JP4359109B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に、ワークである基板の搬送技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に酸化膜や窒化膜や金属膜を成膜するのに利用して有効なものに関する。

ＩＣの製造方法において、ウエハに酸化膜や金属膜を成膜するのに、次のようなマルチチャンバ型ＣＶＤ装置が使用されることがある。すなわち、このマルチチャンバ型ＣＶＤ装置は、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第一のウエハ移載室と、この第一のウエハ移載室に設置された第一のウエハ移載装置（wafer transfer equipment )と、ロードロックチャンバ構造に構成されて第一のウエハ移載室の手前に連設された搬入用予備室および搬出用予備室と、大気圧以上の圧力（以下、正圧という。）を維持可能な構造に構成されて搬入用予備室および搬出用予備室の手前に設置された第二のウエハ移載室と、第二のウエハ移載室に設置された第二のウエハ移載装置と、第二のウエハ移載室の手前に設置されてウエハを収納したウエハキャリア（基板収納容器）が載置されるウエハキャリアステージと、第一の移載室の後側に設置された複数のＣＶＤユニットとを備えている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−１１５５１８号公報

従来のこの種の基板処理装置に使用されるウエハキャリアとしては、互いに対向する一対の側壁が開口された略立方体形状の筐体であるオープンカセットと、一つの側壁が開口された略立方体形状に形成され開口部にキャップが着脱自在に装着された筐体であるＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）とがある。ウエハキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密封された状態で搬送される状態になるために、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在したとしてもウエハの清浄度を維持することができる。その結果、基板処理装置が設置されるクリーンルームの清浄度を緩和することにより、クリーンルームに要するコストを低減することができるので、最近の基板処理装置においては、ウエハキャリアとしてはポッドが使用されて来ている。

しかしながら、ウエハキャリアとしてポッドを使用したマルチチャンバ型ＣＶＤ装置においては、処理済みのウエハを第二のウエハ移載装置によってポッドに収納する際に、ウエハがポッドの奥側の位置決め部に衝突するために、パーティクル等が発生するという問題点がある。

本発明の目的は、基板を基板収納容器に収納する際の衝突を防止することができる基板処理装置を提供することにある。

本発明に係る基板処理装置は、基板を基板収納容器に出し入れする基板載置プレートを有した基板移載装置を備えており、前記基板収納容器から基板を取り出す際の前記基板載置プレートでの第一の基板載置位置と、処理を施した後の前記基板を前記基板収納容器へ収納する際の前記基板載置プレートでの第二の基板載置位置とを異ならせるように前記基板移載装置を制御するコントローラを備えていることを特徴とする。

本発明によれば、基板を基板収納容器から基板載置プレートによって取り出す際に基板が基板収納容器の奥側の位置決め部に接触していた場合であっても、基板を基板収納容器へ収納する際の基板載置プレートでの基板載置位置を奥側の位置決め部に衝突しないように設定することができるので、基板が基板収納容器に衝突するのを未然に防止することができる。

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。

本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は図１に示されているように、マルチチャンバ型ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）として構成されており、このＣＶＤ装置はＩＣの製造方法にあって被処理基板としてのウエハに酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁膜を成膜したり、ウエハに五酸化タンタル（Ｔａ₂ Ｏ₅ ）やルテニウム（Ｒｕ）等の金属膜を成膜する成膜工程に使用されるようになっている。本実施の形態に係るＣＶＤ装置においては、ウエハキャリアとしてはポッドが使用されている。なお、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、ウエハ移載室４０側が前側、その反対側すなわちウエハ移載室１０側が後側、搬入用予備室２０側が左側、搬出用予備室３０側が右側とする。

図１に示されているように、ＣＶＤ装置は大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された第一のウエハ移載室（以下、負圧移載室という。）１０を備えており、負圧移載室１０の筐体（以下、負圧移載室筐体という。）１１は、平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。負圧移載室１０の中央部には、負圧下でウエハ１を移載するウエハ移載装置（以下、負圧移載装置という。）１２が設置されている。負圧移載装置１２はスカラ形ロボット（selective compliance assembly robot arm ＳＣＡＲＡ）によって構成されており、負圧移載室筐体１１の底壁に設置されたエレベータ１３によって気密シールを維持しつつ昇降するように構成されている。負圧移載装置１２は上側に位置する第一のアーム（以下、上側アームという。）１４と、下側に位置する第二のアーム（以下、下側アームという。）１５とを備えており、上側アーム１４および下側アーム１５の先端部にはウエハ１を下から支持する二股のフォーク形状に形成された上側エンドエフェクタ１６および下側エンドエフェクタ１７がそれぞれ取り付けられている。

