において、第１の磁性層１と第２の磁性層３との間に、積層面に垂直方向の電圧を印加すると、例えば第２の磁性層３の電子が非磁性層２を突き抜けて第１の磁性層１に移動してトンネル電流が流れる。すなわち、ここでの非磁性層２は、トンネルバリア層である。このトンネル電流は、非磁性層２との界面部分における第１の磁性層１のスピンと第２の磁性層３のスピンとの相対的な角度によって変化する。第１の磁性層１のスピンと第２の磁性層３のスピンとが互いに平行な場合に磁気抵抗効果素子１２Ａ（１２Ｂ）の抵抗値は最小、反平行のときに最大となる。
【００８３】
第２の磁性層３は、書込用ワード線６Ｘ，書込用ビット線６Ｙによる誘導磁界によって磁化が変化するようになっている。ここで、第２の磁性層３の磁化は、誘導磁界によって反転し、これにより第１の磁性層１の磁化との相対角度が反転するようになっている。また、書き込み対象の記憶セル１２の選択は、いわゆるマトリクス駆動法によって行うため、書込用ワード線６Ｘ，書込用ビット線６Ｙのいずれか一方だけではなく、これらの双方に対し電流が同方向に流れるときにのみ磁化反転が可能であるように、第２の磁性層３の磁気特性や寸法などが設定される。以上が、磁気抵抗効果素子１２Ａ（１２Ｂ）の基本構造である。
【００８４】
環状磁性層５は、図６において紙面に垂直方向の軸をもつ筒型の形状を有し、書込用ワード線６Ｘ，書込用ビット線６Ｙの互いに平行な部分を内包している。図７は、磁気抵抗効果素子が配設される領域における書込線の配線構造を表している。書込線６Ｘ，６Ｙは、その交差領域では、書込用ワード線６Ｘが曲折して書込用ビット線６Ｙと上下に平行となっており、この平行部分が環状磁性層５に内包されている。すなわち、この環状磁性層５の軸方向は、書込用ワード線６Ｘ，書込用ビット線６Ｙの延在方向であり、軸方向を横切る断面方向において閉じた環状となっている。
【００８５】
ここでは、平行となった書込用ワード線６Ｘ，書込用ビット線６Ｙの合成磁界を用いて第２の磁性層３の磁化を反転させるが、この誘導磁界の大きさは、書込用配線が交差する場合の合成磁界よりも大きい。そのため、書き込み動作を効率よく行うことができる。なお、書込線６Ｘ，６Ｙをその交差領域にて平行とするには、上記以外に、例えば図８のように左右に平行としてもよい。
【００８６】
また、環状磁性層５は、高透磁率磁性材料から構成され、内包する書込線６Ｘ，６Ｙの電流によって生じる磁束を層内部に閉じ込めることにより、第２の磁性層３の磁化方向を効率よく変化させる機能を有している。この環状磁性層５は、図示したように断面が閉ループを描き、発生した誘導磁界が、断面と平行な面に沿って層内を還流するようになっている。これにより、環状磁性層５は、外部に漏洩磁束を生じさせない電磁遮蔽効果を有している。また、ここでは、第２の磁性層３に一面で接するように構成されているために、磁界を第２の磁性層３に伝えやすく、高い磁束密度でもって近接する第２の磁性層３の磁化方向を一層効率よく変えることができるようになっている。
【００８７】
なお、磁気抵抗効果素子１２Ａ（１２Ｂ）の各々には、読み出し電流が、読出センシング用導線１１から積層体に流れ込み、環状磁性層５から基板１０へ通り抜けて流れるようになっている。よって、トンネル電流を流す非磁性層２を除いた積層体の各層、および非磁性導電層４，環状磁性層５には、導電性を有する材料が用いられる。第１の磁性層１、第２の磁性層３には、例えば、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）が用いられ、その他単体のコバルト（Ｃｏ）、コバルト白金合金（ＣｏＰｔ）、ニッケル鉄コバルト合金（ＮｉＦｅＣｏ）などを用いることができる。また、第１の磁性層１と第２の磁性層３は、磁化方向が互いに平行または反平行となる状態で安定化するため、互いの磁化容易軸を平行とすることが望ましい。
【００８８】
非磁性層２は、トンネル抵抗等を基にその厚みが決められる。一般に、ＴＭＲ素子を用いた磁気メモリ素子では、トランジスタなどの半導体デバイスとのマッチングを図るため、トンネル抵抗は数１０ｋΩ・（μｍ）² 程度が適当とされる。しかし、磁気メモリデバイスにおける高密度化および動作の高速度化を図るためには、トンネル抵抗は、１０ｋΩ・（μｍ）² 以下、さらに好ましくは１ｋΩ・（μｍ）² 以下とすることが好ましい。そうしたトンネル抵抗値を実現するためには、非磁性層（トンネルバリア層）２の厚みは２ｎｍ以下、さらに好ましくは１．５ｎｍ以下とすることが望ましい。ただし、非磁性層２の厚みをあまり薄くすると、トンネル抵抗を低減することができる一方で、第１の磁性層１および第２の磁性層３との接合界面の凹凸に起因するリーク電流が生じ、ＭＲ比が低下してしまうおそれがある。これを防止するため、非磁性層２の厚みは、リーク電流が流れない程度の厚みを有する必要があり、具体的には０．３ｎｍ以上の厚みであることが望ましい。
【００８９】
非磁性導電層４は、第２の磁性層３と環状磁性層５とを反強磁性結合させるように機能するものであり、例えば、ルテニウム（Ｒｕ），銅（Ｃｕ）などが用いられる。また、環状磁性層５には、鉄（Ｆｅ）、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）、Ｃｏ，ＣｏＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ等を用いることができる。書込線６Ｘ，６Ｙによる磁界を環状磁性層５に集中させるために、環状磁性層５の透磁率はできるだけ大きいほうが好ましく、具体的には２０００以上、より好ましくは６０００以上である。
【００９０】
書込線６は、アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）またはこれらの合金で構成され、絶縁膜によって互いに電気的に絶縁されている。なお、書込線６は、タングステン（Ｗ）と上記材料の少なくとも１種からなるようにしてもよく、その他、チタン（Ｔｉ），窒化チタン（ＴｉＮ），アルミニウム（Ａｌ）が順に積層された構造としてもよい。
【００９１】
なお、後の動作説明において詳述するが、記憶セル１２においては、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂの一方を低抵抗、他方を高抵抗として情報を記憶する。これは、２つの磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂからの出力を差動増幅して読み出すためにほかならない。よって、対をなす磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂは、抵抗値、磁気抵抗変化率、および第２の磁性層３の反転磁界の大きさが等しくなるように製造される必要がある。
【００９２】
磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂが形成される基板１０の上には、エピタキシャル層９が形成され、さらにその上に導電層８および絶縁層７が形成されている。導電層８は、絶縁層７を介して互いに絶縁された導電層８Ａ，８Ｂからなる。磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂは、導電層８および絶縁層７の上面に形成されるが、それぞれ、その形成領域の少なくとも一部が導電層８Ａ，８Ｂの形成領域と重なるように位置決めされる。よって、磁気抵抗効果素子１２Ａと磁気抵抗効果素子１２Ｂとは、分離絶縁されている導電層８Ａ，８Ｂにそれぞれ個別に接合され、互いに電気的に絶縁されている。すなわち、ここでは、磁気抵抗効果素子１２Ａと磁気抵抗効果素子１２Ｂが、電気的に非導通であるように配線がなされている。
【００９３】
また、ここでは、基板１０をｎ型シリコンウエハとする。一般に、ｎ型シリコンウエハにはＰ（燐）の不純物拡散が施されており、基板１０としては、Ｐ（燐）の高濃度拡散によりｎ⁺⁺型となっているものを用いる。これに対し、エピタキシャル層９は、Ｐ（燐）が低濃度拡散されてｎ^- 型となるようにする。また、導電層８には金属を用いる。このとき、ｎ^- 型半導体であるエピタキシャル層９と、金属の導電層８とを接触させると、バンドギャップが生じてショットキーダイオードが形成される。これが、本実施の形態の読み出し回路における逆流防止用ダイオード１３Ａ，１３Ｂである。
【００９４】
逆流防止用ダイオード１３Ａ，１３Ｂは、読み出し電流が逆流し、基板１０側から磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂを通過して流れることを防止するために設けられている。なお、磁気抵抗効果素子１２Ａ，逆流防止用ダイオード１３Ａと、磁気抵抗効果素子１２Ｂ，逆流防止用ダイオード１３Ｂとは、互いに絶縁された状態にある。
【００９５】
〔読み出し回路の構成〕
図９は、記憶セル群とその読み出し回路からなる回路系の構成図である。この読み出し回路系は、記憶セル１２が１対の磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂからなる差動増幅型である。ここでは、各記憶セル１２の情報読み出しを、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂそれぞれに流すセンシング電流（センス用ビットデコード線２１Ａ，２１Ｂから磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂそれぞれに流入し、共通のセンス用ワードデコード線３１に流出する電流）の差分値を出力として行うようになっている。
【００９６】
同図において、記憶セル群１０４のビット列Ｙn ごとの記憶セル１２と、センスアンプ１０６Ｂを含む読み出し回路の一部が、読み出し回路の繰り返し単位であるビット方向単位読出回路８０（…，８０n ，８０n+1 ，…）を構成しており、ビット列方向に並列に配置されている。ビット方向単位読出回路８０の各々では、センス用ビットデコード線２１Ａ，２１ＢがＹ方向アドレスデコーダ１０６Ａにビットデコード線２０（…，２０n ，２０n+1 ，…）を介して接続され、センスアンプ１０６Ｂが出力バッファ１０２Ｂに読み出し用データバス１１２を介して接続されている。なお、同図にはスペースが足りず、ビット方向単位読出回路８０の全体を描くことができないため、２列で代表させて描いている。記憶セル群１０４についても同様で、ビット列Ｙn ，Ｙn+1 の２列で代表させている。