負圧移載室筐体１１の六枚の側壁のうち正面側に位置する二枚の側壁には、搬入用予備室（以下、搬入室という。）２０と搬出用予備室（以下、搬出室という。）３０とがそれぞれ隣接して連結されている。搬入室２０の筐体（以下、搬入室筐体という。）２１と搬出室３０の筐体（以下、搬出室筐体という。）３１とは、それぞれ平面視が大略四角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されているとともに、負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。互いに隣接した搬入室筐体２１の側壁および負圧移載室筐体１１の側壁には搬入口２２、２３がそれぞれ開設されており、負圧移載室１０側の搬入口２３には搬入口２２、２３を開閉するゲートバルブ２４が設置されている。互いに隣接した搬出室筐体３１の側壁および負圧移載室筐体１１の側壁には搬出口３２、３３がそれぞれ開設されており、負圧移載室１０側の搬出口３３には搬出口３２、３３を開閉するゲートバルブ３４が設置されている。搬入室２０には搬入室用仮置き台２５が設置され、搬出室３０には搬出室用仮置き台３５が設置されている。

搬入室２０および搬出室３０の前側には、大気圧以上の圧力（以下、正圧という。）を維持可能な構造に構成された第二のウエハ移載室（以下、正圧移載室という。）４０が隣接して連結されており、正圧移載室４０の筐体（以下、正圧移載室筐体という。）４１は、平面視が横長の長方形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。互いに隣接した搬入室筐体２１の側壁および正圧移載室筐体４１の側壁には搬入口２６、２７がそれぞれ開設されており、正圧移載室４０側の搬入口２７には搬入口２６、２７を開閉するゲートバルブ２８が設置されている。互いに隣接した搬出室筐体３１の側壁および正圧移載室筐体４１の側壁には搬出口３６、３７がそれぞれ開設されており、正圧移載室４０側の搬出口３７には搬出口３６、３７を開閉するゲートバルブ３８が設置されている。

図１に示されているように、正圧移載室４０の左側にはウエハ１の中心を合わせるアライメント装置４５が設置されている。また、正圧移載室４０の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット（図示せず）が設置されている。図１に示されているように、正圧移載室筐体４１の正面壁には三つのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９が左右方向に並べられて開設されており、これらのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９はウエハ１を正圧移載室４０に対して搬入搬出し得るように設定されている。これらのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９にはポッドオープナ４２がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ４２はポッド２を載置する載置台４３と、載置台４３に載置されたポッド２のキャップ７を着脱するキャップ着脱機構４４とを備えており、載置台４３に載置されたポッド２のキャップ７をキャップ着脱機構４４によって着脱することにより、ポッド２のウエハ出し入れ口４を開閉するように構成されている。ポッドオープナ４２の載置台４３に対してはポッド２が、図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって供給および排出されるようになっている。したがって、載置台４３によってウエハキャリアステージとしてのポッドステージが構成されていることになる。

正圧移載室４０には正圧下でウエハ１を移載する第二のウエハ移載装置（以下、正圧移載装置という。）５０が設置されており、正圧移載装置５０は正圧移載室４０に設置されたエレベータ５１によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ（図示せず）によって左右方向に往復移動されるように構成されている。図２に示されているように、正圧移載装置５０はスカラ形ロボットによって二枚のウエハを同時に搬送し得るように構成されている。すなわち、正圧移載装置５０は上側に位置する第一のアーム（以下、上側アームという。）５３と、下側に位置する第二のアーム（以下、下側アームという。）５４とを備えており、上側アーム５３および下側アーム５４の先端部には基板載置プレートとしての上側エンドエフェクタ５５および下側エンドエフェクタ５６がそれぞれ取り付けられている。上側エンドエフェクタ５５および下側エンドエフェクタ５６はいずれも、ウエハ１を掬い取って下から支持し得る二股のフォーク形のプレート（板体）形状に形成されている。上側エンドエフェクタ５５および下側エンドエフェクタ５６は実質的に同一形状に形成されているので、その構成は図３に示された上側エンドエフェクタ５５を代表にして説明する。上側エンドエフェクタ５５の上面にはウエハ１の位置ずれ防止のためのザグリ５５ａが没設されており、ザグリ５５ａの立ち上がり面が構成する円弧面の直径Ｄａは、ウエハ１の直径Ｄｗよりも若干大きめに設定されている。例えば、ウエハ１の直径Ｄｗが３００ｍｍの場合には、ザグリ５５ａの直径Ｄａは３０３〜３０５ｍｍに設定されている。正圧移載装置５０にはコンピュータ等によって構築されて正圧移載装置５０を制御するコントローラ５７が接続されており、コントローラ５７はポッド２からウエハ１を取り出す際のエンドエフェクタ５５、５６での第一のウエハ載置位置と、ウエハ１に処理を施した後の処理済みのウエハ１をポッド２へ収納する際のエンドエフェクタ５５、５６での第二のウエハ載置位置とを異ならせるように構成されている。

図１に示されているように、負圧移載室筐体１１の六枚の側壁のうち背面側に位置する二枚の側壁には、第一処理部としての第一ＣＶＤユニット６１と、第二処理部としての第二ＣＶＤユニット６２とがそれぞれ隣接して連結されている。第一ＣＶＤユニット６１および第二ＣＶＤユニット６２はいずれも二枚葉式ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置によってそれぞれ構成されている。また、負圧移載室筐体１１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第三処理部としての第一クーリングユニット６３と、第四処理部としての第二クーリングユニット６４とがそれぞれ連結されており、第一クーリングユニット６３および第二クーリングユニット６４はいずれも処理済みのウエハ１を冷却するように構成されている。

なお、ウエハ１を収納する基板収納容器としてのポッド２は図４に示されているように構成されている。すなわち、ポッド２は一つの側壁に略正方形の開口部であるウエハ出し入れ口４を有する略立方体の箱形状に形成された本体３と、ウエハ出し入れ口４に着脱自在に装着されるキャップ７とを備えている。本体３のウエハ出し入れ口４に隣接した上下左右の側壁のうち左右の側壁の内面には、複数段の保持部片５が等間隔に配置されて側面に直角に突設されており、各段の保持部片５は同一の平面を構成してウエハ１を水平に保持するように設定されている。また、左右の側壁の内面には一対の奥側位置決め部６、６が形成されており、両奥側位置決め部６、６は保持部片５に保持されたウエハ１の外周の二箇所にそれぞれ当接することによってウエハ１の奥側の位置を規制するように設定されている。キャップ７の内面の中央には前側位置決め部８が装備されており、前側位置決め部８は保持部片５に保持されたウエハ１の外周の一箇所に当接してウエハ１の前側の位置を規制することにより、両奥側位置決め部６、６と協働してウエハ１のガタツキを防止するように設定されている。キャップ７には錠前９が装着されており、錠前９は本体３のウエハ出し入れ口４の一部に係合することによりキャップ７を本体３にロックするように構成されている。

以下、前記構成に係るＣＶＤ装置を使用したＩＣの製造方法における成膜工程を説明する。

これから成膜すべきウエハ１は二十五枚がポッド２に収納された状態で、成膜工程を実施するＣＶＤ装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図１に示されているように、搬送されて来たポッド２は載置台４３の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド２のキャップ７がキャップ着脱機構４４によって取り外され、ポッド２のウエハ出し入れ口４が開放される。

ポッド２がポッドオープナ４２により開放されると、正圧移載室４０に設置された正圧移載装置５０はウエハ搬入搬出口４７を通してポッド２の本体３からウエハ１をピックアップして正圧移載装置５０に引き出し、正圧移載室４０のアライメント装置４５に移載する。ところで、ポッド２での収納状態でのガタツキを防止する必要上、図４に示されているように、ウエハ１はキャップ７によって両奥側位置決め部６、６に押し付けられた状態になっているために、正圧移載装置５０がウエハ１をポッド２の本体３からピックアップする際には、ウエハ１は両奥側位置決め部６、６に当接した状態になっている。そこで、ウエハ１をポッド２の本体３からピックアップする際には、図５（ａ）に示された上側エンドエフェクタ（以下、エンドエフェクタという。）５５の場合を例にして説明すると、ウエハ１がエンドエフェクタ５５の先端寄りに乗るように、コントローラ５７は正圧移載装置５０の動きを制御する。すなわち、ウエハ１の中心Ｏｗがエンドエフェクタ５５のザグリ５５ａの中心Ｏａに対して若干だけ先端寄りに位置する状態になるように、ウエハ１はエンドエフェクタ５５にピックアップされる。このとき、ザグリ５５ａの直径Ｄａはウエハ１の直径Ｄｗよりも大きめに設定されているので、ウエハ１がザグリ５５ａの上に乗ってしまう事故は防止することができる。また、ザグリ５５ａの底面によって支持されたウエハ１はザグリ５５ａの立ち上がり面によって位置規制されるので、慣性力や振動等によってザグリ５５ａから飛び出す事故も防止することができる。ちなみに、ウエハ１をエンドエフェクタ５５の先端寄りに乗せるための制御方法は、コントローラ５７に予めティーチング（教示）して再生する制御方法（教示再生制御）によって容易に実現することができる。