【００９７】
記憶セル群１０４には、Ｘ方向に配列されるセンス用ワードデコード線３１（以後、センスワード線と略称）と、Ｙ方向に配列される１対のセンス用ビットデコード線２１Ａ，２１Ｂ（以後、センスビット線と略称）とによりマトリクス状の配線がなされている。個々の記憶セル１２は、これらの交差位置に配設され、共通のセンスビット線２１Ａ，２１Ｂに並列接続されている記憶セル１２がビット列Ｙn を構成し、共通のセンスワード線３１にカスケード接続されている記憶セル１２がワード列Ｘn を構成している。１つの記憶セル１２では、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂのそれぞれは、一端が読出用センシング導線１１を介してセンスビット線２１Ａ，２１Ｂに接続され、他端が逆流防止用ダイオード１３Ａ，１３Ｂを介して共通のセンスワード線３１に接続されている。
【００９８】
センスビット線２１Ａ，２１Ｂの一端側（電源Ｖcc側）には、それぞれ、電流電圧変換用抵抗器２３Ａ，２３Ｂ（以後、抵抗器２３Ａ，２３Ｂ）、およびトランジスタ２２Ａ，２２Ｂのコレクタ−エミッタ間が直列に接続されている。このトランジスタ２２Ａ，２２Ｂは、ベース側にビットデコード線２０が接続されており、ビットデコード線２０から入力される選択信号の値（ビットデコード値）に応じて開閉するスイッチング機能を備えている。
【００９９】
また、センスビット線２１Ａ，２１Ｂに接続された抵抗器２３Ａ，２３Ｂの電源Ｖccと反対側の端部における接続点からは、センスアンプ入力線４０Ａ，４０Ｂ（以後、入力線４０Ａ，４０Ｂ）が導出されている。ここで、抵抗器２３Ａ，２３Ｂは、センスアンプ１０６Ｂのバイアス抵抗として機能する。センスアンプ１０６Ｂは、ビット方向単位読出回路８０につき１つ設けられ、それ自体は１対のセンスビット線２１Ａ，２１Ｂの間の電位差を取り込み、この電位差を増幅する差動増幅器として構成されている。各センスアンプ１０６Ｂは、入力線４０Ａ，４０Ｂにより対応するセンスビット線２１Ａ，２１Ｂに接続されると共に、すべては共通のセンスアンプ出力線４１Ａ，４１Ｂ（以後、出力線４１Ａ，４１Ｂ）にカスケード状に接続され、最後に読み出し用データバス１１２により出力バッファ１０２Ｂに接続されている。なお、トランジスタ２２Ａ，２２Ｂ、抵抗器２３Ａ，２３Ｂ、およびセンスアンプ１０６Ｂにおいては、対をなす素子同士の特性がよく揃っている必要がある。
【０１００】
センスワード線３１の各々には、同じワード列Ｘn （Ｘ1 ，Ｘ2 ，…）に配列された記憶セル１２が接続されている（ただし、ここでは、記憶セル１２とセンスワード線３１との間に、逆流防止用ダイオード１３Ａ，１３Ｂが配設されている）。また、センスワード線３１の接地側には、トランジスタ３３のコレクタ−エミッタ間，ならびに電流制限抵抗器３４が直列接続されている。トランジスタ３３は、ベース端子にワード列Ｘn に対応するワードデコード線３０（…，３０n ，３０n+1 ，…）が接続され、Ｘ方向アドレスデコーダ１０８Ａからベース入力される選択信号の値（ビットデコード値）に応じて開閉するスイッチとして機能する。
【０１０１】
また、ここでは、ダイオード３２，トランジスタ３３，電流制限抵抗器３４により定電流回路１０８Ｂが構成されている。定電流回路１０８Ｂは、センスワード線３１を流れる電流を一定とする機能を有している。ダイオード３２は、この場合、２個のダイオードが直列に接続したものとなっている。
【０１０２】
次に、図１０〜図１２を参照し、本実施の形態における磁気メモリデバイスの回路配置パターンについて説明する。
【０１０３】
図１０は、記憶セル群周辺の駆動回路部の実装の様子を表している。Ｘ方向駆動回路部１０８，Ｙ方向駆動回路部１０６は、記憶セル群１０４の各一辺に形成され、それらの外周部にボンディングパッド１２１が設けられている。ここで、Ｘ方向駆動回路部１０８は、Ｘ方向アドレスデコーダ１０８Ａ，定電流回路１０８ＢおよびＸ方向カレントドライブ１０８Ｃの各ワード列Ｘn （Ｘ1 ，Ｘ2 ，…）に対応する回路を１構成単位として成り立っている。Ｙ方向駆動回路部１０６においても同様に、Ｙ方向アドレスデコーダ１０６Ａ，センスアンプ１０６ＢおよびＹ方向カレントドライブ１０６Ｃの各ビット列Ｙn （Ｙ1 ，Ｙ2 ，…）に対応する回路が１構成単位となっている。ここでは、Ｘ方向駆動回路部１０８，Ｙ方向駆動回路部１０６の１構成単位を、対応するワード列Ｘn ，ビット列Ｙn ごとにまとめたものを、単位駆動回路ＤＵn （ＤＵ1 ，ＤＵ2 ，…）とする。また、Ｘ方向，Ｙ方向それぞれの単位駆動回路ＤＵn の幅は、記憶セル１２の幅（Ｘ方向にはＷ1 ，Ｙ方向にはＷ2 ）の寸法内に収まるように形成されており、これらの単位駆動回路ＤＵn は、対応するワード列Ｘn またはビット列Ｙn の端部にちょうど配置されるようになっている。
【０１０４】
図１１は、そのうちＹ方向の単位駆動回路内の回路配置を表している。Ｙ方向アドレスデコーダ１０６Ａの回路エリアは、電源ライン１２２（Ｖcc）と、中間電位の電源ライン１２３（Vm），グラウンドライン１２４(GND) との間に形成される。中間電位の電源ライン１２３（Vm）は、バンドギャップ＋２φに対応した電圧を電流制限用トランジスタなどに中間電位を与えるようになっている。この電源ライン１２３は、Ｘ方向の場合には、定電流回路１０８Ｂにも中間電位を与える。この回路エリア内にはアドレス線１０５が横断するように延在しており、これらに各単位駆動回路ＤＵn のアドレスデコーダ１０６Ａが接続されている。また、センスアンプ１０６Ｂの回路エリアは、電源ライン１２５と、中間電位の電源ライン１２３，グラウンドライン１２４との間に形成される。
【０１０５】
Ｙ方向カレントドライブ１０６Ｃの回路エリアは、電源ライン１２５と、中間電位の電源ライン１２６，グラウンドライン１２７との間に形成される。このエリア内には、データ信号線１４，リファレンス信号線１５が横断するように延在しており、これら信号線に各単位駆動回路ＤＵn のカレントドライブ１０６Ｃが接続されている。
【０１０６】
なお、Ｘ方向の単位駆動回路ＤＵn の回路配置もこれとほぼ同様であり、Ｙ方向の単位駆動回路の各回路１０６Ａ〜１０６Ｃがそれぞれ回路１０８Ａ〜１０８Ｃに対応したものとなる。
【０１０７】
図１２は、Ｙ方向の単位駆動回路のうち、さらにカレントドライブのみの回路パターン配置を具体的に示している。カレントドライブ１０６Ｃの各構成要素は、記憶セル１２の幅Ｗ２の範囲内に集積されている（ビットデコード線１６Ｙは、電源ライン１２５を通り過ぎ、Ｙ方向アドレスデコーダ１０６Ａに接続されている。）。また、トランジスタＱ５，Ｑ６、トランジスタＱ１，Ｑ２、トランジスタＱ３，Ｑ４の３つのトランジスタ対、および抵抗器Ｒ１，Ｒ２、抵抗器Ｒ３，Ｒ４のそれぞれは、特性が揃っていることが動作上重要であるが、さらに実際の回路パターンにおいても対象に配置されている。これら素子対は、予め特性を揃えることは勿論であるが、それでも各回路素子の設置場所の温度条件が異なる場合などに、出力特性が異なってくることがある。これに対し、本実施の形態では、対をなす素子同士を近接し、かつ対称となるように配置しているので、共に同じ温度変化を受けるために互いの特性は同様に変化し、差がほとんど生じないようになっている。よって、温度変化によって生じる出力値のばらつきを、低減させることができる。
【０１０８】
次に、以上のような構成の磁気メモリデバイスの動作を説明する。
〔記憶セルに対する書き込み動作〕
まず、この記憶セル１２における情報記憶方式について説明する。
【０１０９】
記憶セル１２では、１対の磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂの第１の磁性層１は共に右方向に磁化が固定されているが、第２の磁性層３は互いに反平行となる向きに磁化される。このため、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂにおいては、それぞれの第１の磁性層１と第２の磁性層３の磁化方向の組み合わせは、必ず（反平行，平行）か、（平行，反平行）となる。図１３，図１４は、これらの各状態を表している。ここでは、それぞれの状態に２値情報「０」，「１」を対応させ、記憶セル１２をいずれかの状態とすることで、１つの記憶セル１２に１ビットの情報を記憶する。また、磁気抵抗効果素子１２Ａ（１２Ｂ）は、第１の磁性層１と第２の磁性層３の磁化方向が平行であれば、大きなトンネル電流が流れる低抵抗状態となり、反平行であれば小さなトンネル電流しか流れない高抵抗状態となる。つまり、対をなす磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂは、必ず一方が低抵抗で、他方が高抵抗となって情報を記憶する。
【０１１０】
これら２つの記憶状態は、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂそれぞれの第２の磁性層３の磁化方向を互いに反平行とすることで書き込まれるが、そのためには、書込線６Ｘ，６Ｙに対し、磁気抵抗効果素子１２Ａと磁気抵抗効果素子１２Ｂとで相対的に逆向きの電流を流す。
【０１１１】
例えば、ビット列Ｙn ，ワード列Ｘn の記憶セル１２に、図１３に示した記憶状態を書き込むには、図１５に示したように書き込み電流を流せばよい。このように、カレントドライブ１０８Ｃからは、ドライブポイントＡ→Ｂの向きで書込用ワード線６Ｘn に電流を流し、カレントドライブ１０６Ｃからは、ドライブポイントＢ→Ａの向きで書込用ビット線６Ｙn に電流を流すと、書込用ワード線６Ｘn の曲折により、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂの領域では、互いの向きが揃い、かつ、磁気抵抗効果素子１２Ａと磁気抵抗効果素子１２Ｂとでは相対的に逆向きとなった書き込み電流が流れる。