このようにウエハ１がエンドエフェクタ５５に先端寄り乗せられた状態でアライメント装置４５に移載されると、ウエハ１はアライメント装置４５にずれた状態になる。しかし、ウエハ１の中心Ｏｗのエンドエフェクタ５５の中心Ｏａに対するずれ量は微少（例えば、最大±２．５ｍｍ）であって、アライメント装置４５の位置検出量（例えば、最小±７ｍｍ）を超えないので、アライメント装置４５によるウエハ１の中心合わせに支障が発生することはない。

アライメント装置４５によるウエハ１の中心合わせが終了すると、正圧移載装置５０はアライメント装置４５からウエハ１をピックアップする。この際、図５（ｂ）に示されているように、ウエハ１がエンドエフェクタ５５の中央に乗るように、コントローラ５７は正圧移載装置５０の動きを制御する。すなわち、ウエハ１の中心Ｏｗがエンドエフェクタ５５のザグリ５５ａの中心Ｏａに合致するように、ウエハ１はエンドエフェクタ５５にピックアップされる。このとき、ザグリ５５ａの直径Ｄａはウエハ１の直径Ｄｗよりも大きめに設定されているので、ウエハ１がザグリ５５ａの上に乗ってしまう事故は防止することができる。ちなみに、ウエハ１をエンドエフェクタ５５の中央に乗せるための制御方法は、アライメント装置４５の中心にエンドエフェクタ５５のザグリ５５ａの中心Ｏａを一致させる制御方法によって容易に実現することができる。

ウエハ１をアライメント装置４５からピックアップすると、正圧移載装置５０はウエハ１を搬入室２０に搬入口２６、２７を通して搬入（ウエハローディング）し、ウエハ１を搬入室用仮置き台２５に移載する。この移載作業中には、負圧移載室１０側の搬入口２２、２３はゲートバルブ２４によって閉じられており、負圧移載室１０の負圧は維持されている。ウエハ１の搬入室用仮置き台２５への移載が完了すると、正圧移載室４０側の搬入口２６、２７がゲートバルブ２８によって閉じられ、搬入室２０が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。

搬入室２０が予め設定された圧力値に減圧されると、負圧移載室１０側の搬入口２２、２３がゲートバルブ２４によって開かれるとともに、第一ＣＶＤユニット６１のウエハ搬入搬出口６５がゲートバルブ（図示せず）によって開かれる。続いて、負圧移載室１０の負圧移載装置１２は搬入口２２、２３を通して搬入室用仮置き台２５からウエハ１をピックアップして負圧移載室１０に搬入し、ウエハ搬入搬出口６５から第一ＣＶＤユニット６１の処理室へ搬入（ウエハローディング）するとともに、処理室の基板載置台に移載（セッティング）する。ウエハ１の基板載置台への移載が終了すると、第一ＣＶＤユニット６１のウエハ搬入搬出口６５がゲートバルブによって閉じられる。なお、ウエハの第一ＣＶＤユニット６１への搬入に際しては、搬入室２０および負圧移載室１０が真空排気されることによって内部の酸素や水分が予め除去されているため、外部の酸素や水分がウエハの第一ＣＶＤユニット６１への搬入に伴って第一ＣＶＤユニット６１の処理室に侵入することは確実に防止される。

その後、第一ＣＶＤユニット６１においては、処理室が気密に閉じられた状態で所定の圧力となるように排気管によって排気され、ヒータユニットによって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管によって所定の流量だけ供給されることにより、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエハ１に形成される。

第一ＣＶＤユニット６１について予め設定された処理時間が経過すると、成膜済みのウエハ１は第一ＣＶＤユニット６１の基板載置台から負圧移載装置１２によってピックアップされて、負圧に維持されている負圧移載室１０に第一ＣＶＤユニット６１のウエハ搬入搬出口６５から搬出（ウエハアンローディング）される。

処理済みのウエハ１が第一ＣＶＤユニット６１から負圧移載室１０に負圧移載装置１２によって搬出されると、第一クーリングユニット６３のウエハ搬入搬出口６７がゲートバルブ６７Ａによって開かれる。続いて、負圧移載装置１２は第一ＣＶＤユニット６１から搬出したウエハ１を第一クーリングユニット６３の処理室（冷却室）へウエハ搬入搬出口６７を通して搬入するとともに、処理室の基板載置台に移載する。ウエハ１の第一ＣＶＤユニット６１から第一クーリングユニット６３への移替え作業が完了すると、第一クーリングユニット６３の処理室のウエハ搬入搬出口６７がゲートバルブ６７Ａによって閉じられる。ウエハ搬入搬出口６７が閉じられると、第一クーリングユニット６３に搬入された成膜済みのウエハは冷却される。なお、第一ＣＶＤユニット６１による成膜済みのウエハ１についての第一ＣＶＤユニット６１から第一クーリングユニット６３への移替え作業は、いずれも負圧に維持された第一ＣＶＤユニット６１、第一クーリングユニット６３および負圧移載室１０において実施されるため、第一ＣＶＤユニット６１から第一クーリングユニット６３へのウエハ１の移替え作業に際して、ウエハ１の成膜の表面に自然酸化膜が生成されたり、異物等が付着したりするのは防止されることになる。

第一クーリングユニット６３にウエハを移載すると、負圧移載装置１２は搬入室２０の搬入室用仮置き台２５に予め準備されたウエハ１を第一ＣＶＤユニット６１の処理室の空になった基板載置台へ前述した作動によって移載する。この移載作業中にも、搬入室２０の正圧移載室４０側の搬入口２６、２７がゲートバルブ２８によって閉じられることにより、搬入室２０および負圧移載室１０の負圧は維持されている。

第一クーリングユニット６３において予め設定された冷却時間が経過すると、前述した第一ＣＶＤユニット６１の場合と同様にして、冷却済みのウエハ１は負圧移載装置１２によって第一クーリングユニット６３からピックアップされ、負圧に維持されている負圧移載室１０に搬出される。

冷却済みのウエハ１が第一クーリングユニット６３から負圧移載室１０に搬出されると、搬出口３３がゲートバルブ３４によって開かれる。続いて、負圧移載装置１２は第一クーリングユニット６３から搬出したウエハ１を負圧移載室１０の搬出口３３へ搬送し、搬出室３０に搬出口３３を通して搬出するとともに、搬出室用仮置き台３５に移載する。冷却済みのウエハ１の第一クーリングユニット６３から搬出室３０への移替え作業が完了すると、搬出室３０の搬出口３２、３３がゲートバルブ３４によって閉じられる。

搬出室３０の搬出口３２、３３がゲートバルブ３４によって閉じられると、搬出室３０の正圧移載室４０側の搬出口３６、３７がゲートバルブ３８によって開けられて、搬出室３０のロードロックが解除される。搬出室３０のロードロックが解除されると、正圧移載室４０の搬出室３０に対応したウエハ搬入搬出口４８がポッドオープナ４２によって開かれるとともに、載置台４３に載置された空のポッド２のキャップ７がポッドオープナ４２によって開かれる。続いて、正圧移載室４０の正圧移載装置５０は搬出口３７を通して搬出室用仮置き台３５からウエハ１をピックアップして正圧移載室４０に搬出し、正圧移載室４０のウエハ搬入搬出口４８およびポッド２の本体３のウエハ出し入れ口４を通してポッド２の本体３に収納（チャージング）する。

搬出室用仮置き台３５からウエハ１をピックアップする際には、コントローラ５７は正圧移載装置５０の動きをウエハ１がエンドエフェクタ５５の中央に乗るように制御する。すなわち、ウエハ１の中心Ｏｗがエンドエフェクタ５５のザグリ５５ａの中心Ｏａに合致する図５（ｂ）に示された状態に、ウエハ１はエンドエフェクタ５５にピックアップされる。このとき、ザグリ５５ａの直径Ｄａはウエハ１の直径Ｄｗよりも大きめに設定されているので、ウエハ１がザグリ５５ａの上に乗ってしまう事故は防止することができる。ちなみに、ウエハ１をエンドエフェクタ５５の中央に乗せるための制御方法は、搬出室用仮置き台３５の中心にエンドエフェクタ５５のザグリ５５ａの中心Ｏａを一致させる制御によって容易に実現することができる。