【０１１２】
この書き込み電流により、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂそれぞれの環状磁性層５には、図１３に示したように互いに逆向きに還流する磁界が誘導され、第２の磁性層３との対向面における磁化（つまり誘導磁界の向き）は互いに反平行となる。磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂそれぞれの第２の磁性層３の磁化は、この外部から与えられる磁界の向きに従って反平行となり、その磁化状態が環状磁性層５との反強磁性結合により固定される。この場合、磁気抵抗効果素子１２Ａが高抵抗、磁気抵抗効果素子１２Ｂが低抵抗となっている。
【０１１３】
図１４に示した記憶状態を書き込むには、図１６のように、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂに、この場合と逆向きに電流を流すようにすればよい。記憶セル１２は、この場合の磁気抵抗効果素子１２Ａと磁気抵抗効果素子１２Ｂが入れ替わったように動作し、書き込みが行われる。
【０１１４】
なお、ここでは、誘導磁界は環状磁性層５の内部に閉じ込められることから、第２の磁性層の磁化反転に寄与する実効的な磁界強度は、従来に比して大きくなる。その結果、第２の磁性層３の磁化反転を、必要十分な磁界強度で行い、その磁化を所定の方向に対し、十分な大きさとなるように揃えることができる。これにより、効率よい書き込み動作ができる。同時に、誘導磁界は、書き込み対象の素子１２Ａ（１２Ｂ）の外に漏れないために、隣接する記憶セル１２においては、第２の磁性層３の磁化方向が外部擾乱磁界により乱されるおそれが低減され、一旦書き込まれた情報が予期せず消されたり、書き換えられたりすることが防止される。よって、情報を確実に書き込むことができる。
【０１１５】
次に、こうした記憶方式に基づいて行う情報の書き込み方法を説明する。
【０１１６】
この磁気メモリデバイスでは、まず、アドレスバッファ１０１が外部データ端子Ａ0 〜Ａ20に入力される選択信号の電圧を取り込んで内部バッファで増幅し、アドレス線１０５，１０７を通じてＸ方向、Ｙ方向のアドレスデコーダ１０８Ａ，１０６Ａに伝達する（図１）。同時に、データバッファ１０２が外部データ端子Ｄ0 〜Ｄ7 に入力されるデータ信号の電圧を取り込んで内部バッファで増幅し、書き込み用データバス１１０，１１１を通じてＸ方向、Ｙ方向のカレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃに伝達する。
【０１１７】
アドレスデコーダ１０８Ａ，１０６Ａは、選択信号に対応するデコード値を、対応するワードデコード線１６Ｘ、ビットデコード線１６Ｙに送出する。ここでは、デコード値はワードデコード線１６Ｘn 、ビットデコード線１６Ｙn に送出される。これにより、信号が入力されるカレントドライブ１０８Ｃ、１０６ＣではトランジスタＱ７，Ｑ８が導通状態となり（図５）、駆動対象として選択される。
【０１１８】
また、カレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃそれぞれのデータ信号線１４には、データバッファ１０２からのデータ信号がそれぞれ入力され、リファレンス信号線１５には、これを反転させた信号が入力される。これにより、カレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃは、書き込む２値情報に応じて、書込用ワード線６Ｘ，書込用ビット線６Ｙに流す電流の向きを決定する。
【０１１９】
（カレントドライブの動作）
書き込み回路系の具体的動作は、図１３，図１５に例示した記憶状態に即して説明する。図１７は、選択されたカレントドライブ１０８Ｃにおけるタイミングチャートを示している（この動作時にはトランジスタＱ７，Ｑ８は常に導通状態であるため、図示していない）。なお、以下の動作過程は、ほぼ同時に引き起こされるが、段階的に説明するため、各過程ごとに微少時間Δｔ1 ，Δｔ2 が経過するものとしている。また、図１８は、選択されたワード列Ｘn のカレントドライブ１０８Ｃにおける各トランジスタのスイッチング状態を表している。
【０１２０】
カレントドライブ１０８Ｃは、データ信号線１４に“Ｌｏｗ”のデータ信号が入力され、リファレンス信号線１５にはその反転信号である“Ｈｉｇｈ”のリファレンス信号が入力される。これにより、まず、トランジスタＱ３のベース端子に“Ｌｏｗ”の電圧レベルが、トランジスタＱ４のベース端子に“Ｈｉｇｈ”の電圧レベルが与えられ、トランジスタＱ３はオフ状態、トランジスタＱ４はオン状態となる。
【０１２１】
トランジスタＱ４がオン状態となると、トランジスタＱ６では、ベース電圧が降下し、エミッタ端子の電位と変わらなくなる。これにより、トランジスタＱ６はオフ状態となる。一方、トランジスタＱ３はオフ状態であるために、トランジスタＱ５では、ベース端子はエミッタ端子に対して相対的に高い電圧がかかることになる。これにより、トランジスタＱ５はオン状態となる。
【０１２２】
さらに、トランジスタＱ５がオン状態となる結果、トランジスタＱ２のベース電圧は降下し、トランジスタＱ６がオフ状態であることから、トランジスタＱ１のベース電圧は相対的に高くなる。これにより、トランジスタＱ１は、より多くの電流を流すという意味でのオン状態、トランジスタＱ２は、より少ない電流しか流れないという意味でのオフ状態となる。つまり、実際にはトランジスタＱ５，Ｑ６のオン／オフがベース端子の電圧レベルに与える影響により、トランジスタＱ１は多くの電流を流すのに対し、トランジスタＱ２はわずかな電流しか流さないように動作する。
【０１２３】
このように、データ信号とリファレンス信号入力により、まず第２の差動スイッチ対であるトランジスタＱ３，Ｑ４が動作し、その動作状態に応じて第３の差動スイッチ対であるトランジスタＱ５，Ｑ６、第１の差動スイッチ対であるトランジスタＱ１，Ｑ２が次々と差動動作することによって、第１の差動スイッチ対（Ｑ１，Ｑ２）のオン／オフと、第２の差動スイッチ対（Ｑ３，Ｑ４）のオン／オフが互いに相補的な組み合わせとなる。また、いずれがオンでいずれがオフかは、データ信号値に応じて選択されている。
【０１２４】
トランジスタＱ１〜Ｑ６の一連の動作の結果、電源Ｖccからの電流は、トランジスタＱ１，Ｑ２のうちオン状態であるトランジスタＱ１の側を流れ、ドライブポイントＡに流入する。トランジスタＱ３はオフ状態であるため、この電流は、ドライブポイントＡから書込用ワード線６Ｘn に流れ、ドライブポイントＢから流出し、オン状態であるトランジスタＱ４を通過して接地側へ流れ込む。
【０１２５】
すなわち、第１の差動スイッチ対ではトランジスタＱ１がオン、トランジスタＱ２がオフとなることで、ドライブポイントＡが、書込用ワード線６Ｘn の電流流入側に選択されている。一方、第２の差動スイッチ対では、第１の差動スイッチ対とは相補的にトランジスタＱ３がオフ、トランジスタＱ４がオンとなることで、反対側のドライブポイントＢが、書込用ワード線６Ｘn の電流流出側に選択されている。このようにして、カレントドライブ１０８Ｃから書込用ワード線６Ｘn に対し、ドライブポイントＡ→Ｂの向きの書き込み電流が供給される。
【０１２６】
また、以上の動作によってわかるように、第１および第２の差動スイッチ対（Ｑ１〜Ｑ４）および書込用ワード線６Ｘn で構成される書き込み電流の経路と、第３の差動スイッチ対（Ｑ５，Ｑ６）に流れる電流の経路とは、互いに独立している。また、書き込み電流の経路はトランジスタＱ８，抵抗器Ｒ４を介して接地に導かれ、第３の差動スイッチ対の電流経路は、トランジスタＱ７，抵抗器Ｒ３を介して接地に導かれている。
【０１２７】
ここで、トランジスタＱ８，抵抗器Ｒ４の経路へ流入する書き込み電流の大きさＩは、抵抗器Ｒ４の抵抗値をＲｃとすれば、次式で与えられる。
Ｉ（Ａ）＝（Ｖb −φ´）（Volt）／Ｒｃ（Ω） …（１）
Ｖb はトランジスタＱ８のベース端子に入力される電圧レベル、φ´はトランジスタＱ８のベース−エミッタ間の順方向電圧である。これらが固定値であることから、抵抗値Ｒｃが決まれば流れる電流は一定値となること、抵抗値Ｒｃをパラメータとして電流値は一意に決めることができることがわかる。このように、トランジスタＱ８は、デコード用スイッチとして働くだけでなく、抵抗器Ｒ４と共に、電流を直接の制御対象とした定電流回路として作用する。
【０１２８】
これにより、書き込み電流は、書込用ワード線６Ｘn より流出した経路上にて値が固定されることから、書込用ワード線６Ｘn においては常に一定値で流れるものとなる。
【０１２９】
なお、本実施の形態のカレントドライブ１０８Ｃでは、書込用ワード線６Ｘに流れる電流は常に一定値に制御されているので、書込用ワード線６Ｘの抵抗値が変動すれば、ドライブポイントＡ，ドライブポイントＢ間の電位差が連動して変化することになる。この例のように駆動した場合では、書込用ワード線６Ｘの抵抗値が大きいほどドライブポイントＡの電位は高く、ドライブポイントＢの電位は低くなり、書込用ワード線６Ｘに流れる電流量を一定に保つように動作しようとする。このとき、ドライブポイントＡの電位は、トランジスタＱ１がオン、トランジスタＱ３がオフなので、電源電圧に近く、ドライブポイントＢの電位は、トランジスタＱ２がオフ、トランジスタＱ４がオンなので、トランジスタＱ４のエミッタ電位に近い。すなわち、一旦データ信号およびリファレンス信号が入力され、トランジスタＱ３，Ｑ４のエミッタ電位が決まれば、ドライブポイントＡ，Ｂの各電位は、データ信号，リファレンス信号等の入力信号電圧にはよらずに、トランジスタＱ１〜Ｑ６の動作に伴って電源電圧からエミッタ電位までの間の値に決まる。よって、ドライブポイントＡ，Ｂ間の電位差は、広範な変動が可能である。
【０１３０】
こうした電位変動は、同時に、トランジスタＱ５，Ｑ６のベース電圧に影響する。トランジスタＱ５はより多くの電流を流し、トランジスタＱ６はより少ない電流を流すようになり、いわば、この差動対の開閉バランスがより大きく傾くようになる。その結果、トランジスタＱ２は、ベース電位が下がり、ドライブポイントＢと接続されたエミッタ側で電位が低下していてもオフ状態を保持することができる。同様に、トランジスタＱ１は、ベース電位が上がり、ドライブポイントＡと接続されたエミッタ側で電位が上昇していてもオン状態を保持することができる。このように、ドライブポイントＡ，Ｂ間の電位差（書込用ワード線６Ｘの抵抗値）が変動したとしても、第３の差動スイッチ対（Ｑ５，Ｑ６）が差動増幅器として働き、第１の差動スイッチ対（Ｑ１，Ｑ２）の動作状態を、電位変動分に応じて自動的に微調整するため、第１ないし第３の差動スイッチ対（Ｑ１〜Ｑ６）全体の開閉バランスを適正に保ち続けることができ、上述のドライブポイントＡ，Ｂの広範な電位変動が保障されるようになっている。
【０１３１】
このようにして、カレントドライブ１０８Ｃは、ドライブポイントＡ，Ｂに両端を引き込んだ書込用ワード線６Ｘn に対し、一端を電流流入側、他端を流出側として選択する電流方向制御を行うと共に定電流制御を行い、ドライブポイントＡ→Ｂの方向に一定電流を安定的に供給する。なお、こうした作用は、その他の書込線６Ｘ，６Ｙに対するカレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃの各々についても同様である。
【０１３２】
一方、この場合に選択されたカレントドライブ１０６Ｃでは、書込用ビット線６Ｙn に対し、ドライブポイントＢ→Ａの向きに電流を流す。それには、データ信号線１４に“Ｈｉｇｈ”のデータ信号を、リファレンス信号線１５に“Ｌｏｗ”のリファレンス信号を入力すればよい。これにより、第１ないし第３の差動スイッチ対（トランジスタＱ１〜Ｑ６）は、上記カレントドライブ１０８Ｃの場合とは反対にスイッチングし、書き込み電流は、トランジスタＱ２からドライブポイントＢに流入し、書込用ワード線６Ｙn を通ってドライブポイントＡから流出して、トランジスタＱ３に流れ込む。
【０１３３】
こうして、カレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃによって、書込用ワード線６Ｘn ，書込用ビット線６Ｙn に対し、図１５に示した方向の書き込み電流が供給される。これにより、ビット列Ｙn ，ワード列Ｘn の記憶セル１２が選択され、この記憶セル１２には、供給される書き込み電流の方向に従い、図１３の状態で表されるビットデータが書き込まれる。このときの書き込み電流は、必ず所定値となることから、書き込み動作は安定して行われる。
【０１３４】
図１４に示した記憶セルのもう１つの記憶状態は、図１６に示したように、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂそれぞれにおける書き込み電流を、前述の図１５の場合とは反対方向に供給することで書き込まれる。すなわち、カレントドライブ１０８Ｃは、書込用ワード線６Ｘn に対し、ドライブポイントＢ→Ａの向きに電流を流し、カレントドライブ１０６Ｃは、書込用ビット線６Ｙn に対し、ドライブポイントＡ→Ｂの向きに電流を流すようにする。
【０１３５】
そのためには、カレントドライブ１０８Ｃのデータ信号線１４には“Ｈｉｇｈ”のデータ信号を、リファレンス信号線１５には“Ｌｏｗ”のリファレンス信号を入力すればよい。これにより、カレントドライブ１０８ＣのトランジスタＱ１〜Ｑ６は、前述の場合とは反対の状態にスイッチングし、書き込み電流はトランジスタＱ２から書込用ワード線６Ｘn を通ってトランジスタＱ３に流れ込む。一方のカレントドライブ１０６Ｃは、このときのカレントドライブ１０８Ｃとは逆に、データ信号線１４に“Ｌｏｗ”のデータ信号を、リファレンス信号線１５に“Ｈｉｇｈ”のリファレンス信号を入力して駆動させる。これにより、記憶セル１２では、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂの第２の磁性層３の磁化方向が互いに向き合うようにして反平行となる。
【０１３６】
なお、この磁気メモリデバイスは、個々のカレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃが記憶セル１２と同じ幅Ｗ１，Ｗ２の領域内に集積配置されているため、そのうち対をなす素子同士は動作中の温度変化もほぼ等しくなる。これにより、駆動中の温度変化によって生じる書き込み電流値の変動が抑えられる。
【０１３７】
〔読み出し動作〕
この磁気メモリデバイスでは、記憶セル１２に書き込まれた情報は以下のようにして読み出される（図９参照）。
【０１３８】
各記憶セル１２は、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂが２通りの反平行磁化のいずれかとなって情報が記憶された状態にある。情報を読み出す記憶セル１２は、そのアドレスに対応して、Ｙ方向はビットデコード線２０、Ｘ方向はワードデコード線３０に選択信号が入力されることで選択される。例えば、選択する記憶セル１２がＹn 列，Ｘn 行にある場合、Ｙn 番目のビットデコード線２０n とＸn 番目のワードデコード線３０n に信号を入力する。
【０１３９】
ビットデコード線２０n における電圧レベルを”Ｈｉｇｈ”とすると、トランジスタ２２Ａ，２２Ｂが導通状態となり、記憶セル１２のＹn 番目の列方向ブロック（ビット列Ｙn ）にセンシング電流が流れる。センシング電流は、センスビット線２１Ａ，２１Ｂを電源Ｖcc側からその反対側に向かって流れ下る。一方、ワードデコード線３０n における電圧レベルを”Ｈｉｇｈ”とすると、トランジスタ３３が導通状態となり、記憶セル１２のＸn 番目の行方向ブロック（ワード列Ｘn ）に電流が流れることが許される。
【０１４０】
よって、センシング電流は、Ｙn 番目のセンスビット線２１Ａ，２１Ｂから、それぞれ磁気抵抗効果素子１２Ａとダイオード１３Ａ，磁気抵抗効果素子１２Ｂとダイオード１３Ｂを通り、共にＸn 番目のセンスワード線３１へと流れ込み、さらに、定電流回路１０８Ｂを構成するトランジスタ３３のコレクタ−エミッタ間を通り、抵抗器３４から接地へと抜ける。
【０１４１】
情報の読み出しは、記憶セル１２の磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂそれぞれに流れる電流値の差分を検出することによって行われる。これらに流れる電流は、センスビット線２１Ａ，２１Ｂを流れるセンシング電流にほぼ等しく、センシング電流の値は、センスビット線２１Ａ、２１Ｂに直列接続された抵抗器２３Ａ，２３Ｂの電圧降下によって電圧に変換して検出することができる。そこで、ここでは読み出し信号として、抵抗器２３Ａと抵抗器２３Ｂの電圧降下をそれぞれ入力線４０Ａ，４０Ｂから取り出し、その差分を検出する。このように、２つの磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂを用い、それぞれの出力値の差分を取り出すことで、記憶セル１２としては、雑音が除去された大きな出力値が得られる。
【０１４２】
さらに、入力線４０Ａ，４０Ｂから取り出す電位差をセンスアンプ１０６Ｂで差動増幅することにより、値が一層大きく、かつＳ／Ｎの良い出力が得られる。出力線４１Ａ，４１Ｂには、各ビット方向単位読出回路８０（…，８０n ，８０n+1 ，…）のセンスアンプ１０６Ｂがカスケード接続されているが、対応するセンスアンプ１０６Ｂがビットデコード線２０の選択と同時にアクティブとなり、そのコレクタ出力だけが出力線４１Ａ，４１Ｂに送出される。
【０１４３】
センスアンプ１０６Ｂの出力は、出力線４１Ａ，４１Ｂ、読み出し用データバス１１２を経由して、最終的には出力バッファ１０２Ｂに入力される。出力バッファ１０２Ｂは、入力された信号電圧を、増幅すると共に２値の電圧信号として外部データ端子Ｄ0 〜Ｄ7 から出力する。
【０１４４】
この読み出し動作において、選択された記憶セル１２に対するセンシング電流の大きさは、定電流回路１０８Ｂにより一定範囲内に収められる。すなわち、センスワード線３１に流れる電流、もといセンスビット線２１Ａとセンスビット線２１Ｂ、もしくは磁気抵抗効果素子１２Ａと磁気抵抗効果素子１２Ｂの双方を流れる電流の総和が、一定範囲内の値をとる。これにより、センスビット線２１Ａ，２１Ｂの各電流値は、一定に規格化された電流量を磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂの抵抗比に応じて分配したものとなる。そのため、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂの抵抗値がばらついていたとしても、センスビット線２１Ａ，２１Ｂの各々における電流のぶれは総電流値に応じて常に一定の範囲内に押さえ込まれ、安定した差動出力が得られる。
【０１４５】
また、各磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂの電流経路上に設けられているダイオード１３Ａ，１３Ｂは、電流がセンスワード線３１から磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂへと逆流することを防止している。よって、磁気抵抗効果素子１２Ａ（１２Ｂ）を逆流する回り込み電流成分の発生経路が遮断され、読み出し信号のＳ／Ｎ比向上に寄与する。
【０１４６】
このように本実施の形態においては、カレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃを、ドライブポイントＡ，Ｂに書込線６Ｘ，６Ｙの両端を引き込み、このループ上に（１）データ信号に応じた向きに方向を切り換えて電流を流すと共に、（２）その電流量を、書込線より流出後に定電流制御するように構成したので、書込線６Ｘ，６Ｙには、双方向に、その抵抗ばらつきによらず一定の大きさで電流を供給することができる。よって、この磁気メモリデバイスでは、各記憶セル１２に対する情報書き込みには常に一定電流が用いられることから、十分な強度の誘導磁界によって確実に書き込むことや、隣接する記憶セル１２への漏洩磁界を設定範囲内に抑えることを、制御性よく行い、安定した書き込み動作を行うことができる。なお、記憶セルの高集積化に伴って書込線が微細化されるにつれて、その製造上の抵抗ばらつきは一層大きくなることが予想され、今後は、書き込み電流に対する抵抗ばらつきの影響がより顕在化する傾向にある。このカレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃは、そうした場合に対応可能であり、一層よくその効果を発揮することができる。