ウエハ１の中心Ｏｗがザグリ５５ａの中心Ｏａに合致した状態でエンドエフェクタ５５に保持されたウエハ１をポッド２の本体３に収納する際には、ウエハ１をポッド２の本体３からピックアップする際に本体３に挿入した時の位置にエンドエフェクタ５５を挿入するように、コントローラ５７は正圧移載装置５０の動きを制御する。すなわち、図６に示されているように、ウエハ１をポッド２の本体３からピックアップする際には、両奥側位置決め部６、６に接触したウエハ１（図６の想像線参照）をエンドエフェクタ５５の先端寄りで掬い取るので、エンドエフェクタ５５のザグリ５５ａの中心Ｏａは想像線で示されたウエハ１の中心Ｏｗの位置よりも後退した位置になっている。そして、図６に示されているように、ポッド２の本体３に収納する際のウエハ１の中心Ｏｗはザグリ５５ａの中心Ｏａに合致した状態になっているので、ウエハ１が両奥側位置決め部６、６に衝突することはない。したがって、ウエハ１がポッド２の本体３の両奥側位置決め部６、６に衝突して発生するパーティクルやウエハ１の損傷等の障害の発生を、未然に防止することができる。

処理済みの二十五枚のウエハ１のポッド２への収納が完了すると、ポッド２のキャップ７がポッドオープナ４２のキャップ着脱機構４４によってウエハ出し入れ口４に装着され、ポッド２が閉じられる。閉じられたポッド２は載置台４３の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。

以上の作動が繰り返されることにより、ウエハが順次に処理されて行く。以上の作動は第一ＣＶＤユニット６１および第一クーリングユニット６３が使用される場合を例にして説明したが、第二ＣＶＤユニット６２および第二クーリングユニット６４が使用される場合についても同様の作動が実施される。

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。

1) ウエハをポッドから取り出す際にはウエハをエンドエフェクタの先端寄りで掬い取り、ウエハをポッドに収納する際にはウエハをエンドエフェクタの中央で保持した状態でポッドに搬入することにより、ウエハがポッドの奥側位置決め部に衝突する現象を防止することができるので、パーティクルやウエハの損傷等の障害が発生するのを防止することができる。

2) ウエハをポッドから取り出す際にはウエハをエンドエフェクタの先端寄りで掬い取り、ウエハをポッドに返却する際にはウエハをエンドエフェクタの中央で保持した状態でポッドに搬入することにより、エンドエフェクタの位置のティーチングは、ウエハの取り出し位置とウエハの返却位置との二つの位置をティーチングせずに取り出し位置だけを実行すれば済むために、作業能率を向上させることができる。

本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。

例えば、ウエハをポッドから取り出す際のエンドエフェクタでのウエハ載置位置をエンドエフェクタの先端寄りに設定し、ウエハをポッドへ収納する際のエンドエフェクタでのウエハ載置位置を中央に設定するに限らず、ウエハをポッドから取り出す際のエンドエフェクタでのウエハ載置位置をエンドエフェクタの中央に設定し、ウエハをポッドへ収納する際のエンドエフェクタでのウエハ載置位置を後端寄りに設定する等してもよい。要するに、ウエハをポッドから取り出す際のエンドエフェクタでのウエハ載置位置とウエハをポッドへ収納する際のエンドエフェクタでのウエハ載置位置とを、ウエハがポッドの奥側位置決め部に衝突しないように相違させればよい。

負圧移載室の周囲に配設されるウエハを処理する処理部は、二枚葉式ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が設備されたＣＶＤユニットおよびクーリングユニットによって構成するに限らず、バッチ式ＣＶＤ装置や枚葉式ＣＶＤ装置が設備されたＣＶＤユニット、さらには、酸化装置や拡散装置、熱処理装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置、クリーニング装置等の基板処理装置を備えた処理ユニット等によって構成してもよい。

前記実施の形態では成膜する場合について説明したが、酸化処理や拡散処理やアニール処理、プラズマ処理、スパッタ処理、ドライエッチング処理、クリーニング処理、冷却処理、予備加熱処理およびそれらを組み合わせた処理にも適用することができる。

また、ウエハを処理する場合について説明したが、液晶パネルや磁気ディスク、光ディスク等の基板全般について適用することができる。

本発明の一実施の形態であるマルチチャンバ型ＣＶＤ装置を示す平面断面図である。 正圧移載装置を示す斜視図である。 エンドエフェクタを示しており、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図である。 ポッドを示す平面断面図である。 エンドエフェクタでのウエハ載置位置を示す平面図であり、（ａ）は先端寄りの状態を示しており、（ｂ）は中央の状態を示している。 ウエハのポッドへの収納時を示す一部省略平面断面図である。

符号の説明

１…ウエハ（基板）、２…ポッド（基板収納容器）、３…本体、４…ウエハ出し入れ口、５…保持部片、６…奥側位置決め部、７…キャップ、８…前側位置決め部、９…錠前、１０…負圧移載室（ウエハ移載室）、１１…負圧移載室筐体、１２…負圧移載装置（ウエハ移載装置）、１３…エレベータ、１４…上側アーム、１５…下側アーム、１６…上側エンドエフェクタ、１７…下側エンドエフェクタ、２０…搬入室（搬入用予備室）、２１…搬入室筐体、２２、２３…搬入口、２４…ゲートバルブ、２５…搬入室用仮置き台、２６、２７…搬入口、２８…ゲートバルブ、３０…搬出室（搬出用予備室）、３１…搬出室筐体、３２、３３…搬出口、３４…ゲートバルブ、３５…搬出室用仮置き台、３６、３７…搬出口、３８…ゲートバルブ、４０…正圧移載室（ウエハ移載室）、４１…正圧移載室筐体、４２…ポッドオープナ、４３…載置台、４４…キャップ着脱機構、４５…アライメント装置、４６…クリーンユニット、４７、４８、４９…ウエハ搬入搬出口、５０…正圧移載装置（ウエハ移載装置）、５１…エレベータ、５３…上側アーム、５４…下側アーム、５５…上側エンドエフェクタ（基板載置プレート）、５５ａ…ザグリ、５６…下側エンドエフェクタ、５７…コントローラ、６１…第一ＣＶＤユニット（第一処理部）、６２…第二ＣＶＤユニット（第二処理部）、６３…第一クーリングユニット（第三処理部）、６４…第二クーリングユニット（第四処理部）、６５、６７…ウエハ搬入搬出口、６７Ａ…ゲートバルブ、６８…ウエハ搬入搬出口。

Claims (3)

1. 基端部がアームに支持された基板載置プレートの支持部で基板を支持して基板収納容器に出し入れする基板移載装置と、基板出し入れ口に隣接した側壁の内面に設けられた奥側位置決め部を有する基板収納容器と、該基板移載装置を制御するコントローラと、を備えており、前記コントローラは、
   前記基板収納容器の前記奥側位置決め部に当接された前記基板を前記基板収納容器から取り出す際には、前記基板の中心が前記支持部の中心に対して前記基板載置プレートの先端寄りになるように、前記基板移載装置を制御し、
   前記基板を前記基板収納容器に収納する際には、前記基板の中心が前記支持部の中心になるように、前記基板移載装置を制御することにより、
   前記収納する際の前記基板の中心が、取り出す際の前記基板の中心より、前記基板出し入れ口方向に後退した位置となるように制御する、
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記支持部がザグリであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 基端部がアームに支持された基板載置プレートの支持部で基板を支持する基板移載装置が前記基板を、基板出し入れ口に隣接した側壁の内面に設けられた奥側位置決め部を有する基板収納容器に出し入れする基板処理方法であって、
   前記基板移載装置は、
   前記基板収納容器の前記奥側位置決め部に当接された前記基板を前記基板収納容器から取り出す際には、前記基板の中心が前記支持部の中心に対して前記基板載置プレートの先端寄りになるように、前記基板を前記基板載置プレートによって支持し、
   前記基板を前記基板収納容器に収納する際には、前記基板の中心が前記支持部の中心になるように、前記基板を前記基板載置プレートによって支持することにより、
   前記収納する際の前記基板の中心が、取り出す際の前記基板の中心より、前記基板出し入れ口方向に後退した位置となるように制御する、
   ことを特徴とする基板処理方法。
   

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