【０１４７】
なお、カレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃを、トランジスタＱ１〜Ｑ６からなる各差動対の動作により電流方向制御を行うようにしたので、書き込み電流は従来とは異なる方式の方向制御を受ける。特に、ここでは、トランジスタＱ５，Ｑ６を設け、これらが差動増幅器として動作してトランジスタＱ１，Ｑ２の開閉状態を制御するようにしたので、トランジスタＱ１，Ｑ２はドライブポイントＡ，Ｂ間の電位差によく追従した強度でスイッチング動作を行う。しかも、トランジスタＱ１，Ｑ２は、トランジスタＱ５，Ｑ６によりドライブポイントＡ，Ｂ間の広範な電位変動に追従することから、書込線６の抵抗値が大きくばらついたとしても、書込線６に対する電流量を一定に保ちつつ、電流方向制御のための開閉動作のバランスも保つことができる。
【０１４８】
また、上記したように、書き込み電流の値が書込線６ごとの抵抗変動等によらず一定であると保証され、書込線６の広範な抵抗ばらつきが許容されることから、書込線６の製造誤差の許容範囲が広がると共に、書込線の配線構造の自由度が高まる。例えば、製造過程において、微細な書込線の線路長や幅、厚みを一定に制御するのは至難であるが、極限の寸法精度が要求されないということは、生産上大変有利である。また、実際の配線上では、書込線は、位置に応じて長さや形状が異なる場合があるが、そうしたときでもレイアウト変更の必要がなく、さらには、そうのような配線構造を意図的にレイアウトすることも可能である。今後メモリが高集積化し、配線密度が向上した場合に、こうした手法を効果的に用いることが考えられる。
【０１４９】
また、ここでは、カレントドライブ１０８Ｃおよびカレントドライブ１０６ＣをトランジスタＱ１〜Ｑ８，抵抗器Ｒ１〜Ｒ４だけで構成するようにしたので、従来に比べて書き込み電流の供給系統を極めて簡素に構成することができる。よって、カレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃは、各ワード列Ｘn ，ビット列Ｙn ごとに設けたとしても大きな回路スペースを必要としないで済む。
【０１５０】
そのうえ、従来のカレントドライブは、アナログ回路（定電流制御部）とデジタル回路（ロジック部、パルス生成部）が混在して構成されていたが、本実施の形態のカレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃは、バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑ８を用い、アナログ回路として構成されている。その利点は、ＭＯＳトランジスタがデジタル的なスイッチング動作を特徴とするのに対し、バイポーラトランジスタではアナログ的に電流量の微調整が可能である点にある。すでに説明したように、トランジスタＱ５，Ｑ６、およびトランジスタＱ１，Ｑ２は、対をなす素子同士が互いのベース端子における相対的な電圧の大小関係を差動増幅すると共に、ドライブポイントＡ，Ｂ間の電位差に応じた強度でスイッチング動作を行うことで動作状態を保持する。こうした中間的動作は、バイポーラトランジスタがよく適合するものであり、また、電流量を直接制御することができる。
【０１５１】
さらに、これらカレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃの各々を、ワード列Ｘn ，ビット列Ｙn に対応するように記憶セル１２の幅Ｗ１，Ｗ２でパターン化し、１つの回路エリアに集積配置するようにしたので、その構成要素のうち対をなす回路素子同士が互いに近接した位置に形成される。よって、対をなす回路素子の各々は同様の温度条件で駆動されるために、温度変化による特性ばらつきが抑制され、カレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃにおける雑音を防止することができる。
【０１５２】
〔変形例〕
以下に、上記実施の形態の変形例について説明する。
【０１５３】
（変形例１）
図１９は、カレントドライブの配置に関する変形例を表している。上記実施の形態では、カレントドライブ１０６Ｃをすべて記憶セル群１０４の上辺側に配列するようにしたが、回路のサイズが記憶セル１２の幅Ｗ２を超えて大きくなってしまうような場合には、ここに示したように、上辺側と下辺側の両方に互い違いに配設させるようにしてもよい。互いに隣接するカレントドライブ１０６Ｃの間には書込線６Ｙの折り返しがあるだけであり、この空き領域を回路スペースとして利用すれば、カレントドライブ１０６Ｃをビット列Ｙn ごとに設けることができる。なお、こうした変形は、カレントドライブ１０８Ｃについても行うことができ、回路レイアウトに応じてカレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃのいずれか、または双方について適用される。さらに言えば、上記実施の形態ではカレントカレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃは、Ｘ方向，Ｙ方向の単位駆動回路ＤＵn の構成要素であることから、本変形例を単位駆動回路ＤＵn のレイアウトに拡張適用してもよい。
【０１５４】
図２０〜図２３は、それぞれ、カレントカレントドライブの構成に関する変形例を表している。
【０１５５】
（変形例２）
図２０では、トランジスタＱ８のベース側と接地との間に、ダイオードＤ１が設けられている。ダイオードＤ１は、例えばこのように直列に接続された２つのダイオードとされ、デコード値入力時にトランジスタＱ８のベース電圧を一定とする機能を有している。上記実施の形態では、トランジスタＱ８にベース入力されるデコード信号値が一定であるものとしたため、こうした定電圧素子は不要であったが、デコード信号値の安定度が保証されていない場合には、ダイオードＤ１を用いてトランジスタＱ８のベース電圧を積極的に固定化し、そのコレクタ−エミッタ間における定電流制御を強化するようにしてもよい。
【０１５６】
（変形例３）
図２１では、トランジスタＱ１，Ｑ２それぞれのコレクターエミッタ間に、抵抗器Ｒ５，Ｒ６が並列に接続されている。なお、本変形例より以下の変形例では、各差動対より接地側の回路部分を等価的に定電流源で表している。この部分の具体的構成は、実施の形態と同様であっても、変形例２のようにダイオードＤ１等の変形がなされたものであっても構わない。
【０１５７】
抵抗器Ｒ５，Ｒ６は、自身の電圧降下によりドライブポイントＡ，Ｂの各電位を所定値に調整する機能を有している。ドライブポイントＡ，Ｂの電位は、電源Ｖccと接地との間の中間的電位であり、カレントドライブの回路設計上決まってくる。ただし、他の回路との関係からこの電位を設定する必要がある場合などには、抵抗器Ｒ５，Ｒ６を設け、ドライブポイントＡ，Ｂの電位を、その電圧降下に見合った電圧レベルとすることによって調整することができる。
【０１５８】
また、上記実施の形態では、データ信号およびリファレンス信号は、トランジスタＱ３，Ｑ４に入力されるようにしたが、これら各トランジスタの動作状態を制御する基になる信号は、トランジスタＱ１，Ｑ２に入力されてもよく、また４つのトランジスタＱ１〜Ｑ４のそれぞれに入力されるようにすることができる。
【０１５９】
（変形例４）
図２２に示した変形例では、上記実施の形態とは反対に、トランジスタＱ１，Ｑ２のベース端子の各々がデータ信号線６４，リファレンス信号線６５に接続され、トランジスタＱ３、Ｑ４のベース端子が、トランジスタＱ５，Ｑ６のコレクタ端子とバイアス抵抗との間に接続されている。この場合には、まずトランジスタＱ１，Ｑ２がデータ信号，リファレンス信号に応じて動作すると、トランジスタＱ５，Ｑ６によってその状態が差動センシングされ、さらにセンシング結果に基づいてトランジスタＱ３，Ｑ４の動作が制御される。この変形例では、トランジスタＱ５，Ｑ６のそれぞれは、トランジスタＱ１，Ｑ２のオン／オフ状態によってベース電圧が変化し、トランジスタＱ１，Ｑ２と同じ動作状態となる。このうち、トランジスタＱ５の動作状態は、トランジスタＱ３のベース端子に影響を与え、トランジスタＱ３はトランジスタＱ５とは反対の動作状態となる。トランジスタＱ６についても同様であり、トランジスタＱ４がトランジスタＱ６とは反対の動作制御となる。このように、上記実施の形態と比較すると、トランジスタＱ１〜Ｑ６の動作手順は異なるが、結果的にトランジスタＱ１〜Ｑ４のスイッチング制御は同様に行われることになる。
【０１６０】
（変形例５）
図２３に示した変形例では、さらに、トランジスタＱ２，Ｑ３のベース端子が共にデータ信号線７４に接続され、トランジスタＱ１，Ｑ４のベース端子が共にリファレンス信号線７５が接続され、トランジスタＱ１〜Ｑ４のすべてが、外部からの信号入力により制御されるようになっている。したがって、この場合には、本発明の「差動制御手段（あるいは第３の差動スイッチ対）」に相当する回路が不要である。上記実施の形態ではトランジスタＱ５，Ｑ６がこれらに対応していたが、本変形例のカレントドライブは、トランジスタＱ５，Ｑ６を含む差動増幅回路が除かれた構成となっている。
【０１６１】
【実施例】
〔カレントドライブの定電流供給能の検証〕
上記実施の形態と同様の実回路（図５参照）において、書き込み動作時に書込線に流れる電流値を測定した。なお、この書き込み電流値の測定は、カレントドライブの定電流供給能が書込線の抵抗値ばらつきにどの程度まで追随できるかを調べるために、書込線の抵抗値を変化させて行った。その測定結果を、図２４に示す。
【０１６２】
このように、カレントドライブは書込線に対し、その抵抗値の１０Ωから１ｋΩまでの広範な変動（ばらつき）にも関わらず、一定電流を供給していることがわかる。なお、書込線は、１ｋΩ以上になると抵抗値の増加と共に流れる電流量が減少する。これは、書込線における電圧降下が大きくなったために、定電流を供給するための動作状態が崩れたものと考えられる。
【０１６３】
なお、本発明は、上記実施の形態および実施例には限定されず種々の変形実施が可能である。例えば、上記実施の形態の磁気メモリデバイスでは、カレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃが共に本発明のカレントドライブとして構成されているが、このようにすべての電流供給回路に本発明のカレントドライブを適用しなくともよく、少なくともその一部に用いられていればよい。例えば、Ｘ方向とＹ方向の電流供給回路のうち、いずれか一方の側に用いることも考えられる。なお、書込線６Ｘ，６Ｙは、カレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃに両端が接続されるためにＵ字状配線となっていたが、これ以外の構成をとる電流供給源に接続される書込線は、当然、Ｕ字状である必要はなく、従来どおり一端で接続され、他端は接地されていてよい。
【０１６４】
そのような具体例を、図２５に示す。この場合、Ｘ方向の書き込み回路系は、実施の形態同様にカレントドライブ１０８ＣとＵ字状配線の書込用ワード線６Ｘの組み合わせからなるが、Ｙ方向の回路系は、従来の電流供給回路同様に構成されたＹ方向カレントドライブ１２１と、これに一端で接続され、他端は接地されている一直線状の書込用ビット線１２２からなる。
【０１６５】
なお、この書込用ワード線６Ｘは、往路・復路ともに書込用ビット線１２２との交差領域で曲折しており、各交差領域に磁気抵抗効果素子１２３が設けられている。このように、書込用ワード線６Ｘの往路・復路ともに磁気抵抗効果素子を配すると、磁気抵抗効果素子を倍の密度で集積できる。これら磁気抵抗効果素子１２３は、個々を１記憶セルとして１単位情報を担うように動作させることもできるが、２つで１つの記憶セルとして（例えば、実施の形態に説明したようにＸ方向に隣接する２つで１セルとして）動作させることも可能である。
【０１６６】
このように、本発明の磁気メモリデバイスにおいては、本発明のカレントドライブに対して書込線が両端で接続されることを除けば、いかなる変形実施も可能である。また、具体例で示したように、本発明のカレントドライブから電流供給を受ける書込線は、両端で接続されて閉ループを形成している限りにおいて変形が可能であり、記憶セル領域における配線形状はどのようなものであっても構わない。例えば、書込線は、必ずしもＵ字状でなくともよく、磁気抵抗効果素子の形成領域において互いに平行とする場合だけでなく、従来どおり互いに直交する場合など、これ以外の配線構造をとることも可能である。
【０１６７】
本発明のカレントドライブについては、変形例を挙げて説明したように、電流方向制御部，電流量制御部に相当する回路部分の具体的な構造は、実施の形態に限定されず、その機能を具現化するものであればよい。なお、上記実施の形態では、カレントドライブ１０８Ｃ，１０６Ｃをバイポーラトランジスタで構成するようにしたが、本発明のカレントドライブは、これに限定されず、ＭＯＳＦＥＴもしくはＣＭＯＳ等の半導体素子で構成することが可能である。
【０１６８】
また、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂは、対をなして１単位情報を担う記憶セル１２を構成するものとしたが、個々の素子が１単位情報を担うようにしてもよい。また、磁気抵抗効果素子の構成も実施の形態で説明したものと同一である必要はなく、環状磁性層を備えたものでなくともよい。さらに、実施の形態では、磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２ＢをＴＭＲ素子としたが、これをＧＭＲ素子で置き換えることもできる。その場合の素子は、非磁性層２を絶縁層から非磁性金属層に替えることを除いては、磁気抵抗効果素子１２Ａ（１２Ｂ）と同様とすることができる。このように、本発明の磁気抵抗効果素子には公知のあらゆる素子構造が適用可能であり、磁性層の積層面に垂直に電流を流すＣＰＰ（Current Perpendicular to the Plane），または磁性層の積層面に平行に電流を流すＣＩＰ（Current Flows in the Plane）のどちらであっても構わない。
【０１６９】
また、上記実施の形態では読み出し用回路系を図９のように構成する場合について具体的に説明したが、本発明は、こうした読み出し用回路系の回路構成や配線レイアウトなどによって限定されるものではない。
【０１７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の磁気メモリデバイスによれば、外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含んで構成された磁気抵抗効果素子と、感磁層に外部磁界を印加するために書き込み電流が供給される書込線と、書込線における書き込み電流の方向を制御するための差動スイッチ対を有する電流方向制御部、および、書込線における書き込み電流の値を一定値に制御する電流量制御部を含んで構成された書込電流駆動回路とを備えるようにしたので、大きさが電流経路の抵抗値に関わらず常に一定である書き込み電流を、書込線に対し、書き込む情報に応じた方向に供給することができる。したがって、書込線ごとの抵抗値の変動等に関係なく、安定した書き込み動作を行うことが可能となる。また、書込線の抵抗ばらつきが許容されることから、書込線の製造誤差の許容範囲を広げることや、その配線構造の自由度を広げることができる。
【０１７１】
特に、電流方向制御部を、差動スイッチ対として、書込線の両端に対応してそれぞれ設けられ、互いに反対の開閉状態で動作する第１および第２の電流スイッチ、を含んで構成される第１の差動スイッチ対と、それぞれが第１および第２の電流スイッチに対応してそれぞれ設けられ、互いに反対の開閉状態で動作する第３および第４の電流スイッチ、を含んで構成される第２の差動スイッチ対とを備えるものとし、第１の差動スイッチ対は、書込線の両端のいずれか一方を書き込み電流の流入側として選択する機能を有し、第２の差動スイッチ対は、書込線の両端のうち他方を書き込み電流の流出側として選択する機能を有するものとすれば、電流方向制御を、対をなす電流スイッチによる差動制御、または開閉動作により具現化することができる。また、このように電流方向制御部を電流スイッチを用いて構成することで、書込電流駆動回路を、従来に比べ、素子数が格段に少なく、簡素に構成することが可能となる。
【０１７２】
また、電流量制御部が、書込線より流出後の書き込み電流の経路上に設けられているようにすれば、書込線に流れる時点の書き込み電流は、必ず定電流制御を受けるようになり、大きさを電流経路の抵抗値に関わらず常に一定であるものとすることが達成できる。
【０１７３】
またさらに、第１ないし第８のトランジスタ，第１および第２のバイアス抵抗器、並びに、第１および第２の電流制限用抵抗器が、すべて同一の領域内に集積配置されているようにすれば、対となる素子の各々は、近接して配置されることで環境温度がほぼ等しくなり、駆動中の温度変化によって互いの特性がかけ離れてゆくことが防止され、これらの素子対が適正な差動動作を行うことが保障される。よって、精度の高い定電流制御が可能となる。
【０１７４】
本発明の書込電流駆動回路によれば、書込線の両端がそれぞれ接続される接続端と、書込線における書き込み電流の方向を制御するための差動スイッチ対を有する電流方向制御部と、書込線に流される書き込み電流の量を一定値に制御する電流量制御部とを備えるようにしたので、大きさが電流経路の抵抗値に関わらず常に一定である書き込み電流を、書込線に対し所望の方向に供給することができる。すなわち、書き込み電流の方向と大きさの２つを同時に制御できると共に、書込線ごとの抵抗値の変動等に関係なく、常に定電流を供給することにより、安定した書き込み動作に寄与することができる。
【０１７５】
また、本発明の書込電流駆動方法によれば、書込線の両端のうち、いずれか一方を書き込み電流の流入側、他方を流出側として選択することにより、書き込み電流の方向を差動スイッチ対により制御し、書込線に対し、この書込線上を一定の電流値で流れるように制御しつつ、書き込み電流を供給するようにしたので、常に一定量で供給される書き込み電流が、書込線の流入側として選択された一端から流出側として選択された他端へと流れる。したがって、書込線ごとの抵抗値の変動等に関係なく、安定した書き込み動作を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気メモリデバイスの全体構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示した磁気メモリデバイスの要部構成を表す平面図である。
【図３】図１に示した磁気メモリデバイスの書き込み回路系の構成図である。
【図４】図１に示したカレントドライブの作用構成を説明するための概念的な構成図である。
【図５】図１に示したカレントドライブの回路図である。
【図６】図１に示した記憶セルの具体的構成を示す断面図である。
【図７】図６に示した記憶セルを書込線が貫通する様子を表した要部構成図である。
【図８】図６に示した記憶セルの変形例に係る要部構成図である。
【図９】図１に示した磁気メモリデバイスの読み出し回路系の構成図である。
【図１０】図１に示した記憶セル群周辺における駆動回路部の実装の様子を表す構成図である。
【図１１】図１０に示したＹ方向駆動回路部の実際の回路配置を表す図である。
【図１２】図１１に示した単位駆動回路のうちＹ方向カレントドライブのパターン配置図である。
【図１３】図６に示した記憶セルに書き込まれる一記憶状態を表す図である。
【図１４】図６に示した記憶セルに書き込まれるもう１つの記憶状態を表す図である。
【図１５】図１３に示した記憶状態に対応する書き込み動作を説明するための図である。
【図１６】図１４に示した記憶状態に対応する書き込み動作を説明するための図である。
【図１７】図１５に示した書き込み動作時のＸ方向カレントドライブの動作を表すタイミングチャートである。
【図１８】図１５に示した書き込み動作時のＸ方向カレントドライブの各トランジスタの動作状態と、書き込み電流の経路とを表す図である。
【図１９】図３に示した書き込み回路系の変形例を表す構成図である。
【図２０】図５に示したカレントドライブの変形例の構成図である。
【図２１】図５に示したカレントドライブの変形例の構成図である。
【図２２】図５に示したカレントドライブの変形例の構成図である。
【図２３】図５に示したカレントドライブの変形例の構成図である。
【図２４】本発明の磁気メモリデバイスの実施例に係る書き込み回路系において、書込線の抵抗値と書込線に流れる電流の値との関係を示す図である。
【図２５】図３に示した書き込み回路系の変形例の構成図である。
【図２６】従来の書き込み回路系における書込線の配線構造を示す平面図である。
【図２７】従来の書き込み回路系における記憶セルの断面構成図である。
【図２８】従来の書き込み回路系におけるカレントドライブのブロック図である。
【図２９】従来の書き込み電流制御の問題点を説明するための図であり、（Ａ）は図２８に示したカレントドライブと書込線の関係を示す図、（Ｂ）はその変形例に係るカレントドライブと書込線からなる系の概略構成図、（Ｃ）は（Ａ），（Ｂ）の回路系に内在する問題を解決するために考案された書き込み回路系の概略構成図である。
【符号の説明】
Ｑ１〜Ｑ８…トランジスタ、Ｒ１〜Ｒ４…抵抗器、Ａ，Ｂ…ドライブポイント、１…第１の磁性層、２…非磁性層（トンネルバリア層）、３…第２の磁性層、４…非磁性導電層、５…環状磁性層、６Ｙ，１２２…書込用ビット線、６Ｘ…書込用ワード線、７…絶縁層、８…導電層、９…エピタキシャル層、１０…基板、１１…読出センシング用導線、１２…記憶セル、１２Ａ，１２Ｂ，１２３…磁気抵抗効果素子、１３Ａ，１３Ｂ…逆流防止用ダイオード、１４，６４，７４…データ信号線、１５，６５，７５…リファレンス信号線、１６Ｘ…（書込用）ワードデコード線、１６Ｙ…（書込用）ビットデコード線、２０…（読出用）ビットデコード線、２１Ａ，２１Ｂ…センス用ビットデコード線（センスビット線）、２２Ａ，２２Ｂ…トランジスタ、２３Ａ，２３Ｂ…電流電圧変換用抵抗器、３０…（読出用）ワードデコード線、３１…センス用ワードデコード線（センスワード線）、４０Ａ，４０Ｂ…センスアンプ入力線、４１Ａ，４１Ｂ…センスアンプ出力線、５１…第１の差動スイッチ対、５２…第２の差動スイッチ対、５３…差動制御手段（第３の差動スイッチ対）、５４…電流方向制御部、５５…電流量制御部、８０…ビット方向単位読出回路、１０１…アドレスバッファ、１０２…データバッファ、１０２Ａ…入力バッファ、１０２Ｂ…出力バッファ、１０３…制御ロジック部、１０４…記憶セル群、１０５，１０７…アドレス線、１０６…Ｙ方向駆動回路部、１０６Ａ…Ｙ方向アドレスデコーダ、１０６Ｂ…センスアンプ、１０６Ｃ，１２１…Ｙ方向カレントドライブ、１０８…Ｘ方向駆動回路部、１０８Ａ…Ｘ方向アドレスデコーダ、１０８Ｂ…定電流回路、１０８Ｃ…Ｘ方向カレントドライブ、１１０，１１１…書き込み用データバス、１１２…読み出し用データバス、１１３…制御信号線、３００…定電流制御部、Ａ0 〜Ａ20…外部アドレス入力端子、Ｄ0 〜Ｄ7 …外部データ端子、Ｘn …（記憶セル１２の）ワード列、Ｙn …（記憶セル１２の）ビット列、ＤＵn …単位駆動回路、Ｗ１…記憶セルのワード列方向の幅、Ｗ２…記憶セルのビット列方向の幅。

Claims (31)

1. 外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含んで構成された磁気抵抗効果素子と、
   前記感磁層に外部磁界を印加するために書き込み電流が供給される書込線と、
   前記書込線における書き込み電流の方向を制御するための差動スイッチ対を有する電流方向制御部、および、前記書込線における書き込み電流の量を一定値に制御する電流量制御部を含んで構成され、前記書込線の両端に接続された書込電流駆動回路と
   を備え、
   前記電流方向制御部は、電流供給対象である書込線の両端のうち、いずれか一方を書き込み電流の流入側、他方を流出側として選択することにより、書き込み電流の方向を制御するものであり、
   前記差動スイッチ対として、
   前記書込線の両端に対応してそれぞれ設けられ、互いに反対の開閉状態となるように動作する第１および第２の電流スイッチ、を含んで構成される第１の差動スイッチ対と、
   それぞれが前記第１および第２の電流スイッチに対応して設けられ、互いに反対の開閉状態となるように動作する第３および第４の電流スイッチ、を含んで構成される第２の差動スイッチ対と、
   互いに反対の開閉状態となるように動作する第５および第６の電流スイッチからなり、前記第１の電流スイッチと前記第４の電流スイッチとが同じ開閉状態となり、前記第２の電流スイッチと前記第３の電流スイッチとが、前記第１および第４の電流スイッチとは反対の開閉状態となるように制御を行う第３の差動スイッチ対とを有し、
   前記第１の差動スイッチ対は、前記書込線の両端のいずれか一方を、書き込み電流の流入側として選択する機能を有し、前記第２の差動スイッチ対は、前記書込線の両端のうち他方を、書き込み電流の流出側として選択する機能を有する
   ことを特徴とする磁気メモリデバイス。
2. 前記電流方向制御部は、入力された書き込み用のデータ信号に応じて前記書き込み電流の方向を双方向に制御する
   ことを特徴とする請求項１に記載の磁気メモリデバイス。
3. 前記書込線は、Ｕ字状となっている
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気メモリデバイス。
4. 前記第１または第２の差動スイッチ対の少なくとも一方は、前記データ信号に応じて開閉動作を行う
   ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の磁気メモリデバイス。
5. 前記書込線の両端は、それぞれ、前記第１の差動スイッチ対と前記第２の差動スイッチ対との間の１対の連結点に接続されている
   ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の磁気メモリデバイス。
6. 前記第３の差動スイッチ対は、
   前記第１または第２の差動スイッチ対のうち一方の差動スイッチ対の開閉状態を検出し、この検出結果に基づいて他方の差動スイッチ対の開閉動作を制御する
   ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の磁気メモリデバイス。
7. 前記第５の電流スイッチは、前記第３の電流スイッチの開閉状態を検出し、前記第３の電流スイッチと同じ開閉状態となるように前記第２の電流スイッチを動作させ、
   前記第６の電流スイッチは、前記第４の電流スイッチの開閉状態を検出し、前記第４の電流スイッチと同じ開閉状態となるように前記第１の電流スイッチを動作させる
   ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の磁気メモリデバイス。
8. 前記第１ないし第４の電流スイッチは、それぞれ、第１ないし第４のトランジスタで構成されている
   ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の磁気メモリデバイス。
9. 前記書込線の一端は、前記第１のトランジスタのエミッタ端子と前記第３のトランジスタのコレクタ端子とに接続され、他端は、前記第２のトランジスタのエミッタ端子と前記第４のトランジスタのコレクタ端子とに接続されている
   ことを特徴とする請求項８に記載の磁気メモリデバイス。
10. 前記第１および第２のトランジスタのコレクタ端子は電源に接続されている
    ことを特徴とする請求項９に記載の磁気メモリデバイス。
11. 前記第２の差動スイッチ対の第３または第４のトランジスタの一方は、ベース端子に書き込み用のデータ信号が入力され、他方は、ベース端子に前記データ信号の反転信号が入力される
    ことを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか一項に記載の磁気メモリデバイス。
12. 前記第５および第６の電流スイッチは、それぞれ、第５および第６のトランジスタで構成されている
    ことを特徴とする請求項８ないし１１に記載の磁気メモリデバイス。
13. 前記第５および第６のトランジスタは、それぞれ、ベース端子が前記第３および第４のトランジスタのコレクタ端子に接続され、コレクタ端子に前記第２および第１のトランジスタのベース端子が接続されている
    ことを特徴とする請求項１２に記載の磁気メモリデバイス。
14. 前記書込電流駆動回路は、この書込電流駆動回路を動作させるためのスイッチとして機能する第７のトランジスタと、第１の電流制限用抵抗器を含み、
    前記第７のトランジスタは、コレクタ端子に前記第５および第６のトランジスタのエミッタ端子が共通に接続され、エミッタ端子は前記第１の電流制限用抵抗器を介して接地に導かれている
    ことを特徴とする請求項１２または１３に記載の磁気メモリデバイス。
15. 前記第５のトランジスタのコレクタ端子と前記第２のトランジスタのベース端子との接続点と電源との間、および前記第６のトランジスタのコレクタ端子と前記第１のトランジスタのベース端子との接続点と電源との間には、それぞれ第１および第２のバイアス抵抗器が設けられている
    ことを特徴とする請求項１２ないし１４のいずれか一項に記載の磁気メモリデバイス。
16. 前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタ、前記第５のトランジスタと前記第６のトランジスタ、および、前記第１のバイアス抵抗器と前記第２のバイアス抵抗器は、それぞれ、特性が揃っている
    ことを特徴とする請求項１５に記載の磁気メモリデバイス。
17. 前記電流量制御部は、前記書込線より流出した書き込み電流の経路上に設けられている
    ことを特徴とする請求項１ないし１６のいずれか一項に記載の磁気メモリデバイス。
18. 前記電流量制御部は、少なくとも第８のトランジスタと第２の電流制限用抵抗器とを含み、
    前記第８のトランジスタは、コレクタ端子が前記第３および第４のトランジスタのエミッタ端子に共通接続され、エミッタ端子が前記第２の電流制限用抵抗器を介して接地に導かれ、ベース端子に一定電圧が選択的に入力されるように構成されている
    ことを特徴とする請求項８ないし１７のいずれか一項に記載の磁気メモリデバイス。
19. 前記一定電圧は、前記書込電流駆動回路に対するアクティブ信号であり、前記第８のトランジスタは、このアクティブ信号に応じて、前記書込電流駆動回路を動作させるためのスイッチとしても機能する
    ことを特徴とする請求項１８に記載の磁気メモリデバイス。
20. 前記書込電流駆動回路は、この書込電流駆動回路を動作させるためのスイッチとして機能する第７のトランジスタと、第１の電流制限用抵抗器を含み、前記第７のトランジスタは、コレクタ端子に前記第５および第６のトランジスタのエミッタ端子が共通に接続され、エミッタ端子が前記第１の電流制限用抵抗器を介して接地に導かれ、
    前記第５のトランジスタのコレクタ端子と前記第２のトランジスタのベース端子との接続点と電源との間、および前記第６のトランジスタのコレクタ端子と前記第１のトランジスタのベース端子との接続点と電源との間には、それぞれ第１および第２のバイアス抵抗器が設けられ、
    前記電流量制御部は、少なくとも第８のトランジスタと第２の電流制限用抵抗器とを含み、前記第８のトランジスタは、コレクタ端子が前記第３および第４のトランジスタのエミッタ端子に共通接続され、エミッタ端子が前記第２の電流制限用抵抗器を介して接地に導かれ、ベース端子に一定電圧が選択的に入力されるように構成されており、
    前記第１ないし第８のトランジスタ、前記第１および第２のバイアス抵抗器、並びに、前記第１および第２の電流制限用抵抗器が、すべて同一の領域内に集積配置されている
    ことを特徴とする請求項１２に記載の磁気メモリデバイス。
21. 前記磁気抵抗効果素子は、
    前記感磁層を含み、積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、
    前記積層体の一方の面側に、前記積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に、前記書込線によって貫かれるように構成された環状磁性層と
    を備えたことを特徴とする請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の磁気メモリデバイス。
22. 前記書込線は、複数の第１の書込線と、前記複数の第１の書込線の各々と交差するように延びる複数の第２の書込線とからなり、
    前記第１および第２の書込線は、前記環状磁性層を貫く領域において互いに平行に延びている
    ことを特徴とする請求項２１に記載の磁気メモリデバイス。
23. １つの記憶セルが、一対の前記磁気抵抗効果素子を含んで構成されている
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項２２のいずれか一項に記載の磁気メモリデバイス。
24. 前記第１および第２の書込線の双方を流れる電流に誘導される磁界によって、前記一対の磁気抵抗効果素子における各感磁層の磁化方向が互いに反平行となるように変化し、前記記憶セルに情報が記憶される
    ことを特徴とする請求項２３に記載の磁気メモリデバイス。
25. 前記電流方向制御部は、電源側に接続されて電源電流が流入するように構成され、
    前記電流制御部は、接地側に設けられて電流が流出するよう構成されている
    ことを特徴とする請求項１ないし２４のいずれか一項に記載の磁気メモリデバイス。
26. 外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含んで構成された磁気抵抗効果素子と、前記感磁層に外部磁界を印加するために書き込み電流が供給される書込線とを備えた磁気メモリデバイスに適用される書込電流駆動回路であって、
    前記書込線の両端がそれぞれ接続される一対の接続端と、
    前記書込線における書き込み電流の方向を制御するための差動スイッチ対を有する電流方向制御部と、
    前記書込線に流される書き込み電流の量を一定値に制御する電流量制御部と
    を備え、
    前記電流方向制御部は、電流供給対象である書込線の両端のうち、いずれか一方を書き込み電流の流入側、他方を流出側として選択することにより、書き込み電流の方向を制御するものであり、
    前記差動スイッチ対として、
    前記書込線の両端に対応してそれぞれ設けられ、互いに反対の開閉状態となるように動作する第１および第２の電流スイッチ、を含んで構成される第１の差動スイッチ対と、
    それぞれが前記第１および第２の電流スイッチに対応して設けられ、互いに反対の開閉状態となるように動作する第３および第４の電流スイッチ、を含んで構成される第２の差動スイッチ対と、
    互いに反対の開閉状態となるように動作する第５および第６の電流スイッチからなり、前記第１の電流スイッチと前記第４の電流スイッチとが同じ開閉状態となり、前記第２の電流スイッチと前記第３の電流スイッチとが、前記第１および第４の電流スイッチとは反対の開閉状態となるように制御を行う第３の差動スイッチ対とを有し、
    前記第１の差動スイッチ対は、前記書込線の両端のいずれか一方を、書き込み電流の流入側として選択する機能を有し、前記第２の差動スイッチ対は、前記書込線の両端のうち他方を、書き込み電流の流出側として選択する機能を有する
    ことを特徴とする書込電流駆動回路。
27. 前記第１ないし第４の電流スイッチはそれぞれ、第１ないし第４のトランジスタで構成されている
    ことを特徴とする請求項２６に記載の書込電流駆動回路。
28. 前記書込線の一端が前記第１のトランジスタのエミッタ端子と前記第３のトランジスタのコレクタ端子とに接続されると共に、前記書込線の他端が前記第２のトランジスタのエミッタ端子と前記第４のトランジスタのコレクタ端子とに接続されている
    ことを特徴とする請求項２７に記載の書込電流駆動回路。
29. 前記電流量制御部は、ベース端子に一定電圧が入力されるトランジスタと電流制限用抵抗器とを含んで構成され、前記書込線より流出した書き込み電流の経路上に設けられている
    ことを特徴とする請求項２６ないし２８のいずれか一項に記載の書込電流駆動回路。
30. 外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含んで構成された磁気抵抗効果素子と、前記感磁層に外部磁界を印加するために書き込み電流が供給される書込線とを備えた磁気メモリデバイスに適用される書込電流駆動方法であって、
    前記書込線における書き込み電流の方向を制御するための差動スイッチ対を設け、
    電流供給対象である書込線の両端のうち、いずれか一方を書き込み電流の流入側、他方を流出側として選択することにより、書き込み電流の方向を前記差動スイッチ対により制御し、
    前記書込線に対し、この書込線上を一定の電流値で流れるように制御しつつ、書き込み電流を供給し、
    前記差動スイッチ対として、
    前記書込線の両端に対応してそれぞれ設けられ、互いに反対の開閉状態となるように動作する第１および第２の電流スイッチとしての第１および第２のトランジスタ、で構成されている第１の差動スイッチ対と、
    前記第１および第２のトランジスタに対応してそれぞれ設けられ、互いに反対の開閉状態となるように動作する第３および第４の電流スイッチとしての第３および第４のトランジスタ、で構成されている第２の差動スイッチ対と、
    互いに反対の開閉状態となるように動作する第５および第６の電流スイッチからなり、前記第１のトランジスタと前記第４のトランジスタとが同じ開閉状態となり、前記第２のトランジスタと前記第３のトランジスタとが、前記第１および第４のトランジスタとは反対の開閉状態となるように制御を行う第３の差動スイッチ対とを設け、
    さらに、前記書込線の一端を前記第１のトランジスタのエミッタ端子と前記第３のトランジスタのコレクタ端子に接続すると共に、前記書込線の他端を前記第２のトランジスタのエミッタ端子と前記第４のトランジスタのコレクタ端子とに接続し、
    前記書込線に流す書き込み電流の方向を双方向に切り換えると共に、
    前記書込線より流出した書き込み電流の経路上に、ベース端子に一定電圧が入力されるトランジスタと電流制限用抵抗器とを含んで構成された電流量制御部を設け、
    前記書込線における書き込み電流の量を一定値に制御する
    ことを特徴とする書込電流駆動方法。
31. 前記書込線に書き込み電流を流す方向に応じて、前記第３および第４のトランジスタを開閉動作させることにより、前記第２の差動スイッチ対が、前記書込線の一端を書き込み電流の流出側として選択し、
    前記第３の差動スイッチ対が、前記第２の差動スイッチ対の各トランジスタにおける開閉状態を検出し、前記第３のトランジスタと同じ開閉状態となるよう前記第２のトランジスタを動作制御すると共に、前記第４のトランジスタと同じ開閉状態となるよう前記第１のトランジスタを動作制御し、
    前記第１および第２のトランジスタが開閉動作することにより、前記第１の差動スイッチ対が前記書込線の他端を書き込み電流の流入側として選択する
    ことを特徴とする請求項３０に記載の書込電流駆動方法。

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